JPH09204258A - 座標入力装置 - Google Patents
座標入力装置Info
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- JPH09204258A JPH09204258A JP1103996A JP1103996A JPH09204258A JP H09204258 A JPH09204258 A JP H09204258A JP 1103996 A JP1103996 A JP 1103996A JP 1103996 A JP1103996 A JP 1103996A JP H09204258 A JPH09204258 A JP H09204258A
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- 241001422033 Thestylus Species 0.000 claims description 5
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】筆圧感度を１本のスタイラスペンで選択出来る
座標入力装置を提供すること。 【構成】スタイラスペンに感圧抵抗素子とバイアス電圧
回路と共振回路とを備え、スタイラスペンから筆圧信号
を装置本体に送出可能な電磁誘導方式の座標検出装置に
おいて、スタイラスペンの出力特性を可変とする、又、
出力特性をオペレータが変更可能な構造とする。
座標入力装置を提供すること。 【構成】スタイラスペンに感圧抵抗素子とバイアス電圧
回路と共振回路とを備え、スタイラスペンから筆圧信号
を装置本体に送出可能な電磁誘導方式の座標検出装置に
おいて、スタイラスペンの出力特性を可変とする、又、
出力特性をオペレータが変更可能な構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、座標入力装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図６に座標入力装置に使用されるスタイ
ラスペンを模式図として示す。なお、同図のスタイラス
ペンはコ−ドレスタイプで筆圧検知機能をもつ。ホルダ
１４及び励磁コイル１８はケ−ス１１内に固定されてい
る。励磁コイル１８を貫通するペン芯１２はチャック１
３に固定され、バネ１９はチャック１３を僅かに感圧抵
抗素子１５側へ押しており、感圧抵抗素子１５とチャッ
ク１３及びホルダ１４との隙間をなくしている。ペン芯
１２、チャック１３はケ−ス１１に対しバネ１９によっ
て保持されるだけでありケ−ス１１に対してフリ−にな
っている。感圧抵抗素子１５はペン芯１２がオペレ−タ
の操作により押された時、チャック１３とホルダ１４の
間に挟まれて圧力を受ける。以下この圧力を筆圧と呼
ぶ。感圧抵抗素子１５は制御回路１７に接続され、制御
回路１７は感圧抵抗素子１５の抵抗値に対応して周波数
を決定し、励磁コイル１８を前記周波数の交番信号で励
磁する。電池１６は制御回路１７の電源である。図７に
制御回路１７の一例を示す。図８に感圧抵抗素子１５の
入力圧力（筆圧）対抵抗値特性を示す。図７で、２１は
発振回路である。発振回路２１はインバータＩＣ１と電
流制限抵抗Ｒ２からなるドライブ回路２１ａと、励磁コ
イルＬ０(図６の励磁コイル１８と同じもの、便宜上、
回路図ではＬ０と呼ぶ）、補償コンデンサＣ１，直流カ
ットコンデンサＣ２と電圧可変容量ダイオードＶＤとか
らなる並列共振回路２１ｂと、インバータＩＣ２、直流
カットコンデンサＣ３と帰還抵抗Ｒ１からなる帰還回路
２１ｃとで構成されている。尚、コンデンサＣ２は電圧
可変容量ダイオードＶＤにかける直流バイアス電圧Ｖａ
が発振回路２１に影響を与えないようにする為の直流カ
ットコンデンサである。 尚、補償コンデンサＣ１と直
流カットコンデンサＣ２と電圧可変容量ダイオ−ドＶＤ
の静電容量は１：５００：Ｋ（但し、Ｋ＝０．１〜１．
５程度）になる様にしてある。直流バイアス電圧回路２
