JPH09190982A

JPH09190982A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH09190982A
Application number: JP305296A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kawamoto; 浩川本; Ichiro Katakabe; 一郎片伯部; Naoto Miyashita; 直人宮下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-01-11
Filing date: 1996-01-11
Publication date: 1997-07-22

Abstract

(57)【要約】【課題】高速かつ均一に拡散炉内を冷却することのでき
る高速強制空冷機構を備え、拡散炉の内部を高清浄に保
ち、設置場所を自由に設定することのできる半導体製造
装置を提供する。【解決手段】複数枚の半導体基板２を搭載するための治
具１と、この治具１に搭載された半導体基板２を収納す
る反応室を構成する筐体３と、この筐体３の周囲に設置
されたヒータ５と、このヒータ５と筐体３との間の空間
に気体を導入する気体導入手段６と、空間から気体を排
出する気体排出手段７、１０とを具備し、気体排出手段
７、１０により排出された気体の温度を制御する制御手
段９と、制御手段９により温度が制御された気体を気体
導入手段６に供給する供給手段８とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、拡散処理等の加熱
処理に用いられる半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、加熱処
理は、半導体基板上に例えば酸化膜または窒化膜等の膜
を形成したり、半導体基板を加熱したり、あるいは不純
物を半導体基板中に拡散する等、非常に重要な技術であ
る。

【０００３】特に、熱輻射を用いた拡散炉は、複数の半
導体基板を均一性よく処理することができるため、広く
一般的に使用されている。図３に、このような従来の拡
散炉の構造を示す。従来の拡散炉は、一般にボートと呼
ばれる複数枚の半導体基板２を搭載するための治具１
と、一般にチューブと呼ばれる半導体基板２を処理する
ための反応室を構成する筐体３と、チューブ３内の温度
を均一に保ち、反応室内への重金属の侵入を防止するた
めの均熱管４と、チューブ３を加熱するためのヒータ５
により構成されている。

【０００４】また、図３に示す従来の拡散炉は、均熱管
４とヒータ５との間またはチューブ３と均熱管４との間
に空気を供給し、供給された空気を吸引して排出する強
制空冷機構を具備している。この強制空冷機構は、空気
導入口６と、空気排出口７と、配管１２を介して導入口
６および排出口７に接続されているブロワー（送風機）
１０ａ、１０ｂとにより構成される。送風機１０ａは導
入口６より空気を均熱管４とヒータ５との間またはチュ
ーブ３と均熱管４との間に供給し、送風機１０ｂはこの
供給された空気を吸引して排出口７から例えばダクト等
の装置外へ排出する。なお、図３に示す強制空冷機構
は、均熱菅４とヒータ５との間に空気を供給する場合を
示し、チューブ３と均熱菅４との間に空気を供給する場
合については省略してある。

【０００５】このような拡散炉では、強制空冷機構を用
いて、半導体基板２の拡散処理が終了した後に、空気に
よりチューブ３の温度を急速に冷却することができる。
これにより、拡散処理が終了した後も拡散反応室内に残
留する熱輻射により半導体基板２が加熱されてしまうこ
とを抑制し、また、拡散処理後の半導体基板２を急速に
冷却して、拡散処理が終了してから短時間のうちに半導
体基板２を拡散炉の外に取り出すことが可能となる。

【０００６】しかし、図３に示す拡散炉の強制空冷機構
では、空気は拡散炉の例えば炉口近傍に設置された導入
口６から導入され、例えば均熱管４とヒータ５との間を
通って、拡散炉の上方に設置された排出口７から排出さ
れる構造であるため、均熱管４とヒータ５との間を通る
間に空気の温度が上昇してしまう。このため、空気の温
度が低い導入口６付近ではチューブ３の冷却速度が速
く、空気の温度が高い排出口７付近ではチューブ３の冷
却速度が遅くなり、チューブ３の温度が均一でなくなっ
てしまう。

【０００７】図４に、図３に示す拡散炉を用い、強制空
冷を行った場合の、均熱管４の温度変化を示す。Ｂ、
Ｍ、Ｔは、それぞれ図３に１１ｂ、１１ｍ、１１ｔで示
す熱電対により測定された温度を示している。この図４
に示すように、導入口６付近から中間付近までは、ほぼ
均一に冷却されるが、排出口７付近では冷却速度が大幅
に遅くなる。

