JPH09196706A - 光学式エンコーダ - Google Patents
光学式エンコーダInfo
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Abstract
要せず、高分解能特性を得ることを可能とした光学式エ
ンコーダを提供する。 【解決手段】 第1の部材10には反射型のメインスケ
ールG1が設けられ、第2の部材20には、メインスケ
ールG1を照射して反射像パターンを生じさせる光照射
手段として拡散光源40と、その拡散光を受けて二次光
源アレイを構成する透過型の光源用インデックススケー
ルG2、及びメインスケールG1から得られる反射像パ
ターンを検出する受光手段としてのフォトダイオードア
レイPDAが設けられる。フォトダイオードアレイPD
Aと光源用インデックススケールG2は、それらの基板
がフォトダイオードアレイPDAの受光面と光源用イン
デックススケールG2の透過型格子面を揃えて一体に接
合されている。
Description
おいて相対移動可能に配置された第1,第2の部材の相
対変位を光学的に測定する光学式エンコーダに関する。
する光学式エンコーダは、基本的に2種の格子の重なり
の変化による明暗パターンの変化を検出するもので、そ
れぞれ所定ピッチの格子が形成されたメインスケールと
インデックススケールを用いて構成される。メインスケ
ールによる明暗像を得るための照射光としてコリメート
光を用いると、スケールピッチを微細化したときに回折
の影響が大きくなり、明瞭なメインスケールによる明暗
像が得られにくくなる。
利用する方式の光学式エンコーダもある。例えば、光源
波長に近いピッチのメインスケールを用い、コリメート
光をメインスケールに照射して、±1次回折光と0次光
(非回折光)が重なるギャップ位置でピーク値を示すス
ケールパターンに対応する明暗像パターンを得ることが
できる。但しこの方式は、所定のギャップ位置から外れ
ると明瞭な明暗パターンが得らず、メインスケールの格
子ピッチをP、光源波長をλとして、メインスケールか
ら距離P2/λ(またはその整数倍)の位置に正確にイ
ンデックススケールを配置することが必要になる。例え
ば、スケール格子ピッチP=8μm 、光源波長λ=70
0nmとすると、P2/λ=91.4μm となる。この
様な小さいギャップを正確に調整することは難しく、ま
た位置決めができたとしても僅かなギャップ変動がS/
Nを大きく劣化させる。
光源を用い、インデックススケールを光源側と受光側に
配置して、3個の格子の重なりの変化を利用するように
したいわゆる3格子システムが知られている。即ち図1
8に示すように、メインスケール1に対して受光側イン
デックススケール3と光源側インデックススケール2の
3格子を用いる。光源4としてはLED等の拡散光源を
用い、インデックススケール2により所定ピッチP2の
二次光源アレイを得る。この二次光源アレイからの照明
によるメインスケール1の明暗パターンを受光側インデ
ックススケール3で変調することにより、受光素子5で
スケール変位に対応して変化する出力信号を得る。
ような反射型として構成して、光源側インデックススケ
ール2と受光側インデックススケール3を共有させる方
式は、例えば特公昭60−23282号公報に示されて
いる。この公報において、メインスケールとインデック
ススケールの格子ピッチの関係を設定することより、幾
何光学像パターンを検出する方式(以下、幾何光学方
式)とすることができ、また回折像パターンを得る方式
(以下、回折効果方式)とすることもできることが示さ
れている。
式と回折効果方式のスケール格子と像パターンの例を示
している。反射型の場合、各ケール間距離は、u=vで
ある。図20(a)の幾何光学方式の場合、メインスケ
ールピッチP1に対して、光源側及び受光側のインデッ
クススケールピッチをP2=P3=2P1として、メイ
ンスケールを直進する光成分の重ね合わせによる明暗パ
ターンが得られる。図20(b)の回折効果方式の場合
は、P2=P3=P1として、メインスケールでの±1
次回折光と0次光の重なりによる明暗パターンを得るこ
とができる。
図20の例に示すように、P2=P3として、光源側イ
ンデックススケールと受光側インデックススケールを共
用させるものであるが、これに対して、同様の3格子シ
ステムの反射型の光学エンコーダであって、光源用イン
デックススケールと受光用インデックススケールを共通
基板を用いて別々の格子ピッチで形成することにより、
格子ピッチの設計の自由度を増す技術が、例えば実公平
