JPH09197357A - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
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- JPH09197357A JPH09197357A JP316796A JP316796A JPH09197357A JP H09197357 A JPH09197357 A JP H09197357A JP 316796 A JP316796 A JP 316796A JP 316796 A JP316796 A JP 316796A JP H09197357 A JPH09197357 A JP H09197357A
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- waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化に対する出力の安定化が図れ、歩留
まりを向上でき、低コストの導波路型光デバイスを提供
すること。 【解決手段】 Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上に、
Ｔｉ拡散法によってＴｉ拡散層２からなる光導波路を形
成した後にパイレックス／ＩＴＯ混合膜からなる導電性
バッファー層４を形成し、この導電性バッファー層４の
上にＴｉからなる電極３を形成したので、光導波路上に
発生する応力の再現性の向上が可能となった。また、導
電性バッファー層４の線膨張率を、基板１の線膨張率と
実質的に等しくなるようにしたので、光導波路上に発生
する応力の低減が図れる。
まりを向上でき、低コストの導波路型光デバイスを提供
すること。 【解決手段】 Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上に、
Ｔｉ拡散法によってＴｉ拡散層２からなる光導波路を形
成した後にパイレックス／ＩＴＯ混合膜からなる導電性
バッファー層４を形成し、この導電性バッファー層４の
上にＴｉからなる電極３を形成したので、光導波路上に
発生する応力の再現性の向上が可能となった。また、導
電性バッファー層４の線膨張率を、基板１の線膨張率と
実質的に等しくなるようにしたので、光導波路上に発生
する応力の低減が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焦電効果を持つ材
料からなる基板に導波路を形成した導波路型光デバイス
に関し、特に、光電界センサ、光受信アンテナ及び光ス
イッチング素子等に用いられる導波路型光デバイスに関
する。
料からなる基板に導波路を形成した導波路型光デバイス
に関し、特に、光電界センサ、光受信アンテナ及び光ス
イッチング素子等に用いられる導波路型光デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】導波路型光デバイスは、低駆動電圧、高
速動作が可能で且つ小型集積化も有望である。しかし、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）のような焦電効果を
有する材料、即ち、自発分極を有する結晶等を基板に用
いて、その基板にチタン等の拡散層を形成して導波路を
構成した導波路型光デバイスにおいては、温度変化によ
って、焦電効果に基づく電荷が表面に発生し、その電荷
分布が一様でないため、導波路型光デバイスの特性、例
えばスイッチング特性等が変動してしまうという問題が
ある。
速動作が可能で且つ小型集積化も有望である。しかし、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）のような焦電効果を
有する材料、即ち、自発分極を有する結晶等を基板に用
いて、その基板にチタン等の拡散層を形成して導波路を
構成した導波路型光デバイスにおいては、温度変化によ
って、焦電効果に基づく電荷が表面に発生し、その電荷
分布が一様でないため、導波路型光デバイスの特性、例
えばスイッチング特性等が変動してしまうという問題が
ある。
【０００３】以下、この問題について、図５及び図６を
用いて説明する。
用いて説明する。
【０００４】図５及び図６に示す導波路型光デバイス
は、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上にＴｉ拡散層２
を形成して導波路とし、その上面にＳｉＯ2 からなるバ
ッファー層５を形成し、さらにその上面にアルミニウ
ム、チタン等からなる電極３を形成したものである。
は、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上にＴｉ拡散層２
を形成して導波路とし、その上面にＳｉＯ2 からなるバ
ッファー層５を形成し、さらにその上面にアルミニウ
ム、チタン等からなる電極３を形成したものである。
【０００５】この導波路型光デバイスにおいて、温度が
上昇すると、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１は分極の
状態を変化させる。この様子を示したのが図６であり、
図中、６は電界、７は分極電荷を示す。即ち、かかる導
波路型光デバイスにおいて、温度が上昇する前は分極を
起こしておらず電気的に中性であったとした場合、温度
上昇後には焦電効果によりＺ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基
板１の厚さ方向に分極を発生させる。この時、図６に示
すように、基板１のバッファー層５側に＋電荷が発生し
