JPH09196773A - 温度センサおよびそれを用いた半導体製造装置 - Google Patents
温度センサおよびそれを用いた半導体製造装置Info
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- JPH09196773A JPH09196773A JP8008836A JP883696A JPH09196773A JP H09196773 A JPH09196773 A JP H09196773A JP 8008836 A JP8008836 A JP 8008836A JP 883696 A JP883696 A JP 883696A JP H09196773 A JPH09196773 A JP H09196773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定対象である処理ガスの性質を問うこと
なく、安定してその温度測定ができる温度センサを提供
する。 【解決手段】 処理ガスＧ1 内に突出するように設置さ
れて不活性ガスＧ2 が処理ガスＧ1 中に噴出する多数の
細孔が形成されたセンサカバー３と、このセンサカバー
３に収納されて温度検出部４ａがその先端に位置するよ
うに設けられ、処理ガスＧ1 の温度を測定するセンサ本
体４とを有する温度センサである。センサカバー３の側
面に形成された細孔は不活性ガスＧ2 が処理ガスＧ1 の
流出方向に沿って噴出するように斜めに形成されてい
る。
なく、安定してその温度測定ができる温度センサを提供
する。 【解決手段】 処理ガスＧ1 内に突出するように設置さ
れて不活性ガスＧ2 が処理ガスＧ1 中に噴出する多数の
細孔が形成されたセンサカバー３と、このセンサカバー
３に収納されて温度検出部４ａがその先端に位置するよ
うに設けられ、処理ガスＧ1 の温度を測定するセンサ本
体４とを有する温度センサである。センサカバー３の側
面に形成された細孔は不活性ガスＧ2 が処理ガスＧ1 の
流出方向に沿って噴出するように斜めに形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は温度センサおよびそ
れを用いた半導体製造装置に関し、特に、酸化性、腐蝕
性または堆積性を有するガス雰囲気中での温度測定に適
用して有効な技術に関する。
れを用いた半導体製造装置に関し、特に、酸化性、腐蝕
性または堆積性を有するガス雰囲気中での温度測定に適
用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、処理ガスに酸素または酸素と
窒素ガスとを混合して燃焼効率を上げ、 850〜 900℃の
高温下でこれを熱分解して浄化した後に排気する加熱酸
化分解式排ガス処理装置などに用いられている温度セン
サである熱電対には、処理ガスが直接細い信号線に当た
って折れ曲がらないよう、強度対策として保護カバーが
取り付けられている。そして、保護カバーは耐蝕性を有
する金属材料であるハステロイやインコネル、あるいは
セラミックなどで構成されている。
窒素ガスとを混合して燃焼効率を上げ、 850〜 900℃の
高温下でこれを熱分解して浄化した後に排気する加熱酸
化分解式排ガス処理装置などに用いられている温度セン
サである熱電対には、処理ガスが直接細い信号線に当た
って折れ曲がらないよう、強度対策として保護カバーが
取り付けられている。そして、保護カバーは耐蝕性を有
する金属材料であるハステロイやインコネル、あるいは
セラミックなどで構成されている。
【０００３】なお、温度センサについて詳しく記載して
いる例としては、たとえば、社団法人日本分析機器工業
会発行、「分析機器の手引き（第４版）」（昭和58年 7
月 5日発行）、P108がある。
いる例としては、たとえば、社団法人日本分析機器工業
会発行、「分析機器の手引き（第４版）」（昭和58年 7
月 5日発行）、P108がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】処理ガスには種々の化
学的性質を有するものがあり、その代表的なものには、
金属を酸化する酸化性ガス、腐蝕する腐蝕性ガス、反応
生成物が付着堆積する堆積性ガスなどがある。
学的性質を有するものがあり、その代表的なものには、
金属を酸化する酸化性ガス、腐蝕する腐蝕性ガス、反応
生成物が付着堆積する堆積性ガスなどがある。
【０００５】ここで、前記した構造の温度センサは、耐
蝕性の保護カバーで覆われているために腐蝕性ガスに対
