JPH09199413A

JPH09199413A - 露光方法及び露光装置

Info

Publication number: JPH09199413A
Application number: JP8028525A
Authority: JP
Inventors: Yosuke Shirata; 陽介白田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-01-23
Filing date: 1996-01-23
Publication date: 1997-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】基板ステージ上のセンサ及びこれに付随する
回路基板の発熱がアライメント精度や、ステージの位置
制御精度に悪影響を与えるのを効果的に抑制する。【解決手段】マスクＲのパターンを投影光学系ＰＬを
介して感光基板Ｗ上に順次転写する際に、基板ステージ
１４上のセンサ３０、３４及びこれに付随する電気回路
基板３６に対する電源供給をオフにした状態で基板ステ
ージ１４をステッピングさせる。このため、センサ３
０、３４及び電気回路基板３６が露光の際に発熱源とな
ることがなく、これらの発熱による温度分布むらが発生
しないのでアライメント精度や、ステージ１４の位置制
御精度に悪影響を与えることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光
装置に係り、さらに詳しくは、感光基板が搭載された基
板ステージを移動させながら、マスクのパターンを投影
光学系を介して感光基板上に順次転写する露光方法及び
露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体集積回路、液晶表示基
板等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、い
わゆるステッパ等の露光装置が用いられている。この種
の露光装置では、ウエハ等の基板が搭載された基板ステ
ージには照射量モニタセンサとムラセンサとが設置され
ている。

【０００３】照射量モニタセンサは、照明条件（通常照
明や輪帯照明など）やレチクルの種類によって変化する
基板面上の像面パワーを計測するためのセンサである。
この像面パワーの計測は、マスク（又はレチクル）をセ
ットした状態で露光時と同一の照明条件の下で、照射量
モニタセンサが投影光学系の露光フィールド内に位置す
るように基板ステージを移動させて行なわれる。この照
射量モニタセンサの計測値はコントローラに送られ、投
影レンズ（投影光学系）が露光光を吸収することによる
倍率、フォーカス等の変動（照射変動）を補正するため
の照射変動補正量算出の基礎データとして用いられる。

【０００４】ムラセンサは、露光光源である水銀ランプ
の交換や、エキシマレーザのチャンバ交換等のメンテナ
ンス作業によって生じる露光フィールド内の照明ムラを
測るセンサである。この照明ムラの計測は、レチクルを
セットしない状態で露光時と同一の照明条件の下で、ム
ラセンサが露光フィールド内を移動するように基板ステ
ージを２次元移動させながら行なわれる。このムラセン
サの計測値に基づいて線幅制御などに影響がでないよう
に、照明光学系内の照明ムラ調整用光学部材（ミラーや
ハービングガラスやリレーレンズ等）の微調整が行なわ
れる。

【０００５】照射量モニタセンサやムラセンサとして
は、フォトダイオードや焦電型センサが使用されてお
り、またこれらのセンサからの検出信号が外部からノイ
ズを受けにくいようにＡＤ変換などの信号処理回路がセ
ンサの近く（ステージ上またはステージ側面）に設けら
れている。光源として、エキシマレーザなどのパルス光
を使っている場合には、さらに、ピークホールド回路の
ようなパルス光の検出処理に適した信号処理用の電気回
路も必要になる。

【０００６】ところで、露光装置では、基板ステージの
位置を高精度に制御するために、レーザ干渉計等の高精
度な位置センサやアライメントセンサ等の高精度なセン
サが用いられており、アライメント精度を長期に渡って
安定化させるため、基板ステージを含む露光装置本体
は、一定温度に調整されたチャンバ内に収納されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記の如く、露光装置
本体は、高精度（例えば、目標温度±０．１℃の範囲）
に温度調整がなされたチャンバ内に収納されているの
で、アライメント精度は長期的にも十分に確保されてい
た。しかしながら、半導体集積回路の高集積化に伴いパ
ターン線幅が年々微細化し、最近ではより細い線幅を実
現するため、その細い線幅に対応する一層高精度なアラ
イメント精度を確保することが必要となってきた。より
一層高精度なアライメント精度を実現するためには、投
影光学系の結像特性の射変動量の補正や、照明ムラの調
整は必要不可欠であり、このため上述した照射量モニタ
センサやムラセンサは当然必要であるが、一方では、こ
れらのセンサや付随する電気回路基板が発熱源として作
用し、ウエハのアライメント時や露光時には、それらが
ステージと共に動きまわる事によりチャンバ内の温度分
布ムラが発生し、これがアライメント精度や、ステージ
の位置制御精度に与える悪影響も無視出来なくなってき
た。

