JPH09185084A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09185084A JPH09185084A JP9025280A JP2528097A JPH09185084A JP H09185084 A JPH09185084 A JP H09185084A JP 9025280 A JP9025280 A JP 9025280A JP 2528097 A JP2528097 A JP 2528097A JP H09185084 A JPH09185084 A JP H09185084A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light shielding
- light
- gate lines
- liquid crystal
- display device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の利用効率の低下を防止することが可能
で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置の製造
方法を得こと。 【解決手段】 ゲ―トライン４Ａを光を遮蔽する金属導
電材料にて形成し、ソース映像信号を供給するソースラ
イン７Ａに沿ってかつソースライン７Ａと離間して上記
金属導電材料にて光遮蔽膜４Ｂを形成し、ゲ―トライン
４Ａおよび光遮蔽膜７Ａを同一工程で形成する。
で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置の製造
方法を得こと。 【解決手段】 ゲ―トライン４Ａを光を遮蔽する金属導
電材料にて形成し、ソース映像信号を供給するソースラ
イン７Ａに沿ってかつソースライン７Ａと離間して上記
金属導電材料にて光遮蔽膜４Ｂを形成し、ゲ―トライン
４Ａおよび光遮蔽膜７Ａを同一工程で形成する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】この発明は液晶表示装置の製造方法
に関するものでとりわけ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
用いたマトリックスタイプの液晶表示装置の製造方法に
関するものである。
に関するものでとりわけ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
用いたマトリックスタイプの液晶表示装置の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴを用いた液晶表示装置の例
を第３、４、５図により説明する。二枚の対向して設け
た透明基板１、２の間に液晶３が封入され、ＴＦＴは透
明基板１の上に形成されている。ＴＦＴはゲ―ト電極
４、ゲ―ト絶縁膜５、半導体層６、ＩＴＯなどの透明材
よりなるソ―ス電極７およびドレイン電極８を含む。上
記ゲ―ト電極４は横方向に連続して形成されゲ―トライ
ン４Ａをなし、ソ―ス電極７は縦方向に連続して形成さ
れソ―スライン７Ａをなしている（第４図）。ドレイン
電極８は透明画素電極９に接続されている。このドレイ
ン電極８と画素電極９とは一体に形成してもよい。１０
は半導体層の保護膜で、さらにその上に光遮蔽膜１１、
配向膜１２が順次形成されている。対向する透明基板２
には透明電極１３が形成され、その上にカラ―フィルタ
層１４が設けられ、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの三色が交互に配
置されている。これらカラ―フィルタＲ、Ｇ、Ｂは上記
画素電極９に対向する位置に形成されている。光を制御
できるのは画素電極の部分だけであり、それ以外の部分
は光を制御できず、とくにソ―ス電極７は直接液晶の駆
動電極ではないのでドレイン電極８による液晶の、Ｏ
Ｎ、ＯＦＦとは関係なく動作してしまい、光の洩れによ
りコントラストの低下、黒色の不鮮明さ、隣接する画素
との混色などの悪影響がある。そこでカラ―フィルタ層
１４の画素電極９に対向するＲ、Ｇ、Ｂ部分以外の部分
に、第５図示のようにブラックストライプ１５が形成さ
れている。これはカラ―フィルタ層１４を黒色に染めた
ものにより格子状に形成されている。その他のブラック
ストライプの形成方法としては、光遮蔽金属膜にて形成
してもよい。そして最表部に配向膜１６が形成されてい
る。
を第３、４、５図により説明する。二枚の対向して設け
た透明基板１、２の間に液晶３が封入され、ＴＦＴは透
明基板１の上に形成されている。ＴＦＴはゲ―ト電極
４、ゲ―ト絶縁膜５、半導体層６、ＩＴＯなどの透明材
よりなるソ―ス電極７およびドレイン電極８を含む。上
記ゲ―ト電極４は横方向に連続して形成されゲ―トライ
ン４Ａをなし、ソ―ス電極７は縦方向に連続して形成さ
れソ―スライン７Ａをなしている（第４図）。ドレイン
電極８は透明画素電極９に接続されている。このドレイ
ン電極８と画素電極９とは一体に形成してもよい。１０
