JPH09205075A - マイクロメカニズムデバイスの製造方法 - Google Patents
マイクロメカニズムデバイスの製造方法Info
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
- B81C1/0092—For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
- B81C1/00944—Maintaining a critical distance between the structures to be released
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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- G01P15/0802—Details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積回路の製造工程に適している方法を可動
構造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造する
方法にも利用する。 【解決手段】 スティッキング効果を回避するためマイ
クロメカニズムの可動構造体３を露出する前にこれを補
助構造体７ａを介して適当な構造体、例えば基板と接続
し、この補助構造体７ａを可動構造体３の周囲の中間層
２を除去して露出した後初めて除去する。
構造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造する
方法にも利用する。 【解決手段】 スティッキング効果を回避するためマイ
クロメカニズムの可動構造体３を露出する前にこれを補
助構造体７ａを介して適当な構造体、例えば基板と接続
し、この補助構造体７ａを可動構造体３の周囲の中間層
２を除去して露出した後初めて除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に可
動の構造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造
する方法に関する。
動の構造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】可動構造体を有するマイクロメカニズム
デバイスは例えばエンジン又は動力センサ（加速度セン
サ又は傾斜センサ）として広範囲に使用されている。そ
の際集積回路、特にシリコン基板上の集積回路の形成に
対しても互換性のある方法に多大の関心が寄せられてい
る。製造プロセスの互換性によってのみマイクロメカニ
ズム及び制御回路及び評価回路をマイクロシステム中に
集積することができる。このことは既存の半導体製造装
置をマイクロメカニズム構造体の製造にも利用しなけれ
ばならない場合に重要なことである。
デバイスは例えばエンジン又は動力センサ（加速度セン
サ又は傾斜センサ）として広範囲に使用されている。そ
の際集積回路、特にシリコン基板上の集積回路の形成に
対しても互換性のある方法に多大の関心が寄せられてい
る。製造プロセスの互換性によってのみマイクロメカニ
ズム及び制御回路及び評価回路をマイクロシステム中に
集積することができる。このことは既存の半導体製造装
置をマイクロメカニズム構造体の製造にも利用しなけれ
ばならない場合に重要なことである。
【０００３】通常の製造方法では多くの場合湿式化学に
よる等方性エッチングにより可動構造体はこの構造体を
囲む層の除去により露出される。その際可動部分がその
基台と固着、いわゆるスティッキングを起こすという問
題が生じる。このスティッキング効果は、間隔の狭い、
典型的には１μｍ以下の構造体の場合に非常に固着力が
大きくなることにより惹起される。
よる等方性エッチングにより可動構造体はこの構造体を
囲む層の除去により露出される。その際可動部分がその
基台と固着、いわゆるスティッキングを起こすという問
題が生じる。このスティッキング効果は、間隔の狭い、
典型的には１μｍ以下の構造体の場合に非常に固着力が
大きくなることにより惹起される。
【０００４】この問題を解決する公知の方法には、可動
部分のフリーエッチング後エッチング剤又は後に使用さ
れる洗浄剤（例えば水）を昇華性化学薬品と代えるもの
がある。次いでこのデバイスを冷却し、それにより可動
構造体を化学薬品の薄い層により囲み、これを引続き昇
華する。適した化学薬品としては例えばシクロヘキサン
又はジクロルベンゾールがある。しかし必要とされる化
学薬品を必要な純度で入手できないため、この方法は集
積回路の製造とは互換性がない。特にマイクロシステム
の製造には使用できない。
部分のフリーエッチング後エッチング剤又は後に使用さ
れる洗浄剤（例えば水）を昇華性化学薬品と代えるもの
がある。次いでこのデバイスを冷却し、それにより可動
構造体を化学薬品の薄い層により囲み、これを引続き昇
華する。適した化学薬品としては例えばシクロヘキサン
又はジクロルベンゾールがある。しかし必要とされる化
学薬品を必要な純度で入手できないため、この方法は集
積回路の製造とは互換性がない。特にマイクロシステム
の製造には使用できない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、スティッキング効果（固着作用）を回避して可動構
造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造する改