しては有効であるが、堆積性ガスにより反応生成物が保
護カバーに付着した場合には、処理ガスの温度が遮られ
て温度センサによる正確な温度測定ができなくなるとい
うトラブルが発生してしまう。これを防止するために
は、温度センサおよび保護カバーを定期的に交換した
り、あるいは堆積した生成物を除去する必要があるが、
その間は製造装置の稼働を停止させなければならず、生
産効率が悪化してスループットが低下することになる。
蝕性の保護カバーで覆われているために腐蝕性ガスに対
しては有効であるが、堆積性ガスにより反応生成物が保
護カバーに付着した場合には、処理ガスの温度が遮られ
て温度センサによる正確な温度測定ができなくなるとい
うトラブルが発生してしまう。これを防止するために
は、温度センサおよび保護カバーを定期的に交換した
り、あるいは堆積した生成物を除去する必要があるが、
その間は製造装置の稼働を停止させなければならず、生
産効率が悪化してスループットが低下することになる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、酸化性、腐蝕性
あるいは堆積性など被測定対象である気体の性質を問う
ことなく、安定してその温度測定を可能とする技術を提
供することにある。
あるいは堆積性など被測定対象である気体の性質を問う
ことなく、安定してその温度測定を可能とする技術を提
供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明による温度センサは、被
測定対象である第１の気体の温度測定に使用するもので
あり、第１の気体内に突出するように設置されて第２の
気体が第１の気体中に噴出する多数の細孔が形成された
センサカバーと、このセンサカバーに収納されて温度検
出部がその先端に位置するように設けられ、第１の気体
の温度を測定するセンサ本体とを有することを特徴とす
るものである。センサカバーの側面に形成された細孔は
第２の気体が第１の気体の流出方向に沿って噴出するよ
うに斜めに形成することが望ましい。また、細孔は温度
検出部が位置する先端にのみ形成することができる。
測定対象である第１の気体の温度測定に使用するもので
あり、第１の気体内に突出するように設置されて第２の
気体が第１の気体中に噴出する多数の細孔が形成された
センサカバーと、このセンサカバーに収納されて温度検
出部がその先端に位置するように設けられ、第１の気体
の温度を測定するセンサ本体とを有することを特徴とす
るものである。センサカバーの側面に形成された細孔は
第２の気体が第１の気体の流出方向に沿って噴出するよ
うに斜めに形成することが望ましい。また、細孔は温度
検出部が位置する先端にのみ形成することができる。
【００１０】また、本発明による温度センサは、被測定
対象である第１の気体の温度測定に使用するものであ
り、第１の気体内に突出するとともに開口端が第１の気
体中に位置するように設置されて第２の気体が該開口端
から第１の気体中に噴出するセンサカバーと、温度検出
部がこのセンサカバー内の開口端付近に位置するように
設けられ、第１の気体の温度を測定するセンサ本体とを
有することを特徴とするものである。
対象である第１の気体の温度測定に使用するものであ
り、第１の気体内に突出するとともに開口端が第１の気
体中に位置するように設置されて第２の気体が該開口端
から第１の気体中に噴出するセンサカバーと、温度検出
部がこのセンサカバー内の開口端付近に位置するように
設けられ、第１の気体の温度を測定するセンサ本体とを
有することを特徴とするものである。
【００１１】これらの温度センサのセンサカバーは耐蝕
性を有する金属、あるいは細孔を包含する多孔質セラミ
ックで構成することができる。また、第２の気体には不
活性ガスまたは第１の気体と反応しない種類の気体を用
いるのがよい。
性を有する金属、あるいは細孔を包含する多孔質セラミ
ックで構成することができる。また、第２の気体には不
活性ガスまたは第１の気体と反応しない種類の気体を用
いるのがよい。
【００１２】第１の気体の温度測定は、第２の気体の流
量を変化させながらまたは断続的に供給しながら、この
第２の気体の流量が減少したときや供給が途絶えたとき
に行うようにすることができる。
量を変化させながらまたは断続的に供給しながら、この
第２の気体の流量が減少したときや供給が途絶えたとき
に行うようにすることができる。
【００１３】そして、本発明による半導体製造装置は、
このような温度センサが用いられたものである。
このような温度センサが用いられたものである。