【０００８】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、その目的は、基板ステージ上のセンサ及びこれに付
随する回路基板の発熱がアライメント精度や、ステージ
の位置制御精度に悪影響を与えるのを効果的に抑制する
ことができる露光方法及び露光装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、感光基板が搭載された基板ステージを移動させなが
ら、マスクのパターンを投影光学系を介して前記感光基
板上に順次転写する露光方法であって、前記基板ステー
ジ上のセンサ及びこれに付随する電気回路基板に対する
電源供給をオフにした状態で前記基板ステージを移動さ
せながら、前記マスクのパターンを前記投影光学系を介
して前記感光基板上に順次転写することを特徴とする。

【００１０】これによれば、マスクのパターンを投影光
学系を介して感光基板上に順次転写する際に、基板ステ
ージ上のセンサ及びこれに付随する電気回路基板に対す
る電源供給をオフにした状態で基板ステージ移動させる
ので、センサ及びこれに付随する電気回路基板が露光の
際に発熱源となることがなく、これらの発熱による温度
分布むらが発生しないのでアライメント精度や、ステー
ジの位置制御精度に悪影響を与えることがない。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の露光方法において、前記マスクパターンの前記感光基
板への転写に先立って、前記投影光学系の露光フィール
ド内で前記基板ステージのセンサを使って、露光光の検
出を行なうことを特徴とする。

【００１２】これによれば、請求項１に記載の発明と同
様にセンサ及びこれに付随する電気回路基板が露光の際
に発熱源となることがないとともに、マスクパターンの
感光基板への転写に先立って、投影光学系の露光フィー
ルド内で基板ステージのセンサを使って、露光光の検出
を行なうことから、この検出結果を用いて、例えば露光
中の投影光学系の結像特性の照射変動量を補正したり、
露光に先立って照明ムラを調整したりすることができ
る。

【００１３】請求項３に記載の発明は、マスクのパター
ンを投影光学系を介して感光基板上に転写する露光装置
であって、前記感光基板を搭載して２次元移動する基板
ステージと；前記基板ステージ上に配置された少なくと
も一つのセンサ及びこれに付随する電気回路基板と；前
記センサ及び電気回路基板に対する電源供給をオン・オ
フするスイッチング手段と；前記感光基板に対するマス
クパターンの転写中は、前記センサ及び電気回路基板に
対する電源供給がオフになるように前記スイッチング手
段を制御する制御手段とを有する。

【００１４】これによれば、制御手段により感光基板に
対するマスクパターンの転写中は、センサ及び電気回路
基板に対する電源供給がオフになるようにスイッチング
手段が制御されるので、この転写中にステージが移動し
てもセンサ及びこれに付随する電気回路基板が発熱源と
なることがなく、これらの発熱による温度分布むらが発
生しないのでアライメント精度や、ステージの位置制御
精度に悪影響を与えることがない。

【００１５】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の露光装置において、前記センサは、前記投影光学系の
露光フィールド内で露光光の検出を行なう光センサであ
ることを特徴とする。これによれば、マスクパターンの
感光基板への転写に先立って、光センサを用いて投影光
学系の露光フィールド内で露光光の検出を行なえば、こ
の検出結果を用いて、例えば露光中の投影光学系の結像
特性の照射変動量を補正したり、露光に先立って照明ム
ラを調整したりすることができる。この場合において
も、転写中にステージが移動してもセンサ及びこれに付
随する電気回路基板が発熱源となることがない。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
ないし図４に基づいて説明する。