【０００８】このように、拡散炉内の場所により冷却速
度が異なると、反応室内に設置されている複数枚の半導
体基板２が、設置された場所により不均一に冷却される
ため、半導体装置の特性がばらついてしまうという問題
が生じる。

【０００９】さらに、空気の流量を増加して高速に冷却
を行う場合には、導入口６付近には常に冷たい空気が供
給され、排出口７付近には常に加熱された空気が到達す
るため、このような冷却速度の差がより増大してしま
う。このため、従来の強制空冷機構では、高速冷却を行
うことが困難であった。

【００１０】また、従来の拡散炉では、拡散炉内に供給
される空気は、通常クリンーンルーム内の空気を使用し
ているため、この空気中の汚染物質も拡散炉内に導入さ
れていた。これにより、チューブ３から汚染物質が反応
室内に侵入し、半導体基板２が汚染される可能性があっ
た。

【００１１】さらに、従来の拡散炉では、排出口７より
排出された空気をクリーンルームの外へダクトを介して
排出していたため、流量の大きいダクトを使用する必要
がある。このため、クリーンルーム内において拡散炉を
設置することができる場所が制限されてしまうという問
題があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の強
制空冷機構を具備する拡散炉では、空気供給口と空気排
出口とを１つずつしか具備していないため、拡散炉内で
空気が加熱されてしまい、拡散炉内において冷却速度が
不均一になるという問題があった。

【００１３】また、このような冷却速度の不均一は、高
速に冷却を行うほど顕著となるため、従来の拡散炉で
は、高速に冷却することは困難であった。さらに、冷却
空気として通常の空気を使用しているため、拡散炉の内
部に汚染物質が侵入し、半導体基板が汚染される可能性
があった。

【００１４】また、使用された空気は、ダクトを介して
クリーンルームの外へ排出されていたため、拡散炉の設
置場所が制限されるという問題があった。本発明の目的
は、拡散炉において、高速かつ均一に拡散炉内を冷却す
ることのできる高速強制空冷機構を備え、拡散炉の内部
を高清浄に保ち、設置場所を自由に設定することのでき
る半導体装置を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明による半導体製造装置は、複数
枚の半導体基板を搭載するための治具と、この治具に搭
載された前記半導体基板を収納する反応室を構成する筐
体と、この筐体の周囲に設置されたヒータと、このヒー
タと前記筐体との間の空間に気体を導入する気体導入手
段と、前記空間から前記気体を排出する気体排出手段と
を具備する半導体製造装置において、前記気体排出手段
により排出された前記気体の温度を制御する制御手段
と、前記制御手段により温度が制御された気体を前記気
体導入手段に供給する供給手段とを具備することを特徴
とする。

【００１６】また、本発明による半導体製造装置は、複
数枚の半導体基板を搭載するための治具と、この治具と
前記半導体基板を収納する反応室を構成する筐体と、こ
の筐体の周囲に設置されたヒータとを具備する半導体製
造装置において、前記ヒータと前記筐体との間の空間に
導通するように前記ヒータまたは前記ヒータを支持する
支持体を貫通して設けられた複数の気体導入口および複
数の気体排出口と、この各気体排出口より排出された気
体が供給される冷却装置と、この冷却装置で冷却された
気体を前記気体導入口に供給する手段とを具備している
ことを特徴とする。

【００１７】さらに、上記半導体製造装置において、前
記冷却装置を、各気体導入口にそれぞれ別々に接続され
ている複数の冷却装置により構成することも可能であ
る。また、前述の半導体製造装置において、気体導入口
に設置され前記複数の各気体導入口より前記空間に導入
される気体の流量を制御する流量制御手段を具備するこ
とも可能である。

【００１８】また、前述の半導体製造装置において、前
記複数の各気体導入口近傍と前記反応室の内部に設置さ
れ前記複数の各気体導入口近傍と前記反応室の内部の雰
囲気の温度を測定する温度測定手段を具備することも可
能である。

【００１９】また、前述の半導体製造装置において、前
記ヒータが複数のヒータ部分に分割され、この各ヒータ
部分に対してそれぞれ少なくとも１つずつ、前記気体導
入口と、前記気体排出口と、前記冷却装置と、前記冷却
装置で冷却された気体を前記気体導入口に供給する前記
手段と、前記温度測定手段と、前記流量制御手段とを具
備することも可能である。

