JPH09209133A - マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット - Google Patents
マグネトロンスパッタリング用ＴｉターゲットInfo
- Publication number
- JPH09209133A JPH09209133A JP1401696A JP1401696A JPH09209133A JP H09209133 A JPH09209133 A JP H09209133A JP 1401696 A JP1401696 A JP 1401696A JP 1401696 A JP1401696 A JP 1401696A JP H09209133 A JPH09209133 A JP H09209133A
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- Japan
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- target
- hardness
- erosion
- magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期に亘ってパーティクルの少ない成膜形成
が可能なマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット
を提供する。 【解決手段】 Ｔｉターゲットのスパッタ面中央部およ
び外周縁部の非エロージョン部に、平均直径：５０〜３
００μｍ、平均深さ：５０〜３００μｍの寸法を有する
窪みが２０〜８０％の占有面積率で分布しかつ窪みの底
面の硬さが非エロージョン部のスパッタ表面の硬さに比
べて５〜５０％の硬度差を有することを特徴とする。
が可能なマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット
を提供する。 【解決手段】 Ｔｉターゲットのスパッタ面中央部およ
び外周縁部の非エロージョン部に、平均直径：５０〜３
００μｍ、平均深さ：５０〜３００μｍの寸法を有する
窪みが２０〜８０％の占有面積率で分布しかつ窪みの底
面の硬さが非エロージョン部のスパッタ表面の硬さに比
べて５〜５０％の硬度差を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、長期に亘ってパ
ーティクルの少ない成膜が可能なマグネトロンスパッタ
リング用Ｔｉターゲットに関するものである。
ーティクルの少ない成膜が可能なマグネトロンスパッタ
リング用Ｔｉターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、雰囲気ガスとしてＮ2 やＯ2 な
どの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マグネッ
トによりＴｉターゲットの表面に垂直方向の磁界を印加
しながら前記Ｔｉターゲット表面をスパッタしてＳｉウ
エハなど基体の表面にＴｉＮ膜などのスパッタ膜を形成
するマグネトロンスパッタリング法は知られている。こ
のＴｉターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング
を行うと、Ｔｉターゲットのスパッタ面は中央部および
外周縁部を除くリング部分が溶融し、中央部および外周
縁部は溶融されない。Ｔｉターゲットのスパッタ面の溶
融されない中央部および外周縁部を、通常、非エロージ
ョン部と称し、Ｔｉターゲットのスパッタ面の中央部と
外周縁部で挟まれた溶融する部分を、通常、エロージョ
ン部と称している。マグネトロンスパッタリング中に前
記非エロージョン部は溶融しないため、その部分にＴｉ
Ｎなどのスパッタ堆積膜が形成され、この非エロージョ
ン部に形成されたスパッタ堆積膜が剥離脱落してＳｉウ
エハなどの基板上に直径：０．３μｍ以上の粗大なパー
ティクルが生ずると言われている。
どの反応性ガスを用いてプラズマを発生させ、マグネッ
トによりＴｉターゲットの表面に垂直方向の磁界を印加
しながら前記Ｔｉターゲット表面をスパッタしてＳｉウ
エハなど基体の表面にＴｉＮ膜などのスパッタ膜を形成
するマグネトロンスパッタリング法は知られている。こ
のＴｉターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング
を行うと、Ｔｉターゲットのスパッタ面は中央部および
外周縁部を除くリング部分が溶融し、中央部および外周
縁部は溶融されない。Ｔｉターゲットのスパッタ面の溶
融されない中央部および外周縁部を、通常、非エロージ
ョン部と称し、Ｔｉターゲットのスパッタ面の中央部と
外周縁部で挟まれた溶融する部分を、通常、エロージョ
