JPH09213644A - 化学気相蒸着装置 - Google Patents
化学気相蒸着装置Info
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- JPH09213644A JPH09213644A JP8316691A JP31669196A JPH09213644A JP H09213644 A JPH09213644 A JP H09213644A JP 8316691 A JP8316691 A JP 8316691A JP 31669196 A JP31669196 A JP 31669196A JP H09213644 A JPH09213644 A JP H09213644A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応室内の反応ガスの噴射位置によるガス濃
度差を最小化し、ウェハ上に形成される膜質の均一性を
高められる化学気相蒸着装置を提供する。 【解決手段】 円筒状の反応室１０と、前記反応室１０
内に長手方向に沿って設置され、ウェハを装着するウェ
ハ装着帯１４と、前記反応室１０の下部に流入口１１
ａ，１２ａ，１３ａを有し、前記反応室１０の長手方向
壁面に沿って前記反応室１０の上部に向って延在し、前
記流入口１１ａ，１２ａ，１３ａから前記反応室１０内
に反応ガスを供給する複数のインジェクタ１１，１２，
１３とを設け、前記流入口１１ａ，１２ａ，１３ａから
計測した前記インジェクタ１１，１２，１３の高さが前
記ウェハ装着帯１４の高さに対して、第１のインジェク
タ１１について０．７９２〜０．８００、第２のインジ
ェクタ１２について０．５５９〜０．５６７、第３のイ
ンジェクタ１３について０．１９０〜０．１９８の比率
範囲内に定める。
度差を最小化し、ウェハ上に形成される膜質の均一性を
高められる化学気相蒸着装置を提供する。 【解決手段】 円筒状の反応室１０と、前記反応室１０
内に長手方向に沿って設置され、ウェハを装着するウェ
ハ装着帯１４と、前記反応室１０の下部に流入口１１
ａ，１２ａ，１３ａを有し、前記反応室１０の長手方向
壁面に沿って前記反応室１０の上部に向って延在し、前
記流入口１１ａ，１２ａ，１３ａから前記反応室１０内
に反応ガスを供給する複数のインジェクタ１１，１２，
１３とを設け、前記流入口１１ａ，１２ａ，１３ａから
計測した前記インジェクタ１１，１２，１３の高さが前
記ウェハ装着帯１４の高さに対して、第１のインジェク
タ１１について０．７９２〜０．８００、第２のインジ
ェクタ１２について０．５５９〜０．５６７、第３のイ
ンジェクタ１３について０．１９０〜０．１９８の比率
範囲内に定める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、より具体的には、反応室内の反応ガスの噴射位置に
よるガス濃度差を最小化し、ウェハ上に形成される膜質
の均一性を高めることのできる化学気相蒸着装置に関す
る。
り、より具体的には、反応室内の反応ガスの噴射位置に
よるガス濃度差を最小化し、ウェハ上に形成される膜質
の均一性を高めることのできる化学気相蒸着装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】化学気相蒸着（Chemical Vapor Deposit
ion 、以下“ＣＶＤ”という）法はウェハ上に薄膜を形
成する種々の方法の中で、最も、広く使用されている方
法の１つである。
ion 、以下“ＣＶＤ”という）法はウェハ上に薄膜を形
成する種々の方法の中で、最も、広く使用されている方
法の１つである。
【０００３】このＣＶＤ法は薄膜の成長温度や薄膜形成
工程が遂行される反応室内の圧力によって、低温ＣＶＤ
法や低圧ＣＶＤ法などと多様に分類されているが、どの
方法も基本的にはウェハ上に形成しようとする薄膜の成
分が含有されたガスを反応室内で他のガスと反応させ、
薄膜を形成するようにしている。
工程が遂行される反応室内の圧力によって、低温ＣＶＤ
法や低圧ＣＶＤ法などと多様に分類されているが、どの
方法も基本的にはウェハ上に形成しようとする薄膜の成
分が含有されたガスを反応室内で他のガスと反応させ、
薄膜を形成するようにしている。
【０００４】このようなＣＶＤ法の中で、約０．１〜１
