JPH09194299A - 窒化ガリウムの結晶成長方法 - Google Patents
窒化ガリウムの結晶成長方法Info
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- JPH09194299A JPH09194299A JP2062396A JP2062396A JPH09194299A JP H09194299 A JPH09194299 A JP H09194299A JP 2062396 A JP2062396 A JP 2062396A JP 2062396 A JP2062396 A JP 2062396A JP H09194299 A JPH09194299 A JP H09194299A
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- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 116
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 115
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 12
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 11
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
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- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒ化ガリウム結晶基板上に、表面が平坦で結晶
性のよい窒化ガリウム膜を結晶成長させる。 【解決手段】ヒ化ガリウム基板として、ヒ化ガリウム
（１００）面に対して傾斜した面を表面とし、（１０
０）面を基準として、表面の傾斜角が０°を越えて３５
°未満であり、かつ表面の傾斜方向が、［０,０,１］方
向から［０,−１,１］方向を通り［０,−１,０］方向ま
での角度範囲内か、この角度範囲に加えて［１,０,０］
方向を軸としてこの角度範囲の両側５°以内の範囲内に
あるもの、もしくはこれと結晶学的に等価な表面を有す
るものを使用する。好ましくは、傾斜方向を［０,−１,
１］方向の両側５°以内として傾斜角を８°〜１８°と
するか、傾斜方向を［０,１,０］方向の両側５°以内と
して傾斜角を３°〜７°とする。
性のよい窒化ガリウム膜を結晶成長させる。 【解決手段】ヒ化ガリウム基板として、ヒ化ガリウム
（１００）面に対して傾斜した面を表面とし、（１０
０）面を基準として、表面の傾斜角が０°を越えて３５
°未満であり、かつ表面の傾斜方向が、［０,０,１］方
向から［０,−１,１］方向を通り［０,−１,０］方向ま
での角度範囲内か、この角度範囲に加えて［１,０,０］
方向を軸としてこの角度範囲の両側５°以内の範囲内に
あるもの、もしくはこれと結晶学的に等価な表面を有す
るものを使用する。好ましくは、傾斜方向を［０,−１,
１］方向の両側５°以内として傾斜角を８°〜１８°と
するか、傾斜方向を［０,１,０］方向の両側５°以内と
して傾斜角を３°〜７°とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒ化ガリウム結晶
基板上に窒化ガリウム層を成長させる結晶成長方法に関
し、特に、表面が平坦であってかつ結晶性に優れた窒化
ガリウム層を形成できる結晶成長方法に関する。
基板上に窒化ガリウム層を成長させる結晶成長方法に関
し、特に、表面が平坦であってかつ結晶性に優れた窒化
ガリウム層を形成できる結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）は、そのバンド
ギャップが比較的大きいので、青色光から紫外光にかけ
ての発光デバイス（発光ダイオードやレーザダイオー
ド）への応用が期待されている。窒化ガリウム層は、適
当な単結晶性基板の上に結晶成長によって形成されるの
が一般的である。
ギャップが比較的大きいので、青色光から紫外光にかけ
ての発光デバイス（発光ダイオードやレーザダイオー
ド）への応用が期待されている。窒化ガリウム層は、適
当な単結晶性基板の上に結晶成長によって形成されるの
が一般的である。
【０００３】これまで、結晶成長により窒化ガリウム結
晶層を形成する際の基板として、サファイア基板が最も
よく使われており、サファイア基板上に窒化ガリウム層
を設けた構成の発光ダイオードが報告されている（S. N
akamura: J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 13, No. 3,
P.705, May/Jun 1995）。図９はこの発光ダイオードの
構成を示す概略断面図である。この発光ダイオードは、
（０００１）面を表面とするサファイア基板５０１を使
用し、このサファイア基板５０１上に、５１０℃で形成
された厚さ３０ｎｍの窒化ガリウム低温バッファ層５０
２、１０２０℃で形成されケイ素が添加された厚さ４μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層５０３、１０２０℃で形成され
ケイ素が添加された厚さ０.１５μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ層５０４、８００℃で形成され亜鉛とケイ素が
添加された厚さ１００ｎｍのＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層５０
５、１０２０℃で形成されマグネシウムが添加された厚
さ０.１５μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５０６、及
び１０２０℃で形成されマグネシウムが添加された厚さ
０.５μｍのｐ型窒化ガリウム層５０７を順次積層した
構成となっている。また、ｐ型窒化ガリウム層５０７に
対して、ニッケルと金の２層からなるｐ電極５０８が設
けられ、ｎ型窒化ガリウム層５０２に対して、チタンと
アルミニウムの２層からなるｎ電極５０９が設けられて
いる。
晶層を形成する際の基板として、サファイア基板が最も
よく使われており、サファイア基板上に窒化ガリウム層
を設けた構成の発光ダイオードが報告されている（S. N
akamura: J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 13, No. 3,
P.705, May/Jun 1995）。図９はこの発光ダイオードの
構成を示す概略断面図である。この発光ダイオードは、
（０００１）面を表面とするサファイア基板５０１を使
用し、このサファイア基板５０１上に、５１０℃で形成
された厚さ３０ｎｍの窒化ガリウム低温バッファ層５０
２、１０２０℃で形成されケイ素が添加された厚さ４μ
ｍのｎ型窒化ガリウム層５０３、１０２０℃で形成され
ケイ素が添加された厚さ０.１５μｍのｎ型Ａｌ0.15Ｇ
ａ0.85Ｎ層５０４、８００℃で形成され亜鉛とケイ素が
