JPH09197373A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

表示装置及びその駆動方法

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JPH09197373A
JPH09197373A JP755096A JP755096A JPH09197373A JP H09197373 A JPH09197373 A JP H09197373A JP 755096 A JP755096 A JP 755096A JP 755096 A JP755096 A JP 755096A JP H09197373 A JPH09197373 A JP H09197373A
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light emitting
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本願発明の課題は、薄型化、高解像度及び光安
定なフルカラー表示装置及びその駆動方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】本願発明は、導光板の端面の少なくとも一
箇所に光学的に接続された多色発光手段と、前記導光板
の主面上に多色発光手段からの発光を遮光制御する遮光
手段と、を有する表示装置であって、前記多色発光手段
を発光波長ごとに順次点灯させる発光駆動手段と、前記
発光波長ごとの点灯時に遮光手段の透過率を制御する遮
光駆動手段を有する表示装置である。 【効果】比較的簡単な構成により高輝度、薄膜化及び低
消費電力にフルカラー表示可能な表示装置とすることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ等に用い
られる固体発光素子を利用した表示装置に係わり,特に
薄型化、高解像度及び高安定なフルカラー表示装置に係
わる。
【0002】
【従来の技術】今日、ノート型パソコン、携帯電話及び
液晶モニター等が急速に普及している。これに伴って電
子機器の動作状態や画像情報等を表示出力するカラー表
示装置に対する社会の要求がますます高まりを見せてい
る。例えば液晶を利用した表示装置は、夜間や室内など
光の少ない環境下でも使用できるように液晶とそのバッ
クライト用の光源により画像表示させてある。この様な
表示装置としては、液晶装置の背面側にElectro
Luminescence(以下、ELと呼ぶ。)
や、直下式やサイドライト方式を利用した冷陰極管等の
バックライトにより表示するものが挙げられる。
【0003】しかし、表示装置のバックライトとしてE
Lを使用した場合、それ自体が面状発光光源であり薄型
化には向いているものの発光輝度が暗く、寿命が短いと
いう問題点を有する。特に、カラー液晶等のバックライ
トとして使用する場合においては更なる高輝度化、均一
性が求められる上に発光色の選択幅が広いことが要求さ
れるため問題となる。また、サイドライト方式を利用し
た冷陰極管を使用した場合、拡散板と蛍光管を光源とし
て液晶装置を用い表示させることができる。このバック
ライトである面状光源は、発光輝度自体ELに比べ明る
くすることが可能であるが蛍光管の外形が小さいもので
4〜8mmと大きく装置構造が大型化する。蛍光管の外
形を小さくすると極端に発光輝度が低下する。また、寿
命が短く、昇圧回路や安定化回路等を必要とし駆動回路
が複雑化、大型化するという問題点を有する。
【0004】一方、表示装置の光源として比較的寿命が
長く、表示装置が小型化及び薄型化が可能な発光光源と
して固体発光素子である発光素子(以下、LEDと呼
ぶ。)を利用したものが挙げられる。この様な発光素子
を利用したフルカラー表示装置として、実開昭63−4
3177号等が挙げられる。このようなLEDを用いた
カラー表示装置の一例を図5及び図6に示す。図5の様
に青と緑と赤の波長を有するLED601をそれぞれ複
数個平面上に配置し、出力光を反射材603出反射させ
ると共に拡散膜604で拡散させ液晶装置の面発光体と
している。LEDから出力された赤、青、緑の3波長を
液晶装置を用いることにより選択してカラーフィルター
