JPH09186391A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH09186391A JPH09186391A JP34208095A JP34208095A JPH09186391A JP H09186391 A JPH09186391 A JP H09186391A JP 34208095 A JP34208095 A JP 34208095A JP 34208095 A JP34208095 A JP 34208095A JP H09186391 A JPH09186391 A JP H09186391A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、
簡単な製造工程によって、表面の平坦性が良好な光変調
器集積化ＤＦＢレーザ等の化合物半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体基板１上に場所によって大きさの
異なる開口部を有する誘電体マスク２を設け、有機金属
気相成長法を用いて第１の半導体層５を開口部に選択成
長させたのち、全面に第２の半導体層８を成長させる際
に、第１の半導体層５の層厚を、開口部の面積の小さい
領域４において開口部の面積の大きな領域４よりも厚く
し、また、第２の半導体層８のうち誘電体マスク２上に
成長する部分を多結晶半導体とする。
簡単な製造工程によって、表面の平坦性が良好な光変調
器集積化ＤＦＢレーザ等の化合物半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体基板１上に場所によって大きさの
異なる開口部を有する誘電体マスク２を設け、有機金属
気相成長法を用いて第１の半導体層５を開口部に選択成
長させたのち、全面に第２の半導体層８を成長させる際
に、第１の半導体層５の層厚を、開口部の面積の小さい
領域４において開口部の面積の大きな領域４よりも厚く
し、また、第２の半導体層８のうち誘電体マスク２上に
成長する部分を多結晶半導体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体装置及
びその製造方法に関するものであり、特に、光導波路と
半導体レーザとを集積化したＯＥＩＣ（オプトエクトロ
ニクスＩＣ）等の化合物半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
びその製造方法に関するものであり、特に、光導波路と
半導体レーザとを集積化したＯＥＩＣ（オプトエクトロ
ニクスＩＣ）等の化合物半導体装置及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ等の光半導体装置は
多重量子井戸（ＭＱＷ）を用いることによりその特性が
大幅に改善されてきているが、さらに光導波路或いは光
変調器とレーザ素子とを集積化するなどの、異なる機能
を有する素子を集積化することが行われている。
多重量子井戸（ＭＱＷ）を用いることによりその特性が
大幅に改善されてきているが、さらに光導波路或いは光
変調器とレーザ素子とを集積化するなどの、異なる機能
を有する素子を集積化することが行われている。
【０００３】この様な集積化に際しては、ＭＱＷ構造を
制御性良く形成でき、また、Ｐを含む広禁制帯幅半導体
層を再現性良く形成でき、且つ、大量生産に適している
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）が用いられてい
る。
制御性良く形成でき、また、Ｐを含む広禁制帯幅半導体
層を再現性良く形成でき、且つ、大量生産に適している
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）が用いられてい
る。
【０００４】ここで、図６を参照してＭＯＶＰＥ法を用
いた従来の光変調器集積型ＤＦＢ（分布帰還型）レーザ
（特開平４−１００２９１号公報参照）を説明する。な
お、図６（ａ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ’を結ぶ一点鎖
線に沿った断面図であり、また、図６（ｂ）は選択成長
マスクを形成した時点における平面図である。
いた従来の光変調器集積型ＤＦＢ（分布帰還型）レーザ
（特開平４−１００２９１号公報参照）を説明する。な
お、図６（ａ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａ’を結ぶ一点鎖
線に沿った断面図であり、また、図６（ｂ）は選択成長
マスクを形成した時点における平面図である。
【０００５】図６（ａ）及び（ｂ）参照 まず、クラッド層を兼ねるｎ型ＩｎＰ基板３１上にＳｉ
Ｏ2 膜を設けたのち、パターニングすることによって、
光変調器形成領域３２においてＤＦＢレーザ形成領域３
３より幅が広くなったストライプ状開口部を有するＳｉ
Ｏ2 マスク３４を形成する。
Ｏ2 膜を設けたのち、パターニングすることによって、
光変調器形成領域３２においてＤＦＢレーザ形成領域３
３より幅が広くなったストライプ状開口部を有するＳｉ
Ｏ2 マスク３４を形成する。
【０００６】次いで、ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａ
ＡｓＰＭＱＷ活性層３５及びＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
３６を堆積させる。この場合、ＳｉＯ2 マスク３４上に
は半導体層の成長が起こらず開口部にのみ成長が起こる
ため、光変調器形成領域３２よりストライプ幅の狭いＤ
ＦＢレーザ形成領域３３においては光変調器形成領域３
２より厚く堆積することになる。
ＡｓＰＭＱＷ活性層３５及びＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
３６を堆積させる。この場合、ＳｉＯ2 マスク３４上に
は半導体層の成長が起こらず開口部にのみ成長が起こる
ため、光変調器形成領域３２よりストライプ幅の狭いＤ
ＦＢレーザ形成領域３３においては光変調器形成領域３
２より厚く堆積することになる。
【０００７】その結果、ＤＦＢレーザ形成領域３３にお
けるＭＱＷの量子準位間のエネルギーギャップは、光変
調器形成領域３２におけるＭＱＷの量子準位間のエネル
ギーギャップより小さくなるので、レーザの共振器方向
にエネルギーギャップ分布が形成される。
けるＭＱＷの量子準位間のエネルギーギャップは、光変
調器形成領域３２におけるＭＱＷの量子準位間のエネル
ギーギャップより小さくなるので、レーザの共振器方向
にエネルギーギャップ分布が形成される。