【００１４】上記した手段によれば、細孔から第１の気
体中に噴出する第２の気体によりセンサカバーの表面に
保護層が形成されるので、あるいは、センサ本体を収納
した開口端から第２の気体が噴出するので、被測定対象
である第１の気体がたとえ酸化性、腐蝕性、堆積性など
の性質を有するものであっても、センサ本体は該雰囲気
中から保護されて安定して第１の気体の温度測定をする
ことが可能になる。
体中に噴出する第２の気体によりセンサカバーの表面に
保護層が形成されるので、あるいは、センサ本体を収納
した開口端から第２の気体が噴出するので、被測定対象
である第１の気体がたとえ酸化性、腐蝕性、堆積性など
の性質を有するものであっても、センサ本体は該雰囲気
中から保護されて安定して第１の気体の温度測定をする
ことが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である温度センサを示す断面図、図２は図１のＡ部
を拡大して示す断面図である。
形態である温度センサを示す断面図、図２は図１のＡ部
を拡大して示す断面図である。
【００１７】図１に示す温度センサ１は、たとえば化学
反応により半導体ウェハ上に所望の薄膜を形成するＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）装置や、半導体ウェ
ハ上の薄膜の特定した部分を除去してパターン形成を行
うエッチング装置に一体的に設置された処理ガス浄化の
ための加熱酸化分解式排ガス処理装置に設置されたもの
であり、浄化された処理ガス（第１の気体）Ｇ1 の排気
温度を測定するために排気管２に取り付けられている。
反応により半導体ウェハ上に所望の薄膜を形成するＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）装置や、半導体ウェ
ハ上の薄膜の特定した部分を除去してパターン形成を行
うエッチング装置に一体的に設置された処理ガス浄化の
ための加熱酸化分解式排ガス処理装置に設置されたもの
であり、浄化された処理ガス（第１の気体）Ｇ1 の排気
温度を測定するために排気管２に取り付けられている。
【００１８】この温度センサ１は、排気管２を流れる処
理ガスＧ1 内に突出してこの処理ガスＧ1 の流出方向に
沿って延びるセンサカバー３と、センサカバー３に収納
されたセンサ本体４とを有している。センサ本体４は、
たとえば＋（プラス）側にＰｔ−Ｒｈ合金が、−（マイ
ナス）側にＰｔが用いられて熱起電力を利用して温度を
測定する熱電対であり、これら２種の金属の接点である
温度検出部４ａがセンサカバー３の先端に位置するよう
にして設置されている。そして、信号線４ｂを介して温
度検出部４ａは温度算出部と電気的に接続されおり、温
度検出部４ａの電気的出力を受領した温度算出部によっ
て具体的な温度が算出されるようになっている。なお、
熱電対を構成する金属は前記したものに限定されない。
理ガスＧ1 内に突出してこの処理ガスＧ1 の流出方向に
沿って延びるセンサカバー３と、センサカバー３に収納
されたセンサ本体４とを有している。センサ本体４は、
たとえば＋（プラス）側にＰｔ−Ｒｈ合金が、−（マイ
ナス）側にＰｔが用いられて熱起電力を利用して温度を
測定する熱電対であり、これら２種の金属の接点である
温度検出部４ａがセンサカバー３の先端に位置するよう
にして設置されている。そして、信号線４ｂを介して温
度検出部４ａは温度算出部と電気的に接続されおり、温
度検出部４ａの電気的出力を受領した温度算出部によっ
て具体的な温度が算出されるようになっている。なお、
熱電対を構成する金属は前記したものに限定されない。
【００１９】たとえばＮｉ基超合金の一種であるハステ
ロイや、このＮｉ基超合金にＴｉ，Ａｌを添加した析出
強化型合金であるインコネルなどのような耐蝕性を有す
る金属で形成されたセンサカバー３には、このセンサカ
バー３内に窒素ガスなどの不活性ガス（第２の気体）Ｇ
2 を供給するためのガス導入管５が接続され、ガス導入
管５には不活性ガスＧ2 の供給量を調整するためのガス
流量制御部６が取り付けられている。さらに、センサカ
バー３には多数の細孔３ａが開設されている（図２）。
したがって、ガス導入管５からセンサカバー３内に送り
込まれた不活性ガスＧ2 は細孔３ａから処理ガスＧ1 中
に噴出される。なお、センサカバー３の表面は鏡面加工
されており、後述する処理ガスＧ1 の付着が一層確実に
防止されている。但し、鏡面加工は必ずしも必要ではな
い。
ロイや、このＮｉ基超合金にＴｉ，Ａｌを添加した析出
