JPH09202973A - 成膜処理装置の排気システム構造 - Google Patents
成膜処理装置の排気システム構造Info
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- JPH09202973A JPH09202973A JP8030059A JP3005996A JPH09202973A JP H09202973 A JPH09202973 A JP H09202973A JP 8030059 A JP8030059 A JP 8030059A JP 3005996 A JP3005996 A JP 3005996A JP H09202973 A JPH09202973 A JP H09202973A
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- gas
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- exhaust system
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D50/00—Combinations of methods or devices for separating particles from gases or vapours
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポンプ内において未反応の有機金属材料を分
解させないようにしてポンプの下流側でこれを除害する
ようにした排気システム構造を提供する。 【解決手段】 有機金属材料26を用いて被処理体に成
膜を施す成膜処理装置2の排気システム構造において、
前記成膜処理装置に接続さてれ排気ガスを流すための排
気通路32と、この排気通路の上流側に介設されて、内
部に多数の回転羽根50を有すると共にこの回転羽根の
軸受部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段65
を有するターボ分子ポンプ36と、このターボ分子ポン
プの下流側に介設されたドライポンプ38と、このドラ
イポンプに設けられて前記有機金属材料の熱分解温度よ
りも低い温度に冷却する冷却手段100と、前記ドライ
ポンプの下流側に設けられて前記排気ガス中に含まれる
有機金属材料を除害する除害手段134とを備えるよう
に構成する。これにより、両ポンプ内では有機金属材料
が熱分解しないようにし、これを下流側の除害手段にて
除去する。
解させないようにしてポンプの下流側でこれを除害する
ようにした排気システム構造を提供する。 【解決手段】 有機金属材料26を用いて被処理体に成
膜を施す成膜処理装置2の排気システム構造において、
前記成膜処理装置に接続さてれ排気ガスを流すための排
気通路32と、この排気通路の上流側に介設されて、内
部に多数の回転羽根50を有すると共にこの回転羽根の
軸受部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段65
を有するターボ分子ポンプ36と、このターボ分子ポン
プの下流側に介設されたドライポンプ38と、このドラ
イポンプに設けられて前記有機金属材料の熱分解温度よ
りも低い温度に冷却する冷却手段100と、前記ドライ
ポンプの下流側に設けられて前記排気ガス中に含まれる
有機金属材料を除害する除害手段134とを備えるよう
に構成する。これにより、両ポンプ内では有機金属材料
が熱分解しないようにし、これを下流側の除害手段にて
除去する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属材料を用
いて成膜を行なう成膜処理装置の排気システム構造に関
する。
いて成膜を行なう成膜処理装置の排気システム構造に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスにあっては、最
近の高密度化、高集積化の要請に応じて、回路構成を多
層配線構造にする傾向にあり、この場合、下層デバイス
と上層アルミ配線との接続部であるコンタクトホールや
下層アルミ配線と上層アルミ配線との接続部であるヴィ
アホールなどの埋め込み技術が、両者の電気的な接続を
はかるために重要になっている。コンタクトホールやヴ
ィアホールの埋め込みには、安価で導電性の良好な材
料、例えばアルミニウムを用いるのが好ましく、しか
も、ホールの埋め込みという技術的な制約からボイドの
発生をなくすためには方向性の高いスパッタによる成膜
でなく、ステップカバレジが良好なCVD(Chemi
cal VaporDeposition)による成膜
が望まれている。
近の高密度化、高集積化の要請に応じて、回路構成を多
層配線構造にする傾向にあり、この場合、下層デバイス
と上層アルミ配線との接続部であるコンタクトホールや
下層アルミ配線と上層アルミ配線との接続部であるヴィ
アホールなどの埋め込み技術が、両者の電気的な接続を
はかるために重要になっている。コンタクトホールやヴ
ィアホールの埋め込みには、安価で導電性の良好な材
料、例えばアルミニウムを用いるのが好ましく、しか
も、ホールの埋め込みという技術的な制約からボイドの
発生をなくすためには方向性の高いスパッタによる成膜
でなく、ステップカバレジが良好なCVD(Chemi
cal VaporDeposition)による成膜
が望まれている。
【0003】アルミCVD成膜を形成するためには、一
般的には処理ガスとしてDMAH(ジメチルアルミニウ
ムハイドライド)に代表される有機金属材料を用いる
が、このDMAHは、常温では粘度が8000〜100
00cp(センチポアズ)程度と非常に高くて水あめ状
になっており、しかも、空気中の水分や酸素と激しく反
応して発火するために非常に取り扱いが困難な物質であ
る。
般的には処理ガスとしてDMAH(ジメチルアルミニウ
ムハイドライド)に代表される有機金属材料を用いる
が、このDMAHは、常温では粘度が8000〜100
00cp(センチポアズ)程度と非常に高くて水あめ状
になっており、しかも、空気中の水分や酸素と激しく反
応して発火するために非常に取り扱いが困難な物質であ
る。
【0004】このようにDMAHは高粘度の材料である
ことから高精度に流量制御しつつ供給することが技術的
に非常に困難であり、上述のように水分や酸素と激しく
反応し、しかも常温において少しずつ自然分解し、特に
100℃以上で急激に分解して金属アルミニウムを析出
することから排気ガスの処理系も十分には確立されてお
らず、量産化に適した装置が提供されていないのが現状
である。ここで排気ガスの対策について注目すると、有
機金属材料を原料ガスとして用いた場合の従来の一般的
な排気ガス対策は、排気ガス通路に加熱手段や冷却手段
を介設しておいて排気ガスを加熱するか、或いは冷却す
ることによりガス中に含まれる未反応有機金属材料や反
応生成物を析出させてトラップするようになっている。
ことから高精度に流量制御しつつ供給することが技術的
に非常に困難であり、上述のように水分や酸素と激しく
反応し、しかも常温において少しずつ自然分解し、特に
100℃以上で急激に分解して金属アルミニウムを析出
することから排気ガスの処理系も十分には確立されてお
らず、量産化に適した装置が提供されていないのが現状
である。ここで排気ガスの対策について注目すると、有
機金属材料を原料ガスとして用いた場合の従来の一般的
な排気ガス対策は、排気ガス通路に加熱手段や冷却手段
を介設しておいて排気ガスを加熱するか、或いは冷却す
ることによりガス中に含まれる未反応有機金属材料や反
応生成物を析出させてトラップするようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、周知のよう