【０００８】次いで、ＤＦＢレーザ形成領域３３におけ
るＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層３６の表面にコルゲーショ
ン３７を形成したのち、ｐ型ＩｎＰクラッド層３８及び
ｐ+型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３９を順次形成し、
各電極を形成したのち、適当に素子分割することによっ
て光変調器集積型ＤＦＢレーザが完成する。
るＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層３６の表面にコルゲーショ
ン３７を形成したのち、ｐ型ＩｎＰクラッド層３８及び
ｐ+型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３９を順次形成し、
各電極を形成したのち、適当に素子分割することによっ
て光変調器集積型ＤＦＢレーザが完成する。
【０００９】この場合、ＳｉＯ2 マスク３４を用いた選
択成長法を利用することによって、レーザ共振器方向に
自然にエネルギーギャップ分布を形成することができ、
光吸収損失の少ない光変調器集積型ＤＦＢレーザが得ら
れる。
択成長法を利用することによって、レーザ共振器方向に
自然にエネルギーギャップ分布を形成することができ、
光吸収損失の少ない光変調器集積型ＤＦＢレーザが得ら
れる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この場合、ｐ
型ＩｎＰクラッド層３８及びｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層３９もＳｉＯ2 マスク３４上に成長しないの
で、ＤＦＢレーザ形成領域３３において光変調器形成領
域３２より厚く堆積することになり、ＤＦＢレーザ形成
領域３３と光変調器形成領域３２との間の段差４０は大
きなものになり、平坦性が非常に悪くなり、その後のフ
ォトリソグラフィー工程に大きな支障を与えてしまうと
いう問題がある。
型ＩｎＰクラッド層３８及びｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層３９もＳｉＯ2 マスク３４上に成長しないの
で、ＤＦＢレーザ形成領域３３において光変調器形成領
域３２より厚く堆積することになり、ＤＦＢレーザ形成
領域３３と光変調器形成領域３２との間の段差４０は大
きなものになり、平坦性が非常に悪くなり、その後のフ
ォトリソグラフィー工程に大きな支障を与えてしまうと
いう問題がある。
【００１１】また、この様な問題点を解決するために
は、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３５及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層３６を成長させたのち、一旦、ＭＯＶＰＥ
成長装置から取り出して、ＳｉＯ2 マスク３４を除去
し、その後に、ｐ型ＩｎＰクラッド層３８及びｐ+ 型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層３９を成長させれば良いが、
製造工程が複雑化するという問題がある。
は、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３５及びＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層３６を成長させたのち、一旦、ＭＯＶＰＥ
成長装置から取り出して、ＳｉＯ2 マスク３４を除去
し、その後に、ｐ型ＩｎＰクラッド層３８及びｐ+ 型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層３９を成長させれば良いが、
製造工程が複雑化するという問題がある。
【００１２】したがって、本発明は、簡単な製造工程に
よって、表面の平坦性が良好な光変調器集積化ＤＦＢレ
ーザ等の化合物半導体装置を提供することを目的とす
る。
よって、表面の平坦性が良好な光変調器集積化ＤＦＢレ
ーザ等の化合物半導体装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、化合物半導体装置において、半導体基
板１上に設けた開口部を有する誘電体マスク２、開口部
に設けられた第１の半導体層５、この第１の半導体層５
上及び誘電体マスク２上に設けられた第２の半導体層８
とから少なくとも構成されると共に、第１の半導体層５
の層厚は、開口部の面積の小さい領域４において開口部
の面積の大きな領域３よりも厚く、また、第２の半導体
層８は誘電体マスク２上で多結晶半導体であることを特
徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、化合物半導体装置において、半導体基
板１上に設けた開口部を有する誘電体マスク２、開口部
に設けられた第１の半導体層５、この第１の半導体層５
上及び誘電体マスク２上に設けられた第２の半導体層８
とから少なくとも構成されると共に、第１の半導体層５
の層厚は、開口部の面積の小さい領域４において開口部
の面積の大きな領域３よりも厚く、また、第２の半導体
層８は誘電体マスク２上で多結晶半導体であることを特
徴とする。
【００１４】この様に、誘電体マスク２を用いて第１の
半導体層５に層厚分布を形成する際に、第１の半導体層
５を覆う第２の半導体層８を誘電体マスク２上にも多結
晶半導体として堆積させることによって成長層表面、即
ち、クラッド層１０の表面を略平坦にすることができ
る。
半導体層５に層厚分布を形成する際に、第１の半導体層
５を覆う第２の半導体層８を誘電体マスク２上にも多結
晶半導体として堆積させることによって成長層表面、即
ち、クラッド層１０の表面を略平坦にすることができ
る。
【００１５】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、第１の半導体層５は活性層７及び光ガイド層６より
なり、また、第２の半導体層８の第１半導体層５と接す
る部分９はＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体からなるク
ラッド層であることを特徴とする。
て、第１の半導体層５は活性層７及び光ガイド層６より
なり、また、第２の半導体層８の第１半導体層５と接す
る部分９はＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体からなるク
ラッド層であることを特徴とする。
【００１６】この様に、活性層７に層厚分布を設けるこ