7−888号公報に示されている。
格子システムの反射型の光学式エンコーダにおいては、
受光側のインデックススケールで90°位相のずれた二
つの変位出力信号を得るためには、空間的位相を異なら
せた二つの格子部を別々の部位に設けることが必要であ
り、更にこれらと位相が180°ずれた変位出力信号を
得るためには、更に二つの格子部を別の部位に設けるこ
とが必要になる。このため、変位出力信号が光量分布や
スケールのムラの影響を受け易い。従って、スケール部
材のアラインメント調整が難しく、ヨウ、ピッチ、ロー
ル等の僅かな機械的回転が特性を大きく劣化させるとい
う問題がある。
て受光素子アレイを用いる方式が考えられるが、この場
合光源側インデックススケールと受光素子アレイの取り
付けの際のアラインメント調整が必要であり、僅かの調
整ズレが特性を劣化させる。更にスケールピッチを微細
化した場合、スケールピッチの微細化に対応させた受光
素子アレイの微細化が製造技術上難しいという問題があ
る。
もので、難しいギャップ調整やアラインメント調整を要
せず、高分解能特性を得ることを可能とした光学式エン
コーダを提供することを目的としている。
プをおいて相対移動可能に配置された第1,第2の部材
の相対変位を光学的に測定するエンコーダにおいて、前
記第1の部材は、反射部と非反射部が所定ピッチで配列
されて反射型格子を構成するメインスケールを有し、前
記第2の部材は、前記メインスケールを照射して所定の
反射像パターンを生じさせる光照射手段と、前記メイン
スケールから得られる反射像パターンを検出する受光手
段とを有し、前記光照射手段は、拡散光を出す光源と、
光透過部と不透過部が所定ピッチで配列されて透過型格
子を構成して前記メインスケールを照射する二次光源ア
レイとなる光源用インデックススケールとから構成さ
れ、前記受光手段は、半導体基板に複数の受光素子が配
列形成されて前記反射像パターンを前記相対変位に応じ
て変調した変位出力信号を得ると共に隣接する前記受光
素子間で異なる位相の前記変位出力信号を得る受光素子
アレイにより構成され、且つ、前記受光素子アレイと前
記光源用インデックススケールは、前記受光素子アレイ
の受光面と前記光源用インデックススケールの透過型格
子面を揃えて一体に構成されていることを特徴としてい
る。
子アレイと前記光源用インデックススケールは、前記受
光素子アレイの受光面と前記光源用インデックススケー
ルの透過型格子面とが前記メインスケールに対向する側
で同一面となるように一体に接合されたものとする。ま
たこの発明において好ましくは、前記光源用インデック
ススケールは、透明基板を用いてこの透明基板の前記光
源側の面に透過型格子が形成されたものであり、前記受
光素子アレイは前記透明基板の前記透過型格子が形成さ
れた領域に隣接する位置に前記受光面を前記透過型格子
が形成された面と対向させて搭載されたものとする。こ
の発明においてはまた、前記受光素子アレイは、前記光
源用インデックススケールの前記相対変位方向の中央部
に搭載され、前記光源用インデックススケールは前記受
光素子アレイが搭載された領域の周囲に前記透過型格子
が形成されているものとする。この発明はまた、複数個
の光源用インデックススケールを備えて、これら複数個
の光源用インデックススケールが、前記受光素子アレイ
の周囲に配置されて前記受光素子アレイの受光面と前記
複数の光源用インデックススケールの透過型格子面とを
揃えて前記受光素子アレイと一体に構成されていること
を特徴としている。
光素子アレイの前面に、前記メインスケールの格子とは
所定角度傾斜した光透過部と不透過部が配列形成されて
メインスケールとの間でモアレ縞を生じさせる透過型格
子を構成する受光用インデックススケールが更に配置さ
れ、前記受光素子アレイは、半導体基板に前記モアレ縞
を検出するための複数の受光素子が前記モアレ縞の周期
方向に配列形成されたものとする。更にまたこの発明に
おいて好ましくは、前記メインスケールの格子と前記光
源用インデックススケールの格子とは、モアレ縞を生じ
させるべく互いに所定角度傾斜させて配列され、前記受
光素子アレイは、半導体基板に前記モアレ縞を検出する
ための複数の受光素子が前記モアレ縞の周期方向に配列
形成されたものとする。
子システムの反射型エンコーダであって、受光側のイン
デックススケールを兼ねた受光素子アレイが光源用イン
デックススケールと一体に構成されているため、これら
の取り付けの際のアラインメント調整が要らず、高性能
特性を得ることができる。また、受光用インデックスス
