JPH09212931A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外部磁界が小さくても情報の記録・消去を良
好に行うことができ、かつＣＮＲが高い光磁気記録媒体
を提供する。 【解決手段】 透明基板上に少なくとも第１誘電体層・
記録層・第２誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第２誘電体層を前記第１誘電体層より
も高いガス圧及び又はより低い投入電力の条件下で製膜
することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体の製
造方法に係わり、特に高磁界感度及び高い信号対雑音比
を有する光磁気記録媒体の製造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは非接触型の記録媒体である
ため繰り返し使用による記録内容の劣化が無く、その大
容量・高密度・ランダムアクセス可能という性質により
需要が年々増大しその性能も飛躍的に進歩して、再生専
用型から追記型そして書き換えの可能なタイプの登場に
至り非常に広い分野で日常的に利用されるようになって
きた。光磁気ディスクはこの書き換え可能型の光ディス
クであり、磁性体の記録膜に熱磁気的に信号を記録し、
カー効果を利用して光学的に読み出しを行うものであ
る。標準的な光磁気ディスクの層構造を図１に示す。図
１において、透明基板１には通常ポリカーボネート等の
プラスチック基板が使用されている。この基板にはトラ
ッキングのための案内溝やプリフォーマット信号があら
かじめ形成されているものが一般的である。第１誘電体
層２及び第２誘電体層４は、非常に酸化しやすい記録層
３の保護のために記録層３を挟む形で設けられる。

【０００３】又この誘電体層は、ディスクに入射してき
た光を干渉させてカー効果を増幅させる役目も担ってい
る。この誘電体としては光の吸収が少なく酸化防止とい
う観点からＳｉ・Ａｌ・Ｔａ・Ｚｎ・Ｉｎ・Ｓｎなどの
窒化物・酸化物・硫化物・水素化物あるいはそれらの混
合物などが用いられている。ここでは便宜的に基板に近
いものを第１誘電体層、遠いものを第２誘電体層と呼
ぶ。記録層３はＴｂＦｅＣｏ合金を代表とする希土類−
遷移金属合金などの垂直磁化膜が用いられている。記録
層３は反射した光の偏光方向を回転させる性質（カー効
果）を持ち、磁区の上向き、下向きで回転方向が逆転す
る。この回転方向を検出することによって磁気的に記録
した信号を光学的に読み出す事が可能となる。この層は
光を透過する程度に薄く、透過した光のファラデー効果
による偏光方向の回転をも利用し、さらに反射層５で透
過光を反射させて第２誘電体層４内で干渉させて、さら
なる信号の増幅を行っている。従って反射層５は反射率
の高いものが好ましく、一般にＡｌ合金が用いられてい
る。

【０００４】以上、図１の２から５の各層の厚さは数１
０ｎｍ程度であり、通常スパッタリング法で作製され
る。このように基板の上に４層の層構造を持つ光磁気デ
ィスクであるが、さらにその上から樹脂のコーティング
を行い外部の衝撃からディスクを保護し、その長期安定
性を保証している。このようにして作製された光磁気デ
ィスクの性能の重要な指標として、記録した信号の信号
対雑音比（ＣＮＲ）の値と、ＣＮＲの外部磁界依存性を
示す磁界感度（記録・消去の可能な最小磁界の目安）が
上げられる。

【０００５】これらの特性は記録層の種類や組成によっ
て大きく変わる事が知られている。すなわち記録層が大
きなカー回転角と磁化曲線のヒステリシス環線が良い角
形性を持つ事が必要で、そのような物質の探索は、特に
レーザー光源の短波長化に対応して行われているが、光
ディスクとして実用化するためにはコスト以外にもいろ
いろな制約がある。垂直磁気異方性が大きいこと、一定
範囲のキュリー温度や補償温度を持つこと、ノイズの起
因となる結晶粒の有無、化学的な安定性等様々な制約が
あるうえに、スパッタリングのためのターゲットを新た
に準備しなければならないので新しい物質による記録層
を簡単に実用化に結びつけることは非常に困難を伴う。

