JPH09191123A - 化合物半導体受光装置 - Google Patents
化合物半導体受光装置Info
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- JPH09191123A JPH09191123A JP8002417A JP241796A JPH09191123A JP H09191123 A JPH09191123 A JP H09191123A JP 8002417 A JP8002417 A JP 8002417A JP 241796 A JP241796 A JP 241796A JP H09191123 A JPH09191123 A JP H09191123A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化合物半導体結晶表面に形成する絶縁膜の被
着に伴う素子特性の劣化を極力小さく抑えることが可能
な構造の保護膜を有する化合物半導体受光装置を提供す
ること。 【解決手段】 ｐｎ接合が表面に露出した化合物半導体
結晶表面に、Ａｌ2Ｏ3薄膜もしくはＡｌＯｘ（ｘ＝１〜
１.５）薄膜からなる第１の絶縁膜５を形成し、その上
にポリイミド樹脂等の第２の絶縁膜３を被着させる。ま
た、受光素子（図中１および１７は電極，７はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板，１３はアンドープＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
超格子層，１１はｐ型ＩｎＡｌＡｓ層，９はｐ型ＩｎＧ
ａＡｓ層）をメサ型構造にしている。
着に伴う素子特性の劣化を極力小さく抑えることが可能
な構造の保護膜を有する化合物半導体受光装置を提供す
ること。 【解決手段】 ｐｎ接合が表面に露出した化合物半導体
結晶表面に、Ａｌ2Ｏ3薄膜もしくはＡｌＯｘ（ｘ＝１〜
１.５）薄膜からなる第１の絶縁膜５を形成し、その上
にポリイミド樹脂等の第２の絶縁膜３を被着させる。ま
た、受光素子（図中１および１７は電極，７はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板，１３はアンドープＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
超格子層，１１はｐ型ＩｎＡｌＡｓ層，９はｐ型ＩｎＧ
ａＡｓ層）をメサ型構造にしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体素子
の結晶表面に保護膜を設けた化合物半導体受光装置に関
し、特に、保護膜としてＡｌ酸化物を含む２層以上の絶
縁膜を設けた化合物半導体受光装置に関する。
の結晶表面に保護膜を設けた化合物半導体受光装置に関
し、特に、保護膜としてＡｌ酸化物を含む２層以上の絶
縁膜を設けた化合物半導体受光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体受光素子の結晶表面を保護
するために、その表面に保護膜を設けることは、従来か
ら公知であり、特に、保護膜として酸化ケイ素または窒
化ケイ素を用いた場合の研究が盛んに行われている。こ
れらに関する研究の中で、ｐｎ接合を結晶表面に露出さ
せた構造を有する半導体受光素子においては、表面保護
膜の形成前または形成後における結晶表面の酸化、また
は表面保護膜形成時における結晶表面へのダメージ（欠
陥）、もしくは表面保護膜自身の特性不良などに起因す
る素子特性の劣化が問題とされており、これらについて
の報告が数多くなされている。
するために、その表面に保護膜を設けることは、従来か
ら公知であり、特に、保護膜として酸化ケイ素または窒
化ケイ素を用いた場合の研究が盛んに行われている。こ
れらに関する研究の中で、ｐｎ接合を結晶表面に露出さ
せた構造を有する半導体受光素子においては、表面保護
膜の形成前または形成後における結晶表面の酸化、また
は表面保護膜形成時における結晶表面へのダメージ（欠
陥）、もしくは表面保護膜自身の特性不良などに起因す
る素子特性の劣化が問題とされており、これらについて
の報告が数多くなされている。
【０００３】例えば、ヒューレット・パッカード ジャ
ーナル（HEWLETT-PACKARD JOURNAL.p69-75 OCTOBER 198
9）のＲ．Ｓｌｏａｎによる論文”Processing and Pass
ivasion Techniques for Fabrication of High-Speed I
nP/InGaAs/InP Mesa Photodetectors”では、メサ型受
光素子の結晶表面に対して、酸化ケイ素や窒化ケイ素な
どの絶縁膜を表面保護膜として被着する試みがなされて
いるが、これらの膜では膜被着後における素子暗電流の
劣化がみられることを明らかにしている。また、この報
告では、上記結晶表面をポリイミド樹脂膜によって保護
することにより、受光素子暗電流の劣化を抑制できるこ
とが実験的に示されている。これに関しては、結晶表面
保護膜として、ポリイミド樹脂膜を使った化合物半導体
受光素子の構造に関する発明が本発明者らによって特許
出願されている（特開平４−１５２５７９号公報参
照）。
ーナル（HEWLETT-PACKARD JOURNAL.p69-75 OCTOBER 198
9）のＲ．Ｓｌｏａｎによる論文”Processing and Pass
ivasion Techniques for Fabrication of High-Speed I
nP/InGaAs/InP Mesa Photodetectors”では、メサ型受