添加された厚さ１００ｎｍのＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層５０
５、１０２０℃で形成されマグネシウムが添加された厚
さ０.１５μｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層５０６、及
び１０２０℃で形成されマグネシウムが添加された厚さ
０.５μｍのｐ型窒化ガリウム層５０７を順次積層した
構成となっている。また、ｐ型窒化ガリウム層５０７に
対して、ニッケルと金の２層からなるｐ電極５０８が設
けられ、ｎ型窒化ガリウム層５０２に対して、チタンと
アルミニウムの２層からなるｎ電極５０９が設けられて
いる。
【０００４】サファイア基板上に結晶成長させた窒化ガ
リウム層には、他の基板上に形成したものに比べて表面
の平坦性がよく結晶性に優れているという利点がある
が、サファイア基板が導電性を持たないことやへき開が
できないことなどに起因する問題点があり、さらに、過
去においてヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上やリン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）基板上の他の化合物半導体で培われ
たプロセス技術を利用できないという問題点がある。サ
ファイア基板を用いていることにより、図９に示す従来
の発光ダイオードではｐ電極、ｎ電極ともデバイス表面
に形成する必要があって、電極形成プロセスが複雑にな
っている。
リウム層には、他の基板上に形成したものに比べて表面
の平坦性がよく結晶性に優れているという利点がある
が、サファイア基板が導電性を持たないことやへき開が
できないことなどに起因する問題点があり、さらに、過
去においてヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上やリン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）基板上の他の化合物半導体で培われ
たプロセス技術を利用できないという問題点がある。サ
ファイア基板を用いていることにより、図９に示す従来
の発光ダイオードではｐ電極、ｎ電極ともデバイス表面
に形成する必要があって、電極形成プロセスが複雑にな
っている。
【０００５】一方、窒化ガリウム層の結晶成長のための
基板としてヒ化ガリウムを用いれば、導電性がある、へ
き開ができるという利点とともに、過去においてヒ化ガ
リウム基板上に他の化合物半導体層を結晶成長させたこ
とで培われたプロセス技術が利用できるという利点があ
る。（１１１）面を表面とするヒ化ガリウム基板上への
窒化ガリウム層の結晶成長は、例えばQintin Guo and H
iroshi Ogawa, Appl.Phys. Lett., 66, 715(1995)など
に示され、（１００）面を表面とするヒ化ガリウム基板
上への窒化ガリウム層の結晶成長は、例えばJ. Appl. P
hys., 78, 1842(1995)などに示されている。しかしなが
ら、ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層は、
サファイア基板上に形成したものに比べ、表面の平坦性
が劣り、結晶性が悪いという問題点があった。
基板としてヒ化ガリウムを用いれば、導電性がある、へ
き開ができるという利点とともに、過去においてヒ化ガ
リウム基板上に他の化合物半導体層を結晶成長させたこ
とで培われたプロセス技術が利用できるという利点があ
る。（１１１）面を表面とするヒ化ガリウム基板上への
窒化ガリウム層の結晶成長は、例えばQintin Guo and H
iroshi Ogawa, Appl.Phys. Lett., 66, 715(1995)など
に示され、（１００）面を表面とするヒ化ガリウム基板
上への窒化ガリウム層の結晶成長は、例えばJ. Appl. P
hys., 78, 1842(1995)などに示されている。しかしなが
ら、ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層は、
サファイア基板上に形成したものに比べ、表面の平坦性
が劣り、結晶性が悪いという問題点があった。
【０００６】図１０は、従来法により、（１００）面を
表面とするヒ化ガリウム基板上に水素化物気相成長法に
よって形成した窒化ガリウム膜の断面と表面を示す走査
型電子顕微鏡写真である。図１０において、ヒ化ガリウ
ム基板３０１は、（１００）面を表面とし、ＣｒＯが濃
度０.３３重量ｐｐｍでドープされている。このヒ化ガ
リウム基板３０１上に、結晶成長によって、窒化ガリウ
ム低温成長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層
３０３が順次形成されている。窒化ガリウム低温成長バ
ッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層３０３はいず
れもアンドープである。成長条件は以下の通りである。
まず、基板温度４８５℃で、窒化ガリウム低温成長バッ
ファ層３０２を３０分間形成し、その後、基板温度を７
００℃まで上げて、窒化ガリウム高温成長層３０３を３
０分間形成した。図１０に示されるように、窒化ガリウ
ム高温成長層３０３の表面の平坦性は極めて悪い。
表面とするヒ化ガリウム基板上に水素化物気相成長法に
よって形成した窒化ガリウム膜の断面と表面を示す走査
型電子顕微鏡写真である。図１０において、ヒ化ガリウ
ム基板３０１は、（１００）面を表面とし、ＣｒＯが濃
度０.３３重量ｐｐｍでドープされている。このヒ化ガ
リウム基板３０１上に、結晶成長によって、窒化ガリウ
ム低温成長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層
３０３が順次形成されている。窒化ガリウム低温成長バ
ッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層３０３はいず
れもアンドープである。成長条件は以下の通りである。
まず、基板温度４８５℃で、窒化ガリウム低温成長バッ
ファ層３０２を３０分間形成し、その後、基板温度を７
００℃まで上げて、窒化ガリウム高温成長層３０３を３
０分間形成した。図１０に示されるように、窒化ガリウ
ム高温成長層３０３の表面の平坦性は極めて悪い。
【０００７】図１１は、従来法により、（１１１）Ｂ面
を表面とするヒ化ガリウム基板上に水素化物気相成長法
によって形成した窒化ガリウム膜の断面と表面を示す走
査型電子顕微鏡写真である。図１１において、ヒ化ガリ
ウム基板３１１は、（１１１）Ｂ面を表面とし、ＣｒＯ
が濃度０.３３重量ｐｐｍでドープされている。このヒ
化ガリウム基板３１１上に、結晶成長によって、窒化ガ
リウム低温成長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成
長層３０３が順次形成されている。窒化ガリウム低温成
長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層３０３は
いずれもアンドープであり、その成長条件は図１０に示