善された方法を提供することにある。
は、スティッキング効果（固着作用）を回避して可動構
造体を有するマイクロメカニズムデバイスを製造する改
善された方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題は請求項１に記
載の特徴を有する方法により解決される。
載の特徴を有する方法により解決される。
【０００７】本発明は、可動構造体をそのフリーエッチ
ングの前に支持体の作用をする層に固定する補助構造体
の使用に基づく。更に可動構造体をこれを囲む中間層を
等方性湿式化学エッチングにより除去するようにして露
出する。しかしその際可動構造体は補助構造体を介して
支持体と接続されたままである。従って乾燥の際に生じ
る固着力は可動構造体を例えば基台に接着することには
ならない。その後初めて補助構造体を除去するので可動
構造体は完全に可動性になる。
ングの前に支持体の作用をする層に固定する補助構造体
の使用に基づく。更に可動構造体をこれを囲む中間層を
等方性湿式化学エッチングにより除去するようにして露
出する。しかしその際可動構造体は補助構造体を介して
支持体と接続されたままである。従って乾燥の際に生じ
る固着力は可動構造体を例えば基台に接着することには
ならない。その後初めて補助構造体を除去するので可動
構造体は完全に可動性になる。
【０００８】支持体として例えばマイクロメカニズムデ
バイスの基板そのもの又は固定構造体を使用することが
できる。支持体は可動構造体の下方又は上方に又は可動
構造体と同じ高さにあってもよい。中間層の除去の際に
は可動構造体は基板と及び補助構造体を介して可動構造
体と接続されていなければならない。
バイスの基板そのもの又は固定構造体を使用することが
できる。支持体は可動構造体の下方又は上方に又は可動
構造体と同じ高さにあってもよい。中間層の除去の際に
は可動構造体は基板と及び補助構造体を介して可動構造
体と接続されていなければならない。
【０００９】補助構造体は、中間層の除去の際に腐食さ
れることがなく本方法の終了時に容易に除去可能の材料
からなる。それには例えばフォトレジストが適してい
る。
れることがなく本方法の終了時に容易に除去可能の材料
からなる。それには例えばフォトレジストが適してい
る。
【００１０】このような補助構造体を形成するために
は、中間層内に可動構造体及び支持体の表面が部分的に
露出するように開口を形成する。次いで感光性層（フォ
トレジスト）を施し、それにより開口内に可動構造体と
支持体を接続する補助構造体を形成する。感光性層から
露光及び現像によりマスクを形成し、このマスクの開口
は可動構造体の露出を可能にする。即ちマスク開口を通
して中間層はエッチングされる。
は、中間層内に可動構造体及び支持体の表面が部分的に
露出するように開口を形成する。次いで感光性層（フォ
トレジスト）を施し、それにより開口内に可動構造体と
支持体を接続する補助構造体を形成する。感光性層から
露光及び現像によりマスクを形成し、このマスクの開口
は可動構造体の露出を可能にする。即ちマスク開口を通
して中間層はエッチングされる。
【００１１】本方法では専ら集積回路の製造の際にも使
用されるプロセスが行われるので、求められる互換性が
得られることになる。
用されるプロセスが行われるので、求められる互換性が
得られることになる。
【００１２】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述
する。
する。
【００１３】図１では製造方法の出発点としてシリコン
基板１があり、その上に中間層２及び可動構造体３が施
されている。中間層２は例えば二酸化ケイ素からなり、
同じ又は異なる部分層からなっていてもよい。中間層２
は後で露出される例えばポリシリコン又は金属からなる
可動構造体３を完全に囲んでいる。その上にマイクロメ
カニズムデバイスの固定構造体を形成する可動構造体と
同じ材料からなっていてもよい上方層４が配設される。
基板１があり、その上に中間層２及び可動構造体３が施
されている。中間層２は例えば二酸化ケイ素からなり、
同じ又は異なる部分層からなっていてもよい。中間層２
は後で露出される例えばポリシリコン又は金属からなる
可動構造体３を完全に囲んでいる。その上にマイクロメ
カニズムデバイスの固定構造体を形成する可動構造体と
同じ材料からなっていてもよい上方層４が配設される。
【００１４】図２ではフォトレジストマスク５が施され
ており、これにより上方層４及び中間層２がエッチング
される。この例では第１のエッチングは異方性に、また
第２のエッチングは等方性に行われる。しかし他のエッ
チングプロセスを使用することもできる。中間層２内の
開口６は可動構造体３の一部及び適当な支持体の一部を
露出するような大きさに定めなければならない。この場
合基板１も上方層４も支持体として使用される。
ており、これにより上方層４及び中間層２がエッチング
される。この例では第１のエッチングは異方性に、また
第２のエッチングは等方性に行われる。しかし他のエッ
チングプロセスを使用することもできる。中間層２内の
開口６は可動構造体３の一部及び適当な支持体の一部を
露出するような大きさに定めなければならない。この場
合基板１も上方層４も支持体として使用される。
【００１５】図３ではフォトレジストマスク５を除去
し、開口６を満たし、ここに補助構造体７ａを形成する
新しいフォトレジスト層７が施されている。フォトレジ
スト層７は同時に可動構造体３のフリーエッチングのマ
スクの作用をする。