光素子の結晶表面に対して、酸化ケイ素や窒化ケイ素な
どの絶縁膜を表面保護膜として被着する試みがなされて
いるが、これらの膜では膜被着後における素子暗電流の
劣化がみられることを明らかにしている。また、この報
告では、上記結晶表面をポリイミド樹脂膜によって保護
することにより、受光素子暗電流の劣化を抑制できるこ
とが実験的に示されている。これに関しては、結晶表面
保護膜として、ポリイミド樹脂膜を使った化合物半導体
受光素子の構造に関する発明が本発明者らによって特許
出願されている（特開平４−１５２５７９号公報参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記公開公報に開示さ
れているように、化合物半導体受光素子の保護膜として
ポリイミド樹脂膜を用いた場合に、受光素子の暗電流の
劣化がある程度抑制できるという効果があるが、保護膜
としてポリイミド樹脂膜だけを用いた場合には、ポリイ
ミド樹脂膜中を通して吸着される水分もしくは酸素イオ
ンによって結晶表面が酸化され、その結果、暗電流特性
に悪影響（素子特性の劣化）を及ぼす恐れがある。その
ため、化合物半導体受光素子の結晶表面の保護膜として
さらに好適なものが望まれている。本発明の目的は、化
合物半導体結晶表面に形成する絶縁膜の被着に伴う素子
特性の劣化を極力小さく抑えることが可能な構造の保護
膜を有する化合物半導体受光装置を提供することにあ
る。
れているように、化合物半導体受光素子の保護膜として
ポリイミド樹脂膜を用いた場合に、受光素子の暗電流の
劣化がある程度抑制できるという効果があるが、保護膜
としてポリイミド樹脂膜だけを用いた場合には、ポリイ
ミド樹脂膜中を通して吸着される水分もしくは酸素イオ
ンによって結晶表面が酸化され、その結果、暗電流特性
に悪影響（素子特性の劣化）を及ぼす恐れがある。その
ため、化合物半導体受光素子の結晶表面の保護膜として
さらに好適なものが望まれている。本発明の目的は、化
合物半導体結晶表面に形成する絶縁膜の被着に伴う素子
特性の劣化を極力小さく抑えることが可能な構造の保護
膜を有する化合物半導体受光装置を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、少なくとも１つのｐｎ接合を有する化合
物半導体受光装置において、化合物半導体受光装置を構
成する化合物半導体素子の結晶表面に、外気からの保護
膜として、少なくとも、ＡｌＯｘ（図２の６）またはＡ
ｌ2Ｏ3（図１および図３の５）の絶縁物薄膜（第１の絶
縁膜）と、該絶縁膜とは別の、例えば、ポリイミド樹脂
膜（第２の絶縁膜）からなる多層の絶縁膜を設けたこと
を特徴としている（図１〜３参照）。また、上記化合物
半導体受光素子を面入射型受光素子（図１）または導波
型受光素子（図２，３）としたことを特徴としている。
また、上記化合物半導体受光装置において、前記化合物
半導体受光素子の結晶表面にｐｎ接合が露出している構
造を有することを特徴としている（図１〜３参照）。さ
らに、前記化合物半導体受光素子は少なくともＧａを含
む半導体からなっていることを特徴としている（図１〜
図３参照）。また、前記化合物半導体受光素子をメサ型
構造にしたことを特徴としている（図１および図２参
照）。また、化合物半導体受光素子の結晶表面が（１１
０）面の面方位であることを特徴としている（図３参
照）。
成するために、少なくとも１つのｐｎ接合を有する化合
物半導体受光装置において、化合物半導体受光装置を構
成する化合物半導体素子の結晶表面に、外気からの保護
膜として、少なくとも、ＡｌＯｘ（図２の６）またはＡ
ｌ2Ｏ3（図１および図３の５）の絶縁物薄膜（第１の絶
縁膜）と、該絶縁膜とは別の、例えば、ポリイミド樹脂
膜（第２の絶縁膜）からなる多層の絶縁膜を設けたこと
を特徴としている（図１〜３参照）。また、上記化合物
半導体受光素子を面入射型受光素子（図１）または導波
型受光素子（図２，３）としたことを特徴としている。
また、上記化合物半導体受光装置において、前記化合物
半導体受光素子の結晶表面にｐｎ接合が露出している構
造を有することを特徴としている（図１〜３参照）。さ
らに、前記化合物半導体受光素子は少なくともＧａを含
む半導体からなっていることを特徴としている（図１〜
図３参照）。また、前記化合物半導体受光素子をメサ型
構造にしたことを特徴としている（図１および図２参
照）。また、化合物半導体受光素子の結晶表面が（１１
０）面の面方位であることを特徴としている（図３参
照）。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の化合物半導体受光装置
は、ｐｎ接合が露出している面入射型または導波型の半
導体受光素子部の結晶表面を、ＡｌＯｘ薄膜またはＡｌ
2Ｏ3薄膜（第１の絶縁膜）と、その上のポリイミド樹脂
膜などの絶縁膜（第２の絶縁膜）からなる多層膜で被覆
する。この絶縁膜構造を採用することによって、半導体
受光素子の暗電流特性を大幅に向上させることができ
る。
は、ｐｎ接合が露出している面入射型または導波型の半
導体受光素子部の結晶表面を、ＡｌＯｘ薄膜またはＡｌ
2Ｏ3薄膜（第１の絶縁膜）と、その上のポリイミド樹脂
膜などの絶縁膜（第２の絶縁膜）からなる多層膜で被覆
する。この絶縁膜構造を採用することによって、半導体
受光素子の暗電流特性を大幅に向上させることができ
る。
【０００７】次に本発明の実施例を詳細に説明する。図
１は、本発明の化合物半導体受光装置の第１の実施例を
説明するための図である。本実施例は、化合物半導体受
光装置を面入射型受光素子を用いて構成したものであ
り、同図はその面入射型受光素子の断面構造を示してい