００Ｔｏｒｒ範囲の圧力下で薄膜を形成する方法を低圧
化学気相成長法（Low Pressure CVD、以下“ＬＰＣＶ
Ｄ”という）という。
００Ｔｏｒｒ範囲の圧力下で薄膜を形成する方法を低圧
化学気相成長法（Low Pressure CVD、以下“ＬＰＣＶ
Ｄ”という）という。
【０００５】図７は垂直型の低圧化学気相蒸着装置の概
略構成を示す断面図である。円筒状の垂直な石英材質の
反応室１０と、この反応室１０内に長手方向に沿って設
置され図示しないウェハをローディング（装着）するた
めのウェハ蒸着帯１４と、この反応室１０の内に設置さ
れ、外部から供給された反応ガスを反応室１０の内に噴
射する複数個のインジェクタ１１，１２，１３とから構
成される。反応室１０の下部にはインジェクタ１１，１
２，１３の流入口１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられ、
反応ガスが供給され、上端の流出口１１ｂ，１２ｂ，１
３ｂから反応ガスがこの流入口１１ａ，１２ａ，１３ａ
から反応室１０内に導入される。インジェクタ１１，１
２，１３は反応室１０の長手方向壁面に沿って反応室１
０の上部に向って延在している。また、反応室１０の側
壁面から所定の距離だけ離れてほぼ垂直に設置されてい
る。
略構成を示す断面図である。円筒状の垂直な石英材質の
反応室１０と、この反応室１０内に長手方向に沿って設
置され図示しないウェハをローディング（装着）するた
めのウェハ蒸着帯１４と、この反応室１０の内に設置さ
れ、外部から供給された反応ガスを反応室１０の内に噴
射する複数個のインジェクタ１１，１２，１３とから構
成される。反応室１０の下部にはインジェクタ１１，１
２，１３の流入口１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられ、
反応ガスが供給され、上端の流出口１１ｂ，１２ｂ，１
３ｂから反応ガスがこの流入口１１ａ，１２ａ，１３ａ
から反応室１０内に導入される。インジェクタ１１，１
２，１３は反応室１０の長手方向壁面に沿って反応室１
０の上部に向って延在している。また、反応室１０の側
壁面から所定の距離だけ離れてほぼ垂直に設置されてい
る。
【０００６】インジェクタ１１，１２，１３は反応室１
０の上部まで反応ガスを供給する第１のインジェクタ１
１と、第１のインジェクタ１１より相対的に短い長さを
持つように形成され、反応室１０の中間部位に反応ガス
を供給する第２のインジェクタ１２と、第２のインジェ
クタ１２より相対的に短い長さを持つように形成され、
反応室１０の下部に反応ガスを供給する第３のインジェ
クタ１３で構成され、流入口１１ａ，１２ａ，１３ａか
ら流出口１１ｂ，１２ｂ，１３ｂまでの高さは各々１１
２５ｍｍ、７２５ｍｍ、２５ｍｍとなっている。なお、
ウェハ装着帯１４の高さＨは通常１２８２ｍｍ〜１２９
２ｍｍに設定されている。
０の上部まで反応ガスを供給する第１のインジェクタ１
１と、第１のインジェクタ１１より相対的に短い長さを
持つように形成され、反応室１０の中間部位に反応ガス
を供給する第２のインジェクタ１２と、第２のインジェ
クタ１２より相対的に短い長さを持つように形成され、
反応室１０の下部に反応ガスを供給する第３のインジェ
クタ１３で構成され、流入口１１ａ，１２ａ，１３ａか
ら流出口１１ｂ，１２ｂ，１３ｂまでの高さは各々１１
２５ｍｍ、７２５ｍｍ、２５ｍｍとなっている。なお、
ウェハ装着帯１４の高さＨは通常１２８２ｍｍ〜１２９
２ｍｍに設定されている。
【０００７】このような装置を利用してポリシリコン膜
をウェハ上に蒸着する場合、第１、第２のインジェクタ
１１，１２からフォスフィン（PH3)ガスを、第３のイン
ジェクタ１３からシラン（SiH4) とフォスフィンの混合
ガスを供給する。また、反応室１０内は４５０〜６５０
℃の温度で、０．６〜１．０Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
る。しかし、このような構成を持つ低圧化学気相蒸着装
置では、インジェクタ１１，１２，１３の流出口１１
ｂ，１２ｂ，１３ｂから反応室１０の上部、中間部、下
部に同時に反応ガスが供給され、装着帯１４にローディ
ングされた図示しない約１５０枚のウェハは、その位置
によって濃度差が大きく異なる反応ガスにさらされるこ
とになる。
