JPH09199462A - Wafer cleaning method and apparatus therefor - Google Patents
Wafer cleaning method and apparatus thereforInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステッパ露光直前にウエハ裏面の洗浄を可能
にし、ステッパ露光時のウエハ裏面のパーティクルによ
るディフォーカスを防止できるウエハ洗浄方法及びその
ための装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ洗浄方法において、回転軸32が
ウエハ21上部に位置し、前記ウエハ21上部からウエ
ハ表面のレジスト除去部分をチャックし、ステッパ露光
直前にウエハ21裏面の洗浄を可能にする。
Kind Code: A1 Abstract: A wafer cleaning method and apparatus for cleaning the wafer back surface immediately before stepper exposure, and preventing defocus due to particles on the wafer back surface during stepper exposure. In a wafer cleaning method, a rotation shaft 32 is located above a wafer 21, and a resist removal portion on the wafer front surface is chucked from the upper portion of the wafer 21 so that the back surface of the wafer 21 can be cleaned immediately before stepper exposure.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの洗
浄方法及び装置に係り、特に、半導体ウエハの裏面洗浄
をする際に用いる、ウエハ洗浄方法及びそのための装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning method and apparatus, and more particularly to a wafer cleaning method and apparatus for cleaning the back surface of a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図5はかかる
従来のウエハ洗浄装置を示す平面概略図、図6はそのウ
エハ洗浄装置におけるウエハのセット状態を示す図であ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, there are the following. FIG. 5 is a schematic plan view showing such a conventional wafer cleaning apparatus, and FIG. 6 is a view showing a wafer set state in the wafer cleaning apparatus.
【0003】図5に示すように、従来のウエハ洗浄装置
1は、搬送ユニット2、第1の反転ユニット3、裏面洗
浄ユニット4、第2の反転ユニット5、表面洗浄ユニッ
ト6といった5つのユニットから構成されている。この
うち搬送ユニット2にあるウエハを把握するための左右
一対の支持アーム7が3対具備され、また、第1及び第
2の反転ユニット3,5には、ウエハを表裏反転するた
めの反転機構8,9が具備されている。As shown in FIG. 5, a conventional wafer cleaning apparatus 1 includes five units such as a transfer unit 2, a first reversing unit 3, a back surface cleaning unit 4, a second reversing unit 5, and a front surface cleaning unit 6. It is configured. Of these, three pairs of left and right support arms 7 for grasping the wafer in the transfer unit 2 are provided, and the first and second reversing units 3 and 5 have a reversing mechanism for reversing the wafer. 8 and 9 are provided.
【0004】さらに、裏面洗浄ユニット4には洗浄ブラ
シ10が具備され、表面洗浄ユニット6には洗浄ブラシ
11が具備されている。ウエハ洗浄装置1によりウエハ
の裏面洗浄のみを行う場合には、まず、前工程で処理が
終了したウエハを、搬送ユニット2により搬送して、第
1の反転ユニット3にセットする。第1の反転ユニット
3では、ウエハのノッチ(あるいはオリフラ)を基準に
ウエハの位置決めを行うとともに、反転機構8によりウ
エハを表裏反転させる。Further, the back surface cleaning unit 4 is equipped with a cleaning brush 10, and the front surface cleaning unit 6 is equipped with a cleaning brush 11. When only the back surface cleaning of the wafer is performed by the wafer cleaning apparatus 1, first, the wafer that has been processed in the previous step is transferred by the transfer unit 2 and set in the first reversing unit 3. In the first reversing unit 3, the wafer is positioned based on the notch (or orientation flat) of the wafer, and the reversing mechanism 8 reverses the wafer.