る。本実施例における面入射型受光素子は、同図に示さ
れているように、ｎ型ＩｎＰ基板７上に有機金属気相成
長法で成長されたｐ型ＩｎＧａＡｓ層９、ｐ型ＩｎＡｌ
Ａｓ層１１およびアンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子層１３およびｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５を有する
結晶をケミカルエッチングによりメサ型構造にし、その
結晶表面にＡｌ2Ｏ3薄膜５をＥＢ（Electoron Beam）蒸
着法により形成し、その後、ポリイミド樹脂膜３を被着
させ、さらに、その上にＴｉ／Ａｕ電極１を蒸着によっ
て形成することによって完成される。なお、裏面にはＡ
ｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極１７が形成される。本実施
例では、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ層１１〜ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層
１５の間でｐｎ接合が形成され、その部分がＡｌ2Ｏ3薄
膜５（第１の絶縁膜）とポリイミド樹脂膜３（第２の絶
縁膜）からなる多層の絶縁膜で被覆されている。
１は、本発明の化合物半導体受光装置の第１の実施例を
説明するための図である。本実施例は、化合物半導体受
光装置を面入射型受光素子を用いて構成したものであ
り、同図はその面入射型受光素子の断面構造を示してい
る。本実施例における面入射型受光素子は、同図に示さ
れているように、ｎ型ＩｎＰ基板７上に有機金属気相成
長法で成長されたｐ型ＩｎＧａＡｓ層９、ｐ型ＩｎＡｌ
Ａｓ層１１およびアンドープＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡ
ｓ超格子層１３およびｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５を有する
結晶をケミカルエッチングによりメサ型構造にし、その
結晶表面にＡｌ2Ｏ3薄膜５をＥＢ（Electoron Beam）蒸
着法により形成し、その後、ポリイミド樹脂膜３を被着
させ、さらに、その上にＴｉ／Ａｕ電極１を蒸着によっ
て形成することによって完成される。なお、裏面にはＡ
ｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極１７が形成される。本実施
例では、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ層１１〜ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層
１５の間でｐｎ接合が形成され、その部分がＡｌ2Ｏ3薄
膜５（第１の絶縁膜）とポリイミド樹脂膜３（第２の絶
縁膜）からなる多層の絶縁膜で被覆されている。
【０００８】図２は、本発明の化合物半導体受光装置の
第２の実施例を説明するための図である。本実施例は、
化合物半導体受光装置を導波路型受光素子を用いて構成
したものであり、同図はその導波路型受光素子の断面構
造を示している。本実施例における導波路型受光素子
は、同図に示されているように、ｐ型ＩｎＰ基板２１上
に分子線エピタキシ成長されたｎ型ＩｎＧａＡｓ層２
９、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５、ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳ
ｂ層２３、ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２５お
よびｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２７およびｐ型ＩｎＡ
ｌＡｓ層１１を有する結晶表面に、ＡｌＯｘ（ｘ＝１〜
１.５）薄膜６をＥＢ蒸着法により形成し、その後、更
にＣＶＤ法により窒化ケイ素膜２を被着させた後、Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ電極１９を形成することによって完成され
る。なお、裏面には、第１の実施例と同様に、ＡｕＧｅ
Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極１７が形成される。
第２の実施例を説明するための図である。本実施例は、
化合物半導体受光装置を導波路型受光素子を用いて構成
したものであり、同図はその導波路型受光素子の断面構
造を示している。本実施例における導波路型受光素子
は、同図に示されているように、ｐ型ＩｎＰ基板２１上
に分子線エピタキシ成長されたｎ型ＩｎＧａＡｓ層２
９、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５、ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳ
ｂ層２３、ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２５お
よびｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２７およびｐ型ＩｎＡ
ｌＡｓ層１１を有する結晶表面に、ＡｌＯｘ（ｘ＝１〜
１.５）薄膜６をＥＢ蒸着法により形成し、その後、更