をウェハ上に蒸着する場合、第１、第２のインジェクタ
１１，１２からフォスフィン（PH3)ガスを、第３のイン
ジェクタ１３からシラン（SiH4) とフォスフィンの混合
ガスを供給する。また、反応室１０内は４５０〜６５０
℃の温度で、０．６〜１．０Ｔｏｒｒの圧力に保たれ
る。しかし、このような構成を持つ低圧化学気相蒸着装
置では、インジェクタ１１，１２，１３の流出口１１
ｂ，１２ｂ，１３ｂから反応室１０の上部、中間部、下
部に同時に反応ガスが供給され、装着帯１４にローディ
ングされた図示しない約１５０枚のウェハは、その位置
によって濃度差が大きく異なる反応ガスにさらされるこ
とになる。
【０００８】すなわち、反応ガスの流出口１１ｂ，１２
ｂ，１３ｂの近傍にローディングされているウェハは多
量の反応ガスに長時間さらされるが、流出口１１ｂと１
２ｂとの間、あるいは流出口１２ｂと１３ｂとの間にロ
ーディングされているウェハは相対的に短時間だけ反応
ガスにさらされる。
ｂ，１３ｂの近傍にローディングされているウェハは多
量の反応ガスに長時間さらされるが、流出口１１ｂと１
２ｂとの間、あるいは流出口１２ｂと１３ｂとの間にロ
ーディングされているウェハは相対的に短時間だけ反応
ガスにさらされる。
【０００９】図２は、上述した装置と反応条件とに従っ
てウェハ上に形成されたポリシリコン薄膜の膜厚とガス
濃度とをウェハのローディングされた位置１，２，３，
４，５に従って示した図である。位置１がウェハ装着帯
１４の最上部を示し、位置５が最下部を示す。図から明
らかなように、ウェハ上に形成される薄膜の厚さとガス
濃度とが反応室１０にローディングされたウェハの位置
により、非常に大きくバラついていることがわかる。
てウェハ上に形成されたポリシリコン薄膜の膜厚とガス
濃度とをウェハのローディングされた位置１，２，３，
４，５に従って示した図である。位置１がウェハ装着帯
１４の最上部を示し、位置５が最下部を示す。図から明
らかなように、ウェハ上に形成される薄膜の厚さとガス
濃度とが反応室１０にローディングされたウェハの位置
により、非常に大きくバラついていることがわかる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の装置
を用いた場合、ウェハ上に形成される薄膜のウェハ間で
の均一性に問題があるためウェハ製造工程の信頼性が低
下するという問題点があった。
を用いた場合、ウェハ上に形成される薄膜のウェハ間で
の均一性に問題があるためウェハ製造工程の信頼性が低
下するという問題点があった。
【００１１】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたもので、反応室内の反応ガスの噴射位置による
ガス濃度差を最小化して、ウェハ上に形成される膜質の
均一性を高めることのできる化学気相蒸着装置を提供す
ることを目的とする。
なされたもので、反応室内の反応ガスの噴射位置による
ガス濃度差を最小化して、ウェハ上に形成される膜質の
均一性を高めることのできる化学気相蒸着装置を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の化学気相蒸着装
置は、円筒状の反応室と、前記反応室内に長手方向に沿
って設置され、ウェハを装着するウェハ装着帯と、前記
反応室の下部に流入口を有し、前記反応室の長手方向壁
面に沿って前記反応室の上部に向って延在し、前記流入
口から前記反応室内に反応ガスを供給する複数のインジ
ェクタとを具備し、前記流入口から計測した前記インジ
ェクタの高さが前記ウェハ装着帯の高さに対して、第１
のインジェクタについて０．７９２〜０．８００、第２
のインジェクタについて０．５５９〜０．５６７、第３
のインジェクタについて０．１９０〜０．１９８の比率
範囲内にあるように形成されている。
置は、円筒状の反応室と、前記反応室内に長手方向に沿
って設置され、ウェハを装着するウェハ装着帯と、前記
反応室の下部に流入口を有し、前記反応室の長手方向壁
面に沿って前記反応室の上部に向って延在し、前記流入
口から前記反応室内に反応ガスを供給する複数のインジ
ェクタとを具備し、前記流入口から計測した前記インジ
ェクタの高さが前記ウェハ装着帯の高さに対して、第１
のインジェクタについて０．７９２〜０．８００、第２
のインジェクタについて０．５５９〜０．５６７、第３
のインジェクタについて０．１９０〜０．１９８の比率
範囲内にあるように形成されている。
【００１３】また、前記比率を第１のインジェクタにつ
いて０．７９６とし、第２のインジェクタについて０．
５６３とし、第３のインジェクタについて０．１９４と
することが望ましい。化学気相蒸着装置は低圧型とし、
好ましくは垂直型とする。このような装置の構成を採用
することにより、反応室内の反応ガス噴射位置によるガ
ス濃度差を最小化することができ、ウェハ上に形成され
る膜質の均一性を高めることができる。
いて０．７９６とし、第２のインジェクタについて０．
５６３とし、第３のインジェクタについて０．１９４と
することが望ましい。化学気相蒸着装置は低圧型とし、
好ましくは垂直型とする。このような装置の構成を採用
することにより、反応室内の反応ガス噴射位置によるガ
ス濃度差を最小化することができ、ウェハ上に形成され
る膜質の均一性を高めることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による化学気相蒸着
装置の実施の形態を図１、図３〜図８に基づいて詳細に
説明する。
装置の実施の形態を図１、図３〜図８に基づいて詳細に
説明する。
【００１５】図１は本発明に従って、図７に示す反応室
１０内に設置されるインジェクタ１１，１２，１３の形
状を示したものである。本発明の実施の形態ではウェハ
装着帯１４の高さＨは従来と同様に１２８２〜１２９２
ｍｍとする。そしてその際反応室１０内に反応ガスを供
給するための第１〜第３のインジェクタ１１，１２，１
３の流入口１１ａ，１２ａ，１３ａからの高さをそれぞ
れ１０２５ｍｍ、７２５ｍｍ、２４０ｍｍとなるように
形成する。またインジェクタ１１，１２，１３の管径は
１／４インチに選択する。このような装置により、反応
室１０内の反応ガスの噴射位置によるガスの濃度差を最
小化し、ウェハ上に形成される薄膜の厚さの均一性を高
める。
１０内に設置されるインジェクタ１１，１２，１３の形
状を示したものである。本発明の実施の形態ではウェハ
装着帯１４の高さＨは従来と同様に１２８２〜１２９２
ｍｍとする。そしてその際反応室１０内に反応ガスを供
給するための第１〜第３のインジェクタ１１，１２，１
３の流入口１１ａ，１２ａ，１３ａからの高さをそれぞ
れ１０２５ｍｍ、７２５ｍｍ、２４０ｍｍとなるように
形成する。またインジェクタ１１，１２，１３の管径は
１／４インチに選択する。このような装置により、反応
室１０内の反応ガスの噴射位置によるガスの濃度差を最
小化し、ウェハ上に形成される薄膜の厚さの均一性を高
める。
【００１６】本発明では、反応ガスの噴射位置によるガ
ス濃度差を最小化するためにインジェクタ１１，１２，
１３の長さの最適値を選択する必要がある。そこで各イ
ンジェクタ１１，１２，１３の長さを変更しながらテス
トをくりかえした。その結果、上述した値を得た。この
ような最適のインジェクタ長さを採用したときウェハ上
に形成された薄膜の厚さを測定したところ２０００±１
５０Åの範囲にあり、また反応ガスの濃度も１３．９±
１％の範囲にあった。
ス濃度差を最小化するためにインジェクタ１１，１２，
１３の長さの最適値を選択する必要がある。そこで各イ
ンジェクタ１１，１２，１３の長さを変更しながらテス
トをくりかえした。その結果、上述した値を得た。この
ような最適のインジェクタ長さを採用したときウェハ上
に形成された薄膜の厚さを測定したところ２０００±１
５０Åの範囲にあり、また反応ガスの濃度も１３．９±
１％の範囲にあった。
【００１７】ウェハ装着帯１４の高さＨを変化させると
当然最適のインジェクタ長も変化するが、その場合の最
適インジェクタ長は上記実施例で示されたウェハ装着帯
１４の高さに対する各インジェクタ１１，１２，１３の
高さの比率０．７９６、０．５６３、０．１９４を用い
て決定することが出来る。上記各比率は薄膜の厚さを２
０００±１５０Åの範囲にしようとする場合、多少の変
動範囲が許され、それぞれ０．７９２〜０．８００、
０．７５９〜０．５６７、０．１９０〜０．１９８の範
囲にあればよい。
当然最適のインジェクタ長も変化するが、その場合の最
適インジェクタ長は上記実施例で示されたウェハ装着帯
１４の高さに対する各インジェクタ１１，１２，１３の
高さの比率０．７９６、０．５６３、０．１９４を用い
て決定することが出来る。上記各比率は薄膜の厚さを２
０００±１５０Åの範囲にしようとする場合、多少の変
動範囲が許され、それぞれ０．７９２〜０．８００、
０．７５９〜０．５６７、０．１９０〜０．１９８の範
囲にあればよい。
【００１８】図３ないし図６はインジェクタ長さの変化
による薄膜の厚さと反応ガスの濃度との関係を示したグ
ラフである。まず図３は第１〜第３のインジェクタ１
１，１２，１３の長さをそれぞれ９７５ｍｍ、７２５ｍ
ｍ、２５ｍｍに設定して１次テストした結果である。こ
の場合にはインジェクタ１１，１２，１３の長さを従来
のインジェクタの長さと比較し、第１のインジェクタ１
１を１５０ｍｍ程度に短く１２９７５ｍｍとし、第２、
第３のインジェクタ１２，１３はそれぞれ７２５ｍｍ、
２５ｍｍとして従来と同様にした。テストの結果、図３
に示すように反応室１０内反応ガスの濃度が位置によ
り、大きな差異を持つようになり、ウェハ上に形成され
た薄膜の厚さも不均一であった。
による薄膜の厚さと反応ガスの濃度との関係を示したグ
ラフである。まず図３は第１〜第３のインジェクタ１
１，１２，１３の長さをそれぞれ９７５ｍｍ、７２５ｍ
ｍ、２５ｍｍに設定して１次テストした結果である。こ
の場合にはインジェクタ１１，１２，１３の長さを従来
のインジェクタの長さと比較し、第１のインジェクタ１
１を１５０ｍｍ程度に短く１２９７５ｍｍとし、第２、
第３のインジェクタ１２，１３はそれぞれ７２５ｍｍ、
２５ｍｍとして従来と同様にした。テストの結果、図３
に示すように反応室１０内反応ガスの濃度が位置によ
り、大きな差異を持つようになり、ウェハ上に形成され
た薄膜の厚さも不均一であった。
【００１９】図４では、第１及び第３のインジェクタ１
１，１３を各々９７５ｍｍ、４００ｍｍに形成し、第２
のインジェクタ１２は従来と同一な７２５ｍｍに形成し
た。テストの結果、図３の場合と同じようにウェハ上に
形成された薄膜の厚さ及び反応ガスの濃度が位置より大
きく異なった。
１，１３を各々９７５ｍｍ、４００ｍｍに形成し、第２
のインジェクタ１２は従来と同一な７２５ｍｍに形成し
た。テストの結果、図３の場合と同じようにウェハ上に
形成された薄膜の厚さ及び反応ガスの濃度が位置より大
きく異なった。
【００２０】図５及び図６では、第２のインジェクタ１
２の長さを従来と同一の７２５ｍｍに形成し、第１のイ
ンジェクタ１１の長さを各々１０５０ｍｍ、１０３０ｍ
ｍに形成し、第３のインジェクタ１３の長さを各々３０
０ｍｍ、２８５ｍｍに形成した。テストの結果、この場
合においても図３及び図４とほぼ同様の結果となる。
２の長さを従来と同一の７２５ｍｍに形成し、第１のイ
ンジェクタ１１の長さを各々１０５０ｍｍ、１０３０ｍ
ｍに形成し、第３のインジェクタ１３の長さを各々３０
０ｍｍ、２８５ｍｍに形成した。テストの結果、この場
合においても図３及び図４とほぼ同様の結果となる。
【００２１】このようにして、第１〜第３のインジェク
タ１１〜１３の長さをそれぞれ変更しながらテストを繰
返した結果、最適なインジェクタの寸法を図１に示すよ
うに決定した。
タ１１〜１３の長さをそれぞれ変更しながらテストを繰
返した結果、最適なインジェクタの寸法を図１に示すよ
うに決定した。
【００２２】図１を参照すれば、最適のインジェクタ１
１，１２，１３寸法は、反応室１０の上部に反応ガスを
供給する一番長い第１のインジェクタ１１を１０２５ｍ
ｍ程度の長さを持つように形成し、反応室１０の中間部
に反応ガスを供給する第２のインジェクタ１２を７２５
ｍｍ程度の長さを持つように形成し、反応室１０の下部
に反応ガスを供給する第３のインジェクタ１３を２５０
ｍｍ程度の長さを持つように形成するのが良い。また、
前記の複数個のインジェクタ１１，１２，１３を用いて
ウェハ薄膜形成工程を遂行する化学気相蒸着装置として
は垂直型の低圧化学気相蒸着装置を採用するのが望まし
い。
１，１２，１３寸法は、反応室１０の上部に反応ガスを
供給する一番長い第１のインジェクタ１１を１０２５ｍ
ｍ程度の長さを持つように形成し、反応室１０の中間部
に反応ガスを供給する第２のインジェクタ１２を７２５
ｍｍ程度の長さを持つように形成し、反応室１０の下部
に反応ガスを供給する第３のインジェクタ１３を２５０
ｍｍ程度の長さを持つように形成するのが良い。また、
前記の複数個のインジェクタ１１，１２，１３を用いて
ウェハ薄膜形成工程を遂行する化学気相蒸着装置として
は垂直型の低圧化学気相蒸着装置を採用するのが望まし
い。
【００２３】前述したように最適なインジェクタの長さ
は絶対値で示されるものではなく、ウェハ装着帯１４の
高さとの比率によってある所定の許容範囲をもって定ま
ることはいうまでもない。
は絶対値で示されるものではなく、ウェハ装着帯１４の
高さとの比率によってある所定の許容範囲をもって定ま
ることはいうまでもない。
【００２４】前述した図１のような構造を持つインジェ
クタを採用した装置を用いて薄膜形成を行い、その測定
結果を図８に示す。図８を参照すると、形成されたウェ
ハ上の薄膜はウェハのローディングされた位置と関係な
く、２０００±１５０Å範囲内の厚さを持ち、また反応
ガスの濃度も反応ガスの噴射位置と関係なく１３．９±
１％範囲内の濃度を持つようになることがわかる。
クタを採用した装置を用いて薄膜形成を行い、その測定
結果を図８に示す。図８を参照すると、形成されたウェ
ハ上の薄膜はウェハのローディングされた位置と関係な
く、２０００±１５０Å範囲内の厚さを持ち、また反応
ガスの濃度も反応ガスの噴射位置と関係なく１３．９±
１％範囲内の濃度を持つようになることがわかる。
【００２５】
【発明の効果】本発明では、反応室内に配置されるイン
ジェクタの長さをウェハ装着帯の高さに対して所定の比
率となるようにしたため、反応室内の反応ガスの噴射位
置によるガス濃度差を最小化することができる。従っ
て、ウェハ上に形成される薄膜の厚さ及び反応ガスの濃
度の均一性を高めることができる。
ジェクタの長さをウェハ装着帯の高さに対して所定の比
率となるようにしたため、反応室内の反応ガスの噴射位
置によるガス濃度差を最小化することができる。従っ
て、ウェハ上に形成される薄膜の厚さ及び反応ガスの濃
度の均一性を高めることができる。
【図１】本発明の最適の実施の形態におけるインジェク
タの構造を示す図。
タの構造を示す図。
【図２】従来の化学気相蒸着装置におけるウェハ位置に
よる反応ガスの濃度と薄膜の厚さとの関係を示すグラ
フ。
よる反応ガスの濃度と薄膜の厚さとの関係を示すグラ
フ。
【図３】化学気相蒸着装置内に配置されるガスインジェ
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その１）。
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その１）。
【図４】化学気相蒸着装置内に配置されるガスインジェ
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その２）。
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その２）。
【図５】化学気相蒸着装置内に配置されるガスインジェ
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その３）。
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その３）。
【図６】化学気相蒸着装置内に配置されるガスインジェ
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その４）。
クタの長さとウェハ位置による反応ガスの濃度分布と薄
膜の厚さとの関係を示すグラフ（その４）。
【図７】本発明が適用される化学気相蒸着装置の概略構
造を示す断面図。
造を示す断面図。
【図８】本発明の最適の実施の形態に係る化学気相蒸着
装置におけるウェハ位置による反応ガスの濃度と、薄膜
の厚さとの関係を示すグラフ。
装置におけるウェハ位置による反応ガスの濃度と、薄膜
の厚さとの関係を示すグラフ。
１０ 反応室 １１ 第１のインジェクタ １２ 第２のインジェクタ １３ 第３のインジェクタ １１ａ，１２ａ，１３ａ 反応ガス流入口 １１ｂ，１２ｂ，１３ｂ 反応ガス流出口 １４ ウェハ装着帯
Claims (4)
- 【請求項１】 円筒状の反応室と、前記反応室内に長手
方向に沿って設置され、ウェハを装着するウェハ装着帯
と、前記反応室の下部に流入口を有し、前記反応室の長
手方向壁面に沿って前記反応室の上部に向って延在し、
前記流入口から前記反応室内に反応ガスを供給する複数
