JPH09192875A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JPH09192875A
JPH09192875A JP8002168A JP216896A JPH09192875A JP H09192875 A JPH09192875 A JP H09192875A JP 8002168 A JP8002168 A JP 8002168A JP 216896 A JP216896 A JP 216896A JP H09192875 A JPH09192875 A JP H09192875A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
workpiece
processing
soot
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8002168A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Hikima
郁雄 引間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8002168A priority Critical patent/JPH09192875A/ja
Publication of JPH09192875A publication Critical patent/JPH09192875A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工中に被加工物からすすが発生しても良好
なレーザ加工を行うことができるようにする。 【解決手段】 加工面が下方を向くようにして被加工物
7をステージ8に保持し、被加工物7の下方から加工面
にレーザ光LBを照射してレーザ加工を行う。レーザ光
の照射によって被加工物から落下したすす等の発生物を
吸引するための吸引手段を備えてもよい。 【効果】 レーザ加工中に発生したすすは自重で下に落
ちるため、レーザ加工面にすすが付着することがないの
で均一なレーザ加工を実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エキシマレーザ等
の紫外域のレーザ光によるアブレーションを利用したレ
ーザ加工装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】高分子材料やセラミックス材料に微細加
工を施すための装置として、エキシマレーザ等によって
得られる紫外域のレーザ光を用いたレーザ加工装置があ
る。
【0003】例えば、KrFエキシマレーザは波長24
8nmの紫外線を発生し、ArFエキシマレーザは波長
193nmの真空紫外線を発生するが、これらの紫外線
の光子エネルギーは原子の結合エネルギーに相当する。
また、エキシマレーザは数十ナノ秒のパルス幅で数百ミ
リジュール以上の大エネルギーを瞬間的に発生すること
ができる。このようなレーザ光を高分子材料等でできた
被加工物に照射すると、アブレーション(光化学反応)
によって被加工物を構成する材料の分子間結合が破壊さ
れ、材料が蒸発、飛散することで加工が行われる。この
アブレーションを利用するレーザ加工は、炭酸ガスレー
ザなど赤外域のレーザ光を用いるレーザ加工と違って、
被加工物に熱的影響を及ぼすことなく加工をすることが
できるという利点を有する。ところで、従来のレーザ加
工装置は、被加工物をステージ上に保持し、被加工物の
加工面に上方からレーザ光を照射して加工を行ってい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】アブレーションを利用
するレーザ加工は、高分子材料のような炭素含有材料等
にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された部分の材料
の分子間結合を破壊して加工を行うものであるため、レ
ーザ光を照射した部分からすすや微細な除去物が発生す
る。
【0005】図5(a)に示すように、レーザ加工中に
発生したすす42〜45が被加工物40の加工面41に
付着すると、すす42〜45にレーザ光LBが吸収され
てしまう。そのため、すす42〜45が付着した部分は
加工速度が遅くなり、加工が進むにつれて、図5(b)
に示すように加工面41に凹凸が生じたり、加工の輪郭
が乱れたりして均一な加工ができないという問題があっ
た。本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてな
されたもので、加工中に被加工物からすすが発生しても
良好なレーザ加工を行うことのできるレーザ加工装置を
提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、加工面が下
方を向くようにして被加工物を保持し、被加工物の下方
から加工面にレーザ光を照射してレーザ加工を行うこと
で前記目的を達成する。
【0007】加工面は下方が開放されており、レーザ加
工は被加工物の下方に面する表面から内部に向かって行
われるため、レーザ加工中に発生したすすは自重で下に
落ちることができる。したがって、レーザ加工面にすす
が付着することがないので、加工レーザ光はすすによる
吸収を受けることがなく、設計通りの輪郭を有する均一
なレーザ加工を実現することができる。
【0008】すなわち、本発明は、紫外域のレーザ光を
出射する光源と、被加工物を保持する保持手段と、レー
ザ光を保持手段に保持された被加工物に照射する照射光
学系とを有するレーザ加工装置において、保持手段は被
加工物の加工面を下方に向けて保持し、照射光学系は被
加工物に下方側からレーザ光を照射することを特徴とす
る。
