JPH09199466A - 基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法 - Google Patents
基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH09199466A JPH09199466A JP533796A JP533796A JPH09199466A JP H09199466 A JPH09199466 A JP H09199466A JP 533796 A JP533796 A JP 533796A JP 533796 A JP533796 A JP 533796A JP H09199466 A JPH09199466 A JP H09199466A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上に付着した多様な粒径のパーティクルを
効率良く除去する基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を
提供すること。 【解決手段】基板洗浄ノズル８に、各々異なる周波数を
有する超音波を発し、洗浄液入口１より注入された洗浄
液に超音波を印加する振動子２，３を具備する。また、
振動子２，３の真ん中から発する１番強度が大きい超音
波の各々の照射方向の延長線上の交点が、基板１１上に
来るように反射板６を設ける。
効率良く除去する基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を
提供すること。 【解決手段】基板洗浄ノズル８に、各々異なる周波数を
有する超音波を発し、洗浄液入口１より注入された洗浄
液に超音波を印加する振動子２，３を具備する。また、
振動子２，３の真ん中から発する１番強度が大きい超音
波の各々の照射方向の延長線上の交点が、基板１１上に
来るように反射板６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板洗浄装置に取
り付けられた基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法に関す
る。
り付けられた基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来の基板洗浄ノズルを横面
から見た断面図である。ノズル５３において洗浄液入口
５２より注入された洗浄液は、単一の周波数を有する振
動子５１より下方に発振された超音波が印加されて噴出
口５４より半導体基板上に噴出される。この超音波と基
板上に付着しているパーティクルが共振することによっ
て、効果的にパーティクルを除去することができる。
から見た断面図である。ノズル５３において洗浄液入口
５２より注入された洗浄液は、単一の周波数を有する振
動子５１より下方に発振された超音波が印加されて噴出
口５４より半導体基板上に噴出される。この超音波と基
板上に付着しているパーティクルが共振することによっ
て、効果的にパーティクルを除去することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】除去できるパーティク
ルの粒径及び材料は、印加する超音波の周波数による。
その一例として、半導体シリコン基板上の酸化膜をパー
ティクルとし、周波数ｆ＝１．５ＭＨｚの場合のパーテ
ィクルの粒径と除去率の関係を図１１に示す。図１１の
横軸はパーティクルの粒径（μｍ）、縦軸はパーティク
ルの除去率（％）である。図１１をみると、粒径が０．
４及び０．８（μｍ）であるパーティクルは効率良く除
去されるが、それ以外の粒径のパーティクルに関しては
除去率が低くなってしまう。つまり、一定の周波数によ
って効率良く除去できるパーティクルの粒径は限定され
てしまうことになる。パーティクルを共振させ効率良く
除去するためには、パーティクルの粒径は、印加する超
音波の波長の１／（２ｎ）倍（ｎは整数）であるという
相関関係を満足させる必要がある。また、ｎがあまり大
きくなると除去効果は徐々に下降してしまう。
ルの粒径及び材料は、印加する超音波の周波数による。
その一例として、半導体シリコン基板上の酸化膜をパー
ティクルとし、周波数ｆ＝１．５ＭＨｚの場合のパーテ
ィクルの粒径と除去率の関係を図１１に示す。図１１の
横軸はパーティクルの粒径（μｍ）、縦軸はパーティク
ルの除去率（％）である。図１１をみると、粒径が０．
４及び０．８（μｍ）であるパーティクルは効率良く除
去されるが、それ以外の粒径のパーティクルに関しては
除去率が低くなってしまう。つまり、一定の周波数によ
って効率良く除去できるパーティクルの粒径は限定され