強化型合金であるインコネルなどのような耐蝕性を有す
る金属で形成されたセンサカバー３には、このセンサカ
バー３内に窒素ガスなどの不活性ガス（第２の気体）Ｇ
2 を供給するためのガス導入管５が接続され、ガス導入
管５には不活性ガスＧ2 の供給量を調整するためのガス
流量制御部６が取り付けられている。さらに、センサカ
バー３には多数の細孔３ａが開設されている（図２）。
したがって、ガス導入管５からセンサカバー３内に送り
込まれた不活性ガスＧ2 は細孔３ａから処理ガスＧ1 中
に噴出される。なお、センサカバー３の表面は鏡面加工
されており、後述する処理ガスＧ1 の付着が一層確実に
防止されている。但し、鏡面加工は必ずしも必要ではな
い。
【００２０】ここで、センサカバー３内に供給される気
体は不活性ガスＧ2 である必要はなく、処理ガスＧ1 と
反応しない種類の気体であればよい。また、センサカバ
ー３の材質は前記したものに限定されることなく、耐蝕
性を有する他の種々の金属を用いることができる。さら
に、金属ではなく、多孔質セラミックを用いてもよい。
多孔質セラミックを用いた場合には、セラミック自体に
既に細孔が形成されているので、あらためて細孔を形成
する必要はない。
体は不活性ガスＧ2 である必要はなく、処理ガスＧ1 と
反応しない種類の気体であればよい。また、センサカバ
ー３の材質は前記したものに限定されることなく、耐蝕
性を有する他の種々の金属を用いることができる。さら
に、金属ではなく、多孔質セラミックを用いてもよい。
多孔質セラミックを用いた場合には、セラミック自体に
既に細孔が形成されているので、あらためて細孔を形成
する必要はない。
【００２１】図２に示すように、細孔３ａは不活性ガス
Ｇ2 が排気管２内を流れる処理ガスＧ1 の流出方向に沿
って噴出するように斜めに形成されている。これによ
り、センサカバー３の表面には噴出した不活性ガスＧ2
による保護層が形成される。但し、細孔３ａは必ずしも
斜めに形成する必要はない。また、細孔３ａは温度検出
部４ａが位置するセンサカバー３の先端にのみ形成する
ようにしてもよい。
Ｇ2 が排気管２内を流れる処理ガスＧ1 の流出方向に沿
って噴出するように斜めに形成されている。これによ
り、センサカバー３の表面には噴出した不活性ガスＧ2
による保護層が形成される。但し、細孔３ａは必ずしも
斜めに形成する必要はない。また、細孔３ａは温度検出
部４ａが位置するセンサカバー３の先端にのみ形成する
ようにしてもよい。
【００２２】このような構造の温度センサ１による処理
ガスＧ1 の温度測定は次のようにして行われる。
ガスＧ1 の温度測定は次のようにして行われる。
【００２３】被測定対象である処理ガスＧ1 が排気管２
内を流れている状態において温度検出部４ａを作動さ
せ、得られた電気的出力を信号線４ｂを介して温度算出
部へ送る。これにより温度算出部で処理ガスＧ1 の温度
が算出される。
内を流れている状態において温度検出部４ａを作動さ
せ、得られた電気的出力を信号線４ｂを介して温度算出
部へ送る。これにより温度算出部で処理ガスＧ1 の温度
が算出される。
【００２４】一方、温度測定中、ガス流量制御部６によ
り所定の流量に調整された不活性ガスＧ2 をガス導入管
５からセンサカバー３内に送り込む。すると、不活性ガ
スＧ2 は細孔３ａから処理ガスＧ1 中に噴出し、前記し
たように、センサカバー３の表面には保護層が形成され
る。したがって、処理ガスＧ1 がたとえばＯ2 系ガスの
ように酸化性を有するもの、ハロゲン系ガスのように腐
蝕性を有するもの、シラン系ガスのように反応生成物が
付着堆積する堆積性を有するものである場合でも、セン
サカバー３延いてはセンサ本体４がこのような処理ガス
Ｇ1 から保護される。なお、特に本実施の形態において
は、細孔３ａが斜めに形成されて不活性ガスＧ2 は処理
ガスＧ1 の流出方向に沿うように噴出されるので、該保
護層はより密に形成される。
り所定の流量に調整された不活性ガスＧ2 をガス導入管
５からセンサカバー３内に送り込む。すると、不活性ガ
スＧ2 は細孔３ａから処理ガスＧ1 中に噴出し、前記し
たように、センサカバー３の表面には保護層が形成され
る。したがって、処理ガスＧ1 がたとえばＯ2 系ガスの
ように酸化性を有するもの、ハロゲン系ガスのように腐
蝕性を有するもの、シラン系ガスのように反応生成物が
付着堆積する堆積性を有するものである場合でも、セン
サカバー３延いてはセンサ本体４がこのような処理ガス
Ｇ1 から保護される。なお、特に本実施の形態において
は、細孔３ａが斜めに形成されて不活性ガスＧ2 は処理
ガスＧ1 の流出方向に沿うように噴出されるので、該保
護層はより密に形成される。
【００２５】これにより、酸化性、腐蝕性、堆積性とい
った処理ガスＧ1 の化学的性質を問わず、常にトラブル
のない状態で安定して処理ガスＧ1 の温度測定をするこ
とが可能になる。また、この温度センサ１ではセンサ本
体４やセンサカバー３を交換あるいは掃除する必要もな
く製造装置をフル稼働させることができるので、生産効
率の向上を図ることが可能になる。
った処理ガスＧ1 の化学的性質を問わず、常にトラブル
のない状態で安定して処理ガスＧ1 の温度測定をするこ
とが可能になる。また、この温度センサ１ではセンサ本
体４やセンサカバー３を交換あるいは掃除する必要もな
く製造装置をフル稼働させることができるので、生産効
率の向上を図ることが可能になる。
【００２６】なお、本実施の形態では不活性ガスＧ2 を
流した状態で処理ガスＧ1 の温度を測定するようにして
いるので、温度検出部４ａでは処理ガスＧ1 の温度その
ものではなく不活性ガスＧ2 が介在した分だけ低い温度
が検出される。したがって、温度算出部では温度検出部
４ａによる検出温度に補正が加えられ、補正後の値が最
終的な処理ガスＧ1 の温度とされる。但し、ガス流量制
御部６で不活性ガスＧ2 の流量を変化させながら供給
し、流量が減少したときに温度測定をするようにすれ
ば、実測値がより実際の温度と近くなって補正量を少な
くすることができる。また、不活性ガスＧ2 を断続的に
供給して供給が途絶えたときに温度測定をすれば、実測
値と実際の温度とが等しくなり補正の必要がなくなる。
流した状態で処理ガスＧ1 の温度を測定するようにして
いるので、温度検出部４ａでは処理ガスＧ1 の温度その
ものではなく不活性ガスＧ2 が介在した分だけ低い温度
が検出される。したがって、温度算出部では温度検出部
４ａによる検出温度に補正が加えられ、補正後の値が最
終的な処理ガスＧ1 の温度とされる。但し、ガス流量制
御部６で不活性ガスＧ2 の流量を変化させながら供給
し、流量が減少したときに温度測定をするようにすれ
ば、実測値がより実際の温度と近くなって補正量を少な
くすることができる。また、不活性ガスＧ2 を断続的に
供給して供給が途絶えたときに温度測定をすれば、実測
値と実際の温度とが等しくなり補正の必要がなくなる。
【００２７】（実施の形態２）図３は本発明の他の実施
の形態である温度センサを示す断面図である。
の形態である温度センサを示す断面図である。
【００２８】図示する温度センサ１は、センサ本体４を
収納したセンサカバー３に開口端３ｂが形成されている
点で前述の温度センサと異なっている。そして、温度検
出部４ａがセンサカバー３内の開口端３ｂ付近に設置さ
れており、該センサカバー３には細孔は形成されていな
い。したがって、不活性ガスＧ2 は開口端３ｂから処理
ガスＧ1 中に噴出するようになる。
収納したセンサカバー３に開口端３ｂが形成されている
点で前述の温度センサと異なっている。そして、温度検
出部４ａがセンサカバー３内の開口端３ｂ付近に設置さ
れており、該センサカバー３には細孔は形成されていな
い。したがって、不活性ガスＧ2 は開口端３ｂから処理
ガスＧ1 中に噴出するようになる。
【００２９】このように、センサカバー３に細孔に代え
て開口端３ｂを形成してここに温度検出部４ａを設置
し、該開口端３ｂから不活性ガスＧ2 を噴出するように
すれば、センサ本体４は不活性ガスＧ2 に保護されるよ
うになるので、安定して処理ガスＧ1 の温度測定をする
ことが可能になり、また、製造装置の稼働率をアップさ
せることができる。
て開口端３ｂを形成してここに温度検出部４ａを設置
し、該開口端３ｂから不活性ガスＧ2 を噴出するように
すれば、センサ本体４は不活性ガスＧ2 に保護されるよ
うになるので、安定して処理ガスＧ1 の温度測定をする
ことが可能になり、また、製造装置の稼働率をアップさ
せることができる。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【００３１】また、以上の説明では、主として本発明者
によってなされた発明をその属する技術分野であるＣＶ
Ｄ装置やエッチング装置に設置された加熱酸化分解式排
ガス処理装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、他の種々の半導体製造装置
に適用することができる。さらに、半導体の分野にとど
まらず、気体の温度測定が必要で且つ腐蝕や生成物の堆