２は、電源電圧Ｖｃｃと基準電位Ｇとの間を、直列に接
続するバイアス抵抗Ｒ５と感圧抵抗素子１５とで構成さ
れている。発振回路２１と直流バイアス電圧回路２２
は、バイアス抵抗Ｒ５と感圧抵抗素子１５の接続点Ａと
電圧可変容量ダイオ−ドＶＤのバイアス側の点Ｂとに抵
抗Ｒ４を介して接続してある。尚、抵抗Ｒ４はバイアス
電圧Ｖａが発振回路２１に影響を与えないようにする為
の抵抗である。ドライブ回路２１ａはインバータＩＣ２
の出力を反転し、電流制限抵抗Ｒ２を介して並列共振回
路２１ｂに出力する。並列共振回路２１ｂは前記ドライ
ブ回路２１ａの出力を受け、共振周波数ｆｃの交番電圧
を直流カットコンデンサＣ３を介してインバータＩＣ２
に出力する。前記インバータＩＣ２は入力を反転した方
形波として、インバータＩＣ１に出力することにより発
振条件を満足でき、並列共振の周波数ｆｃで連続的に発
振する。この時、励磁コイルＬ０には周波数ｆｃの交番
電流が流れ、励磁コイルＬ０は周波数ｆｃの交流磁界を
発生する。この時、共振周波数ｆｃを決定する要素は、
励磁コイルＬ０,補償コンデンサＣ１，直流カットコン
デンサＣ２及び電圧可変容量ダイオ−ドＶＤである。こ
こで、上記したように、直流カットコンデンサＣ２の静
電容量は補償コンデンサＣ１及び電圧可変容量ダイオ−
ドＶＤの静電容量に比べて遥かに大きいから、実質的に
は無視できる。励磁コイルＬ０のインダクタンスをＬ，
補償コンデンサＣ１の静電容量をＣ１、電圧可変容量ダ
イオ−ドＶＤの静電容量をＣｖｄとすると、発振周波数
ｆｃは次の式で表わされる。 ｆｃ＝１／［２π√｛Ｌ×（Ｃ１＋Ｃｖｄ）｝］ 式１ 直流バイアス電圧回路２２はバイアス電圧Ｖａを供給す
る。直流バイアス電圧回路２２はバイアス抵抗Ｒ５と感
圧抵抗素子１５により電源電圧Ｖｃｃを分圧してバイア
ス電圧Ｖａを発生させる。ここで、オペレ−タの操作に
より筆圧が与えられると感圧抵抗素子１５の抵抗値Ｒｆ
ｓが変化し、これによりバイアス電圧Ｖａが所定の変化
をする。電圧可変容量ダイオ−ドＶＤはバイアス電圧Ｖ
ａによって直線的に静電容量Ｃｖｄが変化するので、発
振周波数ｆｃは式１の通り、所定の変化をし、励磁コイ
ルＬ０には筆圧に応じた発振周波数ｆｃの交番電流が流
れ、筆圧に応じた周波数ｆｃの交流磁界を発生する。座
標入力装置は座標指示器が発生する交流磁界の周波数ｆ
ｃを測定することにより、オペレ−タの操作する筆圧と
して検知し、所要の情報として上位の処理装置へ出力す
ることができる。
ラスペンを模式図として示す。なお、同図のスタイラス
ペンはコ−ドレスタイプで筆圧検知機能をもつ。ホルダ
１４及び励磁コイル１８はケ−ス１１内に固定されてい
る。励磁コイル１８を貫通するペン芯１２はチャック１
３に固定され、バネ１９はチャック１３を僅かに感圧抵
抗素子１５側へ押しており、感圧抵抗素子１５とチャッ
ク１３及びホルダ１４との隙間をなくしている。ペン芯
１２、チャック１３はケ−ス１１に対しバネ１９によっ
て保持されるだけでありケ−ス１１に対してフリ−にな
っている。感圧抵抗素子１５はペン芯１２がオペレ−タ
の操作により押された時、チャック１３とホルダ１４の
間に挟まれて圧力を受ける。以下この圧力を筆圧と呼
ぶ。感圧抵抗素子１５は制御回路１７に接続され、制御
回路１７は感圧抵抗素子１５の抵抗値に対応して周波数
を決定し、励磁コイル１８を前記周波数の交番信号で励
磁する。電池１６は制御回路１７の電源である。図７に
制御回路１７の一例を示す。図８に感圧抵抗素子１５の
入力圧力（筆圧）対抵抗値特性を示す。図７で、２１は
発振回路である。発振回路２１はインバータＩＣ１と電
流制限抵抗Ｒ２からなるドライブ回路２１ａと、励磁コ
イルＬ０(図６の励磁コイル１８と同じもの、便宜上、
回路図ではＬ０と呼ぶ）、補償コンデンサＣ１，直流カ
ットコンデンサＣ２と電圧可変容量ダイオードＶＤとか
らなる並列共振回路２１ｂと、インバータＩＣ２、直流
カットコンデンサＣ３と帰還抵抗Ｒ１からなる帰還回路
２１ｃとで構成されている。尚、コンデンサＣ２は電圧
可変容量ダイオードＶＤにかける直流バイアス電圧Ｖａ
が発振回路２１に影響を与えないようにする為の直流カ
ットコンデンサである。 尚、補償コンデンサＣ１と直
流カットコンデンサＣ２と電圧可変容量ダイオ−ドＶＤ
の静電容量は１：５００：Ｋ（但し、Ｋ＝０．１〜１．
５程度）になる様にしてある。直流バイアス電圧回路２
２は、電源電圧Ｖｃｃと基準電位Ｇとの間を、直列に接
続するバイアス抵抗Ｒ５と感圧抵抗素子１５とで構成さ
れている。発振回路２１と直流バイアス電圧回路２２
は、バイアス抵抗Ｒ５と感圧抵抗素子１５の接続点Ａと
電圧可変容量ダイオ−ドＶＤのバイアス側の点Ｂとに抵
抗Ｒ４を介して接続してある。尚、抵抗Ｒ４はバイアス
電圧Ｖａが発振回路２１に影響を与えないようにする為
の抵抗である。ドライブ回路２１ａはインバータＩＣ２
の出力を反転し、電流制限抵抗Ｒ２を介して並列共振回
路２１ｂに出力する。並列共振回路２１ｂは前記ドライ
ブ回路２１ａの出力を受け、共振周波数ｆｃの交番電圧
を直流カットコンデンサＣ３を介してインバータＩＣ２
に出力する。前記インバータＩＣ２は入力を反転した方
形波として、インバータＩＣ１に出力することにより発
振条件を満足でき、並列共振の周波数ｆｃで連続的に発
振する。この時、励磁コイルＬ０には周波数ｆｃの交番
電流が流れ、励磁コイルＬ０は周波数ｆｃの交流磁界を
発生する。この時、共振周波数ｆｃを決定する要素は、
励磁コイルＬ０,補償コンデンサＣ１，直流カットコン
デンサＣ２及び電圧可変容量ダイオ−ドＶＤである。こ
こで、上記したように、直流カットコンデンサＣ２の静
電容量は補償コンデンサＣ１及び電圧可変容量ダイオ−
ドＶＤの静電容量に比べて遥かに大きいから、実質的に
は無視できる。励磁コイルＬ０のインダクタンスをＬ，
補償コンデンサＣ１の静電容量をＣ１、電圧可変容量ダ
イオ−ドＶＤの静電容量をＣｖｄとすると、発振周波数
ｆｃは次の式で表わされる。 ｆｃ＝１／［２π√｛Ｌ×（Ｃ１＋Ｃｖｄ）｝］ 式１ 直流バイアス電圧回路２２はバイアス電圧Ｖａを供給す
る。直流バイアス電圧回路２２はバイアス抵抗Ｒ５と感
圧抵抗素子１５により電源電圧Ｖｃｃを分圧してバイア
ス電圧Ｖａを発生させる。ここで、オペレ−タの操作に
より筆圧が与えられると感圧抵抗素子１５の抵抗値Ｒｆ
ｓが変化し、これによりバイアス電圧Ｖａが所定の変化
をする。電圧可変容量ダイオ−ドＶＤはバイアス電圧Ｖ
ａによって直線的に静電容量Ｃｖｄが変化するので、発
振周波数ｆｃは式１の通り、所定の変化をし、励磁コイ
ルＬ０には筆圧に応じた発振周波数ｆｃの交番電流が流
れ、筆圧に応じた周波数ｆｃの交流磁界を発生する。座
標入力装置は座標指示器が発生する交流磁界の周波数ｆ
ｃを測定することにより、オペレ−タの操作する筆圧と
して検知し、所要の情報として上位の処理装置へ出力す
ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では筆圧の
感度は感圧抵抗素子１５の特性とその制御回路の定数に
より固定であり、個人差への対応、塗りつぶし操作での
中間色指示、かすれ線指定等、用途に応じた筆圧感度切
替えの必要性が生じても、オペレ−タによる選択の余地
がなかった。筆圧感度の選択案として、筆圧情報を受信
する上位の処理装置側で筆圧モードを設定し、モードに
応じて筆圧情報を加工し擬似的に筆圧感度を変化させる
方法、或いは特性の異なる複数のペンを用意し持ち換え
る方法等もあるが、上位装置側でソフト設定の変更が必
要、原価アップ、取扱い上の問題等が多々あった。本発
明は、筆圧の感度を１本のペンで選択設定可能な座標入
力装置を提供することを目的とする。
感度は感圧抵抗素子１５の特性とその制御回路の定数に
より固定であり、個人差への対応、塗りつぶし操作での
中間色指示、かすれ線指定等、用途に応じた筆圧感度切
替えの必要性が生じても、オペレ−タによる選択の余地
がなかった。筆圧感度の選択案として、筆圧情報を受信
する上位の処理装置側で筆圧モードを設定し、モードに