とによって活性層の共振器方向にエネルギーギャップ分
布を形成させ、異なったエネルギーギャップの領域に異
なった機能の素子を設けて集積化することができ、且
つ、第１半導体層５と接する部分９はＡｌを含む広禁制
帯幅のIII-Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層とする
ことによってキャリアの閉じ込め効率を高め、温度依存
性が改善することができる。
とによって活性層の共振器方向にエネルギーギャップ分
布を形成させ、異なったエネルギーギャップの領域に異
なった機能の素子を設けて集積化することができ、且
つ、第１半導体層５と接する部分９はＡｌを含む広禁制
帯幅のIII-Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層とする
ことによってキャリアの閉じ込め効率を高め、温度依存
性が改善することができる。
【００１７】（３）また、本発明は、半導体基板１上に
場所によって大きさの異なる開口部を有する誘電体マス
ク２を設け、有機金属気相成長法を用いて第１の半導体
層５を開口部に選択成長させたのち、全面に第２の半導
体層８を成長させる化合物半導体装置の製造方法におい
て、第１の半導体層５の層厚を、開口部の面積の小さい
領域４において開口部の面積の大きな領域３よりも厚く
し、また、第２の半導体層８のうち誘電体マスク２上に
成長する部分を多結晶半導体としたことを特徴とする。
場所によって大きさの異なる開口部を有する誘電体マス
ク２を設け、有機金属気相成長法を用いて第１の半導体
層５を開口部に選択成長させたのち、全面に第２の半導
体層８を成長させる化合物半導体装置の製造方法におい
て、第１の半導体層５の層厚を、開口部の面積の小さい
領域４において開口部の面積の大きな領域３よりも厚く
し、また、第２の半導体層８のうち誘電体マスク２上に
成長する部分を多結晶半導体としたことを特徴とする。
【００１８】この様に、誘電体マスク２を用いた選択成
長によって、第１の半導体層５に層厚分布を形成するこ
とができ、また、第１の半導体層５を覆う第２の半導体
層８を誘電体マスク２上にも多結晶半導体として堆積さ
せる非選択成長によって成長層表面、即ち、クラッド層
１０の表面を略平坦にすることができる。
長によって、第１の半導体層５に層厚分布を形成するこ
とができ、また、第１の半導体層５を覆う第２の半導体
層８を誘電体マスク２上にも多結晶半導体として堆積さ
せる非選択成長によって成長層表面、即ち、クラッド層
１０の表面を略平坦にすることができる。
【００１９】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、第１の半導体層５を成長させる際に、Ｇａ及びＩｎ
の原料としてメチル系有機金属化合物を用い、また、第
２の半導体層８の少なくとも第１の半導体層５と接する
部分９を成長させる際に、Ｇａ又はＩｎの原料としてエ
チル系有機金属化合物を用いることを特徴とする。
て、第１の半導体層５を成長させる際に、Ｇａ及びＩｎ
の原料としてメチル系有機金属化合物を用い、また、第
２の半導体層８の少なくとも第１の半導体層５と接する
部分９を成長させる際に、Ｇａ又はＩｎの原料としてエ
チル系有機金属化合物を用いることを特徴とする。
【００２０】この様に、ＭＯＶＰＥ法において、Ｇａ及
びＩｎの原料としてメチル系有機金属化合物を用ること
によって選択成長性が高まり、また、Ｇａ又はＩｎの原
料としてエチル系有機金属化合物を用いることにより選
択成長性をなくすことができる。
びＩｎの原料としてメチル系有機金属化合物を用ること
によって選択成長性が高まり、また、Ｇａ又はＩｎの原
料としてエチル系有機金属化合物を用いることにより選
択成長性をなくすことができる。
【００２１】（５）また、本発明は、上記（３）におい
て、第２の半導体層８の少なくとも第１の半導体層５と
接する部分９を成長させる際に、５００℃以下の低温成
長を行うことを特徴とする。
て、第２の半導体層８の少なくとも第１の半導体層５と
接する部分９を成長させる際に、５００℃以下の低温成
長を行うことを特徴とする。
【００２２】この様に、成長温度を５００℃以下の低温
にすることによって、選択成長性が低減し、誘電体マス
ク２上を含めた全面に略平坦な第２の半導体層８を形成
することができる。
にすることによって、選択成長性が低減し、誘電体マス
ク２上を含めた全面に略平坦な第２の半導体層８を形成
することができる。
【００２３】（６）また、本発明は、上記（３）におい
て、第１の半導体層５を成長させる際に、ハロゲン或い
はハロゲンを含む化合物を用い、また、第２の半導体層
８の少なくとも第１の半導体層５と接する部分９を成長
させる際には、ハロゲン或いはハロゲンを含む化合物の
供給を低減或いは停止することを特徴とする。
て、第１の半導体層５を成長させる際に、ハロゲン或い
はハロゲンを含む化合物を用い、また、第２の半導体層
８の少なくとも第１の半導体層５と接する部分９を成長
させる際には、ハロゲン或いはハロゲンを含む化合物の
供給を低減或いは停止することを特徴とする。
【００２４】この様に、ハロゲン或いはハロゲンを含む
化合物を導入した状態で結晶成長を行うことによって、
Ａｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体の様に、本来、選択成
長性が悪い半導体を用いた場合にも選択成長が可能にな
る。
化合物を導入した状態で結晶成長を行うことによって、
Ａｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体の様に、本来、選択成
長性が悪い半導体を用いた場合にも選択成長が可能にな
る。
【００２５】（７）また、本発明は、上記（３）乃至
（６）のいずれかにおいて、第２の半導体層８の第１の
半導体層５に接する部分９がＡｌを含むIII-Ｖ族化合物
半導体からなることを特徴とする。
（６）のいずれかにおいて、第２の半導体層８の第１の
半導体層５に接する部分９がＡｌを含むIII-Ｖ族化合物
半導体からなることを特徴とする。
【００２６】この様に、第２の半導体層８の第１の半導
体層５に接する部分９をＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導
体とすることによって、特別の成長条件を加えなくても
非選択成長が容易になり、且つ、禁制帯幅が広いのでキ
ャリアの閉じ込め率を向上することができる。なお、こ
のＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体は１分子層以上の厚
さがあれば良い。