ケールを用いた場合と異なり、狭い受光面範囲で2相あ
るいは4相の変位出力信号を得ることができる。従っ
て、スケール取付のアラインメント誤差の影響が小さ
く、4相間のバランスがよい出力信号を得ることがで
き、電気的調整が不要となる。またこの発明において、
モアレ縞を生じさせる受光用インデックススケールを配
置し、あるいは光源用インデックススケールとメインス
ケールの間でモアレ縞を生じさせて、モアレ縞を検出す
る方式とすることにより、受光素子アレイの配列ピッチ
をそれ程微細化する事なく、高分解能特性を得ることが
できる。
の実施例を説明する。図1は、この発明の一実施例に係
る光学式エンコーダの構成を示す斜視図であり、図2は
その主要部の平面図である。第1の部材10と第2の部
材20が所定ギャップをもって、矢印xで示すように相
対移動可能に配置される。第1の部材10の第2の部材
20に対向する面にはメインスケールG1が取り付けら
れている。メインスケールG1は、基板31にAl膜等
による光反射部32と非反射部33(光透過部または光
吸収部)とが所定ピッチPsで配列形成された反射型の
スケールである。
る面には、メインスケールG1を照射する手段として、
拡散光源であるLED40とその拡散光を受けて二次光
源アレイを構成する光源用インデックススケールG2、
及びメインスケールG1からの反射像パターンを受光す
るフォトダイオードアレイPDAが配置されている。光
源用インデックススケールG2は、透明基板51のメイ
ンスケールG1に対向する側の面にCr膜等による不透
過部52と光透過部53とを所定ピッチPaで配列形成
した透過型格子である。フォトダイオードアレイPDA
は、例えばn型シリコン基板61にp型層を拡散形成し
たフォトダイオード62を所定ピッチPbで配列形成し
たものである。
アレイPDAのシリコン基板61と光源用インデックス
スケールG2の透明基板51とは、同じ厚みを有し、そ
れらの側面が接合されて一体化された状態で第2の部材
20に取り付けられている。
インデックススケールG2のピッチPaとは、フォトダ
イオードアレイPDAの面上の幾何光学像パターンを検
出する場合には、Pa=2n・Ps(nは正の整数)を
満たすように設定される。また、回折像パターンを検出
する場合には、Pa=n・Psを満たすように設定され
る。メインスケールG1のピッチPsとフォトダイオー
ドアレイPDAのピッチPbとの関係は例えば、図3に
具体例を示したように、各フォトダイオード62の幅が
Ps/2、間隔がPs/4、従って、Pb=3Ps/4
を満たすように設定される。これによりフォトダイオー
ドアレイPDAからは、スケール変位xに応じて図4に
示すように、A,B,AB,BBの4相の出力電流が得
られる。
圧変換器63a〜63dにより電圧値に変換された後、
差動増幅器64a,64bにより互いに180°位相が
ずれたA,AB相間、及びB,BB相間の差動がとられ
て、互いに90°位相がずれたA,B相の二つの変位信
号が得られる。これらの変位信号を公知の方法で処理す
ることにより、スケール変位が求められる。
クススケールを用いることなく、実質的に3格子システ
ムを応用した反射型の光学式エンコーダが得られる。ま
た、フォトダイオードアレイPDAと光源用インデック
ススケールG2とは基板を同じ厚みとしてこれらを接合
して一体化しているため、これらを別々に取り付けた場
合に生じる相対的な傾き等のアラインメント誤差が生じ
ない。
る方式では、2相の変位出力信号のために空間的に離れ
た位置に二つの格子部を必要とし、4相の変位出力信号
を得るためには空間的に離れた4個の格子部を必要とす
るのに対し、隣接フォトダイオードが異なる位相の変位
出力を出すようにフォトダイオードを配列したフォトダ
イオードアレイPDAを用いるこの実施例の方式では狭
い受光面範囲で4相の変位出力信号を得ることができ
る。従って、光量分布のアンバランスの影響やスケール
取付のアラインメント誤差の影響が小さい。
いるように、光源用と受光用のインデックススケールを
共通基板に形成すると、光源と受光素子はこのインデッ
クススケールの同じ側に配置されるため、インデックス
スケールで直接反射されて受光素子に入る拡散光成分が
無視できず、これが出力信号に重畳されて悪影響を与え
る。この実施例によると、光源用インデックススケール
G2からの拡散光成分がメインスケールG1に入らずに
直接フォトダイオードアレイPDAに漏れ込むというこ
とがなく、出力信号のS/Nが高いものとなる。
