JPH09205143A - 接続孔の形成方法 - Google Patents
接続孔の形成方法Info
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- JPH09205143A JPH09205143A JP1126596A JP1126596A JPH09205143A JP H09205143 A JPH09205143 A JP H09205143A JP 1126596 A JP1126596 A JP 1126596A JP 1126596 A JP1126596 A JP 1126596A JP H09205143 A JPH09205143 A JP H09205143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自己整合コンタクト・プロセスにおけるＳｉ
Ｏｘ層間絶縁膜／エッチング停止膜間の選択比を増大さ
せる。 【解決手段】 オフセット酸化膜４やサイドウォール５
を被覆するエッチング停止膜を、従来一般的なＳｉｘＮ
ｙ膜に代わり、ＳｉＯｘＮｙ膜で構成する。ＳｉＯｘＮ
ｙは原子組成がＳｉＯｘやＳｉｘＮｙよりもＳｉリッチ
で、ＳｉＯｘよりもＯが少ないため、ＳｉＯｘＮｙエッ
チング停止膜７上のＳｉＯｘ層間絶縁膜８をフルオロカ
ーボン（ＦＣ）系ガスを用いてエッチングすると、該停
止膜７の露出面ではカーボンの除去が鈍り、ＦＣ系ポリ
マーの堆積傾向が強まる。このため、ＳｉＯｘ／ＳｉＯ
ｘＮｙ間では、ＳｉＯｘ／ＳｉｘＮｙ間よりもエッチン
グ選択比が大きくなる。ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
７は、膜厚を最適化すればエキシマ・レーザ波長域にお
ける反射防止膜としても働く。
Ｏｘ層間絶縁膜／エッチング停止膜間の選択比を増大さ
せる。 【解決手段】 オフセット酸化膜４やサイドウォール５
を被覆するエッチング停止膜を、従来一般的なＳｉｘＮ
ｙ膜に代わり、ＳｉＯｘＮｙ膜で構成する。ＳｉＯｘＮ
ｙは原子組成がＳｉＯｘやＳｉｘＮｙよりもＳｉリッチ
で、ＳｉＯｘよりもＯが少ないため、ＳｉＯｘＮｙエッ
チング停止膜７上のＳｉＯｘ層間絶縁膜８をフルオロカ
ーボン（ＦＣ）系ガスを用いてエッチングすると、該停
止膜７の露出面ではカーボンの除去が鈍り、ＦＣ系ポリ
マーの堆積傾向が強まる。このため、ＳｉＯｘ／ＳｉＯ
ｘＮｙ間では、ＳｉＯｘ／ＳｉｘＮｙ間よりもエッチン
グ選択比が大きくなる。ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
７は、膜厚を最適化すればエキシマ・レーザ波長域にお
ける反射防止膜としても働く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造等の微細
デバイス加工分野に適用される接続孔の形成方法に関
し、特にエッチング停止膜を用いる自己整合コンタクト
・プロセスにおいて、十分なエッチング選択比を容易に
確保する方法に関する。
デバイス加工分野に適用される接続孔の形成方法に関
し、特にエッチング停止膜を用いる自己整合コンタクト
・プロセスにおいて、十分なエッチング選択比を容易に
確保する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】０．３μｍ以降のデザイン・ルールが適
用される微細な半導体デバイスの製造プロセスでは、接
続孔の設計余裕を下層配線との位置合わせのバラつきを
考慮して決定すると、接続孔の設計寸法（＝ホール径＋
設計余裕）が大きくなり過ぎる問題が生じている。この
位置合わせのバラつきは、フォトリソグラフィで用いら
れる縮小投影露光装置のアライメント性能の不足に起因
するものである。しかもこのバラつきは、半導体プロセ
スに含まれる様々なスケーリング・ファクターの中でも
特にスケール・ダウンが困難な項目であり、解像度以上
に露光技術の限界を決定する要因であるとすら言われて
いる。この問題を、図６ないし図８を参照しながら説明
する。
用される微細な半導体デバイスの製造プロセスでは、接
続孔の設計余裕を下層配線との位置合わせのバラつきを
考慮して決定すると、接続孔の設計寸法（＝ホール径＋
設計余裕）が大きくなり過ぎる問題が生じている。この
位置合わせのバラつきは、フォトリソグラフィで用いら
れる縮小投影露光装置のアライメント性能の不足に起因
するものである。しかもこのバラつきは、半導体プロセ
スに含まれる様々なスケーリング・ファクターの中でも
特にスケール・ダウンが困難な項目であり、解像度以上
に露光技術の限界を決定する要因であるとすら言われて
いる。この問題を、図６ないし図８を参照しながら説明
する。
【０００３】図６は、ＳＲＡＭのメモリセルにおいて、
隣接するゲート電極（ワード線）の間で上層配線（ビッ
ト線）の基板コンタクトを形成する部分を示している。
すなわち、予めウェル形成や素子分離を行ったシリコン
基板２１（Ｓｉ）の表面には、熱酸化により形成された
ゲート酸化膜２２（ＳｉＯ2 ）を介してゲート電極２３
（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）が形成されている。これら
ゲート電極２３は、いずれもその上面をオフセット酸化
膜２４（ＳｉＯｘ）、側面をサイドウォール２５（Ｓｉ
Ｏｘ）にそれぞれ被覆されている。また、シリコン基板
２１の表層部にはＬＤＤ構造を有するソース／ドレイン
領域２６が、上記ゲート電極２３および上記サイドウォ
ール２５に対して自己整合的に形成されている。
隣接するゲート電極（ワード線）の間で上層配線（ビッ
ト線）の基板コンタクトを形成する部分を示している。
すなわち、予めウェル形成や素子分離を行ったシリコン
基板２１（Ｓｉ）の表面には、熱酸化により形成された
ゲート酸化膜２２（ＳｉＯ2 ）を介してゲート電極２３
（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）が形成されている。これら
ゲート電極２３は、いずれもその上面をオフセット酸化
膜２４（ＳｉＯｘ）、側面をサイドウォール２５（Ｓｉ
Ｏｘ）にそれぞれ被覆されている。また、シリコン基板
２１の表層部にはＬＤＤ構造を有するソース／ドレイン
領域２６が、上記ゲート電極２３および上記サイドウォ
ール２５に対して自己整合的に形成されている。
【０００４】いま、上述のようにゲート電極２３の形成
された基体を一旦、ＳｉＯｘ層間絶縁膜２７でほぼ平坦
化し、形成すべき接続孔（コンタクトホール）とゲート
電極２３の電極間スペースとの位置合わせのバラつきを
考慮してフォトリソグラフィを行い、十分に大きな開口
を有するレジスト・パターン２８を形成したとする。こ
のとき、ゲート電極間スペースが極度に縮小されている
と、図６に示されるように、レジスト・パターン２８の
開口はゲート電極２８のエッジと重複してしまう。
された基体を一旦、ＳｉＯｘ層間絶縁膜２７でほぼ平坦
化し、形成すべき接続孔（コンタクトホール）とゲート
電極２３の電極間スペースとの位置合わせのバラつきを
考慮してフォトリソグラフィを行い、十分に大きな開口
を有するレジスト・パターン２８を形成したとする。こ
のとき、ゲート電極間スペースが極度に縮小されている
と、図６に示されるように、レジスト・パターン２８の
開口はゲート電極２８のエッジと重複してしまう。
【０００５】この状態で、シリコン系材料に対してエッ
チング選択比を確保できる条件にしたがってＳｉＯｘ層
間絶縁膜２７をエッチングすると、図７に示されるよう
に、配線間スペースがそのまま底面となるようなコンタ
クトホール２９が形成される。しかし、この例のように
局部的な膜厚差を有するＳｉＯｘ層間絶縁膜２７にコン
タクトホール２９を開口するプロセスでは、シリコン基
板２１を完全に露出させようとすると過剰なオーバーエ
ッチングが要求されるので、上記レジスト・パターン２
８の開口に掛かるオフセット酸化膜２４やサイドウォー
ル２５の一部も当然除去されてしまう。この結果、図７
に示されるように、コンタクトホール２９の側壁面に
は、ゲート電極２３が一部露出した状態となる。したが
って、このコンタクトホール２９を図８に示されるごと
く上層配線３０で被覆すると、ゲート電極２３と上層配
線３０とが短絡してしまう。
チング選択比を確保できる条件にしたがってＳｉＯｘ層
間絶縁膜２７をエッチングすると、図７に示されるよう
に、配線間スペースがそのまま底面となるようなコンタ
クトホール２９が形成される。しかし、この例のように
局部的な膜厚差を有するＳｉＯｘ層間絶縁膜２７にコン
タクトホール２９を開口するプロセスでは、シリコン基
板２１を完全に露出させようとすると過剰なオーバーエ
ッチングが要求されるので、上記レジスト・パターン２
８の開口に掛かるオフセット酸化膜２４やサイドウォー
ル２５の一部も当然除去されてしまう。この結果、図７
に示されるように、コンタクトホール２９の側壁面に
は、ゲート電極２３が一部露出した状態となる。したが
って、このコンタクトホール２９を図８に示されるごと
く上層配線３０で被覆すると、ゲート電極２３と上層配
線３０とが短絡してしまう。
【０００６】この短絡を防止するひとつの方法として、
過剰なオーバーエッチングを行わなくともコンタクトホ
ールが開口できるよう、層間絶縁膜の形状を基体の凹凸
にならったコンフォーマル形状としておく方法が考えら
れるが、これでは基体の平坦化が不可能となる。このこ
とは、平坦化の重要性がますます高まる今後の半導体デ
バイス製造において、大きなデメリットとなる。
過剰なオーバーエッチングを行わなくともコンタクトホ
ールが開口できるよう、層間絶縁膜の形状を基体の凹凸
にならったコンフォーマル形状としておく方法が考えら
れるが、これでは基体の平坦化が不可能となる。このこ