は半導体層の保護膜で、さらにその上に光遮蔽膜１１、
配向膜１２が順次形成されている。対向する透明基板２
には透明電極１３が形成され、その上にカラ―フィルタ
層１４が設けられ、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの三色が交互に配
置されている。これらカラ―フィルタＲ、Ｇ、Ｂは上記
画素電極９に対向する位置に形成されている。光を制御
できるのは画素電極の部分だけであり、それ以外の部分
は光を制御できず、とくにソ―ス電極７は直接液晶の駆
動電極ではないのでドレイン電極８による液晶の、Ｏ
Ｎ、ＯＦＦとは関係なく動作してしまい、光の洩れによ
りコントラストの低下、黒色の不鮮明さ、隣接する画素
との混色などの悪影響がある。そこでカラ―フィルタ層
１４の画素電極９に対向するＲ、Ｇ、Ｂ部分以外の部分
に、第５図示のようにブラックストライプ１５が形成さ
れている。これはカラ―フィルタ層１４を黒色に染めた
ものにより格子状に形成されている。その他のブラック
ストライプの形成方法としては、光遮蔽金属膜にて形成
してもよい。そして最表部に配向膜１６が形成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例においてブ
ラックストライプ１５はＴＦＴとは反対側の基板２に設
けられているので、両透明基板１、２の合わせ精度や、
光の回り込みを考慮して、ブラックストライプ１５の幅
は画素電極９間の間隔よりも広めに設計する必要があ
り、ブラックストライプの幅を広くすると有効画素の面
積割合が低下し、光の利用効率が低下するという欠点が
あった。また、ブラックストライプを形成するための工
程が必要となるため、その分製造工程が増加するという
欠点もあった。
ラックストライプ１５はＴＦＴとは反対側の基板２に設
けられているので、両透明基板１、２の合わせ精度や、
光の回り込みを考慮して、ブラックストライプ１５の幅
は画素電極９間の間隔よりも広めに設計する必要があ
り、ブラックストライプの幅を広くすると有効画素の面
積割合が低下し、光の利用効率が低下するという欠点が
あった。また、ブラックストライプを形成するための工
程が必要となるため、その分製造工程が増加するという
欠点もあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明における液晶表示
装置の製造方法は、薄膜トランジスタのゲ―トラインを
光を遮蔽する金属導電材料にて形成し、薄膜トランジス
タに映像信号を供給する信号ラインに沿ってかつ信号ラ
インと離間して上記金属導電材料にて光遮蔽膜を形成
し、ゲ―トラインおよび光遮蔽膜を同一工程で形成して
あり、これにより、光の利用効率の低下を防止し、しか
も製造工程の低減を可能とする。
装置の製造方法は、薄膜トランジスタのゲ―トラインを
光を遮蔽する金属導電材料にて形成し、薄膜トランジス
タに映像信号を供給する信号ラインに沿ってかつ信号ラ
インと離間して上記金属導電材料にて光遮蔽膜を形成
し、ゲ―トラインおよび光遮蔽膜を同一工程で形成して
あり、これにより、光の利用効率の低下を防止し、しか
も製造工程の低減を可能とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】一方の基板に複数の薄膜トランジ
スタ、該薄膜トランジスタに接続された複数の画素電
極、上記複数の薄膜トランジスタのゲ―ト電極どうしを
接続するゲ―トラインおよび上記複数の薄膜トランジス
タに映像信号を供給する信号ラインを設け、上記一方の
基板と上記一方の基板に対向する他方の基板との間に液
晶を封入してなるマトリックスタイプの液晶表示装置の
製造方法において、上記ゲ―トラインを光を遮蔽する金
属導電材料にて形成し、上記一方の基板に上記信号ライ
ンに沿ってかつ上記信号ラインと離間して上記金属導電
材料にて光遮蔽膜を形成し、上記ゲ―トラインおよび上
記光遮蔽膜を同一工程で形成する。
スタ、該薄膜トランジスタに接続された複数の画素電
極、上記複数の薄膜トランジスタのゲ―ト電極どうしを
接続するゲ―トラインおよび上記複数の薄膜トランジス
タに映像信号を供給する信号ラインを設け、上記一方の
基板と上記一方の基板に対向する他方の基板との間に液
晶を封入してなるマトリックスタイプの液晶表示装置の
製造方法において、上記ゲ―トラインを光を遮蔽する金
属導電材料にて形成し、上記一方の基板に上記信号ライ
ンに沿ってかつ上記信号ラインと離間して上記金属導電
材料にて光遮蔽膜を形成し、上記ゲ―トラインおよび上
記光遮蔽膜を同一工程で形成する。
【０００６】
【実施例】この発明の実施例の液晶表示装置のＴＦＴを
設けた部分における断面図、第２図が従来例について示
した第３図と異る点は、従来例におけるブラックストラ
イプ１５が設けられていないことである。またこの実施
例ではゲ―ト電極４はモリブデン、クロム、アルミニゥ
ムなどの光を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は
第３図と同様であり、同じ符号を付した個所は同じもの