し、開口６を満たし、ここに補助構造体７ａを形成する
新しいフォトレジスト層７が施されている。フォトレジ
スト層７は同時に可動構造体３のフリーエッチングのマ
スクの作用をする。
【００１６】図４ではフリーエッチングのためにこの例
ではまず上方層４をエッチングし、引続き可動構造体３
の周りの中間層２を通常の等方性エッチングプロセスに
より完全に除去する。可動構造体３は補助構造体７ａを
介して支持体、即ちここでは基板１及び上方層４と接続
されている。上方層４は図面の外側で例えば中間層２の
除去されなかった部分を介して固く基板１と接続されて
いる。引続きフォトレジスト層７は補助構造体７ａも含
めてＯ2 プラズマ又はオゾンにより除去され、その結果
可動構造体３は完全に露出される。
ではまず上方層４をエッチングし、引続き可動構造体３
の周りの中間層２を通常の等方性エッチングプロセスに
より完全に除去する。可動構造体３は補助構造体７ａを
介して支持体、即ちここでは基板１及び上方層４と接続
されている。上方層４は図面の外側で例えば中間層２の
除去されなかった部分を介して固く基板１と接続されて
いる。引続きフォトレジスト層７は補助構造体７ａも含
めてＯ2 プラズマ又はオゾンにより除去され、その結果
可動構造体３は完全に露出される。
【図１】本発明による可動構造体を有するマイクロメカ
ニズムデバイスの基板、中間層、可動構造体及び上方層
を施した工程の断面図。
ニズムデバイスの基板、中間層、可動構造体及び上方層
を施した工程の断面図。
【図２】フォトレジストマスクを施し、上方層及び中間
層をエッチングした工程の断面図。
層をエッチングした工程の断面図。
【図３】フォトレジストマスクを除去し、新しいフォト
レジスト層を施し、開口内に補助構造体を形成した工程
の断面図。
レジスト層を施し、開口内に補助構造体を形成した工程
の断面図。
【図４】補助構造体も含めてフォトレジスト層を除去
し、可動構造体を完全に露出するための工程の断面図。
し、可動構造体を完全に露出するための工程の断面図。
１ 基板 ２ 中間層 ２ａ 除去された中間層の部分 ３ 可動構造体 ４ 固定構造体 ５ フォトレジストマスク ６ 開口 ７ フォトレジストマスク ７ａ 補助構造体
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に可動の構造体を有するマ
イクロメカニズムデバイスを製造する方法において、 可動構造体（３）、中間層（２）及び支持体（１、４）
の作用をする層又は構造体を形成し、その際可動構造体
（３）を中間層（２）中に埋封し、中間層（２）の一部
により支持体（１、４）と分離するようにし、 可動構造体（３）及び支持体（１、４）を部分的に露出
する開口（６）を中間層（２）内に形成し、 フォトレジスト層（７）を施し、それにより開口（６）
内に可動構造体（３）及び支持体（１、４）を互いに接
続する補助構造体（７ａ）を形成し、 可動構造体（３）を露出するための開口を備えているフ
ォトレジスト層（７）をマスクに構造化し、 エッチングプロセスでこの開口を通して可動構造体
（３）の周囲の中間層（２）を除去し、 その後補助構造体（７ａ）を乾式エッチングプロセスに
より除去することを特徴とするマイクロメカニズムデバ
イスの製造方法。 - 【請求項２】 支持体として半導体基板（１）及び／又
はマイクロメカニズムデバイスの固定構造体（４）を使
用することを特徴とする請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19600399.7 | 1996-01-08 | ||
| DE19600399A DE19600399C1 (de) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | Herstellverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit einer beweglichen Struktur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205075A true JPH09205075A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=7782289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9010093A Pending JPH09205075A (ja) | 1996-01-08 | 1997-01-06 | マイクロメカニズムデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5817539A (ja) |
| EP (1) | EP0783107B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09205075A (ja) |
| DE (2) | DE19600399C1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19810286A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-09-23 | Siemens Ag | Mikrosensor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zum Betreiben eines Mikrosensors |
