JPH09196617A - バンプの観察方法 - Google Patents
バンプの観察方法Info
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板にＡＣＦを介してボンディングさ
れたチップのバンプを、ＡＣＦ中の気泡に邪魔されずに
明瞭に観察できるバンプの観察方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 チップ１２がボンディングされたガラス
基板１１に第１の斜方向光源Ｂと第２の斜方向光源Ｃか
ら光を照射し、カメラ３２で２つの明暗画像を入手す
る。この２つの明暗画像には、それぞれＡＣＦ中の気泡
が部分的に明るく輝いているが、それぞれの明るく輝く
部分の場所は異っている。したがって２つの明暗画像の
論理和画像を合成すると、気泡は消去され、位置合わせ
用バンプのみが明るく観察される。
れたチップのバンプを、ＡＣＦ中の気泡に邪魔されずに
明瞭に観察できるバンプの観察方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 チップ１２がボンディングされたガラス
基板１１に第１の斜方向光源Ｂと第２の斜方向光源Ｃか
ら光を照射し、カメラ３２で２つの明暗画像を入手す
る。この２つの明暗画像には、それぞれＡＣＦ中の気泡
が部分的に明るく輝いているが、それぞれの明るく輝く
部分の場所は異っている。したがって２つの明暗画像の
論理和画像を合成すると、気泡は消去され、位置合わせ
用バンプのみが明るく観察される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明基板の電極に
異方性導電テープを介してボンディングされたワークの
バンプの観察方法に関するものである。
異方性導電テープを介してボンディングされたワークの
バンプの観察方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラス板などから成る透明基板は、例え
ば電子機器のディスプレイなどとして多用されている。
この種の透明基板にＩＣチップなどのワークを実装する
手段として、異方性導電テープ（以下、「ＡＣＦ」とい
う）を用いる方法が知られている。ＡＣＦは粘着性を有
するテープであって、ＡＣＦを介することにより、ワー
クの電極を透明基板の電極にボンディングするものであ
る。またワークとしては、バンプ付きのチップが知られ
ている。バンプ付きのチップは、チップの表面に形成さ
れた回路パターンの電極上に、ワイヤボンディング技術
やメッキ技術などの様々な技術を用いてバンプ（突出電
極）を形成したものである。
ば電子機器のディスプレイなどとして多用されている。
この種の透明基板にＩＣチップなどのワークを実装する
手段として、異方性導電テープ（以下、「ＡＣＦ」とい
う）を用いる方法が知られている。ＡＣＦは粘着性を有
するテープであって、ＡＣＦを介することにより、ワー
クの電極を透明基板の電極にボンディングするものであ
る。またワークとしては、バンプ付きのチップが知られ
ている。バンプ付きのチップは、チップの表面に形成さ
れた回路パターンの電極上に、ワイヤボンディング技術
やメッキ技術などの様々な技術を用いてバンプ（突出電
極）を形成したものである。
【０００３】バンプ付きのチップをＡＣＦを介して透明
基板にボンディングした後、チップが透明基板に位置ず
れなく正しくボンディングされたか否かの検査が行われ
る。以下、この検査を行うための従来のバンプの観察方
法について説明する。
基板にボンディングした後、チップが透明基板に位置ず
れなく正しくボンディングされたか否かの検査が行われ
る。以下、この検査を行うための従来のバンプの観察方
法について説明する。
【０００４】図１１は、従来のチップがボンディングさ
れたガラス基板の部分拡大断面図、図１２は同明暗画像
図である。図１１において、１はガラス基板であり、Ａ
ＣＦ２を介してチップ３がボンディングされている。４
はチップ３の表面に突設された位置合わせ用バンプ、５
はガラス基板１の表面に形成された位置合わせ用透明電
極、６はＡＣＦ２の内部に存在する気泡である。ＡＣＦ
２は、気泡６を多量に含んでいる。図１２は、ガラス基
板１の上方に配置されたリング状光源から照明光を照射
し、上方のカメラにより観察した明暗の２値画像であ
る。図１１において矢印にて示すように、リング状光源
からガラス基板１へ照射された光は、様々な角度で入射
する。このうち、透明電極５に入射した光ａの反射光
ａ’は斜上方へ反射されるのでカメラには暗く観察され
る。また位置合わせ用バンプ４の上面は粗面であり、こ
れに入射した光は散乱光ｂ’となるのでカメラには明る
く観察される。また気泡６に入射した光ｃの一部ｃ’は
上方へ反射されてカメラに明るく観察される。
れたガラス基板の部分拡大断面図、図１２は同明暗画像
