JPH09199303A - 電子素子及びその製造方法 - Google Patents
電子素子及びその製造方法Info
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- JPH09199303A JPH09199303A JP783296A JP783296A JPH09199303A JP H09199303 A JPH09199303 A JP H09199303A JP 783296 A JP783296 A JP 783296A JP 783296 A JP783296 A JP 783296A JP H09199303 A JPH09199303 A JP H09199303A
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基体の保護と、電極の剥離が起きないように
した電子素子を提供することである。 【解決手段】 電子素子の基体と、この基体の表面を覆
う保護膜と、前記基体に電気的に接続して設けられた前
記保護膜成分を含有する電極とを具備し、前記保護膜と
電極との境界領域は両者の成分が融合してなる電子素
子。
した電子素子を提供することである。 【解決手段】 電子素子の基体と、この基体の表面を覆
う保護膜と、前記基体に電気的に接続して設けられた前
記保護膜成分を含有する電極とを具備し、前記保護膜と
電極との境界領域は両者の成分が融合してなる電子素
子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばチップ型Ｐ
ＴＣサーミスタ等の電子素子に関する。
ＴＣサーミスタ等の電子素子に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】チップ型ＰＴＣサーミ
スタとして種々のものが知られているが、角形チップ状
の基体の両端部に電極を備え、電極形成部を除く基体表
面の殆どが外気に対して露出した構造のものが基本的な
ものである。このようなＰＴＣサーミスタは、例えば半
導体セラミックス製の原板を長尺状の短冊形に成形し、
この短冊形体の両端縁に電極を形成した後、複数個にス
ライスすることで得られている。
スタとして種々のものが知られているが、角形チップ状
の基体の両端部に電極を備え、電極形成部を除く基体表
面の殆どが外気に対して露出した構造のものが基本的な
ものである。このようなＰＴＣサーミスタは、例えば半
導体セラミックス製の原板を長尺状の短冊形に成形し、
この短冊形体の両端縁に電極を形成した後、複数個にス
ライスすることで得られている。
【０００３】しかし、上記構造のＰＴＣサーミスタは、
基体の表面の殆どが外気に対して露出している為、外気
の影響を受け、特性の劣化がもたらされ、信頼性が低下
する。例えば、塩化水素、アンモニア、硫化水素、亜硫
酸ガス等の腐食性ガス雰囲気下で使用されると、これら
のガスによって基体そのものが侵食を受け、特性の劣化
がもたらされ、信頼性が低下する。又、腐食性ガス雰囲
気下ではなく、真空雰囲気下で使用されても、基体を構
成する材料中の酸素成分等が抜けることが有り、特性の
劣化がもたらされ、信頼性が低下する。
基体の表面の殆どが外気に対して露出している為、外気
の影響を受け、特性の劣化がもたらされ、信頼性が低下
する。例えば、塩化水素、アンモニア、硫化水素、亜硫
酸ガス等の腐食性ガス雰囲気下で使用されると、これら
のガスによって基体そのものが侵食を受け、特性の劣化
がもたらされ、信頼性が低下する。又、腐食性ガス雰囲
気下ではなく、真空雰囲気下で使用されても、基体を構
成する材料中の酸素成分等が抜けることが有り、特性の
劣化がもたらされ、信頼性が低下する。
【０００４】又、チップ型ＰＴＣサーミスタを回路基板
に実装する場合、基体の表面にフラックス等の薬剤が付
着することも有り、残存フラックスによって基体の特性
劣化がもたらされ、信頼性が低下する。又、チップ型Ｐ
ＴＣサーミスタを回路基板に半田付けした場合、半田が
電極部のみでなく基体の表面にも付き、短絡が起き、所
望の抵抗値にならない場合が有る。
に実装する場合、基体の表面にフラックス等の薬剤が付
着することも有り、残存フラックスによって基体の特性
劣化がもたらされ、信頼性が低下する。又、チップ型Ｐ