【0005】次いで、ウエハは搬送ユニット2により裏
面洗浄ユニット4にセットされる。ウエハセットは、図
6に示すように、位置決めピン13上にウエハ12が置
かれる。位置決めピン13はステージ14に接続されて
おり、モータ15により回転する。裏面洗浄ユニット4
では、所定の回転数でウエハ12を回転させながら、そ
の裏面に洗浄ブラシ10を押し当てて、ウエハ12の裏
面を洗浄する。ウエハ12の洗浄においては、洗浄液が
洗浄ブラシ10に供給されており、洗浄作業が終了する
と、ウエハ12を高速回転させて、水切り乾燥が行われ
る。Next, the wafer is set in the back surface cleaning unit 4 by the transfer unit 2. In the wafer set, the wafer 12 is placed on the positioning pins 13 as shown in FIG. The positioning pin 13 is connected to the stage 14 and is rotated by the motor 15. Backside cleaning unit 4
Then, while rotating the wafer 12 at a predetermined rotation speed, the cleaning brush 10 is pressed against the back surface of the wafer 12 to clean the back surface of the wafer 12. In cleaning the wafer 12, the cleaning liquid is supplied to the cleaning brush 10, and when the cleaning operation is completed, the wafer 12 is rotated at a high speed and drained and dried.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のウエハ洗浄装置1ではレジスト塗布後のウエハ
を洗浄すると、ウエハの上面(裏面)に付着していたパ
ーティクル等が、ウエハの周縁部から下面(レジスト塗
布面)に廻り込み、レジスト塗布面を汚染するととも
に、同様に洗浄液がレジスト塗布面に付着するため、パ
ーティクルが発生する恐れがあり、レジスト塗布後には
ウエハ裏面洗浄を行っていなかった。However, in the conventional wafer cleaning apparatus 1 described above, when the wafer after resist coating is cleaned, particles and the like adhering to the upper surface (back surface) of the wafer are removed from the peripheral portion of the wafer to the lower surface. There is a possibility that particles may be generated because the cleaning liquid is contaminated on the resist-coated surface and contaminates the resist-coated surface, and the cleaning liquid also adheres to the resist-coated surface. Therefore, the wafer back surface was not cleaned after the resist coating.
【0007】このため、レジスト塗布装置のウエハチャ
ックが汚れていた場合、ウエハ裏面にパーティクルが付
着し、次工程のステッパ露光の際に、このパーティクル
の影響により、ウエハが盛り上がり、露光時のディフォ
ーカスの原因となっていた。本発明は、上記問題点を除
去し、ステッパ露光直前にウエハ裏面の洗浄を可能に
し、ステッパ露光時のウエハ裏面のパーティクルによる
ディフォーカスを防止できるウエハ洗浄方法及びそのた
めの装置を提供することを目的とする。Therefore, when the wafer chuck of the resist coating apparatus is dirty, particles adhere to the back surface of the wafer, and during the stepper exposure in the next step, the particles rise due to the influence of the particles, resulting in defocusing during exposure. Was the cause of. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to eliminate the above problems and provide a wafer cleaning method and an apparatus therefor capable of cleaning the wafer back surface immediately before stepper exposure and preventing defocus due to particles on the wafer back surface during stepper exposure. And
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕ウエハ洗浄方法において、回転軸がウエハ上部に
位置し、前記ウエハ上部からウエハ表面のレジスト除去
部分をチャックし、ステッパ露光直前にウエハ裏面の洗
浄を可能にするようにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides: [1] In a method for cleaning a wafer, a rotating shaft is located above the wafer, and a resist removal portion on the wafer surface is chucked from the above wafer. However, the back surface of the wafer can be cleaned immediately before the stepper exposure.