のインジェクタとを具備してなる化学気相蒸着装置にお
いて、 前記流入口から計測した前記インジェクタの高さが前記
ウェハ装着帯の高さに対して、第１のインジェクタにつ
いて０．７９２〜０．８００、第２のインジェクタにつ
いて０．５５９〜０．５６７、第３のインジェクタにつ
いて０．１９０〜０．１９８の比率範囲内にあるように
形成したことを特徴とする化学気相蒸着装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の化学気相蒸着装置にお
いて、前記比率を第１のインジェクタについて０．７９
６とし、第２のインジェクタについて０．５６３とし、
第３のインジェクタについて０．１９４とすることを特
徴とする化学気相蒸着装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の化学気相蒸着装置にお
いて、前記化学気相蒸着装置が低圧化学気相蒸着装置で
あることを特徴とする化学気相蒸着装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の化学気相蒸着装置にお
いて、前記化学気相蒸着装置が垂直型低圧化学蒸着装置
であることを特徴とする化学気相蒸着装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995P-43924 | 1995-11-27 | ||
| KR1019950043924A KR0164504B1 (ko) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 저압화학기상증착장비의 인젝터 구조 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213644A true JPH09213644A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=19435856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316691A Pending JPH09213644A (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-27 | 化学気相蒸着装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213644A (ja) |
| KR (1) | KR0164504B1 (ja) |
| TW (1) | TW310448B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434516B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2004-06-05 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조장치 |
| CN113584465B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-06-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 化学气相沉积设备 |
-
1995
- 1995-11-27 KR KR1019950043924A patent/KR0164504B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-13 TW TW085113903A patent/TW310448B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-11-27 JP JP8316691A patent/JPH09213644A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0164504B1 (ko) | 1999-02-01 |
| TW310448B (ja) | 1997-07-11 |
| KR970030248A (ko) | 1997-06-26 |
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