体層５に接する部分９をＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導
体とすることによって、特別の成長条件を加えなくても
非選択成長が容易になり、且つ、禁制帯幅が広いのでキ
ャリアの閉じ込め率を向上することができる。なお、こ
のＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体は１分子層以上の厚
さがあれば良い。
【００２７】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、第１の半導体層５がＡｌを含まないIII-Ｖ族化合物
半導体からなる活性層７及び光ガイド層６であることを
特徴とする。
て、第１の半導体層５がＡｌを含まないIII-Ｖ族化合物
半導体からなる活性層７及び光ガイド層６であることを
特徴とする。
【００２８】この様に、活性層７及び光ガイド層６とし
て、ＩｎＧａＡｓＰ等のＡｌを含まないIII-Ｖ族化合物
半導体を用いることによって、特別の成長条件を加えな
くとも選択成長が容易になる。
て、ＩｎＧａＡｓＰ等のＡｌを含まないIII-Ｖ族化合物
半導体を用いることによって、特別の成長条件を加えな
くとも選択成長が容易になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】図２乃至図５を参照して本発明の
実施の形態の製造工程を説明する。なお、図２（ａ）は
断面図であり、図２（ｂ）、図３（ｃ）、図４（ｆ）、
及び、図５（ｉ）は平面図であり、また、図３（ｄ）、
図４（ｇ）、及び、図５（ｊ）は、夫々、図３（ｃ）、
図４（ｆ）、及び、図５（ｉ）のＡ−Ａ’を結ぶ一点鎖
線に沿った断面を示し、さらに、図３（ｅ）、図４
（ｈ）、及び、図５（ｋ）は、夫々、図３（ｃ）、図４
（ｆ）、及び、図５（ｉ）のＢ−Ｂ’を結ぶ一点鎖線に
沿った断面を示す。
実施の形態の製造工程を説明する。なお、図２（ａ）は
断面図であり、図２（ｂ）、図３（ｃ）、図４（ｆ）、
及び、図５（ｉ）は平面図であり、また、図３（ｄ）、
図４（ｇ）、及び、図５（ｊ）は、夫々、図３（ｃ）、
図４（ｆ）、及び、図５（ｉ）のＡ−Ａ’を結ぶ一点鎖
線に沿った断面を示し、さらに、図３（ｅ）、図４
（ｈ）、及び、図５（ｋ）は、夫々、図３（ｃ）、図４
（ｆ）、及び、図５（ｉ）のＢ−Ｂ’を結ぶ一点鎖線に
沿った断面を示す。
【００３０】図２（ａ）参照 まず、クラッド層を兼ねるＳｉドープのｎ型ＩｎＰ基板
１１の所定領域に光変調器集積型ＤＦＢレーザの分布帰
還共振器を形成するためのコルゲーション１２を形成す
る。
１１の所定領域に光変調器集積型ＤＦＢレーザの分布帰
還共振器を形成するためのコルゲーション１２を形成す
る。
【００３１】図２（ｂ）参照 次いで、全面に厚さ０．０５〜０．２μｍ、例えば、
０．１μｍのＳｉＯ2 膜を熱ＣＶＤ法によって堆積させ
たのち、フォトリソグラフィー工程によってパターニン
グすることによって光変調器形成領域１４に対応する幅
広の開口部とレーザ形成領域１５に対応する幅狭の開口
部とをテーパ領域によって結合したストライプ上の開口
部を有するＳｉＯ2 マスク１３を形成する。
０．１μｍのＳｉＯ2 膜を熱ＣＶＤ法によって堆積させ
たのち、フォトリソグラフィー工程によってパターニン
グすることによって光変調器形成領域１４に対応する幅
広の開口部とレーザ形成領域１５に対応する幅狭の開口
部とをテーパ領域によって結合したストライプ上の開口
部を有するＳｉＯ2 マスク１３を形成する。
【００３２】なお、この場合の光変調器形成領域１４に
対応する開口部の幅を５０〜１００μｍ、例えば、８０
μｍとし、また、レーザ形成領域１５に対応する開口部
の幅を４〜２０μｍ、例えば、１０μｍとする。
対応する開口部の幅を５０〜１００μｍ、例えば、８０
μｍとし、また、レーザ形成領域１５に対応する開口部
の幅を４〜２０μｍ、例えば、１０μｍとする。
【００３３】次いで、結晶成長前に、硫酸系エッチング
液で少しだけエッチングすることによってｎ型ＩｎＰ基
板１１の表面を清浄にすると共に、ＳｉＯ2 マスク１３
上の残留フォトレジストを除去する。
液で少しだけエッチングすることによってｎ型ＩｎＰ基
板１１の表面を清浄にすると共に、ＳｉＯ2 マスク１３
上の残留フォトレジストを除去する。
【００３４】図３（ｃ）乃至（ｅ）参照 次いで、Ｇａ源としてＴＭＧａ（トリメチルガリウ
ム）、Ｉｎ源としてＴＭＩｎ（トリメチルインジウ
ム）、Ａｓ源としてＡｓＨ3 、及び、Ｐ源としてＰＨ3
を用いたＭＯＶＰＥ法によって、１．０μｍの波長に相
当する組成を有するＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６を成
長させたのち、１．１μｍの波長に相当する組成を有す
るＩｎＧａＡｓＰバリア層及び１．３５μｍの波長に相
当する組成を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層を交互に積
層させてＭＱＷ活性層１７を堆積させる。
ム）、Ｉｎ源としてＴＭＩｎ（トリメチルインジウ
ム）、Ａｓ源としてＡｓＨ3 、及び、Ｐ源としてＰＨ3
を用いたＭＯＶＰＥ法によって、１．０μｍの波長に相
当する組成を有するＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６を成
長させたのち、１．１μｍの波長に相当する組成を有す
るＩｎＧａＡｓＰバリア層及び１．３５μｍの波長に相
当する組成を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層を交互に積
層させてＭＱＷ活性層１７を堆積させる。
【００３５】この場合、図３（ｅ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ2 マスク１３上には、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６
及びＭＱＷ活性層１７は成長せず、また、図３（ｄ）に
示すように、レーザ形成領域１５におけるＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚さは、光変
調器形成領域１４におけるＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１
６及びＭＱＷ活性層１７の厚さより厚くなる。
Ｏ2 マスク１３上には、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６
及びＭＱＷ活性層１７は成長せず、また、図３（ｄ）に
示すように、レーザ形成領域１５におけるＩｎＧａＡｓ
