JPH09209155A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH09209155A JPH09209155A JP8035579A JP3557996A JPH09209155A JP H09209155 A JPH09209155 A JP H09209155A JP 8035579 A JP8035579 A JP 8035579A JP 3557996 A JP3557996 A JP 3557996A JP H09209155 A JPH09209155 A JP H09209155A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理装置に於いて、高周波電圧の漏込
みを阻止する為のローパスフィルタ装置等のフィルタボ
ックスを不要とする。 【解決手段】カソード電極６側に設けたパネルヒータ２
０を接地させ、カソード電極を絶縁物２１を介してパネ
ルヒータに設けたことにより、高周波電圧のコントロー
ラへの漏込みを防止する。
みを阻止する為のローパスフィルタ装置等のフィルタボ
ックスを不要とする。 【解決手段】カソード電極６側に設けたパネルヒータ２
０を接地させ、カソード電極を絶縁物２１を介してパネ
ルヒータに設けたことにより、高周波電圧のコントロー
ラへの漏込みを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
１つであるプラズマ処理装置に関するものである。
１つであるプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板（ウェーハ）やガラス基板
に半導体素子を形成する製造装置の１つであるプラズマ
処理装置には、例えば各種薄膜を成膜する化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によるプラズマＣＶＤ装置がある。該プ
ラズマＣＶＤ装置は、処理対象の前記基板を真空室の内
部に装入し、反応ガスを導入してプラズマを発生させ分
離した反応ガスにより、基板上に薄膜の生成処理等を行
うものである。
に半導体素子を形成する製造装置の１つであるプラズマ
処理装置には、例えば各種薄膜を成膜する化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によるプラズマＣＶＤ装置がある。該プ
ラズマＣＶＤ装置は、処理対象の前記基板を真空室の内
部に装入し、反応ガスを導入してプラズマを発生させ分
離した反応ガスにより、基板上に薄膜の生成処理等を行
うものである。
【０００３】図４及び図５に於いてプラズマＣＶＤ装置
の概略を説明する。
の概略を説明する。
【０００４】真空容器本体１の底部にはヒータ２を埋設
した下部電極側のアノード電極３が設けられ、該アノー
ド電極３には処理される基板４が載置可能であり、基板
受載台を兼ねている。前記真空容器本体１の上部には該
真空容器本体１を気密に閉塞する蓋５が固着され、前記
アノード電極３に相対向する上部電極側のカソード電極
６が絶縁物８を介して前記蓋５に設けられている。
した下部電極側のアノード電極３が設けられ、該アノー
ド電極３には処理される基板４が載置可能であり、基板
受載台を兼ねている。前記真空容器本体１の上部には該
真空容器本体１を気密に閉塞する蓋５が固着され、前記
アノード電極３に相対向する上部電極側のカソード電極
６が絶縁物８を介して前記蓋５に設けられている。
【０００５】前記カソード電極６は高周波電源９に接続
され、該高周波電源９によって高周波電圧（ＲＦ）が印
加される。カソード電極６は電極本体７及び該電極本体
７の下面に設けられたシャワープレート１０を有し、該
シャワープレート１０には反応ガスを真空容器本体１内
に分散導入する多数のシャワー孔１１が穿設されてい
る。前記電極本体７にはヒータ線３０（図６参照）が埋
設され、該電極本体７はパネルヒータとして機能し、前
記シャワープレート１０を加熱する様になっている。
され、該高周波電源９によって高周波電圧（ＲＦ）が印
加される。カソード電極６は電極本体７及び該電極本体
７の下面に設けられたシャワープレート１０を有し、該
シャワープレート１０には反応ガスを真空容器本体１内
に分散導入する多数のシャワー孔１１が穿設されてい
る。前記電極本体７にはヒータ線３０（図６参照）が埋
設され、該電極本体７はパネルヒータとして機能し、前
記シャワープレート１０を加熱する様になっている。
【０００６】前記カソード電極６と前記シャワープレー
ト１０との間にはガス溜まり１２が形成され、該ガス溜
まり１２に図示しない反応ガス供給源から反応ガス導入
路１８を介して反応ガスが供給される。反応ガスは前記
ガス溜まり１２を経てシャワープレート１０のシャワー
孔１１から真空容器本体１の内部に分散導入される。
ト１０との間にはガス溜まり１２が形成され、該ガス溜
まり１２に図示しない反応ガス供給源から反応ガス導入
路１８を介して反応ガスが供給される。反応ガスは前記
ガス溜まり１２を経てシャワープレート１０のシャワー
孔１１から真空容器本体１の内部に分散導入される。
【０００７】反応ガスを導入した状態で高周波電源９に
よってアノード電極３及びカソード電極６間に高周波電
圧が印加されると、反応ガスによるプラズマが発生す
る。プラズマにより生じた反応生成物が基板４の表面に
堆積する。反応後の反応ガスは排気管１３から排気され
る。
よってアノード電極３及びカソード電極６間に高周波電
圧が印加されると、反応ガスによるプラズマが発生す
る。プラズマにより生じた反応生成物が基板４の表面に
堆積する。反応後の反応ガスは排気管１３から排気され
る。
【０００８】処理中の基板４の温度は成膜特性を決定す
る重要な要件の１つとして制御され、基板４の温度を検
出する熱電対１４が真空容器本体１の下面に保持体１５
を介して気密に設けられている。前記熱電対１４の検出
端はアノード電極３に達し、該アノード電極３の温度検
出を介して基板４の温度を検出する。
る重要な要件の１つとして制御され、基板４の温度を検
出する熱電対１４が真空容器本体１の下面に保持体１５
を介して気密に設けられている。前記熱電対１４の検出
端はアノード電極３に達し、該アノード電極３の温度検
出を介して基板４の温度を検出する。
【０００９】斯かる従来のプラズマＣＶＤ装置の場合、
前述の様に、上部電極であるカソード電極６の電極本体
７がパネルヒータとしてシャワープレート１０を加熱
し、該シャワープレート１０に反応生成物が付着するの
を防止する構造となっており、シャワープレート１０の
温度は電極本体７に設けられた熱電対３１（図６参照）
によって検出される。その為、図６の回路図に示す様
に、前記電極本体７及び熱電対３１の各々に浮遊静電容
量Ｃ1 ，Ｃ2 が生じ、電極本体７及び熱電対３１に高周
波電圧ＶRFの高調波成分が漏込む。即ち、 ［Ｃ1 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）］・ＶRF と等価の電流が漏込み、コントローラの制御精度を低下
させる原因の１つとなる。
前述の様に、上部電極であるカソード電極６の電極本体
７がパネルヒータとしてシャワープレート１０を加熱
し、該シャワープレート１０に反応生成物が付着するの
を防止する構造となっており、シャワープレート１０の
温度は電極本体７に設けられた熱電対３１（図６参照）
によって検出される。その為、図６の回路図に示す様
に、前記電極本体７及び熱電対３１の各々に浮遊静電容
量Ｃ1 ，Ｃ2 が生じ、電極本体７及び熱電対３１に高周
波電圧ＶRFの高調波成分が漏込む。即ち、 ［Ｃ1 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）］・ＶRF と等価の電流が漏込み、コントローラの制御精度を低下
させる原因の１つとなる。
【００１０】前記高調波成分による電流の漏込みを阻止
する為に、従来のプラズマＣＶＤ装置では、特定の周波
数帯の電流を妨害なく通過させるが、他の周波数帯の電
流を減衰させ、通過を阻止するローパスフィルタ（低域
通過フィルタ：ＬＰＦ）装置等のフィルタボックス１６
を設置している。
する為に、従来のプラズマＣＶＤ装置では、特定の周波
数帯の電流を妨害なく通過させるが、他の周波数帯の電
流を減衰させ、通過を阻止するローパスフィルタ（低域
通過フィルタ：ＬＰＦ）装置等のフィルタボックス１６
を設置している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、前記フィル
タボックス１６はプラズマＣＶＤ装置に占めるスペース
が大きく、真空容器本体１を多段化する１つの障害とな
っていると共にコスト高の原因となっている。
タボックス１６はプラズマＣＶＤ装置に占めるスペース
が大きく、真空容器本体１を多段化する１つの障害とな
っていると共にコスト高の原因となっている。
【００１２】本発明は上記実情に鑑みてなしたものであ
り、ＣＶＤ法等によるプラズマ処理装置に於いて、高周
波高電圧が漏込むのを防止すると共にフィルタボックス
を不要としようとするものである。
り、ＣＶＤ法等によるプラズマ処理装置に於いて、高周
波高電圧が漏込むのを防止すると共にフィルタボックス
を不要としようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、相対向させた
１組の電極を有し、該両電極間に高周波電圧を印加させ
てプラズマを発生するプラズマ処理装置に於いて、カソ
ード電極側に設けたパネルヒータを接地させ、カソード
電極を絶縁物を介して前記パネルヒータに設け、高周波
電圧による高調波成分と等価の電流のコントローラへの
漏込みを阻止する。即ち、該漏込み電流を阻止する為に
設けられた従来のフィルタボックスは不要となり、その
分の設置スペースが削減される。
１組の電極を有し、該両電極間に高周波電圧を印加させ
てプラズマを発生するプラズマ処理装置に於いて、カソ
ード電極側に設けたパネルヒータを接地させ、カソード
電極を絶縁物を介して前記パネルヒータに設け、高周波
電圧による高調波成分と等価の電流のコントローラへの
漏込みを阻止する。即ち、該漏込み電流を阻止する為に
設けられた従来のフィルタボックスは不要となり、その
分の設置スペースが削減される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して本発
明の実施の形態について説明する。尚、従来例の図４で
示されたプラズマＣＶＤ装置の各構成部材に同一若しく
は同様のものには同一符号を付して説明する。
明の実施の形態について説明する。尚、従来例の図４で
示されたプラズマＣＶＤ装置の各構成部材に同一若しく
は同様のものには同一符号を付して説明する。
【００１５】図１に於いて、真空容器本体１の底部には
ヒータ２が埋設された下部電極のアノード電極３が設け
られ、該アノード電極３には処理される基板４が載置可
能である。真空容器本体１の上部には該真空容器本体１
を気密に閉塞する蓋５が固着され、アノード電極３と相
対向する上部電極のカソード電極６が絶縁材１９を介し
て前記蓋５に設けられている。
ヒータ２が埋設された下部電極のアノード電極３が設け
られ、該アノード電極３には処理される基板４が載置可
能である。真空容器本体１の上部には該真空容器本体１
を気密に閉塞する蓋５が固着され、アノード電極３と相
対向する上部電極のカソード電極６が絶縁材１９を介し
て前記蓋５に設けられている。
【００１６】前記カソード電極６は、該電極本体が平板
状のパネルヒータ２０として形成され、該パネルヒータ
２０にはヒータ線３０、熱電対３１が設けられ、又前記
パネルヒータ２０の下部に石英等の電気的絶縁物２１を
介してシャワープレート２２が設けられている。該シャ
ワープレート２２には反応ガスを真空容器本体１内に分
散導入する多数のシャワー孔２３が穿設されている。
状のパネルヒータ２０として形成され、該パネルヒータ
２０にはヒータ線３０、熱電対３１が設けられ、又前記
パネルヒータ２０の下部に石英等の電気的絶縁物２１を
介してシャワープレート２２が設けられている。該シャ
ワープレート２２には反応ガスを真空容器本体１内に分
散導入する多数のシャワー孔２３が穿設されている。
【００１７】前記カソード電極６側のパネルヒータ２０
と蓋５とは配線２４により電気的に接続され、該蓋５は
アース線２５で接地されている。前記パネルヒータ２０
は前記アース線２５、蓋５を介して接地されている。
又、前記シャワープレート２２は高周波電源９に接続さ
れている。該シャワープレート２２はカソード電極とし
て機能し、シャワープレート２２にはＲＦ印加部として
高周波電源９により高周波電圧（ＶRF）が印加される。
前記パネルヒータ２０のヒータ線３０への通電により絶
縁物２１が加熱され、加熱された該絶縁物２１を通し
て、間接的にシャワープレート２２を加熱する様に構成
されている。尚、前記真空容器本体１も接地されてい
る。
と蓋５とは配線２４により電気的に接続され、該蓋５は
アース線２５で接地されている。前記パネルヒータ２０
は前記アース線２５、蓋５を介して接地されている。
又、前記シャワープレート２２は高周波電源９に接続さ
れている。該シャワープレート２２はカソード電極とし
て機能し、シャワープレート２２にはＲＦ印加部として
高周波電源９により高周波電圧（ＶRF）が印加される。
前記パネルヒータ２０のヒータ線３０への通電により絶
縁物２１が加熱され、加熱された該絶縁物２１を通し
て、間接的にシャワープレート２２を加熱する様に構成
されている。尚、前記真空容器本体１も接地されてい
る。
【００１８】前記カソード電極６側のパネルヒータ２０
と前記シャワープレート２２との間はガス溜まり１２と
なっており、該ガス溜まり１２には反応ガス導入路１８
を介して図示しない反応ガス供給源から反応ガスが供給
される。反応ガスはガス溜まり１２を経てシャワープレ
ート２２のシャワー孔２３から真空容器本体１の内部に
分散導入される様になっている。反応ガスを導入した状
態で高周波電源９によってアノード電極３及びシャワー
プレート２２間に高周波電圧が印加されると、反応ガス
の電離作用によるプラズマが発生する。前記基板４の表
面に反応生成物が堆積し、薄膜が成膜される。反応後の
反応ガスは排気管１３から排気される。
と前記シャワープレート２２との間はガス溜まり１２と
なっており、該ガス溜まり１２には反応ガス導入路１８
を介して図示しない反応ガス供給源から反応ガスが供給
される。反応ガスはガス溜まり１２を経てシャワープレ
ート２２のシャワー孔２３から真空容器本体１の内部に
分散導入される様になっている。反応ガスを導入した状
態で高周波電源９によってアノード電極３及びシャワー
プレート２２間に高周波電圧が印加されると、反応ガス
の電離作用によるプラズマが発生する。前記基板４の表
面に反応生成物が堆積し、薄膜が成膜される。反応後の
反応ガスは排気管１３から排気される。
【００１９】又、処理中のシャワープレート２２の温度
は熱電対３１により絶縁物２１を介して検出される。
は熱電対３１により絶縁物２１を介して検出される。
【００２０】以上の構成により、本実施の形態では、前
記パネルヒータ２０が蓋５を介して配線２４、アース線
２５により接地されている為、ＲＦ印加部である前記シ
ャワープレート２２に高周波電圧ＶRFが印加された際、
前記ヒータ３０及び熱電対３１に浮遊静電容量Ｃ1 ，Ｃ
2 ，Ｃ3 が生じた場合でも、ＶH （ヒータ電位）＝ＶRF
とはならずＶRF≠０，ＶH ＝０となる為、 ［Ｃ1 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）］・ＶH ＝０ となり、高調波成分による電流のコントローラ側への漏
込みはなくなる。
記パネルヒータ２０が蓋５を介して配線２４、アース線
２５により接地されている為、ＲＦ印加部である前記シ
ャワープレート２２に高周波電圧ＶRFが印加された際、
前記ヒータ３０及び熱電対３１に浮遊静電容量Ｃ1 ，Ｃ
2 ，Ｃ3 が生じた場合でも、ＶH （ヒータ電位）＝ＶRF
とはならずＶRF≠０，ＶH ＝０となる為、 ［Ｃ1 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）］・ＶH ＝０ となり、高調波成分による電流のコントローラ側への漏
込みはなくなる。
【００２１】従って、図６の従来例で示されたフィルタ
ボックス１６を設置する必要はなく、それだけコストが
大幅に低減され、設置スペースをプラズマＣＶＤ装置に
確保する必要がないから、前記真空容器本体１の多段化
が実現できる。
ボックス１６を設置する必要はなく、それだけコストが
大幅に低減され、設置スペースをプラズマＣＶＤ装置に
確保する必要がないから、前記真空容器本体１の多段化
が実現できる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カソー
ド電極側に設けたパネルヒータを接地させ、カソード電
極を絶縁物を介して前記パネルヒータに設けたことによ
り、コントローラ側への高周波電圧の漏込みが防止で
き、該漏込み電流を阻止する為に設けられた従来のフィ
ルタボックスは不要となり、その分の設置スペースが削
減されて真空容器本体の多段化を実現することができる
と共にコスト低減を図り得るという優れた効果を発揮す
る。
ド電極側に設けたパネルヒータを接地させ、カソード電
極を絶縁物を介して前記パネルヒータに設けたことによ
り、コントローラ側への高周波電圧の漏込みが防止で
き、該漏込み電流を阻止する為に設けられた従来のフィ
ルタボックスは不要となり、その分の設置スペースが削
減されて真空容器本体の多段化を実現することができる
と共にコスト低減を図り得るという優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の実施の形態を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】同前実施の形態の要部を示す断面図である。
【図３】同前実施の形態の回路図である。
【図４】従来例のプラズマ処理装置を示す構成図であ
る。
る。
【図５】同前従来例の一部を示す構成図である。
【図６】同前従来例の回路図である。
１ 真空容器本体 ２ コイルヒータ ３ アノード電極 ４ 処理基板 ５ 蓋 ６ カソード電極 １９ 絶縁材 ２０ パネルヒータ ２１ 絶縁物 ２２ シャワープレート ２４ 配線 ２５ アース線 ２６ 真空容器本体のアース線
Claims (1)
- 【請求項１】 相対向させた１組の電極を有し、該両電
極間に高周波電圧を印加させてプラズマを発生するプラ
ズマ処理装置に於いて、カソード電極側に設けたパネル
ヒータを接地させ、カソード電極を絶縁物を介して前記
パネルヒータに設けたことを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035579A JPH09209155A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8035579A JPH09209155A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09209155A true JPH09209155A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=12445688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8035579A Pending JPH09209155A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09209155A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535817A (ja) * | 2004-04-30 | 2007-12-06 | ラム リサーチ コーポレーション | シャワーヘッド電極及びヒータを備えるプラズマ処理用の装置 |
| JP2009212340A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 電極ユニット、基板処理装置及び電極ユニットの温度制御方法 |
| JP2011134900A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR101147103B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2012-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시소자 제조용 건식 식각 장치 |
| KR101439170B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2014-09-12 | 우범제 | 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리 |
| WO2019212059A1 (ja) * | 2018-05-02 | 2019-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極およびプラズマ処理装置 |
| CN112593215A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-04-02 | 苏州迈正科技有限公司 | 阴极模组及真空镀膜装置 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP8035579A patent/JPH09209155A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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