ＴＣサーミスタを回路基板に半田付けした場合、半田が
電極部のみでなく基体の表面にも付き、短絡が起き、所
望の抵抗値にならない場合が有る。
【０００５】このような欠点を解決する為、図３に示す
如く、基体１１の少なくとも両主表面をガラスのコーテ
ィング層１２で被覆し、この基体１１の両端部に、基体
１１の端面とコーティング層１２の両端縁部それぞれを
覆うように電極１３を形成したことを特徴とするチップ
型ＰＴＣサーミスタが提案（実公平５−４７４４４号公
報）されている。
如く、基体１１の少なくとも両主表面をガラスのコーテ
ィング層１２で被覆し、この基体１１の両端部に、基体
１１の端面とコーティング層１２の両端縁部それぞれを
覆うように電極１３を形成したことを特徴とするチップ
型ＰＴＣサーミスタが提案（実公平５−４７４４４号公
報）されている。
【０００６】しかし、この提案のものでも充分なもので
なかった。すなわち、基体１１の少なくとも両主表面が
ガラスのコーティング層１２で被覆されていることか
ら、基体１１に対するコーティング層１２による保護は
厚いものの、電極１３が基体１１の端面とコーティング
層１２の両端縁部を覆うように形成されている為、つま
り電極１３の端部１３ａ，１３ｂが外に突出した構造と
なっている為、電極１３の端部１３ａ，１３ｂからの剥
離が起き易い。ところで、電極１３に、端部１３ａ，１
３ｂからの剥離が起きると、これは所望の抵抗値になら
ない。
なかった。すなわち、基体１１の少なくとも両主表面が
ガラスのコーティング層１２で被覆されていることか
ら、基体１１に対するコーティング層１２による保護は
厚いものの、電極１３が基体１１の端面とコーティング
層１２の両端縁部を覆うように形成されている為、つま
り電極１３の端部１３ａ，１３ｂが外に突出した構造と
なっている為、電極１３の端部１３ａ，１３ｂからの剥
離が起き易い。ところで、電極１３に、端部１３ａ，１
３ｂからの剥離が起きると、これは所望の抵抗値になら
ない。
【０００７】よって、基体１１の保護と、電極１３の剥
離が起きないようにすることは極めて大事である。従っ
て、本発明の課題は、基体の保護と、電極の剥離が起き
ないようにした電子素子を提供することである。
離が起きないようにすることは極めて大事である。従っ
て、本発明の課題は、基体の保護と、電極の剥離が起き
ないようにした電子素子を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、電
子素子の基体と、この基体の表面を覆う保護膜と、前記
基体に電気的に接続して設けられた前記保護膜成分を含
有する電極とを具備し、前記保護膜と電極との境界領域
は両者の成分が融合してなることを特徴とする電子素子
によって達成される。
子素子の基体と、この基体の表面を覆う保護膜と、前記
基体に電気的に接続して設けられた前記保護膜成分を含
有する電極とを具備し、前記保護膜と電極との境界領域
は両者の成分が融合してなることを特徴とする電子素子
によって達成される。
【０００９】特に、電子素子の基体と、この基体の表面
を覆うガラス膜と、前記基体に電気的に接続して設けら
れた前記ガラス成分を含有する電極とを具備し、前記ガ
ラス膜と電極との境界領域は両者の成分、特にガラス成
分が融合してなることを特徴とする電子素子によって達
成される。又、電子素子の基体と、この基体の表面を覆
うようガラスペーストを塗布・焼成することにより構成
されたガラス膜と、前記基体に電気的に接続して設けら
れた導電性粉末１００重量部に対してガラスフリットを
１〜１５重量部含有する導電性ペーストを塗布・焼成す
ることにより構成された電極とを具備し、前記ガラス膜
と電極との境界領域は両者の成分、特にガラス成分が融
合してなることを特徴とする電子素子によって達成され
る。
を覆うガラス膜と、前記基体に電気的に接続して設けら
れた前記ガラス成分を含有する電極とを具備し、前記ガ
ラス膜と電極との境界領域は両者の成分、特にガラス成
分が融合してなることを特徴とする電子素子によって達
成される。又、電子素子の基体と、この基体の表面を覆
うようガラスペーストを塗布・焼成することにより構成
されたガラス膜と、前記基体に電気的に接続して設けら
