JPH09205174A - 気密端子基板とその製造方法 - Google Patents
気密端子基板とその製造方法Info
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- JPH09205174A JPH09205174A JP8010389A JP1038996A JPH09205174A JP H09205174 A JPH09205174 A JP H09205174A JP 8010389 A JP8010389 A JP 8010389A JP 1038996 A JP1038996 A JP 1038996A JP H09205174 A JPH09205174 A JP H09205174A
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- hole
- conductive pin
- terminal board
- sealing glass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】製造工程を簡略にして製造コストを安価にし、
気密封止型半導体装置を構成する気密端子基板の設計自
由度を広げる。 【解決手段】気密端子基板において、複数の貫通孔１を
有した焼結部材からなる基板２と、この貫通孔１に挿通
した伝導ピン２とを備え、伝導ピン２と貫通孔１とを封
着ガラス４にて固着した。
気密封止型半導体装置を構成する気密端子基板の設計自
由度を広げる。 【解決手段】気密端子基板において、複数の貫通孔１を
有した焼結部材からなる基板２と、この貫通孔１に挿通
した伝導ピン２とを備え、伝導ピン２と貫通孔１とを封
着ガラス４にて固着した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
した気密封止可能な半導体装置を構成する気密端子基板
に関する。
した気密封止可能な半導体装置を構成する気密端子基板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロコンピュータや多ピンゲートア
レイの進展に伴って、気密封止型半導体装置が多用され
始めている。この気密封止型半導体装置は、気密端子基
板上に半導体素子を搭載することにより構成されてい
る。このような気密封止型半導体装置として、特開昭６
３−２５３６５８号公報所載の技術が開示されている。
この技術について図７を用いて説明する。通常の粉末冶
金法により成形および焼結して製造したアルミナ製の穴
開き絶縁基板１０１の各貫通孔内にコバール製のピン１
０３をそれぞれ挿入し、貫通孔の隙間に基板裏面から流
入させた銀ロウ１１４でピン１０３を穴開き絶縁基板１
０１に固着させた。各ピン１０３の基板裏面からの突出
部分には、ニッケルめっき層１０６及びその上に金めっ
き層１０７を順次形成した。
レイの進展に伴って、気密封止型半導体装置が多用され
始めている。この気密封止型半導体装置は、気密端子基
板上に半導体素子を搭載することにより構成されてい
る。このような気密封止型半導体装置として、特開昭６
３−２５３６５８号公報所載の技術が開示されている。
この技術について図７を用いて説明する。通常の粉末冶
金法により成形および焼結して製造したアルミナ製の穴
開き絶縁基板１０１の各貫通孔内にコバール製のピン１
０３をそれぞれ挿入し、貫通孔の隙間に基板裏面から流
入させた銀ロウ１１４でピン１０３を穴開き絶縁基板１
０１に固着させた。各ピン１０３の基板裏面からの突出
部分には、ニッケルめっき層１０６及びその上に金めっ
き層１０７を順次形成した。
【０００３】その後、従来と同様に基板表面にアルミニ
ウムの配線層１０８を形成して各ピン１０３と接続さ
せ、半導体素子１０９を所定の位置に銀入りガラス１１
０にて搭載してから、半導体素子１０９の各電極と配線
層１０８とをアルミワイヤ１１１で結線した。最後に、
半導体素子１０９及びアルミワイヤ１１１を収容するセ
ラミックスのキャップ１１２を封止ガラス１１３で通常
の如く封着し、気密封止したＰＧＡ（ピングリッドアレ
イ）を製造することができた。
ウムの配線層１０８を形成して各ピン１０３と接続さ
せ、半導体素子１０９を所定の位置に銀入りガラス１１
０にて搭載してから、半導体素子１０９の各電極と配線
