JPH09211046A - Non-contact potential detection method and device - Google Patents
Non-contact potential detection method and deviceInfo
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- JPH09211046A JPH09211046A JP8017553A JP1755396A JPH09211046A JP H09211046 A JPH09211046 A JP H09211046A JP 8017553 A JP8017553 A JP 8017553A JP 1755396 A JP1755396 A JP 1755396A JP H09211046 A JPH09211046 A JP H09211046A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばIC等の電
子部品がプリント基板上に実装されている状態で、その
プリント基板上に形成されている導体パターン、あるい
は電子部品リード上での電圧、あるいは電位を非接触状
態で検出するための非接触電位検出方法とその装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductor pattern formed on a printed circuit board or a voltage on an electronic part lead when the electronic part such as an IC is mounted on the printed circuit board. Alternatively, the present invention relates to a non-contact potential detection method and device for detecting a potential in a non-contact state.
【0002】[0002]
【従来の技術】周知なように、従来より、IC等の電子
部品が実装されているプリント基板等では、電子回路の
入出力ピンやその近傍に設けられているテストポイント
等での電圧や信号波形等を測定/観察するには、テスタ
やオシロスコープ等の計測器が専ら用いられているのが
実情である。その測定/観察に際しては、テストリード
やプローブが被測定点(テストポイント等)に機械的
に、しかも電気的に接続された状態で、被測定点での電
圧や信号波形等が外部に取り出された上、測定/観察さ
れていたものである。そのような測定/観察を可能なら
しめるためには、被測定点自体はその外表面に導体部分
が露出されている必要があったものである。一方、ま
た、以上のような事情とは別に、最近では、部品実装上
での高密度化を図るべく、IC等の電子回路部品のリー
ドピッチは徐々に狭くなる傾向にあり、もはや、上記の
ような接触式信号検出方式では、被測定点へのテストリ
ードやプローブの正確な機械的位置決め接触は難しくな
っているばかりか、その機械的接触により被測定点に傷
が生じてしまい、プリント基板全体の信頼性が低下する
ことは否めないものとなっている。2. Description of the Related Art As is well known, conventionally, in a printed circuit board or the like on which electronic parts such as ICs are mounted, voltage or signal at an input / output pin of an electronic circuit or a test point provided in the vicinity thereof In actuality, measuring instruments such as testers and oscilloscopes are used exclusively for measuring / observing waveforms and the like. During the measurement / observation, the voltage and signal waveform at the measured point are extracted to the outside while the test leads and the probe are mechanically and electrically connected to the measured point (test point etc.). Moreover, it has been measured / observed. In order to enable such measurement / observation, the measured point itself had to have a conductor portion exposed on its outer surface. On the other hand, apart from the above circumstances, recently, the lead pitch of electronic circuit components such as ICs tends to become gradually narrower in order to achieve higher density in component mounting. In such a contact-type signal detection method, it is difficult to make accurate mechanical positioning contact of the test lead or probe to the measured point, and the mechanical contact causes scratches on the measured point, resulting in a printed circuit board. It is undeniable that the overall reliability will decline.
【0003】ところで、以上の不具合を解決すべく、例
えば特開平5−264672号公報には、被測定点と検
出プローブを容量で結合した上、非接触状態で信号を検
出する方法が示されているが、これによる場合、被検出
信号の時間的変化成分のみ、即ち、交流成分のみが検出
されており、直流成分の検出は不可とされたものとなっ
ている。因みに、その検出方法について簡単ながら説明
すれば、検出信号の強度は、被測定点、検出プローブ間
に介在している結合容量Cに比例するが、それらが平行
平板であると近似すれば、その結合容量Cは以下の数式
1として求められるものとなっている。In order to solve the above problems, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-264672 discloses a method in which a point to be measured and a detection probe are capacitively coupled and a signal is detected in a non-contact state. However, in this case, only the temporal change component of the detected signal, that is, only the AC component is detected, and the detection of the DC component is disabled. Incidentally, the detection method will be briefly described. The intensity of the detection signal is proportional to the coupling capacitance C interposed between the measured point and the detection probe, but if they are approximated as parallel plates, the The coupling capacitance C is obtained by the following mathematical formula 1.
【0004】[0004]
【数1】 [Equation 1]
【0005】但し、εは誘電率、Sは電極面積、dは電
極間距離である。However, ε is the dielectric constant, S is the electrode area, and d is the distance between the electrodes.
【0006】また、以上の公報とは別に、非接触状態で
時間的に変化しない信号成分、即ち、直流信号を検出す
る方法としては、トレック・ジャパン株式会社から発行
されているトレックジャパン総合カタログ(PRODUCTS A
ND SYSTEMS CATALOGUE)に記載された「静電気測定表面
電位計」が知られている。同カタログに示された測定原
理を図9(a)により説明すれば以下のようである。In addition to the above publications, as a method for detecting a signal component that does not change with time in a non-contact state, that is, a DC signal, the Trek Japan general catalog issued by Trek Japan KK ( PRODUCTS A
The "electrostatic measurement surface potential meter" described in ND SYSTEMS CATALOGUE) is known. The measurement principle shown in the catalog will be described below with reference to FIG.
【0007】即ち、図9(a)に示すように、測定に際
し、センサ電極(Se)901、被測定面902間が静
電容量(C)903で結合させるべく、プローブユニッ
ト内のセンサ電極901は被測定面902に近接された
状態で、センサ電極901自体が振動状態におかれるも
のとなっている。センサ電極901は音叉904に取付
けされていることから、発振器911からの信号により
音叉904が振動すれば、それに伴いセンサ電極901
自体も振動状態におかれるものである。さて、センサ電
極901が振動状態におかれれば、それに伴い静電容量
903も微小変化される結果として、センサ電極90
1、被測定面902間の電位差の存在にもとづき、セン
サ電極901からは交流変調信号が得られるものとなっ
ている。この交流変調信号は、その後、プリアンプ(前
置増幅器)905、増幅器906を介し同期検波器90
7で同期検波されることによって、同期検波器907か
らは、その交流変調信号の大きさ信号908が精度良好
な状態として得られるものとなっている。その大きさ信
号908は積分器909により積分されるが、その積分
出力に応じた出力電圧が高圧発生器910から発生され
た上、センサ電極901に電位として与えられているも
のである。以上のフィードバック制御の結果として、セ
ンサ電極901、被測定面902間の電位差が0となる
べく、高圧発生器910からの出力電圧が制御されてい
るものである。換言すれば、高圧発生器910からの出
力電圧が何等変化しなくなった時点でのその出力電圧
は、被測定面902上の電位として得られているもので
ある。That is, as shown in FIG. 9A, the sensor electrode 901 in the probe unit is designed so that the sensor electrode (Se) 901 and the surface to be measured 902 are coupled by the capacitance (C) 903 during measurement. Indicates that the sensor electrode 901 itself is in a vibrating state in a state of being close to the surface to be measured 902. Since the sensor electrode 901 is attached to the tuning fork 904, if the tuning fork 904 vibrates due to the signal from the oscillator 911, the sensor electrode 901 is accompanied by it.
It itself is also in a vibrating state. Now, if the sensor electrode 901 is placed in a vibrating state, the electrostatic capacitance 903 is also slightly changed accordingly.
1, and an AC modulation signal is obtained from the sensor electrode 901 based on the existence of the potential difference between the measured surfaces 902. This AC modulated signal is then passed through a preamplifier (preamplifier) 905 and an amplifier 906 to the synchronous detector 90.
By performing the synchronous detection at 7, the magnitude signal 908 of the AC modulation signal is obtained from the synchronous detector 907 in a highly accurate state. The magnitude signal 908 is integrated by the integrator 909, and an output voltage corresponding to the integrated output is generated from the high voltage generator 910 and then applied to the sensor electrode 901 as a potential. As a result of the above feedback control, the output voltage from the high voltage generator 910 is controlled so that the potential difference between the sensor electrode 901 and the surface to be measured 902 becomes zero. In other words, the output voltage at the time when the output voltage from the high voltage generator 910 does not change at all is obtained as the potential on the measured surface 902.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報による場合には、結合容量Cは電極間距離dと反比例
関係にあることから、被検出信号の強度を正確に検出す
るためには、結合容量C、したがって、信号検出に際し
ては、電極間距離dは事前に正確に測定されている必要
があるか、または電極間距離dは一定に保つように制御
される必要があるものとなっている。また、上記カタロ
グによる場合は、図9(b)に示すように、電位測定に
先立っては、ゼロ電位校正が行われる必要があるものと
なっている。電位計1000のグランドに接続された金
属板1002に対し、プローブ1001は距離lだけ離
された位置に配置された状態でゼロ電位校正が行われる
が、被測定物1003上の電位を測定するに際しては、
被測定物1003に対し、プローブ1001は同一距離
lだけ離された位置に配置された状態で、被測定物10
03に対する電位測定が行われる必要があったものであ
る。即ち、上記従来技術の何れにおいても、非接触状態
で信号/電位が測定される際に、被測定物、センサ電極
間距離による影響を排除することは何等考慮されていな
いものとなっている。However, in the case of the above publication, since the coupling capacitance C is in inverse proportion to the inter-electrode distance d, in order to accurately detect the intensity of the detected signal, the coupling capacitance C C, therefore, when detecting a signal, the inter-electrode distance d needs to be accurately measured in advance, or the inter-electrode distance d needs to be controlled so as to be kept constant. Further, according to the above catalog, as shown in FIG. 9B, zero potential calibration needs to be performed prior to potential measurement. Zero potential calibration is performed in a state where the probe 1001 is placed at a position separated by a distance l with respect to the metal plate 1002 connected to the ground of the electrometer 1000, but when measuring the potential on the DUT 1003. Is
When the probe 1001 is arranged at a position separated by the same distance l from the object to be measured 1003, the object to be measured 10
That is, the potential measurement for 03 had to be performed. That is, in any of the above-mentioned conventional techniques, when the signal / potential is measured in the non-contact state, no consideration is given to eliminating the influence of the measured object and the distance between the sensor electrodes.
【0009】本発明の第1の目的は、被測定物、センサ
電極間距離に影響されることなく、被測定物上の未知電
位をセンサ電極を以て検出し得る非接触電位検出方法と
その装置を供するにある。本発明の第2の目的は、それ
自体が小型化されたものとして、被測定物、センサ電極
間距離に影響されることなく、被測定物上の未知電位を
検出し得る非接触電位検出装置を供するにある。本発明
の第3の目的は、被測定物、センサ電極間距離に影響さ
れることなく、被測定物上の未知電位をセンサ電極を以
てより確実に検出し得る非接触電位検出方法とその装置
を供するにある。本発明の第4の目的は、それ自体が小
型化されたものとして、被測定物、センサ電極間距離に
影響されることなく、被測定物上の未知電位をより確実
に検出し得る非接触電位検出装置を供するにある。A first object of the present invention is to provide a non-contact potential detecting method and apparatus capable of detecting an unknown potential on an object to be measured by the sensor electrode without being affected by the distance between the object to be measured and the sensor electrode. To serve. A second object of the present invention is a non-contact potential detecting device capable of detecting an unknown potential on an object to be measured without being affected by the object to be measured and a distance between sensor electrodes as a miniaturized device. To serve. A third object of the present invention is to provide a non-contact potential detection method and apparatus capable of more reliably detecting an unknown potential on a measured object with a sensor electrode without being affected by the distance between the measured object and the sensor electrode. To serve. A fourth object of the present invention is that, as a miniaturized device itself, it is a non-contact device capable of more reliably detecting an unknown potential on the measured object without being affected by the measured object and the distance between the sensor electrodes. It is to provide a potential detection device.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記第1の目的は、基本
的には、被測定物とセンサ電極との間に電位差を可変と
してもたせた状態で、被測定物と相対向する任意位置に
配置されたセンサ電極を、該センサ電極の平面と直交す
る方向に一定周期で振動させつつ、被測定物とセンサ電
極との間の電位差を変化せしめる度に、センサ電極自体
の振動によって生じる交流変調信号を該センサ電極から
検出するようにし、電位差対応に検出された交流変調信
号の大きさの変化から、理論式、あるいは予め実測され
ている誤差データにもとづき、被測定物とセンサ電極と
の間の距離が推定されるとともに、交流変調信号の大き
さが0となる際での被測定物上の見掛け電位が検出され
た上、推定された被測定物、センサ電極間距離にもとづ
き上記見掛け電位が補正されることによって、被測定物
上の実電位が非接触状態で検出されることで達成され、
また、装置構成としては、その構成要素として、被測定
物と相対向する任意位置に配置されるセンサ電極と、該
センサ電極を該センサ電極の平面と直交する方向に一定
周期で振動させる振動発生手段と、上記センサ電極に直
接間接に直流電圧を変化せしめた状態として印加する直
流電圧印加手段と、該直流電圧印加手段により上記セン
サ電極への印加直流電圧が変化せしめられる度に、該セ
ンサ電極からの交流変調信号を検出する交流変調信号検
出手段と、上記直流電圧印加手段から上記センサ電極へ
の直流電圧の印加を制御する一方、上記交流変調信号検
出手段からの、直流電圧対応に検出された交流変調信号
の大きさの変化から、理論式、あるいは予め実測されて
いる誤差データにもとづき、被測定物とセンサ電極との
間の距離を推定するとともに、交流変調信号の大きさが
0となる際での被測定物上の見掛け電位を検出した上、
推定された被測定物、センサ電極間距離にもとづき上記
見掛け電位を補正することによって、被測定物上の実電
位を非接触状態で検出する制御・処理手段とを少なくと
も具備せしめることで達成される。上記第2の目的はま
た、非接触電位検出装置が以上のように構成されている
際に、少なくともセンサ電極および振動発生手段は、一
端としての先端が被測定物に接触可とされた、絶縁材質
からなる筒の他端内部に収容配置された状態の非接触電
位検出用プローブとして構成されることで達成される。The first object is basically to place an arbitrary position facing the object to be measured in a state where the potential difference is made variable between the object to be measured and the sensor electrode. AC modulation generated by vibration of the sensor electrode itself each time the potential difference between the DUT and the sensor electrode is changed while vibrating the arranged sensor electrode in a direction perpendicular to the plane of the sensor electrode at a constant cycle. A signal is detected from the sensor electrode, and based on a change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the potential difference, based on a theoretical formula or error data that is actually measured in advance, between the measured object and the sensor electrode. Is estimated, the apparent potential on the DUT when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0 is detected, and the apparent potential is calculated based on the estimated distance between the DUT and the sensor electrode. By being corrected, it is accomplished by the actual potential on the object to be measured is detected in a non-contact state,
In addition, the device configuration includes, as its constituent elements, a sensor electrode arranged at an arbitrary position facing the object to be measured and a vibration generation for vibrating the sensor electrode at a constant cycle in a direction orthogonal to the plane of the sensor electrode. Means, a DC voltage applying means for directly and indirectly applying a DC voltage to the sensor electrode while changing the DC voltage, and each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed by the DC voltage applying means, the sensor electrode AC modulation signal detecting means for detecting an AC modulation signal from the DC voltage applying means and the application of the DC voltage from the DC voltage applying means to the sensor electrode are controlled, while the DC voltage corresponding to the DC voltage is detected from the AC modulation signal detecting means. The distance between the object to be measured and the sensor electrode can be estimated from the change in the magnitude of the AC modulation signal based on the theoretical formula or the error data measured in advance. Together, on the magnitude of the AC-modulated signal is detected the apparent potential on the object to be measured at the time of the 0,
This is achieved by at least including a control / processing unit that detects the actual potential on the measured object in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the estimated distance between the measured object and the sensor electrode. . The second purpose is also to provide an insulating structure in which at least the sensor electrode and the vibration generating means have a tip as one end capable of contacting the object to be measured when the non-contact potential detecting device is configured as described above. This is achieved by being configured as a probe for detecting non-contact potential which is housed and arranged inside the other end of a cylinder made of a material.
【0011】上記第3の目的は、被測定物とセンサ電極
との間に電位差を可変としてもたせ、かつ該センサ電極
の近傍周囲に該センサ電極と同一電位の補助電極が配置
された状態で、被測定物と相対向する任意位置に配置さ
れたセンサ電極を単独に、あるいは補助電極とともに該
センサ電極の平面と直交する方向に一定周期で振動させ
つつ、被測定物とセンサ電極との間の電位差を変化せし
める度に、センサ電極自体の振動によって生じる交流変
調信号を該センサ電極から検出するようにし、電位差対
応に検出された交流変調信号の大きさの変化から、理論
式、あるいは予め実測されている誤差データにもとづ
き、被測定物とセンサ電極との間の距離が推定されると
ともに、交流変調信号の大きさが0となる際での被測定
物上の見掛け電位が検出された上、推定された被測定
物、センサ電極間距離にもとづき上記見掛け電位が補正
されることによって、被測定物上の実電位が非接触状態
で検出されることで達成され、また、装置構成として
は、その構成要素として、被測定物と相対向する任意位
置に配置され、かつ近傍周囲に同一電位の補助電極が配
置されてなるセンサ電極と、該センサ電極を単独に、あ
るいは補助電極とともに該センサ電極の平面と直交する
方向に一定周期で振動させる振動発生手段と、上記セン
サ電極に直接間接に直流電圧を変化せしめた状態として
印加する直流電圧印加手段と、該直流電圧印加手段によ
り上記センサ電極への印加直流電圧が変化せしめられる
度に、該センサ電極からの交流変調信号を検出する交流
変調信号検出手段と、上記直流電圧印加手段から上記セ
ンサ電極への直流電圧の印加を制御する一方、上記交流
変調信号検出手段からの、直流電圧対応に検出された交
流変調信号の大きさの変化から、理論式、あるいは予め
実測されている誤差データにもとづき、被測定物とセン
サ電極との間の距離を推定するとともに、交流変調信号
の大きさが0となる際での被測定物上の見掛け電位を検
出した上、推定された被測定物、センサ電極間距離にも
とづき上記見掛け電位を補正することによって、被測定
物上の実電位を非接触状態で検出する制御・処理手段と
を少なくとも具備せしめることで達成される。上記第4
の目的はまた、非接触電位検出装置が以上のように構成
されている際に、少なくともセンサ電極および振動発生
手段は、一端としての先端が被測定物に接触可とされ
た、絶縁材質からなる筒の他端内部に収容配置された状
態の非接触電位検出用プローブとして構成されることで
達成される。The third object is to make the potential difference variable between the object to be measured and the sensor electrode, and to arrange the auxiliary electrode having the same potential as the sensor electrode around the vicinity of the sensor electrode. The sensor electrode, which is arranged at an arbitrary position facing the object to be measured, is oscillated at a constant cycle in a direction orthogonal to the plane of the sensor electrode alone or together with the auxiliary electrode, while the sensor electrode is placed between the object to be measured and the sensor electrode. Each time the potential difference is changed, the AC modulation signal generated by the vibration of the sensor electrode itself is detected from the sensor electrode, and from the change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the potential difference, a theoretical formula or a previously measured value is measured. The distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated based on the error data, and the apparent potential on the object to be measured when the magnitude of the AC modulation signal becomes zero. After being emitted, the estimated object to be measured, by correcting the apparent potential based on the distance between the sensor electrodes, the real potential on the object to be measured is achieved by being detected in a non-contact state. As a device configuration, as its constituent elements, a sensor electrode, which is arranged at an arbitrary position facing the object to be measured, and auxiliary electrodes of the same potential are arranged in the vicinity, and the sensor electrode alone or as an auxiliary electrode Vibration generating means for vibrating together with the electrodes at a constant cycle in a direction orthogonal to the plane of the sensor electrode, direct voltage applying means for directly and indirectly applying direct voltage to the sensor electrode in a changed state, and direct voltage applying means AC modulation signal detection means for detecting an AC modulation signal from the sensor electrode each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed by the DC voltage application means. While controlling the application of the DC voltage to the sensor electrode from the above, from the change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the DC voltage from the AC modulation signal detecting means, a theoretical formula or it is measured in advance. Based on the error data, the distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated, and the apparent potential on the object to be measured when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0 is detected. This is achieved by at least including control / processing means for detecting the actual potential on the measured object in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the distance between the measured object and the sensor electrode. Fourth above
The object of (1) is also made of an insulating material, at least the sensor electrode and the vibration generating means of which the tip as one end can contact the object to be measured when the non-contact potential detecting device is configured as described above. This is achieved by being configured as a probe for detecting non-contact potential which is housed and arranged inside the other end of the cylinder.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明する
が、その前にその理論的な背景について説明すれば以下
のようである。即ち、図2に本発明による非接触電位検
出方法が実施される上での原理構成を示すが、本例での
測定対象は、被測定電圧(=Vx )102が印加された
被測定電極101上の電位とされる。ここで、センサ電
極1に可変電圧Vr が印加されるものとして、その被測
定電極101とセンサ電極1との間の距離をd、それら
両電極の面積をS、また、それら両電極間の誘電率をε
とすれば、両電極間の結合容量Cは既述の数式1として
得られるものとなっている。さて、発振器4からの信号
により振動体2が振動され、したがって、その振動体2
上に載置されているセンサ電極1も角周波数ωで振動さ
れ、両電極間の距離がΔd(=±Δd)だけ変化される
とすれば、その結合容量CはΔCだけ変化し、その結果
として、センサ電極1上には、以下の数式2として示す
電流(i)10が流れるものとなっている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below, but the theoretical background thereof will be described below. That is, FIG. 2 shows the principle configuration for carrying out the non-contact potential detection method according to the present invention. The measurement target in this example is the electrode under measurement 101 to which the voltage under measurement (= Vx) 102 is applied. The upper potential. Here, assuming that the variable voltage Vr is applied to the sensor electrode 1, the distance between the electrode 101 to be measured and the sensor electrode 1 is d, the area of both electrodes is S, and the dielectric between these electrodes is S. Rate ε
Then, the coupling capacitance C between both electrodes is obtained as the above-mentioned formula 1. Now, the vibrating body 2 is vibrated by the signal from the oscillator 4, and therefore the vibrating body 2 is vibrated.
If the sensor electrode 1 placed on the upper electrode is also vibrated at the angular frequency ω and the distance between both electrodes is changed by Δd (= ± Δd), the coupling capacitance C thereof is changed by ΔC, and as a result, As a result, the current (i) 10 shown in the following Expression 2 flows on the sensor electrode 1.
【0013】[0013]
【数2】 [Equation 2]
【0014】この場合、その電流iは両電極間の電位差
(=Vx −Vr )に比例することから、可変電圧Vr を
変化せしめつつ、電流iが0となる際での可変電圧Vr
を求めることによって、被測定電極101上での被測定
電圧(=Vx )102が、Vx =Vr として求められる
というものである。因みに、距離変化分Δdに伴う結合
容量Cの変化分ΔCは、以下の数式3として示す通りで
ある。In this case, since the current i is proportional to the potential difference (= Vx-Vr) between the two electrodes, the variable voltage Vr when the current i becomes 0 while changing the variable voltage Vr.
Is obtained, the measured voltage (= Vx) 102 on the measured electrode 101 is calculated as Vx = Vr. Incidentally, the change amount ΔC of the coupling capacitance C accompanying the distance change amount Δd is as shown in the following mathematical expression 3.
【0015】[0015]
【数3】 (Equation 3)
【0016】結局、両電極間の電位差(=Vx −Vr )
に対する電流iは、図3(a)に示すように、その大き
さは両電極間の距離dに依存するも、電流iが0になる
際での可変電圧Vr の値を求めるに当っては、両電極間
の距離dに非依存とされているものである。即ち、両電
極間の距離dとは無関係に、電流iが0になる際での可
変電圧Vr の値からは、被測定電圧(=Vx )102が
Vx =Vr として検出され得るものである。After all, the potential difference between the electrodes (= Vx-Vr)
As shown in FIG. 3 (a), the current i with respect to is dependent on the distance d between the two electrodes, but in obtaining the value of the variable voltage Vr when the current i becomes 0, , Is independent of the distance d between both electrodes. That is, the measured voltage (= Vx) 102 can be detected as Vx = Vr from the value of the variable voltage Vr when the current i becomes 0, regardless of the distance d between both electrodes.
【0017】しかしながら、実際には、電極各々の形状
やそれら電極周囲の電界分布、検出系電子回路での誤差
等、様々な誤差要因によって、図3(b)に示すよう
に、両電極間の距離d如何によって0点位置がずれるこ
とから、ただ単に、電流iが0になる際での可変電圧V
r の値を求めるだけでは、被測定電圧(Vx )102は
正確に検出され得ず、距離dを予め測定しておくか、ま
たは距離dを一定の値に保つ必要があるものとなってい
る。そこで、本発明では、両電極間の電位差(=Vx −
Vr )に対する電流iの変化の度合いが両電極間の距離
dにほぼ反比例することに着目し、理論式、あるいは予
め実測されている誤差データにもとづき、被測定物とセ
ンサ電極との間の距離が推定されるとともに、交流変調
信号の大きさが0となる際での被測定物上の見掛け電位
が検出された上、推定された被測定物、センサ電極間距
離にもとづきその見掛け電位が補正されることによっ
て、被測定物上の実電位が非接触状態で検出されるよう
にしたものである。However, in reality, due to various error factors such as the shape of each electrode, the electric field distribution around those electrodes, and the error in the detection system electronic circuit, as shown in FIG. Since the zero point position is displaced depending on the distance d, the variable voltage V when the current i becomes zero is simply
The voltage to be measured (Vx) 102 cannot be accurately detected only by obtaining the value of r, and it is necessary to measure the distance d in advance or to keep the distance d at a constant value. . Therefore, in the present invention, the potential difference (= Vx-
Paying attention to the fact that the degree of change of the current i with respect to Vr) is almost inversely proportional to the distance d between both electrodes, and based on a theoretical formula or error data measured in advance, the distance between the object to be measured and the sensor electrode And the apparent potential on the DUT when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0 is detected, and the apparent potential is corrected based on the estimated DUT-sensor electrode distance. By doing so, the actual potential on the measured object is detected in a non-contact state.
【0018】さて、本発明を具体的に説明すれば、図1
は本発明による非接触電位検出装置の一例での構成を示
したものである。図示のように、本例での被測定物は、
プリント基板20上に形成されている導体パターン10
1とされた上、その導体パターン101上での電位Vx
が非接触電位検出装置によって検出される場合が想定さ
れたものとなっている。また、その導体パターン101
と相対向する任意位置にはセンサ電極1が装置本体30
外のものとして配置されているが、そのセンサ電極1は
振動体2上に絶縁物を介し載置されたものとなってい
る。基準信号発生器4からの基準信号(基本的には正弦
波)16がドライバ3を介し、振動体2に駆動信号19
として与えられることによって、そのセンサ電極1はそ
の電極平面と直交する方向に、振動体2によって振動状
態におかれているものである。装置本体30内にはま
た、I−V変換アンプ5が設けられているが、制御装置
9からの電圧制御信号15により指定された電圧がD/
A変換器6で発生された上、そのI−V変換アンプ5の
非反転入力端子(+)に基準電圧(Vr )11として印
加されたものとなっている(基準電圧Vr とセンサ電極
1上の電圧との関係については後述)。この結果、セン
サ電極1が振動状態におかれた場合に、そのセンサ電極
1と導体パターン101間の静電容量の変化に起因して
発生される交流変調信号10は、そのI−V変換アンプ
5、直流阻止コンデンサ21を介し電圧信号12として
検出されているものである。その電圧信号12は、その
後、ロックインアンプ(同期検波器)7で同期検波され
るが、このロックインアンプ7については、例えば「イ
ンターフェース」(CQ出版株式会社発行、1994年
1月号、pp.79〜85)に記載されているように、
検出対象としての信号を予め基準信号で変調して検出す
ることによって、雑音中に埋もれている検出対象信号は
状態良好に検出され得るものとなっている。本例では、
交流変調信号10は基準信号発生器4からの基準信号1
6にもとづき発生されていることから、その基準信号1
6がそのままロックインアンプ7への基準信号として用
いられているものである。さて、ロックインアンプ7か
らの同期検波信号13はA/D変換器8を介しディジタ
ル信号14として、マイクロプロセッサを主構成要素と
して含む制御装置9に取込みされた上、所定に処理され
ているものである。Now, the present invention will be described in detail with reference to FIG.
Shows a configuration of an example of the non-contact potential detecting device according to the present invention. As shown, the DUT in this example is
Conductor pattern 10 formed on printed circuit board 20
1 and the potential Vx on the conductor pattern 101
Is assumed to be detected by the non-contact potential detecting device. In addition, the conductor pattern 101
The sensor electrode 1 is provided at an arbitrary position opposite to the device main body 30.
The sensor electrode 1 is arranged as an outer one, but the sensor electrode 1 is placed on the vibrating body 2 via an insulator. A reference signal (basically a sine wave) 16 from the reference signal generator 4 passes through the driver 3 and a drive signal 19 to the vibrating body 2.
The sensor electrode 1 is vibrated by the vibrating body 2 in the direction orthogonal to the electrode plane. The device main body 30 is also provided with the IV conversion amplifier 5, but the voltage designated by the voltage control signal 15 from the control device 9 is D / V.
It is generated by the A converter 6 and then applied as a reference voltage (Vr) 11 to the non-inverting input terminal (+) of the IV conversion amplifier 5 (on the reference voltage Vr and the sensor electrode 1). The relationship with the voltage will be described later). As a result, when the sensor electrode 1 is placed in a vibrating state, the AC modulation signal 10 generated due to the change in the electrostatic capacitance between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 is the IV conversion amplifier. 5. The voltage signal 12 is detected via the DC blocking capacitor 21. The voltage signal 12 is then synchronously detected by a lock-in amplifier (synchronous detector) 7. For the lock-in amplifier 7, for example, "interface" (published by CQ Publishing Co., January 1994, pp. .79-85),
By previously modulating the signal as the detection target with the reference signal for detection, the detection target signal buried in the noise can be detected in good condition. In this example,
The AC modulation signal 10 is the reference signal 1 from the reference signal generator 4.
Since it is generated based on 6, the reference signal 1
6 is used as it is as a reference signal to the lock-in amplifier 7. By the way, the synchronous detection signal 13 from the lock-in amplifier 7 is taken as a digital signal 14 via the A / D converter 8 into the control device 9 including a microprocessor as a main component, and is then subjected to predetermined processing. Is.
【0019】以上、本発明による非接触電位検出装置に
よる構成について説明したが、その検出動作は以下のよ
うである。即ち、先ずセンサ電極1は導体パターン10
1と相対向すべく配置されることによって、センサ電極
1、導体パターン101間は静電容量で結合されるが、
この状態で、センサ電極1は振動状態におかれるものと
なっている。この振動により、センサ電極1、導体パタ
ーン101間の結合容量はΔC分変化される結果とし
て、既述の数式2で示す電流iが交流変調信号10とし
て検出されているわけであるが、その際に、センサ電極
1上の電圧はI−V変換アンプ5から与えられるものと
なっている。より詳細に説明すれば、I−V変換アンプ
5への交流変調信号10は、そのOPアンプ(演算増幅
器)22での入力インピーダンスが高いため、殆ど帰還
抵抗Rfに流入し、帰還抵抗Rfと流入電流iの積で表
される電圧がそのOPアンプ22の出力電圧Vo として
得られるものとなっている。The configuration of the non-contact potential detecting device according to the present invention has been described above. The detecting operation is as follows. That is, first, the sensor electrode 1 is provided with the conductor pattern 10
By arranging the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 so as to face each other, the capacitance is coupled between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101.
In this state, the sensor electrode 1 is in a vibrating state. Due to this vibration, the coupling capacitance between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 is changed by ΔC, and as a result, the current i expressed by the above-mentioned formula 2 is detected as the AC modulation signal 10. At that time, In addition, the voltage on the sensor electrode 1 is given from the IV conversion amplifier 5. More specifically, the AC modulation signal 10 to the IV conversion amplifier 5 mostly flows into the feedback resistor Rf and flows into the feedback resistor Rf because the input impedance of the OP amplifier (operational amplifier) 22 is high. The voltage represented by the product of the current i is obtained as the output voltage Vo of the OP amplifier 22.
【0020】[0020]
【数4】 (Equation 4)
【0021】ところで、その際に、OPアンプ22自体
はその反転入力端子(−)と非反転入力端子(+)間の
電位差が0になるように働くため、反転入力端子(−)
の電位は非反転入力端子(+)のそれと等しくなるもの
である。即ち、反転入力端子(−)の電位はD/Aコン
バータ6から基準電圧(Vr )と同一とされるものであ
る。よって、制御装置9からの電圧制御信号15如何に
よって、センサ電極1、導体パターン101間の電位差
(=Vx −Vr )は様々に変化せしめられ得るものであ
る。よって、電圧制御信号15により基準電圧(Vr )
を、例えばステップ状に変化せしめる度に、同期検波信
号13をA/D変換器8を介し制御装置9に取込むよう
にすればよいものである。尤も、その取込に際しては、
ロックインアンプ7での時定数により定まる応答時間を
待って、同期検波信号13が制御装置9に取込される必
要があるが、何れにしても、相異なる基準電圧(Vr )
各々について、同期検波信号13がA/D変換器8を介
し制御装置9に取込まれるようにすればよいものであ
る。At this time, since the OP amplifier 22 itself works so that the potential difference between the inverting input terminal (-) and the non-inverting input terminal (+) becomes 0, the inverting input terminal (-).
The potential of is equal to that of the non-inverting input terminal (+). That is, the potential of the inverting input terminal (-) is the same as the reference voltage (Vr) from the D / A converter 6. Therefore, the potential difference (= Vx-Vr) between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 can be variously changed depending on the voltage control signal 15 from the control device 9. Therefore, the reference voltage (Vr) is changed by the voltage control signal 15.
For example, the synchronous detection signal 13 may be taken into the control device 9 via the A / D converter 8 each time it is changed stepwise. However, when importing it,
It is necessary to wait for the response time determined by the time constant in the lock-in amplifier 7 before the synchronous detection signal 13 is taken in by the control device 9, but in any case, different reference voltages (Vr)
For each of them, the synchronous detection signal 13 may be taken into the control device 9 via the A / D converter 8.
【0022】以上のように、基準電圧(Vr )は予め想
定されたある電圧範囲内で複数段階に亘ってステップ状
に変化せしめられる必要があるが、その電圧範囲内で、
例えば同一電圧変化分を以て基準電圧(Vr )がステッ
プ状に変化せしめられればよいものである。その際に、
電圧変化分が小さい程に、測定精度は向上されると予想
されるが、その反面、同期検波信号13の取込には多く
の時間が要されるものとなっている。何れにしても、制
御装置9では、センサ電極1、導体パターン101間の
電位差(=Vx −Vr )対応に同期検波信号13が順次
得られるが、これら同期検波信号13の大きさの変化か
らは、センサ電極1、導体パターン101間の距離が推
定され得るものである。即ち、基準電圧Vrを、例えば
Vr1 からVr2 に変化させた際でのI−V変換アンプ
5の出力電圧Vo の変化率aは、数式4から以下のよう
に求められるものとなっている。As described above, the reference voltage (Vr) needs to be changed stepwise over a plurality of stages within a certain voltage range assumed in advance, but within that voltage range,
For example, the reference voltage (Vr) may be changed stepwise with the same voltage change. At that time,
It is expected that the smaller the voltage change, the higher the measurement accuracy, but on the other hand, it takes much time to capture the synchronous detection signal 13. In any case, the control device 9 sequentially obtains the synchronous detection signals 13 corresponding to the potential difference (= Vx-Vr) between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101. However, from the change in the magnitude of these synchronous detection signals 13, The distance between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 can be estimated. That is, the rate of change a of the output voltage Vo of the IV conversion amplifier 5 when the reference voltage Vr is changed from Vr 1 to Vr 2 , for example, is obtained from Equation 4 as follows. .
【0023】[0023]
【数5】 (Equation 5)
【0024】但し、式中でのβは、β=−ω・ε・S・
Rfである。また、d>>Δdであるとして、β=β′×
Δdとすれば、変化率aは、a=β′/(d2)として
表されることになる。よって、予め測定しておいた、セ
ンサ電極1、導体パターン101間距離dに対する誤差
分を補正することによって、導体パターン101上での
電位Vx が検出され得るものである。たとえ、表面に導
体部分が露出されていない場合であっても、例えばソル
ダーレジスト等の保護膜が被覆されている導体(パター
ン)からも、その電位が検出され得るものである。However, β in the equation is β = −ω · ε · S ·
Rf. Also, assuming that d >> Δd, β = β ′ ×
Assuming Δd, the rate of change a is expressed as a = β ′ / (d 2 ). Therefore, the potential Vx on the conductor pattern 101 can be detected by correcting the previously measured error with respect to the distance d between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101. Even if the conductor portion is not exposed on the surface, the potential can be detected from the conductor (pattern) covered with a protective film such as a solder resist.
【0025】ここで、プリント基板20上に実装されて
いる電子部品が、いわゆるTTLICであるとして、T
TL ICの信号電圧を測定する場合に例を採って、よ
り具体的に数値例を挙げて説明すれば以下のようであ
る。即ち、センサ電極1、導体パターン101各々の直
径が1.6mm、センサ電極1、導体パターン101間
の距離が約2mmであるとすれば、その間の静電容量は
数式1より9fF(f:フェムト(=10-15))とな
る。振動体2にピエゾ等の圧電素子を用いれば、振動周
波数を4kHz 、振動振幅Δdを3μm程度としてセン
サ電極1を振動させ得ることから、ΔCは数式3より
0.0133fFとなる。ところで、TTL IC一般
の電源電圧は5Vとされていることから、その入出力電
圧の最大値は5V以下と考えられるため、センサ電極1
に印加される基準電圧(Vr )は、0〜5Vの電圧範囲
内であるとして、基準電圧(Vr )の値は、例えば0
V、1V、2V、3V、4V、5Vといった順に順次変
化せしめられるものとなっている。ここで、導体パター
ン101上での電圧が3V、センサ電極1上での電圧を
0Vであるとすれば、センサ電極1が振動状態におかれ
た場合での交流変調信号10の大きさは、数式2より1
pAと求められ、したがって、I−V変換アンプ5での
帰還抵抗Rfを10MΩとすれば、図4に示すように、
I−V変換アンプ5の出力として10μVの電圧が得ら
れることになる。これと同様に、センサ電極1上での電
圧を5Vとすれば、同様にしてI−V変換アンプ5の出
力として−6.68μVの電圧が得られることになる。
図4に点線表示として示すように、理論的には、センサ
電極1上での電圧が3Vである場合に、I−V変換アン
プ5の出力電圧は0Vになる筈であるが、実際には、セ
ンサ電極1上での電圧を0V、1V、2V、3V、4
V、5Vといった順に順次変化せしめた場合、各種誤差
要因によって、図4に実線表示として示すように、理想
状態からはずれたものとなる。これら6点各々について
の実測値から、例えば最小二乗法等によって、センサ電
極1での電圧(あるいはセンサ電極1、導体パターン1
01間電圧)とI−V変換アンプ5の出力電圧との関係
を求めれば、図4に示す実線表示直線の傾きとして3.
36×10-6が得られ、既述の数式5を用い説明したよ
うに、この場合でのセンサ電極1、導体パターン101
間の距離dが2mmであることが知れるものである。し
たがって、予め測定しておいた距離dが2mmである場
合での誤差データ、即ち、センサ電極1、導体パターン
101間の電位差が0である場合での検出電圧の誤差値
が知れ、この誤差値で検出電圧データを補正(例えば、
引き算)することによって、本来検出電圧が0となる場
合での基準電圧Vr が判り、これより、導体パターン1
01上での電圧Vx が求められるものである。Here, assuming that the electronic component mounted on the printed circuit board 20 is a so-called TTLIC, T
An example of measuring the signal voltage of the TL IC will be described below, and a more specific numerical example will be described below. That is, if the diameter of each of the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 is 1.6 mm, and the distance between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 is about 2 mm, the capacitance between them is 9 fF (f: femto (= 10 -15 )). If a piezoelectric element such as a piezo element is used for the vibrating body 2, the sensor electrode 1 can be vibrated with a vibration frequency of 4 kHz and a vibration amplitude Δd of about 3 μm. Therefore, ΔC is 0.0133 fF from Equation 3. By the way, since the power supply voltage of a general TTL IC is set to 5V, the maximum value of the input / output voltage is considered to be 5V or less.
Assuming that the reference voltage (Vr) to be applied to is within the voltage range of 0 to 5V, the value of the reference voltage (Vr) is, for example, 0.
V, 1V, 2V, 3V, 4V, 5V are sequentially changed in this order. If the voltage on the conductor pattern 101 is 3V and the voltage on the sensor electrode 1 is 0V, the magnitude of the AC modulation signal 10 when the sensor electrode 1 is in a vibrating state is From Equation 2 1
pA, therefore, if the feedback resistance Rf in the IV conversion amplifier 5 is set to 10 MΩ, as shown in FIG.
A voltage of 10 μV is obtained as the output of the IV conversion amplifier 5. Similarly, if the voltage on the sensor electrode 1 is 5V, a voltage of −6.68 μV is obtained as the output of the IV conversion amplifier 5 in the same manner.
As shown by the dotted line in FIG. 4, theoretically, when the voltage on the sensor electrode 1 is 3V, the output voltage of the IV conversion amplifier 5 should be 0V. , 0V, 1V, 2V, 3V, 4 on the sensor electrode 1
When sequentially changed in the order of V, 5V, the state deviates from the ideal state as shown by the solid line display in FIG. 4 due to various error factors. From the measured values for each of these 6 points, the voltage at the sensor electrode 1 (or the sensor electrode 1, conductor pattern 1
When the relationship between the voltage between 01) and the output voltage of the IV conversion amplifier 5 is obtained, the slope of the solid line shown in FIG.
36 × 10 −6 is obtained, and as described using the above-mentioned Equation 5, the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 in this case are obtained.
It is known that the distance d between them is 2 mm. Therefore, the error data when the distance d measured in advance is 2 mm, that is, the error value of the detected voltage when the potential difference between the sensor electrode 1 and the conductor pattern 101 is 0, is known. To correct the detected voltage data (for example,
By subtracting), the reference voltage Vr when the originally detected voltage becomes 0 is known, and from this, the conductor pattern 1
The voltage Vx on 01 is required.
【0026】なお、以上の説明では、電極間電圧と検出
電圧間の関係から電極間距離を求める過程は、数式5に
示した理論式より推定するよう説明したが、予め測定し
て求めておいてもよいものである。距離dをパラメータ
として電極間電圧を変化させた場合での検出電圧の変化
率を実測により求めておく場合には、計測精度の向上が
期待されるものである。In the above description, the process of obtaining the inter-electrode distance from the relationship between the inter-electrode voltage and the detected voltage is explained as being estimated from the theoretical formula shown in Formula 5, but it is obtained by measuring in advance. It is acceptable. When the change rate of the detected voltage when the inter-electrode voltage is changed with the distance d as a parameter is obtained by actual measurement, improvement in measurement accuracy is expected.
【0027】更に、センサ電極の近傍周囲に補助電極が
配置されてなる非接触電位検出装置について説明すれ
ば、図5はその一例での構成を示したものである。図示
のように、プローブ本体32は被測定点に対して、例え
ばオシロスコープのプローブのように、人手、あるいは
何等かの機械的手段で位置決めされものであり、本例で
は、断面状態として示されたものとなっている。そのプ
ローブ本体32内の構成要素としては、センサ電極1お
よび振動体2が含まれるべきは当然であるとして、本例
では、それら構成要素に加え、更に、補助電極31がプ
ローブ本体32内に設けられたものとなっている。この
補助電極31はセンサ電極1の近傍周囲に所定に設けら
れるものであり、図6にその一例での配置態様を平面と
して示す。図示のように、本例では、センサ電極1の形
状を円形として、また、補助電極31はその形状がドー
ナツ状としてセンサ電極1に対し同芯状に配置されてい
るが、補助電極31がセンサ電極1に最も近接された状
態で、センサ電極1を囲むような形状であれば、補助電
極31の形状としては、例えば矩形状であってもよいも
のである。さて、その補助電極31であるが、これに
は、センサ電極1と同一電圧が印加される。本例では、
D/A変換器6からI−V変換アンプ5への指定電圧が
バッファ35を介し印加されたものとなっている。因み
に、バッファ35,36はI−V変換アンプ5と補助電
極31を電気的にアイソレーションするために設けられ
たものであり、その特性は同一とされているが、装置構
成上での必須構成要素とはいえないものとなっている。Further, a non-contact potential detecting device in which auxiliary electrodes are arranged around the vicinity of the sensor electrode will be described. FIG. 5 shows an example of the configuration. As shown in the figure, the probe main body 32 is positioned manually with respect to the measured point, for example, like a probe of an oscilloscope, or by some mechanical means, and is shown as a cross-sectional state in this example. It has become a thing. It should be understood that the constituent elements within the probe body 32 should include the sensor electrode 1 and the vibrating body 2, and in this example, in addition to these constituent elements, an auxiliary electrode 31 is further provided inside the probe body 32. It has been set. The auxiliary electrode 31 is provided in the vicinity of the sensor electrode 1 in a predetermined manner, and FIG. 6 shows an arrangement of the auxiliary electrode 31 as a plane. As shown in the figure, in this example, the sensor electrode 1 has a circular shape, and the auxiliary electrode 31 has a donut shape and is arranged concentrically with the sensor electrode 1. The shape of the auxiliary electrode 31 may be, for example, a rectangular shape as long as the shape is such that it surrounds the sensor electrode 1 in the state of being closest to the electrode 1. Now, with respect to the auxiliary electrode 31, the same voltage as that of the sensor electrode 1 is applied thereto. In this example,
The specified voltage from the D / A converter 6 to the IV conversion amplifier 5 is applied via the buffer 35. Incidentally, the buffers 35 and 36 are provided for electrically isolating the IV conversion amplifier 5 and the auxiliary electrode 31, and their characteristics are the same, but they are indispensable components in the device configuration. It cannot be called an element.
【0028】さて、補助電極31が設けられたことによ
る効果であるが、その効果は以下のようである。即ち、
センサ電極1、被測定物間は静電的に結合されている
が、補助電極31が存在しない場合でのその結合状態、
即ち、電気力線分布状態は、図7(a)に示すようであ
る。これからも判るように、電極の周縁部では、電極中
央部のように電気力線が平行とはならず、既述の測定誤
差要因の1要因として挙げられるものとなっている。し
かしながら、センサ電極1の近傍周囲に補助電極31が
設けられる場合での電気力線分布状態は、図7(b)に
示すようになり、少なくとも、電極の周縁部では、電気
力線の乱れは生じなくなる結果として、測定誤差が抑制
され得るものである。なお、図5に示す構成では、補助
電極31は振動不可として配置されているが、センサ電
極1とともに振動状態におかれるべく、配置されてもよ
いものである。また、本例では、装置本体30としての
信号処理回路や制御装置9はプローブ本体32外のもの
とされているが、信号処理回路のみ、またはおよび信号
処理回路および制御装置9をもプローブ本体32に内蔵
し、一体化として構成することも可能となっている。一
体化として構成される場合には、装置自体の小型化が図
れるばかりか、扱い易くなるものである。The effect of the provision of the auxiliary electrode 31 is as follows. That is,
The sensor electrode 1 and the object to be measured are electrostatically coupled to each other, but the coupling state when the auxiliary electrode 31 is not present,
That is, the distribution of electric lines of force is as shown in FIG. As can be seen from this, the lines of electric force are not parallel in the peripheral portion of the electrode as in the central portion of the electrode, which is one factor of the above-mentioned measurement error factors. However, the distribution of electric force lines when the auxiliary electrode 31 is provided around the vicinity of the sensor electrode 1 is as shown in FIG. 7B, and the electric force lines are not disturbed at least at the peripheral portion of the electrode. As a result, the measurement error can be suppressed. In the configuration shown in FIG. 5, the auxiliary electrode 31 is arranged so as not to vibrate, but it may be arranged so as to be in a vibrating state together with the sensor electrode 1. Further, in this example, the signal processing circuit and the control device 9 as the device main body 30 are provided outside the probe main body 32, but only the signal processing circuit or the signal processing circuit and the control device 9 are also included in the probe main body 32. It can also be built in and integrated as a single unit. In the case of being integrated, not only the size of the device itself can be reduced, but also it is easy to handle.
【0029】最後に、プローブ本体32のその望ましい
先端構成について説明すれば、図8に示すように、その
先端に先端ガード33を設けるようにしたものである。
先端ガード33自体はゴムやプラスチック等、半田や導
体パターン、プリント基板に傷を付けることがないよ
う、適当に弾力性に富む絶縁物で構成されたものとなっ
ている。この先端ガード33が設けられたことによっ
て、測定の際に、被測定点へのプローブ本体32の位置
決めが容易に行えるものである。即ち、先端ガード33
が被測定部位に押し付けられた状態では、プローブ先端
位置がその押し付け位置からずれることはないものであ
る。なお、先端ガード33がゴム等の軟らかいものから
構成される場合には、センサ電極、被測定物間の距離が
変化する虞があるが、既述のように、電極間距離の補正
によって、その変化は誤差要因とはならないものとなっ
ている。Finally, the desirable tip construction of the probe main body 32 will be described. As shown in FIG. 8, a tip guard 33 is provided at the tip.
The tip guard 33 itself is made of rubber, plastic, or the like, and is made of an insulator having a suitable elasticity so as not to damage the solder, the conductor pattern, and the printed circuit board. By providing the tip guard 33, it is possible to easily position the probe main body 32 at the measured point during measurement. That is, the tip guard 33
When is pressed against the measurement site, the probe tip position does not deviate from the pressing position. If the tip guard 33 is made of a soft material such as rubber, the distance between the sensor electrode and the object to be measured may change. However, as described above, the distance between the electrodes may be corrected by the correction of the distance between the electrodes. The change does not cause an error.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1〜6に
よれば、以下の効果が得られるものとなっている。 請求項1,2:被測定物、センサ電極間距離に影響され
ることなく、被測定物上の未知電位をセンサ電極を以て
検出し得る非接触電位検出方法とその装置が得られる。 請求項3:それ自体が小型化されたものとして、被測定
物、センサ電極間距離に影響されることなく、被測定物
上の未知電位を検出し得る非接触電位検出装置が得られ
る。 請求項4,5:被測定物上の未知電位をセンサ電極を以
て非接触状態で検出するに際し、被測定物、センサ電極
間距離に影響されることなく、被測定物上の未知電位を
より確実に検出し得る非接触電位検出方法とその装置が
得られる。 請求項6:それ自体が小型化されたものとして、被測定
物、センサ電極間距離に影響されることなく、被測定物
上の未知電位をより確実に検出し得る非接触電位検出装
置が得られる。As described above, according to claims 1 to 6, the following effects can be obtained. Claims 1 and 2 provide a non-contact potential detection method and apparatus capable of detecting an unknown potential on a measured object with a sensor electrode without being affected by the distance between the measured object and the sensor electrode. Claim 3: As a miniaturized device, it is possible to obtain a non-contact potential detecting device capable of detecting an unknown potential on a measured object without being affected by the distance between the measured object and sensor electrodes. Claims 4 and 5: When the unknown potential on the measured object is detected by the sensor electrode in a non-contact state, the unknown potential on the measured object is more reliable without being affected by the distance between the measured object and the sensor electrode. A non-contact potential detection method and apparatus capable of detecting the non-contact potential are obtained. Claim 6: A non-contact potential detection device capable of more reliably detecting an unknown potential on an object to be measured without being influenced by the object to be measured and a distance between sensor electrodes as a miniaturized device. To be
【図1】図1は、本発明による非接触電位検出装置の一
例での構成を示す図FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an example of a non-contact potential detecting device according to the present invention.
【図2】図2は、本発明による非接触電位検出方法が実
施される上での原理構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a principle configuration for implementing a non-contact potential detection method according to the present invention.
【図3】図3(a),(b)は、その非接触電位検出原
理を説明するための図3 (a) and 3 (b) are views for explaining the principle of non-contact potential detection.
【図4】図4は、具体例での動作を説明するための図FIG. 4 is a diagram for explaining an operation in a specific example.
【図5】図5は、センサ電極の近傍周囲に補助電極が配
置されてなる、本発明に係る非接触電位検出装置の一例
での構成を示す図FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an example of a non-contact potential detecting device according to the present invention in which an auxiliary electrode is arranged around the vicinity of a sensor electrode.
【図6】図6は、センサ電極の近傍周囲に設けられる補
助電極の配置態様を説明するための図FIG. 6 is a diagram for explaining an arrangement mode of auxiliary electrodes provided around the vicinity of the sensor electrode.
【図7】図7(a),(b)は、その補助電極による効
果を説明するための図7 (a) and 7 (b) are views for explaining the effect of the auxiliary electrode.
【図8】図8は、プローブ本体のその望ましい先端構成
を示す図FIG. 8 is a diagram showing the desirable tip configuration of the probe body.
【図9】図9(a),(b)、従来技術に係る非接触電
位検出方法を説明するための図9A and 9B are views for explaining a non-contact potential detection method according to a conventional technique.
1…センサ電極、2…振動体、3…ドライバ、4…基準
信号発生器、5…I−V変換アンプ、6… D/A変換
器、7…ロックインアンプ、8… A/D変換器、9…
制御装置、31…補助電極、32…プローブ本体、33
…先端ガード、101…導体パターンDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sensor electrode, 2 ... Oscillator, 3 ... Driver, 4 ... Reference signal generator, 5 ... IV conversion amplifier, 6 ... D / A converter, 7 ... Lock-in amplifier, 8 ... A / D converter , 9 ...
Control device, 31 ... Auxiliary electrode, 32 ... Probe body, 33
… Tip guard, 101… Conductor pattern
Claims (6)
出するための非接触電位検出方法であって、被測定物と
センサ電極との間に電位差を可変としてもたせた状態
で、被測定物と相対向する任意位置に配置されたセンサ
電極を、該センサ電極の平面と直交する方向に一定周期
で振動させつつ、被測定物とセンサ電極との間の電位差
を変化せしめる度に、センサ電極自体の振動によって生
じる交流変調信号を該センサ電極から検出するように
し、電位差対応に検出された交流変調信号の大きさの変
化から、理論式、あるいは予め実測されている誤差デー
タにもとづき、被測定物とセンサ電極との間の距離が推
定されるとともに、交流変調信号の大きさが0となる際
での被測定物上の見掛け電位が検出された上、推定され
た被測定物、センサ電極間距離にもとづき上記見掛け電
位が補正されることによって、被測定物上の実電位が非
接触状態で検出されるようにした非接触電位検出方法。1. A non-contact potential detection method for detecting an unknown potential on an object to be measured in a non-contact state, wherein a potential difference is variable between the object to be measured and a sensor electrode. The sensor electrode arranged at an arbitrary position facing the object to be measured, while vibrating at a constant cycle in the direction orthogonal to the plane of the sensor electrode, every time the potential difference between the object to be measured and the sensor electrode is changed, The AC modulation signal generated by the vibration of the sensor electrode itself is detected from the sensor electrode, and from the change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the potential difference, based on the theoretical formula or the error data measured in advance, The distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated, and the apparent potential on the object to be measured when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0 is detected. Sensor electrode A non-contact potential detecting method, in which the apparent potential is corrected based on the distance between the two, so that the actual potential on the DUT can be detected in a non-contact state.
出するための非接触電位検出装置であって、被測定物と
相対向する任意位置に配置されるセンサ電極と、該セン
サ電極を該センサ電極の平面と直交する方向に一定周期
で振動させる振動発生手段と、上記センサ電極に直接間
接に直流電圧を変化せしめた状態として印加する直流電
圧印加手段と、該直流電圧印加手段により上記センサ電
極への印加直流電圧が変化せしめられる度に、該センサ
電極からの交流変調信号を検出する交流変調信号検出手
段と、上記直流電圧印加手段から上記センサ電極への直
流電圧の印加を制御する一方、上記交流変調信号検出手
段からの、直流電圧対応に検出された交流変調信号の大
きさの変化から、理論式、あるいは予め実測されている
誤差データにもとづき、被測定物とセンサ電極との間の
距離を推定するとともに、交流変調信号の大きさが0と
なる際での被測定物上の見掛け電位を検出した上、推定
された被測定物、センサ電極間距離にもとづき上記見掛
け電位を補正することによって、被測定物上の実電位を
非接触状態で検出する制御・処理手段と、を少なくとも
含む非接触電位検出装置。2. A non-contact potential detecting device for detecting an unknown potential on an object to be measured in a non-contact state, the sensor electrode being disposed at an arbitrary position facing the object to be measured, and the sensor electrode. By means of a vibration generating means for vibrating the sensor electrode in a direction perpendicular to the plane of the sensor electrode at a constant cycle, a DC voltage applying means for directly and indirectly applying a DC voltage to the sensor electrode in a changed state, and a DC voltage applying means. AC modulation signal detecting means for detecting an AC modulation signal from the sensor electrode each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed, and application of the DC voltage from the DC voltage applying means to the sensor electrode is controlled. On the other hand, based on a change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the DC voltage from the AC modulation signal detecting means, based on a theoretical formula or error data actually measured in advance. When estimating the distance between the object to be measured and the sensor electrode and detecting the apparent potential on the object to be measured when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0, the estimated object to be measured, A non-contact potential detecting device comprising at least a control / processing means for detecting the actual potential on the object to be measured in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the distance between the sensor electrodes.
出するための非接触電位検出装置であって、非接触電位
検出装置が、被測定物と相対向する位置に配置されるセ
ンサ電極と、該センサ電極を該センサ電極の平面と直交
する方向に一定周期で振動させる振動発生手段と、上記
センサ電極に直接間接に直流電圧を変化せしめた状態と
して印加する直流電圧印加手段と、該直流電圧印加手段
により上記センサ電極への印加直流電圧が変化せしめら
れる度に、該センサ電極からの交流変調信号を検出する
交流変調信号検出手段と、上記直流電圧印加手段から上
記センサ電極への直流電圧の印加を制御する一方、上記
交流変調信号検出手段からの、直流電圧対応に検出され
た交流変調信号の大きさの変化から、理論式、あるいは
予め実測されている誤差データにもとづき、被測定物と
センサ電極との間の距離を推定するとともに、交流変調
信号の大きさが0となる際での被測定物上の見掛け電位
を検出した上、推定された被測定物、センサ電極間距離
にもとづき上記見掛け電位を補正することによって、被
測定物上の実電位を非接触状態で検出する制御・処理手
段とを少なくとも含むようにして構成される際に、少な
くともセンサ電極および振動発生手段は、一端としての
先端が被測定物に接触可とされた、絶縁材質からなる筒
の他端内部に収容配置された状態の非接触電位検出用プ
ローブとして構成されてなる非接触電位検出装置。3. A non-contact potential detecting device for detecting an unknown potential on an object to be measured in a non-contact state, the non-contact potential detecting device being arranged at a position facing the object to be measured. An electrode, a vibration generating means for vibrating the sensor electrode at a constant cycle in a direction orthogonal to the plane of the sensor electrode, and a direct voltage applying means for directly and indirectly applying a direct voltage to the sensor electrode in a changed state, AC modulation signal detection means for detecting an AC modulation signal from the sensor electrode each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed by the DC voltage application means, and from the DC voltage application means to the sensor electrode. While controlling the application of the DC voltage, the theoretical expression or the actual measurement is made in advance from the change in the magnitude of the AC modulation signal detected by the AC modulation signal detecting means corresponding to the DC voltage. Based on the error data, the distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated, and the apparent potential on the object to be measured when the magnitude of the AC modulation signal becomes 0 is detected. At least the sensor electrode when it is configured to include at least a control / processing unit that detects the actual potential on the DUT in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the distance between the DUT and the sensor electrode. The vibration generating means is configured as a non-contact potential detection probe that is housed and arranged inside the other end of a cylinder made of an insulating material, the one end of which is in contact with the object to be measured. Potential detection device.
出するための非接触電位検出方法であって、被測定物と
センサ電極との間に電位差を可変としてもたせ、かつ該
センサ電極の近傍周囲に該センサ電極と同一電位の補助
電極が配置された状態で、被測定物と相対向する任意位
置に配置されたセンサ電極を単独に、あるいは補助電極
とともに該センサ電極の平面と直交する方向に一定周期
で振動させつつ、被測定物とセンサ電極との間の電位差
を変化せしめる度に、センサ電極自体の振動によって生
じる交流変調信号を該センサ電極から検出するように
し、電位差対応に検出された交流変調信号の大きさの変
化から、理論式、あるいは予め実測されている誤差デー
タにもとづき、被測定物とセンサ電極との間の距離が推
定されるとともに、交流変調信号の大きさが0となる際
での被測定物上の見掛け電位が検出された上、推定され
た被測定物、センサ電極間距離にもとづき上記見掛け電
位が補正されることによって、被測定物上の実電位が非
接触状態で検出されるようにした非接触電位検出方法。4. A non-contact potential detection method for detecting an unknown potential on an object to be measured in a non-contact state, wherein the potential difference between the object to be measured and the sensor electrode is variable, and the sensor electrode is provided. In the state where the auxiliary electrode having the same potential as the sensor electrode is arranged around the vicinity of the sensor electrode, the sensor electrode placed at an arbitrary position facing the object to be measured is independently or together with the auxiliary electrode, is orthogonal to the plane of the sensor electrode. Each time the potential difference between the object to be measured and the sensor electrode is changed while vibrating in a constant cycle in the direction of From the change in the magnitude of the detected AC modulation signal, the distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated based on the theoretical formula or the error data measured in advance, and the The apparent potential on the measured object when the magnitude of the flow modulation signal becomes 0 is detected, and the apparent potential is corrected based on the estimated distance between the measured object and the sensor electrode. A non-contact electric potential detecting method in which an actual electric potential on a measured object is detected in a non-contact state.
出するための非接触電位検出装置であって、被測定物と
相対向する任意位置に配置され、かつ近傍周囲に同一電
位の補助電極が配置されてなるセンサ電極と、該センサ
電極を単独に、あるいは補助電極とともに該センサ電極
の平面と直交する方向に一定周期で振動させる振動発生
手段と、上記センサ電極に直接間接に直流電圧を変化せ
しめた状態として印加する直流電圧印加手段と、該直流
電圧印加手段により上記センサ電極への印加直流電圧が
変化せしめられる度に、該センサ電極からの交流変調信
号を検出する交流変調信号検出手段と、上記直流電圧印
加手段から上記センサ電極への直流電圧の印加を制御す
る一方、上記交流変調信号検出手段からの、直流電圧対
応に検出された交流変調信号の大きさの変化から、理論
式、あるいは予め実測されている誤差データにもとづ
き、被測定物とセンサ電極との間の距離を推定するとと
もに、交流変調信号の大きさが0となる際での被測定物
上の見掛け電位を検出した上、推定された被測定物、セ
ンサ電極間距離にもとづき上記見掛け電位を補正するこ
とによって、被測定物上の実電位を非接触状態で検出す
る制御・処理手段と、を少なくとも含む非接触電位検出
装置。5. A non-contact potential detecting device for detecting an unknown potential on a measurement object in a non-contact state, the non-contact potential detection device being arranged at an arbitrary position facing the measurement object and having the same potential in the vicinity of the vicinity. A sensor electrode in which an auxiliary electrode is disposed, a vibration generating means for vibrating the sensor electrode alone or together with the auxiliary electrode in a direction perpendicular to the plane of the sensor electrode at a constant cycle, and a direct current directly or indirectly to the sensor electrode. DC voltage applying means for applying the voltage in a changed state, and an AC modulation signal for detecting an AC modulation signal from the sensor electrode each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed by the DC voltage applying means. The detection means and the application of the direct current voltage from the direct current voltage applying means to the sensor electrode are controlled, while the alternating current detected by the alternating current modulation signal detecting means corresponding to the direct current voltage is detected. When the distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated from the change in the magnitude of the modulation signal based on the theoretical formula or the error data actually measured in advance, and the magnitude of the AC modulation signal becomes zero. In addition to detecting the apparent potential on the DUT, the actual potential on the DUT is detected in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the estimated DUT and sensor electrode distance. A non-contact potential detection device including at least a control / processing means.
出するための非接触電位検出装置であって、非接触電位
検出装置が、被測定物と相対向する任意位置に配置さ
れ、かつ近傍周囲に同一電位の補助電極が配置されてな
るセンサ電極と、該センサ電極を単独に、あるいは補助
電極とともに該センサ電極の平面と直交する方向に一定
周期で振動させる振動発生手段と、上記センサ電極に直
接間接に直流電圧を変化せしめた状態として印加する直
流電圧印加手段と、該直流電圧印加手段により上記セン
サ電極への印加直流電圧が変化せしめられる度に、該セ
ンサ電極からの交流変調信号を検出する交流変調信号検
出手段と、上記直流電圧印加手段から上記センサ電極へ
の直流電圧の印加を制御する一方、上記交流変調信号検
出手段からの、直流電圧対応に検出された交流変調信号
の大きさの変化から、理論式、あるいは予め実測されて
いる誤差データにもとづき、被測定物とセンサ電極との
間の距離を推定するとともに、交流変調信号の大きさが
0となる際での被測定物上の見掛け電位を検出した上、
推定された被測定物、センサ電極間距離にもとづき上記
見掛け電位を補正することによって、被測定物上の実電
位を非接触状態で検出する制御・処理手段とを少なくと
も含むようにして構成される際に、少なくともセンサ電
極および振動発生手段は、一端としての先端が被測定物
に接触可とされた、絶縁材質からなる筒の他端内部に収
容配置された状態の非接触電位検出用プローブとして構
成されてなる非接触電位検出装置。6. A non-contact potential detecting device for detecting an unknown potential on an object to be measured in a non-contact state, wherein the non-contact potential detecting device is arranged at an arbitrary position facing the object to be measured. And a sensor electrode in which auxiliary electrodes of the same potential are arranged in the vicinity of the vicinity, and vibration generating means for vibrating the sensor electrode alone or together with the auxiliary electrode in a direction perpendicular to the plane of the sensor electrode at a constant cycle, DC voltage applying means for directly or indirectly applying a DC voltage to the sensor electrode, and AC modulation from the sensor electrode each time the DC voltage applied to the sensor electrode is changed by the DC voltage applying means. AC modulation signal detecting means for detecting a signal and application of a DC voltage from the DC voltage applying means to the sensor electrode are controlled, while DC voltage from the AC modulation signal detecting means is controlled. From the change in the magnitude of the AC modulation signal detected corresponding to the pressure, the distance between the object to be measured and the sensor electrode is estimated based on the theoretical formula or the error data measured in advance, and the AC modulation signal After detecting the apparent potential on the measured object when the size becomes 0,
When it is configured to include at least a control / processing unit that detects the actual potential on the measured object in a non-contact state by correcting the apparent potential based on the estimated measured object and the distance between the sensor electrodes. , At least the sensor electrode and the vibration generating means are configured as a non-contact potential detection probe in a state of being housed inside the other end of a cylinder made of an insulating material, the one end of which is in contact with the object to be measured. A non-contact potential detecting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017553A JPH09211046A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Non-contact potential detection method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017553A JPH09211046A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Non-contact potential detection method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211046A true JPH09211046A (en) | 1997-08-15 |
Family
ID=11947112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8017553A Pending JPH09211046A (en) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Non-contact potential detection method and device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211046A (en) |
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