【0009】〔2〕ウエハ洗浄装置において、真空吸着
用溝を有するとともに、前記ウエハ表面の上部に位置す
る回転軸を有するウエハチャックと、前記真空吸着用溝
から真空吸着を行う手段と、前記回転軸を駆動する手段
とを設けるようにしたものである。 〔3〕ウエハ洗浄方法において、前処理工程が済んだウ
エハ表面のレジスト除去部分を有するウエハを搬送ユニ
ットにより表面洗浄ユニットへセットする工程と、前記
ウエハ表面洗浄ユニットによりウエハ表面洗浄を行う工
程と、そのウエハ表面洗浄を行ったウエハをウエハを搬
送ユニットによりウエハ裏面洗浄ユニットへセットする
工程と、回転軸がウエハ上部に位置し、前記ウエハ上部
から前記ウエハ表面のレジスト除去部分をウエハチャッ
クし、ステッパ露光直前にウエハ裏面の洗浄を可能にす
る工程とを施すようにしたものである。[2] In a wafer cleaning apparatus, a wafer chuck having a vacuum suction groove and a rotation shaft positioned above the wafer surface, a means for performing vacuum suction from the vacuum suction groove, and the rotation. And means for driving the shaft. [3] In the wafer cleaning method, a step of setting a wafer having a resist-removed portion on the surface of the wafer which has been subjected to the pretreatment step in the surface cleaning unit by a transfer unit, and a step of cleaning the wafer surface by the wafer surface cleaning unit, The step of setting the wafer whose wafer surface has been cleaned in the wafer back surface cleaning unit by the transfer unit, the rotation axis is located above the wafer, and the resist removal portion of the wafer surface from the above wafer is chucked by the stepper. Immediately before exposure, a step of enabling cleaning of the back surface of the wafer is performed.
【0010】〔4〕ウエハ洗浄装置において、ウエハの
搬送ユニットと、前処理工程が済んだウエハ表面のレジ
スト除去部分を有するウエハの表面洗浄を行うウエハ表
面洗浄ユニットと、前記ウエハ表面のレジスト除去部分
をウエハチャックし、前記ウエハ裏面の洗浄を行うウエ
ハ裏面洗浄ユニットとを設けるようにしたものである。[4] In a wafer cleaning apparatus, a wafer transfer unit, a wafer surface cleaning unit for cleaning the surface of a wafer having a resist removal portion on the wafer surface after a pretreatment process, and a resist removal portion on the wafer surface And a wafer back surface cleaning unit for cleaning the back surface of the wafer.
【0011】上記のように構成したので、 〔A〕 (1)レジスト塗布後のウエハを洗浄しても、ウエハチ
ャックによりレジスト面が保護されているため、洗浄時
にレジスト表面にパーティクル等が付着することがな
い。With the above structure, [A] (1) Even if the wafer after resist application is cleaned, since the resist surface is protected by the wafer chuck, particles and the like adhere to the resist surface during cleaning. Never.
【0012】(2)ウエハチャックはレジストと接触し
ないため、ウエハ表面をキズ付けることがない。 (3)ウエハ反転ユニットが必要でないため、ウエハ洗
浄装置全体の設置スペースが小さくて済む。 (4)レジスト塗布後ウエハ裏面洗浄が可能となり、レ
ジスト塗布装置のウエハチャックが汚れていても汚染物
が除去できるため、次工程のステッパ露光時のディフォ
ーカス発生を防ぐことができる。(2) Since the wafer chuck does not contact the resist, the wafer surface is not scratched. (3) Since the wafer reversing unit is not required, the installation space for the entire wafer cleaning apparatus can be small. (4) The back surface of the wafer can be cleaned after resist application, and contaminants can be removed even if the wafer chuck of the resist application apparatus is dirty, so that defocusing at the stepper exposure in the next step can be prevented.
【0013】〔B〕 (1)ウエハ表面洗浄−ウエハ裏面洗浄が反転ユニット
なしで、可能であり、装置全体のスペースが小さくて済
む。 (2)裏面洗浄前に表面洗浄を行うので、ウエハ表面エ
ッジのウエハ吸着部分のパーティクルが除去され、裏面
洗浄ユニット内の真空吸着用溝の汚染を防ぐことができ
る。[B] (1) Wafer front surface cleaning-Wafer back surface cleaning is possible without a reversing unit, and the space for the entire apparatus is small. (2) Since the front surface cleaning is performed before the back surface cleaning, particles in the wafer suction portion of the wafer front surface edge are removed, and the vacuum suction groove in the back surface cleaning unit can be prevented from being contaminated.