すものと同じである。図１１に示す窒化ガリウム膜で
は、図１０に示すものよりも表面の平坦性はよいもの
の、窒化ガリウム高温成長層３０３に柱状成長が起きて
おり、結晶性に問題がある。
を表面とするヒ化ガリウム基板上に水素化物気相成長法
によって形成した窒化ガリウム膜の断面と表面を示す走
査型電子顕微鏡写真である。図１１において、ヒ化ガリ
ウム基板３１１は、（１１１）Ｂ面を表面とし、ＣｒＯ
が濃度０.３３重量ｐｐｍでドープされている。このヒ
化ガリウム基板３１１上に、結晶成長によって、窒化ガ
リウム低温成長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成
長層３０３が順次形成されている。窒化ガリウム低温成
長バッファ層３０２と窒化ガリウム高温成長層３０３は
いずれもアンドープであり、その成長条件は図１０に示
すものと同じである。図１１に示す窒化ガリウム膜で
は、図１０に示すものよりも表面の平坦性はよいもの
の、窒化ガリウム高温成長層３０３に柱状成長が起きて
おり、結晶性に問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の技術を用いてヒ化ガリウム結晶基板上に窒化ガリウム
膜を結晶成長させた場合には、結晶性が悪くなったり、
表面の平坦性が悪くなったりするという問題が生じる。
の技術を用いてヒ化ガリウム結晶基板上に窒化ガリウム
膜を結晶成長させた場合には、結晶性が悪くなったり、
表面の平坦性が悪くなったりするという問題が生じる。
【０００９】本発明の目的は、表面の平坦性が良く、か
つ結晶性に優れた窒化ガリウム結晶層をヒ化ガリウム基
板上に形成することができる結晶成長方法を提供するこ
とにある。
つ結晶性に優れた窒化ガリウム結晶層をヒ化ガリウム基
板上に形成することができる結晶成長方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウムの
結晶成長方法は、ヒ化ガリウム基板上に窒化ガリウム層
を形成する窒化ガリウムの結晶成長方法において、ヒ化
ガリウム基板がその（１００）面に対して傾斜した面を
表面とし、（１００）面を基準として、表面の傾斜角が
０°を越えて３５°未満であり、かつ表面の傾斜方向
が、［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を通り
［０,−１,０］方向までの角度範囲内に［１,０,０］方
向を軸として前述の角度範囲の両側５°以内を加えた範
囲内、もしくはこの範囲と結晶学的に等価な範囲内にあ
り、表面上に窒化ガリウム層を成長させる。
結晶成長方法は、ヒ化ガリウム基板上に窒化ガリウム層
を形成する窒化ガリウムの結晶成長方法において、ヒ化
ガリウム基板がその（１００）面に対して傾斜した面を
表面とし、（１００）面を基準として、表面の傾斜角が
０°を越えて３５°未満であり、かつ表面の傾斜方向
が、［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を通り
［０,−１,０］方向までの角度範囲内に［１,０,０］方
向を軸として前述の角度範囲の両側５°以内を加えた範
囲内、もしくはこの範囲と結晶学的に等価な範囲内にあ
り、表面上に窒化ガリウム層を成長させる。
【００１１】本発明においては、（１００）面を基準と
して、表面の傾斜角が８°以上１８°以下であり、かつ
表面の傾斜方向が［０,−１,１］方向の両側それぞれ５
°以内の範囲内にあるようにするか、表面の傾斜角が３
°以上７°以下であり、かつ表面の傾斜方向が［１,０,
０］方向を軸として［０,１,０］方向の両側それぞれ５
°以内の範囲内にあるようにすることが好ましい。表面
の傾斜方向を［０,−１,１］方向の両側それぞれ５°以
内の範囲内とするときには、表面の傾斜角を１０°以上
１６°以下とすることがさらに好ましい。なお、ヒ化ガ
リウムの［０,１,０］方向は［０,−１,０］方向と結晶
学的に等価である。
して、表面の傾斜角が８°以上１８°以下であり、かつ
表面の傾斜方向が［０,−１,１］方向の両側それぞれ５
°以内の範囲内にあるようにするか、表面の傾斜角が３
°以上７°以下であり、かつ表面の傾斜方向が［１,０,
０］方向を軸として［０,１,０］方向の両側それぞれ５
°以内の範囲内にあるようにすることが好ましい。表面
の傾斜方向を［０,−１,１］方向の両側それぞれ５°以
内の範囲内とするときには、表面の傾斜角を１０°以上
１６°以下とすることがさらに好ましい。なお、ヒ化ガ
リウムの［０,１,０］方向は［０,−１,０］方向と結晶
学的に等価である。
【００１２】本発明の結晶成長方法では、ヒ化ガリウム
基板の表面に窒化ガリウム層を成長させる方法として、
例えば、水素化物気相成長法を好ましく用いることがで
きる。
基板の表面に窒化ガリウム層を成長させる方法として、
例えば、水素化物気相成長法を好ましく用いることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の一
形態の結晶成長方法におけるヒ化ガリウム基板表面の面
方位を説明する図、図２はこの結晶成長方法によってヒ
化ガリウム基板上に成長させた窒化ガリウム膜を示す概
略断面図である。
て、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の一
形態の結晶成長方法におけるヒ化ガリウム基板表面の面
方位を説明する図、図２はこの結晶成長方法によってヒ
化ガリウム基板上に成長させた窒化ガリウム膜を示す概
略断面図である。
【００１４】本発明では、窒化ガリウムを結晶成長させ
る際に、ヒ化ガリウム（１００）面に対して傾斜した表
面を有するヒ化ガリウム結晶基板を使用し、この表面上
に窒化ガリウム膜を形成する。ヒ化ガリウム（１００）
面を基準として、基板表面の傾斜角は０°を越えて３５
°未満である。また、基板表面の傾斜方向は、ヒ化ガリ
ウム結晶の［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を
通り［０,−１,０］方向までの角度範囲内か、この角度
範囲に対して結晶学的に等価な角度範囲内にある。さら
に、傾斜方向に関しては、上記の角度範囲に加え、
［１,０,０］方向を軸とした場合の両側５°程度以内は
許容範囲である。図１での矢印の範囲とこれと結晶学的
に等価な範囲が、ヒ化ガリウム（１００）面を基準とし
たヒ化ガリウム基板の傾斜方向の角度範囲である。
る際に、ヒ化ガリウム（１００）面に対して傾斜した表
面を有するヒ化ガリウム結晶基板を使用し、この表面上
に窒化ガリウム膜を形成する。ヒ化ガリウム（１００）
面を基準として、基板表面の傾斜角は０°を越えて３５
°未満である。また、基板表面の傾斜方向は、ヒ化ガリ
ウム結晶の［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を
通り［０,−１,０］方向までの角度範囲内か、この角度
範囲に対して結晶学的に等価な角度範囲内にある。さら
に、傾斜方向に関しては、上記の角度範囲に加え、
［１,０,０］方向を軸とした場合の両側５°程度以内は
許容範囲である。図１での矢印の範囲とこれと結晶学的
に等価な範囲が、ヒ化ガリウム（１００）面を基準とし
