JPH09212903A

JPH09212903A - 光ピックアップ及び相変化型光ディスク用の光ピックアップ

Info

Publication number: JPH09212903A
Application number: JP8017276A
Authority: JP
Inventors: Toshinori Kai; 敏則甲斐; Kazufumi Hamabuchi; 一文濱渕
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-02-02
Filing date: 1996-02-02
Publication date: 1997-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】良好な信号特性を有し、かつ、歩留まりの高
い光ピックアップを提供することを目的としている。【解決手段】基板５１と反射膜５３との間に基板５１
及び反射膜５３の双方に対して高い密着性を有する密着
強化層５２を形成して、反射膜５３の剥がれ等を減少さ
せることにより、良好な信号特性を有し、かつ、歩留ま
りの高い光ピックアップを提供することを目的としてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光素子、光ディス
ク等への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及び
相変化型光ディスク用の光ピックアップに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ピックアップの小型化を目標と
した集積型の光ピックアップ素子が開発されており、実
用化に供しようとしている。図２１は従来の光ピックア
ップの構成図である。５０１は、半導体レーザー等から
なる光源である。光源５０１から出射された光は光ガイ
ド部材５０５に入射する。そして光ガイド部材５０５の
内部に設けられた光学素子によって、所定の特性を有す
る光に変換され、光ガイド部材５０５から出射される。
この出射光は次に対物レンズ５２６に入射し、その後記
録媒体５２９上にフォーカスし、記録媒体５２９中に形
成されている情報記録面５２９ａに記録されているデー
タによって、その性質を若干変化させて反射され、反射
光となる。この反射光は再び対物レンズ５２６に透過
し、光ガイド部材５０５に入射し、その後光ガイド部材
５０５に設けられている複数の反射膜等の光学部材によ
りその光路を複数に分割されながら受光素子５１３に導
かれ所定の信号を検出するものである。

【０００３】このとき光ガイド部材５０５に設けられて
いる複数の反射膜には金属反射膜が用いられていること
が多い。図２２は従来の反射膜の断面図である。図２２
において４００は基板で、基板４００は通常ガラス等の
光の透過率の高い物質から構成されている。基板４００
中を進行してきた光４０１は基板４００の端面４００ａ
に形成された金属反射膜４０２に入射する。金属反射膜
４０２に入射した光４０１はそこで反射されて所定の位
置に導かれる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成で用いられていた金属反射膜４０２は、パター
ンを形成する際のフォトリソグラフィープロセスで用い
られるいろいろな種類の有機溶剤等の化学薬品に対して
の耐性が低いので、所定の膜厚で金属反射膜４０２を形
成しても、その後の工程、例えばレジスト除去の工程な
どで金属反射膜４０２が損傷したり、剥がれたりしてし
まい、光学特性を悪化させる原因となっていた。さらに
は金属反射膜４０２は、ガラス等の基板４００の材料と
の接合力が弱いので、複数の基板を張り合わせて基板ブ
ロックを形成し、その基板ブロックを切断して光ガイド
部材５０５を得る場合には、切断時に各基板間の接合部
位がはがれてしまう等の問題点を有していた。

【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、基板
と反射膜との間に基板及び反射膜の双方に対して高い密
着性を有する密着強化層を形成して、反射膜の剥がれ等
を減少させることにより、良好な信号特性を有し、か
つ、歩留まりの高い光ピックアップを提供することを目
的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、光ガイド部材に設けられた複数の光学部材の少なく
とも一つには反射膜もしくは基板上に反射膜を含有する
光学部材のどちらか一方が設けてあり、前記反射膜は前
記基板上に密着強化層を介して接合されているいう構成
を有している。また密着強化層は反射膜の周縁部に設け
るという構成を有し、更に密着強化層をＣｒ，Ｔｉ，Ｐ
ｔのうち少なくとも１つを含有する金属材料で形成する
という構成を有している。

【０００７】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、光源
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の基板を有し、前記光源からの光を少なくとも
１つの光学部材を介して光媒体に導くとともに、前記光
媒体から反射してきた光を複数の光学部材を介して所定
の位置に導く光ガイド部材と、光を受光するとともに受
光した光信号を電気信号に変換する受光手段とを備え、
前記複数の光学部材の少なくとも一つには反射膜もしく
は反射膜を含有する光学部材のどちらか一方が設けてあ
り、前記反射膜を前記基板上に密着強化層を介して接合
することにより、基板と反射膜との間の接合性を強化す
ることができる。

【０００８】また請求項２記載の発明は、密着強化層を
反射膜の周縁部に設けたことにより、光が密着強化層に
入射して、光の特性が劣化することを防止できる。

【０００９】更に請求項３記載の発明は、密着強化層を
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｔのうちの少なくとも一つを含有する金
属材料で形成することにより、密着強化層の基板及び反
射膜の双方への密着性を特に良好にすることができる。

【００１０】以下本発明の一実施の形態における光ピッ
クアップのパッケージングについて図を参照しながら説
明する。

【００１１】図１及び図２はともに本発明の一実施の形
態における光ピックアップのパッケージングの構成を示
す断面図である。

【００１２】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１３】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧
着する方法を用いることが好ましい。また光源１とサブ
マウント２は略水平に取り付けなければ光学系の収差や
結合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光
源１はサブマウント２に所定の位置に所定の高さで略水
平にマウントされることが好ましい。さらにサブマウン
ト２の上面には光源１の下面と電気的に接触するように
電極面２ａが設けられている。この電極面２ａは光源１
の電源供給用のもので、電極面２ａを構成する金属膜と
しては導電性や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いるこ
とが好ましい。更にサブマウント２は、光源１で発生す
る熱や光源１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、
かつ、線膨張係数が光源１のそれ（約６．５×１０ ^-6／
℃）に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３
〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率が１００ｗ／ｍＫ以上
である物質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ
／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
１とサブマウント２の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源１とサブマウント２の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源１とサブマウ
ント２との取付部分が外れたり、光源１にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源１とサブマウント２の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント２の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源１で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の
出力が低下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施の形態では比較的安価で、これら
の２つの特性のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用い
た。更にサブマウント２の上面には光源１との接合性を
良くするために、サブマウント２から光源１に向かって
Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成することが好まし
い。

【００１４】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同
様に、多少高価ではあるがＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温
で圧着することが好ましい。

【００１５】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３はロウ付け，
半田箔等により放熱板４の上面に固定される。放熱板４
の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が
考えられる。

【００１６】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００１７】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００１８】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００１９】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５は
その側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接着
されている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光ガ
イド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とする
ことが好ましい。

【００２０】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なＵＶ接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子１３は光源１から
出射され、光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子１３として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子１３の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成され
た複数の電極１３ａが設けてある。

【００２１】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００２２】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリプチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２３】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，ＦＫ−１，Ｋ−３等の
ガラスや、ウレタン，ポリカーボネート，アクリル等の
光透過率の高い樹脂等を用いることがことが好ましい。
更にカバー部材１６の上下両面には反射防止のために反
射防止膜１６ａを形成することが好ましい。この反射防
止膜１６ａはＭｇＦ₂等の材質で形成することが好まし
い。

【００２４】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得ないくなってしまい、
ピックアップユニットの小型化に不利になるからであ
る。この様な構成を用いることにより光ピックアップの
高さをより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピ
ックアップユニットを小型化することができる。

【００２５】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００２６】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００２７】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００２８】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作について、図面を参照しながら説明する。図３は
本発明の一実施の形態における光ピックアップの動作の
概念図、図４は本発明の一実施の形態における光ガイド
部材の斜視図である。

【００２９】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変
換ホログラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光
は第一の斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によ
って０次回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回
折光（以下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折
格子６によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第一の偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射す
る。第一のビームスプリッター膜９は入射面に対して平
行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）
に対してほぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分
（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対
物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によ
って記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像される。こ
の時、記録媒体面２７ａ上において２つのサイドビーム
のビームスポット２９ａ及び２９ｃはメインビームのビ
ームスポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像
される。記録媒体面２７ａに対してメインビーム及びサ
イドビームのビームスポット２９ｂ及び２９ａ、２９ｃ
により情報の記録または再生信号及びトラッキング、フ
ォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００３０】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うことができる。

【００３１】記録媒体２７の情報記録面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面５ｂに形成された第一のビー
ムスプリッター膜９に入射する。

【００３２】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成され
た第二の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００３３】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００３４】図５は本発明の一実施の形態における光ピ
ックアップの偏光面変換基板の斜視図、図６は本発明の
一実施の形態における光ピックアップの受光部配置及び
信号処理を示す図である。偏光面変換基板３１は第１の
その他の斜面３１ａ（以下単に第１他斜面と呼ぶ）とそ
の第１他斜面３１ａに略平行な第２のその他の斜面３１
ｂ（以下単に第２他斜面と呼ぶ）を有し、第１他斜面３
１ａには反射膜１２６が、第２他斜面３１ｂには偏光分
離膜１２が夫々形成されている。透過光１１７は第２他
斜面３１ｂ上に形成された偏光分離膜１２に入射する。
第２他斜面３１ｂは透過光１１７の偏光面１１７ａと入
射面１２８とのなす角が略４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎ
は整数）になるように形成されている。その結果透過光
１１７のＰ偏光成分１１７ＰとＳ偏光成分１１７Ｓは略
１：１の強度比を有するようになる。入射面１２８と平
行な偏光成分を有するＰ偏光成分１１７Ｐは偏光分離膜
１２によってほぼ１００％透過し、一方、入射面１２８
に垂直な偏光成分を有するＳ偏光成分１１７Ｓは第２他
斜面３１ｂ上の偏光分離膜１２によって略１００％反射
し第１他斜面３１ａ面上に入射し、反射膜１２６によっ
て反射され受光素子１３へ導かれる。受光素子１３に導
かれたＰ偏向成分１１７Ｐは受光部１７０へ、同じくＳ
偏向成分１１７Ｓは受光部１７１へ到達してＲＦ信号を
作成する。

【００３５】次に図３中に示す第二のビームスプリッタ
ー膜１１に入射した光束のうち反射光１２３に関して説
明する。反射光１２３は第二の斜面５ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子１３上の受光部１７２に、サイドビームの戻り光は
受光素子１３上の受光部１７６及び１７７に到達する。

【００３６】次に本発明の一実施の形態について、特に
相変化型光ディスクに対応した光ピックアップの構成を
図を参照しながら説明する。相変化型光ディスクは光を
照射することで記録媒体中の結晶構造を変化させて情報
を記録するもので、結晶構造を変化させるために従来の
光記録再生装置に比べてより多くの光量を必要とするの
で、より効率の良い光学系を必要とする。図７は本発明
の一実施の形態における相変化型光ディスク用の光ピッ
クアップの構成図である。なお図１，図２及び図３に示
したものと番号が同一の部材については、その働き及び
構成が同様であるので説明を省略する。

【００３７】光源１から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材４１の面４１ｆから光
ガイド部材４１に入射し、拡散角変換ホログラム７、回
折格子６及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜３
５（以下ビームスプリッター膜と呼ぶ）を通って光ガイ
ド部材４１の面４１ｅから出射される。ここでビームス
プリッター膜３５は、図１，２に示す実施の形態の場合
とは異なりＳ偏光成分の反射率は９５％以上でＰ偏光成
分の反射率はおよそ１％程度である。ビームスプリッタ
ー膜３５に入射する光のうちビームスプリッター膜３５
を透過する光（Ｐ偏光成分で全光量の数パーセント程
度）は光源１からの射出光のモニター光として利用され
る。光ガイド部材４１の面４１ｅから出射された光はカ
バー部材１６に設けられたλ／４板３３を透過する。図
８は本発明の一実施の形態におけるλ／４板３３の概観
図である。λ／４板３３は光ガイド部材４１からの入射
光偏光面に対して、その異常光軸がπ／４・（２ｍ−
１）；（ただしｍは自然数：以下同じ）の方向に設置さ
れており、入射光の異常光成分と常光成分の位相差をπ
／２・（２ｍ−１）だけ発生させる機能を有している。
λ／４板３３を構成する材料としては一般に一軸性結晶
材料を用いる。その中でも低コストで、光透過性に優れ
た水晶を用いることが好ましい。一軸性結晶では異常光
軸６１６と常光軸６１７があり、それぞれの光軸に対し
て異常光屈折率ｎ_e及び常光屈折率ｎ_oと呼ばれる異なる
屈折率を有している。異常光と常光では光学的距離が異
なるので、λ／４板３３の基板厚をＱＤ，入射光波長を
λとして次の関係式で決まる位相差Δが発生する。λ／
４板３３の厚さＱＤはこの位相差Δがπ／２・（２ｍ−
１）となるように決定されている。

【００３８】Δ＝２π・（ｎ_e−ｎ_o）・ＱＤ／λ 本実施の形態では、波長λ＝７９０ｎｍ、異常光屈折率
ｎｅ＝１．５４７７、常光屈折率ｎｏ＝１．５３８８
（ただし屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは
異常光軸及び常光軸の双方の軸を含む平面に平行に切り
出した。）という条件に対してλ／４板３３の基板厚は
２１．９・（２ｍ−１）μｍとなる。この様な条件にす
ることにより、直線偏光で入射角０度で入射してきた光
を円偏向の光に変換することができる。即ち光源１から
出射されたＳ偏向成分のみを含む直線偏光を円偏光に変
換することができる。なおここではλ／４板３３として
カバー部材１６上に２１．９μｍの水晶を設けていた
が、光ガイド部材の面４１ｅや対物レンズ２６に設ける
こともある。

【００３９】λ／４板３３を透過して円偏向となった光
は対物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用
によって記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像され、
反射される。記録媒体面２７ａで反射された円偏光化し
た光はその回転方向が逆転するので、戻り光は対物レン
ズ２６を透過し、再びλ／４板３３を透過する際に、Ｐ
偏光成分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変
換された戻り光は光ガイド部材４１の面４１ｅを再び通
過し、再び光ガイド部材の第二の斜面４１ｂに形成され
たビームスプリッター膜３５に入射する。前述のように
ビームスプリッター膜３５はＰ偏光成分に対してほぼ１
００％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対してはほぼ１０
０％の反射率を有する。従ってＰ偏光成分しか有さない
戻り光はビームスプリター膜３５をほぼ透過する。

【００４０】そして戻り光は光ガイド部材４１の第一の
斜面４１ａに平行な第三の斜面４１ｃ上に形成されたハ
ーフミラー３４に入射する。ハーフミラー３４は入射し
た光のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを
有している。

【００４１】ここでハーフミラー３４に入射した光束の
内、透過光１１７は受光素子３６上に設けられている受
光部３７へ導かれる。

【００４２】次に図７中に示すハーフミラー３４に入射
した光束のうち反射光１２３に関して説明する。図９は
本発明の一実施の形態における相変化型光ディスク用の
光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配置図
である。反射光１２３は第二の斜面４１ｂ上の反射型の
ホログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に
入射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０
によって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，
反射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受
光素子３６上の受光部３８に、サイドビームの戻り光は
受光素子３６上の受光部３９及び４０に到達する。

【００４３】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ／４板をビームスプリッター膜３５と記録媒体２
７との間に設け、Ｓ偏光成分の直線偏光である出射光を
円偏光化した光に変換し、その後記録媒体２７で反射さ
れ回転方向が逆転した円偏光化した光をＰ偏光成分のみ
を有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜３５
に入射させることにより記録媒体２７で反射された光を
ほぼ１００％受光素子３６上に導くことができるので、
ビームスプリッター膜３５のＳ偏光成分の反射率を大幅
に高くすることができ、従って記録媒体２７に照射され
る光量を大きくすることができる。即ち限られた光源１
の出力を効率よく記録媒体２７に照射でき、かつ、記録
媒体２７からの反射光を効率よく受光素子３６に導くこ
とができる。

【００４４】次に光ガイド部材５及び光ガイド部材４１
の内部に形成されている反射膜１２４，１２５，１２６
や回折格子６，拡散角変換ホログラム７，非点収差発生
ホログラム１０の裏面に形成される反射膜（以下単に反
射膜と称す）についてその詳細を図を参照しながら説明
する。

【００４５】図１０は本発明の一実施の形態における反
射膜付近の構成を示す断面図である。５１は基板で、基
板５１は光ガイド部材５及び４１を構成する複数の基板
のうちの一つである。基板５１の材質としては、主にコ
バルコガラスやＢＫ−７等の光学ガラスを用いること
が、光の透過性を良好にすることができ、従って光の利
用効率を向上させることができるので好ましい。この基
板５１の面５１ａには基板５１に対して良好な密着性を
有する密着強化層５２が形成されている。密着強化層５
２はＴｉ，Ｐｔ，Ｃｒ等の基板を形成するガラスと良好
な密着性を有する材料を用いることが好ましい。このよ
うな構成を用いることにより他の光学部材と基板５１と
の間の密着性を向上させることができ、従って工程中で
の光学部材や基板の剥がれを減少させることができる。
これらの中でもＴｉは基板５１及び反射膜５３の双方と
の密着性に非常に優れ、かつ、低コストであるので、非
常に好ましい材料である。

【００４６】更に形成される密着強化層５２の厚さ
（ｔ）０．０１≦ｔ≦０．１（μｍ）とすることが好ま
しい。このときｔが０．０１μｍ以下であると面内に均
一の膜が得られにくくなるので、密着力が低下してしま
い、反射膜５３のはがれ等が発生してしまい、歩留まり
が悪化するとともに光ピックアップの信頼性が低下す
る。また０．１μｍ以上であるとエッチング等のパター
ン形成に時間がかかったり、膜応力や膨張係数の差など
が大きくなるので、プロセス条件及び積層構造の安定性
等に難点を生じる。

【００４７】更に密着強化層５２の形状は、特に光が透
過する部分に設けられている光学部材の場合には光を遮
らないようにフレーム状に設けられることが好ましい。
特に反射膜の外周に沿うように設けられていることが好
ましい。このような構成とすることにより、密着強化層
の影響による反射率の低下を防止しつつ効率よく密着強
化層５２を形成することができ、かつ、十分な密着性を
得ることができるので、基板５１と反射膜５３等との間
の接合性を強固にでき、従って反射膜５３等の工程中で
の剥がれやズレ等を防止することができる。

【００４８】そして面５１ａ及び密着強化層５２上に反
射膜５３が形成されている。反射膜５３の材質として
は、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ等の高反射率を有する金属
材料を用いることが好ましい。これらの中でも特に高い
反射率を有するとともにコスト面にも優れるＡｇを用い
ることが好ましい。

【００４９】以上説明してきたように本実施の形態によ
る密着強化層５２を介して設けられた反射膜５３におい
ては、反射膜５３と基板５１との間に密着強化層５２を
形成したことにより、反射膜５３の基板５１に対する密
着性を向上させることができるので、製造工程中で反射
膜５３が基板５１からはがれてしまい、受光素子１３の
所定の位置に光を導くことができなくなったり、はがれ
た反射膜５３が光路上にゴミとして付着して光量を減少
させることを防止することができる。従って光ガイド部
材５及び４１の歩留まりを高くすることができ、さらに
は光ガイド部材５及び４１を備えた光ピックアップの信
頼性を向上させることができる。なお本実施の形態では
密着強化層５２を反射膜５３を形成する面の一部にのみ
設けていたが、反射膜５３が設けられる面の全面に形成
しても良い。このような構成とすることにより、さらに
基板と反射膜との間の接合性をより向上させることがで
きる。

【００５０】なお本実施の形態においては金属反射膜に
ついてのみ説明してきたが、基板５１と接する部分に金
属膜を有する光学部材であれば、どのようなものに用い
ても同様の効果を得ることができる。

【００５１】次に本発明の一実施の形態における密着強
化層５２及び反射膜５３の形成方法について図を参照し
ながら説明する。

【００５２】図１１〜２０は本発明の一実施の形態にお
ける回折格子の反射膜の製造工程を示した図である。

【００５３】まず最初に図１１に示すように基板５１上
に回折格子２５４となる回折格子開口部５４ａを有する
回折格子開口部パターン５４を形成する。回折格子開口
部パターン５４の形成にはフォトリソグラフィー等の方
法を用いることが好ましい。そして図１２に示すように
回折格子開口部５４ａから露出している基板５１の表面
を反応性イオンエッチングやイオンミリング等の工法を
用いて反応ガス（或いは不活性ガス）５５でエッチング
して、その部分を任意の深さにエッチングする。その後
図１３に示すように回折格子開口部パターン５４を酸素
プラズマアッシャー或いは有機溶剤を用いて取り除き、
回折格子を有する基板５１を形成することができる。

【００５４】このようにして形成された回折格子２５４
の面５１ａ側に密着強化層５２を形成する。ここでは密
着強化層５２の材質としてＴｉを用いた。まず図１４に
示すように基板５１の面５１ａ側のほぼ全面に密着強化
層５２となるＴｉ膜２５８を真空蒸着等の方法で約２０
０Å程度形成する。次に図１５に示すようにＴｉ膜上に
フォトリソグラフィー等の方法により、密着強化層パタ
ーン２５６を形成する。そしてエッチングにより密着強
化層パターン２５６が形成されていない部分のＴｉ膜２
５４を除去する。このときのエッチングの条件として
は、エッチング液としてＥＤＴＡ／Ｈ₂Ｏ₂／ＮＨ₃／Ｈ₂
Ｏ系のエッチング液を用い、エッチング時間は約１５分
間であった。そして図１６に示すように最後に残った密
着強化層パターン２５６を有機溶剤やリムーバ等により
除去する。以上のようにして図１７に示すような密着強
化層５２を形成することができる。

【００５５】そして次に図１７に示すように回折格子２
５４の周囲に形成された密着強化層５２を含むようにし
て面５１ａ側に反射膜５３を形成する。以下その手順に
ついて説明する。

【００５６】まず最初に図１８に示すように反射膜５３
となる金属膜２５５を基板５１の面５１ａ上のほぼ全面
に形成する。このとき金属膜の材質としては、高い反射
率を有するものを用いることが好ましく、このような材
料としてＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の金属材料を用いる
ことが好ましい。特にＡｇはコスト面にも優れ、高反射
率材料で、しかも本実施の形態における設計中心波長で
ある７９０ｎｍの光に対して５．１程度の吸収係数を有
するため極めて薄い膜厚で高反射率を実現することがで
きるので非常に好ましい材料である。本実施の形態では
金属膜２５５としてＡｇ膜を１０００Åの膜厚で形成し
た。次に図１９に示すように反射膜５３となる部分にフ
ォトリソグラフィー等の方法により反射膜パターン２５
７を形成する。ここでは反射膜パターン２５７の形成の
ためのフォトレジストとしてヘキストジャパン製のＡＺ
４６２０を用いた。そして反射膜パターン２５７が形成
されていない部分をエッチング等の方法により基板５１
上から除去する。ここでエッチング液としては酸或いは
ハロゲン系のものを用いることが好ましい。これらの中
でも特にサイドエッチングが少なく、かつ、エッチング
形状のきれいな過硫酸アンモン系のエッチング液を用い
ることが好ましい。その後反射膜パターン２５７を有機
溶剤やリムーバ溶剤等を用いて除去し、図２０に示すよ
うな反射膜５３を有する反射型の回折格子２５４の形成
が完了する。

【００５７】以上示してきたように、反射膜５３との間
に密着強化層５２を形成することにより、密着強化層５
２が基板５１及び反射膜５３の双方と強固に密着するの
で、基板張り合わせの後切断するという光ガイド部材５
及び４１の製造工程において反射膜５３が基板５１から
剥がれることがほとんどなくなる。従って歩留まりが高
く、高Ｃ／Ｎ比の信号を容易に得ることができる。

【００５８】

【発明の効果】基板上に密着強化層を介して設けられた
反射膜においては、反射膜と基板との間に密着強化層を
形成したことにより、反射膜の基板に対する密着性を向
上させることができるので、製造工程中で反射膜が基板
からはがれてしまい、受光手段の所定の位置に光を導く
ことができなくなったり、はがれた反射膜が光路上にゴ
ミとして付着して光量を減少させることを防止すること
ができる。従って光ガイド部材の歩留まりを高くするこ
とができ、さらには光ガイド部材を備えた光ピックアッ
プの信頼性を向上させることができる。

【００５９】また密着強化層を反射膜の周縁部に設けた
ことにより、光が密着強化層に入射して、光の特性が劣
化することを防止できるので、非常に高性能な光ピック
アップを提供することができる。

【００６０】更に密着強化層をＴｉ，Ｃｒ，Ｐｔのうち
の少なくとも一つを含有する金属材料で形成することに
より、密着強化層の基板及び反射膜の双方への密着性を
特に良好にすることができるので、歩留まりの高い光ガ
イド部材を提供することができ、かつ、光ピックアップ
の信頼性を非常に高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作の概念図

【図４】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
斜視図

【図５】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の偏光面変換基板の斜視図

【図６】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の受光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク用の光ピックアップの構成図

【図８】本発明の一実施の形態におけるλ／４板の概観
図

【図９】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部
の配置図

【図１０】本発明の一実施の形態における反射膜付近の
構成を示す断面図

【図１１】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１２】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１３】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１４】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１５】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１６】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１７】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１８】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図１９】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図２０】本発明の一実施の形態における回折格子の反
射膜の製造工程を示す図

【図２１】従来の光ピックアップの構成図

【図２２】従来の反射膜の断面図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜９ａ保護膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２８第２のビームスプリッター膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第１他斜面３１ｂ第２他斜面３１ｃ第一面３１ｄ第二面３３ λ／４板３４ハーフミラー３５ビームスプリッター膜３６受光素子３７，３８，３９，４０受光部４１光ガイド部材４１ａ第一の斜面４１ｂ第二の斜面４１ｃ第三の斜面４１ｅ面４１ｆ面５１基板５１ａ面５２密着強化層５３反射膜５４回折格子開口部パターン５４ａ回折格子開口部５５反応ガス１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ＳＳ偏光成分１１７ＰＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部２５４回折格子２５５金属膜２５６密着強化層パターン２５７反射膜パターン２５８Ｔｉ層６１６異常光軸６１７常光軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の基板を有し、前記光源から
の光を少なくとも１つの光学部材を介して光媒体に導く
とともに、前記光媒体から反射してきた光を複数の光学
部材を介して所定の位置に導く光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段とを備え、前記複数の光学部材の少なくとも一つ
には反射膜もしくは反射膜を含有する光学部材のどちら
か一方が設けてあり、前記反射膜は前記基板上に密着強
化層を介して接合されていることを特徴とする光ピック
アップ。
【請求項２】密着強化層は反射膜の周縁部に設けられて
いることを特徴とする請求項１記載に光ピックアップ。
【請求項３】密着強化層はＴｉ，Ｃｒ，Ｐｔのうちの少
なくとも一つを含有する金属材料により形成されている
ことを特徴とする請求項１，２いずれか１記載の光ピッ
クアップ。
【請求項４】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の基板を有し、前記光源から
の光を少なくとも１つの光学部材を介して光媒体に導く
とともに、前記光媒体から反射してきた光を複数の光学
部材を介して所定の位置に導く光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段とを備え、前記複数の光学部材の少なくとも一つ
には反射膜もしくは反射膜を含有する光学部材のどちら
か一方が設けてあり、前記反射膜は前記基板上に密着強
化層を介して接合されていることを特徴とする相変化型
光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項５】密着強化層は反射膜の周縁部に設けられて
いることを特徴とする請求項４記載に相変化型光ディス
ク用の光ピックアップ。
【請求項６】密着強化層はＴｉ，Ｃｒ，Ｐｔのうちの少
なくとも一つを含有する金属材料により形成されている
ことを特徴とする請求項５，６いずれか１記載の相変化
型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項７】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間に
λ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とが略垂直で
あることを特徴とする請求項４〜６いずれか１記載の相
変化型光ディスク用の相変化型光ディスク用の光ピック
アップ。
【請求項８】光を透過若しくは反射の少なくとも一方を
行う導光手段を傾斜面に備え、前記傾斜面を介して、光
媒体からの反射光を受光手段に導くことを特徴とする請
求項４〜７いずれか１記載の相変化型光ディスク用の相
変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項９】導光手段がハーフミラーであることを特徴
とする請求項８記載の相変化型光ディスク用の相変化型
光ディスク用の光ピックアップ。