れた導電性粉末１００重量部に対してガラスフリットを
１〜１５重量部含有する導電性ペーストを塗布・焼成す
ることにより構成された電極とを具備し、前記ガラス膜
と電極との境界領域は両者の成分、特にガラス成分が融
合してなることを特徴とする電子素子によって達成され
る。
【００１０】又、電子素子の基体の表面にガラスペース
トを塗布するＡ工程と、電子素子の基体に電気的に接続
されるようガラスフリットを含有する導電性ペーストを
塗布するＢ工程と、前記Ａ，Ｂ塗布工程の後で焼成する
焼成工程とを具備することを特徴とする電子素子の製造
方法によって達成される。
トを塗布するＡ工程と、電子素子の基体に電気的に接続
されるようガラスフリットを含有する導電性ペーストを
塗布するＢ工程と、前記Ａ，Ｂ塗布工程の後で焼成する
焼成工程とを具備することを特徴とする電子素子の製造
方法によって達成される。
【００１１】尚、保護膜（ガラス膜）や電極に用いられ
るガラスとしては、硼珪酸鉛ガラス（例えば、ＰｂＯ；
２０モル％以上〜８０モル％未満，Ｂ2 Ｏ3 ；２０モル
％以上〜８０モル％未満，ＳｉＯ2 ；１０モル％未満の
ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系のガラス）等を用いるこ
とが出来る。勿論、これ以外のガラスであっても良い。
るガラスとしては、硼珪酸鉛ガラス（例えば、ＰｂＯ；
２０モル％以上〜８０モル％未満，Ｂ2 Ｏ3 ；２０モル
％以上〜８０モル％未満，ＳｉＯ2 ；１０モル％未満の
ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系のガラス）等を用いるこ
とが出来る。勿論、これ以外のガラスであっても良い。
【００１２】形成される保護膜（ガラス膜）の厚さは
０．１〜６０μｍ（望ましくは１〜５０μｍ、より望ま
しくは５〜５０μｍ）程度であるのが好ましい。電極に
用いられる導電性材料としては、例えばＡｇ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ
等の金属の中から選ばれるものを用いることが出来る。
０．１〜６０μｍ（望ましくは１〜５０μｍ、より望ま
しくは５〜５０μｍ）程度であるのが好ましい。電極に
用いられる導電性材料としては、例えばＡｇ，Ａｌ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ
等の金属の中から選ばれるものを用いることが出来る。
【００１３】電極を構成する為、導電性ペースト中に含
ませるガラスフリットの含有量は、導電性粉末１００重
量部に対してガラスフリットが望ましくは１〜１５重量
部、更に望ましくは５〜１２重量部、もっと望ましくは
７〜１０重量部である。すなわち、ガラスフリットの含
有量を上記のようにすることによって、ガラス膜と電極
との境界領域における融合・一体化が極めて好ましいも
のになる。
ませるガラスフリットの含有量は、導電性粉末１００重
量部に対してガラスフリットが望ましくは１〜１５重量
部、更に望ましくは５〜１２重量部、もっと望ましくは
７〜１０重量部である。すなわち、ガラスフリットの含
有量を上記のようにすることによって、ガラス膜と電極
との境界領域における融合・一体化が極めて好ましいも
のになる。
【００１４】尚、電極部分を除いた基体全表面が保護膜
（ガラス膜）で覆われることが好ましいが、部分的に基
体が露出していても良い。そして、上記のように構成さ
せると、特に基体の表面にガラスペーストを塗布すると
共に、ガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布
し、焼成することにより、保護膜としてのガラス膜と電
極膜との境界領域はガラス成分が融合して一体化し、図
３で示されるような電極膜が剥離し易い構造のものから
剥離し難い構造のものに変化している。すなわち、電極
膜がガラス膜を覆うタイプのものとは異なり、融合一体
化したものとなっている。この為、電極膜が剥離し難い
ものとなっている。かつ、基体の表面が保護膜（ガラス
膜）で覆われているから、基体が雰囲気ガス等によって
悪影響を受け難く、品質の耐久性にも富む。
（ガラス膜）で覆われることが好ましいが、部分的に基
体が露出していても良い。そして、上記のように構成さ