【００２０】また、前述の半導体製造装置において、前
記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記冷
却装置と前記流量制御手段とのうち少なくとも一方を制
御する手段を具備することも可能である。

【００２１】さらに、前述の半導体製造装置において、
前記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記
各ヒータ部分の出力をそれぞれ独立に制御する手段を具
備することも可能である。

【００２２】このように本発明による半導体製造装置で
は、ヒータと筐体との間の空間に気体を導入する気体導
入手段と、この空間から気体を排出する気体排出手段と
を具備し、この気体排出手段により排出された前記気体
の温度を制御する制御手段と、この制御手段により温度
が制御された気体を気体導入手段に供給する供給手段と
を具備するため、気体導入手段によりヒータと筐体との
間に導入された気体により筐体またはヒータを冷却し、
この冷却により逆に加熱された気体を気体排出手段によ
りヒータと筐体との間の空間から排出し、排出された気
体を温度制御手段により再び冷却し、冷却された気体を
供給手段により気体導入手段に供給し、供給された気体
を気体導入手段により再びヒータと筐体との間の空間に
導入することができる。

【００２３】このように、本発明による半導体製造装置
では、半導体製造装置の冷却に使用される気体は、加熱
されて排出された後に冷却され再び半導体装置の内部に
導入されるという閉じた系を循環する。このため、外部
の雰囲気が冷却に使用される場合に比べて、半導体製造
装置の内部に汚染物質が侵入することを防止し、半導体
製造装置を高清浄に保持することが可能となる。

【００２４】また、本発明による半導体製造装置は、複
数の気体導入口と、複数の気体排出口とを具備している
ため、ヒータと筐体の間の空間に複数箇所から気体を導
入することにより、筐体を均一に冷却することが可能と
なる。

【００２５】また、複数の気体排出口から排出された気
体を供給される冷却装置と、この冷却装置で冷却された
気体を気体導入口に供給する手段とを具備しているた
め、半導体製造装置の冷却に使用され加熱されて排出さ
れた気体をこの冷却装置により冷却して気体導入口より
再び半導体製造装置の内部に導入し、半導体製造装置の
冷却に再び使用することができる。

【００２６】また、冷却装置を、各気体導入口にそれぞ
れ別々に接続されている複数の冷却装置により構成する
本発明による半導体製造装置では、各気体導入口より半
導体製造装置の内部に導入される気体をそれぞれ別々に
冷却することができる。このため、冷却装置を１つしか
具備しない場合に比べて、筐体を高速に冷却することが
可能となる。また、各導入口より半導体製造装置の内部
に導入される気体を別々の冷却装置により冷却するた
め、各導入口より導入される気体の温度を異なる温度と
することが可能である。これにより、反応室内の温度を
より均一とすることができる。

【００２７】また、複数の各気体導入口に設置されこの
各気体導入口より前記空間に導入される気体の流量を制
御する流量制御手段を具備する本発明による半導体製造
装置では、各気体導入口より半導体製造装置の内部に導
入される気体の流量を各気体導入口ごとに制御すること
ができるため、各気体導入口より導入される気体の流量
を変化させることにより、反応室内の温度をより均一と
することができる。

【００２８】また、複数の各気体導入口近傍と前記反応
室の内部に設置され前記複数の各気体導入口近傍と前記
反応室の内部の雰囲気の温度を測定する温度測定手段を
具備する本本発明による半導体製造装置では、各導入口
近傍と反応室の内部との雰囲気の温度を測定することが
できるため、この測定結果に基づいて、例えば冷却装置
または流量制御手段を用いて、各導入口より導入される
半導体製造装置の内部に導入される気体の温度または流
量等を制御して反応室内の温度をより均一とすることが
可能となる。

【００２９】また、前記ヒータが複数のヒータ部分に分
割され、この各ヒータ部分に対してそれぞれ少なくとも
１つずつ、前記気体導入口と、前記気体排出口と、前記
冷却装置と、前記冷却装置で冷却された気体を前記気体
導入口に供給する前記手段と、前記温度測定手段と、前
記流量制御手段とを具備する本発明による半導体製造装
置では、各ヒータ部分がそれぞれ閉じた気体循環系を具
備するため、この閉じた系の内部に気体を循環させるこ
とにより、全体的に１つの循環系を具備する場合に比べ
て、より効果的にヒータおよび筐体を冷却することがで
きる。