図である。図１１において、１はガラス基板であり、Ａ
ＣＦ２を介してチップ３がボンディングされている。４
はチップ３の表面に突設された位置合わせ用バンプ、５
はガラス基板１の表面に形成された位置合わせ用透明電
極、６はＡＣＦ２の内部に存在する気泡である。ＡＣＦ
２は、気泡６を多量に含んでいる。図１２は、ガラス基
板１の上方に配置されたリング状光源から照明光を照射
し、上方のカメラにより観察した明暗の２値画像であ
る。図１１において矢印にて示すように、リング状光源
からガラス基板１へ照射された光は、様々な角度で入射
する。このうち、透明電極５に入射した光ａの反射光
ａ’は斜上方へ反射されるのでカメラには暗く観察され
る。また位置合わせ用バンプ４の上面は粗面であり、こ
れに入射した光は散乱光ｂ’となるのでカメラには明る
く観察される。また気泡６に入射した光ｃの一部ｃ’は
上方へ反射されてカメラに明るく観察される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のことから、従来
のバンプの観察方法によれば、図１２に示す明暗画像が
入手される。しかしながら図１２に示す明暗画像では、
バンプ４の画像に重なって気泡６の画像が存在するた
め、バンプ４の位置を正しく認識できないという問題点
があった。
のバンプの観察方法によれば、図１２に示す明暗画像が
入手される。しかしながら図１２に示す明暗画像では、
バンプ４の画像に重なって気泡６の画像が存在するた
め、バンプ４の位置を正しく認識できないという問題点
があった。
【０００６】したがって本発明は、気泡の画像を消去
し、バンプを明瞭に認識できるバンプの観察方法を提供
することを目的とする。
し、バンプを明瞭に認識できるバンプの観察方法を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、透
明基板の表面に形成された電極に異方性導電テープを介
してボンディングされたワークのバンプの位置認識を行
うにあたり、前記透明基板に第１の斜方向光源から照明
光を照射してカメラにより第１の画像を入手するととも
に、前記第１の斜方向光源と照射方向の異る第２の斜方
向光源から照明光を照射して前記カメラにより第２の画
像を入手し、前記第１の画像と前記第２の画像を合成す
ることにより、前記異方性導電テープ中の気泡の画像を
消去した前記バンプの画像を入手するようにした。
明基板の表面に形成された電極に異方性導電テープを介
してボンディングされたワークのバンプの位置認識を行
うにあたり、前記透明基板に第１の斜方向光源から照明
光を照射してカメラにより第１の画像を入手するととも
に、前記第１の斜方向光源と照射方向の異る第２の斜方
向光源から照明光を照射して前記カメラにより第２の画
像を入手し、前記第１の画像と前記第２の画像を合成す
ることにより、前記異方性導電テープ中の気泡の画像を
消去した前記バンプの画像を入手するようにした。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明によれば、第１の画像と第
２の画像を入手し、これらを合成することにより、気泡
の画像を消去して明瞭なバンプの画像を入手できる。
２の画像を入手し、これらを合成することにより、気泡
の画像を消去して明瞭なバンプの画像を入手できる。
【０００９】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施の形態によるバンプ
の観察装置の全体構成図、図２は同チップがボンディン
グされたガラス基板の断面図、図３は同ガラス基板の部
分平面図、図４、図５、図６は同チップがボンディング
されたガラス基板の部分拡大断面図、図７、図８、図
９、図１０は同チップがボンディングされたガラス基板
の明暗画像図である。
て説明する。図１は本発明の一実施の形態によるバンプ
の観察装置の全体構成図、図２は同チップがボンディン
グされたガラス基板の断面図、図３は同ガラス基板の部
分平面図、図４、図５、図６は同チップがボンディング
されたガラス基板の部分拡大断面図、図７、図８、図
９、図１０は同チップがボンディングされたガラス基板
の明暗画像図である。
【００１０】図１において、１１は透明基板としてのガ
ラス基板であり、その下面にはチップ１２がボンディン
グされている。図２において、チップ１２の表面には多
数個のバンプ１３の他に、位置合わせ用バンプ１４が形
成されている。ガラス基板１１の表面には、バンプ１３
が接合される透明電極１５と、位置合わせ用透明電極１
６が形成されている。チップ１２は、ＡＣＦ１７を介し
てガラス基板１１にボンディングされている。図３に示
すように、位置合わせ用透明電極１６のセンターＯ１
と、位置合わせ用バンプ１４のセンターＯ２の座標のず
れΔｘ、Δｙから、チップ１２のガラス板１１に対する
位置ずれを求めるものである。
ラス基板であり、その下面にはチップ１２がボンディン
グされている。図２において、チップ１２の表面には多
数個のバンプ１３の他に、位置合わせ用バンプ１４が形
成されている。ガラス基板１１の表面には、バンプ１３
が接合される透明電極１５と、位置合わせ用透明電極１
６が形成されている。チップ１２は、ＡＣＦ１７を介し
てガラス基板１１にボンディングされている。図３に示
すように、位置合わせ用透明電極１６のセンターＯ１
と、位置合わせ用バンプ１４のセンターＯ２の座標のず
れΔｘ、Δｙから、チップ１２のガラス板１１に対する
位置ずれを求めるものである。
【００１１】図１において、３０はＸＹテーブル、３１
はＸＹテーブル３０上に設けられた保持テーブルであ
り、ガラス基板１１は保持テーブル３１上に位置決めさ
れている。ガラス基板１１の上方にはカメラ３２が設け
られている。カメラ３２の鏡筒３３内にはハーフミラー
３４が設けられており、ハーフミラー３４の側方には同
軸照明光源Ａが設けられている。またカメラ３２の垂直
な光軸をはさんで、第１の斜方向光源Ｂと第２の斜方向
光源Ｃが左右対称位置に設けられている。制御部３５
は、画像処理部３６を介してカメラ３２に接続されてお
り、またＸＹテーブル３０、同軸照明光源Ａ、第１の斜
方向光源Ｂ、第２の斜方向光源Ｃなどを制御する。ＸＹ
テーブル３０が駆動してガラス基板１１を水平方向へ移
動させることにより、ガラス基板１１の所定の箇所をカ
メラ３２の視野に位置決めする。また第１の斜方向光源
Ｂと第２の斜方向光源Ｃは、互いに異る方向からガラス
基板１１の上面に向って照明光を照射する。
はＸＹテーブル３０上に設けられた保持テーブルであ
り、ガラス基板１１は保持テーブル３１上に位置決めさ
れている。ガラス基板１１の上方にはカメラ３２が設け
られている。カメラ３２の鏡筒３３内にはハーフミラー
３４が設けられており、ハーフミラー３４の側方には同
軸照明光源Ａが設けられている。またカメラ３２の垂直
な光軸をはさんで、第１の斜方向光源Ｂと第２の斜方向
光源Ｃが左右対称位置に設けられている。制御部３５
は、画像処理部３６を介してカメラ３２に接続されてお
り、またＸＹテーブル３０、同軸照明光源Ａ、第１の斜
方向光源Ｂ、第２の斜方向光源Ｃなどを制御する。ＸＹ
テーブル３０が駆動してガラス基板１１を水平方向へ移
動させることにより、ガラス基板１１の所定の箇所をカ
メラ３２の視野に位置決めする。また第１の斜方向光源
Ｂと第２の斜方向光源Ｃは、互いに異る方向からガラス
基板１１の上面に向って照明光を照射する。
【００１２】このバンプの観察装置は上記のように構成
されており、次にバンプの観察方法について説明する。
なお図４〜図１０は、図２のＫ部分の断面や明暗画像を
示している。
されており、次にバンプの観察方法について説明する。
なお図４〜図１０は、図２のＫ部分の断面や明暗画像を
示している。
【００１３】まず、同軸照明光源Ａのみを点灯し、第１
の斜方向光源Ｂと第２の斜方向光源Ｃは消灯してガラス
基板１１を上方のカメラ３２で観察する。図４はこのと
きのＫ部分の断面を示している。図示するように同軸照
明光源Ａに照射されて垂直に入射した光のうち、位置合
わせ用透明電極１６に入射した光Ｌ１は垂直に反射され
てカメラ３２に入射するので（Ｌ１’）、位置合わせ用
透明電極１６は明るく観察される。また位置合わせ用バ
ンプ１４の粗な表面に入射した光Ｌ２は側方へ散乱され
（Ｌ２’）、したがってバンプ１３は暗く観察される。
またＡＣＦ１７に入射した光Ｌ３は大部分がＡＣＦ１７
に吸収され、反射光Ｌ３’は弱いので、ＡＣＦ１７は暗
く観察される。また気泡１８に入射した光Ｌ４も、同様
に弱い反射光Ｌ４’となり、暗く観察される。図７は、
図４の同軸照明で入射された明暗の２値画像を示してお
り、上述したように位置合わせ用透明電極１６のみが明
るく観察され、他は暗く観察されている。
の斜方向光源Ｂと第２の斜方向光源Ｃは消灯してガラス
基板１１を上方のカメラ３２で観察する。図４はこのと
きのＫ部分の断面を示している。図示するように同軸照
明光源Ａに照射されて垂直に入射した光のうち、位置合
わせ用透明電極１６に入射した光Ｌ１は垂直に反射され
てカメラ３２に入射するので（Ｌ１’）、位置合わせ用
透明電極１６は明るく観察される。また位置合わせ用バ
ンプ１４の粗な表面に入射した光Ｌ２は側方へ散乱され
（Ｌ２’）、したがってバンプ１３は暗く観察される。
またＡＣＦ１７に入射した光Ｌ３は大部分がＡＣＦ１７
に吸収され、反射光Ｌ３’は弱いので、ＡＣＦ１７は暗
く観察される。また気泡１８に入射した光Ｌ４も、同様
に弱い反射光Ｌ４’となり、暗く観察される。図７は、
図４の同軸照明で入射された明暗の２値画像を示してお
り、上述したように位置合わせ用透明電極１６のみが明
るく観察され、他は暗く観察されている。