とは、平坦化の重要性がますます高まる今後の半導体デ
バイス製造において、大きなデメリットとなる。
【０００７】このような背景から、位置合わせのための
設計余裕をフォトマスク上で不要にできる自己整合コン
タクト（ＳＡＣ）プロセスが関心を集めている。このプ
ロセスには色々な種類があるが、露光工程が増えないこ
とから最もよく検討されているのは、窒化シリコン膜
（ＳｉｘＮｙ）をエッチング停止層として用いる方法で
ある。上述のＳＲＡＭのメモリセルの例では、オフセッ
ト酸化膜２４とサイドウォール２５の表面をＳｉｘＮｙ
からなるエッチング停止膜で被覆した後に、ＳｉＯｘ層
間絶縁膜２７を形成する。
設計余裕をフォトマスク上で不要にできる自己整合コン
タクト（ＳＡＣ）プロセスが関心を集めている。このプ
ロセスには色々な種類があるが、露光工程が増えないこ
とから最もよく検討されているのは、窒化シリコン膜
（ＳｉｘＮｙ）をエッチング停止層として用いる方法で
ある。上述のＳＲＡＭのメモリセルの例では、オフセッ
ト酸化膜２４とサイドウォール２５の表面をＳｉｘＮｙ
からなるエッチング停止膜で被覆した後に、ＳｉＯｘ層
間絶縁膜２７を形成する。
【０００８】かかる構成によれば、ＳｉＯｘ層間絶縁膜
２７のエッチングはエッチング停止膜が露出するとそこ
から先へは進まないため、オーバーエッチング時にもオ
フセット酸化膜２４やサイドウォール２５が保護され
る。被エッチング領域の全面にエッチング停止膜が露出
したら、今度はＳｉｘＮｙ用のエッチング条件に切り替
えて、エッチング停止膜を選択的に除去することで、コ
ンタクトホールが完成される。したがって、層間絶縁膜
を平坦化しながらも良好なコンタクト形成が可能とな
る。
２７のエッチングはエッチング停止膜が露出するとそこ
から先へは進まないため、オーバーエッチング時にもオ
フセット酸化膜２４やサイドウォール２５が保護され
る。被エッチング領域の全面にエッチング停止膜が露出
したら、今度はＳｉｘＮｙ用のエッチング条件に切り替
えて、エッチング停止膜を選択的に除去することで、コ
ンタクトホールが完成される。したがって、層間絶縁膜
を平坦化しながらも良好なコンタクト形成が可能とな
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉｘ
Ｎｙ膜を用いたＳＡＣプロセスを実用化するためには、
ＳｉＯｘ層間絶縁膜のドライエッチングをＳｉｘＮｙエ
ッチング停止膜の上で精度良く停止させるという、難度
の高い技術をクリアしなければならない。ＳｉＯｘ膜と
ＳｉｘＮｙ膜とを比べると、各々を構成するＳｉ−Ｏ結
合（原子間結合エネルギー＝４６５ｋＪ／ｍｏｌ）とＳ
ｉ−Ｎ結合（同４４０ｋＪ／ｍｏｌ）とがエネルギー的
に接近しており、エッチング・ガスも基本的に同じであ
ることから、互いに選択性を確保することは本質的に難
しいのである。
Ｎｙ膜を用いたＳＡＣプロセスを実用化するためには、
ＳｉＯｘ層間絶縁膜のドライエッチングをＳｉｘＮｙエ
ッチング停止膜の上で精度良く停止させるという、難度
の高い技術をクリアしなければならない。ＳｉＯｘ膜と
ＳｉｘＮｙ膜とを比べると、各々を構成するＳｉ−Ｏ結
合（原子間結合エネルギー＝４６５ｋＪ／ｍｏｌ）とＳ
ｉ−Ｎ結合（同４４０ｋＪ／ｍｏｌ）とがエネルギー的
に接近しており、エッチング・ガスも基本的に同じであ
ることから、互いに選択性を確保することは本質的に難
しいのである。
【００１０】ただし、ＳｉＯｘ膜がイオン・アシスト反
応を主体とする機構によりエッチングされるのに対し、
ＳｉｘＮｙ膜はＦ* を主エッチング種とするラジカル反
応機構にもとづいてエッチングされ、エッチング速度も
ＳｉＯｘ膜より若干速い。このため、ＳｉＯｘ膜上にお
けるＳｉｘＮｙ膜のドライエッチングについては、エッ
チング反応系のラジカル性を高めることで対処可能であ
り、これまでにも幾つかのプロセスが提案されてきた。
しかし、その逆のＳｉｘＮｙ膜上におけるＳｉＯｘ膜の
エッチングでは、選択性の確保はより困難である。なぜ
なら、イオン・アシスト反応を主体とする機構によりＳ
ｉＯｘ膜をエッチングしていても、その反応系中には必
ずラジカルが生成しており、ＳｉｘＮｙ膜が露出した時
点でこのラジカルにより該ＳｉｘＮｙ膜のエッチング速
度が上昇してしまうからである。近年では、ＳｉｘＮｙ
膜上におけるＳｉＯｘ膜のエッチングをフルオロカーボ
ン系ガスのプラズマを用いて行い、このとき生成するフ
ルオロカーボン系ポリマーを利用して選択比を確保する
方法が主流となっている。また、このポリマー生成によ
るエッチング速度の低下は、ＥＣＲプラズマ，誘導結合
プラズマ，ヘリコン波プラズマといった、イオン電流密
度５ｍＡ／ｃｍ2 以上を達成可能ないわゆる高密度プラ
ズマを用いることで解決しようとする傾向にある。しか
しながらこの方法には、続くＳｉｘＮｙ膜のエッチング
に際して表面に堆積したポリマーの完全除去が難しいと
いう問題があり、技術の選択肢も少ないのが現状であ
る。
応を主体とする機構によりエッチングされるのに対し、
ＳｉｘＮｙ膜はＦ* を主エッチング種とするラジカル反
応機構にもとづいてエッチングされ、エッチング速度も
ＳｉＯｘ膜より若干速い。このため、ＳｉＯｘ膜上にお
けるＳｉｘＮｙ膜のドライエッチングについては、エッ
チング反応系のラジカル性を高めることで対処可能であ
り、これまでにも幾つかのプロセスが提案されてきた。
しかし、その逆のＳｉｘＮｙ膜上におけるＳｉＯｘ膜の
エッチングでは、選択性の確保はより困難である。なぜ
なら、イオン・アシスト反応を主体とする機構によりＳ
ｉＯｘ膜をエッチングしていても、その反応系中には必
ずラジカルが生成しており、ＳｉｘＮｙ膜が露出した時
点でこのラジカルにより該ＳｉｘＮｙ膜のエッチング速
度が上昇してしまうからである。近年では、ＳｉｘＮｙ
膜上におけるＳｉＯｘ膜のエッチングをフルオロカーボ
ン系ガスのプラズマを用いて行い、このとき生成するフ
ルオロカーボン系ポリマーを利用して選択比を確保する
方法が主流となっている。また、このポリマー生成によ
るエッチング速度の低下は、ＥＣＲプラズマ，誘導結合
プラズマ，ヘリコン波プラズマといった、イオン電流密
度５ｍＡ／ｃｍ2 以上を達成可能ないわゆる高密度プラ
ズマを用いることで解決しようとする傾向にある。しか
しながらこの方法には、続くＳｉｘＮｙ膜のエッチング
に際して表面に堆積したポリマーの完全除去が難しいと
いう問題があり、技術の選択肢も少ないのが現状であ
る。
【００１１】そこで本発明は、上述の問題を解決し、Ｓ
ＡＣプロセスの新たな選択肢となり得る接続孔の形成方
法を提供することを目的とする。
ＡＣプロセスの新たな選択肢となり得る接続孔の形成方
法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の接続孔の形成方
法は、基板上に形成された電極パターンの隣接部位にお
いて該基板に臨む接続孔をＳＡＣプロセスにより形成す
る際に、従来のＳｉｘＮｙ膜に代わりＳｉＯｘＮｙ系膜
をエッチング停止膜として用いることで、上述の目的を
達成しようとするものである。
法は、基板上に形成された電極パターンの隣接部位にお
いて該基板に臨む接続孔をＳＡＣプロセスにより形成す
る際に、従来のＳｉｘＮｙ膜に代わりＳｉＯｘＮｙ系膜
をエッチング停止膜として用いることで、上述の目的を
達成しようとするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明では、ＳｉＯｘ／ＳｉＯｘ
Ｎｙ間で選択比を確保したエッチングが重要なポイント
となる。ＳｉＯｘＮｙ膜は、原子組成比がおおよそＳ
ｉ：Ｏ：Ｎ＝２：１：１であり、５０％程度がＳｉで占
められるシリコン・リッチな組成を有し、このことから
も推察されるように、ドライエッチングに際してＳｉと
ＳｉＯｘの中間的なエッチング特性を示す。このＳｉＯ
ｘＮｙ膜の上でＳｉＯｘ膜をフルオロカーボン系ガスを
用いてエッチングすると、ＳｉＯｘＮｙ膜は膜中のＯ原
子がＳｉＯｘ膜に比べて少ないため、その露出面ではＣ
原子の除去が進行せず、結果的にカーボン系ポリマーの
堆積が促進されてエッチング速度が低下する。つまり、
ＳｉＯｘＮｙ膜の表面における選択性の達成機構は、Ｓ
ｉ膜上におけるそれと類似している。これに対し、従来
からエッチング停止膜として多く用いられてきたＳｉｘ
Ｎｙ膜は、Ｓｉ組成比がＳｉＯｘに近く、前述したとお
りエッチング特性も元来ＳｉＯｘに類似しており、本質
的に高い選択比を望むことができない。本発明ではＳｉ
ＯｘＮｙ膜をエッチング停止膜として用いることによ
り、Ｓｉ／ＳｉＯｘ間の選択比には及ばないものの、Ｓ
ｉｘＮｙ／ＳｉＯｘ間に比べれば２倍程度高い選択比を
達成することができ、エッチングが容易となる。
Ｎｙ間で選択比を確保したエッチングが重要なポイント
となる。ＳｉＯｘＮｙ膜は、原子組成比がおおよそＳ
ｉ：Ｏ：Ｎ＝２：１：１であり、５０％程度がＳｉで占
められるシリコン・リッチな組成を有し、このことから
も推察されるように、ドライエッチングに際してＳｉと
ＳｉＯｘの中間的なエッチング特性を示す。このＳｉＯ
ｘＮｙ膜の上でＳｉＯｘ膜をフルオロカーボン系ガスを
用いてエッチングすると、ＳｉＯｘＮｙ膜は膜中のＯ原
子がＳｉＯｘ膜に比べて少ないため、その露出面ではＣ
原子の除去が進行せず、結果的にカーボン系ポリマーの
堆積が促進されてエッチング速度が低下する。つまり、
ＳｉＯｘＮｙ膜の表面における選択性の達成機構は、Ｓ
ｉ膜上におけるそれと類似している。これに対し、従来
からエッチング停止膜として多く用いられてきたＳｉｘ
Ｎｙ膜は、Ｓｉ組成比がＳｉＯｘに近く、前述したとお
りエッチング特性も元来ＳｉＯｘに類似しており、本質
的に高い選択比を望むことができない。本発明ではＳｉ
ＯｘＮｙ膜をエッチング停止膜として用いることによ
り、Ｓｉ／ＳｉＯｘ間の選択比には及ばないものの、Ｓ
ｉｘＮｙ／ＳｉＯｘ間に比べれば２倍程度高い選択比を
達成することができ、エッチングが容易となる。
【００１４】本発明ではこのようなＳｉＯｘ膜とＳｉＯ
ｘＮｙ膜との本来的なエッチング特性の差を利用するの
で、ＳｉＯｘ膜のエッチング時にフルオロカーボン系化
合物を含むエッチング・ガスを用いたとしても、従来の
ように過剰量のカーボン系ポリマーを発生させる必要が
ない。このため、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜自身の
除去も容易となる。このＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
の除去は、典型的にはＳｉ用のエッチング条件にしたが
ってハロゲン系エッチング・ガスを用いて行うことがで
きるので、下地のＳｉＯｘ膜、すなわちオフセット酸化
膜やサイドウォールに対して高選択比を達成することが
できる。ただし、ＳｉＯｘ膜のエッチングに用いられる
フルオロカーボン系ガスを用いた場合にも、堆積性をや
や抑え、フッ素ラジカルの生成を促進するような条件に
調整すれば、良好なエッチングは十分に可能である。
ｘＮｙ膜との本来的なエッチング特性の差を利用するの
で、ＳｉＯｘ膜のエッチング時にフルオロカーボン系化
合物を含むエッチング・ガスを用いたとしても、従来の
ように過剰量のカーボン系ポリマーを発生させる必要が
ない。このため、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜自身の
除去も容易となる。このＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
の除去は、典型的にはＳｉ用のエッチング条件にしたが
ってハロゲン系エッチング・ガスを用いて行うことがで
きるので、下地のＳｉＯｘ膜、すなわちオフセット酸化
膜やサイドウォールに対して高選択比を達成することが
できる。ただし、ＳｉＯｘ膜のエッチングに用いられる
フルオロカーボン系ガスを用いた場合にも、堆積性をや
や抑え、フッ素ラジカルの生成を促進するような条件に
調整すれば、良好なエッチングは十分に可能である。
【００１５】本発明におけるＳｉＯｘＮｙ系エッチング
停止膜は、オフセット絶縁膜と前記サイドウォールとに
接して設けられるのが一般的である。この場合、ＳｉＯ
ｘ系絶縁膜のエッチングをＳｉＯｘＮｙ系エッチング停
止膜に対して十分に高い選択比を確保できる条件で行っ
た後、ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングを
今度はオフセット絶縁膜やサイドウォールに対して十分
に高い選択比を確保できる条件で行うことになる。ここ
で、エッチング停止膜は一般に数十ｎｍの薄い膜である
ため、このエッチングを単極式静電チャックの残留電荷
除去放電を兼ねて行うことも可能である。単極式静電チ
ャックとは、絶縁ステージに埋設された単一の内部電極
に所定の極性の直流電圧を印加してウェハを吸着させる
機構である。この方式において、対向アースはプラズマ
を経由してプラズマ・チャンバの壁でとられるため、ウ
ェハをステージから脱着させる際にも何らかのガスを放
電させてプラズマを励起しなければならない。本発明で
は、このときに放電させるガスとしてＳｉＯｘＮｙ膜用
のエッチング・ガスを導入することにより、残留電荷の
除去とＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングと
を同時に行い、これによりスループットの向上を図るこ
とができる。
停止膜は、オフセット絶縁膜と前記サイドウォールとに
接して設けられるのが一般的である。この場合、ＳｉＯ
ｘ系絶縁膜のエッチングをＳｉＯｘＮｙ系エッチング停
止膜に対して十分に高い選択比を確保できる条件で行っ
た後、ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングを
今度はオフセット絶縁膜やサイドウォールに対して十分
に高い選択比を確保できる条件で行うことになる。ここ
で、エッチング停止膜は一般に数十ｎｍの薄い膜である
ため、このエッチングを単極式静電チャックの残留電荷
除去放電を兼ねて行うことも可能である。単極式静電チ
ャックとは、絶縁ステージに埋設された単一の内部電極
に所定の極性の直流電圧を印加してウェハを吸着させる
機構である。この方式において、対向アースはプラズマ
を経由してプラズマ・チャンバの壁でとられるため、ウ
ェハをステージから脱着させる際にも何らかのガスを放
電させてプラズマを励起しなければならない。本発明で
は、このときに放電させるガスとしてＳｉＯｘＮｙ膜用
のエッチング・ガスを導入することにより、残留電荷の
除去とＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングと
を同時に行い、これによりスループットの向上を図るこ
とができる。
【００１６】なお、本発明におけるＳｉＯｘＮｙ系エッ
チング停止膜は、ＳｉＯｘ系絶縁膜の膜厚方向の一部に
介在される形で設けても良い。つまり、オフセット絶縁
膜とＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜との間に、適当な
膜厚のＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させる形式である。しか
し、エッチング停止膜の本来の役目は、平坦化により局
部的に大きな膜厚差を生じた層間絶縁膜のオーバーエッ
チングから下地パターンを保護することであるから、こ
のエッチング停止膜が層間絶縁膜の余りにも表層近くに
あったのでは意味がない。したがって、介在されるＳｉ
Ｏｘ系絶縁膜は十分に薄く、その上のＳｉＯｘＮｙ系エ
ッチング停止膜が下地パターンのプロファイルを十分に
反映できる様でなければならない。
チング停止膜は、ＳｉＯｘ系絶縁膜の膜厚方向の一部に
介在される形で設けても良い。つまり、オフセット絶縁
膜とＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜との間に、適当な
膜厚のＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させる形式である。しか
し、エッチング停止膜の本来の役目は、平坦化により局
部的に大きな膜厚差を生じた層間絶縁膜のオーバーエッ
チングから下地パターンを保護することであるから、こ
のエッチング停止膜が層間絶縁膜の余りにも表層近くに
あったのでは意味がない。したがって、介在されるＳｉ
Ｏｘ系絶縁膜は十分に薄く、その上のＳｉＯｘＮｙ系エ
ッチング停止膜が下地パターンのプロファイルを十分に
反映できる様でなければならない。
【００１７】このように、ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停
止膜の下にも薄いＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させた場合、
ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングを終了し
た後に再度ＳｉＯｘ系絶縁膜のエッチングを行わなけれ
ばならないので、エッチングの手間は必然的に増える。
しかし、ＳｉＯｘＮｙ膜はＨ含有量によっては耐湿性が
若干不足することもあるので、このような場合に耐湿性
に優れるＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させておくことは、半
導体デバイスの信頼性を向上させる観点から有効であ
る。
止膜の下にも薄いＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させた場合、
ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜のエッチングを終了し
た後に再度ＳｉＯｘ系絶縁膜のエッチングを行わなけれ
ばならないので、エッチングの手間は必然的に増える。
しかし、ＳｉＯｘＮｙ膜はＨ含有量によっては耐湿性が
若干不足することもあるので、このような場合に耐湿性
に優れるＳｉＯｘ系絶縁膜を介在させておくことは、半
導体デバイスの信頼性を向上させる観点から有効であ
る。
【００１８】ところで、上記ＳｉＯｘＮｙ膜は、エキシ
マ・レーザ波長域において適度な光学定数（ｎ，ｋ）
（ただし、ｎは複素振幅屈折率の実数部，ｋは虚数部係
数である。）を示すことから、本願出願人が以前に反射
防止膜として提案した材料膜である。したがって、これ
をフォトリソグラフィの露光波長λに対してλ／４ｎの
奇数倍の膜厚ｄに成膜すれば、最も効果的な反射防止効
果を発揮する。この膜の光学定数（ｎ，ｋ）は原子組成
に依存するが、実際には、複素振幅屈折率の実数部ｎの
値はＫｒＦエキシマ・レーザ波長（＝２４８ｎｍ）にお
いてほぼ２．１で一定であり、膜の光吸収に関連する虚
数部係数ｋの値がＯ原子の組成比の増大（すなわち組成
式中のｘの値の上昇）に伴って小さくなる。このような
光学特性は、反射防止膜の設計上、好都合である。それ
は、複素屈折率の実数部ｎがほぼ一定であるゆえ、膜厚
ｄの選択次第で多重干渉の位相を制御することができ、
膜の光吸収で反射光の振幅（すなわち反射光の強さ）が
制御可能となるからである。
マ・レーザ波長域において適度な光学定数（ｎ，ｋ）
（ただし、ｎは複素振幅屈折率の実数部，ｋは虚数部係
数である。）を示すことから、本願出願人が以前に反射
防止膜として提案した材料膜である。したがって、これ
をフォトリソグラフィの露光波長λに対してλ／４ｎの
奇数倍の膜厚ｄに成膜すれば、最も効果的な反射防止効
果を発揮する。この膜の光学定数（ｎ，ｋ）は原子組成
に依存するが、実際には、複素振幅屈折率の実数部ｎの
値はＫｒＦエキシマ・レーザ波長（＝２４８ｎｍ）にお
いてほぼ２．１で一定であり、膜の光吸収に関連する虚
数部係数ｋの値がＯ原子の組成比の増大（すなわち組成
式中のｘの値の上昇）に伴って小さくなる。このような
光学特性は、反射防止膜の設計上、好都合である。それ
は、複素屈折率の実数部ｎがほぼ一定であるゆえ、膜厚
ｄの選択次第で多重干渉の位相を制御することができ、
膜の光吸収で反射光の振幅（すなわち反射光の強さ）が
制御可能となるからである。
【００１９】本発明のＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜
は、典型的にはＣＶＤ法、または成膜後のイオン注入に
より成膜または形成することができる。ＣＶＤにはＳｉ
Ｈ4とＮ2 Ｏとの混合ガスを用い、好ましくはプラズマ
ＣＶＤを行う。このとき使用可能なＣＶＤ装置として
は、たとえば平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置、誘導結合プラズマＣＶＤ装置、ヘリ
コン波プラズマＣＶＤ装置を挙げることができる。この
膜の原子組成比は原料ガスの流量比にもとづいて変化さ
せることができ、これによって特にｋの値が変化する。
なお、ＳｉＯｘＮｙ膜には通常、ＳｉＨ4 ガスに由来す
る若干量の水素（Ｈ）原子が含まれるので、この膜の組
成をＳｉＯｘＮｙ：Ｈと表記することもあるが、本明細
書ではこのことを認識した上で、簡単のためにＳｉＯｘ
Ｎｙと表記する。
は、典型的にはＣＶＤ法、または成膜後のイオン注入に
より成膜または形成することができる。ＣＶＤにはＳｉ
Ｈ4とＮ2 Ｏとの混合ガスを用い、好ましくはプラズマ
ＣＶＤを行う。このとき使用可能なＣＶＤ装置として
は、たとえば平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置、誘導結合プラズマＣＶＤ装置、ヘリ
コン波プラズマＣＶＤ装置を挙げることができる。この
膜の原子組成比は原料ガスの流量比にもとづいて変化さ
せることができ、これによって特にｋの値が変化する。
なお、ＳｉＯｘＮｙ膜には通常、ＳｉＨ4 ガスに由来す
る若干量の水素（Ｈ）原子が含まれるので、この膜の組
成をＳｉＯｘＮｙ：Ｈと表記することもあるが、本明細
書ではこのことを認識した上で、簡単のためにＳｉＯｘ
Ｎｙと表記する。
【００２０】一方、本発明のＳｉＯｘＮｙ系エッチング
停止膜をイオン注入により形成する場合には、最初にＳ
ｉ膜，ＳｉＯｘ膜，ＳｉｘＮｙ膜から選ばれるいずれか
の膜を多結晶膜ないしアモルファス膜として成膜してお
き、不足する元素をイオン注入により導入する。たとえ
ば、最初にＳｉ膜を成膜した場合には、この膜に酸素
（Ｏ）と窒素（Ｎ）のイオン注入を行い、また最初にＳ
ｉＯｘ膜を成膜した場合には、この膜にＮをイオン注入
すれば良い。
停止膜をイオン注入により形成する場合には、最初にＳ
ｉ膜，ＳｉＯｘ膜，ＳｉｘＮｙ膜から選ばれるいずれか
の膜を多結晶膜ないしアモルファス膜として成膜してお
き、不足する元素をイオン注入により導入する。たとえ
ば、最初にＳｉ膜を成膜した場合には、この膜に酸素
（Ｏ）と窒素（Ｎ）のイオン注入を行い、また最初にＳ
ｉＯｘ膜を成膜した場合には、この膜にＮをイオン注入
すれば良い。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００２２】実施例１ 本実施例は、２本のワード線の間でＳＲＡＭのビット線
引出し電極を基板にコンタクトさせるＳＡＣプロセスに
関するものであり、ポリサイド・ゲート電極を覆うオフ
セット酸化膜（ＳｉＯｘ）とサイドウォール（ＳｉＯ
ｘ）の表面をＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜で被覆し
た。このプロセスを、図１ないし図４を参照しながら説
明する。
引出し電極を基板にコンタクトさせるＳＡＣプロセスに
関するものであり、ポリサイド・ゲート電極を覆うオフ
セット酸化膜（ＳｉＯｘ）とサイドウォール（ＳｉＯ
ｘ）の表面をＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜で被覆し
た。このプロセスを、図１ないし図４を参照しながら説
明する。
【００２３】まず、予めウェル形成や素子分離を行った
Ｓｉ基板１の表面をたとえばパイロジェニック酸化法で
熱酸化することにより、厚さ約８ｎｍのゲート酸化膜２
を形成した。続いて、たとえば減圧ＣＶＤ法により厚さ
約１４０ｎｍのタングステン・ポリサイド膜と厚さ約５
０ｎｍのＳｉＯｘ膜と順次成膜し、これらの膜を共通の
レジスト・マスクを介してドライエッチングすることに
より、ゲート電極３（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）とオフ
セット酸化膜からなる積層パターンを形成した。ここ
で、上記ゲート電極３は、下層側から順に厚さ約７０ｎ
ｍのｎ+ 型ポリシリコン膜（ｐｏｌｙＳｉ）と、厚さ約
７０ｎｍのタングステン・シリサイド膜（ＷＳｉx ）と
の積層構造を有する。また、ゲート電極３の線幅および
配線間スペースは、共に約０．２５μｍとした。
Ｓｉ基板１の表面をたとえばパイロジェニック酸化法で
熱酸化することにより、厚さ約８ｎｍのゲート酸化膜２
を形成した。続いて、たとえば減圧ＣＶＤ法により厚さ
約１４０ｎｍのタングステン・ポリサイド膜と厚さ約５
０ｎｍのＳｉＯｘ膜と順次成膜し、これらの膜を共通の
レジスト・マスクを介してドライエッチングすることに
より、ゲート電極３（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）とオフ
セット酸化膜からなる積層パターンを形成した。ここ
で、上記ゲート電極３は、下層側から順に厚さ約７０ｎ
ｍのｎ+ 型ポリシリコン膜（ｐｏｌｙＳｉ）と、厚さ約
７０ｎｍのタングステン・シリサイド膜（ＷＳｉx ）と
の積層構造を有する。また、ゲート電極３の線幅および
配線間スペースは、共に約０．２５μｍとした。
【００２４】次に、上記積層パターンをマスクとしてＡ
ｓ+ の低濃度イオン注入を行い、シリコン基板１の表層
部にＬＤＤ領域を形成した。このときのイオン注入条件
は、たとえばイオン加速エネルギー２０ｋｅＶ，ドース
量６×１０12／ｃｍ2 とした。次に、基体の全面に厚さ
約１５０ｎｍのＳｉＯｘ膜を堆積させた後これを等方的
にエッチバックし、上記積層パターンの側壁面にサイド
ウォール５を形成した。さらに、先の積層パターンとこ
のサイドウォール５の双方をマスクとしてＡｓ+ の高濃
度イオン注入を行った。このときのイオン注入条件は、
たとえばイオン加速エネルギー２０ｋｅＶ，ドース量３
×１０15／ｃｍ2 とした。さらに１０５０℃，１０秒間
のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）を行って不
純物（Ａｓ）を活性化させ、ＬＤＤ構造を有するソース
／ドレイン領域６を形成した。
ｓ+ の低濃度イオン注入を行い、シリコン基板１の表層
部にＬＤＤ領域を形成した。このときのイオン注入条件
は、たとえばイオン加速エネルギー２０ｋｅＶ，ドース
量６×１０12／ｃｍ2 とした。次に、基体の全面に厚さ
約１５０ｎｍのＳｉＯｘ膜を堆積させた後これを等方的
にエッチバックし、上記積層パターンの側壁面にサイド
ウォール５を形成した。さらに、先の積層パターンとこ
のサイドウォール５の双方をマスクとしてＡｓ+ の高濃
度イオン注入を行った。このときのイオン注入条件は、
たとえばイオン加速エネルギー２０ｋｅＶ，ドース量３
×１０15／ｃｍ2 とした。さらに１０５０℃，１０秒間
のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）を行って不
純物（Ａｓ）を活性化させ、ＬＤＤ構造を有するソース
／ドレイン領域６を形成した。
【００２５】次に、この基体の全面をコンフォーマルに
覆うＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜を約３０ｎｍの厚さ
に成膜した。このときの成膜条件は、たとえば 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ウェハ・サイズ ６ インチ ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｎ2 Ｏ流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 １０ Ｐａ ＲＦパワー １０００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３００ ℃ 電極間距離 ４００ ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） とした。
覆うＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜を約３０ｎｍの厚さ
に成膜した。このときの成膜条件は、たとえば 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ウェハ・サイズ ６ インチ ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｎ2 Ｏ流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 １０ Ｐａ ＲＦパワー １０００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３００ ℃ 電極間距離 ４００ ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） とした。