【0014】従って、他のウエハが汚染されることも避
けられる。Therefore, the contamination of other wafers can be avoided.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施例を示すウエハ洗浄装置のウエハチャックの一
部破断正面図、図2はそのウエハチャックの下面図、図
3は洗浄されるウエハの表面図、図4はそのウエハの一
部断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 is a partially cutaway front view of a wafer chuck of a wafer cleaning apparatus showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the wafer chuck, FIG. 3 is a front view of a wafer to be cleaned, and FIG. It is a partial cross section figure of a wafer.
【0016】従来のウエハ洗浄装置と同様に、前工程で
処理が終了したウエハを搬送ユニットにより裏面洗浄ユ
ニットに搬送する。図1及び図2に示すように、ウエハ
21が搬送されると、ウエハ21はウエハチャック31
に吸着される。ウエハチャック31のウエハ接触面33
には真空吸着用溝34が形成されており、真空吸着用溝
34はウエハチャック31の回転軸32を通過して、真
空吸着される構造となっている。Similar to the conventional wafer cleaning apparatus, the wafer which has been processed in the previous step is transferred to the back surface cleaning unit by the transfer unit. As shown in FIGS. 1 and 2, when the wafer 21 is transferred, the wafer 21 is held by the wafer chuck 31.
Is adsorbed on. Wafer contact surface 33 of wafer chuck 31
A vacuum suction groove 34 is formed in the vacuum suction groove 34, and the vacuum suction groove 34 passes through the rotary shaft 32 of the wafer chuck 31 and is vacuum suctioned.
【0017】図3及び図4に示すように、ウエハ21上
にはレジスト22が前工程で塗布されている。ウエハ2
1上のレジスト22は前工程のレジスト塗布装置でレジ
スト塗布後に、所定の幅A、例えば5mm程度、ウエハ
全周にわたり、ウエハ周辺のレジストが除去されてい
る。ウエハチャック31のウエハ接触面33はこのレジ
ストが除去された部分23を吸着するようにしている。
図1に示すように、ウエハ21のレジスト22が除去さ
れた部分23を吸着しているウエハチャック31の幅B
は、例えば3mm程度である。As shown in FIGS. 3 and 4, a resist 22 is applied on the wafer 21 in the previous step. Wafer 2
The resist 22 on the wafer 1 has a predetermined width A, for example, about 5 mm, and the resist around the wafer is removed over the entire circumference of the wafer after the resist is applied by the resist applying apparatus in the previous step. The wafer contact surface 33 of the wafer chuck 31 is adapted to attract the resist-removed portion 23.
As shown in FIG. 1, the width B of the wafer chuck 31 that adsorbs the portion 23 of the wafer 21 from which the resist 22 has been removed.
Is, for example, about 3 mm.
【0018】ウエハ21がウエハチャック31に吸着さ
れると、ウエハチャック31は所定の回転数で回転し、
吸着されているウエハ21も同様に回転する。従来方式
と同様にウエハ21が回転すると、ウエハ21の裏面に
洗浄ブラシ35を押し当ててウエハ裏面を洗浄する。ウ
エハの洗浄においては、従来方式と同様に洗浄液、例え
ば、純水が洗浄ブラシ35に供給されている。When the wafer 21 is attracted to the wafer chuck 31, the wafer chuck 31 rotates at a predetermined rotation speed,
The adsorbed wafer 21 also rotates in the same manner. When the wafer 21 rotates as in the conventional method, the cleaning brush 35 is pressed against the back surface of the wafer 21 to clean the back surface of the wafer. In cleaning the wafer, a cleaning liquid, for example, pure water, is supplied to the cleaning brush 35 as in the conventional method.
【0019】洗浄作業が終了すると、ウエハ21を高速
回転させて水切り乾燥が行なわれ、ウエハ裏面の洗浄が
終了となる。上記したように、この実施例によれば、 (1)レジスト塗布後のウエハを洗浄しても、ウエハチ
ャックにより、レジスト面が保護されているため、洗浄
時にレジスト表面にパーティクル等が付着しない。When the cleaning operation is completed, the wafer 21 is rotated at a high speed to drain and dry the wafer 21, and the cleaning of the back surface of the wafer is completed. As described above, according to this embodiment, (1) even if the wafer after resist application is cleaned, the resist surface is protected by the wafer chuck, so that particles or the like do not adhere to the resist surface during cleaning.