に真空処理装置の排気ガス系には、油を用いた油系ポン
プは油中に有機金属材料が溶け込むことから用いること
ができず、従って、粗引き用のドライポンプと高真空引
き用のターボ分子ポンプとを組み合わせて用いるのが一
般的であるが、上述のようにDMAH等は常温でもある
程度分解すると共に100℃を越えると激しく分解して
アルミニウムを析出することから、上記各ポンプの熱の
発生し易い部分、例えば軸受部やドライポンプ内の後段
の排気圧力が高くなる部分は、100℃以上になること
からここに熱分解により析出したアルミニウムが付着
し、ポンプ性能を劣化させたり、最悪の場合にはポンプ
自体を破損させてしまうといった問題点がある。
に真空処理装置の排気ガス系には、油を用いた油系ポン
プは油中に有機金属材料が溶け込むことから用いること
ができず、従って、粗引き用のドライポンプと高真空引
き用のターボ分子ポンプとを組み合わせて用いるのが一
般的であるが、上述のようにDMAH等は常温でもある
程度分解すると共に100℃を越えると激しく分解して
アルミニウムを析出することから、上記各ポンプの熱の
発生し易い部分、例えば軸受部やドライポンプ内の後段
の排気圧力が高くなる部分は、100℃以上になること
からここに熱分解により析出したアルミニウムが付着
し、ポンプ性能を劣化させたり、最悪の場合にはポンプ
自体を破損させてしまうといった問題点がある。
【0006】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的はポンプ内において未反応の有機金属材料を分解
させないようにしてポンプの下流側でこれを除害するよ
うにした排気システム構造を提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的はポンプ内において未反応の有機金属材料を分解
させないようにしてポンプの下流側でこれを除害するよ
うにした排気システム構造を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、有機金属材料を用いて被処理体に成膜
を施す成膜処理装置の排気システム構造において、前記
成膜処理装置に接続さてれ排気ガスを流すための排気通
路と、この排気通路の上流側に介設されて、内部に多数
の回転羽根を有すると共にこの回転羽根の軸受部に不活
性ガスを供給する不活性ガス供給手段を有するターボ分
子ポンプと、このターボ分子ポンプの下流側に介設され
たドライポンプと、このドライポンプに設けられて前記
有機金属材料の熱分解温度よりも低い温度に冷却する冷
却手段と、前記ドライポンプの下流側に設けられて前記
排気ガス中に含まれる有機金属材料を除害する除害手段
とを備えるように構成したものである。
解決するために、有機金属材料を用いて被処理体に成膜
を施す成膜処理装置の排気システム構造において、前記
成膜処理装置に接続さてれ排気ガスを流すための排気通
路と、この排気通路の上流側に介設されて、内部に多数
の回転羽根を有すると共にこの回転羽根の軸受部に不活
性ガスを供給する不活性ガス供給手段を有するターボ分
子ポンプと、このターボ分子ポンプの下流側に介設され
たドライポンプと、このドライポンプに設けられて前記
有機金属材料の熱分解温度よりも低い温度に冷却する冷
却手段と、前記ドライポンプの下流側に設けられて前記
排気ガス中に含まれる有機金属材料を除害する除害手段
とを備えるように構成したものである。
【0008】以上のように構成することにより、成膜処
理装置から排気通路内を排出される排気ガスは、ターボ
分子ポンプ、ドライポンプ及び除害手段と順次下流側へ
流れて行く。ここで、ターボ分子ポンプにおいてはその
軸受部に不活性ガスを僅かずつ供給していることからこ
の部分に排気ガスが侵入してくることがなく、従って、
アルミニウムが軸受部に付着することもない。これによ
り、ターボ分子ポンプからは、排気ガス中の未反応の有
機金属材料はそのままの状態で下流に排出される。この
ターボ分子の下流側に位置するドライポンプ内において
は、その回転駆動部分が発熱する傾向にあるが、このポ
ンプには冷却手段を設けて有機金属材料の熱分解温度以
下に冷却していることから、それ以上温度が上昇するこ
とはなく、従って、このポンプ内でも未反応の有機金属
材料は分解することなくそのまま排気ガス中に含まれて
排出される。
理装置から排気通路内を排出される排気ガスは、ターボ
分子ポンプ、ドライポンプ及び除害手段と順次下流側へ
流れて行く。ここで、ターボ分子ポンプにおいてはその
軸受部に不活性ガスを僅かずつ供給していることからこ
の部分に排気ガスが侵入してくることがなく、従って、
アルミニウムが軸受部に付着することもない。これによ
り、ターボ分子ポンプからは、排気ガス中の未反応の有
機金属材料はそのままの状態で下流に排出される。この
ターボ分子の下流側に位置するドライポンプ内において
は、その回転駆動部分が発熱する傾向にあるが、このポ
ンプには冷却手段を設けて有機金属材料の熱分解温度以
下に冷却していることから、それ以上温度が上昇するこ
とはなく、従って、このポンプ内でも未反応の有機金属
材料は分解することなくそのまま排気ガス中に含まれて
排出される。
【0009】そして、この未反応の有機金属材料は、こ
のポンプの下流側に設けた除害手段により、排気ガス中
から除去される。この除害手段としては、未反応の有機
金属材料を燃焼させて除去する方法や化学的に反応させ
て吸着除去する方法を採用することができる。有機金属
材料としてDMAHを用いた場合には、冷却手段により
ドライポンプ内を例えば50℃以下に冷却することが望
ましい。また、除害手段の下流側には、除害の完全性を
期すため、或いは除害手段の故障時の緊急用として水ス
クラバを設けるのが望ましい。
のポンプの下流側に設けた除害手段により、排気ガス中
から除去される。この除害手段としては、未反応の有機
金属材料を燃焼させて除去する方法や化学的に反応させ
て吸着除去する方法を採用することができる。有機金属
材料としてDMAHを用いた場合には、冷却手段により
ドライポンプ内を例えば50℃以下に冷却することが望
ましい。また、除害手段の下流側には、除害の完全性を
期すため、或いは除害手段の故障時の緊急用として水ス
クラバを設けるのが望ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜処理装
置の排気システム構造の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。図1は本発明の排気システム構造とこれを設
けた成膜処理装置を示す概略構成図、図2は排気システ
ム構造に設けたターボ分子ポンプを示す概略断面図、図
3は排気システム構造に設けたドライポンプを示す概略
断面図、図4は排気システム構造に設けた除害装置を示
す概略断面図、図5は排気システム構造に設けた水スク
ラバを示す概略断面図である。尚、本実施例では有機金
属材料としてDMAH(ジメチルアルミニウムハイドラ
イド)を用いてアルミニウム膜を成膜する場合を例にと
って説明する。
置の排気システム構造の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。図1は本発明の排気システム構造とこれを設
けた成膜処理装置を示す概略構成図、図2は排気システ
ム構造に設けたターボ分子ポンプを示す概略断面図、図
3は排気システム構造に設けたドライポンプを示す概略
断面図、図4は排気システム構造に設けた除害装置を示
す概略断面図、図5は排気システム構造に設けた水スク
ラバを示す概略断面図である。尚、本実施例では有機金
属材料としてDMAH(ジメチルアルミニウムハイドラ
イド)を用いてアルミニウム膜を成膜する場合を例にと
って説明する。