積が問題となる他の種々の分野の温度センサに適用する
ことが可能である。
によってなされた発明をその属する技術分野であるＣＶ
Ｄ装置やエッチング装置に設置された加熱酸化分解式排
ガス処理装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、他の種々の半導体製造装置
に適用することができる。さらに、半導体の分野にとど
まらず、気体の温度測定が必要で且つ腐蝕や生成物の堆
積が問題となる他の種々の分野の温度センサに適用する
ことが可能である。
【００３２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００３３】(1).すなわち、本発明の温度測定技術によ
れば、細孔から第１の気体中に噴出する第２の気体によ
りセンサカバーの表面に保護層が形成されるので、ある
いは、センサ本体を収納した開口端から第２の気体が噴
出するので、被測定対象である第１の気体がたとえ酸化
性、腐蝕性、堆積性を有するものであっても、センサ本
体は該雰囲気中から保護されて安定して第１の気体の温
度測定をすることが可能になる。
れば、細孔から第１の気体中に噴出する第２の気体によ
りセンサカバーの表面に保護層が形成されるので、ある
いは、センサ本体を収納した開口端から第２の気体が噴
出するので、被測定対象である第１の気体がたとえ酸化
性、腐蝕性、堆積性を有するものであっても、センサ本
体は該雰囲気中から保護されて安定して第１の気体の温
度測定をすることが可能になる。
【００３４】(2).また、センサ本体やセンサカバーを交
換あるいは掃除する必要がなくなるので、製造装置をフ
ル稼働させることができ、生産効率の向上を図ることが
可能になる。
換あるいは掃除する必要がなくなるので、製造装置をフ
ル稼働させることができ、生産効率の向上を図ることが
可能になる。
【００３５】(3).細孔をセンサカバーに対して斜めに形
成すれば、第２の気体は第１の気体の流出方向に沿うよ
うに噴出されるので、保護層がより密に形成されて第１
の気体からの影響を一層有効に阻止することができる。
成すれば、第２の気体は第１の気体の流出方向に沿うよ
うに噴出されるので、保護層がより密に形成されて第１
の気体からの影響を一層有効に阻止することができる。
【図１】本発明の実施の形態１による温度センサを示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１のＡ部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２による温度センサを示す
断面図である。
断面図である。
１ 温度センサ ２ 排気管 ３ センサカバー ３ａ 細孔 ３ｂ 開口端 ４ センサ本体 ４ａ 温度検出部 ４ｂ 信号線 ５ ガス導入管 ６ ガス流量制御部 Ｇ1 処理ガス（第１の気体） Ｇ2 不活性ガス（第２の気体）
Claims (9)
- 【請求項１】 被測定対象である第１の気体の温度測定
に使用する温度センサであって、 前記第１の気体内に突出するように設置されて第２の気
体が前記第１の気体中に噴出する多数の細孔が形成され
たセンサカバーと、 前記センサカバー内に収納されて温度検出部がその先端
に位置するように設けられ、前記第１の気体の温度を測
定するセンサ本体とを有することを特徴とする温度セン
サ。 - 【請求項２】 請求項１記載の温度センサにおいて、前
記センサカバーの側面に形成された前記細孔は前記第２
の気体が前記第１の気体の流出方向に沿って噴出するよ
うに斜めに形成されていることを特徴とする温度セン
サ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の温度センサにお
いて、前記細孔は前記温度検出部が位置する先端にのみ
形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項４】 被測定対象である第１の気体の温度測定
に使用する温度センサであって、 前記第１の気体内に突出するとともに開口端が前記第１
の気体中に位置するように設置されて第２の気体が該開
口端から前記第１の気体中に噴出するセンサカバーと、 温度検出部が前記センサカバー内の前記開口端付近に位
置するように設けられ、前記第１の気体の温度を測定す
るセンサ本体とを有することを特徴とする温度センサ。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の温度セ
ンサにおいて、前記センサカバーは耐蝕性を有する金属