【0020】(2)ウエハチャックはレジストと接触し
ないため、ウエハ表面をキズ付けることがない。 (3)ウエハ反転ユニットが必要ないため、洗浄装置全
体の設置スペースが小さくて済む。 (4)レジスト塗布後ウエハ裏面洗浄が可能となり、レ
ジスト塗布装置のウエハチャックが汚れていても汚染物
が除去できるため、次工程のステッパ露光時のディフォ
ーカス発生を防ぐことができる。(2) Since the wafer chuck does not come into contact with the resist, the wafer surface is not scratched. (3) Since the wafer reversing unit is not required, the installation space for the entire cleaning apparatus can be small. (4) The back surface of the wafer can be cleaned after resist application, and contaminants can be removed even if the wafer chuck of the resist application apparatus is dirty, so that defocusing at the stepper exposure in the next step can be prevented.
【0021】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。図7は本発明の第2実施例を示すウエハ洗浄方法の
フローチャート、図8はそのウエハの表面洗浄ユニット
の上面図、図9はそのウエハの裏面洗浄ユニットの一部
破断正面図である。この実施例のウエハ洗浄装置は、搬
送ユニット、表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニットから
成り、従来装置と同様に、搬送ユニットにはウエハを把
握するための左右一対の指示アームが具備され、裏面洗
浄ユニットには洗浄ブラシが具備され、表面洗浄ユニッ
トにも洗浄ブラシが具備されている。Next, a second embodiment of the present invention will be described. 7 is a flowchart of a wafer cleaning method showing a second embodiment of the present invention, FIG. 8 is a top view of a front surface cleaning unit of the wafer, and FIG. 9 is a partially cutaway front view of a back surface cleaning unit of the wafer. The wafer cleaning apparatus of this embodiment includes a transfer unit, a front surface cleaning unit, and a back surface cleaning unit. Like the conventional apparatus, the transfer unit is provided with a pair of left and right indicating arms for grasping a wafer, and the back surface cleaning unit. Is equipped with a cleaning brush, and the surface cleaning unit is also equipped with a cleaning brush.
【0022】そのウエハ洗浄装置の動作について説明す
る。 (1)まず、前工程で処理が終了したウエハ45を搬送
ユニットにより表面洗浄ユニットに搬送する(ステップ
S1)。 (2)次に、ウエハ表面洗浄ユニットによりウエハ表面
の洗浄を行う。例えば、図8に示すように、周辺部のウ
エハへの接触面42を有し、真空吸着用溝43が形成さ
れたウエハチャック41上にウエハ45をセットし、洗
浄終了後、高速回転により水切り乾燥を行う(ステップ
S2)。The operation of the wafer cleaning apparatus will be described. (1) First, the wafer 45, which has been processed in the previous step, is transferred to the surface cleaning unit by the transfer unit (step S1). (2) Next, the wafer surface cleaning unit cleans the wafer surface. For example, as shown in FIG. 8, the wafer 45 is set on a wafer chuck 41 having a peripheral wafer contact surface 42 and a vacuum suction groove 43 formed, and after cleaning is completed, the wafer 45 is drained by high speed rotation. Drying is performed (step S2).
【0023】(3)次に、搬送ユニットによりウエハ4
5を搬送し、ウエハ裏面洗浄ユニットにセットする(ス
テップS3)。 (4)次に、前記した第1実施例のウエハ洗浄装置と同
様のウエハ洗浄ユニットにより、ウエハ45の裏面洗浄
を行う(ステップS4)。すなわち、図9に示すよう
に、回転軸52、ウエハへの接触面53、真空吸着用溝
54を有するウエハチャック51により、ウエハ45の
表面が吸着されるとウエハ45が回転し、裏面洗浄を行
う。洗浄終了後、高速回転により水切り乾燥を行う。(3) Next, the wafer 4 is transferred by the transfer unit.