要部構成を図2に対応させて示す。先の実施例と異なる
点を説明すれば、この実施例では、光源用インデックス
スケールG2は、透明基板51の光源40側の面に光透
過部53と不透過部52を配列してスケール格子を形成
している。そして同じ透明基板51のスケール格子部に
隣接する位置に、フォトダイオードアレイPDAが受光
面を下にして搭載されている。つまり、透明基板51を
共通基板として用いて光源用インデックススケールG2
とフォトダイオードアレイPDAが一体化されている。
この実施例によると、光源用インデックススケールG2
とフォトダイオードアレイPDAの一体化が、側面を接
合する先の実施例より容易になる。
ダである。この実施例は図1の実施例を基本として、フ
ォトダイオードアレイPDAの両サイドに光源用インデ
ックススケールG2a,G2bを配置し、更にフォトダ
イオードアレイPDAの上部にも光源用インデックスス
ケールG2cを配置して、光源40からの拡散光をレン
ズ70により更に拡大してこれらのインデックススケー
ルG2a〜G2cに照射するようにしたものである。こ
の場合も、インデックススケールG2a〜G2cとフォ
トダイオードアレイPDAは、基板厚みを揃えて側面を
接合して一体化される。この実施例によると、フォトダ
イオードアレイPDAの受光面に3方からの照明による
メインスケールG1の反射像パターンが投影されるか
ら、フォトダイオードアレイPDA上の光量分布が均一
になる。
に図6と同様の構成を実現した実施例である。フォトダ
イオードアレイPDAは、光源用インデックススケール
G2の透明基板51の透過型格子が形成された光源側の
面の相対変位方向の中央部に受光面を下向きにして搭載
されている。光源用インデックススケールG2の透過型
格子は、フォトダイオードアレイPDAの周囲に、即ち
フォトダイオードアレイPDAを挟む左右領域およびフ
ォトダイオードアレイPDAの上部に形成されている。
この実施例によると、1枚の光源用インデックススケー
ル基板を用いて、実質的に図6と同様の構成が得られる
から、アラインメントが容易である。
学式エンコーダの実施例の要部構成を示す斜視図であ
り、図9はその平面図である。メインスケールG1と光
源用インデックススケールG2及び拡散光源40の部分
は、図5の実施例と同様である。光源用インデックスス
ケールG2を形成した透明基板51上にこの実施では、
メインスケール格子に対して僅かに傾斜した光透過部8
2と不透過部81の配列によるモアレ縞生成用の受光用
インデックススケールG3が形成されている。この受光
用インデックススケールG3の不透過部81と光透過部
82は、光源用インデックススケールG2の不透過部5
2と透過部52と同時に透明基板51上にパターン形成
される。
インデックススケールG3の格子面にその受光面を下に
して搭載されている。フォトダイオードアレイPDA
は、n型シリコン基板91にp型層によるフォトダイオ
ード92を形成したものであるが、フォトダイオード9
2の配列方向は先の実施例と異なり、形成されるモアレ
縞の周期方向に配列される。
ンデックススケールG3により形成されるモアレ縞とフ
ォトダイオードアレイPDAの関係を示す。図示のよう
に各格子のピッチdと格子の傾斜角θにより決まるモア
レ縞が得られ、そのモアレ縞の1周期Pmに対して、3
Pm/4のピッチでフォトダイオード92を配列するこ
とにより、スケール変位に伴うモアレ縞の変位によっ
て、A,BB,AB,Bの4相の変位信号を得ることが
できる。
細化した場合にも、モアレにより実質的にスケールピッ
チを拡大することができ、フォトダイオードアレイPD
Aの製造が容易になる。具体的に、例えばメインスケー
ルG1の格子ピッチPs、光源用インデックススケール
G2の格子ピッチPa、受光用インデックススケールG
3の格子ピッチPbを、Ps=Pa=Pb=8μm (=
d)とし、θ≒23.074°として、フォトダイオー
ドアレイPDAは、ダイオード幅10μm 、ピッチ15
μm で配列することができる。
た実施例のそれぞれ図8及び図9に対応する構成であ
る。この実施例では、モアレ用の受光用インデックスス
ケールG3は光源用インデックススケールG2とは別
に、フォトダイオードアレイPDAの受光面上に、金属
膜の蒸着とパターニングによって不透過部81と光透過
部82を形成して作られる。図13はその様子を拡大し
て示した斜視図である。フォトダイオードアレイPDA
の受光面は例えばSiO2のような絶縁膜93で覆わ
れ、この上に受光用インデックススケールパターンが形