【００１４】次に第１の斜方向光源Ｂのみを点灯し、他
は消灯してカメラ３２で観察する。図５はこのときの状
態を示している。位置合わせ用バンプ１４に入射した光
Ｌ５は上方へ強く反射され（Ｌ５’）、カメラ３２に明
るく観察される。また気泡１８に入射した光Ｌ６の一部
は上方へ強く反射され（Ｌ６’）、気泡１８はカメラ３
２に部分的に明るく観察される。また透明電極１６に入
射した光Ｌ７は斜上方へ反射され（Ｌ７’）、カメラ３
２に入射しないので暗く観察される。以上により、第１
の斜方向光源Ｂのみを点灯してカメラ３２で観察する
と、図８に示す明暗の２値画像が得られる。
は消灯してカメラ３２で観察する。図５はこのときの状
態を示している。位置合わせ用バンプ１４に入射した光
Ｌ５は上方へ強く反射され（Ｌ５’）、カメラ３２に明
るく観察される。また気泡１８に入射した光Ｌ６の一部
は上方へ強く反射され（Ｌ６’）、気泡１８はカメラ３
２に部分的に明るく観察される。また透明電極１６に入
射した光Ｌ７は斜上方へ反射され（Ｌ７’）、カメラ３
２に入射しないので暗く観察される。以上により、第１
の斜方向光源Ｂのみを点灯してカメラ３２で観察する
と、図８に示す明暗の２値画像が得られる。
【００１５】図６は、第２の斜方向光源Ｃのみを点灯し
た場合を示している。この場合、位置合わせ用バンプ１
４の上面に入射した光Ｌ８は上方へ強く散乱される（Ｌ
８’）。また気泡１８に入射した光Ｌ９の一部は上方へ
強く反射される（Ｌ９’）。また位置合わせ用透明電極
１６に入射した光Ｌ１０は斜上方へ反射され、カメラ３
２には入射しない。以上により、この場合には図９に示
す明暗の２値画像が得られる。
た場合を示している。この場合、位置合わせ用バンプ１
４の上面に入射した光Ｌ８は上方へ強く散乱される（Ｌ
８’）。また気泡１８に入射した光Ｌ９の一部は上方へ
強く反射される（Ｌ９’）。また位置合わせ用透明電極
１６に入射した光Ｌ１０は斜上方へ反射され、カメラ３
２には入射しない。以上により、この場合には図９に示
す明暗の２値画像が得られる。
【００１６】図８および図９の明暗画像には、何れも気
泡１８が部分的に明るく輝いており、したがって位置合
わせ用バンプ１４の認識の邪魔になる。
泡１８が部分的に明るく輝いており、したがって位置合
わせ用バンプ１４の認識の邪魔になる。
【００１７】図１０は、図８および図９の明暗画像の合
成画像であって、図８および図９の明暗画像の論理和を
とったものである。図８および図９に示される気泡１８
の明るく輝く部分の場所は異っている。したがって図８
と図９の明暗画像を合成すると、図１０に示すように気
泡１８の画像は消去されて位置合わせ用バンプ１４のみ
が明るく観察される。したがって図７に示す位置合わせ
用透明電極１６の画像と、図１０に示す位置合わせ用バ
ンプ１４の画像から、図３に示す手法に基いて、チップ
１２のガラス基板１１に対する位置ずれを正確に求める
ことができる。
成画像であって、図８および図９の明暗画像の論理和を
とったものである。図８および図９に示される気泡１８
の明るく輝く部分の場所は異っている。したがって図８
と図９の明暗画像を合成すると、図１０に示すように気
泡１８の画像は消去されて位置合わせ用バンプ１４のみ
が明るく観察される。したがって図７に示す位置合わせ
用透明電極１６の画像と、図１０に示す位置合わせ用バ
ンプ１４の画像から、図３に示す手法に基いて、チップ
１２のガラス基板１１に対する位置ずれを正確に求める
ことができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、簡単な光学系と手法に
より、ＡＣＦ中に存在する気泡の画像を消去し、位置合
わせ用バンプを明瞭に観察することができる。
より、ＡＣＦ中に存在する気泡の画像を消去し、位置合
わせ用バンプを明瞭に観察することができる。
【図１】本発明の一実施の形態によるバンプの観察装置
の全体構成図
の全体構成図
【図２】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の断面図
ングされたガラス基板の断面図
【図３】本発明の一実施の形態によるガラス基板の部分
平面図
平面図
【図４】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
【図５】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
【図６】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
ングされたガラス基板の部分拡大断面図
【図７】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の明暗画像図
ングされたガラス基板の明暗画像図
【図８】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の明暗画像図