たヒ化ガリウム基板の傾斜方向の角度範囲である。
【００１５】さて、表面の面方位が上述のように定めら
れているヒ化ガリウム基板１０１の表面上に、水素化物
気相成長法によって窒化ガリウム膜を形成したものが、
図２に示されている。ヒ化ガリウム基板１０１の上に、
相対的に低温で結晶成長させた窒化ガリウム低温成長バ
ッファ層１０２が薄く形成され、窒化ガリウム低温成長
バッファ層１０２の上に、相対的に高温で結晶成長させ
た窒化ガリウム高温成長層１０３が厚く形成されてい
る。窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２は、ヒ化ガ
リウムと窒化ガリウムとの格子定数の差に基づく歪みを
吸収するために導入されている。
れているヒ化ガリウム基板１０１の表面上に、水素化物
気相成長法によって窒化ガリウム膜を形成したものが、
図２に示されている。ヒ化ガリウム基板１０１の上に、
相対的に低温で結晶成長させた窒化ガリウム低温成長バ
ッファ層１０２が薄く形成され、窒化ガリウム低温成長
バッファ層１０２の上に、相対的に高温で結晶成長させ
た窒化ガリウム高温成長層１０３が厚く形成されてい
る。窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２は、ヒ化ガ
リウムと窒化ガリウムとの格子定数の差に基づく歪みを
吸収するために導入されている。
【００１６】
【実施例】以下、本発明について、実施例と比較例とに
基づきさらに詳しく説明する。
基づきさらに詳しく説明する。
【００１７】《実施例１》ヒ化ガリウム基板１０１とし
て、（１００）面に対し［０,１,−１］方向へ１０°傾
斜した面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウム基
板１０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍでドー
プしてある。そして、水素化物気相成長法による結晶成
長により、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアンドー
プの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成した。成
長条件は以下の通りである。まず、基板温度４８５℃で
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２を３０分間形成
し、その後、基板温度を７００℃まで上げて窒化ガリウ
ム高温成長層１０３を３０分間形成した。
て、（１００）面に対し［０,１,−１］方向へ１０°傾
斜した面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウム基
板１０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍでドー
プしてある。そして、水素化物気相成長法による結晶成
長により、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アンドー
プの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアンドー
プの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成した。成
長条件は以下の通りである。まず、基板温度４８５℃で
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２を３０分間形成
し、その後、基板温度を７００℃まで上げて窒化ガリウ
ム高温成長層１０３を３０分間形成した。
【００１８】図３は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図３から分かるように、この実施例１による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図３から分かるように、この実施例１による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
【００１９】《実施例２》ヒ化ガリウム基板１０１とし
て、（１００）面に対し［０,１,−１］方向へ１５.８
°傾斜した面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウ
ム基板１０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍで
ドープしてある。そして、水素化物気相成長法による結
晶成長により、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アン
ドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアン
ドープの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成し
た。成長条件は実施例１と同じにした。
て、（１００）面に対し［０,１,−１］方向へ１５.８
°傾斜した面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウ
ム基板１０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍで
ドープしてある。そして、水素化物気相成長法による結
晶成長により、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アン
ドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアン
ドープの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成し
た。成長条件は実施例１と同じにした。
【００２０】図４は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図４から分かるように、この実施例３による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図４から分かるように、この実施例３による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
【００２１】《実施例３》ヒ化ガリウム基板１０１とし
て、（１００）面に対し［０,１,０］方向へ５°傾斜し
た面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウム基板１
０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍでドープし
てある。そして、水素化物気相成長法による結晶成長に
より、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アンドープの
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアンドープの
窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成した。成長条
件は実施例１と同じにした。
て、（１００）面に対し［０,１,０］方向へ５°傾斜し
た面を表面とするものを使用した。ヒ化ガリウム基板１
０１には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍでドープし
てある。そして、水素化物気相成長法による結晶成長に
より、このヒ化ガリウム基板１０１上に、アンドープの
窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とアンドープの
窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成した。成長条
件は実施例１と同じにした。
【００２２】図５は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図５から分かるように、この実施例３による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図５から分かるように、この実施例３による窒化ガ
リウム膜は、図１０及び図１１に示された従来方法によ
る窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れている。
また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長が見ら
れず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガリウム膜
が形成されたことが分かる。
【００２３】《比較例１》ヒ化ガリウム基板１１０（図
６参照）として、（１００）面に対し［０,１,１］方向
へ２°傾斜した面を表面とするものを使用した。この傾
斜方向は、本発明での基板の傾斜方向の範囲に含まれな
いものである。ヒ化ガリウム基板１１０には、ＣｒＯを
濃度０.３３重量ｐｐｍでドープしてある。そして、水
素化物気相成長法による結晶成長により、このヒ化ガリ
ウム基板１１０上に、アンドープの窒化ガリウム低温成
長バッファ層１０２とアンドープの窒化ガリウム高温成
長層１０３を順次形成した。成長条件は実施例１と同じ
にした。
６参照）として、（１００）面に対し［０,１,１］方向
へ２°傾斜した面を表面とするものを使用した。この傾
斜方向は、本発明での基板の傾斜方向の範囲に含まれな
いものである。ヒ化ガリウム基板１１０には、ＣｒＯを
濃度０.３３重量ｐｐｍでドープしてある。そして、水
素化物気相成長法による結晶成長により、このヒ化ガリ
ウム基板１１０上に、アンドープの窒化ガリウム低温成
長バッファ層１０２とアンドープの窒化ガリウム高温成
長層１０３を順次形成した。成長条件は実施例１と同じ
にした。
【００２４】図６は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図６から分かるように、この比較例１による窒化ガ
リウム膜では、表面の平坦性が非常に悪い。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図６から分かるように、この比較例１による窒化ガ
リウム膜では、表面の平坦性が非常に悪い。
【００２５】《実施例４》ヒ化ガリウム基板１０１とし
て、（３１１）Ｂ面を表面とするものを使用した。（３
１１）Ｂ面は、ヒ化ガリウムの主要な結晶面の一つであ
って、（１００）面に対し［０,１,１］方向へ約２５°
傾斜している。ヒ化ガリウム基板１０１には、ＣｒＯを
濃度０.３３重量ｐｐｍでドープしてある。そして、水
素化物気相成長法による結晶成長により、このヒ化ガリ
ウム基板１０１上に、アンドープの窒化ガリウム低温成
長バッファ層１０２とアンドープの窒化ガリウム高温成
長層１０３を順次形成した。成長条件は実施例１と同じ
にした。
て、（３１１）Ｂ面を表面とするものを使用した。（３
１１）Ｂ面は、ヒ化ガリウムの主要な結晶面の一つであ
って、（１００）面に対し［０,１,１］方向へ約２５°
傾斜している。ヒ化ガリウム基板１０１には、ＣｒＯを
濃度０.３３重量ｐｐｍでドープしてある。そして、水
素化物気相成長法による結晶成長により、このヒ化ガリ
ウム基板１０１上に、アンドープの窒化ガリウム低温成
長バッファ層１０２とアンドープの窒化ガリウム高温成
長層１０３を順次形成した。成長条件は実施例１と同じ
にした。
【００２６】図７は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図７から分かるように、この実施例４による窒化ガ
リウム膜は、実施例１や実施例２、実施例３に示すもの
ほどではないにせよ、図１０及び図１１に示された従来
方法による窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れ
ている。また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成
長が見られず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガ
リウム膜が形成されたことが分かる。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図７から分かるように、この実施例４による窒化ガ
リウム膜は、実施例１や実施例２、実施例３に示すもの
ほどではないにせよ、図１０及び図１１に示された従来
方法による窒化ガリウム膜に比べ、表面の平坦性が優れ
ている。また、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成
長が見られず、本実施例によれば結晶性に優れた窒化ガ
リウム膜が形成されたことが分かる。
【００２７】《比較例２》ヒ化ガリウム基板１１０（図
８参照）として、（２１１）Ｂ面を表面とするものを使
用した。（３１１）Ｂ面は、ヒ化ガリウムの主要な結晶
面の一つであって、（１００）面に対し［０,１,−１］
方向へ約３５°傾斜しており、この傾斜方向は本発明に
おける傾斜方向の範囲に属さないものである。ヒ化ガリ
ウム基板１１０には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍ
でドープしてある。そして、水素化物気相成長法による
結晶成長により、このヒ化ガリウム基板１１０上に、ア
ンドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とア
ンドープの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成し
た。成長条件は実施例１と同じにした。
８参照）として、（２１１）Ｂ面を表面とするものを使
用した。（３１１）Ｂ面は、ヒ化ガリウムの主要な結晶
面の一つであって、（１００）面に対し［０,１,−１］
方向へ約３５°傾斜しており、この傾斜方向は本発明に
おける傾斜方向の範囲に属さないものである。ヒ化ガリ
ウム基板１１０には、ＣｒＯを濃度０.３３重量ｐｐｍ
でドープしてある。そして、水素化物気相成長法による
結晶成長により、このヒ化ガリウム基板１１０上に、ア