【0011】まず、図1に基づいて排気システム構造を
取り付ける成膜処理装置2について説明する。有機金属
材料としてのDMAHは、前述のように常温では800
0〜10000cp程度と高い粘度を有し、水あめ状の
液体状態となっており、また、反応性に富み、空気中の
水蒸気や酸素と激しく反応する一方、略100℃以上で
は急激に熱分解して金属アルミニウムを析出することか
ら取り扱いが極めて困難である。そこで、本実施例では
DMAHを熱分解しない温度範囲、例えば40℃〜80
℃、好ましくは60℃程度に加熱して円滑に流れるよう
にしている。枚葉式の熱CVDの成膜処理装置2は、例
えばアルミニウム製の処理容器4を有しており、この中
には例えば抵抗加熱ヒータ6で加熱される載置台8が設
けられており、この載置台8の上面に例えばメカニカル
クランプ(図示せず)に保持されて被処理体としてのウ
エハWが載置される。
取り付ける成膜処理装置2について説明する。有機金属
材料としてのDMAHは、前述のように常温では800
0〜10000cp程度と高い粘度を有し、水あめ状の
液体状態となっており、また、反応性に富み、空気中の
水蒸気や酸素と激しく反応する一方、略100℃以上で
は急激に熱分解して金属アルミニウムを析出することか
ら取り扱いが極めて困難である。そこで、本実施例では
DMAHを熱分解しない温度範囲、例えば40℃〜80
℃、好ましくは60℃程度に加熱して円滑に流れるよう
にしている。枚葉式の熱CVDの成膜処理装置2は、例
えばアルミニウム製の処理容器4を有しており、この中
には例えば抵抗加熱ヒータ6で加熱される載置台8が設
けられており、この載置台8の上面に例えばメカニカル
クランプ(図示せず)に保持されて被処理体としてのウ
エハWが載置される。
【0012】この載置台8の上方には、これに対向させ
てシャワーヘッド10が設けられており、このシャワー
ヘッド10内には多数の拡散孔を有する拡散板14が設
けられる。そして、このシャワーヘッド10には、これ
に処理ガスを供給するためのガス供給通路12が接続さ
れており、これにより処理ガスを処理容器4内へ導入す
るようになっている。また、この処理容器4の底部4A
には、本発明の排気システム構造16に接続された排気
口18が設けられており、容器内を真空引き可能にして
いる。処理容器4の側壁には、ウエハWを搬入搬出する
ための開口20が形成されており、この開口20には気
密に開閉可能になされたゲートバルブG1を介してロー
ドロック室20が接続されており、処理容器4内の真空
を破ることなくウエハの搬入搬出を行なうようになって
いる。
てシャワーヘッド10が設けられており、このシャワー
ヘッド10内には多数の拡散孔を有する拡散板14が設
けられる。そして、このシャワーヘッド10には、これ
に処理ガスを供給するためのガス供給通路12が接続さ
れており、これにより処理ガスを処理容器4内へ導入す
るようになっている。また、この処理容器4の底部4A
には、本発明の排気システム構造16に接続された排気
口18が設けられており、容器内を真空引き可能にして
いる。処理容器4の側壁には、ウエハWを搬入搬出する
ための開口20が形成されており、この開口20には気
密に開閉可能になされたゲートバルブG1を介してロー
ドロック室20が接続されており、処理容器4内の真空
を破ることなくウエハの搬入搬出を行なうようになって
いる。
【0013】前記ガス供給通路12の先端には、液体収
容容器24が接続されており、この容器24内に原料液
体として例えばDMAH液26を貯蔵している。このD
MAH液26は、加圧された不活性ガス、例えばArガ
スにより圧送される。このガス供給通路12には、下流
側に向けて液体流量制御部28及び搬送されたDMAH
液を例えばH2 ガスにより気化させる気化器30が順次
介設されており、ガス化されたDMAHを上記シャワー
ヘッド10から処理容器4内へ導入するようになってい
る。
容容器24が接続されており、この容器24内に原料液
体として例えばDMAH液26を貯蔵している。このD
MAH液26は、加圧された不活性ガス、例えばArガ
スにより圧送される。このガス供給通路12には、下流
側に向けて液体流量制御部28及び搬送されたDMAH
液を例えばH2 ガスにより気化させる気化器30が順次
介設されており、ガス化されたDMAHを上記シャワー
ヘッド10から処理容器4内へ導入するようになってい
る。
【0014】一方、前記排気システム構造16は、上記
排気口18に接続された、例えばステンレススチール製
の排気通路32を有しており、この排気通路32にはそ
の下流側に向けて自動圧力調整弁34、ターボ分子ポン
プ36、開閉弁37、粗引きポンプとしてのドライポン
プ38、除害手段40及び水スクラバ42が順次介設さ
れている。図2は上記ターボ分子ポンプ36の一例を示
す概略断面図であるが、この種の形式のものに限定され
るものではない。このターボ分子ポンプ36の円筒体状
のハウジング44の内壁面には、複数の固定翼46が多
段に設けられており、この固定翼46間には、内側の円
筒体状のロータ48に取り付けた回転羽根としての回転
翼50が配置される。このロータ48の上端は閉塞され
ていると共に、このロータ48は、回転モータ52の回
転軸54に直接的或いは間接的に接続されており、これ
を回転し得るようになっている。
排気口18に接続された、例えばステンレススチール製
の排気通路32を有しており、この排気通路32にはそ
の下流側に向けて自動圧力調整弁34、ターボ分子ポン
プ36、開閉弁37、粗引きポンプとしてのドライポン
プ38、除害手段40及び水スクラバ42が順次介設さ
れている。図2は上記ターボ分子ポンプ36の一例を示
す概略断面図であるが、この種の形式のものに限定され
るものではない。このターボ分子ポンプ36の円筒体状
のハウジング44の内壁面には、複数の固定翼46が多
段に設けられており、この固定翼46間には、内側の円
筒体状のロータ48に取り付けた回転羽根としての回転
翼50が配置される。このロータ48の上端は閉塞され
ていると共に、このロータ48は、回転モータ52の回
転軸54に直接的或いは間接的に接続されており、これ
を回転し得るようになっている。
【0015】ハウジング44の下端部には、基台56が
ボルト58により気密に取り付けられており、この基台
56の中央部には上方に延びる円筒体状の軸受けハウジ
ング60が設けられる。そして、この軸受けハウジング
60内に前記回転軸54を挿通させており、これらの間
に軸受62を介在させて、回転軸54を回転自在に支持
している。また、軸受ハウジング60の下端開口部に
は、例えば磁性流体シール64が回転軸54との間に介
在させており、内部の気密性を保持しつつ回転軸54の
回転を許容している。そして、この基台56には不活性
ガス供給手段65が設けられる。この供給手段65は上
記軸受ハウジング60を貫通して内部に臨ませたガスノ
ズル66を有しており、このガスノズル66には不活性
ガスとして例えばN2 ガスを貯留するN2 ガス源68を
有するガス供給系70が接続されている。不活性ガスと
してはN2 ガスに限定されず、Arガス、Heガス等の
他の不活性ガスを用いてもよい。そして、このガス供給
系70に介設した開閉弁72及びマスフローコントロー
ラ74を適宜制御することにより、上記軸受ハウジング
60内及びロータ48内へ不活性ガスを適当量だけ供給
してこの内部に排気ガスが侵入することを防止するよう
になっている。尚、不活性ガス供給手段65としては、
ロータ48内に不活性ガスを供給し得ればよく、上記し
た構成に限定されない。
ボルト58により気密に取り付けられており、この基台
56の中央部には上方に延びる円筒体状の軸受けハウジ
ング60が設けられる。そして、この軸受けハウジング
60内に前記回転軸54を挿通させており、これらの間
に軸受62を介在させて、回転軸54を回転自在に支持
している。また、軸受ハウジング60の下端開口部に
は、例えば磁性流体シール64が回転軸54との間に介
在させており、内部の気密性を保持しつつ回転軸54の
回転を許容している。そして、この基台56には不活性
ガス供給手段65が設けられる。この供給手段65は上
記軸受ハウジング60を貫通して内部に臨ませたガスノ
ズル66を有しており、このガスノズル66には不活性
ガスとして例えばN2 ガスを貯留するN2 ガス源68を
有するガス供給系70が接続されている。不活性ガスと
してはN2 ガスに限定されず、Arガス、Heガス等の
他の不活性ガスを用いてもよい。そして、このガス供給
系70に介設した開閉弁72及びマスフローコントロー
ラ74を適宜制御することにより、上記軸受ハウジング
60内及びロータ48内へ不活性ガスを適当量だけ供給
してこの内部に排気ガスが侵入することを防止するよう
になっている。尚、不活性ガス供給手段65としては、
ロータ48内に不活性ガスを供給し得ればよく、上記し
た構成に限定されない。
【0016】また、ハウジング44の下部側壁にはガス
出口76が開口されており、この部分には後段の排気通
路を接続するフランジ78が形成されている。このよう
に構成されたターボ分子ポンプ36は、ボルト80によ
り自動圧力調整弁34側のフランジに取り付け固定され
る。図3は粗引きポンプとしての上記ドライポンプ38
の一例を示す概略断面図であるが、この種の形式のもの
に限定されるものではない。図示するようにこのドライ
ポンプ38は、例えば筒体状になされたハウジング82
を有しており、その長手方向の一端にガス吸入口84が
設けられ、他端にはガス吐出口86が設けられる。そし
て、このハウジング82内には、回転軸92、94に支
持されて互いに接して回る2枚の回転翼88、90が多
段に設けられており、いわゆるルーツ形の真空ポンプを
構成している。各回転軸92、94は軸受96によりハ
ウジング82に回転自在に支持されると共に図示しない
磁性液体シールによりその軸受部がシールされており、
回転モータ98により回転駆動される。
出口76が開口されており、この部分には後段の排気通
路を接続するフランジ78が形成されている。このよう
に構成されたターボ分子ポンプ36は、ボルト80によ
り自動圧力調整弁34側のフランジに取り付け固定され
る。図3は粗引きポンプとしての上記ドライポンプ38
の一例を示す概略断面図であるが、この種の形式のもの
に限定されるものではない。図示するようにこのドライ
ポンプ38は、例えば筒体状になされたハウジング82
を有しており、その長手方向の一端にガス吸入口84が
設けられ、他端にはガス吐出口86が設けられる。そし
て、このハウジング82内には、回転軸92、94に支
持されて互いに接して回る2枚の回転翼88、90が多
段に設けられており、いわゆるルーツ形の真空ポンプを
構成している。各回転軸92、94は軸受96によりハ
ウジング82に回転自在に支持されると共に図示しない
磁性液体シールによりその軸受部がシールされており、
回転モータ98により回転駆動される。
【0017】ポンプ駆動中においては、圧縮熱や摩擦熱
等によってポンプ全体が加熱することから、この熱によ
り排気ガス中のDMAHが分解することを防止するため
に、このポンプ38には冷却手段100が設けられる。
具体的には、この冷却手段100は、ハウジング82の
内壁面に沿って螺旋状に形成された冷却通路101より
なる冷却ジャケットとして構成されており、これに例え
ば冷却水のような冷媒を流すことにより、ポンプ内をD
MAHの分解温度以下に冷却してDMAHをそのまま排
出するようになっている。この場合、ポンプ内の上流側
よりも下流側の方が圧縮率が高くなってより温度が高く
なる傾向にあるので、これを効率的に冷却するために冷
媒は下流側から導入するのが好ましい。そのため、下流
側に冷媒入口102を設け、上流側に冷媒出口103を
設けている。尚、冷却通路101の形状等は、ポンプを
冷却できればよく、上記したものに限定されない。
等によってポンプ全体が加熱することから、この熱によ
り排気ガス中のDMAHが分解することを防止するため
に、このポンプ38には冷却手段100が設けられる。
具体的には、この冷却手段100は、ハウジング82の
内壁面に沿って螺旋状に形成された冷却通路101より
なる冷却ジャケットとして構成されており、これに例え
ば冷却水のような冷媒を流すことにより、ポンプ内をD
MAHの分解温度以下に冷却してDMAHをそのまま排
出するようになっている。この場合、ポンプ内の上流側
よりも下流側の方が圧縮率が高くなってより温度が高く
なる傾向にあるので、これを効率的に冷却するために冷
媒は下流側から導入するのが好ましい。そのため、下流
側に冷媒入口102を設け、上流側に冷媒出口103を
設けている。尚、冷却通路101の形状等は、ポンプを
冷却できればよく、上記したものに限定されない。
【0018】図4は除害手段40の一例を示す概略断面
図であるが、この種の形式のものに限定されるものでは
ない。図示するようにこの除害手段40は、例えばステ
ンレススチール製の方形状のハウジング104を有し、
その一側壁にガス導入口106を設け、他側壁にガス出
口108を設けている。このハウジング104の底部1
10は、ボルト112により着脱可能に設けられている
と共に天井部114もボルト116により着脱可能に取
り付け固定されている。そのハウジング104内には、
加熱手段として例えば複数のセラミックヒータ板118
が支柱120に所定のピッチで取り付けて設けられてお
り、この支柱120は上記天井部114に連結されて必
要に応じて天井板114を取り外すことによりヒータ板
118を一体的に取り出し得るようになっている。各ヒ
ータ板118は、排気ガスの流れ方向に対して傾斜させ
ており、ヒータ板118の表面と排気ガスが効率良く接
触し得るようになっている。
図であるが、この種の形式のものに限定されるものでは
ない。図示するようにこの除害手段40は、例えばステ
ンレススチール製の方形状のハウジング104を有し、
その一側壁にガス導入口106を設け、他側壁にガス出
口108を設けている。このハウジング104の底部1
10は、ボルト112により着脱可能に設けられている
と共に天井部114もボルト116により着脱可能に取
り付け固定されている。そのハウジング104内には、
加熱手段として例えば複数のセラミックヒータ板118
が支柱120に所定のピッチで取り付けて設けられてお
り、この支柱120は上記天井部114に連結されて必
要に応じて天井板114を取り外すことによりヒータ板
118を一体的に取り出し得るようになっている。各ヒ
ータ板118は、排気ガスの流れ方向に対して傾斜させ
ており、ヒータ板118の表面と排気ガスが効率良く接
触し得るようになっている。
【0019】また、このハウジング104内の上流側に
は、ドライエアを導入するためのドライエアノズル12
2が設けられており、内部に燃焼用のドライエアを導入
するようになっている。従って、内部にドライエアを供
給しつつ、セラミックヒータ板118を所定の温度以上
に加熱することにより、排気ガス中に含まれていた未反
応のDMAHを燃焼して除去することが可能なようにな
っている。図5は水スクラバ42の一例を示す概略断面
図である。図示するようにこの水スクラバ42は、例え
ばステンレススチール製の方形状のハウジング124を
有し、その一側壁にガス導入口126を設け、他側壁に
ガス出口128を設けている。このハウジング124の
天井部128には内部に水を噴霧するためのシャワーヘ
ッド130が設けられており、これより噴霧した水を排
気ガスと接触させることにより、排ガス中の含有物を吸
着して除去し得るようになっている。尚、この水スクラ
バ42は、この前段の除害手段40が故障してDMAH
が除去できない場合の緊急用の除害手段としても機能す
る。また、このハウジング124の底部130には、排
水口132が設けられており、噴霧された水をこれより
排出するようになっている。
は、ドライエアを導入するためのドライエアノズル12
2が設けられており、内部に燃焼用のドライエアを導入
するようになっている。従って、内部にドライエアを供
給しつつ、セラミックヒータ板118を所定の温度以上
に加熱することにより、排気ガス中に含まれていた未反
応のDMAHを燃焼して除去することが可能なようにな
っている。図5は水スクラバ42の一例を示す概略断面
図である。図示するようにこの水スクラバ42は、例え
ばステンレススチール製の方形状のハウジング124を
有し、その一側壁にガス導入口126を設け、他側壁に
ガス出口128を設けている。このハウジング124の
天井部128には内部に水を噴霧するためのシャワーヘ
ッド130が設けられており、これより噴霧した水を排
気ガスと接触させることにより、排ガス中の含有物を吸
着して除去し得るようになっている。尚、この水スクラ
バ42は、この前段の除害手段40が故障してDMAH
が除去できない場合の緊急用の除害手段としても機能す
る。また、このハウジング124の底部130には、排
水口132が設けられており、噴霧された水をこれより
排出するようになっている。
【0020】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、処理容器4内に未処理の
半導体ウエハWを搬入してこれを載置台94上に載置保
持し、排気システム構造16の各ポンプ36、38を駆
動して容器4内をベース圧まで真空引きすると共に抵抗
加熱ヒータ6によりウエハWをプロセス温度、例えば1
60℃〜300℃程度の範囲内の所定の値、例えば20
0℃に維持する。そして、この容器4内にシャワーヘッ
ド10より所定の処理ガス、すなわちDMAHの気化ガ
スを供給しつつ内部をプロセス圧力範囲、例えば0.1
Torr〜20Torrの範囲内の所定の値、例えば2
Torr程度に維持してアルミニウムの成膜処理を行な
う。処理ガスの供給に際しては、液体収納容器24内の
DMAH液26を加圧されたArガスにより圧送する。
圧送されたDMAH液は液体流量制御部28により流量
制御されつつ供給されて気化器30にてH2 ガスにより
気化される。そして、この気化ガスがシャワーヘッド1
0より上述のように容器4内に導入されることになる。
動作について説明する。まず、処理容器4内に未処理の
半導体ウエハWを搬入してこれを載置台94上に載置保
持し、排気システム構造16の各ポンプ36、38を駆
動して容器4内をベース圧まで真空引きすると共に抵抗
加熱ヒータ6によりウエハWをプロセス温度、例えば1
60℃〜300℃程度の範囲内の所定の値、例えば20
0℃に維持する。そして、この容器4内にシャワーヘッ
ド10より所定の処理ガス、すなわちDMAHの気化ガ
スを供給しつつ内部をプロセス圧力範囲、例えば0.1
Torr〜20Torrの範囲内の所定の値、例えば2
Torr程度に維持してアルミニウムの成膜処理を行な
う。処理ガスの供給に際しては、液体収納容器24内の
DMAH液26を加圧されたArガスにより圧送する。
圧送されたDMAH液は液体流量制御部28により流量
制御されつつ供給されて気化器30にてH2 ガスにより
気化される。そして、この気化ガスがシャワーヘッド1
0より上述のように容器4内に導入されることになる。
【0021】一方、未反応のDMAHガスは排気ガスに
含まれて、処理容器4の排気口18より排気通路32内
を流れ、ターボ分子ポンプ36、ドライポンプ38を通
過した後に、除害手段40にて除去されることになる。
以下に、この排気通路32の各介設機器における作用に
ついて説明する。まず、図2を参照してターボ分子ポン
プ36の動作について説明すると、このポンプ36内に
おいては回転モータ52の駆動モータ52の駆動により
ロータ48に取り付けた回転翼50が高速回転してお
り、これにより気体分子がガス出口側にあおられて送り
込まれ、高真空が達成される。この場合、DMAHガス
を含む排気ガスがロータ48の内壁と軸受ハウジング6
0の外壁との間の間隙Sを介して加熱傾向にある軸受部
側に侵入しようとするが、この軸受ハウジング60内に
は、不活性ガス供給手段65のガスノズル66から不活
性ガスとしてN2 ガスを適量ずつ供給しているので、こ
のガス圧によりこの中に排気ガスが回り込んで侵入する
ことを防止することができる。従って、昇温状態の軸受
62等にDMAHガスが接触することはないので、これ
に熱分解によるアルミニウムが付着することもなく、ポ
ンプ36がアルミニウムの析出により破損することを未
然に防止することができる。
含まれて、処理容器4の排気口18より排気通路32内
を流れ、ターボ分子ポンプ36、ドライポンプ38を通
過した後に、除害手段40にて除去されることになる。
以下に、この排気通路32の各介設機器における作用に
ついて説明する。まず、図2を参照してターボ分子ポン
プ36の動作について説明すると、このポンプ36内に
おいては回転モータ52の駆動モータ52の駆動により
ロータ48に取り付けた回転翼50が高速回転してお
り、これにより気体分子がガス出口側にあおられて送り
込まれ、高真空が達成される。この場合、DMAHガス
を含む排気ガスがロータ48の内壁と軸受ハウジング6
0の外壁との間の間隙Sを介して加熱傾向にある軸受部
側に侵入しようとするが、この軸受ハウジング60内に
は、不活性ガス供給手段65のガスノズル66から不活
性ガスとしてN2 ガスを適量ずつ供給しているので、こ
のガス圧によりこの中に排気ガスが回り込んで侵入する
ことを防止することができる。従って、昇温状態の軸受
62等にDMAHガスが接触することはないので、これ
に熱分解によるアルミニウムが付着することもなく、ポ
ンプ36がアルミニウムの析出により破損することを未
然に防止することができる。
【0022】この時のN2 ガスの供給量は、当然のこと
としてN2 ガスが処理容器4側へ逆流することがなく、
しかも排気ガスの侵入を防止し得る程度の量であり、ポ
ンプ36の排気量に依存する。例えば排気容量が300
リットル/秒程度のターボ分子ポンプ36の場合には、
N2 ガスの供給量は、5sccm〜15sccmの範
囲、好ましくは10sccm程度に設定する。ターボ分
子ポンプ36内で析出することなく排気ガスと共に排出
されたDMAHガスは次に、ドライポンプ40内に流入
することになる。図3に示すようにドライポンプ38内
においては、回転モータ98により多段に設けた回転翼
88、90が相互に摺接しつつ回転しており、図中左側
より吸入された排気ガスは、右側に流れるにつれて次第
に圧縮率が高められて行く。そのため、摩擦エネルギー
等も加わって図中右側の下流側に行くに従ってポンプ内
の温度が高くなる傾向におるが、このハウジング82に
設けた冷却手段100の螺旋状の冷却通路101には、
例えば25℃程度の冷媒が流されており、このハウジン
グ82内をDMAHの分解温度(100℃程度)よりも
低い温度、例えば50℃程度に冷却している。
としてN2 ガスが処理容器4側へ逆流することがなく、
しかも排気ガスの侵入を防止し得る程度の量であり、ポ
ンプ36の排気量に依存する。例えば排気容量が300
リットル/秒程度のターボ分子ポンプ36の場合には、
N2 ガスの供給量は、5sccm〜15sccmの範
囲、好ましくは10sccm程度に設定する。ターボ分
子ポンプ36内で析出することなく排気ガスと共に排出
されたDMAHガスは次に、ドライポンプ40内に流入
することになる。図3に示すようにドライポンプ38内
においては、回転モータ98により多段に設けた回転翼
88、90が相互に摺接しつつ回転しており、図中左側
より吸入された排気ガスは、右側に流れるにつれて次第
に圧縮率が高められて行く。そのため、摩擦エネルギー
等も加わって図中右側の下流側に行くに従ってポンプ内
の温度が高くなる傾向におるが、このハウジング82に
設けた冷却手段100の螺旋状の冷却通路101には、
例えば25℃程度の冷媒が流されており、このハウジン
グ82内をDMAHの分解温度(100℃程度)よりも
低い温度、例えば50℃程度に冷却している。
【0023】従って、このポンプ内の温度上昇は、熱分
解温度以下に制御されてしまい、従って、排気ガス中に
含まれるDMAHガスが熱分解することがなく、金属ア
ルミニウムがポンプ内に析出付着することもなく、ポン
プが破損することを未然に防止することが可能となる。
この場合、冷媒は、ポンプ内において上流側よりも温度
が高くなる傾向にある下流側から導入するようにしてい
るので、一層、冷却効率を高めることができる。この冷
媒としては、冷却水の他に、エチレングリコール等、種
々のものを用いることができる。また、冷却温度として
は、有機金属材料が熱分解せず、しかも過冷却によりそ
のものが析出しない温度範囲、例えばDMAHの場合に
は30℃〜60℃の範囲内に設定する。ドライポンプ3
8内で析出することなく排気ガスと共に排出されたDM
AHガスは、次に、除害手段40に流入することにな
る。
解温度以下に制御されてしまい、従って、排気ガス中に
含まれるDMAHガスが熱分解することがなく、金属ア
ルミニウムがポンプ内に析出付着することもなく、ポン
プが破損することを未然に防止することが可能となる。
この場合、冷媒は、ポンプ内において上流側よりも温度
が高くなる傾向にある下流側から導入するようにしてい
るので、一層、冷却効率を高めることができる。この冷
媒としては、冷却水の他に、エチレングリコール等、種
々のものを用いることができる。また、冷却温度として
は、有機金属材料が熱分解せず、しかも過冷却によりそ
のものが析出しない温度範囲、例えばDMAHの場合に
は30℃〜60℃の範囲内に設定する。ドライポンプ3
8内で析出することなく排気ガスと共に排出されたDM
AHガスは、次に、除害手段40に流入することにな
る。
【0024】図4に示すように除害手段40のハウジン
グ104内には高温、例えば500℃程度に加熱されて
いるセラミックヒータ板118が配置されており、しか
もこのハウジング104内にはその上流側よりドライエ
アノズル122を介してドライエアが導入されているの
で、排気ガス中に含まれていたDMAHガスが燃焼され
てしまい、燃焼生成物146がこの下方に落下すること
になる。すなわち、この除害手段40では、未反応DM
AHを熱分解させることなくガス状態のままで排気ガス
と共に搬送し、この除害手段40内においてこの未反応
DMAHを一気に燃焼させて除去する。この時のセラミ
ックヒータ板118の温度は、DMAHを燃焼し得る温
度であるならば上記した500℃に限定されない。析出
した燃焼生成物は、ハウジング104内の底部に堆積
し、底部110を定期的に取り外してこれを除去すれば
よい。また、セラミックヒータ板118のメンテナンス
を行なうには、天井部114を取り外して、セラミック
ヒータ板118をハウジング104から取り外すように
すればよい。
グ104内には高温、例えば500℃程度に加熱されて
いるセラミックヒータ板118が配置されており、しか
もこのハウジング104内にはその上流側よりドライエ
アノズル122を介してドライエアが導入されているの
で、排気ガス中に含まれていたDMAHガスが燃焼され
てしまい、燃焼生成物146がこの下方に落下すること
になる。すなわち、この除害手段40では、未反応DM
AHを熱分解させることなくガス状態のままで排気ガス
と共に搬送し、この除害手段40内においてこの未反応
DMAHを一気に燃焼させて除去する。この時のセラミ
ックヒータ板118の温度は、DMAHを燃焼し得る温
度であるならば上記した500℃に限定されない。析出
した燃焼生成物は、ハウジング104内の底部に堆積
し、底部110を定期的に取り外してこれを除去すれば
よい。また、セラミックヒータ板118のメンテナンス
を行なうには、天井部114を取り外して、セラミック
ヒータ板118をハウジング104から取り外すように
すればよい。
【0025】また、ドライガスの供給量は、少なくとも
DMAHを十分に燃焼し得るだけの量を供給するように
する。この除害手段40において、排気ガス中の未反応
DMAHは略完全に除去されてしまうことから、この除
害手段40から排出される排気ガスは工場ダクトを介し
て直接大気放出しても何ら問題は生じないが、本実施例
においては、より安全性を期すため及び排気ガス中の浮
遊物、例えば燃焼生成物を確実に除去するためにここか
らの排気ガスを図5に示すような水スクラバ42に導入
する。この水スクラバ42内においてはシャワーヘッド
130から水がハウジング124内全体に亘って噴霧さ
れており、排気ガス中に含まれている可能性のある燃焼
生成物等の浮遊物を噴霧水に吸着させて除去することが
できる。また、この前段に設けた除害手段40が万一故
障して未反応DMAHが除去されることなく排出された
としても、この水スクラバ42を設けたことにより、こ
の未反応DMAHを確実に除去することができる。従っ
て、この水スクラバ42を装置故障時の緊急用として用
いることができ、全体の安全性を向上させることができ
る。
DMAHを十分に燃焼し得るだけの量を供給するように
する。この除害手段40において、排気ガス中の未反応
DMAHは略完全に除去されてしまうことから、この除
害手段40から排出される排気ガスは工場ダクトを介し
て直接大気放出しても何ら問題は生じないが、本実施例
においては、より安全性を期すため及び排気ガス中の浮
遊物、例えば燃焼生成物を確実に除去するためにここか
らの排気ガスを図5に示すような水スクラバ42に導入
する。この水スクラバ42内においてはシャワーヘッド
130から水がハウジング124内全体に亘って噴霧さ
れており、排気ガス中に含まれている可能性のある燃焼
生成物等の浮遊物を噴霧水に吸着させて除去することが
できる。また、この前段に設けた除害手段40が万一故
障して未反応DMAHが除去されることなく排出された
としても、この水スクラバ42を設けたことにより、こ
の未反応DMAHを確実に除去することができる。従っ
て、この水スクラバ42を装置故障時の緊急用として用
いることができ、全体の安全性を向上させることができ
る。
【0026】このように水スクラバ42は緊急用として
も用いることができることから、図示されないが他の処
理装置からの排気ガスもこの水スクラバ42に共通に導
入されており、その安全性を確保している。そして、こ
の水スクラバ42から排出された排気ガスは、前述のよ
うに工場ダクトを介して大気放散されることになる。こ
のように本発明においては、ターボ分子ポンプ36内に
おいては、N2 ガスを加熱気味になる軸受部に供給して
この部分にアルミニウムが析出することを防止し、且つ
ドライポンプ38内においては、加熱気味になるポンプ
内を冷却手段40によりDMAHの熱分解温度以下に冷
却してアルミニウムが析出することを防止し、そして、
これら両ポンプ36、38内を通過してきた未反応DM
AHを除害手段40により除去して無害化するようにし
たので、ターボ分子ポンプ36やドライポンプ38に、
金属膜の析出にともなうダメージを与えることなく、ア
ルミニウム成膜の量産化を図ることが可能となる。
も用いることができることから、図示されないが他の処
理装置からの排気ガスもこの水スクラバ42に共通に導
入されており、その安全性を確保している。そして、こ
