JPH0920728A - カーボネート化合物及びその製造方法 - Google Patents
カーボネート化合物及びその製造方法Info
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- JPH0920728A JPH0920728A JP7173232A JP17323295A JPH0920728A JP H0920728 A JPH0920728 A JP H0920728A JP 7173232 A JP7173232 A JP 7173232A JP 17323295 A JP17323295 A JP 17323295A JP H0920728 A JPH0920728 A JP H0920728A
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- substituent
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】新規な水酸基保護剤を提供する。
【構成】４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−ペン
テン−２−オン等の下記式（Ｉ） 【化１】 （但し、Ｒ1は、アルキル基、置換基を有しても良いア
リール基、アルケニル基または置換基を有しても良いア
ラルキル基であり、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はアル
キル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリール
基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有し
ても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良いアラ
ルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ基で
あり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を形成してもよ
い。）で示されるカーボネート化合物。
テン−２−オン等の下記式（Ｉ） 【化１】 （但し、Ｒ1は、アルキル基、置換基を有しても良いア
リール基、アルケニル基または置換基を有しても良いア
ラルキル基であり、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はアル
キル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリール
基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有し
ても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良いアラ
ルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ基で
あり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を形成してもよ
い。）で示されるカーボネート化合物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に水酸基の保護剤と
して有用であり、その他、メルカプト基、アミノ基等の
保護剤として、また、カルボキシル基の活性エステル化
剤として有用な新規なカーボネート化合物に関する。
して有用であり、その他、メルカプト基、アミノ基等の
保護剤として、また、カルボキシル基の活性エステル化
剤として有用な新規なカーボネート化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、広く用いられているカーボネート
タイプの水酸基の保護剤としては、ベンジルオキシカル
ボニルクロリドに代表される酸ハロゲン化物タイプの保
護剤及びジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代表されるジ
カーボネートタイプの保護剤を挙げることができる。
タイプの水酸基の保護剤としては、ベンジルオキシカル
ボニルクロリドに代表される酸ハロゲン化物タイプの保
護剤及びジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代表されるジ
カーボネートタイプの保護剤を挙げることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、酸ハロゲン化
物タイプの保護剤は、空気中の水分と反応して塩酸ガス
を発生する性質を有しているためその取扱いには細心の
注意が必要となり、ジカーボネートタイプの保護剤はア
ルコールとの反応の際、原料のアルコール２分子からな
るカーボネート化合物を副生してしまうという問題があ
った。このため、取扱いが容易でしかも副反応を極力抑
制できる新しい水酸基の保護基の開発が強く望まれてい
た。
物タイプの保護剤は、空気中の水分と反応して塩酸ガス
を発生する性質を有しているためその取扱いには細心の
注意が必要となり、ジカーボネートタイプの保護剤はア
ルコールとの反応の際、原料のアルコール２分子からな
るカーボネート化合物を副生してしまうという問題があ
った。このため、取扱いが容易でしかも副反応を極力抑
制できる新しい水酸基の保護基の開発が強く望まれてい
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式で
示されるカーボネート化合物が上記性質を具備した優れ
た水酸基保護剤であることを見いだし、本発明を完成さ
せるに至った。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式で
示されるカーボネート化合物が上記性質を具備した優れ
た水酸基保護剤であることを見いだし、本発明を完成さ
せるに至った。
【０００５】即ち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
【０００６】
【化４】
【０００７】（但し、Ｒ1は、アルキル基、置換基を有
しても良いアリール基、アルケニル基または置換基を有
しても良いアラルキル基であり、Ｒ2はアルキル基であ
り、Ｒ3はアルキル基、アルコキシ基、置換基を有して
も良いアリール基、置換基を有しても良いアラルキル
基、置換基を有しても良いアリールオキシ基、置換基を
有しても良いアラルキルオキシ基または置換基を有して
も良いアミノ基であり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を
形成してもよい。）で示されるカーボネート化合物及び
その製造方法である。
しても良いアリール基、アルケニル基または置換基を有
しても良いアラルキル基であり、Ｒ2はアルキル基であ
り、Ｒ3はアルキル基、アルコキシ基、置換基を有して
も良いアリール基、置換基を有しても良いアラルキル
基、置換基を有しても良いアリールオキシ基、置換基を
有しても良いアラルキルオキシ基または置換基を有して
も良いアミノ基であり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を
形成してもよい。）で示されるカーボネート化合物及び
その製造方法である。
【０００８】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1はアルキ
ル基、置換基を有しても良いアリール基、アルケニル基
または置換基を有しても良いアラルキル基を示す。アル
キル基は、直鎖状、分岐状および環状のいずれであって
もよく、その炭素数は特に制限されない。一般には、原
料入手の容易さから炭素数が１〜８のアルキル基である
ことが好適である。本発明に於いて好適なアルキル基を
具体的に例示すると、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−アミル
基等を挙げることができる。
ル基、置換基を有しても良いアリール基、アルケニル基
または置換基を有しても良いアラルキル基を示す。アル
キル基は、直鎖状、分岐状および環状のいずれであって
もよく、その炭素数は特に制限されない。一般には、原
料入手の容易さから炭素数が１〜８のアルキル基である
ことが好適である。本発明に於いて好適なアルキル基を
具体的に例示すると、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−アミル
基等を挙げることができる。
【０００９】また、置換基を有しても良いアリール基は
その炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さか
ら炭素数が６〜１０であることが好ましい。置換基とし
ては、前記したようなアルキル基が好適である。こうし
たアリール基の具体例としては、フェニル基、メチルフ
ェニル基、エチルフェニル基、ナフチル基等を挙げるこ
とができる。
その炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さか
ら炭素数が６〜１０であることが好ましい。置換基とし
ては、前記したようなアルキル基が好適である。こうし
たアリール基の具体例としては、フェニル基、メチルフ
ェニル基、エチルフェニル基、ナフチル基等を挙げるこ
とができる。
【００１０】アルケニル基としては、その炭素数に特に
制限はないが、原料入手の容易さから、炭素数２〜５で
あることが好ましい。アルケニル基の具体例としては、
ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、１−ブテニル
基等を挙げることができる。さらに、置換基を有しても
良いアラルキル基はその炭素数に特に制限されないが、
原料入手の容易さから炭素数が７〜１１であることが好
ましい。置換基としては、前記したようなアルキル基が
好適である。こうしたアラルキル基の具体例としては、
ベンジル基、メチルベンジル基、フェネチル基等を挙げ
ることができる。
制限はないが、原料入手の容易さから、炭素数２〜５で
あることが好ましい。アルケニル基の具体例としては、
ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、１−ブテニル
基等を挙げることができる。さらに、置換基を有しても
良いアラルキル基はその炭素数に特に制限されないが、
原料入手の容易さから炭素数が７〜１１であることが好
ましい。置換基としては、前記したようなアルキル基が
好適である。こうしたアラルキル基の具体例としては、
ベンジル基、メチルベンジル基、フェネチル基等を挙げ
ることができる。
【００１１】前記一般式（Ｉ）においてＲ2は、アルキ
ル基を示す。アルキル基は、直鎖状、分岐状および環状
のいずれであってもよく、その炭素数は特に制限されな
い。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１〜８の
アルキル基であることが好適である。本発明に於いて好
適なアルキル基を具体的に例示すると、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−アミル基等を挙げることができる。
ル基を示す。アルキル基は、直鎖状、分岐状および環状
のいずれであってもよく、その炭素数は特に制限されな
い。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１〜８の
アルキル基であることが好適である。本発明に於いて好
適なアルキル基を具体的に例示すると、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−アミル基等を挙げることができる。
【００１２】また、前記一般式（Ｉ）においてＲ3は、
アルキル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリ
ール基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を
有しても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良い
アラルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ
基を示す。アルキル基は、直鎖状、分岐状および環状の
いずれであってもよく、その炭素数は特に制限されな
い。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１〜８の
アルキル基であることが好適である。本発明に於いて好
適なアルキル基を具体的に例示すると、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−アミル基等を挙げることができる。
アルキル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリ
ール基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を
有しても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良い
アラルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ
基を示す。アルキル基は、直鎖状、分岐状および環状の
いずれであってもよく、その炭素数は特に制限されな
い。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１〜８の
アルキル基であることが好適である。本発明に於いて好
適なアルキル基を具体的に例示すると、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチ
ル基、ｔ−アミル基等を挙げることができる。
【００１３】アルコキシ基もまた、直鎖状、分岐状およ
び環状のいずれであってもよく、その炭素数は特に制限
されない。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１
〜８のアルコキシ基であることが好適である。本発明に
於いて好適なアルコキシ基を具体的に例示すると、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｔ−
ブトキシ基等を挙げることができる。
び環状のいずれであってもよく、その炭素数は特に制限
されない。一般には、原料入手の容易さから炭素数が１
〜８のアルコキシ基であることが好適である。本発明に
於いて好適なアルコキシ基を具体的に例示すると、メト
キシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロ
ポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｔ−
ブトキシ基等を挙げることができる。
【００１４】置換基を有しても良いアリール基として
は、その炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易
さから炭素数が６〜１０であることが好ましい。置換基
としては、前記したようなアルキル基が好適である。こ
うしたアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフ
チル基等を挙げることができる。
は、その炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易
さから炭素数が６〜１０であることが好ましい。置換基
としては、前記したようなアルキル基が好適である。こ
うしたアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフ
チル基等を挙げることができる。
【００１５】置換基を有しても良いアラルキルオキシ基
はその炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さ
から炭素数が７〜１１であることが好ましい。置換基と
しては、前記したようなアルキル基が好適である。こう
したアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオ
キシ基、メチルベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
等を挙げることができる。
はその炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さ
から炭素数が７〜１１であることが好ましい。置換基と
しては、前記したようなアルキル基が好適である。こう
したアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオ
キシ基、メチルベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
等を挙げることができる。
【００１６】置換基を有しても良いアリールオキシ基と
しては、その炭素数に特に制限されないが、原料入手の
容易さから炭素数が６〜１０であることが好ましい。置
換基としては、前記したようなアルキル基が好適であ
る。こうしたアリールオキシ基の具体例としては、フェ
ニルオキシ基、メチルフェニルオキシ基、エチルフェニ
ルオキシ基、ナフチルオキシ基等を挙げることができ
る。
しては、その炭素数に特に制限されないが、原料入手の
容易さから炭素数が６〜１０であることが好ましい。置
換基としては、前記したようなアルキル基が好適であ
る。こうしたアリールオキシ基の具体例としては、フェ
ニルオキシ基、メチルフェニルオキシ基、エチルフェニ
ルオキシ基、ナフチルオキシ基等を挙げることができ
る。
【００１７】置換基を有しても良いアラルキルオキシ基
はその炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さ
から炭素数が７〜１１であることが好ましい。置換基と
しては、前記したようなアルキル基が好適である。こう
したアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオ
キシ基、メチルベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
等を挙げることができる。
はその炭素数に特に制限されないが、原料入手の容易さ
から炭素数が７〜１１であることが好ましい。置換基と
しては、前記したようなアルキル基が好適である。こう
したアラルキルオキシ基の具体例としては、ベンジルオ
キシ基、メチルベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基
等を挙げることができる。
【００１８】さらに、置換基を有しても良いアミノ基と
しては特に制限はないが、原料入手の容易さから１級ア
ミン及び炭素数が１〜１０の２級または３級のアルキル
アミノ基であることが好ましい。置換基を有しても良い
アミノ基の具体例としては、無置換のアミノ基、メチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等を挙げることが
できる。
しては特に制限はないが、原料入手の容易さから１級ア
ミン及び炭素数が１〜１０の２級または３級のアルキル
アミノ基であることが好ましい。置換基を有しても良い
アミノ基の具体例としては、無置換のアミノ基、メチル
アミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等を挙げることが
できる。
【００１９】また、Ｒ2とＲ3は一緒になって環を形成す
ることもできる。環の大きさ等については特に制限され
るものではないが、下記一般式（IV）で示される構造を
有する環状化合物が好適に使用される。
ることもできる。環の大きさ等については特に制限され
るものではないが、下記一般式（IV）で示される構造を
有する環状化合物が好適に使用される。
【００２０】
【化５】
【００２１】（但し、ｎは２〜７の整数） さらには、合成の容易さ等を勘案すると下記式（Ｖ）で
示される構造を有する環状化合物が好適に使用される
示される構造を有する環状化合物が好適に使用される
【００２２】
【化６】
【００２３】前記一般式（Ｉ）で示される本発明のカー
ボネート化合物を具体的に例示すると、４−ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４−メ
トキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４
−エトキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オ
ン、４−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−３−ペ
ンテン−２−オン、４−フェニルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オン、４−アリルオキシカルボ
ニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４−ベンジルオ
キシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、３−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン
酸メチル、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン
酸メチル、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン
酸メチル、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸メチル、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−メトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−エトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニル
オキシ−２−ブテン酸エチル、３−フェニルオキシカル
ボニル−２−ブテン酸エチル、３−ベンジルオキシカル
ボニル−２−ブテン酸エチル、３−アリルオキシカルボ
ニルオキシ−２−ブテン酸エチル、３−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−メトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−エトキ
シカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニ
ル、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン酸フェ
ニル、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン酸フ
ェニル、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸フェニル、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸ベンジル、３−メトキシカルボニルオキシ−
２−ブテン酸ベンジル、３−エトキシカルボニルオキシ
−２−ブテン酸ベンジル、３−ｉｓｏ−プロポキシカル
ボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジル、３−フェニルオ
キシカルボニル−２−ブテン酸ベンジル、３−ベンジル
オキシカルボニル−２−ブテン酸ベンジル、３−アリル
オキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジル、３−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン
酸アミド、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン
酸アミド、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン
酸アミド、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸アミド、Ｎ−メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−３−メト
キシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチ
ル−３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ−メチル−３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオ
キシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−３−フェニル
オキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−
３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、
Ｎ−メチル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−
ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−エトキシカルボニルオキ
シ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−フェニルオキシカルボニル
−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ベンジ
ルオキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−エトキシカルボニルオキシ
−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ｉｓｏ
−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−フェニルオキシカルボニル−２
−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ベンジルオ
キシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸
アミド、１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−シク
ロヘキセン−３−オン、１−メトキシカルボニルオキシ
−２−シクロヘキセン−３−オン、１−エトキシカルボ
ニルオキシ−２−シクロヘキセン−３−オン、１−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−シクロヘキセン
−３−オン、１−フェニルオキシカルボニルオキシ−２
−シクロヘキセン−３−オン、１−ベンジルオキシカル
ボニルオキシ−２−シクロヘキセン−３−オン、１−ア
リルオキシカルボニル−２−シクロヘキセン−３−オ
ン、１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−シクロペ
ンテン−３−オン、１−メトキシカルボニルオキシ−２
−シクロペンテン−３−オン、１−エトキシカルボニル
オキシ−２−シクロペンテン−３−オン、１−ｉｓｏ−
プロポキシカルボニルオキシ−２−シクロペンテン−３
−オン、１−フェニルオキシカルボニルオキシ−２−シ
クロペンテン−３−オン、１−ベンジルオキシカルボニ
ルオキシ−２−シクロペンテン−３−オン、１−アリル
オキシカルボニル−２−シクロペンテン−３−オン等を
挙げることができる。
ボネート化合物を具体的に例示すると、４−ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４−メ
トキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４
−エトキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オ
ン、４−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−３−ペ
ンテン−２−オン、４−フェニルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オン、４−アリルオキシカルボ
ニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、４−ベンジルオ
キシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オン、３−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチル、
３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン
酸メチル、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン
酸メチル、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン
酸メチル、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸メチル、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−メトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−エトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸エチル、３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニル
オキシ−２−ブテン酸エチル、３−フェニルオキシカル
ボニル−２−ブテン酸エチル、３−ベンジルオキシカル
ボニル−２−ブテン酸エチル、３−アリルオキシカルボ
ニルオキシ−２−ブテン酸エチル、３−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−メトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−エトキ
シカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニル、３−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニ
ル、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン酸フェ
ニル、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン酸フ
ェニル、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸フェニル、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸ベンジル、３−メトキシカルボニルオキシ−
２−ブテン酸ベンジル、３−エトキシカルボニルオキシ
−２−ブテン酸ベンジル、３−ｉｓｏ−プロポキシカル
ボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジル、３−フェニルオ
キシカルボニル−２−ブテン酸ベンジル、３−ベンジル
オキシカルボニル−２−ブテン酸ベンジル、３−アリル
オキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジル、３−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン
酸アミド、３−フェニルオキシカルボニル−２−ブテン
酸アミド、３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン
酸アミド、３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸アミド、Ｎ−メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−３−メト
キシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチ
ル−３−エトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ−メチル−３−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルオ
キシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−３−フェニル
オキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ−メチル−
３−ベンジルオキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、
Ｎ−メチル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−
ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−エトキシカルボニルオキ
シ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−フェニルオキシカルボニル
−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ベンジ
ルオキシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−メトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−エトキシカルボニルオキシ
−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ｉｓｏ
−プロポキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−フェニルオキシカルボニル−２
−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−ベンジルオ
キシカルボニル−２−ブテン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ル−３−アリルオキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸
アミド、１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−シク
ロヘキセン−３−オン、１−メトキシカルボニルオキシ
−２−シクロヘキセン−３−オン、１−エトキシカルボ
ニルオキシ−２−シクロヘキセン−３−オン、１−ｉｓ
ｏ−プロポキシカルボニルオキシ−２−シクロヘキセン
−３−オン、１−フェニルオキシカルボニルオキシ−２
−シクロヘキセン−３−オン、１−ベンジルオキシカル
ボニルオキシ−２−シクロヘキセン−３−オン、１−ア
リルオキシカルボニル−２−シクロヘキセン−３−オ
ン、１−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−シクロペ
ンテン−３−オン、１−メトキシカルボニルオキシ−２
−シクロペンテン−３−オン、１−エトキシカルボニル
オキシ−２−シクロペンテン−３−オン、１−ｉｓｏ−
プロポキシカルボニルオキシ−２−シクロペンテン−３
−オン、１−フェニルオキシカルボニルオキシ−２−シ
クロペンテン−３−オン、１−ベンジルオキシカルボニ
ルオキシ−２−シクロペンテン−３−オン、１−アリル
オキシカルボニル−２−シクロペンテン−３−オン等を
挙げることができる。
【００２４】前記一般式（Ｉ）で示される化合物の構造
は、次の手段によって確認できる。 （１）1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）を測
定することにより、前記一般式（Ｉ）で示される化合物
中に存在する水素原子の結合様式を知ることができる。
は、次の手段によって確認できる。 （１）1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）を測
定することにより、前記一般式（Ｉ）で示される化合物
中に存在する水素原子の結合様式を知ることができる。
【００２５】（２）赤外吸収スペクトル（ＩＲ）を測定
することにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の
官能基に由来する特性吸収を観察することができ、特
に、１７００ｃｍ-1付近にカルボニル基に由来する特性
吸収を観測することができる。
することにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の
官能基に由来する特性吸収を観察することができ、特
に、１７００ｃｍ-1付近にカルボニル基に由来する特性
吸収を観測することができる。
【００２６】（３）質量スペクトル（ＭＳ）を測定し、
前記一般式（Ｉ）の分子イオンピーク（以下、Ｍ+と略
記する）が観測される。従って、分子量を決定すること
ができる。
前記一般式（Ｉ）の分子イオンピーク（以下、Ｍ+と略
記する）が観測される。従って、分子量を決定すること
ができる。
【００２７】（４）元素分析によって炭素、水素、窒素
さらに各元素の重量％の和を１００から減じることによ
り、酸素の重量％を算出することができ、従って組成式
を決定することができる。
さらに各元素の重量％の和を１００から減じることによ
り、酸素の重量％を算出することができ、従って組成式
を決定することができる。
【００２８】前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、下
記一般式(II）
記一般式(II）
【００２９】
【化７】
【００３０】（但し、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はア
ルキル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリー
ル基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有
しても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良いア
ラルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ基
であり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を形成してもよ
い。）で示されるカルボニル化合物と、下記一般式（II
I）
ルキル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリー
ル基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有
しても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良いア
ラルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ基
であり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を形成してもよ
い。）で示されるカルボニル化合物と、下記一般式（II
I）
【００３１】
【化８】
【００３２】（但し、Ｒ1は、アルキル基、置換基を有
しても良いアリール基、アルケニル基または置換基を有
しても良いアラルキル基である。）で示されるジカーボ
ネート化合物とを塩基存在化で反応させることによって
得ることができる。（以下、反応（Ａ）と略す。） 反応（Ａ）に於いて用いられるカルボニル化合物として
は、上記一般式（II）で示される化合物が何等制限なく
用いることができる。
しても良いアリール基、アルケニル基または置換基を有
しても良いアラルキル基である。）で示されるジカーボ
ネート化合物とを塩基存在化で反応させることによって
得ることができる。（以下、反応（Ａ）と略す。） 反応（Ａ）に於いて用いられるカルボニル化合物として
は、上記一般式（II）で示される化合物が何等制限なく
用いることができる。
【００３３】反応（Ａ）に於いて好適に使用されるカル
ボニル化合物を具体的に例示すると、２，４−ペンタン
ジオン、３−オキソブタン酸メチル、３−オキソブタン
酸エチル、３−オキソブタン酸イソプロピル、３−オキ
ソブタン酸フェニル、３−オキソブタン酸ベンジル、３
−オキソブタン酸アミド、Ｎ−メチル−３−オキソブタ
ン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−オキソブタン酸ア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−オキソブタン酸アミド、
２，４−ヘキサンジオン、３−オキソペンタン酸メチ
ル、３−オキソペンタン酸アミド、１，３−シクロペン
タンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン等を挙げる
ことができる。
ボニル化合物を具体的に例示すると、２，４−ペンタン
ジオン、３−オキソブタン酸メチル、３−オキソブタン
酸エチル、３−オキソブタン酸イソプロピル、３−オキ
ソブタン酸フェニル、３−オキソブタン酸ベンジル、３
−オキソブタン酸アミド、Ｎ−メチル−３−オキソブタ
ン酸アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−オキソブタン酸ア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−オキソブタン酸アミド、
２，４−ヘキサンジオン、３−オキソペンタン酸メチ
ル、３−オキソペンタン酸アミド、１，３−シクロペン
タンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン等を挙げる
ことができる。
【００３４】反応（Ａ）に於いて使用されるジカーボネ
ートとしては、上記一般式（III）で示される化合物を
何等制限なく使用することができる。これらの化合物を
具体的に例示すると、ジ−ｔ−ブチルジカーボネート、
ジ−ｔ−アミルジカーボネート、ジメチルジカーボネー
ト、ジエチルジカーボネート、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ
カーボネート、ジアリルジカーボネート、ジベンジルジ
カーボネート等を挙げることができる。
ートとしては、上記一般式（III）で示される化合物を
何等制限なく使用することができる。これらの化合物を
具体的に例示すると、ジ−ｔ−ブチルジカーボネート、
ジ−ｔ−アミルジカーボネート、ジメチルジカーボネー
ト、ジエチルジカーボネート、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ
カーボネート、ジアリルジカーボネート、ジベンジルジ
カーボネート等を挙げることができる。
【００３５】これら、ジカーボネートの使用量について
は、何等制限されるものではないが、あまり過剰に用い
ると、経済的に有利ではない上に、生成物の精製を阻害
するため、上記一般式（II）で示されるカルボニル化合
物に対して、０．９〜３．０倍当量、さらには１．０〜
２．０倍当量の範囲であることが好ましい。
は、何等制限されるものではないが、あまり過剰に用い
ると、経済的に有利ではない上に、生成物の精製を阻害
するため、上記一般式（II）で示されるカルボニル化合
物に対して、０．９〜３．０倍当量、さらには１．０〜
２．０倍当量の範囲であることが好ましい。
【００３６】本反応に於いて使用される触媒としては、
通常の塩基が何等制限なく使用できる。これらを具体的
に例示すると、ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノピリジン、４−
ピペリジノピリジン、４−ピロリジノピリジン、Ｎ−メ
チルイミダゾール等の有機芳香族３級アミン類；トリブ
チルアミン、メチルジイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン等の有機
脂肪族３級アミン類；水酸化ナトリム、水酸化カリウム
等のアルカリ金属水酸化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアル
カリ金属炭酸塩等を挙げることができる。
通常の塩基が何等制限なく使用できる。これらを具体的
に例示すると、ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
ピリジン、４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノピリジン、４−
ピペリジノピリジン、４−ピロリジノピリジン、Ｎ−メ
チルイミダゾール等の有機芳香族３級アミン類；トリブ
チルアミン、メチルジイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン等の有機
脂肪族３級アミン類；水酸化ナトリム、水酸化カリウム
等のアルカリ金属水酸化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアル
カリ金属炭酸塩等を挙げることができる。
【００３７】反応（Ａ）に於いて、塩基の使用量につい
ては、何等制限されるものではないが、あまり過剰に用
いると、反応系が着色する上に、生成物との分離が困難
になるため、上記一般式（II）で示されるカルボニル化
合物に対して、０．０００１〜１倍当量、さらには０．
０００５〜０．８倍当量の範囲であることが好ましい。
ては、何等制限されるものではないが、あまり過剰に用
いると、反応系が着色する上に、生成物との分離が困難
になるため、上記一般式（II）で示されるカルボニル化
合物に対して、０．０００１〜１倍当量、さらには０．
０００５〜０．８倍当量の範囲であることが好ましい。
【００３８】反応（Ａ）は、無溶媒でも有機溶媒中でも
どちらも効率よく進行する。有機溶媒を用いる場合は、
通常一般の有機溶媒が何等制限なく用いることができ
る。
どちらも効率よく進行する。有機溶媒を用いる場合は、
通常一般の有機溶媒が何等制限なく用いることができ
る。
【００３９】反応（Ａ）に於いて好適に使用できる溶媒
を具体的に例示すると、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；四塩化炭
素、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエ
タン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフ
ラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル等のエーテル類；アセトニトリル等の
ニトリル類；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等
のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類；炭酸ジメチル等のカー
ボート類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド等のアミド類；ジメチルスルフォキサイド等を挙げる
ことができる。これらの有機溶媒は単独で使用しても２
種類以上を混合しても差し支えない。
を具体的に例示すると、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；四塩化炭
素、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエ
タン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフ
ラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル等のエーテル類；アセトニトリル等の
ニトリル類；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等
のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類；炭酸ジメチル等のカー
ボート類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド等のアミド類；ジメチルスルフォキサイド等を挙げる
ことができる。これらの有機溶媒は単独で使用しても２
種類以上を混合しても差し支えない。
【００４０】反応温度は、適当な反応速度を維持し、且
つ高温によるジカーボネートの分解を阻止するために
は、−２０〜７０℃、さらには−１０〜５０℃の範囲で
あることが好ましい。反応は、常圧、加圧、減圧のいず
れの場合も実施可能であり、反応に要する時間は、反応
温度、カルボニル化合物の種類、有機溶媒の種類によっ
ても異なるが、通常は０．１〜６０時間で十分である。
つ高温によるジカーボネートの分解を阻止するために
は、−２０〜７０℃、さらには−１０〜５０℃の範囲で
あることが好ましい。反応は、常圧、加圧、減圧のいず
れの場合も実施可能であり、反応に要する時間は、反応
温度、カルボニル化合物の種類、有機溶媒の種類によっ
ても異なるが、通常は０．１〜６０時間で十分である。
【００４１】反応（Ａ）により得られる前記一般式
（Ｉ）で示されるカーボネート化合物を単離する方法は
特に制限されず、例えば、反応溶媒を留去した後、残留
物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
目的物を得ることができる。
（Ｉ）で示されるカーボネート化合物を単離する方法は
特に制限されず、例えば、反応溶媒を留去した後、残留
物をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、
目的物を得ることができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の前記一般式（Ｉ）で示される化
合物は、取扱いが容易でしかもアルコールとの反応にお
いて原料のアルコール２分子からなるカーボネート化合
物を副生することなく、水酸基を保護できる。また、メ
ルカプト基、アミノ基等の保護剤として、また、カルボ
キシル基の活性エステル化剤としても有用である。
合物は、取扱いが容易でしかもアルコールとの反応にお
いて原料のアルコール２分子からなるカーボネート化合
物を副生することなく、水酸基を保護できる。また、メ
ルカプト基、アミノ基等の保護剤として、また、カルボ
キシル基の活性エステル化剤としても有用である。
【００４３】
【実施例】本発明を具体的に説明するため、以下、実施
例を掲げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
例を掲げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【００４４】実施例１ １００ｍｌの茄子型フラスコに、２，４−ペンタンジオ
ン１．１０ｇ（１１ｍｍｏｌ）、４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジン０．２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、
塩化メチレン３０ｍｌに溶解させる。この反応溶液にジ
−ｔ−ブチルジカーボネート２．１８ｇ（１０ｍｍｏ
ｌ）を滴下し、室温下、３時間攪拌する。
ン１．１０ｇ（１１ｍｍｏｌ）、４−Ｎ，Ｎ−ジメチル
アミノピリジン０．２４ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を加え、
塩化メチレン３０ｍｌに溶解させる。この反応溶液にジ
−ｔ−ブチルジカーボネート２．１８ｇ（１０ｍｍｏ
ｌ）を滴下し、室温下、３時間攪拌する。
【００４５】反応終了後、塩化メチレンを留去し、残さ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離精
製すると、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−ペ
ンテン−２−オンを１．７０ｇ（収率８５．０％）得
た。
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって分離精
製すると、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−ペ
ンテン−２−オンを１．７０ｇ（収率８５．０％）得
た。
【００４６】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５９．７２％、Ｈ８．２４％で
あって組成式Ｃ10Ｈ16Ｏ4（２００．２３）に対する計
算値であるＣ５９．９８％、Ｈ８．０６％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２０１に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５９．７２％、Ｈ８．２４％で
あって組成式Ｃ10Ｈ16Ｏ4（２００．２３）に対する計
算値であるＣ５９．９８％、Ｈ８．０６％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２０１に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００４７】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００４８】
【化９】
【００４９】１．５３ｐｐｍにプロトン九個分の一重線
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンに相当した。
２．２２ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、
（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３３ｐｐｍに
プロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロト
ンに相当した。６．１８ｐｐｍにプロトン一個分の一重
線を示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンに相当した。
２．２２ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、
（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３３ｐｐｍに
プロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロト
ンに相当した。６．１８ｐｐｍにプロトン一個分の一重
線を示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
【００５０】上記の結果から、単離生成物が４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンであ
ることが明らかになった。
トキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンであ
ることが明らかになった。
【００５１】実施例２ ２，４−ペンタンジオンに代えて、３−オキソブタン酸
メチルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸メチルを１．９２ｇ（収率８８．８％）得
た。
メチルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸メチルを１．９２ｇ（収率８８．８％）得
た。
【００５２】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６１ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５５．３８％、Ｈ７．６６％で
あって組成式Ｃ10Ｈ16Ｏ5（２１６．２３）に対する計
算値であるＣ５５．５５％、Ｈ７．４６％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２１７に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７６１ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５５．３８％、Ｈ７．６６％で
あって組成式Ｃ10Ｈ16Ｏ5（２１６．２３）に対する計
算値であるＣ５５．５５％、Ｈ７．４６％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２１７に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００５３】
【化１０】
【００５４】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５２
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３８ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。３．７０ｐｐｍにプロトン三個分の二重線を
示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。６．７８ｐ
ｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチン
プロトンに相当した。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５２
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３８ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。３．７０ｐｐｍにプロトン三個分の二重線を
示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。６．７８ｐ
ｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチン
プロトンに相当した。
【００５５】上記の結果から、単離生成物が３−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチルであるこ
とが明らかになった。
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸メチルであるこ
とが明らかになった。
【００５６】実施例３ ２，４−ペンタンジオンに代えて、Ｎ，Ｎ−ジメチル−
３−オキソブタン酸アミドを用いた以外は、実施例１と
同様な操作を行った。その結果、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド
を２．０７ｇ（収率９０．５％）得た。
３−オキソブタン酸アミドを用いた以外は、実施例１と
同様な操作を行った。その結果、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸アミド
を２．０７ｇ（収率９０．５％）得た。
【００５７】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５７．７１％、Ｈ８．２２％、
Ｎ６．２８％であって組成式Ｃ11Ｈ19Ｎ1Ｏ4（２２９．
２７）に対する計算値であるＣ５７．６３％、Ｈ８．３
５％、Ｎ６．１１％に良く一致した。また、質量スペク
トル（ＣＩ法）を測定した結果、ｍ／ｅ２３０に（Ｍ＋
１）+に対応するピークを示した。
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５７．７１％、Ｈ８．２２％、
Ｎ６．２８％であって組成式Ｃ11Ｈ19Ｎ1Ｏ4（２２９．
２７）に対する計算値であるＣ５７．６３％、Ｈ８．３
５％、Ｎ６．１１％に良く一致した。また、質量スペク
トル（ＣＩ法）を測定した結果、ｍ／ｅ２３０に（Ｍ＋
１）+に対応するピークを示した。
【００５８】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００５９】
【化１１】
【００６０】１．５２ｐｐｍにプロトン九個分の一重線
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンに相当した。
２．２２ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、
（ｂ）のメチルプロトンに相当した。２．９９ｐｐｍと
３．０５ｐｐｍにプロトン六個分の二重線を示し、
（ｄ）、（ｅ）のメチルプロトンに相当した。６．００
ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ンプロトンに相当した。
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンに相当した。
２．２２ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、
（ｂ）のメチルプロトンに相当した。２．９９ｐｐｍと
３．０５ｐｐｍにプロトン六個分の二重線を示し、
（ｄ）、（ｅ）のメチルプロトンに相当した。６．００
ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ンプロトンに相当した。
【００６１】上記の結果から、単離生成物がＮ，Ｎ−ジ
メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸アミドであることが明らかになった。
メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテ
ン酸アミドであることが明らかになった。
【００６２】実施例４ ２，４−ペンタンジオンに代えて、１，３−シクロヘキ
サンジオンを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−
２−シクロヘキセン−１−オンを１．６６ｇ（収率７
８．３％）得た。
サンジオンを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−
２−シクロヘキセン−１−オンを１．６６ｇ（収率７
８．３％）得た。
【００６３】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６４ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６２．１３％、Ｈ７．８３％で
あって組成式Ｃ11Ｈ16Ｏ4（２１２．２５）に対する計
算値であるＣ６２．２５％、Ｈ７．６０％に良く一致し
た。また、質量スペクトルを測定した結果、ｍ／ｅ２１
３に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示した。
結果、１７６４ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６２．１３％、Ｈ７．８３％で
あって組成式Ｃ11Ｈ16Ｏ4（２１２．２５）に対する計
算値であるＣ６２．２５％、Ｈ７．６０％に良く一致し
た。また、質量スペクトルを測定した結果、ｍ／ｅ２１
３に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示した。
【００６４】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００６５】
【化１２】
【００６６】１．５２ｐｐｍにプロトン九個分の一重線
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンであった。
２．００〜２．１０ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を
示し（ｃ）のメチレンプロトンに相当した。２．３２〜
２．４４ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を示し、
（ｂ）のメチレンプロトンに相当した。２．５０〜２．
６１ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を示し、（ｄ）の
メチレンプロトンに相当した。
を示し、（ａ）のｔ−ブチル基のプロトンであった。
２．００〜２．１０ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を
示し（ｃ）のメチレンプロトンに相当した。２．３２〜
２．４４ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を示し、
（ｂ）のメチレンプロトンに相当した。２．５０〜２．
６１ｐｐｍにプロトン二個分の多重線を示し、（ｄ）の
メチレンプロトンに相当した。
【００６７】上記の結果から、単離生成物が３−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オ
ンであることが明らかになった。
トキシカルボニルオキシ−２−シクロヘキセン−１−オ
ンであることが明らかになった。
【００６８】実施例５ ジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代えて、ジメチルジカ
ーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、４−メトキシカルボニルオキシ−３−
ペンテン−２−オンを１．２６ｇ（収率７９．９％）得
た。
ーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、４−メトキシカルボニルオキシ−３−
ペンテン−２−オンを１．２６ｇ（収率７９．９％）得
た。
【００６９】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５３．０２％、Ｈ８．００％で
あって組成式Ｃ7Ｈ10Ｏ4（１５８．１５）に対する計算
値であるＣ５３．１６％、Ｈ６．３７％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ１５９に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７５９ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５３．０２％、Ｈ８．００％で
あって組成式Ｃ7Ｈ10Ｏ4（１５８．１５）に対する計算
値であるＣ５３．１６％、Ｈ６．３７％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ１５９に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００７０】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００７１】
【化１３】
【００７２】２．２４ｐｐｍにプロトン三個分の一重線
を示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチ
ルプロトンに相当した。３．８０ｐｐｍにプロトン三個
分の一重線を示し、（ａ）のメチルプロトンに相当し
た。６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、
（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
を示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチ
ルプロトンに相当した。３．８０ｐｐｍにプロトン三個
分の一重線を示し、（ａ）のメチルプロトンに相当し
た。６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、
（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
【００７３】上記の結果から、単離生成物が４−メトキ
シカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンであるこ
とが明らかになった。
シカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンであるこ
とが明らかになった。
【００７４】実施例６ ジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代えて、ジアリルジカ
ーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、４−アリルオキシカルボニルオキシ−
３−ペンテン−２−オンを１．２５ｇ（収率６８．１
％）得た。
ーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行
った。その結果、４−アリルオキシカルボニルオキシ−
３−ペンテン−２−オンを１．２５ｇ（収率６８．１
％）得た。
【００７５】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５８．４７％、Ｈ６．７０％で
あって組成式Ｃ9Ｈ12Ｏ4（１８４．１９）に対する計算
値であるＣ５８．６９％、Ｈ６．５７％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ１８５に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ５８．４７％、Ｈ６．７０％で
あって組成式Ｃ9Ｈ12Ｏ4（１８４．１９）に対する計算
値であるＣ５８．６９％、Ｈ６．５７％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ１８５に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００７６】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００７７】
【化１４】
【００７８】２．２４ｐｐｍにプロトン三個分の一重線
を示し、（ｆ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｄ）のメチ
ルプロトンに相当した。４．５０〜４．６５ｐｐｍにプ
ロトン二個分の多重線を示し、（ｃ）のメチレンプロト
ンに相当した。５．１５〜５．２５ｐｐｍにプロトン一
個分の多重線を示し、（ｂ）のメチンプロトンに相当し
た。５．３０〜６．２０ｐｐｍにプロトン二個分の多重
線を示し、（ａ）のメチレンプロトンに相当した。６．
１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｅ）の
メチンプロトンに相当した。
を示し、（ｆ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｄ）のメチ
ルプロトンに相当した。４．５０〜４．６５ｐｐｍにプ
ロトン二個分の多重線を示し、（ｃ）のメチレンプロト
ンに相当した。５．１５〜５．２５ｐｐｍにプロトン一
個分の多重線を示し、（ｂ）のメチンプロトンに相当し
た。５．３０〜６．２０ｐｐｍにプロトン二個分の多重
線を示し、（ａ）のメチレンプロトンに相当した。６．
１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｅ）の
メチンプロトンに相当した。
【００７９】上記の結果から、単離生成物が４−アリル
オシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンである
ことが明らかになった。
オシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンである
ことが明らかになった。
【００８０】実施例７ ジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代えて、ジフェニルジ
カーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を
行った。その結果、４−フェニルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オンを１．１０ｇ（収率５０．
０％）得た。
カーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を
行った。その結果、４−フェニルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オンを１．１０ｇ（収率５０．
０％）得た。
【００８１】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６４ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６５．１９％、Ｈ５．７０％で
あって組成式Ｃ12Ｈ12Ｏ4（２２０．２２）に対する計
算値であるＣ６５．４５％、Ｈ５．４９％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２２１に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７６４ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６５．１９％、Ｈ５．７０％で
あって組成式Ｃ12Ｈ12Ｏ4（２２０．２２）に対する計
算値であるＣ６５．４５％、Ｈ５．４９％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２２１に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００８２】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００８３】
【化１５】
【００８４】２．２３ｐｐｍにプロトン三個分の一重線
を示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３５
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチ
ルプロトンに相当した。３．８０ｐｐｍにプロトン三個
分の一重線を示し、６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の
一重線を示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
７．０８〜７．５０ｐｐｍにプロトン五個分の多重線を
示し、（ａ）のベンゼン環のプロトンに相当した。
を示し、（ｄ）のメチルプロトンに相当した。２．３５
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチ
ルプロトンに相当した。３．８０ｐｐｍにプロトン三個
分の一重線を示し、６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の
一重線を示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。
７．０８〜７．５０ｐｐｍにプロトン五個分の多重線を
示し、（ａ）のベンゼン環のプロトンに相当した。
【００８５】上記の結果から、単離生成物が４−フェニ
ルオキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンで
あることが明らかになった。
ルオキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンで
あることが明らかになった。
【００８６】実施例８ ジ−ｔ−ブチルジカーボネートに代えて、ジベンジルジ
カーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を
行った。その結果、４−ベンジルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オンを１．１４ｇ（収率４８．
８％）得た。
カーボネートを用いた以外は、実施例１と同様な操作を
行った。その結果、４−ベンジルオキシカルボニルオキ
シ−３−ペンテン−２−オンを１．１４ｇ（収率４８．
８％）得た。
【００８７】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６６．４８％、Ｈ６．２１％で
あって組成式Ｃ13Ｈ14Ｏ4（２３４．２５）に対する計
算値であるＣ６６．６６％、Ｈ６．０２％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２３５に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６６．４８％、Ｈ６．２１％で
あって組成式Ｃ13Ｈ14Ｏ4（２３４．２５）に対する計
算値であるＣ６６．６６％、Ｈ６．０２％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２３５に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００８８】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。
【００８９】
【化１６】
【００９０】２．２４ｐｐｍにプロトン三個分の一重線
を示し、（ｅ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ルプロトンに相当した。５．１１ｐｐｍにプロトン二個
分の一重線を示し、（ｂ）のメチレンプロトンに相当し
た。６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、
（ｄ）のメチンプロトンに相当した。７．３４ｐｐｍに
プロトン五個分の一重線を示し、（ａ）のベンゼン環の
プロトンに相当した。
を示し、（ｅ）のメチルプロトンに相当した。２．３３
ｐｐｍにプロトン三個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ルプロトンに相当した。５．１１ｐｐｍにプロトン二個
分の一重線を示し、（ｂ）のメチレンプロトンに相当し
た。６．１７ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、
（ｄ）のメチンプロトンに相当した。７．３４ｐｐｍに
プロトン五個分の一重線を示し、（ａ）のベンゼン環の
プロトンに相当した。
【００９１】上記の結果から、単離生成物が４−ベンジ
ルオキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンで
あることが明らかになった。
ルオキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２−オンで
あることが明らかになった。
【００９２】実施例９ ２，４−ペンタンジオンに代えて、３−オキソブタン酸
フェニルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸フェニルを２．３８ｇ（収率８５．５％）得
た。
フェニルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸フェニルを２．３８ｇ（収率８５．５％）得
た。
【００９３】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６１ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６４．８０％、Ｈ７．３８％で
あって組成式Ｃ15Ｈ18Ｏ5（２７８．３０）に対する計
算値であるＣ６４．７４％、Ｈ６．５２％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２７９に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
結果、１７６１ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６４．８０％、Ｈ７．３８％で
あって組成式Ｃ15Ｈ18Ｏ5（２７８．３０）に対する計
算値であるＣ６４．７４％、Ｈ６．５２％に良く一致し
た。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結果、
ｍ／ｅ２７９に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示し
た。
【００９４】
【化１７】
【００９５】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５２
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３８ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。６．７８ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を
示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。７．００〜
７．５０ｐｐｍにプロトン五個分の多重線を示し、
（ｄ）のベンゼン環のプロトンに相当した。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５２
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３８ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。６．７８ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を
示し、（ｃ）のメチンプロトンに相当した。７．００〜
７．５０ｐｐｍにプロトン五個分の多重線を示し、
（ｄ）のベンゼン環のプロトンに相当した。
【００９６】上記の結果から、単離生成物が３−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニルである
ことが明らかになった。
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニルである
ことが明らかになった。
【００９７】実施例１０ ２，４−ペンタンジオンに代えて、３−オキソブタン酸
ベンジルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸ベンジルを２．５４ｇ（収率８７．０％）得
た。
ベンジルを用いた以外は、実施例１と同様な操作を行っ
た。その結果、３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２
−ブテン酸ベンジルを２．５４ｇ（収率８７．０％）得
た。
【００９８】このものの赤外吸収スペクトルを測定した
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６５．５９８％、Ｈ６．７６％
であって組成式Ｃ16Ｈ20Ｏ5（２９２．３３）に対する
計算値であるＣ６５．７４％、Ｈ６．９０％に良く一致
した。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結
果、ｍ／ｅ２９３に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示
した。
結果、１７６０ｃｍ-1にカルボニル基に基づく吸収を得
た。その元素分析値はＣ６５．５９８％、Ｈ６．７６％
であって組成式Ｃ16Ｈ20Ｏ5（２９２．３３）に対する
計算値であるＣ６５．７４％、Ｈ６．９０％に良く一致
した。また、質量スペクトル（ＣＩ法）を測定した結
果、ｍ／ｅ２９３に（Ｍ＋１）+に対応するピークを示
した。
【００９９】
【化１８】
【０１００】さらに、1Ｈ−核磁気共鳴スペクトル
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５５
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３７ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。５．１４ｐｐｍにプロトン二個分の一重線を
示し、（ｄ）のメチレンプロトンに相当した。６．７８
ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ンプロトンに相当した。７．４０ｐｐｍにプロトン五個
分の一重線を示し、（ｅ）のベンゼン環のプロトンに相
当した。
（δ：ｐｐｍ：テトラメチルシラン基準；重クロロホル
ム溶媒）を測定した結果は次の通りであった。１．５５
ｐｐｍにプロトン九個分の一重線を示し、（ａ）のｔ−
ブチル基のプロトンに相当した。２．３７ｐｐｍにプロ
トン三個分の一重線を示し、（ｂ）のメチルプロトンに
相当した。５．１４ｐｐｍにプロトン二個分の一重線を
示し、（ｄ）のメチレンプロトンに相当した。６．７８
ｐｐｍにプロトン一個分の一重線を示し、（ｃ）のメチ
ンプロトンに相当した。７．４０ｐｐｍにプロトン五個
分の一重線を示し、（ｅ）のベンゼン環のプロトンに相
当した。
【０１０１】上記の結果から、単離生成物が３−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジルである
ことが明らかになった。
トキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジルである
ことが明らかになった。
【０１０２】実施例１１〜２２ 表１に示したカルボニル化合物、塩基及び有機溶媒を用
いた以外は実施例１と同様な操作を行った。その結果を
表１に示した。得られた化合物は、元素分析、1Ｈ−核
磁気共鳴スペクトル、質量スペクトル及び赤外吸収スペ
クトルを測定した。
いた以外は実施例１と同様な操作を行った。その結果を
表１に示した。得られた化合物は、元素分析、1Ｈ−核
磁気共鳴スペクトル、質量スペクトル及び赤外吸収スペ
クトルを測定した。
【０１０３】その結果、実施例１１、１２、１３は実施
例１と同様の４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−
ペンテン−２−オンであり、実施例１４、１５は実施例
２と同様の３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸メチルであり、実施例１６、１７は実施例３と同
様のＮ，Ｎ−ジメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ−２−ブテン酸アミドであり、実施例１８、１９、
２０は実施例４と同様の３−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ−２−シクロヘキセン−１−オンであることが確認
できた。また、実施例２１は実施例９と同様の３−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニルであ
り、実施例２２は実施例１０と同様の３−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジルでありことが
確認できた。
例１と同様の４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−
ペンテン−２−オンであり、実施例１４、１５は実施例
２と同様の３−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−２−ブ
テン酸メチルであり、実施例１６、１７は実施例３と同
様のＮ，Ｎ−ジメチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ−２−ブテン酸アミドであり、実施例１８、１９、
２０は実施例４と同様の３−ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ−２−シクロヘキセン−１−オンであることが確認
できた。また、実施例２１は実施例９と同様の３−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシ−２−ブテン酸フェニルであ
り、実施例２２は実施例１０と同様の３−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシ−２−ブテン酸ベンジルでありことが
確認できた。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】用途例１ 実施例１で合成した４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
−３−ペンテン−２−オンで０．４０ｇ（２ｍｍｏｌ）
とフェネチルアルコール０．２７ｇ（２．２ｍｍｏ
ｌ）、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．０２４
ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を塩化メチレン１０ｍｌに溶解さ
せ、４０℃で１０時間反応させた。その後、室温に戻し
て溶媒を留去したのち、残留物をカラムクロマトグラフ
ィーによって分離、精製することによりＯ−ｔ−ブトキ
シカルボニルフェネチルアルコールを０．４１ｇ（収率
９２．０％）得た。また、この時、ジフェニルエチルカ
ーボネートの副生は全く見られなかった。
−３−ペンテン−２−オンで０．４０ｇ（２ｍｍｏｌ）
とフェネチルアルコール０．２７ｇ（２．２ｍｍｏ
ｌ）、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．０２４
ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を塩化メチレン１０ｍｌに溶解さ
せ、４０℃で１０時間反応させた。その後、室温に戻し
て溶媒を留去したのち、残留物をカラムクロマトグラフ
ィーによって分離、精製することによりＯ−ｔ−ブトキ
シカルボニルフェネチルアルコールを０．４１ｇ（収率
９２．０％）得た。また、この時、ジフェニルエチルカ
ーボネートの副生は全く見られなかった。
【０１０６】用途例２〜２６ 表１に記載したカーボネート化合物とアルコールを用途
例１と同様な操作を行った。その結果を、表１に記載し
た。また、この時、ジフェニルエチルカーボネートの副
生は全く見られなかった。
例１と同様な操作を行った。その結果を、表１に記載し
た。また、この時、ジフェニルエチルカーボネートの副
生は全く見られなかった。
【０１０７】
【表２】
【０１０８】比較用途例１ ４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−３−ペンテン−２
−オンに代えてジ−ｔ−ブチルジカーボネートを用い
た、反応を室温で行った以外は、用途例１と同様の反応
を行った。その結果、Ｏ−ｔ−ブトキシカルボニルフェ
ネチルアルコールの生成は、０．２７ｇ（収率６１．５
％）に留まり、さらにジフェニルエチルカーボネート
が、０．１７ｇ（収率３１．４％）生成した。
−オンに代えてジ−ｔ−ブチルジカーボネートを用い
た、反応を室温で行った以外は、用途例１と同様の反応
を行った。その結果、Ｏ−ｔ−ブトキシカルボニルフェ
ネチルアルコールの生成は、０．２７ｇ（収率６１．５
％）に留まり、さらにジフェニルエチルカーボネート
が、０．１７ｇ（収率３１．４％）生成した。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【化２】 （但し、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はアルキル基、ア
ルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基
を有しても良いアラルキル基、置換基を有しても良いア
リールオキシ基、置換基を有しても良いアラルキルオキ
シ基または置換基を有しても良いアミノ基であり、Ｒ2
及びＲ3は一緒になって環を形成してもよい。）で示さ
れるカルボニル化合物と、下記一般式（III）
ルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基
を有しても良いアラルキル基、置換基を有しても良いア
リールオキシ基、置換基を有しても良いアラルキルオキ
シ基または置換基を有しても良いアミノ基であり、Ｒ2
及びＲ3は一緒になって環を形成してもよい。）で示さ
れるカルボニル化合物と、下記一般式（III）
【化３】 （但し、Ｒ1は、アルキル基、アリール基、アルケニル
基またはアラルキル基である。）で示されるジカーボネ
ート化合物とを塩基存在下で反応させることを特徴とす
る請求項１記載のカーボネート化合物の製造方法。
基またはアラルキル基である。）で示されるジカーボネ
ート化合物とを塩基存在下で反応させることを特徴とす
る請求項１記載のカーボネート化合物の製造方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (2)
- 【請求項１】下記式（Ｉ） 【化１】 （但し、Ｒ1はアルキル基、置換基を有しても良いアリ
ール基、アルケニル基または置換基を有しても良いアラ
ルキル基であり、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はアルキ
ル基、アルコキシ基、置換基を有しても良いアリール
基、置換基を有しても良いアラルキル基、置換基を有し
ても良いアリールオキシ基、置換基を有しても良いアラ
ルキルオキシ基または置換基を有しても良いアミノ基で
あり、Ｒ2及びＲ3は一緒になって環を形成してもよ
い。）で示されるカーボネート化合物。 - 【請求項２】下記一般式（II） 【化２】 （但し、Ｒ2はアルキル基であり、Ｒ3はアルキル基、ア
ルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基
を有しても良いアラルキル基、置換基を有しても良いア
リールオキシ基、置換基を有しても良いアラルキルオキ
シ基または置換基を有しても良いアミノ基であり、Ｒ2
及びＲ3は一緒になって環を形成してもよい。）で示さ
れるカルボニル化合物と、下記一般式（III） 【化３】 （但し、Ｒ1は、アルキル基、アリール基、アルケニル
基またはアラルキル基である。）で示されるジカーボネ
ート化合物とを塩基存在化で反応させることを特徴とす
る請求項１記載のカーボネート化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173232A JPH0920728A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | カーボネート化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173232A JPH0920728A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | カーボネート化合物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920728A true JPH0920728A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15956604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173232A Withdrawn JPH0920728A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | カーボネート化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0920728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1084802C (zh) * | 1996-06-07 | 2002-05-15 | 拜尔公司 | 具有压力补偿的电化学半池 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP7173232A patent/JPH0920728A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1084802C (zh) * | 1996-06-07 | 2002-05-15 | 拜尔公司 | 具有压力补偿的电化学半池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040303 |