【００３０】また、各ヒータ部分が、冷却装置と、温度
測定手段と、流量制御手段とを具備しているため、温度
測定手段により測定された温度に基づいて、冷却装置と
流量制御手段により各循環系を循環する気体の温度また
は流量等を制御することにより、反応室の内部の温度を
より均一にすることができる。

【００３１】さらに、上記の半導体製造装置において、
前記温度測定手段により測定された温度に基づいて前記
冷却装置と前記流量制御手段とのうち少なくとも一方を
制御する手段を具備する場合には、この制御手段が、各
温度測定手段により測定された温度をそれぞれ比較し
て、これらの温度が等しくなるように冷却装置または流
量制御手段を制御することにより、自動的に反応室の温
度が均一となるように冷却することが可能となる。

【００３２】また、前記半導体製造装置において、温度
測定手段により測定された温度に基づいて各ヒータ部分
の出力をそれぞれ独立に制御する手段を具備する場合に
は、冷却時だけでなく加熱時にも、反応室内の温度が均
一となるように、制御することが可能となる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態による拡散炉の構造を示す図である。本実施
の形態による拡散炉は、従来と同様に、複数枚の半導体
基板２を搭載するためのボート１と、反応室を構成する
チューブ３と、均熱管４と、ヒータ５により構成されて
いる。また、従来と同様に、本実施の形態による拡散炉
は、強制空冷機構を備えているが、この強制空冷機構の
構造が従来と異なる。

【００３４】すなわち、本実施の形態による強制空冷機
構は、不活性ガス供給口１３と、複数のラジエータ（冷
却装置）９およびＭＦＣ（流量制御装置）８と、このラ
ジエータ９およびＭＦＣ８を介して配管１２によりガス
供給口１３に接続されている複数の空気導入口６と、複
数の空気排出口７および７´と、配管１２により排出口
７、７´に接続されたブロワー（送風機）１０と、熱電
対１１とを具備する。

【００３５】ガス供給口１３から供給された例えばＮ₂
等の不活性ガスは、分割されてラジエータ９により冷却
され、ＭＦＣ８により流量が制御されて、複数の導入口
６より均熱管４とヒータ５またはチューブ３と均熱管４
との間に導入される。このガスは、均熱管４またはチュ
ーブ３等を冷却し、排出口７、７´から送風機１０によ
り吸引されて、炉の外部に排出される。排出されたガス
は、従来と異なり、ガス供給口１３から供給される不活
性ガスに再び合流される。

【００３６】熱電対１１は、複数の各導入口６の近傍
と、反応室の内部に設置され、それぞれにおける雰囲気
の温度を測定する。これらの測定結果に基づいて、反応
室内部の温度が均一となるように、ラジエータ９の能力
またはＭＦＣを通過するガスの流量をあらかじめ設定し
ておくことができる。また、例えば制御機構を用いて、
ラジエータ９によるガスの冷却温度とＭＦＣ８によるガ
スの流量とを常に制御することも可能である。

【００３７】ここで、図１に示す半導体製造装置では、
均熱管４とヒータ５との間の空間に気体を導入する導入
口６が複数個設置され、チューブ３と均熱管４との間の
空間に気体を導入する導入口６は１つだけ設置されてい
る場合を示している。しかし、本発明の半導体製造装置
は、この図に示す場合に限らず、チューブ３と均熱管４
との間の空間に気体を導入する導入口６を複数個設置す
ることも可能である。

【００３８】また、導入口６はチューブ３に対して、ほ
ぼ均等な位置に配置されることが望ましい。また、冷却
ガスは、Ｎ₂ に限らず、Ａｒ等他の不活性ガスを用いる
ことも可能である。

【００３９】このように、本実施の形態による強制空冷
機構を具備した拡散炉では、複数の導入口６が、例えば
ほぼ均等な位置に配置されているため、導入口６が１か
所のみに設置されていた従来の強制空冷機構に比べて、
反応室の温度を均一に冷却することが可能である。