の水スクラバ42から排出された排気ガスは、前述のよ
うに工場ダクトを介して大気放散されることになる。こ
のように本発明においては、ターボ分子ポンプ36内に
おいては、N2 ガスを加熱気味になる軸受部に供給して
この部分にアルミニウムが析出することを防止し、且つ
ドライポンプ38内においては、加熱気味になるポンプ
内を冷却手段40によりDMAHの熱分解温度以下に冷
却してアルミニウムが析出することを防止し、そして、
これら両ポンプ36、38内を通過してきた未反応DM
AHを除害手段40により除去して無害化するようにし
たので、ターボ分子ポンプ36やドライポンプ38に、
金属膜の析出にともなうダメージを与えることなく、ア
ルミニウム成膜の量産化を図ることが可能となる。
【0027】ドライポンプ38に冷却手段100を設け
て内部を冷却した場合と、設けなかった場合のアルミニ
ウムの析出状況を実験により検討したところ、以下のよ
うな結果を得た。この実験においては、1000scc
mのH2 ガスをキャリアガスとしてDMAHを100s
ccm(気体)流し、また、ドライポンプにおいては、
42.6Pam3/mの圧力のN2 ガスを6リットル/
分の割合で流し、この時の除害手段の入口及び出口でD
MAHの量を測定した。ドライポンプを冷却していない
従来システムの場合には、その下流の除害手段の入口で
DMAHは16.6sccm、出口で0.1sccmで
あったが、ドライポンプに冷却手段を設けた本発明シス
テムの場合には、除害手段の入口でDMAHは70.5
sccm、出口で0.1sccmとなった。
て内部を冷却した場合と、設けなかった場合のアルミニ
ウムの析出状況を実験により検討したところ、以下のよ
うな結果を得た。この実験においては、1000scc
mのH2 ガスをキャリアガスとしてDMAHを100s
ccm(気体)流し、また、ドライポンプにおいては、
42.6Pam3/mの圧力のN2 ガスを6リットル/
分の割合で流し、この時の除害手段の入口及び出口でD
MAHの量を測定した。ドライポンプを冷却していない
従来システムの場合には、その下流の除害手段の入口で
DMAHは16.6sccm、出口で0.1sccmで
あったが、ドライポンプに冷却手段を設けた本発明シス
テムの場合には、除害手段の入口でDMAHは70.5
sccm、出口で0.1sccmとなった。
【0028】すなわち、このデータが示すように冷却手
段を設けなかった場合には、多くのアルミニウムがドラ
イポンプに析出する結果、除害手段の入口のDMAH量
は16.6sccmになって非常に少ないが、本発明の
ように冷却手段を用いてドライポンプを冷却した場合に
は、除害手段の入口のDMAH量は、70.5sccm
と多くなって、ポンプ内にはほとんど金属アルミニウム
の析出は見られず、良好な結果を得ることができた。ま
た、除害手段では、DMAHを効率的に除去することが
できた。尚、上記実施例においては除害手段40とし
て、加熱酸化により未反応のDMAHを除去する、いわ
ゆる加熱酸化分解処理除去方式を採用するようにした
が、除去の形態はこのような方式に限定されず、例えば
燃焼式処理除去方式或いはDMAHを化学的に反応させ
て吸着除去するようにした物理化学吸着除去方式を採用
してもよい。図6はそのような除害手段の一例を示す概
略断面図であり、この除害手段134のハウジング13
6内には、表面にDMAHと反応する薬品、例えば水酸
化銅(Cu(OH)2)を含有する薬品を塗布した多数
のカラム138を充填しており、底部のガス導入口14
0から排気ガスを導入し、天井部のガス出口142から
ガスを排出するようになっている。下記の数1はこの時
の除害反応式を示している。
段を設けなかった場合には、多くのアルミニウムがドラ
イポンプに析出する結果、除害手段の入口のDMAH量
は16.6sccmになって非常に少ないが、本発明の
ように冷却手段を用いてドライポンプを冷却した場合に
は、除害手段の入口のDMAH量は、70.5sccm
と多くなって、ポンプ内にはほとんど金属アルミニウム
の析出は見られず、良好な結果を得ることができた。ま
た、除害手段では、DMAHを効率的に除去することが
できた。尚、上記実施例においては除害手段40とし
て、加熱酸化により未反応のDMAHを除去する、いわ
ゆる加熱酸化分解処理除去方式を採用するようにした
が、除去の形態はこのような方式に限定されず、例えば
燃焼式処理除去方式或いはDMAHを化学的に反応させ
て吸着除去するようにした物理化学吸着除去方式を採用
してもよい。図6はそのような除害手段の一例を示す概
略断面図であり、この除害手段134のハウジング13
6内には、表面にDMAHと反応する薬品、例えば水酸
化銅(Cu(OH)2)を含有する薬品を塗布した多数
のカラム138を充填しており、底部のガス導入口14
0から排気ガスを導入し、天井部のガス出口142から
ガスを排出するようになっている。下記の数1はこの時
の除害反応式を示している。
【0029】
【数1】
【0030】このような構成においては、排気ガス中に
含まれた未反応のDMAHは、カラム13品表面に塗布
した薬品と反応してここに付着し、吸着除去されること
になる。カラム138を新しいものと取り替える場合に
は、例えばボルト144により着脱可能になされた底部
を取り外すことにより使用済みのカラム138を取り出
し、未使用の新しいカラムを再充填すればよい。
含まれた未反応のDMAHは、カラム13品表面に塗布
した薬品と反応してここに付着し、吸着除去されること
になる。カラム138を新しいものと取り替える場合に
は、例えばボルト144により着脱可能になされた底部
を取り外すことにより使用済みのカラム138を取り出
し、未使用の新しいカラムを再充填すればよい。
【0031】また、上記実施例では、有機金属材料とし
てDMAHを用いた場合について説明したが、これに限
定されず、例えばTIBA(トリイソブチルアルミニウ
ム),DMEAA(ジメチルエチルアミノアラン),T
MEAA(トリメチルアミンアラン),TMA(トリメ
チルアルミニウム),TMG(トリメチルガリウム),
トリアルキルホスフィン等も用いることができるのは勿
論である。更には、被処理体としては半導体ウエハに限
定されず、他の被処理体、例えばLCD基板やガラス基
板等にも適用できるのは勿論である。
てDMAHを用いた場合について説明したが、これに限
定されず、例えばTIBA(トリイソブチルアルミニウ
ム),DMEAA(ジメチルエチルアミノアラン),T
MEAA(トリメチルアミンアラン),TMA(トリメ
チルアルミニウム),TMG(トリメチルガリウム),
トリアルキルホスフィン等も用いることができるのは勿
論である。更には、被処理体としては半導体ウエハに限
定されず、他の被処理体、例えばLCD基板やガラス基
板等にも適用できるのは勿論である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜処理
装置の排気システム構造によれば、次のように優れた作
用効果を発揮することができる。ターボ分子ポンプの軸
受部に不活性ガスを流し、ドライポンプには冷媒を流し
て有機金属材料が熱分解しないように冷却するようにし
たので、排気ガス中に含まれる未反応の有機金属材料を
両ポンプ内で析出させることなく後流側に流し、これを
後段の除害手段で除去することができる。従って、金属
材料、例えばアルミニウムが熱分解によって両ポンプ内
で析出することがなく、これに起因する破損を防止する
ことができる。また、有機金属材料を用いた成膜処理装
置の排気系を確立することができることから、量産レベ
ルで例えばアルミニウム等の金属成膜を行なうことがで
きる。更に、最終的に水スクラバを設けることにより、
除害手段の故障時の緊急時にも対応でき、浮遊物を完全
に除去できるのみならず、安全性も向上させることがで
きる。
装置の排気システム構造によれば、次のように優れた作
用効果を発揮することができる。ターボ分子ポンプの軸
受部に不活性ガスを流し、ドライポンプには冷媒を流し
て有機金属材料が熱分解しないように冷却するようにし
たので、排気ガス中に含まれる未反応の有機金属材料を
両ポンプ内で析出させることなく後流側に流し、これを
後段の除害手段で除去することができる。従って、金属
材料、例えばアルミニウムが熱分解によって両ポンプ内
で析出することがなく、これに起因する破損を防止する
ことができる。また、有機金属材料を用いた成膜処理装
置の排気系を確立することができることから、量産レベ
ルで例えばアルミニウム等の金属成膜を行なうことがで
きる。更に、最終的に水スクラバを設けることにより、
除害手段の故障時の緊急時にも対応でき、浮遊物を完全
に除去できるのみならず、安全性も向上させることがで
きる。
【図1】本発明の排気システム構造とこれを設けた成膜
処理装置を示す概略構成図である。
処理装置を示す概略構成図である。
【図2】排気システム構造に設けたターボ分子ポンプを
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図3】排気システム構造に設けたドライポンプを示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図4】排気システム構造に設けた除害装置を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図5】排気システム構造に設けた水スクラバを示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図6】除害手段の他の実施例を示す概略断面図であ
る。
る。
2 成膜処理装置 4 処理容器 12 ガス供給通路 26 DMAH液(有機金属材料) 32 排気通路 34 自動加圧調整弁 36 ターボ分子ポンプ 38 ドライポンプ 40 除害手段 42 水スクラバ 46 固定翼 50 回転翼(回転羽根) 65 不活性ガス供給手段 100 冷却手段 101 冷却通路 102 冷媒入口 103 冷媒出口 118 セラミックヒータ板 122 ドライエアノズル 134 除害手段 W 被処理体(半導体ウエハ)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五味 久 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の1 東京エレクトロン山梨株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 有機金属材料を用いて被処理体に成膜を
施す成膜処理装置の排気システム構造において、前記成
膜処理装置に接続さてれ排気ガスを流すための排気通路
と、この排気通路の上流側に介設されて、内部に多数の
回転羽根を有すると共にこの回転羽根の軸受部に不活性
ガスを供給する不活性ガス供給手段を有するターボ分子
ポンプと、このターボ分子ポンプの下流側に介設された
ドライポンプと、このドライポンプに設けられて前記有
機金属材料の熱分解温度よりも低い温度に冷却する冷却
手段と、前記ドライポンプの下流側に設けられて前記排
気ガス中に含まれる有機金属材料を除害する除害手段と
を備えたことを特徴とする成膜処理装置の排気システム
構造。 - 【請求項2】 前記有機金属材料は、DMAH(ジメチ
ルアルミニウムハイドライド),TIBA(トリイソブ
チルアルミニウム),DMEAA(ジメチルエチルアミ
ノアラン),TMEAA(トリメチルアミンアラン),
TMA(トリメチルアルミニウム),TMG(トリメチ
ルガリウム),トリアルキルホスフィンよりなる群の
内、いずれか1つであることを特徴とする請求項1記載
の成膜処理装置の排気システム構造。 - 【請求項3】 前記有機金属材料がDMAHの時は、前
記冷却手段による冷却温度は50℃以下であることを特
徴とする請求項1記載の成膜処理装置の排気システム構
造。 - 【請求項4】 前記除害手段は、前記有機金属材料を燃
焼させて除害することを特徴とする請求項1乃至3記載
の成膜処理装置の排気システム構造。 - 【請求項5】 前記除害手段は、前記有機金属材料を化
学的に反応させて吸着することを特徴とする請求項1乃
至3記載の成膜処理装置の排気システム構造。 - 【請求項6】 前記除害手段の下流側には、排気ガスと
水分とを接触させることにより排気ガス中の含有物を除
去する水スクラバが介設されていることを特徴とする請
求項1乃至5記載の成膜処理装置の排気システム構造。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030059A JPH09202973A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 成膜処理装置の排気システム構造 |
| TW086100476A TW340168B (en) | 1996-01-24 | 1997-01-17 | Exhaustion system for membrane processor |
| KR1019970001902A KR100352379B1 (ko) | 1996-01-24 | 1997-01-23 | 성막처리장치용 배기시스템 및 성막처리장치내의 가스를 배기하는 방법 |
| US08/788,702 US5788747A (en) | 1996-01-24 | 1997-01-24 | Exhaust system for film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030059A JPH09202973A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 成膜処理装置の排気システム構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09202973A true JPH09202973A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12293262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030059A Pending JPH09202973A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 成膜処理装置の排気システム構造 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| JP (1) | JPH09202973A (ja) |
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| TW (1) | TW340168B (ja) |
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1997
- 1997-01-17 TW TW086100476A patent/TW340168B/zh active
- 1997-01-23 KR KR1019970001902A patent/KR100352379B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-24 US US08/788,702 patent/US5788747A/en not_active Expired - Fee Related
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