たとすると、電極３のバッファー層５側にはその電荷を
打ち消すように−電荷が供給される。従って、基板１の
電極３付近ではほぼ中性に、それ以外の箇所では＋電位
になっているため、基板１内には電極３が形成されてい
ない表面から電極３に向かって電界が発生することにな
る。
上昇すると、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１は分極の
状態を変化させる。この様子を示したのが図６であり、
図中、６は電界、７は分極電荷を示す。即ち、かかる導
波路型光デバイスにおいて、温度が上昇する前は分極を
起こしておらず電気的に中性であったとした場合、温度
上昇後には焦電効果によりＺ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基
板１の厚さ方向に分極を発生させる。この時、図６に示
すように、基板１のバッファー層５側に＋電荷が発生し
たとすると、電極３のバッファー層５側にはその電荷を
打ち消すように−電荷が供給される。従って、基板１の
電極３付近ではほぼ中性に、それ以外の箇所では＋電位
になっているため、基板１内には電極３が形成されてい
ない表面から電極３に向かって電界が発生することにな
る。
【０００６】ここで、導波路型光デバイスは、Ｔｉ拡散
層２からなる導波路が形成されている電極３間に電界を
印加することにより、Ｔｉ拡散層２からなる導波路の屈
折率を変化させ、電気信号を光信号に変換させるもの
（Ｅ／Ｏ変換）であるから、上述した温度上昇により電
極３間に変調信号による電界以外のバイアス電界を加え
ていることになってしまう。
層２からなる導波路が形成されている電極３間に電界を
印加することにより、Ｔｉ拡散層２からなる導波路の屈
折率を変化させ、電気信号を光信号に変換させるもの
（Ｅ／Ｏ変換）であるから、上述した温度上昇により電
極３間に変調信号による電界以外のバイアス電界を加え
ていることになってしまう。
【０００７】このため、温度変化に対して安定したスイ
ッチング特性が得られなかった。
ッチング特性が得られなかった。
【０００８】上記問題の解決法として、電極間にＳｉ膜
からなる導電性をわずかに持つ薄膜を設置し、焦電効果
により発生した電荷が電極部に滞留しないようにする方
策が取られている。
からなる導電性をわずかに持つ薄膜を設置し、焦電効果
により発生した電荷が電極部に滞留しないようにする方
策が取られている。
【０００９】即ち、図７に示すように、Ｚ板ＬｉＮｂＯ
3 からなる基板１上にＳｉＯ2 膜からなるバッファー層
５を形成した後にＳｉ膜８を形成し、Ｓｉ膜８上にＡ
ｌ、Ｔｉ等からなる電極３を形成する方法が取られてい
る。
3 からなる基板１上にＳｉＯ2 膜からなるバッファー層
５を形成した後にＳｉ膜８を形成し、Ｓｉ膜８上にＡ
ｌ、Ｔｉ等からなる電極３を形成する方法が取られてい
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
の材料であるＬｉＮｂＯ3 は、バッファー層５の材料で
あるＳｉＯ2 およびＳｉ膜８の材料であるＳｉとの線膨
張率の差が大きく、この線膨張率の差によって基板１表
面に応力が発生し、この応力による圧電効果によって電
界が発生し、この電界により上述したスイッチング特性
の安定化が達成できなかった。
の材料であるＬｉＮｂＯ3 は、バッファー層５の材料で
あるＳｉＯ2 およびＳｉ膜８の材料であるＳｉとの線膨
張率の差が大きく、この線膨張率の差によって基板１表
面に応力が発生し、この応力による圧電効果によって電
界が発生し、この電界により上述したスイッチング特性
の安定化が達成できなかった。
【００１１】即ち、ＬｉＮｂＯ3 の線膨張率は１０〜１
６×１０-6／℃であるのに対し、ＳｉＯ2 の線膨張率は
４×１０-7／℃であり、ＳｉＯ2 の方が２桁程線膨張率
が小さい。
６×１０-6／℃であるのに対し、ＳｉＯ2 の線膨張率は
４×１０-7／℃であり、ＳｉＯ2 の方が２桁程線膨張率
が小さい。
【００１２】一方、Ｓｉの線膨張率は２．４×１０-6／
℃である。これは、ＬｉＮｂＯ3 の線膨張率に対しては
１桁小さい値であり、ＳｉＯ2 の線膨張率に対して１桁
大きい値である。
℃である。これは、ＬｉＮｂＯ3 の線膨張率に対しては
１桁小さい値であり、ＳｉＯ2 の線膨張率に対して１桁
大きい値である。
【００１３】従って、この大きな線膨張率の差によりＬ
ｉＮｂＯ3 からなる基板１上に非常に大きい応力を発生
してしまう。
ｉＮｂＯ3 からなる基板１上に非常に大きい応力を発生
してしまう。
【００１４】更に、その応力の大きさについても、Ｌｉ
ＮｂＯ3 からなる基板１、ＳｉＯ2膜からなるバッファ
ー層５及びＳｉ膜８の間で線膨張率の差が大きいため、
それぞれの膜の応力が僅かに変動しても基板１が受ける
応力は大きく変動し再現性に乏しいため、作製される導
波路型光デバイスの歩留まりが悪く、コスト高を招いて
いた。
ＮｂＯ3 からなる基板１、ＳｉＯ2膜からなるバッファ
ー層５及びＳｉ膜８の間で線膨張率の差が大きいため、
それぞれの膜の応力が僅かに変動しても基板１が受ける
応力は大きく変動し再現性に乏しいため、作製される導
波路型光デバイスの歩留まりが悪く、コスト高を招いて
いた。
【００１５】本発明の目的は、温度変化に対する出力の
安定化が図れ、歩留まりを向上でき、低コストの導波路
型光デバイスを提供することにある。
安定化が図れ、歩留まりを向上でき、低コストの導波路
型光デバイスを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、以上の問題