【００４０】また、複数の導入口６にそれぞれＭＦＣ８
およびラジエータ９が接続されているため、気体導入口
および気体排出口をそれぞれ１つしか具備していなかっ
た従来に比べて高速に冷却することができる。

【００４１】さらに、これらのＭＦＣ８およびラジエー
タ９をそれぞれ独立して制御することにより、反応室の
温度をより均一に冷却することが可能となる。さらに、
複数の各導入口６の近傍と反応室の内部とに熱電対１１
を設置し、これにより測定された各位置における雰囲気
の温度に基づいて、反応室内部の温度が均一となるよう
に、ラジエータ９によるガスの冷却温度とＭＦＣ８によ
るガスの流量とを制御することにより、反応室の温度を
より正確に均一に冷却することが可能となる。

【００４２】また、冷却に用いるガスとして不活性ガス
を用いているため、クリーンルーム内の空気を使用して
いた従来に比べて、拡散炉の内部に汚染物質が侵入する
ことを防止することができる。

【００４３】さらに、この冷却ガスを循環させて用いる
ため、拡散炉の内部をより高洗浄に保つことが可能とな
る。また、冷却ガスを循環させて用いることにより、ダ
クトを必要としないため、拡散炉の設置場所に制限を受
けない。

【００４４】なお、上記実施の形態では、均熱管４とヒ
ータ５の間のガスを排出する排出口７と、チューブ３と
均熱管４との間のガスを排出する排出口７´とをそれぞ
れ１つずつ具備していたが、複数の排出口７および７´
を設けることも可能である。

【００４５】例えば、第２の実施の形態として、図２の
示すように、各導入口６に対してそれぞれ１つずつ排出
口７と送風機１０とを設けて、ガスを循環させることも
可能である。

【００４６】図２は、本発明の第２の実施の形態による
強制空冷機構を具備する拡散炉の、冷却ガスを循環させ
る部分を拡大した図である。本実施の形態では、前述の
第１の実施の形態と同様に、ガス供給口１３から供給さ
れた不活性ガスが分割されて、ラジエータ９およびＭＦ
Ｃ８を経て、複数の導入口６より均熱管４とヒータ５と
の間に導入されるが、この導入されたガスを１つの排出
口７より排出していた前述の第１の実施の形態と異な
り、各導入口６に対して例えば１つずつ排出口７および
送風機１０が設置される。このため、１度ガス供給口１
３から供給され分割されたガスは、均熱管４およびヒー
タ５を全体的に冷却しないで、その一部のみを冷却した
後、排出され、再び循環される。

【００４７】また、本実施の形態では、前述の第１の実
施の形態と異なり、ヒータ５がブロックに分割され、こ
の各ブロックに１組ずつ、導入口６、排出口７、送風機
１０、ラジエータ９、ＭＦＣ８が設置されている。な
お、このヒータ５の各ブロックの電力は、それぞれ独立
に制御できることが望ましい。

【００４８】さらに、各ブロックごとに、熱電対１１を
少なくとも１つずつ設置されることが望ましい。また、
図２に示すように、各ブロックの導入口６の近傍と、排
出口７の近傍に、熱電対１１を設置することも可能であ
る。この場合、熱電対１１は各ブロックに２つずつ設置
されることになる。

【００４９】このように、本実施の形態では、冷却ガス
を局所的に循環させるため、全体を１つの循環系により
冷却する第１の実施の形態に比べて、反応室の温度を冷
却する冷却速度を向上させることができる。

【００５０】また、それぞれの循環において個別にガス
の温度と流量とを調節することができるため、さらに効
果的に均一に冷却することが可能となる。また、ブロッ
クに分割されたヒータの電力を各ブロックごとに制御す
ることができるため、冷却時のみでなく、加熱時にも、
反応室の温度を均一化することができる。

【００５１】さらに、各ブロックごとに、熱電対１１が
少なくとも１つずつ設置されているため、この熱電対１
１により測定された温度に基づいて、各ブロックごと
に、冷却ガスの温度と流量を調節することにより、反応
室の温度をさらに均一に冷却することができる。

【００５２】また、同様に、熱電対１１により測定され
た温度に基づいて、各ブロックごとに、ヒータ５の電力
を調節することにより、反応室の温度をさらに均一に加
熱することができる。