成される。
の透明基板51とフォトダイオードアレイPDAのシリ
コン基板91を、図1の実施例と同様に同じ厚みとして
それらの側面を接合して一体化している。なおこの実施
例のように受光用インデックススケールG3を一体形成
したフォトダイオードアレイPDAを、図8の実施例と
同様に光源用インデックススケールG2の基板上に搭載
して光源用インデックススケールG2と一体化すること
もできる。
エンコーダの他の実施例を示す要部斜視図と平面図であ
る。この実施例では、モアレ用の透過型インデックスス
ケールG23を光源側に配置して、これを二次光源アレ
イを得るための透過型格子としても用いるようにしたも
のである。このフォトダイオードアレイPDAの基板と
インデックススケールG23の基板は同じ厚みを有し、
図1の実施例と同様に側面を接合して一体化されてい
る。言い換えれば、図11におけるモアレ用インデック
ススケールG3と光源側インデックススケールG2を共
有として光源側に配置したものである。この方式は、光
源用インデックススケールG23とメインスケールG1
との格子間でモアレ縞を生じさせるもので、フォトダイ
オードアレイPDAの受光面積を大きく確保できる点で
有利である。
アレ方式の反射型エンコーダを示す要部斜視図と平面図
である。モアレ用を兼ねた光源側のインデックススケー
ルG23が、透明基板51の光源側の面に光透過部53
と不透過部52を配列形成して構成されている。そして
同じ透明基板51の格子部に隣接する位置にフォトダイ
オードアレイPDAがその受光面を下にして搭載されて
いる。この実施例によっても先の実施例と同様の効果が
得られる。
ンデックススケールの格子をメインスケールの格子に対
して傾斜させたが、この傾斜は相対的なものであるか
ら、光源側インデックススケールは通常通りスケール変
位方向に対しては直交する方向とし、メインスケールの
格子をスケール変位方向に直交する方向から僅かに傾斜
させたパターンとすることによっても、同様のモアレ縞
を得ることができる。
ば上記実施例では、光源用インデックススケールとフォ
トダイオードアレイはそれぞれ別個に形成した後に接合
して一体化したが、インデックススケール基板上にアモ
ルファスシリコン等の半導体膜を堆積して、この半導体
膜を利用してフォトダイオードアレイを配列形成するこ
ともできる。フォトダイオードに代わってフォトトラン
ジスタを用いることもできる。また、光源用インデック
ススケールと拡散光源としてのLEDを一体的に形成す
ることも可能である。例えば、大きな発光面を持つLE
Dの発光面上に直接インデックススケール格子を金属膜
の蒸着、パターニングによって形成することができる。
格子システムの反射型エンコーダであって、受光側のイ
ンデックススケールを兼ねた受光素子アレイを光源用イ
ンデックススケールと一体に構成することにより、受光
素子アレイと光源用インデックススケールとの間のアラ
インメント調整が要らず、高性能特性を得ることができ
る。また、受光用インデックススケールを用いた場合と
異なり、狭い受光面範囲で2相あるいは4相の変位出力
信号を得ることができ、光量分布のばらつきやアライン
メント誤差の影響が小さく、4相間のバランスがよい出
力信号を得ることができて電気的調整が不要となる。ま
たこの発明によると、モアレ縞を生じさせる受光用イン
デックススケールを配置し、あるいは光源用インデック
ススケールとメインスケールの間でモアレ縞を生じさせ
て、モアレ縞を検出する方式とすることにより、受光素
子アレイの配列ピッチをそれ程微細化する事なく、高分
解能特性を得ることができる。
の構成を示す斜視図である。
ドアレイの配列関係を示す。
示す平面図である。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
示す斜視図である。
す平面図である。
レイの関係を示す。
を示す斜視図である。
示す平面図である。
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
示す平面図である。
を示す斜視図である。
示す平面図である。
の構成を示す。
の構成を示す。
を示す。
ケール、31…基板、32…光反射部、33…非反射
部、G2…光源用インデックススケール、51…透明基
板、52…不透過部、53…光透過部、40…拡散光
源、PDA…フォトダイオードアレイ、61…シリコン
基板、62…フォトダイオード、G3…受光用インデッ
クススケール(モアレ用)、81…不透過部、82…光