5 is conveyed and set in the wafer back surface cleaning unit (step S3). (4) Next, the back surface of the wafer 45 is cleaned by the same wafer cleaning unit as the wafer cleaning apparatus of the first embodiment (step S4). That is, as shown in FIG. 9, when the front surface of the wafer 45 is sucked by the wafer chuck 51 having the rotating shaft 52, the contact surface 53 to the wafer, and the vacuum suction groove 54, the wafer 45 is rotated and the back surface is cleaned. To do. After the washing is completed, it is drained and dried by high speed rotation.
【0024】図10は本発明の第3実施例を示すマスク
の表面洗浄ユニットの上面図、図11はそのマスクの裏
面洗浄ユニットの一部破断正面図である。なお、上記し
た実施例では、ウエハ洗浄に適用した例を説明したが、
この実施例では、図10及び図11に示すように、ウエ
ハチャック構造を変更して、マスク洗浄に用いるように
している。FIG. 10 is a top view of a mask front surface cleaning unit showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a partially cutaway front view of the mask back surface cleaning unit. In addition, in the above-mentioned embodiment, the example applied to the wafer cleaning has been described.
In this embodiment, as shown in FIGS. 10 and 11, the wafer chuck structure is changed so that it is used for mask cleaning.
【0025】すなわち、図10において、マスク表面洗
浄ユニット60はマスクチャック61を有し、このマス
クチャック61のマスクへの接触面62には真空吸着用
溝63が形成され、マスク65がセットされ、洗浄終了
後、高速回転により水切り乾燥を行う。次に、図11に
おいて、前記マスク65の表面のパターン除去部分66
をチャックし、前記マスク65の裏面の洗浄を行うマス
ク裏面洗浄ユニット71を設ける。このマスク裏面洗浄
ユニット71は、回転軸72、マスクへの接触面73、
そのマスクへの接触面73に形成される真空吸着用溝7
4を有している。That is, in FIG. 10, the mask surface cleaning unit 60 has a mask chuck 61, a vacuum suction groove 63 is formed on a mask contact surface 62 of the mask chuck 61, and a mask 65 is set. After the washing is completed, it is drained and dried by high speed rotation. Next, referring to FIG. 11, the pattern-removed portion 66 on the surface of the mask 65.
And a mask back surface cleaning unit 71 for cleaning the back surface of the mask 65 is provided. The mask back surface cleaning unit 71 includes a rotating shaft 72, a mask contact surface 73,
Vacuum suction groove 7 formed on the contact surface 73 to the mask
Four.
【0026】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (A)請求項1又は2記載の発明によれば、 (1)レジスト塗布後のウエハを洗浄しても、ウエハチ
ャックによりレジスト面が保護されているため、洗浄時
にレジスト表面にパーティクル等が付着することがな
い。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) According to the invention of claim 1 or 2, (1) even if the wafer after resist coating is cleaned, since the resist surface is protected by the wafer chuck, particles or the like adhere to the resist surface during cleaning. There is nothing to do.
【0028】(2)ウエハチャックはレジストと接触し
ないため、ウエハ表面をキズ付けることがない。 (3)ウエハ反転ユニットが必要でないため、洗浄装置
全体の設置スペースが小さくて済む。 (4)レジスト塗布後ウエハ裏面洗浄が可能となり、レ
ジスト塗布装置のウエハチャックが汚れていても汚染物
が除去できるため、次工程のステッパ露光時のディフォ
ーカス発生を防ぐことができる。(2) Since the wafer chuck does not come into contact with the resist, the wafer surface is not scratched. (3) Since the wafer reversing unit is not required, the installation space for the entire cleaning device can be small. (4) The back surface of the wafer can be cleaned after resist application, and contaminants can be removed even if the wafer chuck of the resist application apparatus is dirty, so that defocusing at the stepper exposure in the next step can be prevented.