Ｐ光ガイド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚さは、光変
調器形成領域１４におけるＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１
６及びＭＱＷ活性層１７の厚さより厚くなる。
【００３６】例えば、光変調器形成領域１４におけるＩ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚
さは、夫々４００〜８００Å、例えば、５００Å、及
び、２００〜８００Å、例えば、５００Åとなり、ま
た、レーザ形成領域１５におけるＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚さは、夫々８００〜
１６００Å、例えば、１０００Å、及び、４００〜１６
００Å、例えば、１０００Åとなる。
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚
さは、夫々４００〜８００Å、例えば、５００Å、及
び、２００〜８００Å、例えば、５００Åとなり、ま
た、レーザ形成領域１５におけるＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層１６及びＭＱＷ活性層１７の厚さは、夫々８００〜
１６００Å、例えば、１０００Å、及び、４００〜１６
００Å、例えば、１０００Åとなる。
【００３７】なお、ＭＱＷ活性層１７のＩｎＧａＡｓＰ
ウエル層は５層であるので、上記の厚さは５層分のウエ
ル層とバリア層の合計の厚さである。
ウエル層は５層であるので、上記の厚さは５層分のウエ
ル層とバリア層の合計の厚さである。
【００３８】この様に、光変調器形成領域１４及びレー
ザ形成領域１５におけるＭＱＷ活性層１７の厚さが異な
ることにより、ＭＱＷ活性層１７における量子準位も異
なることになり、レーザ共振器方向にエネルギーギャッ
プの分布が自然に形成される。
ザ形成領域１５におけるＭＱＷ活性層１７の厚さが異な
ることにより、ＭＱＷ活性層１７における量子準位も異
なることになり、レーザ共振器方向にエネルギーギャッ
プの分布が自然に形成される。
【００３９】この場合、ＭＱＷの厚さが薄いほど量子準
位は高くなるのでエネルギーギャップが大きくなり、し
たがって、光変調器形成領域１４におけるレーザ光の光
吸収損失を小さくすることができる。なお、この場合の
光変調器形成領域１４はスポットサイズ変換器として機
能する。
位は高くなるのでエネルギーギャップが大きくなり、し
たがって、光変調器形成領域１４におけるレーザ光の光
吸収損失を小さくすることができる。なお、この場合の
光変調器形成領域１４はスポットサイズ変換器として機
能する。
【００４０】なお、この場合の成長条件は、以後に成長
させる層を含めて、全て成長圧力を５０Ｔｏｒｒ、供給
ガスの総流量を８０００ｓｃｃｍとし、また、キャリア
ガスとしては水素を用いる。
させる層を含めて、全て成長圧力を５０Ｔｏｒｒ、供給
ガスの総流量を８０００ｓｃｃｍとし、また、キャリア
ガスとしては水素を用いる。
【００４１】図４（ｆ）乃至（ｈ）参照 次いで、Ｇａ源としてＴＥＧａ（トリエチルガリウ
ム）、Ｉｎ源としてＴＥＩｎ（トリエチルインジウ
ム）、Ａｌ源としてＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウ
ム）、及び、Ａｓ源としてＡｓＨ3 を用い、基板温度を
６００〜７００℃、例えば、６５０℃にした状態で、１
分子層〜１０００Å、例えば、２００Åの厚さのｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を成長させるが、Ａｌを
含むIII-Ｖ族化合物半導体は誘電体膜上にも堆積が生ず
るので、この場合には、ＳｉＯ2 マスク１３上には多結
晶ＡｌＧａＩｎＡｓ層が成長し、以後の結晶成長工程に
おいてこのｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８が選択
成長阻止層として機能する。
ム）、Ｉｎ源としてＴＥＩｎ（トリエチルインジウ
ム）、Ａｌ源としてＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウ
ム）、及び、Ａｓ源としてＡｓＨ3 を用い、基板温度を
６００〜７００℃、例えば、６５０℃にした状態で、１
分子層〜１０００Å、例えば、２００Åの厚さのｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を成長させるが、Ａｌを
含むIII-Ｖ族化合物半導体は誘電体膜上にも堆積が生ず
るので、この場合には、ＳｉＯ2 マスク１３上には多結
晶ＡｌＧａＩｎＡｓ層が成長し、以後の結晶成長工程に
おいてこのｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８が選択
成長阻止層として機能する。
【００４２】この場合、ＳｉＯ2 マスク１３上において
も成長ガスが消費されるので、ＳｉＯ2 マスク１３の形
状にはよらず、どの部分においても成長速度は略一定と
なって全体的に略同じ厚さの成長層が堆積し、表面が略
平坦になる。
も成長ガスが消費されるので、ＳｉＯ2 マスク１３の形
状にはよらず、どの部分においても成長速度は略一定と
なって全体的に略同じ厚さの成長層が堆積し、表面が略
平坦になる。
【００４３】図５（ｉ）乃至（ｋ）参照 次いで、Ｇａ源としてＴＭＧａ、Ｉｎ源としてＴＭＩ
ｎ、Ａｓ源としてＡｓＨ 3 、及び、Ｐ源としてＰＨ3 を
用いたＭＯＶＰＥ法によって、厚さ１．５〜２．０μ
ｍ、例えば、１．８μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１９、
及び、厚さ０．１〜０．３μｍ、例えば、０．２μｍの
ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０を成長させる。
ｎ、Ａｓ源としてＡｓＨ 3 、及び、Ｐ源としてＰＨ3 を
用いたＭＯＶＰＥ法によって、厚さ１．５〜２．０μ
ｍ、例えば、１．８μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１９、
及び、厚さ０．１〜０．３μｍ、例えば、０．２μｍの
ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０を成長させる。
【００４４】この場合、ＳｉＯ2 マスク１３上には既に
ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層１８の一部として多結晶ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ層が堆積しているので、ｐ型ＩｎＰクラッド