【００２６】次に、たとえばＯ3 −ＴＥＯＳ常圧ＣＶＤ
法によりＳｉＯｘ層間絶縁膜８を約５００ｎｍの厚さに
成膜して、基体の表面をほぼ平坦化した。この後、Ｓｉ
Ｏｘ層間絶縁膜８の上にレジスト・パターン９を形成し
た。このときのレジスト・パターニングは、化学増幅系
ポジ型フォトレジスト材料（和光純薬社製，商品名ＷＫ
Ｒ−ＰＴ１）とＫｒＦエキシマ・レーザ・ステッパを用
いて行い、配線間スペースをカバーする直径約０．３μ
ｍの開口を設けた。このときのパターニングは、定在波
効果を抑えた良好な状態で行われた。これは、先に形成
されたＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７の膜厚をほぼλ
／４ｎ（ただし、λ＝２４８ｎｍ，ｎ＝２．１）に等し
く設定したために、反射防止効果が得られたからであ
る。図１には、ここまでのプロセスを終了した状態を示
した。
法によりＳｉＯｘ層間絶縁膜８を約５００ｎｍの厚さに
成膜して、基体の表面をほぼ平坦化した。この後、Ｓｉ
Ｏｘ層間絶縁膜８の上にレジスト・パターン９を形成し
た。このときのレジスト・パターニングは、化学増幅系
ポジ型フォトレジスト材料（和光純薬社製，商品名ＷＫ
Ｒ−ＰＴ１）とＫｒＦエキシマ・レーザ・ステッパを用
いて行い、配線間スペースをカバーする直径約０．３μ
ｍの開口を設けた。このときのパターニングは、定在波
効果を抑えた良好な状態で行われた。これは、先に形成
されたＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７の膜厚をほぼλ
／４ｎ（ただし、λ＝２４８ｎｍ，ｎ＝２．１）に等し
く設定したために、反射防止効果が得られたからであ
る。図１には、ここまでのプロセスを終了した状態を示
した。
【００２７】次に、市販の酸化シリコン膜エッチング用
ＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置（以下、ＥＣＲ型酸
化膜エッチャーと称する。）を用い、上記ＳｉＯｘ層間
絶縁膜８を選択的にエッチングした。このときのエッチ
ング条件は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ３５ ＳＣＣＭ ＣＨ2 Ｆ2 流量 １５ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ２００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ とした。この結果、図２に示されるように、コンタクト
ホール１０が途中まで形成され、その底面にＳｉＯｘＮ
ｙエッチング停止膜７が露出した状態となった。上記の
エッチングでは、高密度プラズマ中で豊富に発生するイ
オンを利用して実用的な速度でエッチングが進行する。
またこれと共に、プラズマ中に生成する適度な量のフル
オロカーボン系ポリマーがＳｉＯｘＮｙ膜に対する選択
比を確保する役目を果たすので、エッチングは図２に示
されるように、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７が露出
したところで停止する。このときの対ＳｉＯｘＮｙ選択
比は平坦部で約３０、イオン衝撃に弱いコーナー部で約
２５であり、従来の対ＳｉｘＮｙ選択比の値（平坦部で
約５，肩部で約２）よりも高い値であった。
ＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置（以下、ＥＣＲ型酸
化膜エッチャーと称する。）を用い、上記ＳｉＯｘ層間
絶縁膜８を選択的にエッチングした。このときのエッチ
ング条件は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ３５ ＳＣＣＭ ＣＨ2 Ｆ2 流量 １５ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ２００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ とした。この結果、図２に示されるように、コンタクト
ホール１０が途中まで形成され、その底面にＳｉＯｘＮ
ｙエッチング停止膜７が露出した状態となった。上記の
エッチングでは、高密度プラズマ中で豊富に発生するイ
オンを利用して実用的な速度でエッチングが進行する。
またこれと共に、プラズマ中に生成する適度な量のフル
オロカーボン系ポリマーがＳｉＯｘＮｙ膜に対する選択
比を確保する役目を果たすので、エッチングは図２に示
されるように、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７が露出
したところで停止する。このときの対ＳｉＯｘＮｙ選択
比は平坦部で約３０、イオン衝撃に弱いコーナー部で約
２５であり、従来の対ＳｉｘＮｙ選択比の値（平坦部で
約５，肩部で約２）よりも高い値であった。
【００２８】次に、同じくＥＣＲ型酸化膜エッチャーを
用いて、上記のＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７の露出
部分を選択的に除去した。このときのエッチング条件
は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｏ2 流量 １０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １５０ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 ２０ ％ とした。
用いて、上記のＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７の露出
部分を選択的に除去した。このときのエッチング条件
は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｏ2 流量 １０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １５０ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 ２０ ％ とした。
【００２９】上記の条件は、前述のＳｉＯｘ層間絶縁膜
８のエッチング条件に比べてフルオロカーボン系ポリマ
ーの堆積性を弱めると共に、Ｏ2 ガスでＣＨＦ3 ガスの
解離を促進してＦ* を大量に生成させ、オフセット酸化
膜４やサイドウォール５に対して選択比を確保できるよ
うに設定されている。ただし、若干生成するフルオロカ
ーボン系ポリマーは、主としてシリコン基板１の表面に
堆積して対Ｓｉ選択比の確保に寄与する。このエッチン
グを終了し、コンタクトホール１０が完成された状態
を、図３に示す。
８のエッチング条件に比べてフルオロカーボン系ポリマ
ーの堆積性を弱めると共に、Ｏ2 ガスでＣＨＦ3 ガスの
解離を促進してＦ* を大量に生成させ、オフセット酸化
膜４やサイドウォール５に対して選択比を確保できるよ
うに設定されている。ただし、若干生成するフルオロカ
ーボン系ポリマーは、主としてシリコン基板１の表面に
堆積して対Ｓｉ選択比の確保に寄与する。このエッチン
グを終了し、コンタクトホール１０が完成された状態
を、図３に示す。
【００３０】この後、図４に示されるように、上記コン
タクトホール１０を被覆するごとくＡｌ系多層膜からな
る上層配線１１（Ａｌ）を形成し、ビット線コンタクト
を完成させた。上記Ａｌ系多層膜は、たとえばＴｉ系密
着層／Ａｌ−１％Ｓｉ膜／ＴｉＮ反射防止膜の３層構造
を有するものである。本発明によれば、ＳｉＯｘ層間絶
縁膜８およびＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７のドライ
エッチングがいずれも制御性良く行われるため、ゲート
電極３と上層配線１１との間の耐圧不良や短絡、あるい
はエッチング残渣が発生せず、信頼性の高い半導体デバ
イスを作成することが可能となる。
タクトホール１０を被覆するごとくＡｌ系多層膜からな
る上層配線１１（Ａｌ）を形成し、ビット線コンタクト
を完成させた。上記Ａｌ系多層膜は、たとえばＴｉ系密
着層／Ａｌ−１％Ｓｉ膜／ＴｉＮ反射防止膜の３層構造
を有するものである。本発明によれば、ＳｉＯｘ層間絶
縁膜８およびＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７のドライ
エッチングがいずれも制御性良く行われるため、ゲート
電極３と上層配線１１との間の耐圧不良や短絡、あるい
はエッチング残渣が発生せず、信頼性の高い半導体デバ
イスを作成することが可能となる。
【００３１】実施例２ ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７はＳｉとＳｉＯｘの中
間的なエッチング特性を有するので、本実施例２では、
このＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７をＳｉ用のエッチ
ング条件でエッチングした例について説明する。サンプ
ル・ウェハの構成およびＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチ
ングまでは、実施例１で説明した通りである。
間的なエッチング特性を有するので、本実施例２では、
このＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７をＳｉ用のエッチ
ング条件でエッチングした例について説明する。サンプ