| DE10151130C1 (de) * | 2001-10-17 | 2003-02-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements mit einer beweglichen Struktur |
| DE10161953A1 (de) * | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Mikrostruktur |
| DE10163506A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauelements mit einer beweglichen Struktur |
| SE0203266L (sv) | 2002-11-05 | 2003-11-11 | Imego Ab | Förfarande för att tillverka en rörlig struktur för en ljusformande enhet |
| US7885423B2 (en) | 2005-04-25 | 2011-02-08 | Analog Devices, Inc. | Support apparatus for microphone diaphragm |
| US7825484B2 (en) * | 2005-04-25 | 2010-11-02 | Analog Devices, Inc. | Micromachined microphone and multisensor and method for producing same |
| US7449356B2 (en) * | 2005-04-25 | 2008-11-11 | Analog Devices, Inc. | Process of forming a microphone using support member |
| EP2044802B1 (en) | 2006-07-25 | 2013-03-27 | Analog Devices, Inc. | Multiple microphone system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314572A (en) * | 1990-08-17 | 1994-05-24 | Analog Devices, Inc. | Method for fabricating microstructures |
| DE4414969C1 (de) * | 1994-04-28 | 1995-06-08 | Siemens Ag | Mikromechanisches Bauteil mit einer dielektrischen beweglichen Struktur, Mikrosystem und Herstellverfahren |
| DE4414970C2 (de) * | 1994-04-28 | 1996-02-22 | Siemens Ag | Mikromechanisches Bauteil mit einem Schaltelement als beweglicher Struktur, Mikrosystem und Herstellverfahren |
| DE4423396C2 (de) * | 1994-07-04 | 2001-10-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Oberflächenstruktur |
| DE19536250A1 (de) * | 1995-09-28 | 1997-04-03 | Siemens Ag | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors |
-
1996
- 1996-01-08 DE DE19600399A patent/DE19600399C1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-18 DE DE59607311T patent/DE59607311D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-18 EP EP96120428A patent/EP0783107B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-06 JP JP9010093A patent/JPH09205075A/ja active Pending
- 1997-01-08 US US08/780,489 patent/US5817539A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0783107A1 (de) | 1997-07-09 |
| DE59607311D1 (de) | 2001-08-23 |
| DE19600399C1 (de) | 1997-08-21 |
| EP0783107B1 (de) | 2001-07-18 |
| US5817539A (en) | 1998-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040819 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050203 |