層１９及びｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０も全
面に略平坦に成長する。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層１８の一部として多結晶ＡｌＧ
ａＩｎＡｓ層が堆積しているので、ｐ型ＩｎＰクラッド
層１９及びｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０も全
面に略平坦に成長する。
【００４５】次いで、全面に厚さ０．２μｍのＳｉＯ2
膜を堆積させたのちパターニングすることによって幅
１．０〜２．０μｍ、例えば、１．３μｍのストライプ
状のＳｉＯ2 マスク２１を形成し、このＳｉＯ2 マスク
２１をマスクとしてブロム系エッチング液及び臭素酸系
エッチング液を用いてｐ型ＩｎＰクラッド層１９及びｐ
+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０をエッチングす
る。
膜を堆積させたのちパターニングすることによって幅
１．０〜２．０μｍ、例えば、１．３μｍのストライプ
状のＳｉＯ2 マスク２１を形成し、このＳｉＯ2 マスク
２１をマスクとしてブロム系エッチング液及び臭素酸系
エッチング液を用いてｐ型ＩｎＰクラッド層１９及びｐ
+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２０をエッチングす
る。
【００４６】この場合、臭素酸系エッチング液はｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層１９をエッチングするが、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＡｓクラッド層１８をエッチングすることができな
いので、このｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８がエ
ッチングストップ層としても作用する。
ｎＰクラッド層１９をエッチングするが、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＡｓクラッド層１８をエッチングすることができな
いので、このｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８がエ
ッチングストップ層としても作用する。
【００４７】次いで、このＳｉＯ2 マスク２１をそのま
ま選択成長マスクとして、ＦｅドープＩｎＰ埋込層２２
を形成したのち、ＳｉＯ2 マスク２１を除去し、素子分
離溝、ＳｉＯ2 パッシベーション膜を形成し、次いで、
ｐ側電極及びｎ側電極を形成したのち、幅３００μｍ、
長さ１０００μｍのチップに劈開して光変調器集積型Ｄ
ＢＦレーザが完成する。
ま選択成長マスクとして、ＦｅドープＩｎＰ埋込層２２
を形成したのち、ＳｉＯ2 マスク２１を除去し、素子分
離溝、ＳｉＯ2 パッシベーション膜を形成し、次いで、
ｐ側電極及びｎ側電極を形成したのち、幅３００μｍ、
長さ１０００μｍのチップに劈開して光変調器集積型Ｄ
ＢＦレーザが完成する。
【００４８】この様に、ＭＱＷ活性層１７を選択成長に
よって形成することによってレーザ共振器方向にエネル
ギーギャップの分布を設けると共に、その上に成長させ
るｐ型クラッド層のＭＱＷ活性層１７に接する部分をＡ
ｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８で構成し
たので、選択成長せずに全面に略平坦な層が成長し、そ
の後の成長層も平坦になり、その後のＳｉＯ2 マスク２
１の形成工程、素子分離溝の形成工程、及び、電極の形
成工程におけるフォトリソグラフィー工程を精度良く行
うことができる。
よって形成することによってレーザ共振器方向にエネル
ギーギャップの分布を設けると共に、その上に成長させ
るｐ型クラッド層のＭＱＷ活性層１７に接する部分をＡ
ｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８で構成し
たので、選択成長せずに全面に略平坦な層が成長し、そ
の後の成長層も平坦になり、その後のＳｉＯ2 マスク２
１の形成工程、素子分離溝の形成工程、及び、電極の形
成工程におけるフォトリソグラフィー工程を精度良く行
うことができる。
【００４９】なお、上記の実施の形態の説明において
は、選択成長性をなくすためにＭＱＷ活性層１７に接す
るようにＡｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１
８を設けているが、成長温度を５００℃以下とした低温
成長を行って選択成長性をなくしても良い。
は、選択成長性をなくすためにＭＱＷ活性層１７に接す
るようにＡｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１
８を設けているが、成長温度を５００℃以下とした低温
成長を行って選択成長性をなくしても良い。
【００５０】また、同じく選択成長性をなくすために
は、ＭＱＷ活性層１７に接するｐ型クラッド層中のＭｇ
やＺｎ等のｐ型不純物の濃度を１０19ｃｍ-3以上の高濃
度にしても良く、或いは、常圧近傍の成長圧力条件で成
長させても良く、さらには、成長速度を５μｍ／時以上
の高速度にしても良い。
は、ＭＱＷ活性層１７に接するｐ型クラッド層中のＭｇ
やＺｎ等のｐ型不純物の濃度を１０19ｃｍ-3以上の高濃
度にしても良く、或いは、常圧近傍の成長圧力条件で成
長させても良く、さらには、成長速度を５μｍ／時以上
の高速度にしても良い。
【００５１】また、上記の実施の形態の説明において
は、Ａｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を
成長させる際には、選択成長性をなくすためにＴＥＧａ
及びＴＥＩｎ等のエチル系有機金属化合物を用いている
が、Ａｌが入っていれば、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、及び、
ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）等のメチル系有機
金属化合物を用いても良い。
は、Ａｌを含むｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を
成長させる際には、選択成長性をなくすためにＴＥＧａ
及びＴＥＩｎ等のエチル系有機金属化合物を用いている