【００１７】図１には、一実施形態に係るステップアン
ドリピート方式の露光装置１０の構成が概略的に示され
ている。この露光装置１０は、光源１２を含む照明系
と、マスクとしてのレチクルＲが載置されるレチクルス
テージＲＳと、レチクルＲのパターン面ＰＡの回路パタ
ーンを感光基板としてのウエハＷ上に所定の縮小倍率で
投影露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷが搭載された
基板ステージとしてのウエハステージ１４と、ウエハス
テージ１４の駆動系１６と、投影光学系ＰＬの倍率を調
整する倍率調整機構１８と、駆動系１６、倍率調整機構
１８等を始めとして装置全体を統括的に制御する制御手
段としての主制御装置２０とを備えている。この露光装
置１０は、高精度に温度調整がなされた不図示のチャン
バ内に収納されている。

【００１８】前記照明系は、水銀ランプから成る光源１
２と、楕円鏡２２、照明光学系２４とを備えている。照
明光学系２４は、図では単一のレンズ２６とビームスプ
リッタ２８とを含んで構成されているが、実際には、フ
ライアイレンズ、リレーレンズ、コンデンサレンズ等の
各種レンズを含み、これらのレンズがレンズ２６で代表
的に示されている。この他、不図示のシャッタ、視野絞
り、ブラインド等をも備えている。従って、光源１２か
ら発せられた露光光は楕円鏡２２で第二焦点に集光され
た後、照明光学系２４を通る間に光束の一様化、スペッ
クルの低減化等が行なわれ、照明光としてレチクルＲの
パターン領域ＰＡを照明する。なお、光源として、水銀
ランプに代えてＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマ
レーザを用いても良い。

【００１９】ビームスプリッタ２８は、実際には、照明
光学系２６の内部、例えば、不図示のシャッタとフライ
アイレンズとの間に配置されており、このビームスプリ
ッタ２８によって取り出された一部の露光光の光量が光
電検出器３２によって検出されるようになっている。こ
の光電検出器３２の検出値は、主制御装置２０に入力さ
れ、投影光学系ＰＬの結像特性の照射変動量の算出の基
礎とされる。

【００２０】レチクルステージＲＳは、不図示の駆動系
により水平面内で微動可能に構成され、このレチクルス
テージＲＳ上に、レチクルＲが保持されている。レチク
ルＲのパターン面ＰＡには、回路パターンが描画されて
いる。

【００２１】前記投影光学系ＰＬは、光軸ＡＸを共通に
する当該光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複
数枚のレンズエレメント（いずれも図示せず）とこれら
のレンズエレメントを保持する鏡筒とを備えている。

【００２２】前記倍率調整機構１８は、この投影光学系
ＰＬを構成する所定位置にあるレンズエレメント相互間
の気密室の圧力を変更することにより、気密室内の気体
の屈折率を変更して投影光学系ＰＬの倍率を調整するよ
うになっている。この倍率調整機構１８により圧力が調
整される気密室は、例えば他のレンズエレメントに比べ
て倍率への影響が大きいレチクル寄りのレンズエレメン
ト相互間に設けられる。

【００２３】ウエハステージ１４は、駆動系１６によっ
て、水平面内で２次元方向に駆動されるとともに、光軸
ＡＸ方向に微小駆動されるようになっている。ウエハス
テージ１４の２次元方向の位置は、不図示のレーザ干渉
計により常時計測されており、このレーザ干渉計の出力
が主制御装置２０によってモニタされている。

【００２４】また、ウエハステージ１４上の一端部に
は、光センサとしての照射量モニタセンサ３０及びムラ
センサ３４とが配置されている。これらのセンサ３０、
３４の受光面は、ウエハＷ表面とほぼ同一高さとされて
いる。これらの照射量モニタセンサ３０及びムラセンサ
３４は、ここではフォトダイオードによって構成されて
おり、ムラセンサ３４の受光面はピンホール状とされ、
照射量モニタセンサ３０の方は一定面積の受光面とされ
ている。ウエハステージ１４の紙面手前側の面には、セ
ンサ３０、３４の信号処理用の電気回路基板３６が設け
られている。