ンドープの窒化ガリウム低温成長バッファ層１０２とア
ンドープの窒化ガリウム高温成長層１０３を順次形成し
た。成長条件は実施例１と同じにした。
【００２８】図８は、このようにして形成した窒化ガリ
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図８から分かるように、この比較例２による窒化ガ
リウム膜は、比較例１のものに比べれば表面が平坦にな
っているが、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長
が起きており、結晶性に問題がある。
ウム膜の断面と表面を示す走査型電子顕微鏡写真であ
る。図８から分かるように、この比較例２による窒化ガ
リウム膜は、比較例１のものに比べれば表面が平坦にな
っているが、窒化ガリウム高温成長層１０３に柱状成長
が起きており、結晶性に問題がある。
【００２９】以上の実施例及び比較例、さらには「従来
の技術」の欄で示した結果から、窒化ガリウム膜を結晶
成長させるためのヒ化ガリウム基板としてヒ化ガリウム
の（１００）面に対し傾斜した面を表面とするものを使
用し、その基板の傾斜角がヒ化ガリウム（１００）面に
対し０°を越えて３５°未満であり、かつその基板の傾
斜方向が、［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を
通り［０,−１,０］方向までの範囲内、またはその範囲
に加え、［１,０,０］方向を軸とした場合の両側５°以
内にある場合には、表面が平坦で結晶性に優れた窒化ガ
リウム膜が形成されることが分かる。
の技術」の欄で示した結果から、窒化ガリウム膜を結晶
成長させるためのヒ化ガリウム基板としてヒ化ガリウム
の（１００）面に対し傾斜した面を表面とするものを使
用し、その基板の傾斜角がヒ化ガリウム（１００）面に
対し０°を越えて３５°未満であり、かつその基板の傾
斜方向が、［０,０,１］方向から［０,−１,１］方向を
通り［０,−１,０］方向までの範囲内、またはその範囲
に加え、［１,０,０］方向を軸とした場合の両側５°以
内にある場合には、表面が平坦で結晶性に優れた窒化ガ
リウム膜が形成されることが分かる。
【００３０】また、実施例１及び実施例２の結果から分
かるように、本発明において、基板として、（１００）
面からの傾斜角が８°以上１８°以下（最良には１０°
以上１６°以下）であり、傾斜方向が［０,１,−１］で
あるものを使用した場合に、表面モホロジーが特によく
結晶性に優れた窒化ガリウム基板を形成することができ
る。同様に、実施例３の結果から分かるように、基板と
して、（１００）面からの傾斜角が３°以上７°以下で
あり、傾斜方向が［０,１,０］であるものを使用した場
合にも、表面モホロジーが特によく結晶性に優れた窒化
ガリウム基板を形成することができる。
かるように、本発明において、基板として、（１００）
面からの傾斜角が８°以上１８°以下（最良には１０°
以上１６°以下）であり、傾斜方向が［０,１,−１］で
あるものを使用した場合に、表面モホロジーが特によく
結晶性に優れた窒化ガリウム基板を形成することができ
る。同様に、実施例３の結果から分かるように、基板と
して、（１００）面からの傾斜角が３°以上７°以下で
あり、傾斜方向が［０,１,０］であるものを使用した場
合にも、表面モホロジーが特によく結晶性に優れた窒化
ガリウム基板を形成することができる。
【００３１】なお、本発明における窒化ガリウム膜の層
構成は上述した実施例に示すものに限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に規定するヒ化ガリウム基板上に
任意の層構成の窒化ガリウム膜を形成する場合も、本発
明の範疇に含まれる。
構成は上述した実施例に示すものに限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に規定するヒ化ガリウム基板上に
任意の層構成の窒化ガリウム膜を形成する場合も、本発
明の範疇に含まれる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、窒化ガリ
ウム膜を結晶成長するために使用するヒ化ガリウム基板
の表面の面方位を規定することにより、導電性を有する
とともにへき開ができるヒ化ガリウム基板上に、表面の
平坦性がよく、かつ結晶性に優れた窒化ガリウム結晶膜
を形成することができるようになるという効果があり、
また、過去にヒ化ガリウム基板上に他の化合物半導体を
結晶成長させたことで培われたプロセス技術が利用で
き、ヒ化ガリウム基板の利点を十分に生かしたデバイス
作製を行うことができるようになるという効果がある。
ウム膜を結晶成長するために使用するヒ化ガリウム基板
の表面の面方位を規定することにより、導電性を有する
とともにへき開ができるヒ化ガリウム基板上に、表面の
平坦性がよく、かつ結晶性に優れた窒化ガリウム結晶膜
を形成することができるようになるという効果があり、
また、過去にヒ化ガリウム基板上に他の化合物半導体を
結晶成長させたことで培われたプロセス技術が利用で
き、ヒ化ガリウム基板の利点を十分に生かしたデバイス
作製を行うことができるようになるという効果がある。
【図１】本発明の実施の一形態の結晶成長方法において
使用されるヒ化ガリウム基板表面の面方位を説明する図
である。
使用されるヒ化ガリウム基板表面の面方位を説明する図
である。
【図２】図１に示す面方位のヒ化ガリウム基板上に成長
させた窒化ガリウム膜を示す概略断面図である。
させた窒化ガリウム膜を示す概略断面図である。
【図３】実施例１において（１００）面に対し［０,１,
−１］方向へ１０°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウ
ム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図
面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
−１］方向へ１０°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウ
ム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図
面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】実施例２において（１００）面に対し［０,１,
−１］方向へ１５.８°傾斜した面を表面とするヒ化ガ
リウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示
す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
−１］方向へ１５.８°傾斜した面を表面とするヒ化ガ
リウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示
す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図５】実施例３において（１００）面に対し［０,１,