層１０８とをアルミワイヤ１１１で結線した。最後に、
半導体素子１０９及びアルミワイヤ１１１を収容するセ
ラミックスのキャップ１１２を封止ガラス１１３で通常
の如く封着し、気密封止したＰＧＡ（ピングリッドアレ
イ）を製造することができた。
【０００４】これにより、構造が簡単であって、高密度
配線および気密封止が可能であり、しかも安価な半導体
装置を提供することができる。
配線および気密封止が可能であり、しかも安価な半導体
装置を提供することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記従来技
術には、以下のような問題点があった。まず、この半導
体装置の構成が複雑であるため、製造工程が多岐に渡
り、製造コストが高くなるという問題点がある。
術には、以下のような問題点があった。まず、この半導
体装置の構成が複雑であるため、製造工程が多岐に渡
り、製造コストが高くなるという問題点がある。
【０００６】つぎに、一般によく知られているように、
ロウ付けは、ロウ付けする部材と銀ロウとの濡れ性によ
り固着強度が決定される。ところが、銀ロウは接合され
る物質により、濡れ性が大きく異なる。濡れ性が大きく
異なるもの同士をロウ付けすると、濡れ性の小さな物質
と銀ロウとの界面が相対的に弱くなり、この部分で破断
が発生し易い。従って、ロウ付けする際は、銀ロウに対
して濡れ性の近い物質で行う必要がある。そのため、実
際にこの方法で気密封止型半導体装置を構成しようとす
ると、穴開き絶縁基板と金属性ピンとの材質に制限が極
めて多く、基本的には選択の余地は少ない。従って、こ
のような気密封止型半導体装置を設計する際の一つの大
きな制約となっている。
ロウ付けは、ロウ付けする部材と銀ロウとの濡れ性によ
り固着強度が決定される。ところが、銀ロウは接合され
る物質により、濡れ性が大きく異なる。濡れ性が大きく
異なるもの同士をロウ付けすると、濡れ性の小さな物質
と銀ロウとの界面が相対的に弱くなり、この部分で破断
が発生し易い。従って、ロウ付けする際は、銀ロウに対
して濡れ性の近い物質で行う必要がある。そのため、実
際にこの方法で気密封止型半導体装置を構成しようとす
ると、穴開き絶縁基板と金属性ピンとの材質に制限が極
めて多く、基本的には選択の余地は少ない。従って、こ
のような気密封止型半導体装置を設計する際の一つの大
きな制約となっている。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、請求項１、２または３に係る発明の課題
は、製造工程を簡略にして製造コストを安価にし、気密
封止型半導体装置を構成する気密端子基板の設計自由度
を広げることである。
れたもので、請求項１、２または３に係る発明の課題
は、製造工程を簡略にして製造コストを安価にし、気密
封止型半導体装置を構成する気密端子基板の設計自由度
を広げることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る発明は、気密端子基板において、複
数の貫通孔を有した焼結部材からなる基板と、この貫通
孔に挿通した伝導ピンとを備え、該伝導ピンと前記貫通
孔とを封着ガラスにて固着したことを特徴とする。請求
項２に係る発明は、気密端子基板の製造方法において、
金属粉末またはセラミクス粉末と結合材とからなる材料
を用いて複数の貫通孔を有するベースを成形し、前記貫
通孔に伝導ピンを挿通するとともに、前記貫通孔と前記
伝導ピンとの隙間に封着ガラスを流入した後、前記ベー
スを加熱して前記結合材を除去し、さらに加熱して焼結
することを特徴とする。請求項３に係る発明は、気密端
子基板の製造方法において、封着ガラスからなるリング
部材を複数インサートするとともに、金属粉末またはセ
ラミクス粉末と結合材とからなる材料を用いてベースを
成形し、該ベースを加熱して前記結合材を除去する前ま
たは後に伝導ピンを前記リング部材に挿通し、その後前
記ベースを加熱して焼結することを特徴とする。
に、請求項１に係る発明は、気密端子基板において、複
数の貫通孔を有した焼結部材からなる基板と、この貫通
孔に挿通した伝導ピンとを備え、該伝導ピンと前記貫通
孔とを封着ガラスにて固着したことを特徴とする。請求
項２に係る発明は、気密端子基板の製造方法において、
金属粉末またはセラミクス粉末と結合材とからなる材料
を用いて複数の貫通孔を有するベースを成形し、前記貫
通孔に伝導ピンを挿通するとともに、前記貫通孔と前記
伝導ピンとの隙間に封着ガラスを流入した後、前記ベー
スを加熱して前記結合材を除去し、さらに加熱して焼結
することを特徴とする。請求項３に係る発明は、気密端
子基板の製造方法において、封着ガラスからなるリング
部材を複数インサートするとともに、金属粉末またはセ
ラミクス粉末と結合材とからなる材料を用いてベースを
成形し、該ベースを加熱して前記結合材を除去する前ま
たは後に伝導ピンを前記リング部材に挿通し、その後前
記ベースを加熱して焼結することを特徴とする。
【０００９】請求項１、２または３に係る発明の作用で
は、複数の貫通孔を有した焼結部材からなる基板と、こ
の貫通孔に挿通した伝導ピンとを備え、該伝導ピンと前
記貫通孔とを封着ガラスにて固着したことにより、封着
ガラスは多くの物質に対して濡れ性がよいので、前記基
板および伝導ピンの材質を種々選択しても、十分な固着
強度を確保できる。請求項２に係る発明の作用では、上
記作用に加え、金属粉末またはセラミクス粉末と結合材
とからなる材料を用いて複数の貫通孔を有するベースを
成形し、前記貫通孔に伝導ピンを挿通するとともに、前
記貫通孔と前記伝導ピンとの隙間に封着ガラスを流入し
た後、前記ベースを加熱して前記結合材を除去し、さら
に加熱して焼結するので、貫通孔を有するベースは焼結
により収縮し、焼結部材からなる基板が完成する。この
焼結時の収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基板
に固着される。請求項３に係る発明の作用では、上記作
用に加え、封着ガラスからなるリング部材を複数インサ
ートするとともに、金属粉末またはセラミクス粉末と結
合材とからなる材料を用いてベースを成形し、該ベース
を加熱して前記結合材を除去する前または後に伝導ピン
を前記リング部材に挿通し、その後前記ベースを加熱し
て焼結するので、封着ガラスからなるリング部材をイン
サートしたベースは焼結により収縮し、焼結部材からな
る基板が完成する。この焼結時の収縮により伝導ピンは
封着ガラスを介して基板に固着される。
は、複数の貫通孔を有した焼結部材からなる基板と、こ
の貫通孔に挿通した伝導ピンとを備え、該伝導ピンと前
記貫通孔とを封着ガラスにて固着したことにより、封着
ガラスは多くの物質に対して濡れ性がよいので、前記基
板および伝導ピンの材質を種々選択しても、十分な固着
強度を確保できる。請求項２に係る発明の作用では、上
記作用に加え、金属粉末またはセラミクス粉末と結合材
とからなる材料を用いて複数の貫通孔を有するベースを
成形し、前記貫通孔に伝導ピンを挿通するとともに、前
記貫通孔と前記伝導ピンとの隙間に封着ガラスを流入し
た後、前記ベースを加熱して前記結合材を除去し、さら
に加熱して焼結するので、貫通孔を有するベースは焼結
により収縮し、焼結部材からなる基板が完成する。この
焼結時の収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基板
に固着される。請求項３に係る発明の作用では、上記作
用に加え、封着ガラスからなるリング部材を複数インサ
ートするとともに、金属粉末またはセラミクス粉末と結
合材とからなる材料を用いてベースを成形し、該ベース
を加熱して前記結合材を除去する前または後に伝導ピン
を前記リング部材に挿通し、その後前記ベースを加熱し
て焼結するので、封着ガラスからなるリング部材をイン
サートしたベースは焼結により収縮し、焼結部材からな
る基板が完成する。この焼結時の収縮により伝導ピンは
封着ガラスを介して基板に固着される。
【００１０】
【発明の実施の形態１】図１〜図３は発明の実施の形態
１を示し、図１は貫通孔を有するベースの斜視図、図２
はベースに伝導ピンを挿通した斜視図、図３は伝導ピン
と貫通孔との隙間に封着ガラスを流入した気密端子基板
の要部の縦断面図である。
１を示し、図１は貫通孔を有するベースの斜視図、図２
はベースに伝導ピンを挿通した斜視図、図３は伝導ピン
と貫通孔との隙間に封着ガラスを流入した気密端子基板
の要部の縦断面図である。
【００１１】まず、気密端子基板について説明する。図
３に示すように、ベース２に挿通された端子たる伝導ピ
ン３は、封着ガラス４により固着され、気密性が保持さ
れている。ベース２は焼結されることにより、焼結部材
からなる基板に変化している。この気密端子基板には、
従来技術の図７で示したように、基板表面に配線層が形
成されて伝導ピン３と接続され、半導体素子が搭載され
た後、配線層と結線される。さらにこの上にキャップが
封止ガラスにて封着され、封止型半導体装置を構成す
る。
３に示すように、ベース２に挿通された端子たる伝導ピ
ン３は、封着ガラス４により固着され、気密性が保持さ
れている。ベース２は焼結されることにより、焼結部材
からなる基板に変化している。この気密端子基板には、
従来技術の図７で示したように、基板表面に配線層が形
成されて伝導ピン３と接続され、半導体素子が搭載され
た後、配線層と結線される。さらにこの上にキャップが
封止ガラスにて封着され、封止型半導体装置を構成す
る。
【００１２】つぎに、気密端子基板の製造方法について
説明する。平均粒径８μｍのＦｅ−Ｎｉ粉末（Ｆｅ：９
５ｗｔ％，Ｎｉ：５ｗｔ％）６２ｖｏｌ％、結合材とし
て、ポリスチレン１８ｖｏｌ％、ポリエチルアクリエー
ト１２ｖｏｌ％、エチレン−酢酸ビニル共重合体５ｖｏ
ｌ％、パラフィンワックス２ｖｏｌ％、およびステアリ
ン酸１ｖｏｌ％を混練したものを、一般的な金属粉末射
出成形法（ＭＩＭ）を用いて、図１に示す貫通孔１を有
するベース２を成形して得た。
説明する。平均粒径８μｍのＦｅ−Ｎｉ粉末（Ｆｅ：９
５ｗｔ％，Ｎｉ：５ｗｔ％）６２ｖｏｌ％、結合材とし
て、ポリスチレン１８ｖｏｌ％、ポリエチルアクリエー
ト１２ｖｏｌ％、エチレン−酢酸ビニル共重合体５ｖｏ
ｌ％、パラフィンワックス２ｖｏｌ％、およびステアリ
ン酸１ｖｏｌ％を混練したものを、一般的な金属粉末射
出成形法（ＭＩＭ）を用いて、図１に示す貫通孔１を有
するベース２を成形して得た。
【００１３】このベース２の貫通孔１に、コバール製の
伝導ピン３を挿通する（図２参照）。この後、図３に示
すように、貫通孔１と伝導ピン２との隙間に、気密端子
用顆粒ガラスＢＨ−７Ｗ／Ｋ（日本電気硝子（株）製）
からなる封着ガラス４を流入する。ついで、常圧大気雰
囲気下、昇温速度２５℃／Ｈ、最高到達温度３５０℃、
保持時間５時間にて、ベース２中の結合材を加熱により
除去する。さらに、１０-4ｔｏｒｒの真空雰囲気下、昇
温速度３００℃／Ｈ、最高到達温度１１５０℃、保持時
間３時間にて、このベース２を加熱により焼結する。こ
れにより最終的な気密端子基板を得る。
伝導ピン３を挿通する（図２参照）。この後、図３に示
すように、貫通孔１と伝導ピン２との隙間に、気密端子
用顆粒ガラスＢＨ−７Ｗ／Ｋ（日本電気硝子（株）製）
からなる封着ガラス４を流入する。ついで、常圧大気雰
囲気下、昇温速度２５℃／Ｈ、最高到達温度３５０℃、
保持時間５時間にて、ベース２中の結合材を加熱により
除去する。さらに、１０-4ｔｏｒｒの真空雰囲気下、昇
温速度３００℃／Ｈ、最高到達温度１１５０℃、保持時
間３時間にて、このベース２を加熱により焼結する。こ
れにより最終的な気密端子基板を得る。
【００１４】本発明の実施の形態１によれば、気密端子
基板の伝導ピンの固着に封着ガラスを介在させたので、
接合される金属粉末の焼結部材からなる基板とコバール
からなる伝導ピンとの双方に濡れ性が良好なため、固着
が強固になされている。また、伝導ピンは、封着ガラス
を介してベースの焼結収縮により固着されるので、特別
な固着工程を必要とせず、製造コストを安価にすること
ができる。
基板の伝導ピンの固着に封着ガラスを介在させたので、
接合される金属粉末の焼結部材からなる基板とコバール
からなる伝導ピンとの双方に濡れ性が良好なため、固着
が強固になされている。また、伝導ピンは、封着ガラス
を介してベースの焼結収縮により固着されるので、特別
な固着工程を必要とせず、製造コストを安価にすること
ができる。
【００１５】本発明の実施の形態１では、金属粉末とし
て、Ｆｅ−Ｎｉ粉末を用いたが、他の金属粉末を用いて
もよい。また、伝導ピンにコバールを用いたが、他の導
電性金属を用いてもよい。さらに、金属粉末に替えて、
セラミクス粉末を用いてもよい。このように、本発明の
実施の形態１によれば、基板と伝導ピンとの間に封着ガ
ラスを介在させたので、設計上、材料選択を自由に行う
ことができる。
て、Ｆｅ−Ｎｉ粉末を用いたが、他の金属粉末を用いて