点に対し鋭意検討の結果、焦電効果を有する材料からな
る基板に形成された導波路上に、主成分として透明導電
性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜からなる透明
導電膜を形成し、更にその上に電極を形成すれば、かか
る問題点を解決できることを見出した。
点に対し鋭意検討の結果、焦電効果を有する材料からな
る基板に形成された導波路上に、主成分として透明導電
性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜からなる透明
導電膜を形成し、更にその上に電極を形成すれば、かか
る問題点を解決できることを見出した。
【００１７】また、上記透明導電膜の線膨張率を、基板
の線膨張率と実質的に等しくなるようにすれば良いこと
を考案した。
の線膨張率と実質的に等しくなるようにすれば良いこと
を考案した。
【００１８】即ち、本発明によれば、焦電効果を有する
材料からなる基板に形成された導波路上に、主成分とし
て透明導電性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜か
らなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜上に電極を形
成したことを特徴とする導波路型光デバイスが得られ
る。
材料からなる基板に形成された導波路上に、主成分とし
て透明導電性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜か
らなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜上に電極を形
成したことを特徴とする導波路型光デバイスが得られ
る。
【００１９】また、本発明によれば、前記透明導電膜の
線膨張率を、前記基板の線膨張率と実質的に等しくした
ことを特徴とする導波路型光デバイスが得られる。
線膨張率を、前記基板の線膨張率と実質的に等しくした
ことを特徴とする導波路型光デバイスが得られる。
【００２０】
【作用】導波路型光デバイスの製造歩留まり向上のため
には、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板、ＳｉＯ2 膜からなる
バッファー層及びＳｉ膜３者の応力の再現性の向上と応
力の低減が必要である。
には、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板、ＳｉＯ2 膜からなる
バッファー層及びＳｉ膜３者の応力の再現性の向上と応
力の低減が必要である。
【００２１】このため第１の方策として、バッファー層
に僅かに導電性を持たせることができれば、従来のＳｉ
膜を省略でき、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板とバッファー
層の間の応力のみ制御すれば良く、光導波路上に発生す
る応力の再現性を向上できる。
に僅かに導電性を持たせることができれば、従来のＳｉ
膜を省略でき、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板とバッファー
層の間の応力のみ制御すれば良く、光導波路上に発生す
る応力の再現性を向上できる。
【００２２】また、第２の方策として、このバッファー
層の材料の線膨張率をＬｉＮｂＯ3からなる基板の線膨
張率に近くすることで光導波路上に発生する応力の低減
が図れる。
層の材料の線膨張率をＬｉＮｂＯ3からなる基板の線膨
張率に近くすることで光導波路上に発生する応力の低減
が図れる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しつつ説明する。
て、図面を参照しつつ説明する。
【００２４】本実施形態においては、図１に示すよう
に、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上に、Ｔｉ拡散法
によってＴｉ拡散層２からなるマッファツェンダー導波
路を形成した後にホウケイ酸ガラスであるパイレックス
（商標名）とＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）の混合膜からなる導電性バッファー層４を形成し、
更に、導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３
を形成した。
に、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上に、Ｔｉ拡散法
によってＴｉ拡散層２からなるマッファツェンダー導波
路を形成した後にホウケイ酸ガラスであるパイレックス
（商標名）とＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）の混合膜からなる導電性バッファー層４を形成し、
更に、導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３
を形成した。
【００２５】また、導電性バッファー層４の線膨張率が
基板１の線膨張率と実質的に等しくなるようにした。
基板１の線膨張率と実質的に等しくなるようにした。
【００２６】ここで、上述したＳｉ膜からなる導電膜体
を兼ねた導電性バッファー層４に要求される特性として
は、使用波長において透明で屈折率が小さいこと、およ
び抵抗率が１０6 〜１０10（Ω・ｃｍ）であることが考
えられる。
を兼ねた導電性バッファー層４に要求される特性として
は、使用波長において透明で屈折率が小さいこと、およ
