JPH09211837A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
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- JPH09211837A JPH09211837A JP1455896A JP1455896A JPH09211837A JP H09211837 A JPH09211837 A JP H09211837A JP 1455896 A JP1455896 A JP 1455896A JP 1455896 A JP1455896 A JP 1455896A JP H09211837 A JPH09211837 A JP H09211837A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な手法で、良質な位相シフトマスクを提
供すること。 【解決手段】 マスク基板１上に半透明の位相シフタ膜
２をパターン形成することにより光透過部１ａと位相シ
フタ部とを形成し、露出したマスク基板１上及び位相シ
フタ膜２上にフォトレジスト膜３を形成し、フォトレジ
スト膜３をマスク基板１の背面側から露光し、更に現像
することで、光透過部１ａに隣接する位相シフタ膜２の
エッジ部及び光透過部１ａに位置するフォトレジスト膜
３を除去し、残ったフォトレジスト膜３を熱処理して炭
化する。すなわち、位相シフタ膜３は、エッジ部のみ微
弱な光を位相を代えて透過させ、それ以外の個所では光
を透過させない。従って、エッジ部では従来通り光の干
渉効果を得てウェハ上の光強度を急峻にし、中央部では
光を遮断して、意図しない現像を発生させない。
供すること。 【解決手段】 マスク基板１上に半透明の位相シフタ膜
２をパターン形成することにより光透過部１ａと位相シ
フタ部とを形成し、露出したマスク基板１上及び位相シ
フタ膜２上にフォトレジスト膜３を形成し、フォトレジ
スト膜３をマスク基板１の背面側から露光し、更に現像
することで、光透過部１ａに隣接する位相シフタ膜２の
エッジ部及び光透過部１ａに位置するフォトレジスト膜
３を除去し、残ったフォトレジスト膜３を熱処理して炭
化する。すなわち、位相シフタ膜３は、エッジ部のみ微
弱な光を位相を代えて透過させ、それ以外の個所では光
を透過させない。従って、エッジ部では従来通り光の干
渉効果を得てウェハ上の光強度を急峻にし、中央部では
光を遮断して、意図しない現像を発生させない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスにおけるリソグラフィ工程に用いられる位相シ
フトマスクの製造方法に関する。
プロセスにおけるリソグラフィ工程に用いられる位相シ
フトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、微細化の著しい半導体集積回路の
製造について、位相シフトマスクが有効であることが知
られている。図６及び図７のそれぞれ（ａ）は位相シフ
トマスクの代表的な構造を示した模式的断面図であり、
それぞれ（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を、それぞ
れ（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表している。
製造について、位相シフトマスクが有効であることが知
られている。図６及び図７のそれぞれ（ａ）は位相シフ
トマスクの代表的な構造を示した模式的断面図であり、
それぞれ（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を、それぞ
れ（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表している。
【０００３】図６はライン＆スペースのようなラインを
繰り返し形成するパターンの場合のマスクであり、ガラ
ス材のマスク基板１１上に、例えばＣｒからなる遮光性
膜１２・・が所定の間隔で形成され、光透過部分の１つ
おき間隔で、例えばＳＯＧ(Spin On Glass)膜のように
シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる位相シフタ膜１３
・・が遮光性膜１２・・を跨いで形成されている。
繰り返し形成するパターンの場合のマスクであり、ガラ
ス材のマスク基板１１上に、例えばＣｒからなる遮光性
膜１２・・が所定の間隔で形成され、光透過部分の１つ
おき間隔で、例えばＳＯＧ(Spin On Glass)膜のように
シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる位相シフタ膜１３
・・が遮光性膜１２・・を跨いで形成されている。
【０００４】このような構造の位相シフトマスクに光を
照射するとき、位相シフトマスクを透過した光の振幅
は、図６（ｂ）に示すように、位相シフタ膜１３・・の
部分を透過した光とマスク基板のみを透過した光とで位
相が反転し、この反転による干渉効果から、図６（ｃ）
に示すように、光透過部分と遮断部分との光コントラス
トが向上する。
照射するとき、位相シフトマスクを透過した光の振幅
は、図６（ｂ）に示すように、位相シフタ膜１３・・の
部分を透過した光とマスク基板のみを透過した光とで位
相が反転し、この反転による干渉効果から、図６（ｃ）
に示すように、光透過部分と遮断部分との光コントラス
トが向上する。
【０００５】また、図７はコンタクトホールのような孤
立パターンの場合のマスクであり、マスク基板１１上に
遮光性膜１４がコンタクトホールを囲むように形成さ
れ、この遮光性膜１４の外周辺には径方向に所定長離間
して遮光性膜１５が形成されている。更に、遮光性膜１
４、１５に跨るように位相シフタ膜１６が形成されてい
る。
立パターンの場合のマスクであり、マスク基板１１上に
遮光性膜１４がコンタクトホールを囲むように形成さ
れ、この遮光性膜１４の外周辺には径方向に所定長離間
して遮光性膜１５が形成されている。更に、遮光性膜１
４、１５に跨るように位相シフタ膜１６が形成されてい
る。
【０００６】このような構造の位相シフトマスクに光を
照射するとき、位相シフトマスクを透過した光の振幅は
図７（ｂ）に示すように、位相シフタ膜１６の部分を透
過した光とマスク基板のみを透過した光とで位相が反転
し、この反転による干渉効果から、図７（ｃ）に示すよ
うに、光透過部分即ちコンタクトホールとその周辺との
光コントラストが向上する。
照射するとき、位相シフトマスクを透過した光の振幅は
図７（ｂ）に示すように、位相シフタ膜１６の部分を透
過した光とマスク基板のみを透過した光とで位相が反転
し、この反転による干渉効果から、図７（ｃ）に示すよ
うに、光透過部分即ちコンタクトホールとその周辺との
光コントラストが向上する。
【０００７】このような位相シフト効果は、位相シフタ
膜の膜厚を制御することにより得られる。最も効率の良
い光干渉効果をもたらす１８０度の位相シフトを得るた
めに必要な位相シフタ膜の膜厚ｔは、以下に示す（１）
式で表される(T.Terasawa,etal.,SPIE,1088(1989) P.25
-33)。 ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ ・・ （１） 但し、λ：露光波長、ｎ：位相シフト膜材料の屈折率 上述したように、位相シフトマスクは、通常の露光マス
クと比較して、位相シフタ膜を形成した複雑な構造とな
っているため製造が困難ではあるが、光コントラストが
向上して、超微細加工に適したものである。
膜の膜厚を制御することにより得られる。最も効率の良
い光干渉効果をもたらす１８０度の位相シフトを得るた
めに必要な位相シフタ膜の膜厚ｔは、以下に示す（１）
式で表される(T.Terasawa,etal.,SPIE,1088(1989) P.25
-33)。 ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ ・・ （１） 但し、λ：露光波長、ｎ：位相シフト膜材料の屈折率 上述したように、位相シフトマスクは、通常の露光マス
クと比較して、位相シフタ膜を形成した複雑な構造とな
っているため製造が困難ではあるが、光コントラストが
向上して、超微細加工に適したものである。
【０００８】しかしながら、これら位相シフトマスクに
あっては、通常のフォトマスク作成後に透過パターンの
一部へ位相シフタ膜を選択的に形成しなければならない
ので、製造工程が複雑になり、欠陥が生じやすくコスト
が高くなる問題があった。そこで、位相シフト法を用い
ながら上記のような問題の生じない手法として、例え
ば、特開平４−１３６８５４号公報（Ｇ０３Ｆ１／０
８）や特開平４−１６２０３９号公報（Ｇ０３Ｆ１／０
８）に記載されているような「ハーフトーン型」の位相
シフトマスクがある。
あっては、通常のフォトマスク作成後に透過パターンの
一部へ位相シフタ膜を選択的に形成しなければならない
ので、製造工程が複雑になり、欠陥が生じやすくコスト
が高くなる問題があった。そこで、位相シフト法を用い
ながら上記のような問題の生じない手法として、例え
ば、特開平４−１３６８５４号公報（Ｇ０３Ｆ１／０
８）や特開平４−１６２０３９号公報（Ｇ０３Ｆ１／０
８）に記載されているような「ハーフトーン型」の位相
シフトマスクがある。
【０００９】図８はハーフトーン位相シフト法の原理を
示したもので、このマスクは、透明基板５１上にパター
ン形成された半透明膜５２を有する。この半透明膜５２
は、露光光を振幅透過率で１〜１６％透過し、且つ透過
部に対しこの半透明膜５２を透過する光の位相が１８０
度反転する膜厚に調整したものである。このようにする
ことで、マスクパターンエッジ部分に相当するウェハ上
の光強度を急峻にし、解像性能を向上させている。
示したもので、このマスクは、透明基板５１上にパター
ン形成された半透明膜５２を有する。この半透明膜５２
は、露光光を振幅透過率で１〜１６％透過し、且つ透過
部に対しこの半透明膜５２を透過する光の位相が１８０
度反転する膜厚に調整したものである。このようにする
ことで、マスクパターンエッジ部分に相当するウェハ上
の光強度を急峻にし、解像性能を向上させている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、エ
ッジ部分の解像性能が向上する反面、半透明マスクを用
いているので、この半透明マスクに光が透過することに
起因する現像が避けられない。これは比較的大きなレジ
ストパターンに顕著に現れ、ポジ型レジストを用いた場
合にはレジストパターン中央部の膜減が生じ、ネガ型レ
ジストを用いた場合にはスペース部分に膜が残る問題が
ある。
ッジ部分の解像性能が向上する反面、半透明マスクを用
いているので、この半透明マスクに光が透過することに
起因する現像が避けられない。これは比較的大きなレジ
ストパターンに顕著に現れ、ポジ型レジストを用いた場
合にはレジストパターン中央部の膜減が生じ、ネガ型レ
ジストを用いた場合にはスペース部分に膜が残る問題が
ある。
【００１１】このような現像が起こることのないよう
に、露光強度などを調整して半透明膜の透過率を低く抑
えることも考えられるが、そうするとエッジ部分で光の
干渉が行われなくなって、期待通りの解像性能が得られ
なくなる危惧がある。本発明は、位相シフトマスク及び
その製造方法に関し、斯かる問題点を解消せんとするも
のである。
に、露光強度などを調整して半透明膜の透過率を低く抑
えることも考えられるが、そうするとエッジ部分で光の
干渉が行われなくなって、期待通りの解像性能が得られ
なくなる危惧がある。本発明は、位相シフトマスク及び
その製造方法に関し、斯かる問題点を解消せんとするも
のである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の位相シ
フトマスクは、マスク基板上に、このマスク基板の光透
過部に隣接するエッジ部が光を制限して透過させ、それ
以外の部分が光を遮断する位相シフタ膜を形成したもの
である。また、請求項２に記載の位相シフトマスクは、
マスク基板にパターン形成された半透明の位相シフタ膜
と、この位相シフタ膜上における前記マスク基板の光透
過部に隣接するエッジ部を除く個所に設けられた遮光性
膜とを具備したものである。
フトマスクは、マスク基板上に、このマスク基板の光透
過部に隣接するエッジ部が光を制限して透過させ、それ
以外の部分が光を遮断する位相シフタ膜を形成したもの
である。また、請求項２に記載の位相シフトマスクは、
マスク基板にパターン形成された半透明の位相シフタ膜
と、この位相シフタ膜上における前記マスク基板の光透
過部に隣接するエッジ部を除く個所に設けられた遮光性
膜とを具備したものである。
【００１３】また、請求項３に記載の位相シフトマスク
の製造方法は、マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、露出したマスク基板上及び位相シフ
タ膜上に遮光性膜を形成する工程と、前記光透過部に隣
接する位相シフタ膜のエッジ部及び前記光透過部に位置
する遮光性膜を除去する工程とを含むものである。
の製造方法は、マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、露出したマスク基板上及び位相シフ
タ膜上に遮光性膜を形成する工程と、前記光透過部に隣
接する位相シフタ膜のエッジ部及び前記光透過部に位置
する遮光性膜を除去する工程とを含むものである。
【００１４】また、請求項４に記載の位相シフトマスク
の製造方法は、マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、露出したマスク基板上及び位相シフ
タ膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォ
トレジスト膜を前記マスク基板の背面側から露光し、更
に現像することで、前記光透過部に隣接する位相シフタ
膜のエッジ部及び前記光透過部に位置するフォトレジス
ト膜を除去する工程と、残ったフォトレジスト膜を熱処
理して炭化する工程とを含むものである。
の製造方法は、マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、露出したマスク基板上及び位相シフ
タ膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォ
トレジスト膜を前記マスク基板の背面側から露光し、更
に現像することで、前記光透過部に隣接する位相シフタ
膜のエッジ部及び前記光透過部に位置するフォトレジス
ト膜を除去する工程と、残ったフォトレジスト膜を熱処
理して炭化する工程とを含むものである。
【００１５】また、請求項５に記載の位相シフトマスク
の製造方法は、マスク基板上に位相シフタ膜を遮光性を
有するほどの膜厚でパターン形成することにより光透過
部と位相シフタ部とを形成する工程と、前記光透過部に
隣接する前記位相シフタ膜のエッジ部を薄膜化して、こ
の部分を半透明状にする工程とを含むものである。すな
わち、位相シフタ膜は、エッジ部のみ微弱な光を位相を
変えて透過させ、それ以外の個所では光を透過させな
い。従って、エッジ部では従来通り光の干渉効果を得て
ウェハ上の光強度を急峻にし、中央部では光を遮断し
て、意図しない現像を発生させない。
の製造方法は、マスク基板上に位相シフタ膜を遮光性を
有するほどの膜厚でパターン形成することにより光透過
部と位相シフタ部とを形成する工程と、前記光透過部に
隣接する前記位相シフタ膜のエッジ部を薄膜化して、こ
の部分を半透明状にする工程とを含むものである。すな
わち、位相シフタ膜は、エッジ部のみ微弱な光を位相を
変えて透過させ、それ以外の個所では光を透過させな
い。従って、エッジ部では従来通り光の干渉効果を得て
ウェハ上の光強度を急峻にし、中央部では光を遮断し
て、意図しない現像を発生させない。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施形
態を図面に基づいて説明する。図１〜図５は本実施形態
による位相シフトマスクの製造プロセスを示す模式的断
面図である。 工程１（図１参照）：透明基板であるガラス材からなる
マスク基板１の表面に、半透明材料のＣｒＯＮからなる
位相シフタ膜２をスパッタ法により所定膜厚で堆積す
る。１８０度の位相反転を得るために、この位相シフタ
膜２の膜厚は前述の（１）式に基づき、水銀ランプを用
いてλ＝３６５ｎｍのｉ線露光を行う場合、ｔ＝２６８
ｎｍの厚みで堆積する。
態を図面に基づいて説明する。図１〜図５は本実施形態
による位相シフトマスクの製造プロセスを示す模式的断
面図である。 工程１（図１参照）：透明基板であるガラス材からなる
マスク基板１の表面に、半透明材料のＣｒＯＮからなる
位相シフタ膜２をスパッタ法により所定膜厚で堆積す
る。１８０度の位相反転を得るために、この位相シフタ
膜２の膜厚は前述の（１）式に基づき、水銀ランプを用
いてλ＝３６５ｎｍのｉ線露光を行う場合、ｔ＝２６８
ｎｍの厚みで堆積する。
【００１７】但し、位相シフタ膜２の屈折率はｎ≒２．
４７とする。そして、図示しない電子線用レジストを塗
布し、電子線露光、現像した後、このレジストをマスク
として位相シフタ膜２をドライエッチングし、パターン
化する。 工程２（図２参照）：パターン面にポジ型ｉ線レジスト
３を１μｍの厚みになるようスピンコートする。
４７とする。そして、図示しない電子線用レジストを塗
布し、電子線露光、現像した後、このレジストをマスク
として位相シフタ膜２をドライエッチングし、パターン
化する。 工程２（図２参照）：パターン面にポジ型ｉ線レジスト
３を１μｍの厚みになるようスピンコートする。
【００１８】工程３（図３参照）：マスク基板１の背面
側からｉ線を用いて一括露光する。但し、この時、半透
明の位相シフタ膜２を通過した光によって、位相シフタ
膜２上のレジスト下面部が完全に露光されてしまって、
後の現像において剥がれてしまうことのないように、露
光強度を調整する必要がある。 工程４（図４参照）：レジスト３を現像する。まず、マ
スク基板１の光透過部１ａに位置するレジストは、完全
に露光されているので、全て無くなる。更に、若干のオ
ーバー現像をすることにより、位相シフタ膜２上のエッ
ジ部のレジストが無くなる。従って、レジスト３は位相
シフタ膜２の中央部のみに残存することになる。
側からｉ線を用いて一括露光する。但し、この時、半透
明の位相シフタ膜２を通過した光によって、位相シフタ
膜２上のレジスト下面部が完全に露光されてしまって、
後の現像において剥がれてしまうことのないように、露
光強度を調整する必要がある。 工程４（図４参照）：レジスト３を現像する。まず、マ
スク基板１の光透過部１ａに位置するレジストは、完全
に露光されているので、全て無くなる。更に、若干のオ
ーバー現像をすることにより、位相シフタ膜２上のエッ
ジ部のレジストが無くなる。従って、レジスト３は位相
シフタ膜２の中央部のみに残存することになる。
【００１９】工程５（図５参照）：残ったレジスト３
に、温度：１５０℃、時間３０分のベークを加えること
により、レジスト３を炭化させる。これにより、レジス
ト３が剥がれにくくなると共にレジスト３の遮光性が高
まる。尚、位相シフタ膜２の材料として用いたＣｒＯＮ
は、もともと厚く堆積させると遮光性を有するが、本実
施形態では、これを半透明になるように膜厚を薄く調整
している。従って、位相シフタ膜２の材料として、Ｃｒ
ＯＮに代えて、膜厚の調整により半透明状態を作り出す
ことのできる他の遮光性材料を用いてもよい。
に、温度：１５０℃、時間３０分のベークを加えること
により、レジスト３を炭化させる。これにより、レジス
ト３が剥がれにくくなると共にレジスト３の遮光性が高
まる。尚、位相シフタ膜２の材料として用いたＣｒＯＮ
は、もともと厚く堆積させると遮光性を有するが、本実
施形態では、これを半透明になるように膜厚を薄く調整
している。従って、位相シフタ膜２の材料として、Ｃｒ
ＯＮに代えて、膜厚の調整により半透明状態を作り出す
ことのできる他の遮光性材料を用いてもよい。
【００２０】また、本実施形態では、位相シフタ膜２の
上にレジスト３を形成することにより遮光性を得ている
が、レジスト３を用いる代わりに、位相シフタ膜２の上
記の性質を利用して、遮光性を得る必要のある個所の膜
厚を、遮光性を得るに十分な寸法となるようにしてもよ
い。これは、工程１において、まず、位相シフタ膜２を
遮光性を有するほど十分な膜厚で堆積しておき、リソグ
ラフィー技術、エッチング技術を用いて、位相シフタ膜
２のエッジ部をエッチングして工程１と同じ膜厚まで薄
膜化することにより実現できる。
上にレジスト３を形成することにより遮光性を得ている
が、レジスト３を用いる代わりに、位相シフタ膜２の上
記の性質を利用して、遮光性を得る必要のある個所の膜
厚を、遮光性を得るに十分な寸法となるようにしてもよ
い。これは、工程１において、まず、位相シフタ膜２を
遮光性を有するほど十分な膜厚で堆積しておき、リソグ
ラフィー技術、エッチング技術を用いて、位相シフタ膜
２のエッジ部をエッチングして工程１と同じ膜厚まで薄
膜化することにより実現できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の位相シフトマスク及びその製造
方法にあっては、ハーフトーン型マスクにおいて、エッ
ジ部では従来通り光の干渉効果を得てウェハ上の光強度
を急峻にし、中央部では光を遮断して、意図しない現像
を発生させない。従って、露光精度の高い優れた位相シ
フトマスクを提供することができる。
方法にあっては、ハーフトーン型マスクにおいて、エッ
ジ部では従来通り光の干渉効果を得てウェハ上の光強度
を急峻にし、中央部では光を遮断して、意図しない現像
を発生させない。従って、露光精度の高い優れた位相シ
フトマスクを提供することができる。
【図１】本発明の実施形態における位相シフトマスクの
製造プロセスを示す模式的断面図である。
製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施形態における位相シフトマスクの
製造プロセスを示す模式的断面図である。
製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図３】本発明の実施形態における位相シフトマスクの
製造プロセスを示す模式的断面図である。
製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図４】本発明の実施形態における位相シフトマスクの
製造プロセスを示す模式的断面図である。
製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図５】本発明の実施形態における位相シフトマスクの
製造プロセスを示す模式的断面図である。
製造プロセスを示す模式的断面図である。
【図６】従来例における位相シフトマスクの作用を説明
するための図で、（ａ）はライン＆スペースを形成する
位相シフトマスクの代表的な構造を示した模式的断面
図、（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を表した図、
（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表した図である。
するための図で、（ａ）はライン＆スペースを形成する
位相シフトマスクの代表的な構造を示した模式的断面
図、（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を表した図、
（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表した図である。
【図７】従来例における位相シフトマスクの作用を説明
するための図で、（ａ）はコンタクトホールを形成する
位相シフトマスクの代表的な構造を示した模式的断面
図、（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を表した図、
（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表した図である。
するための図で、（ａ）はコンタクトホールを形成する
位相シフトマスクの代表的な構造を示した模式的断面
図、（ｂ）はマスクを透過した光の振幅を表した図、
（ｃ）はマスクを透過した光の強度を表した図である。
【図８】従来例におけるハーフトーン型位相シフトマス
クの問題点を説明するための図である。
クの問題点を説明するための図である。
１ マスク基板 １ａ 光透過部 ２ 位相シフタ膜 ３ フォトレジスト膜
Claims (5)
- 【請求項１】 マスク基板上に、マスク基板の光透過部
に隣接するエッジ部が光を制限して透過させ、それ以外
の部分が光を遮断する位相シフタ膜を形成したことを特
徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 マスク基板にパターン形成された半透明
の位相シフタ膜と、この位相シフタ膜上における前記マ
スク基板の光透過部に隣接するエッジ部を除く個所に設
けられた遮光性膜とを具備したことを特徴とする位相シ
フトマスク。 - 【請求項３】 マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、 露出したマスク基板上及び位相シフタ膜上に遮光性膜を
形成する工程と、 前記光透過部に隣接する前記位相シフタ膜のエッジ部及
び前記光透過部に位置する遮光性膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 マスク基板上に半透明の位相シフタ膜を
パターン形成することにより光透過部と位相シフタ部と
を形成する工程と、 露出したマスク基板上及び位相シフタ膜上にフォトレジ
スト膜を形成する工程と、 前記フォトレジスト膜を前記マスク基板の背面側から露
光し、更に現像することで、前記光透過部に隣接する前
記位相シフタ膜のエッジ部及び前記光透過部に位置する
フォトレジスト膜を除去する工程と、 残ったフォトレジスト膜を熱処理して炭化する工程と、
を含むことを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 マスク基板上に位相シフタ膜を遮光性を
有するほどの膜厚でパターン形成することにより光透過
部と位相シフタ部とを形成する工程と、 前記光透過部に隣接する前記位相シフタ膜のエッジ部を
薄膜化して、この部分を半透明状にする工程と、を含む
ことを特徴とした位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1455896A JPH09211837A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1455896A JPH09211837A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211837A true JPH09211837A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11864488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1455896A Pending JPH09211837A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211837A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645856B2 (en) | 2001-08-17 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device using half-tone phase-shift mask to transfer a pattern onto a substrate |
| US6653052B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods |
| US6660438B2 (en) | 2000-11-01 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device |
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| JP5352451B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-11-27 | アルバック成膜株式会社 | グレートーンマスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1455896A patent/JPH09211837A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
| US6653052B2 (en) | 2000-04-25 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods |
| US6750000B2 (en) | 2000-04-25 | 2004-06-15 | Renesas Technology Corp. | Electron device manufacturing method, a pattern forming method, and a photomask used for those methods |
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| US6893785B2 (en) | 2000-11-01 | 2005-05-17 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device |
| US6645856B2 (en) | 2001-08-17 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device using half-tone phase-shift mask to transfer a pattern onto a substrate |
| JP5352451B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-11-27 | アルバック成膜株式会社 | グレートーンマスクの製造方法 |
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