【0029】(B)請求項3又は4記載の発明によれ
ば、 (1)ウエハ表面洗浄−ウエハ裏面洗浄が反転ユニット
なしで、可能であり、装置全体のスペースが小さくて済
む。 (2)裏面洗浄前に表面洗浄を行うので、ウエハ表面エ
ッジのウエハ吸着部分のパーティクルが除去され、裏面
洗浄ユニット内の真空吸着用溝の汚染を防ぐことができ
る。(B) According to the invention of claim 3 or 4, (1) wafer front surface cleaning-wafer back surface cleaning can be performed without a reversing unit, and the space of the entire apparatus can be small. (2) Since the front surface cleaning is performed before the back surface cleaning, particles in the wafer suction portion of the wafer front surface edge are removed, and the vacuum suction groove in the back surface cleaning unit can be prevented from being contaminated.
【0030】従って、他のウエハが汚染されることも避
けられる。更に、ウエハチャック構造を変更することに
より、マスク洗浄にも適用可能である。Therefore, it is possible to avoid contamination of other wafers. Furthermore, by changing the wafer chuck structure, it can be applied to mask cleaning.
【図1】本発明の第1実施例を示すウエハ洗浄装置のウ
エハチャックの一部破断正面図である。FIG. 1 is a partially cutaway front view of a wafer chuck of a wafer cleaning apparatus showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1実施例を示すウエハ洗浄装置のウ
エハチャックの下面図である。FIG. 2 is a bottom view of the wafer chuck of the wafer cleaning apparatus showing the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1実施例を示す洗浄されるウエハの
表面図である。FIG. 3 is a surface view of a wafer to be cleaned showing the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1実施例を示す洗浄されるウエハの
一部断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a wafer to be cleaned showing the first embodiment of the present invention.
【図5】従来のウエハ洗浄装置を示す平面概略図であ
る。FIG. 5 is a schematic plan view showing a conventional wafer cleaning apparatus.
【図6】従来のウエハ洗浄装置におけるウエハのセット
状態を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a set state of wafers in a conventional wafer cleaning apparatus.
【図7】本発明の第2実施例を示すウエハ洗浄方法のフ
ローチャートである。FIG. 7 is a flow chart of a wafer cleaning method showing a second embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第2実施例を示すウエハの表面洗浄ユ
ニットの上面図である。FIG. 8 is a top view of a wafer surface cleaning unit showing a second embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第2実施例を示すウエハの裏面洗浄ユ
ニットの一部破断正面図である。FIG. 9 is a partially cutaway front view of a wafer back surface cleaning unit showing a second embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第3実施例を示すマスクの表面洗浄
ユニットの上面図である。FIG. 10 is a top view of a mask surface cleaning unit showing a third embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第3実施例を示すマスクの裏面洗浄
ユニットの一部破断正面図である。FIG. 11 is a partially cutaway front view of a mask back surface cleaning unit showing a third embodiment of the present invention.
21,45 ウエハ 22 レジスト 23 レジストが除去された部分 31,41,51 ウエハチャック 32,52,72 回転軸 33 ウエハ接触面 34,43,54,63,74 真空吸着用溝 35 洗浄ブラシ 53 ウエハへの接触面 60 マスク表面洗浄ユニット 61 マスクチャック 62 マスクへの接触面 65 マスク 66 マスクの表面のパターン除去部分 71 マスク裏面洗浄ユニット 73 マスクへの接触面 21, 45 Wafer 22 Resist 23 Part from which resist is removed 31, 41, 51 Wafer chuck 32, 52, 72 Rotation shaft 33 Wafer contact surface 34, 43, 54, 63, 74 Vacuum suction groove 35 Cleaning brush 53 To wafer Contact surface 60 of mask surface cleaning unit 61 mask chuck 62 contact surface to mask 65 mask 66 pattern removal portion of mask surface 71 mask back surface cleaning unit 73 contact surface to mask
Claims (4)
がウエハ上部に位置し、前記ウエハ上部からウエハ表面
のレジスト除去部分をチャックし、(b)ステッパ露光
直前にウエハ裏面の洗浄を可能にするようにしたことを
特徴とするウエハ洗浄方法。1. A method for cleaning a wafer, wherein (a) a rotation axis is located above a wafer, a resist removal portion of a wafer front surface is chucked from the wafer upper surface, and (b) a wafer back surface can be cleaned immediately before stepper exposure. A method for cleaning a wafer, characterized in that
着用溝を有するとともに、前記ウエハ表面の上部に位置
する回転軸を有するウエハチャックと、(b)前記真空
吸着用溝から真空吸着を行う手段と、(c)前記回転軸
を駆動する手段とを具備することを特徴とするウエハ洗
浄装置。2. In a wafer cleaning apparatus, (a) a wafer chuck having a vacuum suction groove and a rotating shaft located above the wafer surface, and (b) vacuum suction from the vacuum suction groove. A wafer cleaning apparatus comprising means and (c) means for driving the rotating shaft.