応じて筆圧情報を加工し擬似的に筆圧感度を変化させる
方法、或いは特性の異なる複数のペンを用意し持ち換え
る方法等もあるが、上位装置側でソフト設定の変更が必
要、原価アップ、取扱い上の問題等が多々あった。本発
明は、筆圧の感度を１本のペンで選択設定可能な座標入
力装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に対
し、感圧抵抗素子とバイアス電圧回路と共振回路とを持
ったスタイラスペンに於いて、該共振回路の出力特性
（入力筆圧対共振周波数出力）を随時選択可能とする。
又、前記共振回路の出力特性を簡単にオペレ−タが選択
可能な構造とする為、可変手段をスタイラスペンに設け
る。
し、感圧抵抗素子とバイアス電圧回路と共振回路とを持
ったスタイラスペンに於いて、該共振回路の出力特性
（入力筆圧対共振周波数出力）を随時選択可能とする。
又、前記共振回路の出力特性を簡単にオペレ−タが選択
可能な構造とする為、可変手段をスタイラスペンに設け
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５の図面を参照し
て本発明の実施例を説明する。図１は本発明による座標
指示器の実施例の構造を示す。図６と同一記号の物は同
一の物を示す。 図１は図６と比較して、ツマミ３ｂと
ロ−タリスイッチ３ａを追加した構造となっている。制
御回路３７の回路を図２に示す。図２も図７と同一記号
の物は同一の物を示す。図２は図７と比較して、直流バ
イアス電圧回路４２において、図７のバイアス抵抗Ｒ５
の代わりにバイアス抵抗ＳＲ１〜３を追加している。便
宜上、ツマミ３ｂを図２に表示している。ロ−タリスイ
ッチ３ａの共通端子ＣはＶｃｃに接続され、選択端子１
〜３は各々バイアス抵抗ＳＲ１〜３に接続される。バイ
アス抵抗ＳＲ１〜３の他端は接続点Ａにて感圧抵抗素子
１５に接続されている。ツマミ３ｂを回転させることに
よりロ−タリスイッチ３ａの接続を共通端子Ｃと選択端
子１，２，３のいずれかの端子と接続することができ
る。バイアス電圧Ｖａはロ−タリスイッチ３ａが例えば
選択端子１に設定されている時、 Ｖａ＝Ｖｃｃ×［Ｒｆｓ／（ＳＲ１＋Ｒｆｓ）］ 式２ によって表される。（通常、Ｒｆｓの最小値＝１ｋΩ程
度） バイアス抵抗ＳＲ１〜３の抵抗値をＲｆｓの最小抵抗値
（感圧抵抗素子１５に最大筆圧がかかっている時）の１
〜１０倍程度に選び、 ＳＲ３ ＞ＳＲ２ ＞ＳＲ１ となるように設定すると、バイアス電圧Ｖａは図３に示
す特性を表す。図３の特性は、図８に示した感圧抵抗素
子１５の筆圧対抵抗値特性を持つ抵抗値Ｒｆｓと、ＳＲ
１〜３のいずれかのバイアス抵抗との分圧値であるから
式２から容易に導くことが出来る。図中のＳＲ１〜３は
ロ−タリスイッチ３ａにて選択されたバイアス抵抗がＳ
Ｒ１〜３の場合を表している。図３に示す特性のバイア
ス電圧Ｖａが並列共振回路２１ｂの電圧可変容量ダイオ
−ドＶＤに抵抗Ｒ４を介して与えられることにより、並
列共振回路２１ｂの励磁コイルＬ０に図４の筆圧対周波
数特性で示す周波数ｆｃの交番電流が流れ、スタイラス
ペンから交流磁界が座標入力装置に発せられる。座標入
力装置は、交流磁界の周波数ｆｃを測定し、予め決めら
れた変換式によって筆圧出力に変換する。図５に筆圧対
筆圧出力の特性を示す。図５に示す特性はバイアス電圧
Ｖａを変化させる手段であるロ−タリスイッチ３ａによ
り筆圧感度が３段階に変化することを意味している。す
なわち、ＳＲ１選択時は加えられた筆圧に対し、座標入
力装置が検知する筆圧は緩やかな特性を示し、ＳＲ２，
ＳＲ３と切替ると、より急峻な特性となる。なお、本実
施例では３段階のロ−タリスイッチとそれに接続される
固定抵抗によって実現しているが、連続的に抵抗値を変
更出来る可変抵抗器を使用してもよい。また、上記の様
に回転（ロ−タリ）式の機構でなくスライド式の抵抗器
を使用してもよい。又、本実施例ではバイアス電圧Ｖａ
を変化させる手段で筆圧対周波数特性曲線を選択設定し
たが、図２に於いてＳＲ１〜ＳＲ３を設けず、並列共振