ル・ウェハの構成およびＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチ
ングまでは、実施例１で説明した通りである。
【００３２】本実施例では、市販のシリコン膜エッチン
グ用ＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置（以下、ＥＣＲ
型シリコン・エッチャーと称する。）を用い、ＳｉＯｘ
Ｎｙエッチング停止膜７を選択的にエッチングした。こ
のときのエッチング条件は、たとえば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 １０ ％ とした。
グ用ＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置（以下、ＥＣＲ
型シリコン・エッチャーと称する。）を用い、ＳｉＯｘ
Ｎｙエッチング停止膜７を選択的にエッチングした。こ
のときのエッチング条件は、たとえば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 １０ ％ とした。
【００３３】ＳｉＯｘＮｙ膜はＳｉが原子組成の約５０
％を占めており、上記のようなシリコン用のエッチング
条件でも十分に実用的な速度でエッチングでき、オフセ
ット酸化膜４やサイドウォール５に対する選択性も何ら
問題ない。ただし、Ｓｉ用のエッチング条件ではシリコ
ン基板１に対する選択性は原理的に得られないので、上
記の例ではオーバーエッチング量を少なく設定すること
により、シリコン基板１の侵食を最小限に抑えた。
％を占めており、上記のようなシリコン用のエッチング
条件でも十分に実用的な速度でエッチングでき、オフセ
ット酸化膜４やサイドウォール５に対する選択性も何ら
問題ない。ただし、Ｓｉ用のエッチング条件ではシリコ
ン基板１に対する選択性は原理的に得られないので、上
記の例ではオーバーエッチング量を少なく設定すること
により、シリコン基板１の侵食を最小限に抑えた。
【００３４】実施例３ 本実施例では、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７をアモ
ルファス・シリコン膜へのＯ2 +およびＮ2 +のイオン注入
により形成した。
ルファス・シリコン膜へのＯ2 +およびＮ2 +のイオン注入
により形成した。
【００３５】すなわち、サイドウォール５の形成までを
実施例１と同様に行った後、プラズマＣＶＤ法によりま
ずアモルファス・シリコン膜を成膜した。成膜条件はた
とえば、 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ウェハ・サイズ ６ インチ ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 １０ Ｐａ ＲＦパワー ８００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３００ ℃ 電極間距離 ４００ ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） とした。
実施例１と同様に行った後、プラズマＣＶＤ法によりま
ずアモルファス・シリコン膜を成膜した。成膜条件はた
とえば、 装置 平行平板型プラズマＣＶＤ装置 ウェハ・サイズ ６ インチ ＳｉＨ4 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 １０ Ｐａ ＲＦパワー ８００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） 成膜温度 ３００ ℃ 電極間距離 ４００ ｍｉｌｓ（約１ｃｍ） とした。
【００３６】次に、上記のアモルファス・シリコン膜
に、イオン注入を行った。このイオン注入は、たとえば ドーパント Ｏ2 +，Ｎ2 + イオン加速エネルギー ２０ｋｅＶ，５０ｋｅＶの２段階 ドース量 各１×１０17／ｃｍ2 とした。これにより、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７
を完成させた。
に、イオン注入を行った。このイオン注入は、たとえば ドーパント Ｏ2 +，Ｎ2 + イオン加速エネルギー ２０ｋｅＶ，５０ｋｅＶの２段階 ドース量 各１×１０17／ｃｍ2 とした。これにより、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７
を完成させた。
【００３７】次に、実施例１と同様にＳｉＯｘ層間絶縁
膜８の成膜およびレジスト・パターニングを行った後、
酸化シリコン膜エッチング用誘導結合型プラズマ・エッ
チング装置（以下、ＩＣＰ型酸化膜エッチャーと称す
る。）を用いて上記ＳｉＯｘ層間絶縁膜８を選択的にド
ライエッチングした。このときのエッチング条件は、た
とえば Ｃ3 Ｆ8 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ４０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ ＲＦソース・パワー ２０００ Ｗ（２ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １０００ Ｗ（１．８ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 上部電極温度 ２５０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ とした。このエッチングは、ＳｉＯｘＮｙエッチング停
止膜７に対して約３０（コーナー部では約２５）と高い
選択比を維持しながら進行した。
膜８の成膜およびレジスト・パターニングを行った後、
酸化シリコン膜エッチング用誘導結合型プラズマ・エッ
チング装置（以下、ＩＣＰ型酸化膜エッチャーと称す
る。）を用いて上記ＳｉＯｘ層間絶縁膜８を選択的にド
ライエッチングした。このときのエッチング条件は、た
とえば Ｃ3 Ｆ8 流量 ２０ ＳＣＣＭ Ａｒ流量 ４０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ ＲＦソース・パワー ２０００ Ｗ（２ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １０００ Ｗ（１．８ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 上部電極温度 ２５０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ とした。このエッチングは、ＳｉＯｘＮｙエッチング停
止膜７に対して約３０（コーナー部では約２５）と高い
選択比を維持しながら進行した。
【００３８】次に、同じエッチャーを用い、ＳｉＯｘＮ
ｙエッチング停止膜７をドライエッチングした。このと
きのエッチング条件は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｏ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ ＲＦソース・パワー １５００ Ｗ（２ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ８００ Ｗ（１．８ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 上部電極温度 １５０ ℃ オーバーエッチング率 ２０ ％ とした。本実施例によっても、良好なエッチングを行っ
てコンタクトホール１０を形成することができた。
ｙエッチング停止膜７をドライエッチングした。このと
きのエッチング条件は、たとえば ＣＨＦ3 流量 ５０ ＳＣＣＭ Ｏ2 流量 ３０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ ＲＦソース・パワー １５００ Ｗ（２ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ８００ Ｗ（１．８ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 上部電極温度 １５０ ℃ オーバーエッチング率 ２０ ％ とした。本実施例によっても、良好なエッチングを行っ
てコンタクトホール１０を形成することができた。
【００３９】実施例４ 本実施例では、実施例３で述べたＳｉＯｘＮｙエッチン
グ停止膜７をＳｉ用のドライエッチング条件でエッチン
グした例について述べる。ＳｉＯｘ層間絶縁膜７のエッ
チングまでは、実施例３で説明した通りである。
グ停止膜７をＳｉ用のドライエッチング条件でエッチン
グした例について述べる。ＳｉＯｘ層間絶縁膜７のエッ
チングまでは、実施例３で説明した通りである。
【００４０】本実施例におけるＳｉＯｘＮｙエッチング
停止膜７のエッチングには、市販のＩＣＰ型シリコン・
エッチャーを用いた。ただし、実施例３で述べたＩＣＰ
型酸化膜エッチャーが石英シリンダ型のチャンバの周囲
にマルチターンＲＦアンテナを巻回させた構造であった
のに対し、本実施例４で用いるＩＣＰ型シリコン膜エッ
チャーは、チャンバの天板の真上に渦巻状ＲＦアンテナ
を備えた構造とされている。エッチング条件は、たとえ
ば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．３ Ｐａ ＲＦソース・パワー ２０００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ３００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 １０ ％ とした。本実施例によっても、良好なエッチングを行っ