せると、特に基体の表面にガラスペーストを塗布すると
共に、ガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布
し、焼成することにより、保護膜としてのガラス膜と電
極膜との境界領域はガラス成分が融合して一体化し、図
３で示されるような電極膜が剥離し易い構造のものから
剥離し難い構造のものに変化している。すなわち、電極
膜がガラス膜を覆うタイプのものとは異なり、融合一体
化したものとなっている。この為、電極膜が剥離し難い
ものとなっている。かつ、基体の表面が保護膜（ガラス
膜）で覆われているから、基体が雰囲気ガス等によって
悪影響を受け難く、品質の耐久性にも富む。
【００１５】又、回路基板に実装する場合、表面にフラ
ックス等の薬剤が付着しても、残存フラックスによって
基体の特性劣化がもたらされ難く、信頼性が高い。又、
回路基板に半田付けした場合、表面に半田が付いても短
絡が起きない。
ックス等の薬剤が付着しても、残存フラックスによって
基体の特性劣化がもたらされ難く、信頼性が高い。又、
回路基板に半田付けした場合、表面に半田が付いても短
絡が起きない。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る電子素子の１
実施形態の概略断面図、図２は本発明の電子素子の製造
工程（ガラス膜および電極膜の塗布工程後であって、焼
成前）での概略断面図である。１は、例えばチタン酸バ
リウム等の半導体材料からなる直方体形状の電子素子の
基体である。
実施形態の概略断面図、図２は本発明の電子素子の製造
工程（ガラス膜および電極膜の塗布工程後であって、焼
成前）での概略断面図である。１は、例えばチタン酸バ
リウム等の半導体材料からなる直方体形状の電子素子の
基体である。
【００１７】２は、基体１の主表面に設けられたガラス
膜（保護膜）である。３は、基体１の両端面に設けられ
た電極膜である。ガラス膜２や電極膜３は、次のように
して形成される。先ず、所定の幅を有する短冊状に形成
された原料板体１ａの両主表面に、ガラス粉末ペースト
２ａをスクリーン印刷等の方法で焼成後の厚さが５〜５
０μｍとなるよう塗布する。又、ガラスフリットを含有
する導電性ペースト３ａを原料板体１ａの両端面に焼成
後の厚さが５〜５０μｍとなるよう塗布する。
膜（保護膜）である。３は、基体１の両端面に設けられ
た電極膜である。ガラス膜２や電極膜３は、次のように
して形成される。先ず、所定の幅を有する短冊状に形成
された原料板体１ａの両主表面に、ガラス粉末ペースト
２ａをスクリーン印刷等の方法で焼成後の厚さが５〜５
０μｍとなるよう塗布する。又、ガラスフリットを含有
する導電性ペースト３ａを原料板体１ａの両端面に焼成
後の厚さが５〜５０μｍとなるよう塗布する。
【００１８】ガラス粉末ペースト２ａは、エチルセルロ
ースあるいはニトロセルロース等の高温で炭化するより
も分解・揮発性が高いバインダ樹脂をテルピネオール等
の溶剤に２〜１５ｗｔ％となるよう混合・分散させた溶
液１重量部に対して、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス（ＰｂＯ；４０モル％，Ｂ2 Ｏ3 ；５５モル％，Ｓ
ｉＯ2 ；５モル％）の粉末を６〜１０重量部添加し、充
分に混練したものである。導電性ペースト３ａは、エチ
ルセルロースあるいはニトロセルロース等の高温で炭化
するよりも分解・揮発性が高いバインダ樹脂をテルピネ
オール等の溶剤に２〜１５ｗｔ％となるよう混合・分散
させた溶液１重量部に対して、Ａｇ粉末８〜１８重量
部、前記と同じＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの
粉末を０．１〜２重量部（Ａｇ粉末１００重量部に対し
てＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの粉末は１〜１
５重量部の範囲内となるよう）添加し、充分に混練した
ものである。
ースあるいはニトロセルロース等の高温で炭化するより
も分解・揮発性が高いバインダ樹脂をテルピネオール等
の溶剤に２〜１５ｗｔ％となるよう混合・分散させた溶