にＣＶＤ法により窒化ケイ素膜２を被着させた後、Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ電極１９を形成することによって完成され
る。なお、裏面には、第１の実施例と同様に、ＡｕＧｅ
Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極１７が形成される。
【０００９】図３は、本発明の化合物半導体受光装置の
第３の実施例を説明するための図である。本実施例は、
第２の実施例と同様の層構造（ｐ型ＩｎＰ基板２１，ｐ
型ＩｎＡｌＡｓ層１１，ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２
７，ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２５，ｎ型Ｉ
ｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２３，ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５，
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２９）をもった導波路型受光素子を
用いたものである。本実施例では、導波路型受光素子の
（１１０）面３１の面方位の結晶表面に、Ａｌ2Ｏ3薄膜
５（第１の絶縁膜）をＥＢ（Electoron Beam）蒸着法に
より被着し、その後ＣＶＤ法により窒化ケイ素膜２（第
２の絶縁膜）を被着させることによって完成される。
第３の実施例を説明するための図である。本実施例は、
第２の実施例と同様の層構造（ｐ型ＩｎＰ基板２１，ｐ
型ＩｎＡｌＡｓ層１１，ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２
７，ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２５，ｎ型Ｉ
ｎＡｌＧａＡｓＳｂ層２３，ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層１５，
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層２９）をもった導波路型受光素子を
用いたものである。本実施例では、導波路型受光素子の
（１１０）面３１の面方位の結晶表面に、Ａｌ2Ｏ3薄膜
５（第１の絶縁膜）をＥＢ（Electoron Beam）蒸着法に
より被着し、その後ＣＶＤ法により窒化ケイ素膜２（第
２の絶縁膜）を被着させることによって完成される。
【００１０】本発明では、受光素子の半導体にＧａを含
ませているため、バンドギャップを変化させるなど設計
時の余裕度を向上させることができる。なお、上記第１
〜第３の実施例では、結晶表面保護膜としてのＡｌＯｘ
（ｘ＝１〜１.５）およびＡｌ2Ｏ3薄膜をＥＢ法によっ
て被着しているが、ＣＶＤ法或いはスパッタリング法も
しくはＡｌを酸化させることによってでも形成でき、同
様の構造を形成できる。
ませているため、バンドギャップを変化させるなど設計
時の余裕度を向上させることができる。なお、上記第１
〜第３の実施例では、結晶表面保護膜としてのＡｌＯｘ
（ｘ＝１〜１.５）およびＡｌ2Ｏ3薄膜をＥＢ法によっ
て被着しているが、ＣＶＤ法或いはスパッタリング法も
しくはＡｌを酸化させることによってでも形成でき、同
様の構造を形成できる。
【００１１】図４は、面入射型受光素子の暗電流−逆バ
イアス電圧特性を示す図である。図４において、実線で
示された特性は上記第１の実施例で説明したＡｌ2Ｏ3薄
膜を結晶表面保護膜として有する構造の素子特性であ
り、点線で示された特性は従来の構造の素子特性であ
る。同図から明らかなように、第１の実施例の構造を有
する面入射型受光素子の特性が従来構造の面入射型受光
素子の特性に比較して暗電流が激減していることがわか
る。なお、実験の結果、結晶表面保護膜としてＡｌ2Ｏ3
に代わりＡｌＯｘ（ｘ＝１〜１.５）を用いても同様の
効果があることがわかった。
イアス電圧特性を示す図である。図４において、実線で
示された特性は上記第１の実施例で説明したＡｌ2Ｏ3薄
膜を結晶表面保護膜として有する構造の素子特性であ
り、点線で示された特性は従来の構造の素子特性であ
る。同図から明らかなように、第１の実施例の構造を有
する面入射型受光素子の特性が従来構造の面入射型受光
素子の特性に比較して暗電流が激減していることがわか
る。なお、実験の結果、結晶表面保護膜としてＡｌ2Ｏ3
に代わりＡｌＯｘ（ｘ＝１〜１.５）を用いても同様の
効果があることがわかった。
【００１２】図５は、導波路型受光素子の暗電流−逆バ
イアス電圧特性を示す図である。図５において、実線で
示された特性は上記第２の実施例で説明したＡｌＯｘ
（ｘ＝１〜１.５）薄膜を結晶表面保護膜として有する
構造の素子特性であり、点線で示された特性は従来の構
造の素子特性である。同図から明らかなように、第２の
実施例の構造を有する導波路型受光素子の特性が従来構
造の導波路型受光素子の特性に比較して暗電流が激減し
ていることがわかる。
イアス電圧特性を示す図である。図５において、実線で
示された特性は上記第２の実施例で説明したＡｌＯｘ
（ｘ＝１〜１.５）薄膜を結晶表面保護膜として有する
構造の素子特性であり、点線で示された特性は従来の構
造の素子特性である。同図から明らかなように、第２の
実施例の構造を有する導波路型受光素子の特性が従来構
造の導波路型受光素子の特性に比較して暗電流が激減し
ていることがわかる。
【００１３】また、本発明の第３の実施例で説明した構
造の導波路型受光素子の特性も、図５に示されたのと同