てしまうことになる。パーティクルを共振させ効率良く
除去するためには、パーティクルの粒径は、印加する超
音波の波長の１／（２ｎ）倍（ｎは整数）であるという
相関関係を満足させる必要がある。また、ｎがあまり大
きくなると除去効果は徐々に下降してしまう。
【０００４】従って、１種類の周波数で効率良く除去で
きるパーティクルの粒径には制限があり、超音波による
共振では除去されにくい粒径が存在してしまうという問
題がある。
きるパーティクルの粒径には制限があり、超音波による
共振では除去されにくい粒径が存在してしまうという問
題がある。
【０００５】本発明は、上記のような事情を考慮したも
のであり、例えば半導体シリコン基板上に付着した酸化
シリコン等の多様な粒径のパーティクルを効果的に除去
することを目的としている。
のであり、例えば半導体シリコン基板上に付着した酸化
シリコン等の多様な粒径のパーティクルを効果的に除去
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板を洗浄するための洗浄液を注入する洗
浄液入口と、各々異なる周波数を有する超音波を発し、
前記洗浄液に前記超音波を印加する２つの振動子と、前
記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上に噴出す
る洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とするものであ
る。
に本発明は、基板を洗浄するための洗浄液を注入する洗
浄液入口と、各々異なる周波数を有する超音波を発し、
前記洗浄液に前記超音波を印加する２つの振動子と、前
記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上に噴出す
る洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とするものであ
る。
【０００７】また、前記異なる２つの共振周波数は、一
方の周波数の波長が他方の周波数の波長の偶数倍以外で
あることが好ましい。更に、前記振動子から発した超音
波のうち、最も強度が大きい部分を基板上に照射するよ
うに反射させる反射板を具備してもよい。
方の周波数の波長が他方の周波数の波長の偶数倍以外で
あることが好ましい。更に、前記振動子から発した超音
波のうち、最も強度が大きい部分を基板上に照射するよ
うに反射させる反射板を具備してもよい。
【０００８】また、反射板の代わりに、反射及び透過さ
せる手段を具備してもよい。また、上記基板洗浄ノズル
を用いた基板洗浄方法としては、２つ以上の異なる周波
数を有する超音波を洗浄液に印加する工程と、前記洗浄
液を基板上に噴出し、付着しているパーティクルを除去
する工程とを具備したことを特徴とするものである。そ
こで、特に前記基板が半導体シリコン基板であり、前記
パーティクルが酸化シリコンであることを特徴とするも
のである。
せる手段を具備してもよい。また、上記基板洗浄ノズル
を用いた基板洗浄方法としては、２つ以上の異なる周波
数を有する超音波を洗浄液に印加する工程と、前記洗浄
液を基板上に噴出し、付着しているパーティクルを除去
する工程とを具備したことを特徴とするものである。そ
こで、特に前記基板が半導体シリコン基板であり、前記
パーティクルが酸化シリコンであることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を図面を参照して説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る基板洗浄
ノズルを横面から見た断面図、図２は、本発明の第１の
実施例に係る基板洗浄ノズルを側面から見た断面図であ
る。
基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を図面を参照して説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る基板洗浄
ノズルを横面から見た断面図、図２は、本発明の第１の
実施例に係る基板洗浄ノズルを側面から見た断面図であ
る。
【００１０】基板洗浄ノズル８は円筒部と円錐部の結合
形であり、発振器（図示せず）に接続されている異なる
共振周波数を持つ円筒形の振動子２、３から発生した超
音波を洗浄液入口１から注入された洗浄液に印加して、
この洗浄液を噴出口７から基板１１上に噴出して、基板
洗浄をおこなう。
形であり、発振器（図示せず）に接続されている異なる
共振周波数を持つ円筒形の振動子２、３から発生した超
音波を洗浄液入口１から注入された洗浄液に印加して、
この洗浄液を噴出口７から基板１１上に噴出して、基板
洗浄をおこなう。
【００１１】図３は、本発明の第１の実施例に係る基板
洗浄ノズル８を用いて基板１１を洗浄する場合に使用さ
れる基板１１をのせる基板支持台９の構成を示した説明
図である。基板支持台９には６つの支持ピン１０が取り
付けられており、基板１１が載せられると半円柱形の支
持ピン１０が回転して基板１１を押さえ、その後、基板
支持台９の支持棒部分を中心として基板支持台９が回転
する。
洗浄ノズル８を用いて基板１１を洗浄する場合に使用さ
れる基板１１をのせる基板支持台９の構成を示した説明
図である。基板支持台９には６つの支持ピン１０が取り
付けられており、基板１１が載せられると半円柱形の支
持ピン１０が回転して基板１１を押さえ、その後、基板
支持台９の支持棒部分を中心として基板支持台９が回転
する。
【００１２】図４は、本発明の第１の実施例に係る基板
洗浄ノズル８の移動行程図である。リニア揺動機構の場
合２１は、回転の中心から回転円周方向までの直線上を
往復して移動し、揺動アーム機構の場合２２は、点２３
を中心とした円周の円周上を往復して移動する。
洗浄ノズル８の移動行程図である。リニア揺動機構の場
合２１は、回転の中心から回転円周方向までの直線上を
往復して移動し、揺動アーム機構の場合２２は、点２３
を中心とした円周の円周上を往復して移動する。
【００１３】このように基板洗浄ノズル８を移動させる
ことによって、基板１１をくまなく洗浄することができ
る。また、ノズル内には発振器（図示せず）に接続され
ている異なる周波数を持つ円筒形の振動子２、３が互い
に影響を受けないように対象に離して設置されている。
一般に、振動子から発振された超音波の強度は振動子の
真ん中から発振されたものが最も大きいので、振動子
２、３の中心から発振された最も強度が大きい超音波
の、各々の照射方向の延長線上の交点が基板１１上にく
るように、反射板６の角度を決め設置する。
ことによって、基板１１をくまなく洗浄することができ
る。また、ノズル内には発振器（図示せず）に接続され
ている異なる周波数を持つ円筒形の振動子２、３が互い
に影響を受けないように対象に離して設置されている。
一般に、振動子から発振された超音波の強度は振動子の
真ん中から発振されたものが最も大きいので、振動子
２、３の中心から発振された最も強度が大きい超音波
の、各々の照射方向の延長線上の交点が基板１１上にく
るように、反射板６の角度を決め設置する。
【００１４】これによって洗浄液入口１から注入された
洗浄液に印加された超音波は、超音波の減衰を最小限に
押さえた状態で基板上に到達でき、パーティクルの除去
率を向上させることができる。
洗浄液に印加された超音波は、超音波の減衰を最小限に
押さえた状態で基板上に到達でき、パーティクルの除去
率を向上させることができる。
【００１５】本発明におけるパーティクルの除去は、被
洗浄物に付着しているパーティクルを超音波で共振させ
て、付着エネルギーを超える運動エネルギーを与えて除
去する方法で行われる。パーティクルの共振は、印加さ
れる超音波の波長をλ、共振するパーティクル径をＤと
すると、Ｄ＝λ／（２ｎ）（ｎは整数）の関係が成立
し、更に、ｎがあまり大きくなると効果は徐々に下降し
てくるので、除去しやすいパーティクル径は限定される
ことになる。図８（ａ）に波長λの波形図を示す。この
図で、横軸は時間、縦軸は振幅である。この場合、除去
しやすいパーティクル径はＤ＝λ／２，λ／４，・・・
となり、λ／２と３λ／４の間やλ／４とλ／２の間に
はパーティクルを共振させる波長がなく、これに該当す
る領域の粒径を持つパーティクルに対する除去効果は低
くなる。これに対して図８（ｂ）に波長λ' ＝λ／３の
波形図を示す。この図で、横軸は時間、縦軸は振幅であ
る。波長λ' ＝λ／３の超音波で除去しやすいパーティ
クル径はＤ' ＝λ／３，λ／６，λ／９，・・・とな
り、（ａ）のλの超音波では除去しにくいλ／３，λ／
９等の粒径のパーティクルを共振させ、除去することが
できる。従って２種類の波長の超音波を用いることで多
様な粒径のパーティクルを除去することができるように
なる。
洗浄物に付着しているパーティクルを超音波で共振させ
て、付着エネルギーを超える運動エネルギーを与えて除
去する方法で行われる。パーティクルの共振は、印加さ
れる超音波の波長をλ、共振するパーティクル径をＤと
すると、Ｄ＝λ／（２ｎ）（ｎは整数）の関係が成立
し、更に、ｎがあまり大きくなると効果は徐々に下降し
てくるので、除去しやすいパーティクル径は限定される
ことになる。図８（ａ）に波長λの波形図を示す。この
図で、横軸は時間、縦軸は振幅である。この場合、除去
しやすいパーティクル径はＤ＝λ／２，λ／４，・・・
となり、λ／２と３λ／４の間やλ／４とλ／２の間に
はパーティクルを共振させる波長がなく、これに該当す
る領域の粒径を持つパーティクルに対する除去効果は低
くなる。これに対して図８（ｂ）に波長λ' ＝λ／３の
波形図を示す。この図で、横軸は時間、縦軸は振幅であ
る。波長λ' ＝λ／３の超音波で除去しやすいパーティ
クル径はＤ' ＝λ／３，λ／６，λ／９，・・・とな
り、（ａ）のλの超音波では除去しにくいλ／３，λ／
９等の粒径のパーティクルを共振させ、除去することが
できる。従って２種類の波長の超音波を用いることで多
様な粒径のパーティクルを除去することができるように
なる。
【００１６】図５に、２つの周波数個々を独立して使用
した場合と併用した場合のパーティクルの粒径と除去率
の関係を示す。図５の横軸はパーティクルの粒径（μ
ｍ）、縦軸は除去率（％）である。これをみると、周波
数ｆ＝１．５ＭＨｚの場合のグラフａ及び周波数ｆ＝
０．５ＭＨｚの場合のグラフｂでは、各々パーティクル
の粒径によって除去率に大きな差が見られるが、２つの
周波数を併用した場合のグラフｃではパーティクルの粒
径にかかわらず高い除去率を維持することができる。
した場合と併用した場合のパーティクルの粒径と除去率
の関係を示す。図５の横軸はパーティクルの粒径（μ
ｍ）、縦軸は除去率（％）である。これをみると、周波
数ｆ＝１．５ＭＨｚの場合のグラフａ及び周波数ｆ＝
０．５ＭＨｚの場合のグラフｂでは、各々パーティクル
の粒径によって除去率に大きな差が見られるが、２つの
周波数を併用した場合のグラフｃではパーティクルの粒
径にかかわらず高い除去率を維持することができる。
【００１７】次に、図７を参照して本発明の第２の実施
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図７は、本発明の第２の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルを横面から見た断面図である。
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図７は、本発明の第２の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルを横面から見た断面図である。
【００１８】基板洗浄ノズル４０は、二つの円筒部と一
つの円錐部の結合形である。振動子３２から発振された
超音波は反射板兼透過板３６で反射して噴出口３７へ向
かう。また、振動子３１から発振された超音波は反射板
兼透過板３６を透過して噴出口３７へ向かう。二つの振
動子３１、３２から発振された超音波は、洗浄液入口３
５から注入された洗浄液に印加され、この洗浄液が噴出
口３７から噴出して基板を洗浄する。
つの円錐部の結合形である。振動子３２から発振された
超音波は反射板兼透過板３６で反射して噴出口３７へ向
かう。また、振動子３１から発振された超音波は反射板
兼透過板３６を透過して噴出口３７へ向かう。二つの振
動子３１、３２から発振された超音波は、洗浄液入口３
５から注入された洗浄液に印加され、この洗浄液が噴出
口３７から噴出して基板を洗浄する。
【００１９】この際、反射板兼透過板３６はノズル内の
音波のはね返りや干渉、また振動子３２からの音波に対
する反射率や振動子３１からの音波に対する透過率を考
慮して、洗浄液の流れと周波数の向きを同一にするよう
に設定する。また洗浄液入口３５の位置は、洗浄液の対
流を考慮し、両方の超音波が印加しやすく、また振動に
よって生じる気泡がノズル内にたまらないように決めら
れている。
音波のはね返りや干渉、また振動子３２からの音波に対
する反射率や振動子３１からの音波に対する透過率を考
慮して、洗浄液の流れと周波数の向きを同一にするよう
に設定する。また洗浄液入口３５の位置は、洗浄液の対
流を考慮し、両方の超音波が印加しやすく、また振動に
よって生じる気泡がノズル内にたまらないように決めら
れている。
【００２０】尚、図１及び図７で用いられている装置に
おいて、円筒部の直径は１０〜１５ｍｍ、噴出口の直径
は３〜４ｍｍである。このように噴出口の直径を円筒部
に対して小さくするのは基板への負担と洗浄液の流量を
考慮したものである。噴出口の径を図１及び図７が記載
されている紙面に垂直な方向よりも、紙面に平行な方向
に大きくすると、２つの超音波の各々の照射方向の延長
線上の交点が基板上に来るとき、噴出口と基板との距離
を保つことができる。
おいて、円筒部の直径は１０〜１５ｍｍ、噴出口の直径
は３〜４ｍｍである。このように噴出口の直径を円筒部
に対して小さくするのは基板への負担と洗浄液の流量を
考慮したものである。噴出口の径を図１及び図７が記載
されている紙面に垂直な方向よりも、紙面に平行な方向
に大きくすると、２つの超音波の各々の照射方向の延長
線上の交点が基板上に来るとき、噴出口と基板との距離
を保つことができる。
【００２１】また、本発明の実施例での一方の振動子か
ら発した超音波の波長と、他方の振動子から発した超音
波の波長との関係はλ' ＝λ／３に限定されず、一方の
波長の偶数倍でなければいかなる波長を用いても可能で
ある。
ら発した超音波の波長と、他方の振動子から発した超音
波の波長との関係はλ' ＝λ／３に限定されず、一方の
波長の偶数倍でなければいかなる波長を用いても可能で
ある。
【００２２】尚、第１の実施例において、３種類の周波
数を発する３個の振動子を用いることも可能である。こ
の場合の効果を図６に示す。図６の縦軸はパーティクル
の粒径（μｍ）、横軸は除去率（％）である。周波数
１．５ＭＨｚの場合はグラフａ、０．９ＭＨｚの場合は
グラフｄ、０．５ＭＨｚの場合はグラフｂであり、この
３種類の周波数を用いるとパーティクルの粒径に対する
除去率はグラフｅのようになり、更に安定した除去効果
が得られることになる。
数を発する３個の振動子を用いることも可能である。こ
の場合の効果を図６に示す。図６の縦軸はパーティクル
の粒径（μｍ）、横軸は除去率（％）である。周波数
１．５ＭＨｚの場合はグラフａ、０．９ＭＨｚの場合は
グラフｄ、０．５ＭＨｚの場合はグラフｂであり、この
３種類の周波数を用いるとパーティクルの粒径に対する
除去率はグラフｅのようになり、更に安定した除去効果
が得られることになる。
【００２３】更に、図９を参照して本発明の第３の実施
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図９は、本発明の第３の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルの説明図である。
例に係る基板洗浄ノズル及び基板の洗浄方法を説明す
る。図９は、本発明の第３の実施例に係る基板洗浄ノズ
ルの説明図である。
【００２４】基板洗浄ノズル４４はＦＰＤ（Ｆｌａｔ
Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の洗浄装置に取り付けら
れる。この場合基板４６は回転させず、基板洗浄ノズル
４４から超音波が印加された洗浄液を滝状に噴出し、基
板４６の単位面積当りの洗浄時間が均一になるように移
動する。２つの異なる周波数を持つ振動子を用いること
によって、前述の半導体基板の場合と同様に高い除去効
果が得られる。
Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の洗浄装置に取り付けら
れる。この場合基板４６は回転させず、基板洗浄ノズル
４４から超音波が印加された洗浄液を滝状に噴出し、基
板４６の単位面積当りの洗浄時間が均一になるように移
動する。２つの異なる周波数を持つ振動子を用いること
によって、前述の半導体基板の場合と同様に高い除去効
果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、二つ以上の周波数を用
いることにより、多様な粒径のパーティクルを効率良く
除去することが可能である。
いることにより、多様な粒径のパーティクルを効率良く
除去することが可能である。
【図１】 本発明の第１の実施例の基板洗浄ノズルを横
面から見た断面図である。
面から見た断面図である。
【図２】 本発明の第１の実施例の基板洗浄ノズルを側
面から見た断面図である。
面から見た断面図である。
【図３】 本発明で用いられている基板支持台の説明図
である。
である。
【図４】 本発明の基板洗浄ノズルの移動行程図であ
る。
る。
【図５】 ２種の周波数個々の場合と併用した場合のパ
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
【図６】 ３種の周波数個々の場合と併用した場合のパ
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
ーティクルの粒径と除去率の相関図である。
【図７】 本発明の第２の実施例の基板洗浄ノズルを横
面から見た断面図である。
面から見た断面図である。
【図８】 （ａ）波長λの波形図である。 （ｂ）波長λ' ＝λ／３の波形図である。
【図９】 本発明の第３の実施例の基板洗浄ノズルの説
明図である。
明図である。
【図１０】 従来の基板洗浄ノズルを横面から見た断面
図である。
図である。
【図１１】 従来の基板洗浄ノズルを周波数１．５ＭＨ
ｚの条件で用いたときのパーティクルの粒径と除去率の
相関図である。
ｚの条件で用いたときのパーティクルの粒径と除去率の
相関図である。
１，３５．５２…洗浄液入口、２，３，３１，３２，４
１，４２，５１…振動子、４，５，３２，３３…発振器
へ、６…反射板、７，３７，４５，５４…洗浄液噴出
口、８，４０，４４，５３…基板洗浄ノズル、９…基板
支持台、１０…支持ピン、１１，４６…基板、３６，４
３…反射板兼透過板
１，４２，５１…振動子、４，５，３２，３３…発振器
へ、６…反射板、７，３７，４５，５４…洗浄液噴出
口、８，４０，４４，５３…基板洗浄ノズル、９…基板
支持台、１０…支持ピン、１１，４６…基板、３６，４
３…反射板兼透過板
Claims (6)
- 【請求項１】 基板を洗浄するための洗浄液を注入する
洗浄液入口と、各々異なる周波数を有する超音波を発
し、前記洗浄液に前記超音波を印加する２つの振動子
と、前記超音波が印加された前記洗浄液を前記基板上に
噴出する洗浄液噴出口とを具備したことを特徴とする基
板洗浄ノズル。 - 【請求項２】 前記２つの超音波は、一方の超音波の波
長が他方の超音波の波長の奇数倍であることを特徴とす
る請求項１記載の基板洗浄ノズル。 - 【請求項３】 前記振動子から発した超音波のうち、最
も強度が大きい部分を基板上に照射するように反射させ
る反射板を具備したことを特徴とする請求項１記載の基
板洗浄ノズル。 - 【請求項４】 前記振動子から発した超音波のうち、最
も強度が大きい部分を基板上に照射するように反射及び
透過させる手段を具備したことを特徴とする請求項１記
載の基板洗浄ノズル。 - 【請求項５】 ２つ以上の異なる周波数を有する超音波
を洗浄液に印加する工程と、前記洗浄液を基板上に噴出
し、付着しているパーティクルを除去する工程とを具備
したことを特徴とする基板の洗浄方法。 - 【請求項６】 前記基板が半導体シリコン基板であり、
前記パーティクルが酸化シリコンであることを特徴とす
る請求項５記載の基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00533796A JP3444574B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 基板洗浄ノズル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00533796A JP3444574B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 基板洗浄ノズル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199466A true JPH09199466A (ja) | 1997-07-31 |
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| JP (1) | JP3444574B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017104B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2011-02-25 | 세메스 주식회사 | 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치 |
| KR20190027534A (ko) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 한국기계연구원 | 공기를 이용하는 초음파 건식 세정장치 및 세정시스템 |
| JP2021136371A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 | 超音波洗浄方法 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP00533796A patent/JP3444574B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101017104B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2011-02-25 | 세메스 주식회사 | 초음파 노즐 및 이를 포함하는 기판 세정 장치 |
| KR20190027534A (ko) * | 2017-09-07 | 2019-03-15 | 한국기계연구원 | 공기를 이용하는 초음파 건식 세정장치 및 세정시스템 |
| JP2021136371A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 | 超音波洗浄方法 |
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