【００２５】図２には、この電気回路基板３６の内部構
成が概念的に示されており、この電気回路基板３６は、
照射量モニタセンサ３０の検出信号に所定の処理を施
し、処理後の検出信号を主制御装置２０に送る第１の信
号処理回路３８と、ムラセンサ３４の検出信号に所定の
処理を施し、処理後の検出信号を主制御装置２０に送る
第２の信号処理回路４０と、信号処理回路３８、４０と
電源回路４６との間にそれぞれ介装されたスイッチング
手段としての第１のスイッチ４２、第２のスイッチ４４
とを備えている。

【００２６】第１のスイッチ４２、第２のスイッチ４４
としては、例えばリレー回路、半導体スイッチング素子
等の電気信号によりオン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）できる
回路又は素子が使用される。これらのスイッチ４２、４
４が後述するように、主制御装置２０によってオン・オ
フされるようになっている。第１のスイッチ４２がオン
（ＯＮ）されると、電源回路４６から第１の信号処理回
路３８及びこれを介して照射量モニタセンサ３０に電源
が供給され、第１のスイッチ４２がオフ（ＯＦＦ）され
ると、これらへの電源供給が停止する。同様に第２のス
イッチ４４がオンされると、電源回路４６から第２の信
号処理回路４０及びこれを介してムラセンサ３４に電源
が供給され、第２のスイッチ４４がオフされると、これ
らへの電源供給が停止するようになっている。

【００２７】主制御装置２０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡ
Ｍ等を含むマイクロコンピュータ（又はミニコンピュー
タ）から成り、この主制御装置２０内のＲＯＭには、後
述する図３、図４のフローチャートに対応する制御プロ
グラム等が格納されている。また、ＲＡＭ内には、予め
実験により求められた投影光学系ＰＬの倍率、フォーカ
スの照射変動特性に基づいて定められた倍率、フォーカ
スの照射変動量の計算式（この計算式には、当然照射光
量（像面パワー）がパラメータとして含まれる）等が格
納されている。

【００２８】次に、上述のようにして構成された露光装
置１０による露光方法を主制御装置２０内のＣＰＵの主
要な制御アルゴリズムを示す図３のフローチャートに沿
って説明する。なお、このフローチャートは、ウエハ露
光のための準備、即ち、レチクルのロード及びアライメ
ント、ベースライン計測等の露光条件の設定は、予め済
んでいる事を前提に描かれている。また、この制御アル
ゴリスムがスタートする段階では、第１フラグＦ１、第
２フラグＦ２はともにリセットされている（Ｆ１←０、
Ｆ２←０）ものとする。

【００２９】まず、ステップ１００で照明条件が新しい
条件か否かを判断し、新しい条件であればステップ１０
２に進んで図示しない第１フラグＦ１を立て（Ｆ１←
１）た後、ステップ１０４に進む。一方、ステップ１０
０で照明条件が新しい条件でない、すなわち照明条件の
変更がない場合には、ステップ１０４に移行する。

【００３０】ステップ１０４では使用するレチクルが交
換されたか否かの判断をし、新しいレチクルに交換され
ていればステップ１０６に進んで図示しない第２フラグ
Ｆ２を立て（Ｆ２←１）た後、ステップ１０８に進む。
一方、ステップ１０４でレチクル交換が行なわれていな
い場合には、ステップ１０８に移行する。