様の結果が得られた。これは、外気から直接またはポリ
イミド膜等を介して吸着される水分もしくは酸素イオン
に対して、他の元素と比べても比較的酸素との結束力が
大きいＡｌを有する酸化膜を被着しておくことによっ
て、結晶表面の酸化に起因した素子暗電流の増加を回避
しているためと考えられる。
造の導波路型受光素子の特性も、図５に示されたのと同
様の結果が得られた。これは、外気から直接またはポリ
イミド膜等を介して吸着される水分もしくは酸素イオン
に対して、他の元素と比べても比較的酸素との結束力が
大きいＡｌを有する酸化膜を被着しておくことによっ
て、結晶表面の酸化に起因した素子暗電流の増加を回避
しているためと考えられる。
【００１４】上記実施例では表面保護膜を２層の膜（Ａ
ｌＯｘまたはＡｌ2Ｏ3からなる第１の絶縁膜とその上の
ポリイミド樹脂膜などの第２の絶縁膜）にした例を示し
たが、さらにその上を別の絶縁膜で被覆することによっ
て表面保護膜を３層以上にする構成を採用してもよいこ
とはいうまでもない。
ｌＯｘまたはＡｌ2Ｏ3からなる第１の絶縁膜とその上の
ポリイミド樹脂膜などの第２の絶縁膜）にした例を示し
たが、さらにその上を別の絶縁膜で被覆することによっ
て表面保護膜を３層以上にする構成を採用してもよいこ
とはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ｐｎ接合を有する化合
物半導体受光装置において、化合物半導体結晶表面を、
少なくとも、ＡｌＯｘ薄膜またはＡｌ2Ｏ3薄膜からなる
絶縁膜（第１の絶縁膜）とその上のポリイミド樹脂膜な
どの絶縁膜（第２の絶縁膜）の多層膜で被覆して結晶表
面を保護することによって、素子特性（暗電流特性）の
劣化が大幅に改善される。
物半導体受光装置において、化合物半導体結晶表面を、
少なくとも、ＡｌＯｘ薄膜またはＡｌ2Ｏ3薄膜からなる
絶縁膜（第１の絶縁膜）とその上のポリイミド樹脂膜な
どの絶縁膜（第２の絶縁膜）の多層膜で被覆して結晶表
面を保護することによって、素子特性（暗電流特性）の
劣化が大幅に改善される。
【図１】本発明の化合物半導体受光装置の第１の実施例
（面入射型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
（面入射型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
【図２】本発明の化合物半導体受光装置の第２の実施例
（導波路型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
（導波路型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
【図３】本発明の化合物半導体受光装置の第３の実施例
（導波路型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
（導波路型受光素子の場合）を説明するための図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施例における面入射型受光素
子の暗電流−逆バイアス電圧特性を示す図である。
子の暗電流−逆バイアス電圧特性を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例における導波路型受光素
子の暗電流−逆バイアス電圧特性を示す図である。
子の暗電流−逆バイアス電圧特性を示す図である。
１…Ｔｉ／Ａｕ電極、２…窒化ケイ素膜、３…ポリイミ
ド樹脂膜、５…Ａｌ2Ｏ3薄膜、６…ＡｌＯｘ薄膜、７…
ｎ型ＩｎＰ基板、９…ｐ型ＩｎＧａＡｓ層、１１…ｐ型
ＩｎＡｌＡｓ層、１３…アンドープＩｎＡｌＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓ超格子層、１５…ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層、１７…
ＡｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極、１９…Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ電極、２１…ｐ型ＩｎＰ基板、２３…ｎ型ＩｎＡｌＧ
ａＡｓＳｂ層、２５…ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳ
ｂ層、２７…ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層、２９…ｎ型
ＩｎＧａＡｓ層、３１…（１１０）面
ド樹脂膜、５…Ａｌ2Ｏ3薄膜、６…ＡｌＯｘ薄膜、７…
ｎ型ＩｎＰ基板、９…ｐ型ＩｎＧａＡｓ層、１１…ｐ型
ＩｎＡｌＡｓ層、１３…アンドープＩｎＡｌＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓ超格子層、１５…ｎ型ＩｎＡｌＡｓ層、１７…
ＡｕＧｅＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極、１９…Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ電極、２１…ｐ型ＩｎＰ基板、２３…ｎ型ＩｎＡｌＧ
ａＡｓＳｂ層、２５…ｎマイナス型ＩｎＡｌＧａＡｓＳ
ｂ層、２７…ｎ型ＩｎＡｌＧａＡｓＳｂ層、２９…ｎ型
ＩｎＧａＡｓ層、３１…（１１０）面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 均 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 辻 伸二 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも１つのｐｎ接合を有する化合