てコンタクトホール１０を形成することができた。
停止膜７のエッチングには、市販のＩＣＰ型シリコン・
エッチャーを用いた。ただし、実施例３で述べたＩＣＰ
型酸化膜エッチャーが石英シリンダ型のチャンバの周囲
にマルチターンＲＦアンテナを巻回させた構造であった
のに対し、本実施例４で用いるＩＣＰ型シリコン膜エッ
チャーは、チャンバの天板の真上に渦巻状ＲＦアンテナ
を備えた構造とされている。エッチング条件は、たとえ
ば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．３ Ｐａ ＲＦソース・パワー ２０００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） ＲＦバイアス・パワー ３００ Ｗ（１３．５６ ＭＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ オーバーエッチング率 １０ ％ とした。本実施例によっても、良好なエッチングを行っ
てコンタクトホール１０を形成することができた。
【００４１】実施例５ 本実施例では、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７の膜厚
が薄く、そのドライエッチングが短時間で済むことに着
目し、これをＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチングを終了
した後の単極式静電チャックの残留電荷の除去を兼ねて
行った。レジスト・パターニングまでは、実施例３と同
様である。
が薄く、そのドライエッチングが短時間で済むことに着
目し、これをＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチングを終了
した後の単極式静電チャックの残留電荷の除去を兼ねて
行った。レジスト・パターニングまでは、実施例３と同
様である。
【００４２】本実施例では、次のＳｉＯｘ層間絶縁膜８
とＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７のドライエッチング
を、ＥＣＲ型酸化膜エッチャーの同じチャンバ内で連続
して行った。最初のＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチング
は、たとえば前述の実施例１と同様に、 ＣＨＦ3 流量 ３５ ＳＣＣＭ ＣＨ2 Ｆ2 流量 １５ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ の条件で行った。
とＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７のドライエッチング
を、ＥＣＲ型酸化膜エッチャーの同じチャンバ内で連続
して行った。最初のＳｉＯｘ層間絶縁膜８のエッチング
は、たとえば前述の実施例１と同様に、 ＣＨＦ3 流量 ３５ ＳＣＣＭ ＣＨ2 Ｆ2 流量 １５ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １２００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ２０ ℃ オーバーエッチング率 ３０ ％ の条件で行った。
【００４３】続くＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７のエ
ッチングは、たとえば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 放電時間 ３０ 秒 の条件で行った。この条件は、基本的には実施例２で上
述したシリコン用のエッチング条件と同じである。上記
の放電時間内で単極式静電チャックの残留電荷が除去さ
れる共に、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７を選択的に
除去することができ、スループットが大幅に向上した。
なお、このようにエッチング停止膜と残留電荷除去とを
兼ねて行う場合には、単極式静電チャックへの逆極性電
荷の帯電やエッチング量の過不足が生じない様、放電時
間の設定に細心の注意を要する。
ッチングは、たとえば Ｃｌ2 流量 ５０ ＳＣＣＭ 圧力 ０．２７ Ｐａ マイクロ波パワー １０００ Ｗ（２．４５ ＧＨｚ） ＲＦバイアス・パワー １００ Ｗ（８００ ｋＨｚ） ウェハ温度 ３０ ℃ 放電時間 ３０ 秒 の条件で行った。この条件は、基本的には実施例２で上
述したシリコン用のエッチング条件と同じである。上記
の放電時間内で単極式静電チャックの残留電荷が除去さ
れる共に、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７を選択的に
除去することができ、スループットが大幅に向上した。
なお、このようにエッチング停止膜と残留電荷除去とを
兼ねて行う場合には、単極式静電チャックへの逆極性電
荷の帯電やエッチング量の過不足が生じない様、放電時
間の設定に細心の注意を要する。
【００４４】以上、本発明の具体的な実施例を５例挙げ
たが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。たとえば、本発明のＳｉＯｘＮｙエッチング停
止膜７は、図５に示されるように、ＳｉＯｘ絶縁膜の膜
厚方向の中途部に形成されていても良い。この場合、コ
ンタクトホール１０を開口するためのエッチングは、上
層側ＳｉＯｘ膜８U ，ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
７，下層側ＳｉＯｘ膜８L の順にて、各膜の最適条件を
選択しながら行うことになる。この他、プラズマ源、サ
ンプル・ウェハの構成、使用するＣＶＤ装置、堆積条
件、使用するエッチング装置、エッチング条件の細部
は、適宜変更および選択が可能である。
たが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもので
はない。たとえば、本発明のＳｉＯｘＮｙエッチング停
止膜７は、図５に示されるように、ＳｉＯｘ絶縁膜の膜
厚方向の中途部に形成されていても良い。この場合、コ
ンタクトホール１０を開口するためのエッチングは、上
層側ＳｉＯｘ膜８U ，ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜
７，下層側ＳｉＯｘ膜８L の順にて、各膜の最適条件を
選択しながら行うことになる。この他、プラズマ源、サ
ンプル・ウェハの構成、使用するＣＶＤ装置、堆積条
件、使用するエッチング装置、エッチング条件の細部
は、適宜変更および選択が可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ＳｉｘＮｙ膜をエッチング停止膜として用
いる従来のＳＡＣプロセスよりも遥かに容易に、コンタ
クトホール形成のためのエッチングを行うことが可能と
なる。これにより、製造される半導体デバイスの性能や
信頼性が向上することはもちろん、ＳＡＣプロセスの実
用性が高まり、さらにデバイス構造設計の自由度やスル
ープットも向上する。
明によれば、ＳｉｘＮｙ膜をエッチング停止膜として用
いる従来のＳＡＣプロセスよりも遥かに容易に、コンタ
クトホール形成のためのエッチングを行うことが可能と
なる。これにより、製造される半導体デバイスの性能や
信頼性が向上することはもちろん、ＳＡＣプロセスの実
用性が高まり、さらにデバイス構造設計の自由度やスル
ープットも向上する。
【図１】本発明を適用したＳＲＡＭのビット線コンタク
トの形成プロセスにおいて、ＳｉＯｘ層間絶縁膜上でレ
ジスト・パターニングを行った状態を示す模式的断面図
である。
トの形成プロセスにおいて、ＳｉＯｘ層間絶縁膜上でレ
ジスト・パターニングを行った状態を示す模式的断面図
である。
【図２】図１のＳｉＯｘ層間絶縁膜を選択的に除去した
状態を示す模式的断面図である。
状態を示す模式的断面図である。
【図３】図２のコンタクトホールの底面に露出したＳｉ
ＯｘＮｙエッチング停止膜を選択的に除去した状態を示
す模式的断面図である。
ＯｘＮｙエッチング停止膜を選択的に除去した状態を示
す模式的断面図である。
【図４】図３のコンタクトホールを上層配線で被覆した
状態を示す模式的断面図である。
状態を示す模式的断面図である。
【図５】本発明を適用してＳＲＡＭのビット線コンタク
トを形成する別のプロセス例において、ＳｉＯｘ層間絶
縁膜の中途部に設けられたＳｉＯｘＮｙエッチング停止
膜が露出した状態を示す模式的断面図である。
トを形成する別のプロセス例において、ＳｉＯｘ層間絶
縁膜の中途部に設けられたＳｉＯｘＮｙエッチング停止
膜が露出した状態を示す模式的断面図である。
【図６】従来のＳＲＡＭのビット線コンタクトの形成プ
ロセスにおいて、ＳｉＯｘ層間絶縁膜上でレジスト・パ
ターニングを行った状態を示す模式的断面図である。
ロセスにおいて、ＳｉＯｘ層間絶縁膜上でレジスト・パ
ターニングを行った状態を示す模式的断面図である。
【図７】図６のＳｉＯｘ層間絶縁膜を選択的に除去する
際に、ゲート電極を被覆するオフセット酸化膜とサイド
ウォールの一部が侵食された状態を示す模式的断面図で
ある。
際に、ゲート電極を被覆するオフセット酸化膜とサイド
ウォールの一部が侵食された状態を示す模式的断面図で
ある。
【図８】図７のコンタクトホールを被覆する上層配線が
ゲート電極と短絡した状態を示す模式的断面図である。
ゲート電極と短絡した状態を示す模式的断面図である。
１ シリコン基板 ３ ゲート電極 ４ オフセット酸化膜（ＳｉＯｘ） ５ サイドウォール（ＳｉＯｘ） ６ ソース／ドレイン領域 ７ ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜 ８ ＳｉＯｘ層間絶縁膜 １０ コンタクトホール １１ 上層配線