を示す。この発明の特徴は第１図においてよく表され
る。すなわち、ゲ―トライン４Ａと連続してゲ―トライ
ンと同じ金属材料にて光遮蔽膜４Ｂが形成されている。
光遮蔽膜４Ｂはソ―スライン７Ａ方向にソ―スラインよ
りもやや幅広に形成され、隣接するＴＦＴ、図面では下
側のＴＦＴの手前まで伸びている。したがって画素電極
９は光遮蔽作用をするゲ―トライン４Ａおよび光遮蔽膜
４Ｂでほぼ囲まれる構成となる。もちろんこの光遮蔽膜
４Ｂの形成はゲ―トライン４と一緒にパタ―ン形成する
ことができる。マスク合せの精度は２μｍ程度であり、
２枚の基板１、２の合せ精度１０μｍ程度に比べてはる
かに小さいので、精度よく形成することができる。上記
実施例においてはカラ―フイルタ層１４にブラックスト
ライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるためにブ
ラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラック
ストライプの両方で光の洩れを防止するようにしてもよ
い。
設けた部分における断面図、第２図が従来例について示
した第３図と異る点は、従来例におけるブラックストラ
イプ１５が設けられていないことである。またこの実施
例ではゲ―ト電極４はモリブデン、クロム、アルミニゥ
ムなどの光を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は
第３図と同様であり、同じ符号を付した個所は同じもの
を示す。この発明の特徴は第１図においてよく表され
る。すなわち、ゲ―トライン４Ａと連続してゲ―トライ
ンと同じ金属材料にて光遮蔽膜４Ｂが形成されている。
光遮蔽膜４Ｂはソ―スライン７Ａ方向にソ―スラインよ
りもやや幅広に形成され、隣接するＴＦＴ、図面では下
側のＴＦＴの手前まで伸びている。したがって画素電極
９は光遮蔽作用をするゲ―トライン４Ａおよび光遮蔽膜
４Ｂでほぼ囲まれる構成となる。もちろんこの光遮蔽膜
４Ｂの形成はゲ―トライン４と一緒にパタ―ン形成する
ことができる。マスク合せの精度は２μｍ程度であり、
２枚の基板１、２の合せ精度１０μｍ程度に比べてはる
かに小さいので、精度よく形成することができる。上記
実施例においてはカラ―フイルタ層１４にブラックスト
ライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるためにブ
ラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラック
ストライプの両方で光の洩れを防止するようにしてもよ
い。
【０００７】また上記実施例においてはカラ―液晶表示
装置について述べたが、白黒表示の液晶表示装置におい
て、とりわけ透過型の表示装置の場合にはソ―スライン
の部分などからの光の洩れによるコントラストの低下を
防ぐために、光遮蔽性のゲ―ト電極材料にてソ―スライ
ン沿いに光遮蔽膜を形成することができる。
装置について述べたが、白黒表示の液晶表示装置におい
て、とりわけ透過型の表示装置の場合にはソ―スライン
の部分などからの光の洩れによるコントラストの低下を
防ぐために、光遮蔽性のゲ―ト電極材料にてソ―スライ
ン沿いに光遮蔽膜を形成することができる。
【０００８】このように、光遮蔽膜をゲ―トラインを構
成する材料で、ゲ―トラインとともにパタ―ン形成する
ことができるので製造プロセスが増えることなく、また
ＴＦＴを設ける側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素
電極に対して精度よく形成することができるので、光の
洩れの少ないコントラストのよい表示装置を得ることが
できる。
成する材料で、ゲ―トラインとともにパタ―ン形成する
ことができるので製造プロセスが増えることなく、また
ＴＦＴを設ける側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素
電極に対して精度よく形成することができるので、光の
洩れの少ないコントラストのよい表示装置を得ることが
できる。
【０００９】
【発明の効果】本発明では、光の利用効率の低下を防止
することが可能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶
表示装置の製造方法を得ることができる。また、光遮蔽
膜を信号ラインに沿ってかつ信号ラインと離間して形成
するため、光遮蔽膜をゲ―トラインと連続して形成する
ことができ、信号ラインのほぼ全面に光遮蔽膜を設ける
ことができ、より効果的に光を遮蔽することが可能とな
る。
することが可能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶
表示装置の製造方法を得ることができる。また、光遮蔽
膜を信号ラインに沿ってかつ信号ラインと離間して形成
するため、光遮蔽膜をゲ―トラインと連続して形成する
ことができ、信号ラインのほぼ全面に光遮蔽膜を設ける
ことができ、より効果的に光を遮蔽することが可能とな
る。