【0009】レーザ光の照射によって被加工物から落下
したすす等の発生物が雰囲気中に浮遊して装置の光学系
等を汚染するのを防止するために、被加工物の加工面の
近くにすす等の発生物を真空吸引する吸引手段を備える
のが好ましい。また、被加工物の加工面、特にレーザ光
照射領域にガスを吹き付ける手段を更に備えることで、
レーザ加工中に発生したすすを加工面から効果的に除去
して、均一な加工を行うことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。図1は、本発明の実施の形態を説明
する概略図である。エキシマレーザ等のレーザ光源1か
ら発振された紫外域のレーザ光LBは、ビーム整形部2
により適切なビーム形状に整形されたのち、被加工物7
に加工すべきパターンと相似形の光透過パターンを有す
るマスク3に照射される。マスク3を透過したレーザ光
LBは、ダイクロイックミラー4で反射され、対物レン
ズ6を通ったのち反射ミラー11a,11bで反射され
て被加工物7に照射され、被加工物7上にマスク3のパ
ターンの等倍像あるいは縮小像が形成される。マスク3
は、対物レンズ6に関して被加工物7の加工面を共役な
位置に配置されている。
【0011】被加工物7は、ステージ8の下面側に固定
されている。ステージ8への被加工物7の固定は、例え
ば図2(a)に示すように、ステージ8の下面の一端側
に固定部材25を、他端側に可動部材26を設け、その
間に被加工物7を配置することによって行うことができ
る。可動部材26はバネ27,28の力で被加工物7の
端面に押圧され、被加工物7は固定部材25と可動部材
26の間に挟み込まれて固定される。あるいは、被加工
物7のステージ8上への固定は、図2(b)に示すよう
に、ステージ8上に置かれた被加工物7の両端を断面L
字型の固定用部材31,32で押さえ、固定用部材3
1,32をビス33等によってステージ8に固定する方
法によってもよい。
【0012】ステージ8は、モータ21等の駆動装置に
よって2次元方向に移動可能である。ステージ8には移
動鏡22が固定されており、レーザ干渉計23で移動鏡
22との間の距離を計測することによりステージ8の座
標位置が検知される。制御部9は、レーザ干渉計23の
出力をモニターしながらステージ8の座標位置が予め入
力された値となるようにモータ21を駆動することで、
加工レーザ光LBに対して被加工物7を位置決めする。
図示されていないが、ステージ8はステージ上で被加工
物を回転させる回転機構も有し、被加工物7は制御部9
の制御下に並進あるいは回転される。
【0013】レーザ光源1による照射エネルギー密度の
設定は以下のようにして行われる。まず、モータ21を
駆動してステージ8を移動させ、ステージ8上に設けら
れたエネルギーメータ5aが加工レーザ光LBの照射位
置にくるようにする。この状態でレーザ光源1を駆動
し、加工レーザ光LBの1パルスのエネルギー(単位:
ジュール)をモニターする。制御部9は、予め分かって
いる照射パターンの面積から照射エネルギー密度を計算
する。そして、制御部9は被加工物の加工面に照射され
る照射エネルギー密度が計算された所定の値になるよう
にレーザ光源1の出力を調整することで、照射エネルギ
ー密度の設定が行われる。加工中は、エネルギーメータ
5aを使用することができないので、ダイクロイックミ
ラー4を透過したレーザ光が入射する別のエネルギーメ
ータ5bによって照射エネルギーをモニターする。制御
部9は、エネルギーメータ5bからの信号を用いてレー
ザ光源1の出力をフィードバック制御し、あるいはレー
ザ光源1のエネルギー安定性が悪い場合には警報を発し
たり加工を中止する指令を出したりする。
【0014】図3に、レーザ加工中の被加工物の拡大図
を示す。本発明によると、被加工物7の加工面は下方側
を向いており、加工レーザ光LBは下方側から被加工物
に照射される。したがって、被加工物7のレーザ光照射
部で発生したすす等の微細な粒子35は、従来のように
加工部に堆積することなく加工部から離脱して自重で下
に落ち、自動的に加工表面から取り除かれる。そのた
め、図5で説明した従来例のように加工面にすすが付着
してレーザ加工を妨げるようなことがなく、設計通りの
輪郭を有する加工を均一に行うことができる。
【0015】このとき、図3に示すように、ガス吸引装
置37をレーザ光照射部の近くに配置し、加工部から落
下してくるすす等の発生物35を吸引するようにする
と、これらの発生物35が雰囲気中を浮遊して光学系に
付着したり、装置の他の部分を汚染するのを防止するこ
とができる。
【0016】また、図4に示すように、ガス吸引装置3
7とともにガス吹き付けノズル38をレーザ光照射部に
対してガス吸引装置37の反対側に配置し、被加工物7
の加工部にヘリウムガスや窒素ガスのような不活性ガス
を適当な流量で吹き付けるようにすると、レーザ光LB
の照射部からすす等の発生物35を確実に除去して良好
なレーザ加工を行うことができる。ガス吹き付けノズル
38からレーザ光照射部に吹き付けるガスは、流量をあ
まり大きくすると発生物35をかえって飛散させること
になってしまう。したがって、実際の形態では、ガス吹
き付けノズル38は、吹き付けたガスがガス吸引装置3
7によって全量吸引されるように、ガス吸引手段37の
位置及び吸引量を考慮して吹き付け流量あるいは吹き付
け方向等を設定している。
【0017】図1にもどって、被加工物7の加工面の観
察は、観察光源10から発した観察光IBを反射ミラー
11cで反射させ、ダイクロイックミラー4、対物レン
ズ6を通して加工レーザ光LBと同軸で被加工物7の加
工領域に照射し、その反射光をCCDカメラ12に取り
込み、TVモニター14で観察することで行われる。
【0018】画像処理装置13は、CCDカメラ12で