０］方向へ５°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウム基
板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図面代
用の走査型電子顕微鏡写真である。
０］方向へ５°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウム基
板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図面代
用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図６】比較例１において（１００）面に対し［０,１,
１］方向へ２°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウム基
板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図面代
用の走査型電子顕微鏡写真である。
１］方向へ２°傾斜した面を表面とするヒ化ガリウム基
板上に形成した窒化ガリウムの断面と表面を示す図面代
用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図７】実施例４において（３１１）Ｂ面を表面とする
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図８】比較例２において（２１１）Ｂ面を表面とする
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウムの断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図９】サファイア基板上に形成された窒化ガリウム膜
からなる従来の発光ダイオードの構造を示す断面図であ
る。
からなる従来の発光ダイオードの構造を示す断面図であ
る。
【図１０】従来技術により（１００）面を表面とするヒ
化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層の断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層の断面と表
面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
【図１１】従来技術により（１１１）Ｂ面を表面とする
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層の断面と
表面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
ヒ化ガリウム基板上に形成した窒化ガリウム層の断面と
表面を示す図面代用の走査型電子顕微鏡写真である。
１０１,１１０ ヒ化ガリウム基板 １０２ ヒ化ガリウム低温成長バッファ層 １０３ 窒化ガリウム高温成長層 ８０１ サファイア基板 ８０２ ｎ型窒化ガリウム低温成長バッファ層 ８０３ ｎ型窒化ガリウム高温成長層 ８０４ ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 ８０５ Ｉｎ0.06Ｇａ0.94Ｎ層 ８０６ ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層 ８０７ ｐ型Ｇ窒化ガリウム層 ８０８ ｐ電極 ８０９ ｎ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 敦史 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 ヒ化ガリウム基板上に窒化ガリウム層を
形成する窒化ガリウムの結晶成長方法において、 前記ヒ化ガリウム基板がその（１００）面に対して傾斜
した面を表面とし、前記（１００）面を基準として、前
記表面の傾斜角が０°を越えて３５°未満であり、かつ
前記表面の傾斜方向が、［０,０,１］方向から［０,−
１,１］方向を通り［０,−１,０］方向までの角度範囲
内に［１,０,０］方向を軸として前記角度範囲の両側５
°以内を加えた範囲内、もしくは前記範囲と結晶学的に
等価な範囲内にあり、前記表面上に前記窒化ガリウム層
を成長させることを特徴とする窒化ガリウムの結晶成長
方法。 - 【請求項２】 前記（１００）面を基準として、前記表
面の傾斜角が８°以上１８°以下であり、かつ前記表面
の傾斜方向が［０,−１,１］方向の両側それぞれ５°以
内の範囲内にある請求項１に記載の窒化ガリウムの結晶
成長方法。 - 【請求項３】 前記（１００）面を基準として、前記表
面の傾斜角が３°以上７°以下であり、かつ前記表面の
傾斜方向が［１,０,０］方向を軸として［０,１,０］方
向の両側それぞれ５°以内の範囲内にある請求項１に記
載の窒化ガリウムの結晶成長方法。 - 【請求項４】 水素化物気相成長法によって、前記表面
上に前記窒化ガリウム層を成長させる請求項１乃至３い
ずれか１項に記載の窒化ガリウムの結晶成長方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2062396A JP2743901B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 窒化ガリウムの結晶成長方法 |
| US08/782,075 US5843227A (en) | 1996-01-12 | 1997-01-13 | Crystal growth method for gallium nitride films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2062396A JP2743901B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 窒化ガリウムの結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194299A true JPH09194299A (ja) | 1997-07-29 |
| JP2743901B2 JP2743901B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=12032377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2062396A Expired - Fee Related JP2743901B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 窒化ガリウムの結晶成長方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5843227A (ja) |
| JP (1) | JP2743901B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693021B1 (en) | 1997-10-30 | 2004-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