物半導体受光装置において、該化合物半導体受光装置を
構成する化合物半導体受光素子の結晶表面を、少なくと
も、ＡｌＯｘまたはＡｌ2Ｏ3からなる第１の絶縁膜と、
該第１の絶縁膜と異なる第２の絶縁膜とからなる多層の
絶縁膜で被覆したことを特徴する化合物半導体受光装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の化合物半導体受光装置に
おいて、前記化合物半導体受光素子は面入射型受光素子
または導波型受光素子であることを特徴とする化合物半
導体受光装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の化合物半導体受
光装置において、前記第２の絶縁膜はポリイミド樹脂膜
であることを特徴とする化合物半導体受光装置。 - 【請求項４】 請求項１または３のいずれか１項に記載
の化合物半導体受光装置において、前記化合物半導体受
光素子の結晶表面にｐｎ接合が露出している構造を有す
ることを特徴とする化合物半導体受光装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載
の化合物半導体受光装置において、前記化合物半導体受
光素子は少なくともＧａを含む半導体からなっているこ
とを特徴とする化合物半導体受光装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項に記載
の化合物半導体受光装置において、前記化合物半導体素
子の結晶表面が（１１０）面の面方位を有することを特
徴とする化合物半導体受光装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項に記載
の化合物半導体受光装置において、前記化合物半導体受
光素子をメサ型構造にしたことを特徴とする化合物半導
体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00241796A JP3670740B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 化合物半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00241796A JP3670740B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 化合物半導体受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191123A true JPH09191123A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3670740B2 JP3670740B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=11528683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00241796A Expired - Lifetime JP3670740B2 (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 化合物半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3670740B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013143403A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光装置 |
| JP2018006415A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 富士通株式会社 | 赤外線検知素子、赤外線検知素子アレイ及び赤外線検知素子を用いて赤外線を検知する方法 |
| JP2020150174A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 富士通株式会社 | 赤外線検出器、これを用いた撮像装置、及び赤外線検出器の製造方法 |
-
1996
- 1996-01-10 JP JP00241796A patent/JP3670740B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
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| JP2018006415A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 富士通株式会社 | 赤外線検知素子、赤外線検知素子アレイ及び赤外線検知素子を用いて赤外線を検知する方法 |
| JP2020150174A (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 富士通株式会社 | 赤外線検出器、これを用いた撮像装置、及び赤外線検出器の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3670740B2 (ja) | 2005-07-13 |
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