取り込んだ画像の記憶及びサーチ等の処理を行うことが
でき、被加工物7上に予め形成されているアライメント
マークのサーチ及び位置測定を行うことができる。制御
部9は、画像処理装置13の信号を用いて、モータ21
によりステージ8を駆動して、被加工物7のローテーシ
ョン補正や位置合わせを行うことができる。
【0019】
【発明の効果】本発明によると、加工中にすすが発生し
てもその影響を受けずに均一で良好なレーザ加工を行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるレーザ加工装置の概略図。
【図2】ステージへの被加工物の固定方法を説明する
図。
【図3】レーザ加工中の被加工物の拡大図。
【図4】レーザ加工中の被加工物の拡大図。
【図5】従来例の問題点を説明する図。
【符号の説明】
1…レーザ光源、2…ビーム整形部、3…マスク、4…
ダイクロイックミラー、5a,5b…エネルギーメー
タ、6…対物レンズ、7…被加工物、8…ステージ、9
…制御部、10…観察光源、11a,11b,11c…
反射ミラー、12…CCDカメラ、13…画像処理装
置、14…TVモニター、25…固定部材、26…可動
部材、27,28…バネ、31,32…固定用部材、3
3…ビス、35…発生物、37…ガス吸引手段、38…
ガス吹き付けノズル、40…被加工物、41…加工面、
42,43,44,45…すす、LB…加工レーザ光、
IB…観察光

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外域のレーザ光を出射する光源と、被
    加工物を保持する保持手段と、前記レーザ光を前記保持
    手段に保持された被加工物に照射する照射光学系とを有
    するレーザ加工装置において、 前記保持手段は前記被加工物の加工面を下方に向けて保
    持し、前記照射光学系は前記被加工物に前記下方側から
    前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザ加工装
    置。
  2. 【請求項2】 前記レーザ光の照射によって前記被加工
    物から発生する発生物を吸引する吸引手段を備えること
    を特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 前記被加工物の加工面にガスを吹き付け
    る手段を更に備えることを特徴とする請求項2記載のレ
    ーザ加工装置。
JP8002168A 1996-01-10 1996-01-10 レーザ加工装置 Pending JPH09192875A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8002168A JPH09192875A (ja) 1996-01-10 1996-01-10 レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8002168A JPH09192875A (ja) 1996-01-10 1996-01-10 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09192875A true JPH09192875A (ja) 1997-07-29

Family

ID=11521844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8002168A Pending JPH09192875A (ja) 1996-01-10 1996-01-10 レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09192875A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164264A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ソフトレーザーマーク印字方法及び装置
JP2002540950A (ja) * 1999-04-07 2002-12-03 シーメンス ソーラー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 担体材料上の薄層の剥離のための装置及び方法
WO2005116751A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Nikon Corporation 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
US7339961B2 (en) 2005-08-08 2008-03-04 Nikon Corporation Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, device for inspecting object of inspection, and polymer crystal working apparatus
JP2009271289A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Fujifilm Corp 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法
JP2012011440A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Disco Corp レーザー加工装置