が、Ａｌが入っていれば、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、及び、
ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）等のメチル系有機
金属化合物を用いても良い。
【００５２】また、上記の実施の形態の説明において
は、基板としてＩｎＰ基板を用いているが、ＧａＡｓ基
板を用いても良く、この場合には、ＧａＡｓ基板にコル
ゲーション及びＳｉＯ2 マスクを形成したのち、まず、
下部ＡｌＧａＡｓクラッド層を選択成長させ、次いで、
ＡｌＧａＡｓ光ガイド層及びＡｌＧａＡｓＭＱＷ活性層
を選択成長させたのち、上部ＡｌＧａＡｓクラッド層及
びＧａＡｓコンタクト層を成長させれば良い。
は、基板としてＩｎＰ基板を用いているが、ＧａＡｓ基
板を用いても良く、この場合には、ＧａＡｓ基板にコル
ゲーション及びＳｉＯ2 マスクを形成したのち、まず、
下部ＡｌＧａＡｓクラッド層を選択成長させ、次いで、
ＡｌＧａＡｓ光ガイド層及びＡｌＧａＡｓＭＱＷ活性層
を選択成長させたのち、上部ＡｌＧａＡｓクラッド層及
びＧａＡｓコンタクト層を成長させれば良い。
【００５３】この場合の成長層はコンタクト層以外はＡ
ｌを含んでいるが、ＨＣｌやＢｒＣＨ3 等のハロゲン系
のガスを導入しながら成長を行うと選択成長が可能にな
るので、下部ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＡｌＧａＡｓ光
ガイド層及びＡｌＧａＡｓＭＱＷ活性層をハロゲン系の
ガスを導入しながら選択成長させたのち、ハロゲン系の
ガスの供給を低減或いは停止して選択成長性をなくした
状態で、上部ＡｌＧａＡｓクラッド層及びＧａＡｓコン
タクト層を成長させれば良い。
ｌを含んでいるが、ＨＣｌやＢｒＣＨ3 等のハロゲン系
のガスを導入しながら成長を行うと選択成長が可能にな
るので、下部ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＡｌＧａＡｓ光
ガイド層及びＡｌＧａＡｓＭＱＷ活性層をハロゲン系の
ガスを導入しながら選択成長させたのち、ハロゲン系の
ガスの供給を低減或いは停止して選択成長性をなくした
状態で、上部ＡｌＧａＡｓクラッド層及びＧａＡｓコン
タクト層を成長させれば良い。
【００５４】また、基板としてＧａＡｓを用いる場合に
は、クラッド層、光ガイド層、及び、活性層として、Ａ
ｌＧａＩｎＰ或いはＡｌＧａＩｎＡｓＰ等のより広禁制
帯幅の半導体を用いても良い。
は、クラッド層、光ガイド層、及び、活性層として、Ａ
ｌＧａＩｎＰ或いはＡｌＧａＩｎＡｓＰ等のより広禁制
帯幅の半導体を用いても良い。
【００５５】また、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、及
び、ＡｌＧａＩｎＡｓＰ等のＡｌを含むIII-Ｖ族化合物
半導体は、高温成長、低圧成長、或いは、低速成長によ
って選択成長性が増すので、これらを組み合わせて下部
クラッド層、光ガイド層、及び、活性層を選択成長させ
れば良い。
び、ＡｌＧａＩｎＡｓＰ等のＡｌを含むIII-Ｖ族化合物
半導体は、高温成長、低圧成長、或いは、低速成長によ
って選択成長性が増すので、これらを組み合わせて下部
クラッド層、光ガイド層、及び、活性層を選択成長させ
れば良い。
【００５６】また、上記の実施の形態の説明において
は、ｎ型基板を用いているがｐ型基板を用いても良く、
その場合には全ての導電型を反対にすれば良く、また、
光ガイド層を片側だけに設けているが両側に設けても良
いものであり、さらに、活性層に接するｐ型クラッド層
としてｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を用いてい
るが、ｐ型ＡｌＩｎＡｓクラッド層を用いても良い。
は、ｎ型基板を用いているがｐ型基板を用いても良く、
その場合には全ての導電型を反対にすれば良く、また、
光ガイド層を片側だけに設けているが両側に設けても良
いものであり、さらに、活性層に接するｐ型クラッド層
としてｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層１８を用いてい
るが、ｐ型ＡｌＩｎＡｓクラッド層を用いても良い。
【００５７】また、上記の実施の形態の説明において
は、コルゲーションを利用したＤＦＢレーザで説明して
いるが、同じようにコルゲーションを利用したＤＢＲ
（分布ブラッグ反射器）型レーザでも良い。
は、コルゲーションを利用したＤＦＢレーザで説明して
いるが、同じようにコルゲーションを利用したＤＢＲ
（分布ブラッグ反射器）型レーザでも良い。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、選択成長によって膜厚
分布を形成したのち、選択成長性を悪くした条件で結晶
成長を行うことによって、成長層の表面を略平坦にする
ことができ、したがって、フォトリソグラフィー工程が
容易になるので、機能の異なる素子をモノリシックに集
積化した光半導体装置を精度良く、高歩留りで製造する
ことができる。
分布を形成したのち、選択成長性を悪くした条件で結晶
成長を行うことによって、成長層の表面を略平坦にする
ことができ、したがって、フォトリソグラフィー工程が
容易になるので、機能の異なる素子をモノリシックに集
積化した光半導体装置を精度良く、高歩留りで製造する
ことができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の実施の形態の図２以降の途中までの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態の図３以降の途中までの製
造工程の説明図である。
造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の図４以降の製造工程の説
明図である。
明図である。
