JPH09204891A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPH09204891A JPH09204891A JP8011495A JP1149596A JPH09204891A JP H09204891 A JPH09204891 A JP H09204891A JP 8011495 A JP8011495 A JP 8011495A JP 1149596 A JP1149596 A JP 1149596A JP H09204891 A JPH09204891 A JP H09204891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- electron beam
- beam drawing
- blanking
- drawing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子線描画装置における制限絞りにおいて、絞
り交換，クリーニングによる装置スループットの低下を
防ぐ。 【解決手段】複数枚の絞り板１６、その隙間及び固定角
可変機構１７，１８、及び絞り移動機構９からなる。
り交換，クリーニングによる装置スループットの低下を
防ぐ。 【解決手段】複数枚の絞り板１６、その隙間及び固定角
可変機構１７，１８、及び絞り移動機構９からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線描画装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置は、文献（１９９
０ ３rd Microprocess Conference のDigest Papers
ｐ.ｐ.４８−５１）に記載のように、電子線の成形，電
流値制限を行う薄板の絞りを備え、また、文献(Intorod
uction to Analytical ElectoronMicroscopyの第１８章
（ｐ.ｐ.４９１−４９５））には、電子線の照射及び真
空中の残存ガス等により上記絞りが汚染され、また電荷
によりチャージアップして描画精度が低下することが記
載されている。
０ ３rd Microprocess Conference のDigest Papers
ｐ.ｐ.４８−５１）に記載のように、電子線の成形，電
流値制限を行う薄板の絞りを備え、また、文献(Intorod
uction to Analytical ElectoronMicroscopyの第１８章
（ｐ.ｐ.４９１−４９５））には、電子線の照射及び真
空中の残存ガス等により上記絞りが汚染され、また電荷
によりチャージアップして描画精度が低下することが記
載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、図２に
示すように絞り孔が所定の場所で１個もしくは数個、規
格化された形状で開口されていたこと、また所定の稼動
時間毎に、あるいは描画結果に応じて上記絞りを交換し
たりクリーニングしたりしていたため、必ずしも適切な
時期に絞りの交換やクリーニング等が行われず、またフ
ェイルセイフ側に装置を運用することが多いので、交換
やクリーニングの回数が必要以上に増え、スループット
が低下するという問題があった。
示すように絞り孔が所定の場所で１個もしくは数個、規
格化された形状で開口されていたこと、また所定の稼動
時間毎に、あるいは描画結果に応じて上記絞りを交換し
たりクリーニングしたりしていたため、必ずしも適切な
時期に絞りの交換やクリーニング等が行われず、またフ
ェイルセイフ側に装置を運用することが多いので、交換
やクリーニングの回数が必要以上に増え、スループット
が低下するという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、絞り開口部の最適化を行
い、装置の停止を伴う絞り交換を長期にわたり不要とす
る電子線描画装置を提供することにある。
い、装置の停止を伴う絞り交換を長期にわたり不要とす
る電子線描画装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は絞りを複数枚の絞り板により構成し、絞り
板間の隙間及び絞り板の固定角を可変とし、また絞りの
移動機構を備える。
め、本発明は絞りを複数枚の絞り板により構成し、絞り
板間の隙間及び絞り板の固定角を可変とし、また絞りの
移動機構を備える。
【０００６】上記構造により絞りは絞り間の隙間及びそ
の位置を変えられるため、電子線照射により発生したコ
ンタミネーション等、汚染によるチャージアップの影響
を低減し描画精度を向上させることができ、かつ絞り交
換を長期にわたり不要とすることができる。
の位置を変えられるため、電子線照射により発生したコ
ンタミネーション等、汚染によるチャージアップの影響
を低減し描画精度を向上させることができ、かつ絞り交
換を長期にわたり不要とすることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１，図３，図４，図５は本発明
による電子線描画装置実施例の説明図である。図１で、
電子源１から放出される電子ビーム６は、照射レンズ
３，対物レンズ４等により制御されてウェハ８に照射さ
れ、偏向器５によりウェハ８上を走査される。またステ
ージ移動時等における電子線のブランキングはビームブ
ランカー２の動作によりブランキング絞り７でビームを
遮蔽することで行われる。
による電子線描画装置実施例の説明図である。図１で、
電子源１から放出される電子ビーム６は、照射レンズ
３，対物レンズ４等により制御されてウェハ８に照射さ
れ、偏向器５によりウェハ８上を走査される。またステ
ージ移動時等における電子線のブランキングはビームブ
ランカー２の動作によりブランキング絞り７でビームを
遮蔽することで行われる。
【０００８】制御計算機１４は描画データを偏向制御回
路１１，ブランキング制御回路１０等に送って各制御信
号を発生し、またステージ制御回路１３に描画位置を送
って移動ステージ９の位置を制御する。
路１１，ブランキング制御回路１０等に送って各制御信
号を発生し、またステージ制御回路１３に描画位置を送
って移動ステージ９の位置を制御する。
【０００９】次に、図３でブランキング絞りの構成につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図３、及び断面Ａに示すように、絞りは２
枚の長さｌを持つ絞り板１６を隙間χ，角度θを持って
固定することで構成され、電子ビームのブランキング方
向と直交するようにして配置される。絞りは絞り板１６
の長さｌにわたって形成される。従って使用している絞
り位置がコンタミネーションにより、例えば、電子線位
置のドリフトが大きくなり使用不可になった場合、絞り
板１６の長さｌ間でコンタミネーションの影響を受けな
い位置へ絞りを移動することで、電子線ドリフトを低減
することができる。また、この移動機構は、通常の真空
導入機構同様、Ｏリング，ベローズ等で容易に真空シー
ルすることができるので、真空を破る必要がないため装
置を停止する必要がなく、絞り位置の変更で装置を稼動
させることができる。従って板の長さｌの設定により装
置のメンテナンス時期を絞り交換に律速されなくなる。
枚の長さｌを持つ絞り板１６を隙間χ，角度θを持って
固定することで構成され、電子ビームのブランキング方
向と直交するようにして配置される。絞りは絞り板１６
の長さｌにわたって形成される。従って使用している絞
り位置がコンタミネーションにより、例えば、電子線位
置のドリフトが大きくなり使用不可になった場合、絞り
板１６の長さｌ間でコンタミネーションの影響を受けな
い位置へ絞りを移動することで、電子線ドリフトを低減
することができる。また、この移動機構は、通常の真空
導入機構同様、Ｏリング，ベローズ等で容易に真空シー
ルすることができるので、真空を破る必要がないため装
置を停止する必要がなく、絞り位置の変更で装置を稼動
させることができる。従って板の長さｌの設定により装
置のメンテナンス時期を絞り交換に律速されなくなる。
【００１１】次に図４でそれぞれ絞り板１６は、両端に
ギヤ１７を接続し、伝達ギヤ１８により回転を与えられ
絞り板１６の隙間χ及び角度θを変えることができ、装
置に最適化した電子線のブランキング開口部である絞り
板の隙間χ、並びに角度θを得ることができる。制限絞
りの位置決めは、装置特に電子光学素子の機械精度，電
気特性に影響を受ける割合が多く、絞り開口部及び電子
線ブランキング時の反射角を固定した状態での使用は制
限絞りの機能を制限するが、この構成により絞り機能の
最適化を図ることができる。
ギヤ１７を接続し、伝達ギヤ１８により回転を与えられ
絞り板１６の隙間χ及び角度θを変えることができ、装
置に最適化した電子線のブランキング開口部である絞り
板の隙間χ、並びに角度θを得ることができる。制限絞
りの位置決めは、装置特に電子光学素子の機械精度，電
気特性に影響を受ける割合が多く、絞り開口部及び電子
線ブランキング時の反射角を固定した状態での使用は制
限絞りの機能を制限するが、この構成により絞り機能の
最適化を図ることができる。
【００１２】また絞りを構成する絞り板及び部材に炭素
を用いること、もしくは炭素による被覆を行うことで、
コンタミネーションの発生要因の一つである電子線照射
による反射電子、及び二次電子の発生を抑えることがで
きるため、絞りの汚染を低減でき絞り交換時期の延長、
及び描画精度の向上を図ることができる。
を用いること、もしくは炭素による被覆を行うことで、
コンタミネーションの発生要因の一つである電子線照射
による反射電子、及び二次電子の発生を抑えることがで
きるため、絞りの汚染を低減でき絞り交換時期の延長、
及び描画精度の向上を図ることができる。
【００１３】また図５に示すように電子線照射により発
生する反射電子、及び二次電子をカバーすることで、コ
ンタミネーションに帯電した電界が電子線経路に現れビ
ームに影響を及ぼすことを低減することができる。また
このカバーを炭素で構成することで反射電子、及び二次
電子の発生を抑えることができるため、絞り交換時期の
延長、及び描画精度の向上を図ることができる。
生する反射電子、及び二次電子をカバーすることで、コ
ンタミネーションに帯電した電界が電子線経路に現れビ
ームに影響を及ぼすことを低減することができる。また
このカバーを炭素で構成することで反射電子、及び二次
電子の発生を抑えることができるため、絞り交換時期の
延長、及び描画精度の向上を図ることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、絞りは絞り間の隙間及
びその位置を変えられるため、電子線照射により発生し
たコンタミネーション等、汚染によるチャージアップの
影響を低減し描画精度を向上させることができ、かつ絞