透過部、91…シリコン基板、92…フォトダイオー
ド。
Claims (7)
- 【請求項1】 所定ギャップをおいて相対移動可能に配
置された第1,第2の部材の相対変位を光学的に測定す
るエンコーダにおいて、 前記第1の部材は、反射部と非反射部が所定ピッチで配
列されて反射型格子を構成するメインスケールを有し、 前記第2の部材は、前記メインスケールを照射して所定
の反射像パターンを生じさせる光照射手段と、前記メイ
ンスケールから得られる反射像パターンを検出する受光
手段とを有し、 前記光照射手段は、拡散光を出す光源と、光透過部と不
透過部が所定ピッチで配列されて透過型格子を構成して
前記メインスケールを照射する二次光源アレイとなる光
源用インデックススケールとから構成され、 前記受光手段は、半導体基板に複数の受光素子が配列形
成されて前記反射像パターンを前記相対変位に応じて変
調した変位出力信号を得ると共に隣接する前記受光素子
間で異なる位相の前記変位出力信号を得る受光素子アレ
イにより構成され、且つ、 前記受光素子アレイと前記光源用インデックススケール
は、前記受光素子アレイの受光面と前記光源用インデッ
クススケールの透過型格子面を揃えて一体に構成されて
いることを特徴とする光学式エンコーダ。 - 【請求項2】 前記受光素子アレイと前記光源用インデ
ックススケールは、前記受光素子アレイの受光面と前記
光源用インデックススケールの透過型格子面とが前記メ
インスケールに対向する側で同一面となるように一体に
接合されていることを特徴とする請求項1記載の光学式
エンコーダ。 - 【請求項3】 前記光源用インデックススケールは、透
明基板を用いてこの透明基板の前記光源側の面に透過型
格子が形成されたものであり、前記受光素子アレイは前
記透明基板の前記透過型格子が形成された領域に隣接す
る位置に前記受光面を前記透過型格子が形成された面と
対向させて搭載されていることを特徴とする請求項1記
載の光学式エンコーダ。 - 【請求項4】 前記受光素子アレイは、前記光源用イン
デックススケールの前記相対変位方向の中央部に搭載さ
れ、前記光源用インデックススケールは前記受光素子ア
レイが搭載された領域の周囲に前記透過型格子が形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の光学式エンコ
ーダ。 - 【請求項5】 所定ギャップをおいて相対移動可能に配
置された第1,第2の部材の相対変位を光学的に測定す
るエンコーダにおいて、 前記第1の部材は、反射部と非反射部が所定ピッチで配
列されて反射型格子を構成するメインスケールを有し、 前記第2の部材は、前記メインスケールを照射して所定
の反射像パターンを生じさせる光照射手段と、前記メイ
ンスケールから得られる反射像パターンを検出する受光
手段とを有し、 前記光照射手段は、拡散光を出す光源と、光透過部と不
透過部が所定ピッチで配列されて透過型格子を構成して
前記メインスケールを照射する二次光源アレイとなる複
数個の光源用インデックススケールとから構成され、 前記受光手段は、半導体基板に複数の受光素子が配列形
成されて前記反射像パターンを前記相対変位に応じて変
調した変位出力信号を得ると共に隣接する前記受光素子
間で異なる位相の前記変位出力信号を得る受光素子アレ
イにより構成され、且つ、 前記複数個の光源用インデックススケールは、前記受光
素子アレイの周囲に配置されて前記受光素子アレイの受
光面と前記複数の光源用インデックススケールの透過型
格子面とを揃えて前記受光素子アレイと一体に構成され
ていることを特徴とする光学式エンコーダ。 - 【請求項6】 前記受光素子アレイの前面に、前記メイ
ンスケールの格子とは所定角度傾斜した光透過部と不透
過部が配列形成されてメインスケールとの間でモアレ縞
を生じさせる透過型格子を構成する受光用インデックス
スケールが更に配置され、 前記受光素子アレイは、半導体基板に前記モアレ縞を検
出するための複数の受光素子が前記モアレ縞の周期方向
に配列形成されていることを特徴とする請求項1記載の
光学式エンコーダ。 - 【請求項7】 前記メインスケールの格子と前記光源用
インデックススケールの格子とは、モアレ縞を生じさせ
るべく互いに所定角度傾斜させて配列され、 前記受光素子アレイは、半導体基板に前記モアレ縞を検
出するための複数の受光素子が前記モアレ縞の周期方向
に配列形成されていることを特徴とする請求項1記載の
光学式エンコーダ。
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