【００５３】なお、上記の第１および第２の実施の形態
による強制空冷機構は、複数の導入口６を具備している
が、例えば反応室内において半導体基板２は常に局所的
に設置される等、反応室内の温度の不均一性が無視でき
る場合には、従来と同様に１つの導入口６を設けること
も可能である。ただし、この場合にも、冷却ガスとして
例えば不活性ガスを使用し、この冷却ガスを循環させる
ことにより、拡散炉の内部を高清浄に維持することが可
能となる。

【００５４】また、上記の第１および第２の実施の形態
において、図１または図２には、均熱管４とヒータ５と
の間の空間に気体を導入する導入口６が複数個設置さ
れ、チューブ３と均熱管４との間の空間に気体を導入す
る導入口６は１つだけ設置されている場合を示してい
る。しかし、本発明の半導体製造装置は、これらの図に
示す場合に限らず、チューブ３と均熱管４との間の空間
に気体を導入する導入口６を複数個設置することも可能
である。

【００５５】

【発明の効果】以上のように、本発明による半導体製造
装置では、高速かつ均一に拡散炉内を冷却し、拡散炉の
内部を高清浄に保ち、設置場所を自由に設定することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による拡散炉の構造
を示す断面図。

【図２】本発明の第２の実施の形態による拡散炉の構造
を示す断面図。

【図３】従来の拡散炉の構造を示す断面図。

【図４】従来の拡散炉による温度変化を示す図。

【符号の説明】

１…ボード、２…半導体基板、３…チューブ、４…均熱
板、５…ヒータ、６…ガス導入口、７…ガス排出口、８
…ＭＦＣ（流量制御装置）、９…ラジエータ、１０…ブ
ロワ（送風機）、１１…熱電対、１２…配管、１３…ガ
ス供給口。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数枚の半導体基板を搭載するための治
具と、この治具に搭載された前記半導体基板を収納する
反応室を構成する筐体と、この筐体の周囲に設置された
ヒータと、このヒータと前記筐体との間の空間に気体を
導入する気体導入手段と、前記空間から前記気体を排出
する気体排出手段とを具備する半導体製造装置におい
て、前記気体排出手段により排出された前記気体の温度
を制御する制御手段と、前記制御手段により温度が制御
された気体を前記気体導入手段に供給する供給手段とを
具備することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】複数枚の半導体基板を搭載するための治
具と、この治具と前記半導体基板を収納する反応室を構
成する筐体と、この筐体の周囲に設置されたヒータとを
具備する半導体製造装置において、前記ヒータと前記筐
体との間の空間に導通するように前記ヒータまたは前記
ヒータを支持する支持体を貫通して設けられた複数の気
体導入口および複数の気体排出口と、この各気体排出口
より排出された気体が供給される冷却装置と、この冷却
装置で冷却された気体を前記気体導入口に供給する手段
とを具備していることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】前記冷却装置は、各気体導入口にそれぞ
れ別々に接続されている複数の冷却装置よりなる請求項
２記載の半導体製造装置。
【請求項４】気体導入口に設置され前記複数の各気体
導入口より前記空間に導入される気体の流量を制御する
流量制御手段を具備する請求項２または３記載の半導体
製造装置。
【請求項５】前記複数の各気体導入口近傍と前記反応
室の内部に設置され前記複数の各気体導入口近傍と前記
反応室の内部の雰囲気の温度を測定する温度測定手段を
具備する請求項２乃至４記載の半導体製造装置。
【請求項６】前記ヒータが複数のヒータ部分に分割さ
れ、この各ヒータ部分に対してそれぞれ少なくとも１つ
ずつ、前記気体導入口と、前記気体排出口と、前記冷却
装置と、前記冷却装置で冷却された気体を前記気体導入
口に供給する前記手段と、前記温度測定手段と、前記流
量制御手段とを具備する請求項５記載の半導体製造装
置。
【請求項７】前記温度測定手段により測定された温度
に基づいて前記冷却装置と前記流量制御手段とのうち少
なくとも一方を制御する手段を具備する請求項５または
６記載の半導体製造装置。
【請求項８】前記温度測定手段により測定された温度
に基づいて前記各ヒータ部分の出力をそれぞれ独立に制
御する手段を具備する請求項６または７記載の半導体製
造装置。
【請求項９】前記気体は不活性ガスである請求項１乃
至８記載の半導体製造装置。