ン部と称している。マグネトロンスパッタリング中に前
記非エロージョン部は溶融しないため、その部分にＴｉ
Ｎなどのスパッタ堆積膜が形成され、この非エロージョ
ン部に形成されたスパッタ堆積膜が剥離脱落してＳｉウ
エハなどの基板上に直径：０．３μｍ以上の粗大なパー
ティクルが生ずると言われている。
【０００３】マグネトロンスパッタリング法を実施する
ためのマグネトロンスパッタリング装置は、近年、ます
ます大型化および高性能化し、これに伴ないスパッタ条
件は一段と苛酷さを増す状況にあるが、上記の従来Ｔｉ
ターゲットを一段と苛酷な条件下でスパッタを行うと、
一層短時間の操業で成膜中に直径：０．３μｍ以上の粗
大なパーティクルが多数発生し、このため、Ｔｉターゲ
ットの頻繁な交換を必要とするところから、スパッタリ
ングの操業効率はかえって低下することがあった。
ためのマグネトロンスパッタリング装置は、近年、ます
ます大型化および高性能化し、これに伴ないスパッタ条
件は一段と苛酷さを増す状況にあるが、上記の従来Ｔｉ
ターゲットを一段と苛酷な条件下でスパッタを行うと、
一層短時間の操業で成膜中に直径：０．３μｍ以上の粗
大なパーティクルが多数発生し、このため、Ｔｉターゲ
ットの頻繁な交換を必要とするところから、スパッタリ
ングの操業効率はかえって低下することがあった。
【０００４】これを改善するために、スパッタ面の平面
リング状のエロージョン部の表面粗さを０．１〜１μｍ
Ｒａ（中心線平均粗さ）とし、残りのスパッタ面の中央
部および外周縁部で構成された非エロージョン部の表面
粗さをエロージョン部の表面粗さよりも粗い２〜５μｍ
Ｒａにしたマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲッ
トが提案されている。すなわち、Ｔｉターゲットの非エ
ロージョン部の表面粗さを通常よりも粗い２〜５μｍＲ
ａに加工して、非エロージョン部に付着したＴｉＮなど
の堆積膜が剥離脱落しないようにしっかりと付着させ、
粗大パーティクルが発生するのを抑制したのである。そ
して上記非エロージョン部における外周縁部の角部をＲ
加工面とすることにより粗大パーティクルの発生がさら
に防止されるとしている（特開平６−３０６５９２公報
参照）
リング状のエロージョン部の表面粗さを０．１〜１μｍ
Ｒａ（中心線平均粗さ）とし、残りのスパッタ面の中央
部および外周縁部で構成された非エロージョン部の表面
粗さをエロージョン部の表面粗さよりも粗い２〜５μｍ
Ｒａにしたマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲッ
トが提案されている。すなわち、Ｔｉターゲットの非エ
ロージョン部の表面粗さを通常よりも粗い２〜５μｍＲ
ａに加工して、非エロージョン部に付着したＴｉＮなど
の堆積膜が剥離脱落しないようにしっかりと付着させ、
粗大パーティクルが発生するのを抑制したのである。そ
して上記非エロージョン部における外周縁部の角部をＲ
加工面とすることにより粗大パーティクルの発生がさら
に防止されるとしている（特開平６−３０６５９２公報
参照）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平６−３０６
５９２公報記載のマグネトロンスパッタリング用Ｔｉタ
ーゲットは、確かに粗大パーティクルの発生が少なく、
優れたＴｉターゲットであるが、出力：１０ＫＷを越え
る高出力スパッタリングに対しては、スパッタ中の加熱
冷却の熱サイクルが激しく、そのためにターゲットの非
エロージョン部に堆積した付着膜が剥離し脱落し、それ
による粗大パーティクルの発生は避けられず、これが原
因で使用寿命に至るのが現状であった。
５９２公報記載のマグネトロンスパッタリング用Ｔｉタ
ーゲットは、確かに粗大パーティクルの発生が少なく、
優れたＴｉターゲットであるが、出力：１０ＫＷを越え
る高出力スパッタリングに対しては、スパッタ中の加熱
冷却の熱サイクルが激しく、そのためにターゲットの非
エロージョン部に堆積した付着膜が剥離し脱落し、それ
による粗大パーティクルの発生は避けられず、これが原
因で使用寿命に至るのが現状であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述のような観点から、出力：１０ＫＷを越える高出力
スパッタリングを行っても成膜中の粗大パーティクルの
発生が少ないマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲ
ットを開発すべく研究を行なった結果、Ｔｉターゲット
のスパッタ面の非エロージョン部に形成された窪みの平
均直径を５０〜３００μｍ、平均深さを５０〜３００μ
ｍ、窪みの占有面積率を２０〜８０％、窪みの底面の硬
度と非エロージョン部表面の硬度の差が５〜５０％とな
るように調整することのより、粗大パーティクルの発生
を阻止する効果が一層向上するという研究結果が得られ
たのである。
上述のような観点から、出力：１０ＫＷを越える高出力
スパッタリングを行っても成膜中の粗大パーティクルの
発生が少ないマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲ
ットを開発すべく研究を行なった結果、Ｔｉターゲット
のスパッタ面の非エロージョン部に形成された窪みの平
均直径を５０〜３００μｍ、平均深さを５０〜３００μ
ｍ、窪みの占有面積率を２０〜８０％、窪みの底面の硬
度と非エロージョン部表面の硬度の差が５〜５０％とな
るように調整することのより、粗大パーティクルの発生
を阻止する効果が一層向上するという研究結果が得られ
たのである。
【０００７】この発明は、上記の研究結果にもとづいて
なされたものであって、Ｔｉターゲットのスパッタ面中
央部および外周縁部の非エロージョン部に、平均直径：
５０〜３００μｍ、平均深さ：５０〜３００μｍの寸法
を有する窪みが２０〜８０％の占有面積率で分布しかつ
窪みの底面の硬さと非エロージョン部表面の硬さの差が
５〜５０％の硬度差を有するマグネトロンスパッタリン
グ用Ｔｉターゲットに特徴を有するものである。この発
明のマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲットの非
エロージョン部に形成される窪みは、平均直径：１００
〜２００μｍ、平均深さ：１００〜２００μｍの寸法を
有する窪みが４０〜６０％の占有面積率で分布しかつ窪
みの底面の硬さと非エロージョン部表面の硬さの硬度差
が２０〜５０％のを有することが一層好ましい。
なされたものであって、Ｔｉターゲットのスパッタ面中
央部および外周縁部の非エロージョン部に、平均直径：
５０〜３００μｍ、平均深さ：５０〜３００μｍの寸法
を有する窪みが２０〜８０％の占有面積率で分布しかつ
窪みの底面の硬さと非エロージョン部表面の硬さの差が
５〜５０％の硬度差を有するマグネトロンスパッタリン
グ用Ｔｉターゲットに特徴を有するものである。この発
明のマグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲットの非
エロージョン部に形成される窪みは、平均直径：１００
〜２００μｍ、平均深さ：１００〜２００μｍの寸法を
有する窪みが４０〜６０％の占有面積率で分布しかつ窪
みの底面の硬さと非エロージョン部表面の硬さの硬度差
が２０〜５０％のを有することが一層好ましい。
【０００８】この発明のＴｉターゲットにおいて、非エ
ロージョン部に、平均直径：５０〜３００μｍ、平均深
さ：５０〜３００μｍの寸法を有する窪みが２０〜８０
％の占有面積率で分布しかつ窪みの底面の硬さと非エロ
ージョン部表面の硬さとの硬度差が５〜５０％となるよ
うな窪みを形成すると、従来よりも一層成膜中の粗大パ
ーティクルの発生が少なくなる理由として、窪みの直径
および深さの寸法を上記の如く調整し、さらに窪みの占
有面積率および窪みの底面の硬さを上記の如く調整する
ことにより、マグネトロンスパッタリング中の異常放電
を防止しかつ熱サイクル下のスパッタ生成堆積物をアン
カー状に強固に固着し、それによってスパッタ中にはス
パッタ生成堆積物がＴｉターゲットから剥離落下しない
ことによるものと考えられる。
ロージョン部に、平均直径：５０〜３００μｍ、平均深
さ：５０〜３００μｍの寸法を有する窪みが２０〜８０
％の占有面積率で分布しかつ窪みの底面の硬さと非エロ
ージョン部表面の硬さとの硬度差が５〜５０％となるよ
うな窪みを形成すると、従来よりも一層成膜中の粗大パ
ーティクルの発生が少なくなる理由として、窪みの直径
および深さの寸法を上記の如く調整し、さらに窪みの占
有面積率および窪みの底面の硬さを上記の如く調整する
ことにより、マグネトロンスパッタリング中の異常放電
を防止しかつ熱サイクル下のスパッタ生成堆積物をアン
カー状に強固に固着し、それによってスパッタ中にはス
パッタ生成堆積物がＴｉターゲットから剥離落下しない
ことによるものと考えられる。
【０００９】
【発明の実施の形態】ターゲットのスパッタ部材とし
て、直径：３００mm×厚さ：６．３５mmの寸法をもった
純度：９９．９９９％純Ｔｉ円板を用意し、さらに冷却
用バッキングプレートとして、直径：３５０mm×厚さ：
１５mmの寸法をもったアルミニウム合金（ＪＩＳ Ａ５
０５２）製円板を用意し、この純Ｔｉ円板をアルミニウ
ム合金製円板に拡散接合してターゲット基体を作製し
た。
て、直径：３００mm×厚さ：６．３５mmの寸法をもった
純度：９９．９９９％純Ｔｉ円板を用意し、さらに冷却
用バッキングプレートとして、直径：３５０mm×厚さ：
１５mmの寸法をもったアルミニウム合金（ＪＩＳ Ａ５
０５２）製円板を用意し、この純Ｔｉ円板をアルミニウ
ム合金製円板に拡散接合してターゲット基体を作製し
た。
【００１０】実施例１ 前記ターゲット基体の純Ｔｉ円板の非エロージョン部に
レーザを照射することにより、表１〜表２に示される平
均直径、平均深さ、占有面積率および窪みの底面の硬さ
が非エロージョン部表面の硬さに対して５〜５０％の硬
度差を有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲット１〜
１３および比較Ｔｉターゲット１〜８を作製した。な
お、これらレーザを照射により得られた本発明Ｔｉター
ゲット１〜１３および比較Ｔｉターゲット１〜８の硬度
差は、メルト部が軟化して非エロージョン部表面に比べ
て窪みの底面の硬さが小さい値を示した。
レーザを照射することにより、表１〜表２に示される平
均直径、平均深さ、占有面積率および窪みの底面の硬さ
が非エロージョン部表面の硬さに対して５〜５０％の硬
度差を有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲット１〜
１３および比較Ｔｉターゲット１〜８を作製した。な
お、これらレーザを照射により得られた本発明Ｔｉター
ゲット１〜１３および比較Ｔｉターゲット１〜８の硬度
差は、メルト部が軟化して非エロージョン部表面に比べ
て窪みの底面の硬さが小さい値を示した。
【００１１】これら本発明Ｔｉターゲット１〜１３およ
び比較Ｔｉターゲット１〜８を直流マグネトロンスパッ
タリング装置に装入し、電圧：４００Ｖ、出力：５００
Ｗ、雰囲気：Ａｒ＋Ｎ2 の気流条件下で、直径：１５０
mmの平面円形のＳｉウエハの表面に０．５μｍのＴｉＮ
成膜を形成する操作を繰り返し行ない、ＴｉＮ成膜中に
存在する直径：０．３μｍ以上のパーティクル数をパー
ティクルカウンターを用い、レーザー光を当てて観察
し、前記成膜中に前記パーティクルが５０個を越えるに
至るまでのＳｉウエハ枚数を測定した。これらの測定結
果を表１〜表２に示した。
び比較Ｔｉターゲット１〜８を直流マグネトロンスパッ
タリング装置に装入し、電圧：４００Ｖ、出力：５００
Ｗ、雰囲気：Ａｒ＋Ｎ2 の気流条件下で、直径：１５０
mmの平面円形のＳｉウエハの表面に０．５μｍのＴｉＮ
成膜を形成する操作を繰り返し行ない、ＴｉＮ成膜中に
存在する直径：０．３μｍ以上のパーティクル数をパー
ティクルカウンターを用い、レーザー光を当てて観察
し、前記成膜中に前記パーティクルが５０個を越えるに
至るまでのＳｉウエハ枚数を測定した。これらの測定結
果を表１〜表２に示した。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】 ＊印は、この発明の条件から外れた値を示す。
【００１４】実施例２ 前記ターゲット基体の純Ｔｉ円板の非エロージョン部
に、ローレット加工することにより表３〜表４に示され
る窪みの平均直径、窪みの平均深さ、窪みの占有面積率
および硬度差を有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲ
ット１４〜２６および比較Ｔｉターゲット９〜１６を作
製した。なお、これらローレット加工により得られた本
発明Ｔｉターゲット１４〜２６および比較Ｔｉターゲッ
ト９〜１６の硬度差は、非エロージョン部表面に比べて
窪みの底面の硬さが大きい値を示した。
に、ローレット加工することにより表３〜表４に示され
る窪みの平均直径、窪みの平均深さ、窪みの占有面積率
および硬度差を有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲ
ット１４〜２６および比較Ｔｉターゲット９〜１６を作
製した。なお、これらローレット加工により得られた本
発明Ｔｉターゲット１４〜２６および比較Ｔｉターゲッ
ト９〜１６の硬度差は、非エロージョン部表面に比べて
窪みの底面の硬さが大きい値を示した。
【００１５】これら本発明Ｔｉターゲット１４〜２６お
よび比較Ｔｉターゲット９〜１６を直流マグネトロンス
パッタリング装置に装入し、実施例１と同じ条件でパー
ティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエハ枚数
を測定した。これらの測定結果を表３〜表４に示した。
よび比較Ｔｉターゲット９〜１６を直流マグネトロンス
パッタリング装置に装入し、実施例１と同じ条件でパー
ティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエハ枚数
を測定した。これらの測定結果を表３〜表４に示した。
【００１６】
【表３】
【００１７】
【表４】 ＊印は、この発明の条件から外れた値を示す。
【００１８】実施例３ 前記ターゲット基体の純Ｔｉ円板の非エロージョン部
に、ＳｉＣブラスト粒子の大きさを変えてショットブラ
ストすることにより表５〜表６に示される窪みの平均直
径、窪みの平均深さ、窪みの占有面積率および硬度差を
有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲット２７〜３９
および比較Ｔｉターゲット１７〜２４を作製した。な
お、これらショットブラストにより得られた本発明Ｔｉ
ターゲット２７〜３９および比較Ｔｉターゲット１７〜
２４の硬度差は、非エロージョン部表面に比べて窪みの
底面の硬さが大きい値を示した。
に、ＳｉＣブラスト粒子の大きさを変えてショットブラ
ストすることにより表５〜表６に示される窪みの平均直
径、窪みの平均深さ、窪みの占有面積率および硬度差を
有する窪みを形成し、本発明Ｔｉターゲット２７〜３９
および比較Ｔｉターゲット１７〜２４を作製した。な
お、これらショットブラストにより得られた本発明Ｔｉ
ターゲット２７〜３９および比較Ｔｉターゲット１７〜
２４の硬度差は、非エロージョン部表面に比べて窪みの
底面の硬さが大きい値を示した。
【００１９】これら本発明Ｔｉターゲット２７〜３９お
よび比較Ｔｉターゲット１７〜２４を直流マグネトロン
スパッタリング装置に装入し、実施例１と同じ条件でパ
ーティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエハ枚
数を測定した。これらの測定結果を表５〜表６に示し
た。
よび比較Ｔｉターゲット１７〜２４を直流マグネトロン
スパッタリング装置に装入し、実施例１と同じ条件でパ
ーティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエハ枚
数を測定した。これらの測定結果を表５〜表６に示し
た。
【００２０】
【表５】
【００２１】
【表６】 ＊印は、この発明の条件から外れた値を示す。
【００２２】
【発明の効果】表１〜表６に示される結果から、ターゲ
ット基体の純Ｔｉ円板のスパッタ面の非エロージョン部
に平均直径：５０〜３００μｍ、平均深さ：５０〜３０
０μｍの寸法を有する窪みが２０〜８０％の占有面積率
で分布しかつ窪みの底面の硬さが非エロージョン部表面
の硬さに比べて５〜５０％の硬度差を有する窪みを形成
した本発明Ｔｉターゲット１〜３９は、０．３μｍ以上
のパーティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエ
ハ枚数が多く、パーティクルが発生しにくいことが分か
る。したがって、この発明のＴｉターゲットは、１０Ｋ
Ｗを越える苛酷な条件での高出力スパッタでも成膜中に
パーティクルが多発するのを長期に亘って抑制すること
ができるので、マグネトロンスパッタリング装置の大型
化および高性能化に十分満足に対応でき、長い使用寿命
を示すものである。
ット基体の純Ｔｉ円板のスパッタ面の非エロージョン部
に平均直径：５０〜３００μｍ、平均深さ：５０〜３０
０μｍの寸法を有する窪みが２０〜８０％の占有面積率
で分布しかつ窪みの底面の硬さが非エロージョン部表面
の硬さに比べて５〜５０％の硬度差を有する窪みを形成
した本発明Ｔｉターゲット１〜３９は、０．３μｍ以上
のパーティクルが５０個を越えるに至るまでのＳｉウエ
ハ枚数が多く、パーティクルが発生しにくいことが分か
る。したがって、この発明のＴｉターゲットは、１０Ｋ
Ｗを越える苛酷な条件での高出力スパッタでも成膜中に
パーティクルが多発するのを長期に亘って抑制すること
ができるので、マグネトロンスパッタリング装置の大型
化および高性能化に十分満足に対応でき、長い使用寿命
を示すものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｔｉターゲットのスパッタ面中央部およ
び外周縁部の非エロージョン部に、平均直径：５０〜３
００μｍ、平均深さ：５０〜３００μｍの寸法を有する
窪みが２０〜８０％の占有面積率で分布しかつ窪みの底
面の硬さが非エロージョン部のスパッタ表面の硬さに比
べて５〜５０％の硬度差を有することを特徴とするマグ
ネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1401696A JPH09209133A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1401696A JPH09209133A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09209133A true JPH09209133A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=11849406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1401696A Pending JPH09209133A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09209133A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6038305B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2016-12-07 | Ｊｘ金属株式会社 | バッキングプレート一体型の金属製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN106493525A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-15 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种溅射钛环的制备方法 |
| US9704695B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-07-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and manufacturing method therefor |
| WO2023008559A1 (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2024173095A (ja) * | 2023-06-01 | 2024-12-12 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1401696A patent/JPH09209133A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9704695B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-07-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and manufacturing method therefor |
| JP6038305B2 (ja) * | 2013-09-12 | 2016-12-07 | Ｊｘ金属株式会社 | バッキングプレート一体型の金属製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US9711336B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-07-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Backing plate-integrated metal sputtering target and method of producing same |
| KR20200043515A (ko) | 2013-09-12 | 2020-04-27 | 제이엑스금속주식회사 | 배킹 플레이트 일체형의 금속제 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
| CN106493525A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-03-15 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种溅射钛环的制备方法 |
| WO2023008559A1 (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2023019595A (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-09 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN117616147A (zh) * | 2021-07-29 | 2024-02-27 | 田中贵金属工业株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
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| JP2024173095A (ja) * | 2023-06-01 | 2024-12-12 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法 |
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