び抵抗率が１０6 〜１０10（Ω・ｃｍ）であることが考
えられる。
【００２７】また、基板１の線膨張率と実質的に等しく
なるためには、この導電性バッファー層４の線膨張率が
ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線膨張率、即ち、１０〜
１６×１０-6／℃に近いことが挙げられる。
なるためには、この導電性バッファー層４の線膨張率が
ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線膨張率、即ち、１０〜
１６×１０-6／℃に近いことが挙げられる。
【００２８】これらの条件を単独材料で満足することは
非常に難しく、複数の材料の混合物によって達成した。
非常に難しく、複数の材料の混合物によって達成した。
【００２９】即ち、本発明の実施形態では、透明導電性
物質と、絶縁性の透明物質を混合した膜を形成し、その
混合比を最適化することにより、前述の条件を満足でき
るようにした。
物質と、絶縁性の透明物質を混合した膜を形成し、その
混合比を最適化することにより、前述の条件を満足でき
るようにした。
【００３０】ここで、一般に透明導電性物質としてはＩ
ＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯがあり、絶縁性透明物質として
ＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、パイレックス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2 等が挙げられ、これらのどの材料の組み
合わせによっても十分な特性を持った膜が得られる。
ＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯがあり、絶縁性透明物質として
ＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、パイレックス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2 等が挙げられ、これらのどの材料の組み
合わせによっても十分な特性を持った膜が得られる。
【００３１】また、混合膜の形成法としては、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のい
わゆるＰＶＤ法や、減圧、常圧および加圧ＣＶＤ法があ
り、さらにゾルーゲル法により混合粉末をコーティング
した後に加熱溶融して作製する方法があり、いずれの方
法においても上述の特性を満足する膜が得られる。
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のい
わゆるＰＶＤ法や、減圧、常圧および加圧ＣＶＤ法があ
り、さらにゾルーゲル法により混合粉末をコーティング
した後に加熱溶融して作製する方法があり、いずれの方
法においても上述の特性を満足する膜が得られる。
【００３２】透明導電性物質としてＩＴＯを、絶縁性透
明物質としてパイレックスガラスを使用した場合の抵抗
値を図２に示す。
明物質としてパイレックスガラスを使用した場合の抵抗
値を図２に示す。
【００３３】混合膜の作製法としては、ＲＦスパッタリ
ング法を使用し、φ４のＩＴＯターゲット上にパイレッ
クスガラス（１０×３０×１ｍｍ）のペレットを置き、
ペレットの枚数によって組成比を制御した。
ング法を使用し、φ４のＩＴＯターゲット上にパイレッ
クスガラス（１０×３０×１ｍｍ）のペレットを置き、
ペレットの枚数によって組成比を制御した。
【００３４】図２からわかるように、ペレット枚数を増
やすにつれて抵抗値は大きくなり、パイレックスガラス
８〜１０本で必要とする１０6 〜１０9 （Ω・ｃｍ）が
得られる。
やすにつれて抵抗値は大きくなり、パイレックスガラス
８〜１０本で必要とする１０6 〜１０9 （Ω・ｃｍ）が
得られる。
【００３５】また、パイレックスガラス８〜１０本のと
きの導電性バッファー層４の線膨張率は６．３〜６．０
×１０-6／℃となり、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線
膨張率に近い値となる。
きの導電性バッファー層４の線膨張率は６．３〜６．０
×１０-6／℃となり、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線
膨張率に近い値となる。
【００３６】従って、ＩＴＯ／パイレックス混合膜を導
電性バッファー層４として形成し、その上に電極３を設
置するだけで、温度変化によるドリフトのない導波路型
光デバイスが得られる。
電性バッファー層４として形成し、その上に電極３を設
置するだけで、温度変化によるドリフトのない導波路型
光デバイスが得られる。
【００３７】
【実施例】以下、実施例により、詳細に説明する。
【００３８】上述したように、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からな
る基板１上に、Ｔｉ拡散法によってＴｉ拡散層２からな
るマッファツェンダー導波路を形成した後にパイレック
ス／ＩＴＯ混合膜からなる導電性バッファー層４を形成
したが、このときの、パイレックス／ＩＴＯ混合膜の膜
厚は３０００Ａとし、抵抗率は６×１０9 （Ω・ｃｍ）
であった。
る基板１上に、Ｔｉ拡散法によってＴｉ拡散層２からな
るマッファツェンダー導波路を形成した後にパイレック
ス／ＩＴＯ混合膜からなる導電性バッファー層４を形成
したが、このときの、パイレックス／ＩＴＯ混合膜の膜
厚は３０００Ａとし、抵抗率は６×１０9 （Ω・ｃｍ）
であった。
【００３９】更に、パイレックス／ＩＴＯ混合膜からな
る導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３を３
０００オングストロームの厚さに形成した。
る導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３を３
０００オングストロームの厚さに形成した。
【００４０】この実施例により作製された導波路型光デ
バイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試験
を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を測
定した。この測定結果を図３に示す。
バイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試験
を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を測
定した。この測定結果を図３に示す。
【００４１】この時のサイクル試験の条件は、湿度５０
％一定とし、温度を０℃〜６０℃とした。
％一定とし、温度を０℃〜６０℃とした。
【００４２】図３から、温度変化に対して光強度の変化
が無く、安定していることが分かる。
が無く、安定していることが分かる。
【００４３】更に、実施例と同一の方法により１０個作
製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、光
強度の変化量をヒストグラムにしたのが図４である。
製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、光
強度の変化量をヒストグラムにしたのが図４である。
【００４４】図４から分かるように、温度変化に対して
安定した光変調器が再現性良く得られた。
安定した光変調器が再現性良く得られた。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては、
焦電効果を有する材料からなる基板に形成された導波路
上に、主成分として透明導電性酸化物および透明絶縁性
酸化物の混合膜からなる透明導電膜を形成し、更にその
上に電極を形成したので、光導波路上に発生する応力の
再現性の向上が可能となった。
焦電効果を有する材料からなる基板に形成された導波路
上に、主成分として透明導電性酸化物および透明絶縁性
酸化物の混合膜からなる透明導電膜を形成し、更にその
上に電極を形成したので、光導波路上に発生する応力の
再現性の向上が可能となった。
【００４６】また、上記透明導電膜の線膨張率を、基板
の線膨張率と実質的に等しくなるようにしたので、光導
波路上に発生する応力の低減が図れた。
の線膨張率と実質的に等しくなるようにしたので、光導
波路上に発生する応力の低減が図れた。
【００４７】従って、作製される導波路型光デバイスの
温度変化に対する出力の安定化が図れ、歩留まりを向上
できるので、低コストの導波路型光デバイスを提供し得
る。
温度変化に対する出力の安定化が図れ、歩留まりを向上
できるので、低コストの導波路型光デバイスを提供し得
る。
【図１】本発明の実施形態に係る導波路型光デバイスの
構造を示す概略図である。
構造を示す概略図である。
【図２】図１に示した導波路型光デバイスにおけるパイ
レックス／ＩＴＯ混合膜の抵抗率を示すグラフである。
レックス／ＩＴＯ混合膜の抵抗率を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施例により作製された導波路型光
デバイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試
験を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を
測定した結果を示す図である。
デバイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試
験を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を
測定した結果を示す図である。
【図４】図３に示した実施例と同一の方法により１０個
作製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、
光強度の変化量をヒストグラムにした図である。
作製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、
光強度の変化量をヒストグラムにした図である。
【図５】導波路型光デバイスの一般的な構造を示す概略
図である。
図である。
【図６】図５に示した導波路型光デバイスにおける問題
点を説明するための図である。
点を説明するための図である。
【図７】従来の導波路型光デバイスの構造を示す概略図
である。
である。
１ 基板 ２ Ｔｉ拡散層 ３ 電極 ４ 導電性バッファー層 ５ バッファー層 ６ 電界 ７ 分極電荷 ８ Ｓｉ膜
Claims (9)
- 【請求項１】 焦電効果を有する材料からなる基板に形
成された導波路上に、主成分として透明導電性酸化物お
よび透明絶縁性酸化物の混合膜からなる透明導電膜を形
成し、該透明導電膜上に電極を形成したことを特徴とす
る導波路型光デバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明導電膜の線膨張率を、前記基板の線膨張
率と実質的に等しくしたことを特徴とする導波路型光デ