で形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項６】 請求項１記載の温度センサにおいて、前
記センサカバーは前記細孔を包含する多孔質セラミック
で構成されていることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
の温度センサにおいて、前記第２の気体は不活性ガスま
たは前記第１の気体と反応しない種類の気体であること
を特徴とする温度センサ。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６または７
記載の温度センサにおいて、前記第２の気体はその流量
が変化されながらまたは断続的に供給され、この第２の
気体の流量が減少したときまたは供給が途絶えたときに
前記第１の気体の温度を測定するようにしたことを特徴
とする温度センサ。 - 【請求項９】 請求項１、２、３、４、５、６、７また
は８記載の温度センサが用いられていることを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8008836A JPH09196773A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 温度センサおよびそれを用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8008836A JPH09196773A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 温度センサおよびそれを用いた半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09196773A true JPH09196773A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11703877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8008836A Pending JPH09196773A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 温度センサおよびそれを用いた半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09196773A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006138647A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Ricoh Co Ltd | 熱電対及び反応系及び結晶成長装置 |
| JP2009514205A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | エドワーズ リミテッド | プラズマ除害デバイス |
| JP2013130478A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 流体温度測定装置及び流体温度測定方法 |
-
1996
- 1996-01-23 JP JP8008836A patent/JPH09196773A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006138647A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Ricoh Co Ltd | 熱電対及び反応系及び結晶成長装置 |
| JP2009514205A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | エドワーズ リミテッド | プラズマ除害デバイス |
| US9333460B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-10 | Edwards Limited | Plasma treatment device |
| JP2013130478A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 流体温度測定装置及び流体温度測定方法 |
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