【０００６】又、薄膜媒体の性能は薄膜の製造条件に大
きく依存し、記録層自体の製膜時のスパッタリングガス
圧力にも影響されるが、特に記録層の製膜に先立ち基板
上に製膜される第１誘電体層の作製時のガス圧力が記録
磁界感度に大きく影響することが知られている。図２に
示すように、ガス圧力が低いほど磁界感度は良くなる傾
向にある。このことは第１誘電体層の製膜時のスパッタ
リングガスの圧力を低くしていくとその表面が平坦化
し、その上に製膜される記録層に影響を与えて磁界感度
を良くすることができるためと考えられている。

【０００７】しかし記録磁界感度を良くするような低ガ
ス圧で第１誘電体層の製膜を行う製造条件では、図３に
示すようにノイズレベルが上がってしまいＣＮＲが低く
なってしまったり、図４に示すように内部応力が大きく
なってしまいディスクに歪みを生じ機械特性が劣化して
しまうという問題があった。特開平７−６４１７号公報
には、このような問題を解決するために第１誘電体層の
スパッタリング時のガス圧を基板側と記録層側で変更す
る方法が示されている。しかし一般には第１誘電体層の
製膜中のガス圧は、記録磁界感度とＣＮＲがそこそこに
両立する、内部応力が０に近いところで設定せざるをえ
なかった。このような条件を満たすスパッタリングガス
の圧力の絶対値は誘電体膜の種類によって異なるため、
各々の場合について実験してその最適条件を決める必要
がある。

【０００８】光磁気ディスクドライブの磁気ヘッドの小
型化や小電力化さらに記録時の高速化のための磁界変調
方式によるオーバーライトを行うためにも、現在以上に
磁界感度の良い光磁気ディスクの開発が急務である。ま
た大量の画像データの取り扱いを必要とするマルチメデ
ィアの進歩を受けて、時代はよりいっそうの高記録密度
の記録媒体を必要としており、よりいっそうの高速のデ
ータの読み書きが要求されている。その実現のために
も、現在以上にＣＮＲが高く磁界感度の良い光磁気ディ
スクの開発が急務である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、特別
な磁性膜を用いたり特別な装置を必要とするような技術
を用いることなく、オーバーライトが可能で記録磁界感
度が高くＣＮＲの高い光磁気ディスクの製造方法を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
少なくとも第１誘電体層・記録層・第２誘電体層を有す
る光磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、前記
第１誘電体層が前記記録層に接する部分を製膜する時の
ガス圧よりも高いガス圧条件下で前記第２誘電体層をス
パッタリング法により製膜することを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法である。

【００１１】又、前記第１誘電体層が、前記透明基板に
接する部分を製膜するときのスパッタ投入電力よりも高
い投入電力の条件下で前記記録層に接する部分をスパッ
タリング法により製膜する光磁気記録媒体の製造方法で
ある。

【００１２】また、前記第１誘電体層が前記記録層に接
する部分を製膜する時の投入電力よりも低いスパッタ投
入電力の条件下で前記第２誘電体層をスパッタリング法
により製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法である。

【００１３】更に、前記第２誘電体層を、前記第１誘電
体層が前記記録層に接する部分を製膜する時のガス圧よ
りも高いガス圧条件で、且つ、その時のスパッタ投入電
力よりも低い投入電力の条件下でスパッタリング法によ
り製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
である。

【００１４】

【発明の実施の形態】記録層に新しい物質を採用するこ
とにより信号対雑音比（ＣＮＲ）と、磁界感度を向上さ
せることには非常に困難を伴うが、薄膜を作製する上で
のスパッタリング条件の変更は簡便に行うことができ、
薄膜の性質は製造時のスパッタリング条件に大きく依存
する事が知られている。このスパッタリング条件の変更
によりいかにして光磁気ディスクの特性を向上させるか
を以下に説明する。

【００１５】ポリカーボネート製の直径３．５インチの
光磁気ディスク基板に、以下の手順でスパッタリング法
による製膜を行い、光磁気ディスクを作製する。第１誘
電体層としてシリコンターゲットを用いてアルゴンと窒
素の混合ガス中でＲＦ反応スパッタを行いシリコンナイ
トライド（ＳｉＮｘ）薄膜９０ｎｍを得る。次に記録層
としてＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いてアルゴンガ
ス中でＤＣスパッタを行いＴｂＦｅＣｏ合金薄膜２２ｎ
ｍを得る。次に第２誘電体層としてシリコンターゲット
を用いてアルゴンと窒素の混合ガス中でＲＦ反応スパッ
タを行いＳｉＮｘ薄膜２２ｎｍを得る。次に反射層とし
てアルミ合金ターゲットを用いてアルゴンガス中でＤＣ
スパッタを行いＡｌ合金薄膜７０ｎｍを得る。ＲＦ反応
スパッタとＤＣスパッタとは異なるチャンバーで行い、
チャンバー間を真空を破らずに移動させることで連続的
に製膜を行う。ＳｉＮｘの屈折率は常に２．０３になる
ようにアルゴンと窒素のガス流量比を調整する。この後
さらにスパッタ薄膜の保護としてスピンコーターを用い
て紫外線硬化樹脂（ＳＤ−３０１：大日本インキ化学工
業製）のオーバーコートを施す。このとき第１誘電体層
のガス圧はシリコンナイトライドの内部応力が０に近い
製膜条件である９ｍＴｏｒｒで一定とし、第２誘電体層
のガス圧を１９ｍＴｏｒｒと第１誘電体層よりも高く設
定する。

【００１６】次に別の形態として、基板の上にＳｉＮｘ
の第１誘電体層、記録層、ＳｉＮｘの第２誘電体層、反
射層を製膜して光磁気ディスクを作製する。第１誘電体
層・第２誘電体層ともにガス圧は９ｍＴｏｒｒと一定で
スパッタリングを行う。各層のスパッタ時投入電力は、
第１誘電体層が３ｋｗ、第２誘電体層が１．３ｋｗと、
第２誘電体層製膜時の投入電力の方を低く設定すること
ができる。

【００１７】又、第１誘電体層の前半を１３ｍＴｏｒ
ｒ、後半を２ｍＴｏｒｒとガス圧を変化させ、第２誘電
体層を製膜する時は再び１９ｍＴｏｒｒと高いガス圧に
設定すること、又、第１誘電体層の前半を１．３ｋｗ、
後半を３．０ｋｗと投入電力を変化させ、第２誘電体層
を製膜する時は再び１．３ｋｗと低い投入電力に設定す
ることもできる。

【００１８】第１誘電体層に対して第２誘電体層につい
ては記録層の製膜後に重ねて製膜するため表面形状が記
録層に影響を与えることもなく、膜厚も第１誘電体層に
比べて１／４程度と薄いため応力が機械特性に与える影
響も少ない。そのため屈折率を調整する程度で保護膜と
して以外の性能はほとんど検討されてこなかった。しか
し誘電体層に関する検討を重ねた結果、誘電体層の製膜
時にガス圧を変化させるとそのガス圧に応じて、その下
地となる部分（誘電体層に先だって製膜された層）の表
面形状に影響を与えることが分かってきた。第２誘電体
層の製膜時のガス圧を高くすることによってこの下地部
分の変形を小さく抑えることができる。すなわち、図５
に示すように、第２誘電体層を高いガス圧下で製膜すれ
ば記録層にダメージを与える程度が小さく、その結果と
して磁界感度もＣＮＲも向上するのである。一方前述し
たように、このような高いガス圧で第１誘電体層を製膜
すると表面の平坦度が悪くなり、非常に磁界感度の悪い
ディスクができあがってしまう。従って第１誘電体層の
製膜時のガス圧はあまり高くしないで、第２誘電体層の
製膜時のガス圧を第１誘電体層よりも高くすることで、
磁界感度が向上しＣＮＲも向上した光磁気ディスクの作
製が可能となる。

【００１９】また同様の原理から、第２誘電体層のスパ
ッタ時の投入電力を低く抑えれば記録膜に与えるダメー
ジはやはり小さくなり、図６に示すように磁界感度・Ｃ
ＮＲを向上させることができる。この時も第１誘電体層
を同じ低パワーで製膜しようとすると表面形状の悪化か
ら磁界感度の悪化を招く上、製膜レートが低下するため
製膜に非常に時間がかかってしまう。第１誘電体層は元
々他の層に比べて厚いために製膜時間が他の層に比べて
極端に長くなり生産性が低下してしまうという問題が起
きる。このため第１誘電体層は高パワーで製膜し、第２
誘電体層をそれよりも低パワーで製膜する事により磁界
感度が向上しＣＮＲも向上した光磁気ディスクの作製を
可能とすることができる。

【００２０】従って第２誘電体層を第１誘電体層よりも
高スパッタリングガス圧力・低投入電力の条件で製膜す
ればよりいっそう効果的である。以上のことから、本発
明の製造方法を用いると、誘電体層の製膜時のスパッタ
リング条件の変更だけで、磁界感度が良好でＣＮＲの高
い高性能の光磁気ディスクを得ることができる。これは
磁界変調オーバーライトに非常に有利であり、次世代の
高密度光磁気ディスクへもすみやかに移行していく可能
性を高めるものである。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
具体的説明を行う。

【００２２】（実施例１）第１の実施例として作製した
光磁気ディスクの模式図を図７に示す。ポリカーボネー
ト製の直径３．５インチの光磁気ディスク基板１に、ア
ルバック社製のインターバック式スパッタリング装置を
用いてスパッタリング法による製膜を行い、光磁気ディ
スクを作製した。

【００２３】第１誘電体層２としてシリコンターゲット
を用いてアルゴンと窒素の混合ガス中でＲＦ反応スパッ
タを行いシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）薄膜９０ｎ
ｍを、記録層３としてＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用
いてアルゴンガス中でＤＣスパッタを行いＴｂＦｅＣｏ
合金薄膜２２ｎｍを、第２誘電体層３としてシリコンタ
ーゲットを用いてアルゴンと窒素の混合ガス中でＲＦ反
応スパッタを行いＳｉＮｘ薄膜２２ｎｍを、反射層４と
してアルミ合金ターゲットを用いてアルゴンガス中でＤ
Ｃスパッタを行いＡｌ合金薄膜７０ｎｍを、この順に製
膜した。

【００２４】ＲＦ反応スパッタとＤＣスパッタとは異な
るチャンバーで行い、チャンバー間を真空を破らずに移
動させることで連続的に製膜を行った。ＳｉＮｘの屈折
率は常に２．０３になるようにアルゴンと窒素のガス流
量比を調整した。図７における第１誘電体層２、記録層
３、第２誘電体層４、反射層５の４層を製膜した後さら
にスパッタ薄膜の保護としてスピンコーターを用いて紫
外線硬化樹脂（ＳＤ−３０１：大日本インキ化学工業
製）のオーバーコートを施した。このとき第１誘電体層
２のガス圧はシリコンナイトライドの内部応力が０に近
い製膜条件である９ｍＴｏｒｒで一定とし、第２誘電体
層４のガス圧を２，９，１９ｍＴｏｒｒと変化させて３
種類のディスクを作製した。誘電体層製膜時の投入電力
はどちらも３ｋｗで行った。

【００２５】以上のようにして作製した光磁気ディスク
の光変調方式による記録特性の評価は、レーザー光の波
長が８３０ｎｍの評価装置ＯＭＳ−２０００（ナカミチ
社製）を用いて行った。回転数２４００ｒ．ｐ．ｍ．、
記録周波数３．９ＭＨｚにおいて記録レーザーパワーを
６．５ｍＷ、消去レーザーパワーを８ｍＷ、読みとりレ
ーザーパワーを１．５ｍＷ、消去磁界を３２５ガウスと
一定とし、記録外部磁界を変化させてＣＮＲの測定を行
った。結果は図８のようになった。図８において第２誘
電体層のガス圧が２ｍＴｏｒｒ、９ｍＴｏｒｒ、１９ｍ
Ｔｏｒｒと高くなるにつれて立ち上がりの磁界が０に近
づき、また高磁界側のＣＮＲが飽和する磁界も０に近づ
いてゆく。すなわちガス圧の高いほど、より小さい磁界
で信号の書き込み・消去ができるという磁界感度が向上
したディスクになっていることが分かる。そしてそれに
伴ってＣＮＲも増加している。

【００２６】次に同じディスクを用いて磁界変調方式に
よる記録特性の評価を行った。記録時のレーザーパワー
は６．５ｍＷのＤＣ光を用い磁界を３．９ＭＨｚで変調
させて、その他の条件は光変調記録の場合と同様に測定
を行った。測定結果を図９に示す。図９においても第２
誘電体層のガス圧が高くなるにつれて小さな外部磁界で
も高いＣＮＲを示し、飽和に要する磁界の小さい、磁界
感度の良い特性を示すようになることが分かる。このよ
うに磁界変調記録方式においても磁界感度が向上し、高
いＣＮＲが得られることが分かる。またこれらのディス
クの基板の半径方向のそりを測定したところいずれも２
ｍｒａｄ以内できわめて良好な機械特性を示すものであ
った。

【００２７】（実施例２）次に第２の実施例として図１
０に示すような光磁気ディスクを作製した。図１０にお
ける基板１、記録層３、反射層５については第１の実施
例と同様にスパッタリングを行った。第１誘電体層２、
第２誘電体層４については第１の実施例ではＳｉターゲ
ットを用いたところをＡｌ−Ｓｉ合金（Ａｌ５０ａｔ％
Ｓｉ５０ａｔ％）ターゲットを用いてスパッタリングを
行い、アルミシリコンナイトライド（ＡｌＳｉＮｘ）で
光磁気ディスクを作製した。ＡｌＳｉＮｘの屈折率も
２．０３になるようにスパッタ時のアルゴンと窒素のガ
ス流量比を調整した。ＡｌＳｉＮｘの応力がほぼ０にな
るのはスパッタ時のガス圧が１５〜２０ｍＴｏｒｒの場
合であった。

【００２８】第１誘電体層のガス圧を１５ｍＴｏｒｒで
一定、第２誘電体層のガス圧を５、１５、３０ｍＴｏｒ
ｒと変化させて３種類の光磁気ディスクを作製し、第１
の実施例と同様に光変調方式で記録外部磁界を変化させ
てＣＮＲの測定を行った。結果は図１１のようになっ
た。第１の実施例と同様に、第２誘電体層のガス圧が
５、１５、３０ｍＴｏｒｒと高くなるにつれて良好な磁
界感度・高ＣＮＲが得られることが分かる。

【００２９】（実施例３）次に第３の実施例として図１
２に示すように、基板１の上にＳｉＮｘの第１誘電体層
２、記録層３、ＳｉＮｘの第２誘電体層４、反射層５を
製膜して光磁気ディスクを作製した。誘電体層のスパッ
タ時の製膜条件以外は第１の実施例と同様にして作製し
た。第１誘電体層２・第２誘電体層４ともにガス圧は９
ｍＴｏｒｒと一定でスパッタリングを行ったが、各層の
スパッタ時投入電力を１．３ｋＷと３ｋＷの二種類に変
化させ、合計４種類の光磁気ディスクを作製した。第
１、第２の実施例と同様に光変調方式で記録外部磁界を
変化させてＣＮＲの測定を行った。

【００３０】結果は図１３のようになった。図１３にお
いて第１誘電体層のスパッタ投入電力が同じもの同士で
比較すると、第１誘電体層の投入電力が１．３ｋＷ、３
ｋＷいずれの場合にも第２誘電体層を１．３ｋＷで製膜
した方が３ｋＷで製膜したものよりも磁界感度が良くな
っている事が分かる。この時第１誘電体層のスパッタ投
入電力が１．３ｋＷの方が３ｋＷのものよりもノイズレ
ベルが低くなるためＣＮＲの値が高くなっているが磁界
感度は非常に悪化してしまっている。また第１誘電体層
を１．３ｋＷで製膜すると３ｋＷの場合の約２倍の製膜
時間がかかってしまった。又、前述のように、生産効率
から言っても製膜時間は短い程良いが、特にインライン
式のスパッタリング装置などを用いて各層を異なるチャ
ンバーで製膜する場合は極端に製膜時間の長い層がある
と律速段階となってしまうため好ましくない。

【００３１】従って磁界感度が良く、製膜時間も短くて
すむ第１誘電体層３ｋＷ・第２誘電体層１．３kWの場合
がこの中では最も量産向きといえる（図１３の（３ｋ
Ｗ，１．３ｋＷ））。またできるだけ高いＣＮＲが必要
とされる場合には第１誘電体層を１．３ｋＷで製膜して
ＣＮＲを高くし、悪化した磁界感度を第２誘電体層を
１．３ｋＷにすることで回復させることができる（図１
３の（１．３ｋＷ，１．３ｋＷ））。いずれにしても第
１誘電体層のスパッタ時投入電力が同じ場合は第２誘電
体層の投入電力がより低い方が磁界感度が向上し，ＣＮ
Ｒも高い値を保っていることが分かる。

【００３２】（実施例４）次に第４の実施例として図１
４に示すように、基板１の上にＳｉＮｘの第１誘電体層
２、記録層３、ＳｉＮｘの第２誘電体層４、反射層５を
製膜して光磁気ディスクを作製した。第１誘電体層２の
スパッタ時の製膜条件以外は第１の実施例と同様にして
作製した。ここで第１誘電体層は９０ｎｍの膜厚のうち
前半の４５ｎｍは１３ｍＴｏｒｒで製膜を行い、一度製
膜を中断した後にスパッタリングガス圧を調整し後半の
４５ｎｍは２ｍＴｏｒｒで製膜を行った。このようにし
て作製した第１誘電体層２の応力はほぼ０となり、ディ
スクの機械特性に影響を与えることはない。このような
第１誘電体層２に対して第２誘電体層４のガス圧を２，
９，１９ｍＴｏｒｒと変化させて３種類のディスクを作
製し、第１、第２の実施例と同様に光変調方式で記録外
部磁界を変化させてＣＮＲの測定を行った。結果は図１
５のようになった。

【００３３】第１誘電体層２の表面が平坦であることか
ら磁界感度は第１の実施例よりも全体として良好である
が、第２誘電体層４のガス圧の高いほど、より小さい磁
界で信号の書き込み・消去ができるという磁界感度が向
上したディスクになっていることが分かる。そしてそれ
に伴ってＣＮＲも増加している。また第１誘電体層２を
作製する際、製膜を中断させずにスパッタリングガスの
流量を連続的に変化させてガス圧を連続的に変化させて
作製したディスクを用いてＣＮＲの測定を行った場合も
図１５と全く同じ結果を得た。いずれにしても第１誘電
体層２の記録層３に接する部分の製膜時のガス圧よりも
高いガス圧条件下で前記第２誘電体層が製膜されている
方が良好な磁界感度・高ＣＮＲが得られることが分か
る。

【００３４】（実施例５）次に第５の実施例として図１
６に示すように、基板１の上にＳｉＮｘの第１誘電体層
２、記録層３、ＳｉＮｘの第２誘電体層４、反射層５を
製膜して光磁気ディスクを作製した。第１誘電体層２の
スパッタ時の投入電力以外は第３の実施例と同様にして
作製した。第３の実施例で述べたように、第１誘電体層
２を高パワーで製膜した場合は磁界感度が良好で製膜時
間も短くできるがノイズレベルが上昇してＣＮＲが低下
してしまい、低パワーで製膜を行うとＣＮＲは上昇する
が磁界感度が悪化し製膜時間も長くなってしまう点が問
題であった。

【００３５】本実施例ではこの問題を解決するために、
第１誘電体層２を９０ｎｍの膜厚のうち前半の３０ｎｍ
は１．３ｋＷで製膜を行い、一度製膜を中断した後にス
パッタリング投入電力を調整し後半の６０ｎｍは３ｋＷ
で製膜を行った。このような第１誘電体層２に対して第
２誘電体層４のスパッタリング投入電力を１．３ｋＷ、
３ｋＷと変化させて２種類のディスクを作製した。スパ
ッタ時のガス圧はどの場合も９ｍＴｏｒｒに設定した。
これらのディスクについて他の実施例と同様に光変調方
式で記録外部磁界を変化させてＣＮＲの測定を行った。
結果は図１７のようになった。第２誘電体層４のスパッ
タリング投入電力が１．３ｋＷと３ｋＷのものを比較す
ると、第２誘電体層４のスパッタ時の投入電力が低いほ
ど磁界感度とＣＮＲが向上している効果が認められる。

【００３６】図１７の比較例は第３の実施例で測定した
第１誘電体層２を均一に作製したディスクで磁界感度は
良いがＣＮＲはやや低い、第１誘電体層２を３ｋＷ、第
２誘電体層４を１．３ｋＷで作製したものである。第２
誘電体層４を比較例と同じ１．３ｋＷで作製した本実施
例の場合と比較例とを比べると、本実施例では磁界感度
が良好でしかも高ＣＮＲを実現できることが分かる。こ
の時本実施例では、第１誘電体層２の製膜時間は全体を
低パワーで製膜したときに比べると２／３に短縮するこ
とができた。また第１誘電体層２を作製する際、製膜を
中断させずにスパッタリング投入電力を連続的に変化さ
せて作製したディスクを用いてＣＮＲの測定を行った場
合も図１７と全く同じ結果を得た。この時、第１誘電体
層２のスタート時点に比べ最終時点の投入電力が大なる
場合に良好なＣＮＲを得た。即ち、透明基板に接する部
分を製膜する時のスパッタ投入電力よりも高い投入電力
で記録層に接する部分を製膜することが望ましい。

【００３７】いずれにしても第１誘電体層２の記録層３
に接する部分の製膜時のスパッタリング投入電力よりも
低い投入電力の条件下で前記第２誘電体層が製膜されて
いる方が良好な磁界感度・高ＣＮＲが得られることが分
かる。

【００３８】以上第１、第２、第３、第４、第５の実施
例において誘電体層のスパッタ時の製膜条件を第１誘電
体層と第２誘電体層で違えることによって、すなわち第
２誘電体層を第１誘電体層に比べてより高いガス圧及び
又はより低い投入電力で製膜する事によってＣＮＲが高
く、磁界感度の良好な光磁気ディスクを得ることができ
た。

【００３９】

【発明の効果】本発明による製造方法、すなわち４層構
造を有する光磁気ディスクの第２誘電体層を第１誘電体
層に比べてより高いガス圧及び又はより低い投入電力で
製膜するという誘電体層の製造条件の変更という手段
を、また、第１誘電体層内で基板に接する部分よりも記
録層に接する部分を高い投入電力で製膜するという手段
を用いることにより、簡便でありながら非常に効果的に
光磁気ディスクの記録磁界感度とＣＮＲを向上させるこ
とが出来る。これにより現状の光磁気ディスクにおいて
ドライブ装置に対するレーザーパワーや磁界に関するマ
ージンが広がりより安定的な使用が可能である。磁界感
度が良いことによりドライブ装置の磁気ヘッドの小型化
が可能であり、省電力化によってエネルギーの使用も抑
えられる。

【００４０】また今後のいっそうのドライブ装置の高速
化や、光磁気ディスクの高記録密度化への対応として、
磁界変調方式によるオーバーライトは重要な技術であ
り、よりＣＮＲが高く磁界感度の良い光磁気ディスクが
必要とされている。低磁界においても磁界変調記録が可
能であるため、より高速の記録が可能となる本発明は、
このような事態に対してきわめて強力にその効果を発揮
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】光磁気ディスクの断面の積層構造を示す模式図
である。

【図２】第１誘電体層製膜時のガス圧と磁界感度の関係
を示すグラフである。

【図３】第１誘電体層製膜時のガス圧とＣＮＲの関係を
示すグラフである。

【図４】第１誘電体層製膜時のガス圧と誘電体膜の内部
応力との関係を示すグラフである。

【図５】第２誘電体層製膜時のガス圧と磁界感度・ＣＮ
Ｒの関係を示すグラフである。

【図６】第２誘電体層製膜時の投入電力と磁界感度・Ｃ
ＮＲとの関係を示すグラフである。

【図７】第１の実施例の光磁気ディスクの断面の積層構
造を示す模式図である。

【図８】第１の実施例における光変調方式を用いた時の
外部磁界とＣＮＲの関係を示すグラフである。

【図９】第１の実施例における磁界変調方式を用いた時
の外部磁界とＣＮＲの関係を示すグラフである。

【図１０】第２の実施例の光磁気ディスクの断面の積層
構造を示す模式図である。

【図１１】第２の実施例における外部磁界とＣＮＲの関
係を示すグラフである。

【図１２】第３の実施例の光磁気ディスクの断面の積層
構造を示す模式図である。

【図１３】第３の実施例における外部磁界とＣＮＲの関
係を示すグラフである。

【図１４】第４の実施例の光磁気ディスクの断面の積層
構造を示す模式図である。

【図１５】第４の実施例における外部磁界とＣＮＲの関
係を示すグラフである。

【図１６】第５の実施例の光磁気ディスクの断面の積層
構造を示す模式図である。

【図１７】第５の実施例における外部磁界とＣＮＲの関
係を示すグラフである。

【符号の説明】

１：透明基板 ２：第１誘電体層 ３：記録層 ４：第２誘電体層 ５：反射層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に少なくとも第１誘電体層・
   記録層・第２誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方
   法に於いて、前記第２誘電体層を、前記第１誘電体層が
   前記記録層に接する部分を製膜する時のガス圧よりも高
   いガス圧条件下でスパッタリング法により製膜すること
   を特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１誘電体層の製膜時にスパッタリ
   ングのガス圧を均一もしくは断続的あるいは連続的に変
   化させて製膜する請求項１記載の光磁気記録媒体の製造
   方法。
3. 【請求項３】 透明基板上に少なくとも第１誘電体層・
   記録層・第２誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方
   法に於いて、前記第１誘電体層が基板に接する部分を製
   膜する時のスパッタ投入電力よりも高いスパッタ投入電
   力の条件下で記録層に接する部分を製膜することを特徴
   とする光磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 透明基板上に少なくとも第１誘電体層・
   記録層・第２誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方
   法に於いて、前記第２誘電体層を、前記第１誘電体層が
   前記記録層に接する部分を製膜する時の投入電力よりも
   低いスパッタ投入電力の条件下でスパッタリング法によ
   り製膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記第１誘電体層の製膜時にスパッタ投
   入電力を均一もしくは断続的あるいは連続的に変化させ
   て製膜する請求項４記載の光磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 透明基板上に少なくとも第１誘電体層・
   記録層・第２誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方
   法に於いて、前記第２誘電体層を、前記第１誘電体層が
   前記記録層に接する部分を製膜する時のガス圧よりも高
   いガス圧条件で、且つ、その時のスパッタ投入電力より
   も低い投入電力の条件下でスパッタリング法により製膜
   することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第１誘電体層の製膜時にガス圧条件
   及び又はスパッタ投入電力条件を均一もしくは断続的あ
   るいは連続的に変化させて製膜する請求項６記載の光磁
   気記録媒体の製造方法。