バイス。 - 【請求項３】 請求項１記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記焦電効果を有する材料として、ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いたことを特徴とする導波路
型光デバイス。 - 【請求項４】 請求項１記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明導電性酸化物をＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏのうちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波
路型光デバイス。 - 【請求項５】 請求項１記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明絶縁性酸化物をＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、ホ
ウケイ酸ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 のう
ちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波路型光
デバイス。 - 【請求項６】 請求項２記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明導電性酸化物をＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏのうちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波
路型光デバイス。 - 【請求項７】 請求項２記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明絶縁性酸化物をＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、ホ
ウケイ酸ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 のう
ちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波路型光
デバイス。 - 【請求項８】 請求項３記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明導電性酸化物としてＩＴＯを、前記透明
絶縁性酸化物としてホウケイ酸ガラスを使用したことを
特徴とする導波路型光デバイス。 - 【請求項９】 請求項３記載の導波路型光デバイスにお
いて、前記透明導電膜の線膨張率を１０〜１６×１０-6
／℃の範囲内としたことを特徴とする導波路型光デバイ
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP316796A JPH09197357A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | 導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP316796A JPH09197357A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | 導波路型光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197357A true JPH09197357A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11549822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP316796A Pending JPH09197357A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09197357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471377A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Nec Tokin Corporation | Electro-optic modulator |
-
1996
- 1996-01-11 JP JP316796A patent/JPH09197357A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471377A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Nec Tokin Corporation | Electro-optic modulator |
| US7123784B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-10-17 | Seikoh Giken Co., Ltd. | Electro-optic modulator with particular diffused buffer layer |
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|---|---|---|---|
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