を通すことによりフルカラー表示させることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、カラー
フィルターを通してフルカラー表示させるためには少な
くともRGBそれぞれの絵素を三つ利用し一画素として
構成させなければならず高輝度化、高精細化にとって大
きな問題点であった。また、カラーフィルターを構成す
るためにはフォトリソグラフィー技術を利用するため大
画面化及び高精細化するにはコスト高になるという問題
を有する。さらに、着色層を持つカラーフィルターを用
いて表示させているためどうしてもカラーフィルター分
の光透過ロスが生じ発光面が暗くなる。特に液晶装置自
体も光をある程度遮光するため、場合によっては発光手
段から出力される光の3〜5%程度しか利用されず輝度
が大幅に低くなるという問題がある。カラーフィルター
分の光透過ロスを発光素子の輝度上昇により補おうとす
ると発光手段から発生する発熱により遮光手段が所望ど
うり制御できない、消費電力が増大する等の問題が生じ
る。また、消費電力の増大に伴い発光素子の寿命低下や
発光素子の波長ずれ等が生じるという問題を有するため
実用化できていない。
【0006】RGBをそれぞれ発光する発光素子の構成
材料が違う場合、その材料の違いにより発光素子間に寿
命による輝度ずれ、発熱に伴う発光波長ずれ、消費電力
などの違いによる発光素子間の加熱及び劣化率の違いに
伴う色ずれ等の問題が生じる。特に、表示装置をより小
型化、薄型化、高輝度化及び高速駆動させたパネルディ
スプレイとして形成させる場合は発光手段と遮光手段と
が密接して配置され遮光手段及び発光手段自体が受ける
各影響を無視することができなくなる。本発明は上述の
問題点を解決し、薄型化した高輝度、高信頼性及び低消
費電力を有すると共に、大画面、高精細なフルカラー表
示可能な表示装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願発明は、導光板の端
面の少なくとも一箇所に光学的に接続された多色発光手
段と、前記導光板の主面上に多色発光手段からの発光を
遮光制御する遮光手段と、を有する表示装置であって、
前記多色発光手段を発光波長ごとに順次点灯させる発光
駆動手段と、前記発光波長ごとの点灯時に遮光手段の透
過率を制御する遮光駆動手段を有する表示装置である。
また、前記発光駆動手段及び遮光駆動手段と電気的に接
続され予め記憶されたデータに基づいて前記多色発光手
段の各発光波長の出力値を時間と共にそれぞれ変化させ
る補正手段を有する表示装置でもある。さらに、前記遮
光手段が液晶装置である表示装置、前記多色発光手段が
複数のLEDチップで構成している表示装置、前記LE
Dチップの少なくとも一部が窒化ガリウム半導体から実
質的になる表示装置及び前記多色発光手段は、少なくと
も430〜490nmの発光波長を有する第1の半導体
と495nm〜560nmの発光波長を有する第2の半
導体及び600nm〜700nmの発光波長を有する第
3の半導体とを有する表示装置である。また、多色発光
手段を発光波長ごとに順に発光させると共に前記多色発
光手段の一発光波長が発光時にフレームの一画素に対応
する色表示を前記遮光手段の各遮光率を調節することに
よって混色表示する表示装置の駆動方法であって、前記
多色発光手段の出力値を発光波長ごとに補正する補正信
号に基づいて変更する表示装置の駆動方法である。
【0008】
【効果】本願発明の請求項1の構成とすることにより、
薄型化、小型化した表示装置とすることができる。ま
た、カラーフィルター不要の高輝度、高精細化したフル
カラー表示装置とすることもできる。特に、薄膜化、小
型化した場合においても遮光手段が多色発光手段からの
熱的影響を受けることが極めて小さい表示装置とするこ
とができる。
【0009】本願発明の請求項2の構成とすることによ
り、多色発光手段を構成する発光素子の劣化率の違いを
補正し色ずれを防止することができる。
【0010】本願発明の請求項3の構成とすることによ
り、より薄膜化が可能な表示装置とすることができる。
【0011】本願発明の請求項4の構成とすることによ
り、小型、高輝度及び高安定化したカラー表示装置とす
ることができる。
【0012】本願発明の請求項5の構成とすることによ
り、高輝度、高解像度及び高速駆動が可能なカラー表示
装置とすることができる。
【0013】本願発明の請求項6の構成とすることによ
り、色度分布がNTSC方式より極めて広いフルカラー
表示装置とすることができる。
【0014】本願発明の請求項7の方法とすることによ
り、中間色表示が難しい遮光手段においても高解像度に
フルカラー表示することが可能である。
【0015】
【発明の実施の形態】本願発明者は種種の実験の結果、
多色発光手段と遮光手段とをそれぞれ駆動させることに
よって高精細にフルカラー表示可能な表示装置とするこ
とができることを見いだし本願発明を成すに至った。即
ち、本願発明者はRGBのそれぞれの絵素のカラーフィ
ルターを用いて一画素を構成し表示させる表示装置と異
なり、多色発光手段からの3原色を導光板を介して順次
発光させるとともに一画素における各色の遮光率を画像
信号に応じて変化させ一画素でカラー表示の位置ドット
を表示させたフルカラー表示可能な表示装置とするもの
である。これによって、多色発光手段からの熱による遮
光手段への影響を極めて小さくしつつ発光素子へのRG
Bに対応したカラーフィルターを省略することが可能と
なり表示装置全体として輝度を向上、高精細化を達成す
ることができる。また、多色発光手段を構成する半導体
が発光波長ごとに異なる半導体材料を利用した場合にお
いて生じる特性の変化も遮光手段の遮光時間を調整する
ことにより制御することもできる。
【0016】特に、表示装置をより小型化薄型化させた
パネルディスプレイとして形成させ発光手段と遮光手段
とが密接して配置された場合においても発光手段から発
生する熱により遮光手段が受ける影響等を低減した表示
装置とすることができる。
【0017】以下図面を用いて本願発明を詳述する。図
1は本願発明の表示装置の一例を示す概略透過図であ
り、図2は、図1のa−a断面を示した本願発明の模式
的断面図である。図1及び図2において反射機能を有す
る支持体上にRGBがそれぞれ発光可能な半導体発光素
子が配置された多色発光手段103が導光板102と光
学的に接続されている。導光板102の裏面には発光素
子からの光を反射させる反射材201が配置され、導光
板102の表面側には裏面から反射された光を均一にさ
せるための拡散膜205が設けられている。導光板10
2の上面には拡散膜を介して発光素子と同期して駆動す
る遮光手段101としての液晶装置を配置してある。遮
光手段としての液晶装置101は、透明電極203が形
成された透光性支持体202としてのガラス間に液晶2
04が注入され構成されたものに偏光板206が設けら
れている。
【0018】(遮光手段101)本願発明に用いられる
遮光手段101とは、導光板102を介した多色発光手
段103からの発光を多色発光手段103と同期した情
報信号により遮光率を制御するものである。具体的には
種種の液晶、誘電体ミラーなどを利用するによって形成
することができる。本願発明では、遮光手段103の遮
光率によって各画素の発光色及び輝度が決定される。こ
の様な遮光手段としては、ネマチック液晶やスメチック
液晶を用いて強誘電性を持たせた強誘電体液晶(Ferroe
lectric Liquid Crystal)204等を配向処理させたS
iO2等の透明電極203を有するほう珪酸ガラス、ア
ルミナ系などの透光性支持体202に挟み込んで形成さ
せた液晶装置が好適に用いられる。駆動は、薄膜ダイオ
ードやTFTを用いたアクティブ・マトリックスや単純
マトリックスが挙げられる。
【0019】本願発明で遮光手段101として液晶20
4を用いた場合は、多色発光手段103から照射される
光のうち紫外光成分が含有されていれば高分子液晶の二
重結合が切れる等により遮光手段101の特性が劣化す
る場合がある。ひどい場合には遮光手段101として機
能しなくなるため遮光手段101と多色発光手段103
との間に紫外線吸収層を設けることが好ましい。このよ
うな紫外線吸収層としては、紫外線吸収材が含有された
樹脂フィルムやガラス等が挙げられる。あるいは導光板
に紫外線吸収材を含有させて構成させても良い。紫外線
吸収層としてガラスを用いた場合は液晶を挟持する透光
性支持体と兼用して構成しても良い。
【0020】(導光板102)本願発明に用いられる導
光板102としては、多色発光手段103からの光を効
率よく導き面状にさせると共に多色発光手段からの発熱
を直接遮光手段101に伝達することを防ぐものであり
透過率、耐熱性に優れ均一に形成できることが求められ
る。また、導光板102の形状は所望に応じて長方形や
多角形等種種の形状とすることができる。具体的な構成
材料としては、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、
硝子等が挙げられる。導光板102の厚みは、板厚が厚
いほど光の利用効率が高くなるが多色発光手段を構成す
る発光素子の配置や種類等から1mm以上10mm以下
が好ましい。導光板の端面に発光素子が埋設されること
により、導光板102と多色発光手段103とが光学的
に接続されている。また、導光板が四角形であれば四方
の端面全てに多色発光手段103を接続してもよいこと
はいうまでもなく、多色発光手段103を構成する発光
素子であるLEDの個数も限定するものではない。
【0021】また、導光板102の下側と側面等に導光
板内部を反射しながら進んできた光を無駄なく発光面方
向に反射させる反射材201を設けることが好ましい。
反射材201は、多色発光手段103からの光を導光板
内に散乱させるものであればよく形状や大きさは特定さ
れず、導光板102を保持するケース状部材と兼用する
ことや導光板の面上に加工することもできる。また、導
光板を利用して均一に面状発光させるためには反射材2
01をストライプ状とし、表面輝度が一定となるよう
に、多色発光手段に接近するにつれて、単位面積あたり
の反射材201の面積を減じるようなパターンとするこ
とができる。さらに、多色発光手段103を構成する発
光素子の配置により、発光を面状均一とするように反射
材201の形状を適宜変更することができる。さらに、
反射材と接する導光板面に凹凸を形成させることで多色
発光手段からの光をより散乱させ均一発光とすることが
できる。反射材201は、多色発光手段から放出される
発光に対して95%以上の反射率を有するものが好まし
く、より好ましくは98%以上のものである。また、導
光板上に設けられることからその上に設けられる遮光手
段101などとの配置を考慮して好ましくは3mm以
下、より好ましくは1mm以下の膜厚が好ましい。上述
の反射率を満たす反射材の材料としてはポリエチレンテ
レフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピ
レン樹脂等の樹脂中に反射材としてチタン酸バリウム、
酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、燐酸カルシ
ウム等を含有させて形成させたフィルム状部材が挙げら
れる。また、Al、Ag、Cu等の金属膜を導光板10
2上にメッキ、スパッタリングにより形成させても良
い。さらに、白色顔料が含有された発砲ポリエステル等
をフィルム状に加工したものも挙げられる。これら反射
材はシリコン樹脂やエポキシ樹脂等によって導光板10
2に装着することができる。
【0022】さらに、導光板102の上面には、導光板
102からの光を散乱させて輝度を均一化する働きをす
る拡散膜205を設けることが好ましい。このような拡
散膜205としては光透過率が高く効率よく光を拡散さ
せることが必要であり、50%以上の透過率を有するこ
とが好ましく、より好ましくは70%以上である。拡散
膜205の材質として透明で耐熱性が高いポリカーボネ
ートフィルムやポリエステルフィルムに屈折性微粒子樹
脂ビーズや透光性無機微粒子をコーティングしたものさ
らにはエンボス加工したものが挙げられる。また、拡散
膜205と接する導光板102面に凹凸を形成させるこ
とで拡散膜205が導光板102に張り付くためにでき
る干渉縞を防止することができる。なお、均一な輝度の
ために白色顔料を多色発光手段103からの距離に反比
例させて含有させ濃淡をつけた拡散膜205とすること
もできる。
【0023】なお本発明において、多色発光手段103
と導光板102の端面とが光学的に接続されていると
は、導光板の端部から多色発光手段103が発光する光
を導入することをいう。具体的には多色発光手段103
を構成する発光素子を導光板に埋設することはもちろん
のこと、発光素子を光透過性樹脂などにより接着した
り、光ファイバー等を用いて導光板の端面に発光素子の
発光を導くことである。
【0024】(多色発光手段103)本願発明に用いら
れる多色発光手段103としては発光波長の異なる半導
体発光素子を反射機能を有する基板上等に配置したもの
があげられる。多色発光手段103を構成する発光素子
は、液相成長法やMOCVD法等により基板上にGaA
lN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlA
s、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInG
aN等の半導体を発光層として形成させた物が好適に用
いられる。半導体の構造としては、MIS接合やPN接
合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ
構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度
によって発光波長を紫外光から赤外光まで種種選択する
ことができる。発光素子は発光波長ごとに複数個用いて
も良いし、複数の発光波長を有する発光層を一つの基板
上に形成させた発光素子としても良い。本発明では一つ
の発光波長を発光する発光素子の発光出力は200μW
以上、更に好ましくは300μW以上の出力が好まし
い。発光素子であるLEDの発光出力が200μWより
も少ないと、たとえ導光板102の端面に光学的に接続
する多色発光手段103を構成するLEDの数を増やし
ても、充分な明るさの均一な面状発光の光源が得られに
くい傾向にあるからである。
【0025】また、本願発明の多色発光手段103は、
遮光手段101と同期して高速に表示させ必要がある。
このような具体的、半導体材料としては、緑色及び青色
を発光する半導体は窒化ガリウム系化合物半導体を用い
ることが好ましく、また、赤色ではガリウム・アルミニ
ウム・砒素系の半導体やアルミニウム・インジュウム・
ガリウム・燐系の半導体を用いることが好ましい。ま
た、波長の異なるLEDチップは、所望によって複数用
いることができ、例えば青色を1個、緑色及び赤色をそ
れぞれ2個ずつとすることが出来る。フルカラー表示装
置の多色発光手段としての発光素子は色範囲を広げるた
めに赤色の発光波長が600nmから700nm、緑色
が495nmから565nm、青色の発光波長が430
nmから490nmであることが好ましい。
【0026】多色発光手段103は、導光板102端面
と隙間なく配すことができ発光素子の各LEDチップを
嵌入しうる溝が形成される支持体に配されることが好ま
しい。具体的には加熱溶着で形成できる支持体の材料と
して、ポリカーボネート、ポリエチレン、アクリル、ウ
レタン、塩化ビニル、ナイロン、ポリエチレンテレフタ
レートが好ましい。さらに、支持体は導光板102の端
面支持体に向かう光を効率よく反射して、導光板102
に入射させるために白色に着色していることが好まし
い。また、多色発光手段103を構成する発光素子から
の発熱量が多くなる。そのため熱伝導部材を介して共通
基板上に発光素子を配しても良い。熱伝導部材としては
熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、0.0
1cal/cm2/cm/℃以上が好ましくより好まし
くは 0.5cal/cm2/cm/℃以上である。これ
らの条件を満たす材料としては、鉄、銅、アルミニウ
ム、鉄入り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラ
ミック等が挙げられる。
【0027】(駆動手段301、302)本願発明に用
いられる駆動手段とは、多色発光手段の発光波長ごとに
順次発光させる発光駆動手段301と、多色発光手段1
03と同期させ遮光手段101を一画素における各色の
遮光率を画像信号に応じて変化させ一画素で多色表現さ
せるために用いられる遮光駆動手段302とが挙げられ
る。具体的には図4に記載の如く時分割したRGBの発
光波長をさらに、遮光手段の遮光率によって、発光色の
階調及び混色を表現させる。なお、多色発光素子はRG
B時分割で表示するには連続的に発光させてもパルスで
発光させてもよい。したがって、人間の目の残像現象に
より一画素のRGBのそれぞれの遮光率でその画素の色
が決定されることとなる。この様な駆動手段としてはC
PUを用いた同期回路により遮光手段101及び多色発
光手段103をそれぞれ高速駆動させることによって構
成することができる。
【0028】(補正手段303)本願発明に用いられる
補正手段としては、多色発光手段の発光素子の半導体材
料が異なることによって生じる劣化率の違いなどを予め
ROM等に記憶させておき時間と共に多色発光素子の発
光出力が変化する分を補正するために用いられるもので
ある。補正された値は発光駆動手段にフィード・バック
され劣化率の違いに伴う出力変動分を上乗せして多色発
光手段を駆動させれば良い。なお、出力変動分は全ての
発光素子に対して補正しても良いし、一番輝度の明るい
発光素子の出力を基準として補正させても良い。したが
って、多色発光素子の各波長の輝度をセンサーにより測
定しつつ補正しても予め決められた補正値によって自動
的に補正しても良い。この様な補正手段は、各種演算回
路を有するCPU等により種々構成することができる。
【0029】
【実施例】
[実施例1]白色反射部材であるチタン酸バリウムをア
クリル系バインダー中に分散したものを厚さ2mmのア
クリル板の片面にスクリーン印刷し硬化させることによ
って裏面反射材を形成した。次に、裏面反射材が形成さ
れたアクリル板を10×8cmの長方形に切断し、アク
リル板の端面(切断面)を全て研磨した後、多色発光手
段が光学的に接続される端面を除いて研磨面にAlの側
面反射材を形成することにより、反射材が形成された導
光板を得た。
【0030】多色発光手段を構成する発光素子の各LE
Dチップは、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体とし
てそれぞれInGaN(発光波長525nm)、InG
aN(発光波長470nm)、GaAlAs(発光波長
660nm)を使用して構成させた。具体的には、赤色
を発光するLEDチップ用の半導体ウエハーは、温度差
液晶成長法で連続的にP型ガリウム・砒素基板上にP型
GaAlAsを成長し、その上にN型GaAlAsを成
長し、発光領域であるP型GaAlAsを形成させる。
青色及び緑色を発光する半導体ウエハーは、厚さ400
μmのサファイヤ基板上にN型及びP型窒化ガリウム化
合物半導体をMOCVD成長法でそれぞれ5μm、1μ
m堆積させヘテロ構造のPN接合を形成したものであ
る。なお、P型窒化ガリウム半導体は、P型ドーパント
であるMgをドープした後アニールして形成させInの
含有量をかえることで発光波長を制御している。
【0031】こうしてできたウエハーをそれぞれ350
μ角にしRGBのLEDチップを発光素子として共通支
持体上にAgペーストを用いて固定させた後、電気的接
続を行った。多色発光手段を構成する共通の支持体はポ
リカーボネート樹脂10g中に酸化珪素6g含有させた
ものを熱硬化により一体形成した。一体形成された支持
体には、導光板の端面の大きさに合わせて直方体に形成
され発光素子がそれぞれ配置できるよう3箇所穴が設け
られてある。導光板と多色発光手段とを透光性樹脂を用
いて光学的に接続させた後、導光板の発光面上にはポリ
カーボネートのエンボスフィルムである白色拡散層を全
面に渡って配置した。
【0032】一方、遮光手段を形成するために透光性基
板であるガラス基板上にスパッタリングによってSnO
2の透明電極を、プラズマCVD法を用いてTFTをそ
れぞれ形成させた。次に、この透光性支持体間に強誘電
体液晶が注入できるようよう端部をシール材で封止した
後、透光性支持体間に強誘電体液晶を注入させた。こう
してできた液晶パネル上に偏光板を配置することによっ
て遮光手段を形成させた。多色発光手段が光学的に接続
された導光板上に配置させた遮光手段及び導光板に接続
された多色発光手段をそれぞれワンチップマイコンを使
用し駆動手段によって遮光手段と多色発光手段とをそれ
ぞれ同期させて駆動させた。こうしてできた表示装置を
電源を接続し白色を発光させたところケリーチャートの
色度座標で(0.29、0.31)で78cd/m2
あった。この表示装置をRBGのパルス信号をそれぞれ
流すことによって時分割的に発光させる一方、遮光手段
を画像信号に応じて各発光波長ごとに図4の如く遮光率
を制御した。この表示装置により高精細に動画が表示で
きることが確認できた。
【0033】(実施例2)発光駆動手段に劣化率の補正
値を予め記憶させた補正手段を電気的に接続させた以外
は実施例1と同様に構成させた。実施例1及び実施例2
をそれぞれ2000時間駆動させたところ1000時間
まではいずれの実施例においても色バランス良く発光し
た。2000時間を越えるような長時間駆動の場合は、
実施例1の多色発光手段に用いられているGaAlAs
半導体から出力される赤色の光が30%低下し、一方、
InGaN半導体から出力される緑色及び青色の光が1
0%低下した。多色発光させたときケリーチャートの色
度座標が(0.27、0.29)となりホワイトバラン
スが崩れていた。実施例2の表示装置は、ケリーチャー
トの色度座標で(0.29、0.31)のままであっ
た。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表示装置
は、比較的簡単な構成により高輝度、薄膜化、低消費電
力にフルカラー表示可能な表示装置とすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本願発明の表示装置の模式的透視図である。
【図2】 図1に示した本願発明の表示装置のa-a模式
的断面図である。
【図3】 本願発明の構成を示すブロック図である。
【図4】 本願発明の表示装置を利用した駆動方法であ
る。
【図5】 本願発明と比較のために示した表示装置の模
式的透視図である。
【図6】 図5に示した比較のための表示装置のb-b模
式的断面図である。
【符号の説明】
101・・・・・遮光手段 102・・・・・導光板 103・・・・・多色発光手段 201・・・・・反射材 202・・・・・透光性支持体 203・・・・・透明電極 204・・・・・液晶 205・・・・・拡散膜 206・・・・・偏光板 301・・・・・発光駆動手段 302・・・・・遮光駆動手段 303・・・・・補正手段 601・・・・・LED 602・・・・・導光板 603・・・・・反射材 604・・・・・拡散膜

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導光板の端面の少なくとも一箇所に光学的
    に接続された多色発光手段と、前記導光板の主面上に多
    色発光手段からの発光を遮光制御する遮光手段と、を有
    する表示装置であって、 前記多色発光手段を発光波長ごとに順次点灯させる発光
    駆動手段と、前記発光波長ごとの点灯時に遮光手段の透
    過率を制御する遮光駆動手段を有することを特徴とする
    表示装置。
  2. 【請求項2】前記発光駆動手段及び遮光駆動手段と電気
    的に接続され予め記憶されたデータに基づいて前記多色
    発光手段の各発光波長の出力値を時間と共にそれぞれ変
    化させる補正手段を有する請求項1記載の表示装置。
  3. 【請求項3】前記遮光手段が液晶装置である請求項1記
    載の表示装置。
  4. 【請求項4】前記多色発光手段が複数のLEDチップで
    構成している請求項1記載の表示装置。
  5. 【請求項5】前記LEDチップの少なくとも一部が窒化
    ガリウム半導体から実質的になる請求項4記載の表示装
    置。
  6. 【請求項6】前記多色発光手段は、少なくとも430〜
    490nmの発光波長を有する第1の半導体と495n
    m〜560nmの発光波長を有する第2の半導体及び6
    00nm〜700nmの発光波長を有する第3の半導体
    とを有する請求項1記載の表示装置。
  7. 【請求項7】多色発光手段を発光波長ごとに順に発光さ
    せると共に前記多色発光手段の一発光波長が発光時にフ
    レームの一画素に対応する色表示を前記遮光手段の各遮
    光率を調節することによって混色表示する表示装置の駆
    動方法であって、前記多色発光手段の出力値を発光波長
    ごとに補正する補正信号に基づいて変更することを特徴
    とする表示装置の駆動方法。
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