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に、共にＳｉＯｘ系材料からなる
オフセット絶縁膜とサイドウォールとに囲まれた電極パ
ターンを形成する第１工程と、 ＳｉＯｘ系絶縁膜の膜厚方向の一部にＳｉＯｘＮｙ系エ
ッチング停止膜を含む層間絶縁膜で基体の全面を被覆す
る第２工程と、 前記ＳｉＯｘ系絶縁膜と前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング
停止膜とを、これら両膜間で互いにエッチング選択比を
とり得るごとく個別に調整されたエッチング条件にもと
づいて選択的にエッチングすることにより、少なくとも
底面の一部が前記電極パターンの隣接部位において前記
基板に臨む接続孔を開口する第３工程とを有する接続孔
の形成方法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜の
エッチングを、ハロゲン系エッチング・ガスを用いて行
う請求項１記載の接続孔の形成方法。 - 【請求項３】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜の
エッチングを、フルオロカーボン系化合物を含むエッチ
ング・ガスを用いて行う請求項１記載の接続孔の形成方
法。 - 【請求項４】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜
を、前記オフセット絶縁膜と前記サイドウォールとに接
して設ける請求項１記載の接続孔の形成方法。 - 【請求項５】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜の
エッチングは、前記ＳｉＯｘ系絶縁膜のエッチングが終
了した後、プラズマ中で被エッチング基板を保持する単
極式静電チャックの残留電荷を除去するためのプラズマ
放電を兼ねて行われる請求項４記載の接続孔の形成方
法。 - 【請求項６】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜
を、これより上層側のパターンを形成するためのフォト
リソグラフィ用の反射防止膜を兼ねて形成する請求項１
記載の接続孔の形成方法。 - 【請求項７】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜を
ＣＶＤ法により成膜する請求項１記載の接続孔の形成方
法。 - 【請求項８】 前記ＳｉＯｘＮｙ系エッチング停止膜
を、予め形成されたＳｉ膜，ＳｉＯｘ膜，ＳｉｘＮｙ膜
から選ばれるいずれかの膜に対して不足する元素のイオ
ン注入を行うことにより形成する請求項１記載の接続孔
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01126596A JP3700231B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 接続孔の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01126596A JP3700231B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 接続孔の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205143A true JPH09205143A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3700231B2 JP3700231B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=11773139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01126596A Expired - Fee Related JP3700231B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 接続孔の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3700231B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154502A (ja) * | 1997-05-07 | 1999-02-26 | Applied Materials Inc | エッチング停止層の堆積方法及び装置 |
| JP2000299380A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-10-24 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子のコンタクト形成方法 |
| JP2001230320A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-08-24 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の自己整合コンタクト形成方法 |
| US6346482B2 (en) | 1998-05-08 | 2002-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an improved contact structure and a manufacturing method thereof |
| US6610212B2 (en) | 1998-04-24 | 2003-08-26 | Micron Technology, Inc. | Method of forming high aspect ratio apertures |
| EP1152460A3 (en) * | 2000-04-25 | 2004-02-25 | Infineon Technologies North America Corp. | Method of etching a contact by RIE using a low temperature carbon rich oxy-nitride layer for improving etching selectivity |
| KR100510067B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-08-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조를 위한 자기정렬콘택 식각 방법 |
| JP2007005756A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクト孔の形成方法 |
| US7666793B2 (en) | 2002-03-26 | 2010-02-23 | Sony Corporation | Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP01126596A patent/JP3700231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7163641B2 (en) | 1998-04-24 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of forming high aspect ratio apertures |
| US7608196B2 (en) | 1998-04-24 | 2009-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming high aspect ratio apertures |
| US6346482B2 (en) | 1998-05-08 | 2002-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an improved contact structure and a manufacturing method thereof |
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| KR100510067B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-08-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조를 위한 자기정렬콘택 식각 방법 |
| EP1152460A3 (en) * | 2000-04-25 | 2004-02-25 | Infineon Technologies North America Corp. | Method of etching a contact by RIE using a low temperature carbon rich oxy-nitride layer for improving etching selectivity |
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| JP2007005756A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクト孔の形成方法 |
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