【００１０】また、光遮光膜は金属導電材料にて形成さ
れるため、特別な工程をようせず充分な遮光性を有す
る。
れるため、特別な工程をようせず充分な遮光性を有す
る。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置の構成を説明
するための説明図。
するための説明図。
【図２】図１の要部の構成を説明するための断面図。
【図３】従来技術を説明するための説明図。
【図４】従来技術を説明するための説明図。
【図５】従来技術を説明するための説明図。
１ 基盤 ２ 基盤 ３ 液晶 ４Ａ ゲートライン ４Ｂ 光遮蔽膜 ７Ａ ソースライン（信号ライン） ＴＦＴ 薄膜トランジスタ ９ 画素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金沢 由理 栃木県那須郡塩原町大字下田野531−１ 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の基板に複数の薄膜トランジスタ、
該薄膜トランジスタに接続された複数の画素電極、上記
複数の薄膜トランジスタのゲ―ト電極どうしを接続する
ゲ―トラインおよび上記複数の薄膜トランジスタに映像
信号を供給する信号ラインを設け、上記一方の基板と上
記一方の基板に対向する他方の基板との間に液晶を封入
してなるマトリックスタイプの液晶表示装置の製造方法
において、 上記ゲ―トラインを光を遮蔽する金属導電材料にて形成
し、上記一方の基板に上記信号ラインに沿ってかつ上記
信号ラインと離間して上記金属導電材料にて光遮蔽膜を
形成し、上記ゲ―トラインおよび上記光遮蔽膜を同一工
程で形成した液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9025280A JPH09185084A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9025280A JPH09185084A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61200310A Division JPH0812353B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185084A true JPH09185084A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=12161620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9025280A Pending JPH09185084A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09185084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110215327A1 (en) * | 1997-03-28 | 2011-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669683A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Image display device |
| JPS595228A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP9025280A patent/JPH09185084A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669683A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Image display device |
| JPS595228A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110215327A1 (en) * | 1997-03-28 | 2011-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display device |
| US8248551B2 (en) * | 1997-03-28 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including capacitor line parallel to source line |
| US8531619B2 (en) | 1997-03-28 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display device with overlapping conductive film and pixel electrode |
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