工程が済んだウエハ表面のレジスト除去部分を有するウ
エハを搬送ユニットによりウエハ表面洗浄ユニットへセ
ットする工程と、(b)前記ウエハ表面洗浄ユニットに
よりウエハ表面洗浄を行う工程と、(c)前記ウエハ表
面洗浄を行ったウエハをウエハを搬送ユニットによりウ
エハ裏面洗浄ユニットへセットする工程と、(d)回転
軸がウエハ上部に位置し、前記ウエハ上部から前記ウエ
ハ表面のレジスト除去部分をチャックし、ステッパ露光
直前にウエハ裏面の洗浄を可能にする工程とを施すよう
にしたことを特徴とするウエハ洗浄方法。3. A wafer cleaning method comprising: (a) a step of setting a wafer having a resist-removed portion on a wafer surface which has been subjected to a pretreatment step to a wafer surface cleaning unit by a transfer unit; and (b) the wafer surface cleaning unit. And (c) setting the wafer whose wafer surface has been cleaned on the wafer back surface cleaning unit by a transfer unit, and (d) the rotation axis being located above the wafer. And a step of chucking the resist-removed portion on the front surface of the wafer from above and enabling the back surface of the wafer to be cleaned immediately before stepper exposure.
の搬送ユニットと、(b)前処理工程が済んだウエハ表
面のレジスト除去部分を有するウエハの表面洗浄を行う
ウエハ表面洗浄ユニットと、(c)前記ウエハ表面のレ
ジスト除去部分をチャックし、前記ウエハ裏面の洗浄を
行うウエハ裏面洗浄ユニットとを具備することを特徴と
するウエハ洗浄装置。4. A wafer cleaning apparatus comprising: (a) a wafer transfer unit; and (b) a wafer surface cleaning unit for cleaning the surface of a wafer having a resist-removed portion on the surface of the wafer which has undergone a pretreatment process. ) A wafer cleaning apparatus comprising: a wafer back surface cleaning unit that chucks a resist removal portion of the wafer surface and cleans the wafer back surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477296A JPH09199462A (en) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP477296A JPH09199462A (en) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199462A true JPH09199462A (en) | 1997-07-31 |
Family
ID=11593142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP477296A Withdrawn JPH09199462A (en) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199462A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100745482B1 (en) * | 2006-09-11 | 2007-08-02 | 세메스 주식회사 | Substrate backing device |
| JP2007214365A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sokudo:Kk | Substrate processing equipment |
| US7477353B2 (en) | 2004-07-07 | 2009-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lithography apparatus, method of forming pattern and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2022073303A (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing system and substrate processing method |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP477296A patent/JPH09199462A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7477353B2 (en) | 2004-07-07 | 2009-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lithography apparatus, method of forming pattern and method of manufacturing semiconductor device |
| US7796237B2 (en) | 2004-07-07 | 2010-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lithography apparatus, method of forming pattern and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2007214365A (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Sokudo:Kk | Substrate processing equipment |
| KR100745482B1 (en) * | 2006-09-11 | 2007-08-02 | 세메스 주식회사 | Substrate backing device |
| JP2022073303A (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing system and substrate processing method |
| US12610770B2 (en) | 2020-10-30 | 2026-04-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing system and substrate processing method |
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