【００３１】ステップ１０８では第１フラグＦ１、第２
フラグＦ２がともに「０」であるか否かを判断し、この
判断が否定された場合（照明条件変更及びレチクル交換
の少なくともいずれか一方が行なわれている場合）に
は、ステップ１１０に進み、ステップ１１０〜１１４
で、照明条件やレチクルの種類によって変化する露光の
際のウエハＷ上の像面パワーの計測を行ない、露光光の
照射により生ずる投影光学系ＰＬのフォーカスや倍率の
変動の制御を行うための基礎データとして主制御装置２
０にフィードバックする一連の動作を行う。すなわち、
ステップ１１０で前述した電気回路基板３６内の第１ス
イッチ４２をＯＮにし、ウエハステージ１４上に配置さ
れた照射量モニタセンサ３０及びこれに付随する電気回
路基板３６内の第１の信号処理回路３８への電源供給を
行なう。次のステップ１１２で照射量モニタセンサ３０
が露光位置（投影光学系ＰＬの露光フィールド内）に来
るように、不図示の干渉計の出力をモニタしつつウエハ
ステージ１４を移動させた後、不図示の露光コントロー
ラを介して光源１２をオンにする。これにより、光源１
２からの露光光により照明光学系を介してレチクルＲが
照明され、このレチクルＲを透過した露光光（照明光）
が投影光学系ＰＬを介して照射量モニタセンサ３０に入
射し、この光量（像面パワー）が照射量モニタセンサ３
０で検出され、この検出された光量が第１の信号処理回
路３８を介して主制御装置２０に送られる。このとき、
主制御装置２０には光電検出器３２の光量の検出値も入
力されており、主制御装置２０内ＣＰＵでは両者の比を
求めておくことにより、光源の劣化等にも対応が可能な
ようになっている。次のステップ１１４では、第１スイ
ッチ４２をＯＦＦにして照射量モニタセンサ３０とこれ
に付随する第１の信号処理回路３８への電源供給を停止
する。この像面パワー計測が行なわれている間、第２ス
イッチ４４はオフ（ＯＦＦ）のままである。次のステッ
プ１１６では第１フラグＦ１、第２フラグＦ２をともに
リセット（Ｆ１←０、Ｆ２←０）した後、ステップ１１
８に進む。

【００３２】テップ１１８では、不図示のウエハローダ
及びウエハステージ１４上のセンターアップを用いてウ
エハＷをウエハステージ１４上にロードし（この詳細な
説明については省略する）た後、ステップ１２０に進ん
でＲＡＭ内の選択された露光ファイルの情報に基づいて
オペレータにより一層目の露光が選択されたか否かを判
断する。そして、一層目の露光が選択された場合には、
重ね合わせのためのアライメントの必要がないので、ス
テップ１２４に移行するが、一層目の露光が選択されて
いない、すなわち二層目以降の露光が選択された場合に
は、ステップ１２２に進んでいわゆるエンハンスト・グ
ローバル・アライメント（ＥＧＡ）計測を実行後、ステ
ップ１２４に進む。ここで、ＥＧＡ計測とは、ウエハＷ
上に既に形成されているショット領域の内代表的な複数
領域に付設されたアライメントマークの位置を不図示の
干渉計と不図示のアライメント検出系とによって検出
し、この検出結果を用いて最小二乗近似法によりウエハ
Ｗの２次元平面内の位置ずれ（Ｘ，Ｙオフセット、ロー
テーション）及び変形（Ｘ，Ｙスケーリング、直交度誤
差）を算出する方法をいう。

【００３３】ステップ１２４ではいわゆるステップ・ア
ンド・リピート方式でウエハＷ上のショット領域にレチ
クルＲのパターンを順次転写する。すなわち、ウエハス
テージ１４をステッピングさせて投影光学系ＰＬの露光
フィールド内にウエハＷ上のショット領域を順次位置決
めしつつ露光を行なう。この際、二層目以降の露光の場
合には、ステップ１２２におけるＥＧＡ計測の結果を用
いてショット領域の位置決めが行なわれる。

【００３４】また、この露光中に、次のようにして結像
特性の補正動作が行なわれる。ここでは、前提としてウ
エハステージ１４の光軸ＡＸ方向位置は、フォーカス補
正の基準となる位置に設定されているものとする。

【００３５】光源１２から照射される光は照明光学系２
４を通る間にその一部がビームスプリッタ２８によって
分割され光電検出器３２に入射し、残りはレチクルＲに
照射される。光電検出器３２で検出された光量値は、主
制御装置２０に入力される。

【００３６】主制御装置２０内ＣＰＵでは、所定の倍率
とフォーカスの照射変動量の計算式（先に測定された像
面パワーの値がパラメータとして含まれる）に基づいて
倍率、フォーカスの照射変動量を演算し、これらを補正
するための倍率補正量、フォーカスの補正量を求める。
この場合において、光電検出器３２の出力をも考慮した
算出式を用いれば、光源劣化等にも対応が可能である。
あるいは、光電検出器３２の出力と既知のビームスプリ
ッタ２８の分割比とに基づいて、実際にレチクルＲに照
射される光量を求め、これを用いてレチクルＲの熱膨張
を算出するようにしても良い。

【００３７】そして、主制御装置２０内ＣＰＵでは、倍
率補正量を倍率調整機構１８に指令値として与える。こ
れにより、倍率調整機構１８によって投影光学系ＰＬの
倍率が補正がされ、投影光学系ＰＬが露光光を吸収する
ことによる照射変動の影響がキャンセルされる。また、
主制御装置２０内ＣＰＵでは、上記のフォーカス補正量
を駆動系１６に与える。これにより、駆動系１６によっ
てウエハステージ１４が光軸ＡＸ方向に駆動され、フォ
ーカスの照射変動が補正される。

【００３８】上記のようにしてウエハステージ１４上に
ロードされたウエハＷの全ショット領域の露光が終了す
ると、次のステップ１２６に進み、不図示のウエハロー
ダ及びウエハステージ１４上のセンターアップを用いて
ウエハＷをウエハステージ１４上からアンロードする。

【００３９】次のステップ１２８では予定枚数の露光が
終了したか否かを判断し、予定枚数の露光が終了してい
ないければ、ステップ１１８に戻り、ステップ１２８の
判断が肯定されるまで上記処理・判断を繰り返し、予定
枚数の露光が終了してステップ１２８の判断が肯定され
た場合には、本ルーチンの一連の処理を終了する。

【００４０】露光光源である水銀ランプ１２の交換（又
はエキシマレーザのチャンバ交換）等のメンテナンス作
業等によって露光フィールド内の照明ムラが生じる可能
性がある場合にはムラセンサ３４を用いて照明ムラの計
測が行なわれる。ここで、この照明ムラの計測につい
て、主制御装置２０内のＣＰＵの制御アルゴリズムを示
す図４のフローチャートに沿って説明する。このフロー
チャートがスタートするのは、オペレータにより当該照
明ムラ計測のソフトウエアの立ち上げが行なわれたとき
である。前提として、レチクルＲはレチクルステージＲ
Ｓ上にセットされておらず、照明条件は、実際のウエハ
の露光を行う場合に合わせてある。

【００４１】ステップ２０２で第２スイッチ４４をＯＮ
（オン）にして、ウエハステージ１４上に配置されたム
ラセンサ３４とこれ付随する第２の信号処理回路４０へ
電源を供給する。次のステップ２０４でムラセンサ３４
が露光フィールド内を予め決められたムラ計測用のマッ
プに従って２次元移動するように、干渉計の出力をモニ
タしつつウエハステージ１４をステッピングさせつつ、
光源１２をオンにして露光光を照射し、照明ムラ計測を
行う。このムラ計測中にムラセンサ３４の検出値は第２
の信号処理回路４４を介して主制御装置２０に逐次送ら
れる。主制御装置２０内のＣＰＵではこの計測値をその
時のウエハステージ１４の座標位置（干渉計の計測値）
に１対１に対応づけてＲＡＭ内に格納する。

【００４２】照明ムラ測定の終了後、ステップ２０８に
進み、第２のスイッチ４４をオフにしてムラセンサ３４
とこれ付随する第２の信号処理回路４０への電源供給を
停止する。この照明ムラの計測中、第１スイッチ４２は
オフのままである。

【００４３】次のステップ２１０では、ＲＡＭ内の記憶
内容に基づいて計測した照明ムラが許容範囲か否かを判
断し、許容範囲内でなければ、照明光学系２４内の照明
ムラ調整用の光学部材を微調整して照明ムラ調整を行
い、ステップ２０４に戻り、それ以後は、ステップ２０
４〜ステップ２１２のループをステップ２１０の判断が
肯定されるまで繰り返す。ステップ２１０の判断が肯定
された場合には、本ルーチンの一連の処理を終了する。