り交換を長期にわたり不要とすることができる。
びその位置を変えられるため、電子線照射により発生し
たコンタミネーション等、汚染によるチャージアップの
影響を低減し描画精度を向上させることができ、かつ絞
り交換を長期にわたり不要とすることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す電子線描画装置のブロ
ック図。
ック図。
【図２】従来構造の絞りの説明図。
【図３】本発明による絞りの一実施例の説明図。
【図４】本発明による絞りの第二実施例の説明図。
【図５】本発明による絞りの第三実施例の説明図。
１…電子源、２…ビームブランカー、３…照射レンズ、
４…対物レンズ、５…ビーム偏向器、６…電子ビーム、
７…ブランキング絞り、８…ウェハ、９…移動ステー
ジ、１０…ブランキング制御回路、１１…偏向制御回
路、１３…ステージ制御回路、１４…制御計算機、１６
…絞り板、１７…ギヤ、１８…伝達ギヤ、１９…カバ
ー。
４…対物レンズ、５…ビーム偏向器、６…電子ビーム、
７…ブランキング絞り、８…ウェハ、９…移動ステー
ジ、１０…ブランキング制御回路、１１…偏向制御回
路、１３…ステージ制御回路、１４…制御計算機、１６
…絞り板、１７…ギヤ、１８…伝達ギヤ、１９…カバ
ー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】電子線描画装置において、電子線をブラン
キングするブランキング絞りを隙間χ，角度θを持つ複
数枚の板より構成しかつ電子線のブランキング方向に対
し直角に配置し、その絞り位置が無段階に変え、調節で
きることを特徴とする電子線描画装置。 - 【請求項２】請求項１において、上記絞りにおける隙間
χ，角度θを可変とする電子線描画装置。 - 【請求項３】請求項２において、上記電子線が直接もし
くは反射により照射される部分を炭素で構成する電子線
描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011495A JPH09204891A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011495A JPH09204891A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09204891A true JPH09204891A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11779623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011495A Pending JPH09204891A (ja) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09204891A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005119361A3 (en) * | 2004-06-03 | 2006-03-23 | Nanobeam Ltd | Apparatus for blanking a charged particle beam |
| WO2013027448A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子銃および荷電粒子線装置 |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8011495A patent/JPH09204891A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005119361A3 (en) * | 2004-06-03 | 2006-03-23 | Nanobeam Ltd | Apparatus for blanking a charged particle beam |
| US7728308B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-06-01 | Nanobeam Limited | Apparatus for blanking a charged particle beam |
| WO2013027448A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子銃および荷電粒子線装置 |
| JP2013045525A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子銃および荷電粒子線装置 |
| CN103843104A (zh) * | 2011-08-22 | 2014-06-04 | 株式会社日立高新技术 | 电子枪以及带电粒子束装置 |
| US9293293B2 (en) | 2011-08-22 | 2016-03-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron gun and charged particle beam device having an aperture with flare-suppressing coating |
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