液１重量部に対して、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス（ＰｂＯ；４０モル％，Ｂ2 Ｏ3 ；５５モル％，Ｓ
ｉＯ2 ；５モル％）の粉末を６〜１０重量部添加し、充
分に混練したものである。導電性ペースト３ａは、エチ
ルセルロースあるいはニトロセルロース等の高温で炭化
するよりも分解・揮発性が高いバインダ樹脂をテルピネ
オール等の溶剤に２〜１５ｗｔ％となるよう混合・分散
させた溶液１重量部に対して、Ａｇ粉末８〜１８重量
部、前記と同じＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの
粉末を０．１〜２重量部（Ａｇ粉末１００重量部に対し
てＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの粉末は１〜１
５重量部の範囲内となるよう）添加し、充分に混練した
ものである。
【００１９】そして、図２に示す如く、ガラス粉末ペー
スト２ａや導電性ペースト３ａが塗布された後、これを
焼成炉に入れて４５０〜９００℃に保持して焼成する
と、ガラス膜２や電極膜３が形成される。この後、原料
板体１ａを長手方向において所定の幅にスライスするこ
とによって図１に示されるチップ型ＰＴＣサーミスタが
得られる。
スト２ａや導電性ペースト３ａが塗布された後、これを
焼成炉に入れて４５０〜９００℃に保持して焼成する
と、ガラス膜２や電極膜３が形成される。この後、原料
板体１ａを長手方向において所定の幅にスライスするこ
とによって図１に示されるチップ型ＰＴＣサーミスタが
得られる。
【００２０】上記のように構成させたチップ型ＰＴＣサ
ーミスタは、導電性ペースト３ａにガラス粉末ペースト
２ａのガラス成分と同じ成分のものが含まれているの
で、焼成時に、導電性ペースト３ａとガラス粉末ペース
ト２ａとの境界部分が融合・一体化したものとなる。す
なわち、図３に示した電極膜３がガラス膜２を覆うタイ
プのものとは異なり、融合一体化したものとなってい
る。この為、電極膜３が剥離し難いものとなっている。
ーミスタは、導電性ペースト３ａにガラス粉末ペースト
２ａのガラス成分と同じ成分のものが含まれているの
で、焼成時に、導電性ペースト３ａとガラス粉末ペース
ト２ａとの境界部分が融合・一体化したものとなる。す
なわち、図３に示した電極膜３がガラス膜２を覆うタイ
プのものとは異なり、融合一体化したものとなってい
る。この為、電極膜３が剥離し難いものとなっている。
【００２１】因みに、上記実施形態になる本発明品と図
３タイプの比較品とについて、電極膜３の剥離特性を調
べると、本発明品の方が格段に剥離し難いものであっ
た。かつ、基体１の表面がガラス膜２で覆われているか
ら、基体１が雰囲気ガス等によって悪影響を受け難く、
チップ型ＰＴＣサーミスタの品質耐久性にも富む。又、
ＰＴＣサーミスタを回路基板に実装する場合、表面にフ
ラックス等の薬剤が付着しても、残存フラックスによっ
て基体１の特性劣化がもたらされ難く、信頼性が高い。
３タイプの比較品とについて、電極膜３の剥離特性を調
べると、本発明品の方が格段に剥離し難いものであっ
た。かつ、基体１の表面がガラス膜２で覆われているか
ら、基体１が雰囲気ガス等によって悪影響を受け難く、
チップ型ＰＴＣサーミスタの品質耐久性にも富む。又、
ＰＴＣサーミスタを回路基板に実装する場合、表面にフ
ラックス等の薬剤が付着しても、残存フラックスによっ
て基体１の特性劣化がもたらされ難く、信頼性が高い。
【００２２】又、ＰＴＣサーミスタを回路基板に半田付
けした場合、表面に半田が付いても短絡が起きない。
尚、スライスした面にもガラス粉末ペースト２ａを塗布
し、焼成すれば、基体１の四つの主表面にガラス膜２が
設けられたものとなる。又、導電性ペースト３ａを塗布
した後、ガラス粉末ペースト２ａを塗布し、この後焼成
する手順であっても、ガラス粉末ペースト２ａを塗布し
た後、導電性ペースト３ａを塗布し、この後焼成する手
順であっても良い。
けした場合、表面に半田が付いても短絡が起きない。
尚、スライスした面にもガラス粉末ペースト２ａを塗布
し、焼成すれば、基体１の四つの主表面にガラス膜２が
設けられたものとなる。又、導電性ペースト３ａを塗布
した後、ガラス粉末ペースト２ａを塗布し、この後焼成