もよい。また、伝導ピンにコバールを用いたが、他の導
電性金属を用いてもよい。さらに、金属粉末に替えて、
セラミクス粉末を用いてもよい。このように、本発明の
実施の形態１によれば、基板と伝導ピンとの間に封着ガ
ラスを介在させたので、設計上、材料選択を自由に行う
ことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態２】図４〜図６は発明の実施の形態
２を示し、図４は封着ガラスからなるリングの斜視図、
図５はリングをインサート成形したベースの斜視図、図
６はリングに伝導ピンを挿通した気密端子基板の要部の
縦断面図である。
２を示し、図４は封着ガラスからなるリングの斜視図、
図５はリングをインサート成形したベースの斜視図、図
６はリングに伝導ピンを挿通した気密端子基板の要部の
縦断面図である。
【００１７】本発明の実施の形態２の気密端子基板は、
発明の実施の形態１の気密端子基板と製造方法が異なる
ものの、その構成は同一のため説明を省略する。また、
気密端子基板の封止型半導体装置への利用も発明の実施
の形態１と同様のため、説明を省略する。
発明の実施の形態１の気密端子基板と製造方法が異なる
ものの、その構成は同一のため説明を省略する。また、
気密端子基板の封止型半導体装置への利用も発明の実施
の形態１と同様のため、説明を省略する。
【００１８】本発明の実施の形態２の気密端子基板の製
造方法について説明する。図４はリング２１を示し、プ
リフォームＧＡ−１１（日本電気硝子（株）製）からな
る。図５に示すように、このリング２１をインサートし
て、結合材を添加したセラミクス粉末を、一般的な金属
粉末射出成形法（ＭＩＭ）を用いて成形し、ベース２２
を得た。セラミクス粉末には、アルミナ粉末（Ａｌ2 Ｏ
3 ，平均粒径５μｍ）、結合材には、ポリエチレン１５
ｖｏｌ％、ポリメタメチクレート１４ｖｏｌ％、および
ステアリン酸２ｖｏｌ％を混練して用いた。
造方法について説明する。図４はリング２１を示し、プ
リフォームＧＡ−１１（日本電気硝子（株）製）からな
る。図５に示すように、このリング２１をインサートし
て、結合材を添加したセラミクス粉末を、一般的な金属
粉末射出成形法（ＭＩＭ）を用いて成形し、ベース２２
を得た。セラミクス粉末には、アルミナ粉末（Ａｌ2 Ｏ
3 ，平均粒径５μｍ）、結合材には、ポリエチレン１５
ｖｏｌ％、ポリメタメチクレート１４ｖｏｌ％、および
ステアリン酸２ｖｏｌ％を混練して用いた。
【００１９】この後、図６に示すように、ベース２２の
リング２１に、コバール製の伝導ピン２３を挿通し、常
圧大気雰囲気下、昇温速度３５℃／Ｈ、最高到達温度３
４５℃、保持時間５時間にて、ベース２２中の結合材を
加熱により除去する。さらに、常圧窒素雰囲気下、昇温
速度３２０℃／Ｈ、最高到達温度１１５０℃、保持時間
３時間にて、このベース２２を加熱により焼結する。こ
れにより最終的な気密端子基板を得る。
リング２１に、コバール製の伝導ピン２３を挿通し、常
圧大気雰囲気下、昇温速度３５℃／Ｈ、最高到達温度３
４５℃、保持時間５時間にて、ベース２２中の結合材を
加熱により除去する。さらに、常圧窒素雰囲気下、昇温
速度３２０℃／Ｈ、最高到達温度１１５０℃、保持時間
３時間にて、このベース２２を加熱により焼結する。こ
れにより最終的な気密端子基板を得る。
【００２０】本発明の実施の形態２のよれば、気密端子
基板の伝導ピンの固着に封着ガラスを介在させたので、
接合されるセラミクス粉末の焼結品からなる基板とコバ
ールからなる伝導ピンとの双方に濡れ性が良好なため、
固着が強固になされている。また、伝導ピンは、封着ガ
ラスからなるリングを介してベースの焼結収縮により固
着されるので、特別な固着工程を必要とせず、製造コス
トを安価にすることができる。
基板の伝導ピンの固着に封着ガラスを介在させたので、
接合されるセラミクス粉末の焼結品からなる基板とコバ
ールからなる伝導ピンとの双方に濡れ性が良好なため、
固着が強固になされている。また、伝導ピンは、封着ガ
ラスからなるリングを介してベースの焼結収縮により固
着されるので、特別な固着工程を必要とせず、製造コス
トを安価にすることができる。
【００２１】本発明の実施の形態２では、ベースから結
合材を除去する前に伝導ピンを挿通したが、これに限る
ことなく、ベースから結合材を除去した後に、伝導ピン
を挿通してもよい。また、セラミクス粉末として、アル
ミナ粉末を用いたが、他の種類のセラミクス粉末を用い
ても、また金属粉末を用いてもよい。このように、本発
明の実施の形態２によれば、基板と伝導ピンとの間に封
着ガラスを介在させたので、設計上、材料選択を自由に
行うことができる。
合材を除去する前に伝導ピンを挿通したが、これに限る
ことなく、ベースから結合材を除去した後に、伝導ピン
を挿通してもよい。また、セラミクス粉末として、アル
ミナ粉末を用いたが、他の種類のセラミクス粉末を用い
ても、また金属粉末を用いてもよい。このように、本発
明の実施の形態２によれば、基板と伝導ピンとの間に封
着ガラスを介在させたので、設計上、材料選択を自由に
行うことができる。
【００２２】
【発明の効果】請求項１、２または３に係る発明によれ
ば、封着ガラスは多くの物質に対して濡れ性がよいの
で、前記基板および伝導ピンの材質を種々選択すること
ができるので、気密封止型半導体装置を構成する気密端
子基板の設計自由度を広げることができる。請求項２に
係る発明によれば、上記効果に加え、貫通孔を有するベ
ースは焼結により収縮し基板が完成する。この焼結時の
収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基板に固着さ
れるので、製造工程が簡略になり、製造コストを安価に
することができる。請求項３に係る発明によれば、上記
効果に加え、封着ガラスからなるリング部材をインサー
トしたベースは焼結により収縮して基板が完成する。こ
の焼結時の収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基
板に固着されるので、製造工程が簡略になり、製造コス
トを安価にすることができる。
ば、封着ガラスは多くの物質に対して濡れ性がよいの
で、前記基板および伝導ピンの材質を種々選択すること
ができるので、気密封止型半導体装置を構成する気密端
子基板の設計自由度を広げることができる。請求項２に
係る発明によれば、上記効果に加え、貫通孔を有するベ
ースは焼結により収縮し基板が完成する。この焼結時の
収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基板に固着さ
れるので、製造工程が簡略になり、製造コストを安価に
することができる。請求項３に係る発明によれば、上記
効果に加え、封着ガラスからなるリング部材をインサー
トしたベースは焼結により収縮して基板が完成する。こ
の焼結時の収縮により伝導ピンは封着ガラスを介して基
板に固着されるので、製造工程が簡略になり、製造コス
トを安価にすることができる。
【図１】発明の実施の形態１の貫通孔を有するベースの
斜視図である。
斜視図である。
【図２】発明の実施の形態１のベースに伝導ピンを挿通
した斜視図である。
した斜視図である。
【図３】発明の実施の形態１の伝導ピンと貫通孔との隙
間に封着ガラスを流入した気密端子基板の要部の縦断面
図である。
間に封着ガラスを流入した気密端子基板の要部の縦断面
図である。
【図４】発明の実施の形態２の封着ガラスからなるリン
グの斜視図である。
グの斜視図である。
【図５】発明の実施の形態２のリングをインサート成形
したベースの斜視図である。
したベースの斜視図である。
【図６】発明の実施の形態２のリングに伝導ピンを挿通
した気密端子基板の要部の縦断面図である。
した気密端子基板の要部の縦断面図である。
【図７】従来技術の封止型半導体装置の縦断面図であ
る。
る。
１ 貫通孔 ２ ベース ３ 伝導ピン ４ 封着ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の貫通孔を有した焼結部材からなる
基板と、この貫通孔に挿通した伝導ピンとを備え、該伝
導ピンと前記貫通孔とを封着ガラスにて固着したことを
特徴とする気密端子基板。 - 【請求項２】 金属粉末またはセラミクス粉末と結合材
とからなる材料を用いて複数の貫通孔を有するベースを
成形し、前記貫通孔に伝導ピンを挿通するとともに、前
記貫通孔と前記伝導ピンとの隙間に封着ガラスを流入し
た後、前記ベースを加熱して前記結合材を除去し、さら
に加熱して焼結することを特徴とする気密端子基板の製
造方法。 - 【請求項３】 封着ガラスからなるリング部材を複数イ
ンサートするとともに、金属粉末またはセラミクス粉末
と結合材とからなる材料を用いてベースを成形し、該ベ
ースを加熱して前記結合材を除去する前または後に伝導
ピンを前記リング部材に挿通し、その後前記ベースを加
熱して焼結することを特徴とする気密端子基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010389A JPH09205174A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 気密端子基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8010389A JPH09205174A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 気密端子基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205174A true JPH09205174A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11748777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8010389A Withdrawn JPH09205174A (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 気密端子基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205174A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7274101B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-09-25 | Fujikura Ltd. | Semiconductor package and method for manufacturing the same |
| JP2008302213A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-12-18 | C2Cure Inc | 電子アセンブリ、電子アセンブリを作成する方法 |
| CN101916927A (zh) * | 2010-07-06 | 2010-12-15 | 常州博瑞电力自动化设备有限公司 | 金属密封端子板 |
| JP2013504856A (ja) * | 2009-09-09 | 2013-02-07 | エマーソン エレクトリック カンパニー | 補剛リブを備えたソリッドコアガラスビードシール |
| CN112837870A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-25 | 东南大学 | 圆形多芯微波绝缘子的玻璃封接模具及其实现方法 |
| CN114719903A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-08 | 河北美泰电子科技有限公司 | 基于金属玻璃烧结基座焊接密封的温压复合传感器 |
-
1996
- 1996-01-24 JP JP8010389A patent/JPH09205174A/ja not_active Withdrawn
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| CN114719903A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-08 | 河北美泰电子科技有限公司 | 基于金属玻璃烧结基座焊接密封的温压复合传感器 |
| CN114719903B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-12-03 | 河北美泰电子科技有限公司 | 基于金属玻璃烧结基座焊接密封的温压复合传感器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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