回路２１ｂ中の補償コンデンサＣ１或いは電圧可変容量
ダイオ−ドＶＤにコンデンサ（ＳＣ１〜３）を並列に付
加し、ロ−タリスイッチで該コンデンサ（ＳＣ１〜３）
を選択することにより筆圧対周波数特性曲線を選択して
もよい。
て本発明の実施例を説明する。図１は本発明による座標
指示器の実施例の構造を示す。図６と同一記号の物は同
一の物を示す。 図１は図６と比較して、ツマミ３ｂと
ロ−タリスイッチ３ａを追加した構造となっている。制
御回路３７の回路を図２に示す。図２も図７と同一記号
の物は同一の物を示す。図２は図７と比較して、直流バ
イアス電圧回路４２において、図７のバイアス抵抗Ｒ５
の代わりにバイアス抵抗ＳＲ１〜３を追加している。便
宜上、ツマミ３ｂを図２に表示している。ロ−タリスイ
ッチ３ａの共通端子ＣはＶｃｃに接続され、選択端子１
〜３は各々バイアス抵抗ＳＲ１〜３に接続される。バイ
アス抵抗ＳＲ１〜３の他端は接続点Ａにて感圧抵抗素子
１５に接続されている。ツマミ３ｂを回転させることに
よりロ−タリスイッチ３ａの接続を共通端子Ｃと選択端
子１，２，３のいずれかの端子と接続することができ
る。バイアス電圧Ｖａはロ−タリスイッチ３ａが例えば
選択端子１に設定されている時、 Ｖａ＝Ｖｃｃ×［Ｒｆｓ／（ＳＲ１＋Ｒｆｓ）］ 式２ によって表される。（通常、Ｒｆｓの最小値＝１ｋΩ程
度） バイアス抵抗ＳＲ１〜３の抵抗値をＲｆｓの最小抵抗値
（感圧抵抗素子１５に最大筆圧がかかっている時）の１
〜１０倍程度に選び、 ＳＲ３ ＞ＳＲ２ ＞ＳＲ１ となるように設定すると、バイアス電圧Ｖａは図３に示
す特性を表す。図３の特性は、図８に示した感圧抵抗素
子１５の筆圧対抵抗値特性を持つ抵抗値Ｒｆｓと、ＳＲ
１〜３のいずれかのバイアス抵抗との分圧値であるから
式２から容易に導くことが出来る。図中のＳＲ１〜３は
ロ−タリスイッチ３ａにて選択されたバイアス抵抗がＳ
Ｒ１〜３の場合を表している。図３に示す特性のバイア
ス電圧Ｖａが並列共振回路２１ｂの電圧可変容量ダイオ
−ドＶＤに抵抗Ｒ４を介して与えられることにより、並
列共振回路２１ｂの励磁コイルＬ０に図４の筆圧対周波
数特性で示す周波数ｆｃの交番電流が流れ、スタイラス
ペンから交流磁界が座標入力装置に発せられる。座標入
力装置は、交流磁界の周波数ｆｃを測定し、予め決めら
れた変換式によって筆圧出力に変換する。図５に筆圧対
筆圧出力の特性を示す。図５に示す特性はバイアス電圧
Ｖａを変化させる手段であるロ−タリスイッチ３ａによ
り筆圧感度が３段階に変化することを意味している。す
なわち、ＳＲ１選択時は加えられた筆圧に対し、座標入
力装置が検知する筆圧は緩やかな特性を示し、ＳＲ２，
ＳＲ３と切替ると、より急峻な特性となる。なお、本実
施例では３段階のロ−タリスイッチとそれに接続される
固定抵抗によって実現しているが、連続的に抵抗値を変
更出来る可変抵抗器を使用してもよい。また、上記の様
に回転（ロ−タリ）式の機構でなくスライド式の抵抗器
を使用してもよい。又、本実施例ではバイアス電圧Ｖａ
を変化させる手段で筆圧対周波数特性曲線を選択設定し
たが、図２に於いてＳＲ１〜ＳＲ３を設けず、並列共振
回路２１ｂ中の補償コンデンサＣ１或いは電圧可変容量
ダイオ−ドＶＤにコンデンサ（ＳＣ１〜３）を並列に付
加し、ロ−タリスイッチで該コンデンサ（ＳＣ１〜３）
を選択することにより筆圧対周波数特性曲線を選択して
もよい。
【０００６】
【発明の効果】本発明によれば、筆圧の感度を１本のス
タイラスペンで選択出来るという効果がある。
タイラスペンで選択出来るという効果がある。
【図１】本発明のスタイラスペンの模式図である。
【図２】本発明のスタイラスペンの制御回路図である。
【図３】直流バイアス電圧回路の筆圧対バイアス電圧特
性図である。
性図である。
【図４】並列共振回路の筆圧対共振周波数の特性図であ
る。
る。
【図５】座標入力装置が検知する筆圧対筆圧情報特性図
である。
である。
【図６】従来技術のスタイラスペンの模式図である。
【図７】従来技術のスタイラスペンの制御回路図であ
る。
る。
【図８】感圧抵抗素子の筆圧対抵抗値特性図である。
１５ 感圧抵抗素子 １７，３７ 制御回路 １８，Ｌ０ 励磁コイル ２１ 発振回路 ２１ａ ドライブ回路 ２１ｂ 並列共振回路 ２１ｃ 帰還回路 ２２，４２ 直流バイアス電圧回路 ３ａ ロ−タリスイッチ ３ｂ ツマミ ＶＤ 電圧可変容量ダイオ−ド
Claims (2)
- 【請求項１】スタイラスペンに感圧抵抗素子とバイアス
電圧回路と共振回路とを備え、スタイラスペンから筆圧
信号を装置本体に送出可能な電磁誘導方式の座標検出装
置において、スタイラスペンの出力特性を可変としたこ
とを特徴とする座標入力装置。 - 【請求項２】出力特性をオペレ−タが変更可能な構造と
したことを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103996A JPH09204258A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 座標入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103996A JPH09204258A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 座標入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204258A true JPH09204258A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11766925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1103996A Withdrawn JPH09204258A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 座標入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204258A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107168587A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压阻检测基板、显示面板及显示装置 |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP1103996A patent/JPH09204258A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107168587A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压阻检测基板、显示面板及显示装置 |
| WO2019010975A1 (zh) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 压阻检测电路、压阻检测基板、显示面板及显示装置 |
| CN107168587B (zh) * | 2017-07-13 | 2019-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压阻检测基板、显示面板及显示装置 |
| US11301076B2 (en) | 2017-07-13 | 2022-04-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Piezoresistive detection circuit, piezoresistive detection substrate, display panel and display device |
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