| JP2925004B2 (ja) * | 1996-03-22 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 窒化ガリウムの結晶成長方法 |
| EP0874405A3 (en) * | 1997-03-25 | 2004-09-15 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN group crystal base member having low dislocation density, use thereof and manufacturing methods thereof |
| US6139629A (en) | 1997-04-03 | 2000-10-31 | The Regents Of The University Of California | Group III-nitride thin films grown using MBE and bismuth |
| US20110163323A1 (en) * | 1997-10-30 | 2011-07-07 | Sumitomo Electric Industires, Ltd. | GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING THE SAME |
| US6680959B2 (en) * | 2000-07-18 | 2004-01-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and semiconductor laser |
| JP3585891B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2004-11-04 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | レーザー素子 |
| US7524708B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-04-28 | Neosemitech Corporation | Fabrication method of a high brightness light emitting diode with a bidirectionally angled substrate |
| TWI298209B (en) * | 2006-03-27 | 2008-06-21 | Epistar Corp | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same |
| JP2008141187A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| US20080217745A1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Nitride Semiconductor Wafer |
| US7701995B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| DE102009042349B4 (de) * | 2009-09-20 | 2011-06-16 | Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg | Semipolare wurtzitische Gruppe-III-Nitrid basierte Halbleiterschichten und darauf basierende Halbleiterbauelemente |
| SG185547A1 (en) * | 2010-05-18 | 2012-12-28 | Agency Science Tech & Res | Method of forming a light emitting diode structure and a light emitting diode structure |
| CN106149058A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-23 | 济南大学 | 一种可控形貌的GaN纳米晶的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939557A (en) * | 1989-02-15 | 1990-07-03 | Varian Associates, Inc. | (110) GaAs microwave FET |
| DE69229265T2 (de) * | 1991-03-18 | 1999-09-23 | Trustees Of Boston University, Boston | Verfahren zur herstellung und dotierung hochisolierender dünner schichten aus monokristallinem galliumnitrid |
| US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP2062396A patent/JP2743901B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-13 US US08/782,075 patent/US5843227A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693021B1 (en) | 1997-10-30 | 2004-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same |
| US7357837B2 (en) | 1997-10-30 | 2008-04-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same |
| US7504323B2 (en) | 1997-10-30 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same |
| US7521339B2 (en) | 1997-10-30 | 2009-04-21 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2743901B2 (ja) | 1998-04-28 |
| US5843227A (en) | 1998-12-01 |
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Legal Events
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080206 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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