【００４４】以上説明したように、本実施形態の露光装
置１０によれば、ウエハステージ１４に配置された照射
量モニタセンサ３０、ムラセンサ３４及びこれらに付随
する電気回路基板３６に電源供給オン・オフの第１スイ
ッチ３８、第２スイッチ４０を設け、像面パワー計測や
照明ムラ測定の時等のセンサ使用時だけ電源供給をオン
にし、それ以外はオフにする制御方法を採用しているこ
とから、露光装置使用中の大部分の時間を前記センサ３
０、３４及び電気回路基板３６への電力供給をオフにす
ることが出来、露光装置１０のチャンバ（図示省略）
内、特にウエハステージ１４まわりの発熱源による発熱
を最小限に抑える事が可能になる。これによりウエハス
テージ１４まわりの静的温度安定性が増し、また、ウエ
ハＷのアライメント時や、露光時にウエハステージ１４
が移動する事によって生じる温度分布のムラも防止で
き、動的温度安定性も向上させることができる。更に、
前記理由により、ウエハステージ１４のステッピング精
度や位置制御精度の向上、アライメント精度の向上、ベ
ースラインの安定化等をも図ることができる。

【００４５】なお、上記実施形態の説明では、本発明が
一括露光方式の露光装置の一種であるステッパに適用さ
れた場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれ
に限定されるものではなく、いわゆる走査型（スキャン
タイプ）の露光装置にも同様に適用でき、かかる走査型
露光装置であっても基板ステージの移動による温度分布
ムラや動的温度安定性の向上を図ることができ、これに
よりアライメント精度やステージの位置精度制御の向上
を図ることができる。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板ステージ上のセンサ及びこれに付随する回路基板の
発熱が、アライメント精度やステージの位置制御精度に
悪影響を与えるのを効果的に抑制することができるとい
う従来にない優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の露光装置の構成を概略的
に示す図である。

【図２】図１の回路基板の内部構成例をセンサ及び電源
回路と共に示すブロック図である。

【図３】主制御装置内ＣＰＵの主要な制御アルゴリズム
（露光処理アルゴリスム）を示すフローチャートであ
る。

【図４】主制御装置内ＣＰＵの照明ムラ計測時の制御ア
ルゴリズムを示すフローチャートである。

【符号の説明】

１０露光装置１４ウエハステージ（基板ステージ）２０主制御装置（制御手段）３０照射量モニタセンサ（光センサ）３４ムラセンサ（光センサ）３６電気回路基板４２第１スイッチ（スイッチング手段）４４第２スイッチ（スイッチング手段）Ｗウエハ（感光基板）Ｒレチクル（マスク）ＰＬ投影光学系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｆ５２５Ｒ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感光基板が搭載された基板ステージを移
動させながら、マスクのパターンを投影光学系を介して
前記感光基板上に順次転写する露光方法であって、前記基板ステージ上のセンサ及びこれに付随する電気回
路基板に対する電源供給をオフにした状態で前記基板ス
テージを移動させながら、前記マスクのパターンを前記
投影光学系を介して前記感光基板上に順次転写する露光
方法。
【請求項２】前記マスクパターンの前記感光基板への
転写に先立って、前記投影光学系の露光フィールド内で
前記基板ステージのセンサを使って、露光光の検出を行
なうことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】マスクのパターンを投影光学系を介して
感光基板上に転写する露光装置であって、前記感光基板を搭載して２次元移動する基板ステージ
と；前記基板ステージ上に配置された少なくとも一つの
センサ及びこれに付随する電気回路基板と；前記センサ
及び電気回路基板に対する電源供給をオン・オフするス
イッチング手段と；前記感光基板に対するマスクパター
ンの転写中は、前記センサ及び電気回路基板に対する電
源供給がオフになるように前記スイッチング手段を制御
する制御手段とを有する露光装置。
【請求項４】前記センサは、前記投影光学系の露光フ
ィールド内で露光光の検出を行なう光センサであること
を特徴とする請求項３に記載の露光装置。