する手順であっても、ガラス粉末ペースト２ａを塗布し
た後、導電性ペースト３ａを塗布し、この後焼成する手
順であっても良い。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、保護膜と電極との境界
領域は両者の成分が融合してなるので、電極が剥離し難
く、かつ、基体の表面が保護膜で覆われているから、基
体が雰囲気ガス等によって悪影響を受け難く、品質の耐
久性にも富む。
領域は両者の成分が融合してなるので、電極が剥離し難
く、かつ、基体の表面が保護膜で覆われているから、基
体が雰囲気ガス等によって悪影響を受け難く、品質の耐
久性にも富む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子素子（チップ型ＰＴＣサーミス
タ）の１実施形態の概略断面図
タ）の１実施形態の概略断面図
【図２】本発明の電子素子（チップ型ＰＴＣサーミス
タ）の製造工程での概略断面図
タ）の製造工程での概略断面図
【図３】従来のチップ型ＰＴＣサーミスタの概略断面図
１ 電子素子の基体 ２ ガラス膜（保護膜） ２ａ ガラス粉末ペースト ３ 電極膜 ３ａ ガラスフリットを含有する導電性ペースト
Claims (4)
- 【請求項１】 電子素子の基体と、この基体の表面を覆
う保護膜と、前記基体に電気的に接続して設けられた前
記保護膜成分を含有する電極とを具備し、 前記保護膜と電極との境界領域は両者の成分が融合して
なることを特徴とする電子素子。 - 【請求項２】 保護膜の構成材料がガラスであり、電極
の構成材料はガラスを含有するものであることを特徴と
する請求項１の電子素子。 - 【請求項３】 保護膜はガラスペーストを塗布・焼成す
ることにより構成されたものであり、電極は導電性粉末
１００重量部に対してガラスフリットを１〜１５重量部
含有する導電性ペーストを塗布・焼成することにより構
成されたものであることを特徴とする請求項１又は請求
項２の電子素子。 - 【請求項４】 電子素子の基体の表面にガラスペースト
を塗布するＡ工程と、 電子素子の基体に電気的に接続されるようガラスフリッ
トを含有する導電性ペーストを塗布するＢ工程と、 前記Ａ，Ｂ塗布工程の後で焼成する焼成工程とを具備す
ることを特徴とする電子素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783296A JPH09199303A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電子素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP783296A JPH09199303A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電子素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199303A true JPH09199303A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11676583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP783296A Pending JPH09199303A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 電子素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199303A (ja) |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP783296A patent/JPH09199303A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040705 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040714 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |