JPH09200613A - 固体撮像素子の欠陥検出装置 - Google Patents

固体撮像素子の欠陥検出装置

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JPH09200613A
JPH09200613A JP8007030A JP703096A JPH09200613A JP H09200613 A JPH09200613 A JP H09200613A JP 8007030 A JP8007030 A JP 8007030A JP 703096 A JP703096 A JP 703096A JP H09200613 A JPH09200613 A JP H09200613A
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JP8007030A
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Masayuki Shimura
雅之 志村
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 手振れ補正機能を持つＣＣＤ固体撮像素子で
は、欠陥画素の検出を行う際に、５フィールド相当の検
出期間が必要であった。 【解決手段】 手振れ補正機能を持つＣＣＤ固体撮像素
子において、ＥＶＥＮフィールドの蓄積開始直後の２フ
ィールド目（時点ｔ４）で、本来同じＥＶＥＮフィール
ドが読み出されるところを、ＯＤＤフィールドを読み出
す読出しパルスＶ１を発生することで、強制的にフィー
ルドを切り替え、ＯＤＤフィールドの蓄積を開始する。
そして、ＥＶＥＮフィールドについてその長時間蓄積が
終了した時点ｔ５で読み出しおよび欠陥検出を行い、続
いて時点ｔ５から２フィールド目の時点ｔ６でＯＤＤフ
ィールドについて読み出しおよび欠陥検出を行うこと
で、欠陥検出を４フィールド相当の検出期間で行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の画
素（点）欠陥を検出する欠陥検出装置に関し、特に有効
撮像領域よりも大きな撮像領域を持つ固体撮像素子の欠
陥検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ(Charge Coupled Device) 等の半
導体で形成した固体撮像素子では、半導体の局所的な結
晶欠陥などによって感度が低下する画素欠陥や、傷など
に伴う画素欠陥が生じることがある。このような画素欠
陥があると、その欠陥画素の撮像出力に起因して画質が
劣化することが知られている。特に、ＣＣＤ固体撮像素
子においては、その画素欠陥として白点欠陥などがあ
る。この白点欠陥は、ＣＣＤ固体撮像素子に光入射のな
い暗黒状態でも、画面上に画素単位の大きさの白い欠陥
として観察されるものである。
【０００３】ところで、検出補正対象となるＣＣＤ固体
撮像素子の白点欠陥は非常にレベルの低いもので、通常
の読出しでは常温で数ｍＶレベルのものが問題となる。
このように、通常問題となる画素欠陥のレベルは非常に
小さいため、欠陥画素を簡単に検出することができな
い。しかしながら、検出感度を上げるべく増幅すると、
ノイズも一緒に増幅されてしまうため、Ｓ／Ｎが悪くな
る。そこで、Ｓ／Ｎが良くかつ検出感度を向上できる方
法として、センサ部（画素）に蓄積する時間を強制的に
通常よりも非常に長くする方法が提案されている。具体
的には、欠陥検出時には、フレーム読出し方式にて十数
フィールド相当の時間だけ蓄積するようにしている。
【０００４】一方、ビデオカメラで手振れ補正を行う方
法の１つとして、通常の撮像時に必要な有効撮像領域よ
りも大きな撮像領域を持つ固体撮像素子を使用し、その
撮像領域の一部分を手振れ補正に使用する方法が知られ
ている。この手振れ補正機能を持つ固体撮像素子におい
て、欠陥画素の検出を行う場合は、垂直方向のライン数
が通常のＴＶ方式のライン数よりも多いことから、片フ
ィールドの欠陥画素の検出に１フィールド相当以上の時
間がかかるため、時間的には２フィールド相当の時間を
欠陥検出にあてている。
【０００５】図５に、従来例におけるＣＣＤ固体撮像素
子の駆動タイミングとＣＣＤ出力信号の波形を示す。こ
の例では、蓄積時間を６フィールド相当期間としてい
る。なお、図５中、ＦＬＤはＯＤＤ／ＥＶＥＮのフィー
ルド識別信号、ＶＤＩは垂直同期パルス、ＶＤＯは垂直
同期パルスに同期した読出しタイミングパルス、ＸＳＧ
１は４相の垂直転送パルスＶ１〜Ｖ４の１相目の垂直転
送パルスＶ１に重畳されて一方のフィールドの信号電荷
を読み出す読出しパルス、ＸＳＧ２は３相目の垂直転送
パルスＶ３に重畳されて他方のフィールドの信号電荷を
読み出す読出しパルス、ＣＣＤｏｕｔはＣＣＤ出力信号
である。
【０００６】図５において、時点ｔ１で読出しパルスＸ
ＳＧ２が発生することにより、ＥＶＥＮフィールドの読
み出しが行われ、その後このＥＶＥＮフィールドについ
て６フィールド相当の期間に亘って蓄積が行われる。一
方、ＯＤＤフィールドについては、時点ｔ２で読出しパ
ルスＸＳＧ１が発生することで一度読み出しが行われた
後、先述したように、片フィールドの欠陥画素の検出に
１フィールド相当以上の時間がかかり、しかも画素の読
み出し順序を合わせる必要があるため、２フィールド相
当の期間が経過した時点ｔ３から６フィールド相当の期
間に亘って蓄積が行われる。
【０００７】そして、ＥＶＥＮフィールドについて６フ
ィールド相当の蓄積期間が終了した時点ｔ４で読出しパ
ルスＸＳＧ２が発生することで、ＥＶＥＮフィールドの
読み出しが行われ、この読み出した画素情報に基づい
て、ＥＶＥＮフィールドについての欠陥画素の検出が１
フィールド相当以上の期間に亘って行われる。一方、Ｏ
ＤＤフィールドについては、６フィールド相当の蓄積期
間の終了が、ＥＶＥＮフィールドの読み出し時点ｔ４か
ら３フィールド相当の期間が経過した時点ｔ５となり、
その時点でＯＤＤフィールドの読み出しが行われ、この
読み出した画素情報に基づいて、ＯＤＤフィールドにつ
いての欠陥画素の検出が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た手振れ補正機能を持つＣＣＤ固体撮像素子では、欠陥
画素の検出を行う際に、垂直方向のライン数が通常のＴ
Ｖ方式のライン数よりも多いことに起因して、片フィー
ルドの欠陥画素の検出に１フィールド相当以上の時間が
かかることから、時間的に２フィールド相当の期間をあ
てており、しかもＥＶＥＮ／ＯＤＤの各フィールドを交
互に読み出す必要があることから、次のフィールドの読
み出しに３フィールド相当の時間を要することになるた
め、トータル５フィールド相当の検出期間が必要とな
る。
【０００９】通常、欠陥画素の検出／補正の処理は、カ
メラの電源投入時のイニシャル動作時に実行されること
が多く、電源投入後にカメラの画が出るまでの時間を制
限してしまう。通常は、電源投入後にすぐに画を出す必
要があることから、イニシャル動作の実行時間を短くす
るようにしなければならないため、イニシャル動作にあ
まり時間をかけられない。したがって、欠陥画素の検出
に要する期間もできるだけ短くする必要があり、検出期
間を短くするために蓄積時間を短くすると、検出感度が
低下することになる。
【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、検出感度を低下させ
ることなく、欠陥検出に要する時間の短縮を可能とした
固体撮像素子の欠陥検出装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像素
子の欠陥検出装置は、有効撮像領域よりも大きな撮像領
域を持つ固体撮像素子において、撮像領域の各画素から
電荷を読み出すための読出しパルスを発生するととも
に、欠陥検出時に固体撮像素子をフレーム読出しにて駆
動するタイミングジェネレータと、固体撮像素子の撮像
出力レベルに基づいて画素欠陥を検出する欠陥検出手段
とを備え、タイミングジェネレータが、欠陥検出時に一
方のフィールドの読出しパルスの発生を所定フィールド
相当の期間だけ停止し、その停止開始直後の２フィール
ド目に他方のフィールドの読出しパルスを発生し、その
後他方のフィールドの読出しパルスの発生を所定フィー
ルド相当の期間だけ停止するとともに、その停止期間終
了後に各フィールドごとにフレーム読出し駆動を行う構
成となっている。
【００１２】上記構成の欠陥検出装置において、欠陥検
出時に一方のフィールドの読出しパルスの発生を所定フ
ィールド相当の期間だけ停止することで、一方のフィー
ルドについて長時間蓄積が行われる。その長時間蓄積の
開始直後の２フィールド目に他方のフィールドの読出し
パルスを発生することで、本来同じフィールドの読み出
しが行われるところを強制的に他方のフィールドの読出
しに切り替える。そして、他方のフィールドの読出しパ
ルスの発生を所定フィールド相当の期間だけ停止するこ
とで、他方のフィールドについて長時間蓄積が行われ
る。この長時間蓄積が終了したら、各フィールドごとに
フレーム読出し駆動を行い、そのときの固体撮像素子の
撮像出力レベルに基づいて欠陥画素を検出する。このフ
レーム読出し駆動では、各画素に蓄積された電荷を２フ
ィールドに亘って画素混合無しで読み出すことができる
ため、画素単位での欠陥検出を短時間で行える。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は、手振れ補
正対応のＣＣＤカメラに適用された例えばディジタル信
号処理構成の本発明の一実施形態を示すブロック図であ
る。図１において、被写体はレンズ１および絞り（ＩＲ
ＩＳ）２からなる光学系によってＣＣＤ固体撮像素子３
の撮像面上に結像される。この光学系の絞り２は、後述
する欠陥検出／補正時にマイクロコンピュータ（以下、
マイコンと略称する）４によって開閉制御される。シグ
ナルジェネレータ５は、システム動作の基準となるシス
テムクロックＳＣＫとともに、垂直同期パルスＶＤおよ
び水平同期パルスＨＤを発生する。
【００１４】タイミングジェネレータ６は、マイコン４
の制御の下に、シグナルジェネレータ５から供給される
システムクロックＳＣＫに基づいて適当なタイミングで
各種の信号を発生する。一例として、タイミングジェネ
レータ６からは、ＣＣＤ固体撮像素子３における各画素
（フォトセンサ）から信号電荷を読み出すための読出し
パルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２、垂直転送駆動を行うための
４相の垂直転送パルスＸＶＶ１〜ＸＶＶ４、水平転送駆
動を行うための２相の水平転送パルスＨ１，Ｈ２を発生
する。タイミングジェネレータ６はさらに、後述するよ
うに、欠陥検出回路１０からＴＧ制御信号が与えられた
とき、読出しパルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２のタイミングを
変えることにより、読み出すフィールドを強制的に切り
替える構成となっている。
【００１５】これらの信号のうち、読出しパルスＸＳＧ
１，ＸＳＧ２および４相の垂直転送パルスＸＶＶ１〜Ｘ
ＶＶ４はドライバ７を経由して、１相目に読出しパルス
ＸＳＧ１を含み、３相目に読出しパルスＸＳＧ２を含む
４相の垂直転送パルスＶ１〜Ｖ４としてＣＣＤ固体撮像
素子３の垂直転送レジスタに与えられる。また、２相の
水平転送パルスＨ１，Ｈ２は直接ＣＣＤ固体撮像素子３
の水平転送レジスタに与えられる。
【００１６】なお、ＣＣＤ固体撮像素子３は、手振れ補
正対応のものであることから、画面に写る有効撮像領域
よりも大きな撮像領域を有している。一例として、ＮＴ
ＳＣ方式のＴＶ信号を導出する場合には、ＮＴＳＣ方式
のＣＣＤ固体撮像素子よりもライン数が多いＰＡＬ方式
のＣＣＤ固体撮像素子が用いられる。そして、周知の手
振れ補正処理技術によって手振れ補正が実現される。こ
の手振れ補正処理については、本発明の要旨とは直接関
係ないので、ここではその説明を省略するものとする。
【００１７】ＣＣＤ固体撮像素子３の撮像出力は、Ｓ／
Ｈ（サンプル／ホールド）＆ＡＧＣ（自動利得制御）回
路８を経た後、Ａ／Ｄ変換器９でディジタル化されて例
えば１０ビットのデータとして欠陥検出回路１０および
欠陥補正回路１１に供給される。欠陥補正回路１１で欠
陥補正された撮像出力は、信号処理回路１２で各種の信
号処理が行われて輝度（Ｙ）信号およびクロマ（Ｃ）信
号として出力され、しかる後エンコーダ１３を経てビデ
オ出力となる。
【００１８】図２は、欠陥検出回路１０の要部について
の具体的な構成の一例を示すブロック図である。図２に
おいて、本欠陥検出回路１０には、図１のＡ／Ｄ変換器
９から１０ビットの撮像出力データが欠陥検出のための
検査信号として入力されるとともに、タイミングジェネ
レータ６から読出しパルスＸＳＧ１、１相目の垂直転送
パルスＸＶＶ１、マスタクロックＭＣＫ等が与えられ
る。１０ビットの検査信号は、データ書込み制御部１０
１およびＣＬＰ（クランプ）／ＢＬＫ（ブランキング）
処理回路１０２に供給される。
【００１９】ＣＬＰ／ＢＬＫ処理回路１０２では、映像
信号である検査信号における黒レベルをクランプする処
理および有効映像期間以外を除去する処理が行われる。
このＣＬＰ／ＢＬＫ処理回路１０２を経た検査信号は、
画素欠陥の検出処理を行うための検出比較器１０３に供
給される。検出比較器１０３は、画素単位の信号レベル
を検出基準レベルと比較することによって欠陥画素の検
出を行い、欠陥画素を検出したら検出信号をデータ書込
み制御部１０１に与える。
【００２０】一方、読出しパルスＸＳＧ１および１相目
の垂直転送パルスＸＶＶ１はＶ（垂直）カウンタ１０４
に入力される。この読出しパルスＸＳＧ１は垂直同期パ
ルスＶＤに同期したパルスであり、垂直転送パルスＸＶ
Ｖ１はマスタクロックＭＣＫに基づくパルスである。し
たがって、Ｖカウンタ１０４は、読出しパルスＸＳＧ１
が発生する期間において垂直転送パルスＸＶＶ１をカウ
ントすることで、そのカウントデータを垂直方向のアド
レスデータとして出力する。また、Ｈ（水平）カウンタ
１０５は、マスタクロックＭＣＫをカウントすること
で、そのカウントデータを水平方向のアドレスデータと
して出力する。
【００２１】データ書込み制御部１０１は、検出比較器
１０３から欠陥画素を検出した旨の検出信号が与えられ
ると、そのときのＶカウンタ１０４およびＨカウンタ１
０５の各カウントデータを欠陥画素のアドレスデータと
して取り込み、そのアドレスデータと共にその欠陥レベ
ルデータを内蔵のＲＡＭ１０６に順に格納する。そし
て、欠陥補正時には、データ書込み制御部１０１は、Ｒ
ＡＭ１０６に格納した欠陥画素のアドレスデータを順に
出力する。このアドレスデータは、Ｖアドレスコンパレ
ータ１０７およびＨアドレスコンパレータ１０８に与え
られる。
【００２２】Ｖアドレスコンパレータ１０７は、データ
書込み制御部１０１から与えられるアドレスデータとＶ
カウンタ１０４のカウントデータとを比較し、一致した
ときにその旨を示す一致検出信号をＨアドレスコンパレ
ータ１０８に与える。Ｈアドレスコンパレータ１０８
は、Ｖアドレスコンパレータ１０７から一致検出信号が
与えられたら、データ書込み制御部１０１からのアドレ
スデータとＨカウンタ１０５のカウントデータとを比較
し、一致したとき、即ち欠陥画素のアドレスのタイミン
グで欠陥補正パルスを出力する。
【００２３】この欠陥補正パルスは欠陥補正回路１１に
供給される。欠陥補正回路１１においては、欠陥補正パ
ルスが与えられたときの撮像出力を、欠陥画素について
の撮像出力であると特定し、その欠陥画素についての撮
像出力に代えて例えば１画素分だけ前の撮像出力を用い
ることにより、欠陥画素についての欠陥補正が行われる
ことになる。
【００２４】次に、上記構成のシステムにおいて実行さ
れる、本実施形態に係る欠陥検出動作について、図３の
タイミングチャートに基づいて説明する。この例では、
蓄積時間を６フィールド相当期間としている。
【００２５】なお、図３中、ＳＲＴはマイコン４から欠
陥検出回路１０に与えられる欠陥検出のスタート信号、
ＦＬＤはＯＤＤ／ＥＶＥＮのフィールド識別信号、ＶＤ
Ｉは垂直同期パルス、ＶＤＯは垂直同期パルスに同期し
た読出しタイミングパルス、ＸＳＧ１は４相の垂直転送
パルスＶ１〜Ｖ４の１相目の垂直転送パルスＶ１に重畳
されて一方のフィールドの信号電荷を読み出す読出しパ
ルス、ＸＳＧ２は３相目の垂直転送パルスＶ３に重畳さ
れて他方のフィールドの信号電荷を読み出す読出しパル
ス、ＣＣＤｏｕｔはＣＣＤ出力信号、ＥＮＤは欠陥検出
回路１０からマイコン４に与えられる欠陥検出のエンド
信号である。
【００２６】図３において、時点ｔ１で読出しパルスＸ
ＳＧ２が発生することにより、ＥＶＥＮフィールドの読
み出しが行われ、その直後の時点ｔ２で高レベルのスタ
ート信号ＳＲＴが出力されることによって欠陥検出が指
令されると、ＥＶＥＮフィールドについて時点ｔ１から
継続して６フィールド相当の期間に亘っての蓄積が開始
される。続いて、時点ｔ３で読出しパルスＸＳＧ１が発
生することにより、ＯＤＤフィールドの読み出しが行わ
れる。
【００２７】また、ＥＶＥＮフィールドの蓄積開始直後
の２フィールド目の時点ｔ４では、本来同じＥＶＥＮフ
ィールドの読み出しが行われるところを、強制的に読出
しパルスＸＳＧ１を発生させ、フィールドを切り替える
ことにより、ＥＶＥＮフィールドの蓄積開始直後の１フ
ィールド目に続いてＯＤＤフィールドの読み出しを行
う。このフィールドの強制切り替えは、タイミングジェ
ネレータ６が欠陥検出回路１０からのＴＧ制御信号に応
答して読出しパルスＸＳＧ１のタイミングを強制的に変
えることによって行われる。そして、その時点ｔ４から
ＯＤＤフィールドについて６フィールド相当の期間に亘
っての蓄積が開始される。
【００２８】ＥＶＥＮフィールドについて６フィールド
相当の蓄積期間が終了した時点ｔ５で読出しパルスＸＳ
Ｇ２が発生することで、ＥＶＥＮフィールドの読み出し
が行われ、この読み出した画素情報に基づいて、ＥＶＥ
Ｎフィールドについての欠陥画素の検出が１フィールド
相当以上の期間に亘って行われる。同様に、ＯＤＤフィ
ールドについて６フィールド相当の蓄積期間が終了した
時点ｔ６で読出しパルスＸＳＧ１が発生することで、Ｏ
ＤＤフィールドの読み出しが行われ、この読み出した画
素情報に基づいて、ＯＤＤフィールドについての欠陥画
素の検出が１フィールド相当以上の期間に亘って行われ
る。
【００２９】そして、ＯＤＤフィールドの読出し時点ｔ
６から２フィールド後の時点ｔ７で再度読出しパルスＸ
ＳＧ２を発生することにより、引き続いてＯＤＤフィー
ルドの読み出しが行われ、これによりフィールドが反転
される。ＥＶＥＮ／ＯＤＤの両フィールドの欠陥画素の
検出が終了すると、時点ｔ８で高レベルのエンド信号Ｅ
ＮＤが出力され、一連の欠陥検出処理が終了する。
【００３０】上述したように、手振れ補正機能を持つＣ
ＣＤ固体撮像素子３において、一方のフィールドの蓄積
開始直後の２フィールド目で本来同じフィールドが読み
出されるところを強制的に他方のフィールドの読み出し
に切り替えて当該フィールドの蓄積を開始し、各フィー
ルドごとに所定の蓄積時間が経過したら読み出しおよび
欠陥検出を行い、しかる後通常動作に戻すようにしたこ
とにより、一方のフィールドの読み出しを行った後の２
フィールド目に他方のフィールドの読み出しを行えるの
で、欠陥検出に要する期間が４フィールド相当の期間と
なる。
【００３１】すなわち、欠陥検出期間として、従来は５
フィールド相当の期間を要していたのに対し、本発明に
よれば、４フィールド相当の期間で済むため、欠陥検出
に要する時間を１フィールド相当の時間だけ短縮できる
ことになる。これにより、各フィールドの蓄積期間を短
くしなくても、欠陥検出に要する時間を短縮できるた
め、感度を落とさなくて済むことになる。しかも、フィ
ールドを強制的に切り替えるだけで良いため、タイミン
グジェネレータ６の制御のみで実現できることになる。
これにより、ＣＣＤカメラのイニシャル設定時間を検出
感度を代えずに短縮できることになる。
【００３２】次に、欠陥検出および欠陥補正のアルゴリ
ズムにつき、図４のフローチャートにしたがって説明す
る。
【００３３】ＣＣＤカメラの電源が投入されると、マイ
コン４は先ず、絞り２を閉じてＣＣＤ固体撮像素子３へ
の光入射がない暗黒状態とし（ステップＳ１）、続いて
ＣＣＤ固体撮像素子３をフレーム読出しにて駆動する
（ステップＳ２）。そして、タイミングジェネレータ６
からＣＣＤ固体撮像素子３に対して発生される読出しパ
ルスＸＳＧ１，ＸＳＧ２を停止する（ステップＳ３）。
これにより、長時間蓄積動作に移行する。この長時間蓄
積動作に移行したら、本発明の特徴とするところのフィ
ールドの強制切り替えを行う（ステップＳ４）。
【００３４】次に、欠陥検出回路１０においては、ＣＣ
Ｄ固体撮像素子３の撮像出力を検査信号として取り込
み、撮像出力レベルを所定の検出基準レベルと比較する
処理を行う（ステップＳ５）。そして、ＣＣＤ固体撮像
素子３の撮像出力レベルが検出基準レベル以上となった
ときの画素を欠陥画素として検出し（ステップＳ６）、
同時にその欠陥画素のアドレスを検出し（ステップＳ
７）、そのアドレスデータをＲＡＭ１０６に記憶する
（ステップＳ８）。以上により、フレーム読出し駆動で
の欠陥検出の一連の処理が終了する。
【００３５】欠陥検出の一連の処理の終了後、欠陥補正
を行う必要のある通常の撮像モードに移行すると（ステ
ップＳ９）、マイコン４による制御により、タイミング
ジェネレータ６はＣＣＤ固体撮像素子３をフィールド読
出しにて駆動する（ステップＳ１０）。このフィールド
読出し駆動に移行すると、欠陥検出回路１０において
は、ＲＡＭ１０６から欠陥画素についてのアドレスデー
タを読み出し（ステップＳ１１）、その欠陥画素のアド
レスのタイミングで欠陥補正パルスを発生し（ステップ
Ｓ１２）、欠陥補正回路１１に供給する。
【００３６】欠陥補正パルスが供給されると、欠陥補正
回路１０は、この欠陥補正パルスに応答してＣＣＤ出力
中の欠陥画素についての撮像出力を特定し、例えば、そ
の欠陥画素の撮像出力を１画素前の撮像出力で置換する
ことによって欠陥補正を行う（ステップＳ１３）。そし
て、レンズ絞り２が開いているか否かを判断し（ステッ
プＳ１４）、開いていなければ、レンズ絞り２を開いて
ＣＣＤ固体撮像素子３へ光を入射させ（ステップＳ１
５）、通常の撮像モードへ入る。以降、撮像モードが終
了するまで、上述した一連の欠陥補正の処理を繰り返し
て実行する。
【００３７】なお、上記実施形態においては、ＣＣＤカ
メラにおける信号処理系をディジタル的に構成し、欠陥
補正時には、欠陥画素のデータを１画素前のデータと置
換するとしたが、１画素前のデータとの置換に限られる
ものではなく、他の周辺画素のデータと置換するように
しても良いことは勿論である。また、信号処理系をアナ
ログ的に構成した場合には、Ｓ／Ｈ回路による前値補間
などによって欠陥補正を行うことができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有効撮像領域よりも大きな撮像領域を持つ固体撮像素子
において、欠陥検出時に、一方のフィールドの読出しパ
ルスの発生を所定フィールド相当の期間だけ停止し、そ
の停止開始直後の２フィールド目に他方のフィールドの
読出しパルスを発生し、その後他方のフィールドの読出
しパルスの発生を所定フィールド相当の期間だけ停止す
るとともに、その停止期間終了後に各フィールドごとに
フレーム読出しを行う構成としたことにより、欠陥検出
のために一方のフィールドの読み出しを行った後の２フ
ィールド目に他方のフィールドの読み出しを行えるの
で、欠陥検出に要する期間がトータル４フィールド相当
の期間となり、感度を落とすことなく欠陥検出期間を短
縮でき、しかもフィールドを強制的に切り替えるだけで
良いため、タイミングジェネレータの制御のみで実現で
きることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】欠陥検出回路の要部についての具体的構成の一
例を示すブロック図である。
【図３】本発明に係る欠陥検出の動作を説明するための
タイミングチャートである。
【図４】欠陥検出および欠陥補正のアルゴリズムを示す
フローチャートである。
【図５】従来例に係る欠陥検出の動作を説明するための
タイミングチャートである。
【符号の説明】
３ ＣＣＤ固体撮像素子 ６ タイミングジェネレー
タ １０ 欠陥検出回路 １１ 欠陥補正回路 １０１ データ書込み制御部 １０３ 検出比較器 １０４ Ｖカウンタ １０５ Ｈカウンタ １０７ Ｖアドレスコンパレータ １０８ Ｈアドレ
スコンパレータ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有効撮像領域よりも大きな撮像領域を持
    つ固体撮像素子において、 前記撮像領域の各画素から電荷を読み出すための読出し
    パルスを発生するとともに、欠陥検出時に前記固体撮像
    素子をフレーム読出しにて駆動するタイミングジェネレ
    ータと、 前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて画素欠陥
    を検出する欠陥検出手段とを備え、 前記タイミングジェネレータは、欠陥検出時に一方のフ
    ィールドの読出しパルスの発生を所定フィールド相当の
    期間だけ停止し、その停止開始直後の２フィールド目に
    他方のフィールドの読出しパルスを発生し、その後他方
    のフィールドの読出しパルスの発生を所定フィールド相
    当の期間だけ停止するとともに、その停止期間終了後に
    各フィールドごとにフレーム読出し駆動を行うことを特
    徴とする固体撮像素子の欠陥検出装置。
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