KR20130094682A (ko) * 2012-02-16 2013-08-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002540950A (ja) * 1999-04-07 2002-12-03 シーメンス ソーラー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 担体材料上の薄層の剥離のための装置及び方法
JP2002164264A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ソフトレーザーマーク印字方法及び装置
WO2005116751A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Nikon Corporation 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
US7623557B2 (en) 2004-05-26 2009-11-24 Nikon Corporation Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, mask examining apparatus, and macromolecular crystal lens machining device
EP1750172A4 (en) * 2004-05-26 2011-11-30 Nikon Corp WAVE LENGTH IMPROVEMENT OF THE OPTICAL SYSTEM, LASER LIGHT SOURCE, EXPOSURE DEVICE, MASK SENSOR, AND MACROMOLECULAR CRYSTAL INSULATING EQUIPMENT
US7339961B2 (en) 2005-08-08 2008-03-04 Nikon Corporation Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, device for inspecting object of inspection, and polymer crystal working apparatus
JP2009271289A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Fujifilm Corp 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法
JP2012011440A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Disco Corp レーザー加工装置
KR20130094682A (ko) * 2012-02-16 2013-08-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 펠리클의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4537548B2 (ja) レーザーの焦点位置を決定するための方法および装置
CN104923917B (zh) 板状物的加工方法
JP5681453B2 (ja) 測定方法および測定装置
TWI477340B (zh) Laser processing methods, laser processing and laser processing equipment
JP2004514053A (ja) 電磁放射線束によって焼結、物質除去および/またはラベリングを行う装置およびその装置を操作する方法
CN100556605C (zh) 激光加工装置
JP5681452B2 (ja) 測定方法および測定装置
US20040140298A1 (en) Iced film substrate cleaning
JPWO2020090918A1 (ja) レーザ加工装置
KR102312237B1 (ko) 펄스 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
KR101571007B1 (ko) 대면적 3차원 레이저 마킹장치
CN105312777A (zh) 激光加工装置
TW201805099A (zh) 雷射加工裝置、及晶圓的產生方法
JP6463556B1 (ja) 金属部品のレーザ洗浄装置及び金属部品のレーザ洗浄方法
JPH09192875A (ja) レーザ加工装置
JP7037425B2 (ja) レーザー光線の焦点位置検出方法
WO2003103861A2 (en) Low cost material recycling apparatus using laser stripping of coatings such as paint and glue
US20040224508A1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate using a homogenized and non-polarized radiation beam
JP2002307176A (ja) 微細加工装置
JPH0919787A (ja) 非金属材料の加工方法及びその加工装置
JPH08132259A (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2000056400A (ja) 描画装置
JP2007014990A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JPS5987993A (ja) 加工表面仕上加工装置
JPH0910968A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置