JPH09212827A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、
その再生出力の減少を、感磁部における高感度化によっ
て補償して、縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける
磁気ギャップの狭小化を図って記録媒体上の記録密度の
向上をはかることができるようする。 【解決手段】 それぞれ軟磁性体からなる下部磁性体２
と上部磁性体６との間に磁気抵抗効果を有する感磁部４
が配置された構成を採り、その感磁部４が、少なくと
も、軟磁性膜、非磁性導電膜、磁性膜、反強磁性膜が順
次積層されてなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
造部を有する構成とし、この感磁部４には、下部磁性体
２と上部磁性体６との間に導入される磁気記録媒体から
の信号磁界方向と平行方向にセンス電流を通電する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁
気ヘッド、特にその磁気抵抗効果感磁部への抵抗変化を
検出するためのセンス電流の通電方向と、磁気記録媒体
からの記録信号磁界の方向が平行に選定されたいわゆる
縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果感磁部へのセンス電流の通
電方向と、磁気記録媒体からの記録信号磁界の方向が平
行に選定されたいわゆる縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドは、図１にその概略断面図を示すように、下部磁性体
となる基板１上に、もしくは基板１が例えば非磁性セラ
ミック基板である場合には、図示のように、この基板１
上にセンダスト等の下部磁性体２が形成され、これの上
にＡｌ₂ Ｏ₃ 等の絶縁層３が被着形成され、これの上に
感磁部４が形成される。そして、この感磁部４上には、
Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の絶縁層５を介して導電性を有する上部磁
性体６が配置され、これの上に保護層１０が形成され
る。そして、記録再生ヘッドを構成する場合において
は、さらにこれの上に、例えば薄膜記録ヘッド（図示せ
ず）が積層形成される。

【０００３】感磁部４は、図１で示すように、磁気記録
媒体例えばハードディスク（図示せず）との対向ないし
は対接面例えば浮上型磁気ヘッドにおいては、いわゆる
ＡＢＳ（エアー ベアリング サーフェス）（以下媒体
対向面という）７から、後方に延長して磁気抵抗効果膜
例えばＮｉＦｅ合金膜が帯状に形成される。感磁部４の
前方端および後方端には、感磁部４にセンス電流ｉを通
電する電極８ａおよび８ｂがコンタクトされ、これら電
極８ａおよび８ｂ間にセンス電流ｉが通電される。そし
て、前方の電極８ａは、上部磁性体６に電気的に連接さ
れてこの上部磁性体６が電極８ａからの導出端子として
の機能を有するようになされる。

【０００４】このようにして、感磁部４が、両磁性層２
および６によって挟みこまれて外部と磁気的にシールド
されるとともに、この感磁部４の前方端が、媒体対向面
７における両磁性層２および６間の前方の間隙すなわち
磁気ギャップＧを通じて、前方に臨むようになされ、こ
の磁気ギャップＧから、媒体対向面７に対接ないしは対
向しつつ相対的に移行する磁気記録媒体（図示せず）か
らの漏洩磁界すなわち記録部からの信号磁界Ｈｓを感磁
部４に導入する。すなわち、感磁部４に通ずるセンス電
流ｉと平行に信号磁界を導入する。

【０００５】感磁部４においては、これに印加された信
号磁界によって生じた抵抗変化をセンス電流によって電
圧変化として検出することによって、信号磁界の検出す
なわち磁気記録媒体上の記録の再生がなされる。

【０００６】この構成において、下部および上部磁性体
２および６の間隔は、前方の磁気ギャップＧを形成する
部分の間隔Ｄ_G は狭小に選定されるが、感磁部４の前方
すなわち電極８ａがコンタクトされる部分以外の後方に
おける間隔Ｄ_B においては充分大に選定される。つま
り、感磁部４の後方においては、間隔Ｄ_B が充分大に選
定されることから磁性層６との短絡のおそれは回避で
き、前方においては、前方電極８ａと磁性層６とは電気
的に接続される構成としていることから、磁気ギャップ
部Ｇにおける間隔Ｄ_G は充分狭小に構成することがで
き、ひいては磁気記録媒体例えばハードディスクにおけ
る記録密度の向上を可能にするものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このよう
に、磁気ギャップＧの狭小化がなされると、感磁部４に
導入される信号磁界の取り込み量が減少することから、
再生出力が減少するという問題がある。

【０００８】そこで、本発明においては、この縦型の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、その再生出力の減少
を、感磁部における高感度化によって補償して、縦型の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁気ギャップの狭小
化を図って記録媒体上の記録密度の向上をはかることが
できるようする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明においては、それ
ぞれ軟磁性体からなる下部磁性体と上部磁性体との間に
磁気抵抗効果を有する感磁部が配置され、この感磁部
に、下部磁性体と上部磁性体との間に導入される磁気記
録媒体からの信号磁界方向と平行方向にセンス電流を通
電するいわゆる縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド構成と
するものであり、その感磁部が、少なくとも、軟磁性
層、非磁性導電層、磁性層、反強磁性層が順次積層され
てなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部を有す
る構成とされる。

【００１０】また、本発明においては、それぞれ軟磁性
体からなる下部磁性体と上部磁性体との間に磁気抵抗を
有する感磁部が配置され、この感磁部に、下部磁性体と
上部磁性体との間に導入される磁気記録媒体からの信号
磁界方向と平行方向にセンス電流を通電するいわゆる縦
型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド構成とするものであり、
その感磁部が、少なくとも、軟磁性層、非磁性導電層、
硬磁性層が順次積層されてなるスピンバルブ型巨大磁気
抵抗効果膜構造部を有する構成とされる。

【００１１】ところで、本発明においては、上述したよ
うに、信号磁界方向と平行方向にセンス電流を通電する
いわゆる縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを対象とする
ものであるが、ここで信号磁界方向と平行方向にセンス
電流を通電する、なる表現は、磁気ヘッドに導入される
信号磁界の主たる方向とセンス電流の主たる通電方向と
がほぼ平行方向であるということを指称するものであ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する。本
発明による磁気ヘッドは、例えば図１でその一例の概略
断面図を示した縦型のヘッドに適用することができる。

【００１３】すなわち、この例においては、下部磁性体
となる基板１上に、もしくは基板１が非磁性の例えばア
ルミナチタンカーバイト等の非磁性セラミック基板等で
ある場合には、図示のように、この基板１上にセンダス
ト等の下部磁性体２が形成され、これの上にＡｌ₂ Ｏ₃
等の絶縁層３が被着形成される。そして、この絶縁層上
に、磁気抵抗効果を有する感磁部４が形成され、この感
磁部４上には、Ａｌ₂Ｏ₃ 等の絶縁層５を介して導電性
を有する上部磁性体６が配置され、これの上に保護層１
０が形成される。そして、記録再生ヘッドを構成する場
合においては、さらにこれの上に、例えば薄膜記録ヘッ
ド（図示せず）が積層形成される。

【００１４】感磁部４は、媒体対向面７から、後方に延
在する帯状に形成される。感磁部４の前方端および後方
端には、感磁部４にセンス電流ｉを通電する電極８ａお
よび８ｂがコンタクトされ、これら電極８ａおよび８ｂ
間にセンス電流ｉが通電される。そして、前方の電極８
ａは、上部磁性体６に電気的に連接されてこの上部磁性
体６が電極８ａからの導出端子としての機能を有するよ
うになされる。

【００１５】このようにして、感磁部４が、両磁性層２
および６によって挟みこまれて外部と磁気的にシールド
されるとともに、この感磁部４の前方端が、媒体対向面
７における両磁性層２および６間の前方の間隙すなわち
磁気ギャップＧを通じて、前方に臨むようになされ、こ
の磁気ギャップＧから、媒体対向面７に対接ないしは対
向しつつ相対的に移行する磁気記録媒体（図示せず）か
らの漏洩磁界すなわち記録部からの信号磁界Ｈｓを感磁
部４に導入する。すなわち、感磁部４に通ずるセンス電
流ｉと平行に信号磁界Ｈｓを導入する。

【００１６】感磁部４においては、これに印加された信
号磁界によって生じた抵抗変化をセンス電流によって電
圧変化として検出することによって、信号磁界の検出す
なわち磁気記録媒体上の記録の再生がなされる。

【００１７】本発明は、このような縦型の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、特にその感磁部４をスピンバル
ブ型巨大磁気抵抗効果型構成とする。すなわち、この感
磁部４を図２にその一例の一部を断面とした概略斜視図
を示すように、下部磁性体２上に、例えば絶縁層３を介
してスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部５０を有
する構成とする。図２の例では、絶縁層３上に、下地層
５１と、軟磁性層５２と、非磁性導電層５３と、磁性層
５４と、この磁性層５４と交換結合する反強磁性層５５
および保護層５６が順次例えばスパッタリングによって
積層形成された構成を有する。この反強磁性層５５と磁
性層５４の交換結合方向は、センス電流ｉと平行に信号
磁界Ｈｓに沿う方向に選定される。

【００１８】下地層５１は、例えばＴａ，Ｔｉ，Ｈｆ等
の少なくともいづれかの厚さ５．０〜１０．０ｎｍの材
料膜よりなる。

【００１９】軟磁性層５２は、例えばＮｉＦｅ，ＮｉＦ
ｅＣｏ，ＮｉＦｅ−Ｘ等の少なくともいづれかよりな
り、Ｘは、Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｈ
ｆ，Ｃｒ等の少なくともいづれかとする、厚さ１５．０
ｎｍ以下の材料膜よりなる。

【００２０】非磁性導電層５３は、Ｃｕ，ＣｕＮｉ，Ｃ
ｕＡｇ等の少なくともいづれかの厚さ１．８〜３．０ｎ
ｍの材料膜よりなる。

【００２１】磁性層５４は、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，
Ｃｏ，ＣｏＦｅ等の少なくともいづれかの厚さ１．０〜
８．０ｎｍの材料膜よりなる。

【００２２】反強磁性層５５は、高保磁力の反強磁性の
ＦｅＭｎ，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ，ＣｏＭｎ等
の少なくともいづれかの膜厚５．０〜８０ｎｍの材料膜
よりなり、一定方向に磁化される。

【００２３】また、保護層は、上述した下地層と同様の
材料膜によって構成することができる。

【００２４】図２で示したスピンバルブ型巨大磁気抵抗
効果膜構造部５０は、基板１側に軟磁性層５２が配置さ
れた場合であるが、軟磁性層５１〜反強磁性層５５の積
層構造を図２の場合とその上下を反転した構成すなわち
反強磁性層５５を、基板１側とする配置構成とすること
もできる。この場合、反強磁性層５５として例えばＦｅ
Ｍｎのように反強磁性特性を誘発する下地層を要する場
合は、上述の下地層５１上に、更に例えばＮｉＦｅもし
くはＣｕ膜を配置することが望ましい。

【００２５】このスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
造部５０によって構成される感磁部４は、外部印加磁界
すなわち記録媒体からの信号磁界に対して高い抵抗変
化、すなわち高感度の磁気抵抗効果型を示す。

【００２６】このスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構
造部５０の磁気抵抗効果動作を概略説明すると、上述し
たように、磁性層５４上には、これとセンス電流ｉと平
行に交換結合する反強磁性層５５が被着形成されている
ことから、この磁性層５４は、その磁化の向きが固定さ
れたいわゆるピン層とされる。磁性軟磁性層５２は、薄
い非磁性導電層５３によって磁性層５４と分離されてい
て、その磁化の向きが固定されていないいわゆるフリー
層とされる。

【００２７】この状態で、外部磁界すなわち磁気記録媒
体からの記録情報による信号磁界が印加されると、これ
によってフリー層すなわち軟磁性層５２が磁化され、そ
のスピンが回転する。そして、いま磁化が固定されたピ
ン層すなわち磁性層５４のスピンの向きと、フリー層す
なわち軟磁性層５２のスピンの向きとが１８０°である
場合、感磁部４における抵抗は最大となる。これは、感
磁部４の両電極８ａおよび８ｂ間を移行しようとする電
子が、非磁性層と互いにスピンの向きを異にする両磁性
層５２および５４との界面で散乱することによる。そし
て逆に、両磁性層５２および５４のスピンの向きが同じ
とされる場合は、電子の散乱が小となりその抵抗は最小
となるものである。

【００２８】このように、スピンバルブ型巨大磁気抵抗
効果膜構造とする場合は多層膜構造とし、磁化が固定さ
れたピン層の構成により、外部磁界によって大きく抵抗
が変化するすなわち高感度の感磁部を構成することがで
きるものである。

【００２９】なお、実際の磁気ヘッドにおいては、感磁
部４すなわちスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部
５０に導入される磁気記録媒体からの信号磁界によって
容易に、軟磁性層５２（フリー層）のスピンが回転する
ことができるように、軟磁性層５２の磁化容易軸方向
は、各層の幅方向すなわちセンス電流方向（信号磁界方
向）を横切る直交方向に設定される。

【００３０】上述したように、本発明においては、その
感磁部４を、磁気感度にすぐれたスピンバルブ型巨大磁
気抵抗効果膜構造としたことによって、感磁部４の感度
の向上をはかるので、この感磁部への信号磁界の取り込
み量が小さい縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける
再生出力の補償を行うものである。

【００３１】感磁部４を構成するスピンバルブ型巨大磁
気抵抗効果膜構造部５０は、図３にその一部を断面とし
た概略斜視図を示すように、図２の反強磁性層５６と磁
性層５５との構成に代えて、所定方向すなわち上述した
と同様に、膜面に沿いかつ幅方向すなわちセンス電流ｉ
および信号磁界Ｈｓ方向とほぼ直交する方向に磁化の向
きが設定がなされた硬磁性層５７を配置した構成とする
ことができる。

【００３２】すなわち、この場合においては、例えば下
地膜５１上に、軟磁性層５２、非磁性導電層５３、硬磁
性層５７および保護膜５６が順次積層された構成とする
ことができる。図３において、図２と対応する部分には
同一符号を付して重複説明を省略する。この構成におい
て、下地膜５１、軟磁性層５２、非磁性導電層５３、お
よび保護膜５６については、図２の構成において説明し
たと同様の材料膜によって構成することができる。

【００３３】硬磁性膜５７は、高保磁力のＣｏＰｔ，Ｃ
ｏＰｔＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等によって構成することがで
きる。

【００３４】この場合、下地層５１と保護膜５６は省略
することができる。また、この図３の構成において、軟
磁性層５２から硬磁性膜５７の配置を図３において上下
反転させた配置に、すなわち硬磁性膜５７を基板１側と
する構成とすることもできる。

【００３５】そして、これらの構成においても、図２の
構成のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部の動作
原理と同様の動作原理によって高い感度の感磁部４を構
成することができる。

【００３６】上述したように、本発明においては、感磁
部４をスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造５０とす
ることによって高感度化をはかるものであるが、この構
成において、その信号磁界の与えられない状態での軟磁
性膜５２の磁化の方向は、所定の方向、本発明で対象と
する縦型磁気ヘッド構成とする場合、前述したように実
際にはセンス電流ｉの方向すなわち信号磁界Ｈｓの方向
を横切る方向すなわちほぼ直交する方向に設定すること
になるが、この場合、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果
膜構造部５０の長手方向が、信号磁界Ｈｓ方向であるこ
とから、軟磁性膜５２の磁化の方向は、その短辺方向と
なり、その磁化は形状異方性によって不安定となるおそ
れがある。そこで、この磁化の安定化をはかるために、
図４および図５に示すように、感磁部４を、上述したス
ピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部５０と、これの
磁化の安定化をはかる磁界を印加する磁化安定化手段６
１とを有する構成とする。

【００３７】磁化安定化手段６１は、例えば図４に模式
的斜視図を示すように、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効
果膜構造部５０に隣接してその膜面に沿い、かつセンス
電流ｉおよび信号磁界Ｈｓ方向に沿う両側もしくはいづ
れか一側に配置する。あるいは、図５に同様の模式的斜
視図を示すように、中間膜６２を介してスピンバルブ型
巨大磁気抵抗効果膜構造部５０下、または／およびスピ
ンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部５０上に配置す
る。

【００３８】磁化安定化手段６１は、高保磁力を有し、
図４および図５に矢印Ｍをもって示すように、上述した
スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部５０に与えら
れるセンス電流ｉの方向および信号磁界Ｈｓの方向とほ
ぼ直交する方向に磁化固定された硬磁性膜より構成す
る。この硬磁性膜の保磁力は、その形状異方性磁界や、
外乱磁界によって乱されることのない程度に充分高い保
磁力を有する磁性膜、例えば例えばＢａＦｅＯとか、Ｃ
ｏ系の硬磁性膜例えばＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＴａ等によっ
て構成し得る。

【００３９】また、その磁気的特性の安定化をはかるた
めに、この硬磁性膜下に、Ｃｒ等の下地膜を形成するこ
とが望ましい。また、この硬磁性膜上に、軟磁性膜例え
ばＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＮｉＦｅ−Ｘの少なくとも
いづれかよりなり、Ｘは、Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍ
ｏ，Ｒｈ，Ｈｆ，Ｃｒの少なくともいづれかよりなる軟
磁性膜を被着形成して、硬磁性膜表面に発生する磁極
を、側面に逃す構造とすることができる。

【００４０】この硬磁性膜による磁化安定化手段６１の
磁界強度、すなわちスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜
構造部５０への印加磁界強度の選定は、その残留磁束密
度Ｂｒとその厚さδの積、Ｂｒ・δの選定によって選定
することができる。

【００４１】また、磁化安定化手段６１としては、下地
膜上に磁性膜とこれに交換結合された反強磁性膜の積層
構造によって構成することもできる。この場合の交換結
合方向は、上述のセンス電流ｉの方向および信号磁界Ｈ
ｓの方向とほぼ直交する方向となるように反強磁性膜の
磁化固定がなされる。

【００４２】下地膜は、例えばＴａ，Ｔｉ，Ｈｆ等また
はこれらに添加元素を入れた合金によって構成し得る。
またこれの上の磁性膜は、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，Ｎ
ｉＦｅ−Ｘの少なくともいづれかよりなり、Ｘは、Ｔ
ａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｈｆ，Ｃｒの少な
くともいづれか、あるいは例えばＮｉＦｅ／Ｃｏ等の２
層構造等によって構成し得る。反強磁性膜は、ＦｅＭ
ｎ，ＮｉＭｎ，ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ，ＣｏＯ，ＣｏＭｎ
等の少なくともいづれかによって構成することができ
る。

【００４３】硬磁性膜、反強磁性膜に対する磁化は、そ
の成膜を所定方向の磁界印加の下で行うとか、成膜後
に、所定方向の磁界印加を行うことによって行うことが
できる。

【００４４】このような磁化安定化手段６１により、ス
ピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部５０に、所定の
磁界が印加されるようにして、形状異方性等に起因する
軟磁性膜５２における磁化の不安定性を補償してその安
定化をはかる。

【００４５】〔実施例〕図１の構成による縦型の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを採り、その感磁部４として、図２
で示した構造のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造
部５０を有し、図５で示した磁化安定化手段６１を有す
る構造とした。この場合の、感磁部４の膜構成は、厚さ
７．３ｎｍのＴａによる下地膜上に、厚さ３．３ｎｍの
ＮｉＦｅ膜と厚さ１．１ｎｍのＣｏ膜との２層構造によ
る磁性膜と、厚さ１０．０ｎｍのＦｅＭｎによる反強磁
性膜とが積層された磁化安定化手段６１を構成し、これ
の上に厚さ７．３ｎｍのＴａによる中間膜ないしは下地
膜を形成して、これの上に厚さ１０．０ｎｍのＮｉＦｅ
による軟磁性層５２と、厚さ２．４ｎｍのＣｕよりなる
非磁性導電層３と、厚さ４．４ｎｍのＣｏよりなる磁性
層５４と、厚さ１０．０ｎｍのＦｅＭｎによる反強磁性
層５５と、厚さ８．８ｎｍのＴａによる保護層５６が積
層されてなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部
５０を構成した。そして、この場合、そのトラック幅す
なわち感磁部４の幅Ｔｗ＝５．０μｍ、感磁部４の長さ
Ｌ＝８μｍ、電極８ａおよび８ｂ間の間隔すなわち感磁
部の実効長ｌ＝６μｍ、センス電流Ｉｓ＝６ｍＡとし
た。

【００４６】この構成による磁気ヘッドは、その感磁部
４は、ヒステリシスおよびバルクハウゼンノイズが無い
すぐれた磁気抵抗特性を示した。そして、この本発明に
よる磁気ヘッドの再生特性すなわち外部磁界に対する抵
抗変化率を図６中実線曲線に示す。図６中破線曲線は、
スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造によらないそれ
ぞれ厚さ２０ｎｍの２層のＮｉＦｅ層を非磁性層を介し
て積層した従来の縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの同
様の外部磁界に対する抵抗変化率特性の測定結果を示し
た。この従来の構成による磁気ヘッドはトラック幅Ｔｗ
＝５．０μｍ、感磁部４の長さＬ＝７．５μｍ、電極間
の間隔すなわち感磁部の実効長ｌ＝３．０μｍと、セン
ス電流Ｉｓ＝６ｍＡとした。

【００４７】図６をみて明らかなように、本発明による
磁気ヘッドによれば、小さい磁界で大きな抵抗変化、す
なわち高感度化が得られることがわかり、その磁気感度
は２．６倍に及んだ。

【００４８】上述したところから明らかなように、本発
明構成によれば、縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
ける感度の低下を補償できるので、縦型の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおける特徴、すなわち狭ギヤップ化がは
かられ、記録密度の向上をはかることができる。

【００４９】

【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、その再生出
力の減少を、感磁部における高感度化によって補償し
て、縦型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおける磁気ギャ
ップのより狭小化を図って記録媒体上の記録密度の向上
をはかることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用する磁気ヘッドの一例の概略断面
図である。

【図２】本発明による磁気ヘッドの感磁部の一例を示す
一部を断面とした概略斜視図である。

【図３】本発明による磁気ヘッドの感磁部の一例を示す
一部を断面とした概略斜視図である。

【図４】磁化安定化手段を具備する感磁部の一例の模式
的斜視図である。

【図５】磁化安定化手段を具備する感磁部の一例の模式
的斜視図である。

【図６】本発明による磁気ヘッドと従来の磁気ヘッドと
の磁気抵抗特性を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板、２ 下部磁性体、４ 感磁部、６ 上部磁性
体、８ａ 前方電極、８ｂ 後方電極、５０ スピンバ
ルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部、５１ 下地層、５２
軟磁性層、５３ 非磁性層、５４ 磁性層、５５ 反
強磁性層、５６保護層、５７ 硬磁性層、６１ 磁化安
定化手段。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれ軟磁性体からなる下部磁性体と
   上部磁性体との間に磁気抵抗効果を有する感磁部が配置
   され、 該感磁部に、上記下部磁性体と上記上部磁性体との間に
   導入される磁気記録媒体からの信号磁界方向と平行方向
   にセンス電流が通電され、 該感磁部は、少なくとも、軟磁性層、非磁性導電層、磁
   性層、反強磁性層が順次積層されてなるスピンバルブ型
   巨大磁気抵抗効果膜構造部を有してなることを特徴とす
   る磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 それぞれ軟磁性体からなる下部磁性体と
   上部磁性体との間に磁気抵抗を有する感磁部が配置さ
   れ、 該感磁部に、上記下部磁性体と上記上部磁性体との間に
   導入される磁気記録媒体からの信号磁界方向と平行方向
   にセンス電流が通電され、 該感磁部は、少なくとも、軟磁性層、非磁性導電層、硬
   磁性層が順次積層されてなるスピンバルブ型巨大磁気抵
   抗効果膜構造部を有してなることを特徴とする磁気抵抗
   効果型磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 上記軟磁性層が、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣ
   ｏ，ＮｉＦｅ−Ｘの少なくともいづれかよりなり、Ｘ
   は、Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｈｆ，Ｃｒ
   の少なくともいづれかよりなることを特徴とする請求項
   １に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 上記軟磁性層が、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣ
   ｏ，ＮｉＦｅ−Ｘの少なくともいづれかよりなり、Ｘ
   は、Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｈｆ，Ｃｒ
   の少なくともいづれかよりなることを特徴とする請求項
   ２に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 上記非磁性導電層が、Ｃｕ，ＣｕＮｉ，
   ＣｕＡｇの少なくともいづれかよりなることを特徴とす
   る請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 上記非磁性導電層が、Ｃｕ，ＣｕＮｉ，
   ＣｕＡｇの少なくともいづれかよりなることを特徴とす
   る請求項２に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 上記磁性層が、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣ
   ｏ，Ｃｏ，ＣｏＦｅの少なくともいづれかよりなること
   を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
   ド。
8. 【請求項８】 上記反強磁性層が、ＦｅＭｎ，ＮｉＭ
   ｎ，ＮｉＯ，ＮｉＣｏＯ，ＣｏＯ，ＣｏＭｎの少なくと
   もいづれかよりなることを特徴とする請求項１に記載の
   磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 上記硬磁性層が、ＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＣ
   ｒ，ＣｏＣｒＴａの少なくともいづれかよりなることを
   特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
   ド。
10. 【請求項１０】 上記感磁部は、 上記スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部と、 該スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部に、固定磁
    界を印加する磁化安定化手段とを具備してなることを特
    徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 上記感磁部は、 上記スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部と、 該スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果膜構造部に、固定磁
    界を印加する磁化安定化手段とを具備してなることを特
    徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 上記磁化安定化手段は、磁化固定され
    た硬磁性層よりなることを特徴とする請求項１０に記載
    の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
13. 【請求項１３】 上記磁化安定化手段は、磁化固定され
    た硬磁性層よりなることを特徴とする請求項１１に記載
    の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 上記磁化安定化手段は、磁化固定され
    た反強磁性層よりなることを特徴とする請求項１０に記
    載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。