ングされたガラス基板の明暗画像図
【図９】本発明の一実施の形態によるチップがボンディ
ングされたガラス基板の明暗画像図
ングされたガラス基板の明暗画像図
【図１０】本発明の一実施の形態によるチップがボンデ
ィングされたガラス基板の明暗画像図
ィングされたガラス基板の明暗画像図
【図１１】従来のチップがボンディングされたガラス基
板の部分拡大断面図
板の部分拡大断面図
【図１２】従来のチップがボンディングされたガラス基
板の明暗画像図
板の明暗画像図
１１ ガラス基板 １２ チップ １３ バンプ １４ 位置合わせ用バンプ １５ 透明電極 １６ 位置合わせ用透明電極 １７ ＡＣＦ １８ 気泡 ３２ カメラ Ａ 同軸照明光源 Ｂ 第１の斜方向光源 Ｃ 第２の斜方向光源
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板の表面に形成された電極に異方性
導電テープを介してボンディングされたワークのバンプ
の位置認識を行うにあたり、前記透明基板に第１の斜方
向光源から照明光を照射してカメラにより第１の画像を
入手するとともに、前記第１の斜方向光源と照射方向の
異る第２の斜方向光源から照明光を照射して前記カメラ
により第２の画像を入手し、前記第１の画像と前記第２
の画像を合成することにより、前記異方性導電テープ中
の気泡の画像を消去した前記バンプの画像を入手するこ
とを特徴とするバンプの観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00707596A JP3319261B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | バンプの観察方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00707596A JP3319261B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | バンプの観察方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09196617A true JPH09196617A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3319261B2 JP3319261B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=11655971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00707596A Expired - Fee Related JP3319261B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | バンプの観察方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319261B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084517B2 (en) * | 1996-09-05 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device connecting structure, liquid crystal display unit based on the same connecting structure, and electronic apparatus using the same display unit |
| JP2009098051A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ欠陥検査方法 |
| WO2009093445A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Panasonic Corporation | 検査装置及び検査方法 |
| US7790499B2 (en) | 2007-02-09 | 2010-09-07 | Fujitsu Limited | Observation apparatus and method for observing void in underfill resin |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP00707596A patent/JP3319261B2/ja not_active Expired - Fee Related
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