【図６】従来の光変調器集積型ＤＦＢレーザの説明図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 ２ 誘電体マスク ３ 開口部の面積の大きな領域 ４ 開口部の面積の小さな領域 ５ 第１の半導体層 ６ 光ガイド層 ７ 活性層 ８ 第２の半導体層 ９ 第１の半導体層に接する部分 １０ クラッド層 １１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ コルゲーション １３ ＳｉＯ2 マスク １４ 光変調器形成領域 １５ レーザ形成領域 １６ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 １７ ＭＱＷ活性層 １８ ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層 １９ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ２０ ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ２１ ＳｉＯ2 マスク ２２ ＦｅドープＩｎＰ埋込層 ３１ ｎ型ＩｎＰ基板 ３２ 光変調器形成領域 ３３ ＤＦＢレーザ形成領域 ３４ ＳｉＯ2 マスク ３５ ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層 ３６ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ３７ コルゲーション ３８ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ３９ ｐ+ 型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ４０ 段差
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けた開口部を有する誘
電体マスク、前記開口部に設けられた第１の半導体層、
前記第１の半導体層上及び誘電体マスク上に設けられた
第２の半導体層とから少なくとも構成されると共に、前
記第１の半導体層の層厚は、前記開口部の面積の小さい
領域において開口部の面積の大きな領域よりも厚く、ま
た、前記第２の半導体層は前記誘電体マスク上で多結晶
半導体であることを特徴とする化合物半導体装置。 - 【請求項２】 上記第１の半導体層は活性層及び光ガイ
ド層よりなり、また、上記第２の半導体層の前記第１半
導体層と接する部分はＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体
からなるクラッド層であることを特徴とする請求項１記
載の化合物半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に場所によって大きさの異
なる開口部を有する誘電体マスクを設け、有機金属気相
成長法を用いて第１の半導体層を前記開口部に選択成長
させたのち、全面に第２の半導体層を成長させる化合物
半導体装置の製造方法において、前記第１の半導体層の
層厚を、前記開口部の面積の小さい領域において開口部
の面積の大きな領域よりも厚くし、また、前記第２の半
導体層のうち前記誘電体マスク上に成長する部分を多結
晶半導体としたことを特徴とする化合物半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 上記第１の半導体層を成長させる際に、
Ｇａ及びＩｎの原料としてメチル系有機金属化合物を用
い、また、上記第２の半導体層の少なくとも第１の半導
体層と接する部分を成長させる際に、Ｇａ又はＩｎの原
料としてエチル系有機金属化合物を用いることを特徴と
する請求項３記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記第２の半導体層の少なくとも第１の
半導体層と接する部分を成長させる際に、５００℃以下
の低温成長を行うことを特徴とする請求項３記載の化合
物半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 上記第１の半導体層を成長させる際に、
ハロゲン或いはハロゲンを含む化合物を用い、また、上
記第２の半導体層の少なくとも第１の半導体層と接する
部分を成長させる際には、前記ハロゲン或いはハロゲン
を含む化合物の供給を低減或いは停止することを特徴と
する請求項３記載の化合物半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記第２の半導体層の第１の半導体層に
接する部分がＡｌを含むIII-Ｖ族化合物半導体からなる
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載
の化合物半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 上記第１の半導体層が、Ａｌを含まない
III-Ｖ族化合物半導体からなる活性層及び光ガイド層で
あることを特徴とする請求項７記載の化合物半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34208095A JPH09186391A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34208095A JPH09186391A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186391A true JPH09186391A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18351005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34208095A Withdrawn JPH09186391A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09186391A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204078B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE |
| JP2005286192A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子 |
| JP2020064972A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34208095A patent/JPH09186391A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204078B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE |
| JP2005286192A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子 |
| JP2020064972A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |