JPH09214067A - 多波長型レーザ光放射素子及び波長多重化方法 - Google Patents
多波長型レーザ光放射素子及び波長多重化方法Info
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- JPH09214067A JPH09214067A JP9012681A JP1268197A JPH09214067A JP H09214067 A JPH09214067 A JP H09214067A JP 9012681 A JP9012681 A JP 9012681A JP 1268197 A JP1268197 A JP 1268197A JP H09214067 A JPH09214067 A JP H09214067A
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易でファイバとの結合も容易な多波
長型レーザ光放出源を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のブラッグ回折格子レーザ光放出源
（Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）を備えた多波長型レーザ
光放出素子であって、前記放出源のブラッグ回折格子は
それぞれの放出源（Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）に共通
の回折格子（Ｒ）に対応し、そのピッチが放出源毎に連
続的に変化していることを特徴とする多波長型レーザ光
放出素子を提供する。
長型レーザ光放出源を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のブラッグ回折格子レーザ光放出源
（Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）を備えた多波長型レーザ
光放出素子であって、前記放出源のブラッグ回折格子は
それぞれの放出源（Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）に共通
の回折格子（Ｒ）に対応し、そのピッチが放出源毎に連
続的に変化していることを特徴とする多波長型レーザ光
放出素子を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多波長型レーザ光
放射素子及び波長多重化方法に関する。
放射素子及び波長多重化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】多波
長型レーザ光放射素子は、光通信のために必要とされる
波長多重化に際して特に必要とされている。ここ数年の
間に、分布型ブラッグ反射器（ｄｅｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ）を有するレーザ
光源（ＤＢＲレーザ）の分野で、波長を調節できるレー
ザ光放射源が開発されている。この観点からみた参考文
献としては、以下の刊行物を挙げることができる。
長型レーザ光放射素子は、光通信のために必要とされる
波長多重化に際して特に必要とされている。ここ数年の
間に、分布型ブラッグ反射器（ｄｅｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ）を有するレーザ
光源（ＤＢＲレーザ）の分野で、波長を調節できるレー
ザ光放射源が開発されている。この観点からみた参考文
献としては、以下の刊行物を挙げることができる。
【０００３】（１）「高性能な波長可変１．５μｍＩｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸分布型ブラッグ
反射レーザ（Ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｔｕ
−ｎａｂｌｅ １．５μｍ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓＰ ｍｕｌｔｉｐｌｅｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｄ
ｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌ−ｅｃｔ
ｏｒ ｌａｓｅｒ」Ｔ．Ｌ．Ｋｏｃｈ、Ｕ．Ｋｏｒｅｎ
ａｎｄ Ｂ．Ｉ．Ｍｉｌｌｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、５３（１２）、１９８
８、ｐ．１０３６； （２）「波長分割多重化送信用レーザ・アレイのための
多周期グレーティングの収束イオン・ビーム・リソグラ
フィ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｏｆ ｍｕｌｔｉｐｅｒｉｏｄ ｇｒａｔ
ｉｎｇｓｆｏｒ ａ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−ｄｉｖｉ
ｓｉｏｎ−ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ−ｅｄ ｔｒａｎｓｍｉ
ｔｔｅｒ ｌａｓｅｒ ａｒｒａｙ）」，Ｉ．Ｍ．Ｔｅ
−ｍｐｌｅｔｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃ−ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ，Ｐａｒｔ Ｂ，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ．
６，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９９５，ｐｐ．２７２２−２
７２４．しかし、このような素子を製作するためには、
数段階のエピタキシャル再成長を実施することが必要と
され、その結果として製造工程は複雑となる。
ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸分布型ブラッグ
反射レーザ（Ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｔｕ
−ｎａｂｌｅ １．５μｍ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓＰ ｍｕｌｔｉｐｌｅｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｄ
ｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌ−ｅｃｔ
ｏｒ ｌａｓｅｒ」Ｔ．Ｌ．Ｋｏｃｈ、Ｕ．Ｋｏｒｅｎ
ａｎｄ Ｂ．Ｉ．Ｍｉｌｌｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、５３（１２）、１９８
８、ｐ．１０３６； （２）「波長分割多重化送信用レーザ・アレイのための
多周期グレーティングの収束イオン・ビーム・リソグラ
フィ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｏｆ ｍｕｌｔｉｐｅｒｉｏｄ ｇｒａｔ
ｉｎｇｓｆｏｒ ａ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−ｄｉｖｉ
ｓｉｏｎ−ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ−ｅｄ ｔｒａｎｓｍｉ
ｔｔｅｒ ｌａｓｅｒ ａｒｒａｙ）」，Ｉ．Ｍ．Ｔｅ
−ｍｐｌｅｔｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃ−ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ，Ｐａｒｔ Ｂ，Ｖｏｌ．１３，Ｎｏ．
６，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ １９９５，ｐｐ．２７２２−２
７２４．しかし、このような素子を製作するためには、
数段階のエピタキシャル再成長を実施することが必要と
され、その結果として製造工程は複雑となる。
【０００４】また、特に米国特許ＵＳ４ ９９３ ０３
６号に開示されているレーザ光放射素子は、異なる周期
のブラッグ回折格子を有する複数のレーザ光放射源をひ
とつの共通する基板上に集積したものである。しかしな
がら、マイクロメータの単位で異なるピッチを有し、且
つ互いに隣り合わせに配置された複数のグレーティング
を形成するのは、技術的に複雑である。
６号に開示されているレーザ光放射素子は、異なる周期
のブラッグ回折格子を有する複数のレーザ光放射源をひ
とつの共通する基板上に集積したものである。しかしな
がら、マイクロメータの単位で異なるピッチを有し、且
つ互いに隣り合わせに配置された複数のグレーティング
を形成するのは、技術的に複雑である。
【０００５】また、より最近になって、以下の刊行物
が、ひとつの共通する基板上に、一定のピッチのブラッ
グ回折格子と、レーザ放射のための活性層を形成する複
数の埋め込まれた帯状部とを有し、それぞれの帯状部が
回折格子に対して異なる角度で傾斜しているような素子
を開示している。
が、ひとつの共通する基板上に、一定のピッチのブラッ
グ回折格子と、レーザ放射のための活性層を形成する複
数の埋め込まれた帯状部とを有し、それぞれの帯状部が
回折格子に対して異なる角度で傾斜しているような素子
を開示している。
【０００６】（３）「活性層ストライプを回折格子に対
して傾斜させることによる分布帰還型レーザのレーザ波
長の制御（Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ ｌａｓｉｎｇ ｗａ
ｖ−ｅｌｅｎｇｔｈ ｉｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌａｓ−ｅｒｓ ｂｙ ａｎｇｌｉ
ｎｇ ｔｈｅ ａｃｔｉｖｅ ｓｔｒｉｐｅ ｗｉ−ｔ
ｈ ｒｅｓｐｅｃｔ ｔｏ ｔｈｅ ｇｒａｔｉｎ
ｇ）」、Ｗ．Ｔ．Ｔｓａ−ｎｇ，Ｒ．Ｍ．Ｋａｐｒｅ，
Ｒ．Ａ．Ｌｏｇａｎ ａｎｄ Ｔ．Ｔａｎｂｕｎ−Ｅ
ｋ，ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．９，１９９
３，ｐｐ．９７８−９８０．このように作りこまれたそ
れぞれの放出源からの放出光の波長は、回折格子と、活
性層を構成している帯状部との間の角度に応じて変化す
る。
して傾斜させることによる分布帰還型レーザのレーザ波
長の制御（Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ ｌａｓｉｎｇ ｗａ
ｖ−ｅｌｅｎｇｔｈ ｉｎ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
ｆｅｅｄｂａｃｋ ｌａｓ−ｅｒｓ ｂｙ ａｎｇｌｉ
ｎｇ ｔｈｅ ａｃｔｉｖｅ ｓｔｒｉｐｅ ｗｉ−ｔ
ｈ ｒｅｓｐｅｃｔ ｔｏ ｔｈｅ ｇｒａｔｉｎ
ｇ）」、Ｗ．Ｔ．Ｔｓａ−ｎｇ，Ｒ．Ｍ．Ｋａｐｒｅ，
Ｒ．Ａ．Ｌｏｇａｎ ａｎｄ Ｔ．Ｔａｎｂｕｎ−Ｅ
ｋ，ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５，Ｎｏ．９，１９９
３，ｐｐ．９７８−９８０．このように作りこまれたそ
れぞれの放出源からの放出光の波長は、回折格子と、活
性層を構成している帯状部との間の角度に応じて変化す
る。
【０００７】しかし、これらの素子は、ファイバとの結
合に問題を有する。すなわち、これらの素子を作製する
ための材料は、３．５のオーダーの屈折率を有する。そ
して、活性層を形成しているそれぞれの帯状部が基板の
劈開面に対して異なる傾斜を有すると、素子の劈開面の
垂線に対してそれぞれの放出光ビームが出射する角度
は、屈折によって大きく変化することとなる。従って、
それぞれの放出光の波長に対応してファイバの傾斜を変
えることが必要となる。
合に問題を有する。すなわち、これらの素子を作製する
ための材料は、３．５のオーダーの屈折率を有する。そ
して、活性層を形成しているそれぞれの帯状部が基板の
劈開面に対して異なる傾斜を有すると、素子の劈開面の
垂線に対してそれぞれの放出光ビームが出射する角度
は、屈折によって大きく変化することとなる。従って、
それぞれの放出光の波長に対応してファイバの傾斜を変
えることが必要となる。
【０００８】本発明の目的は、前述したさまざまな欠点
を除去することができる多波長型のレーザ光放出素子を
提供することである。
を除去することができる多波長型のレーザ光放出素子を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および効果】本発明によれ
ば、上述の目的は、複数のブラッグ回折格子型レーザ光
放出源を有する多波長型レーザ光放出素子によって達成
される。その素子は、それぞれの放出源のブラッグ回折
格子がそれぞれの放出源に共通のひとつの回折格子に対
応し、また、そのピッチが放出源ごとに連続的に変化し
ているという特徴を有する。この素子は、回折格子をひ
とつしか有していない。そして、容易に製造することが
できる。また、ファイバの結合も容易である。本発明が
有する他の特徴や利点は、以下の説明において明らかに
する。また、以下の説明は単なる例示に過ぎず、本発明
の範囲を限定するものではない。
ば、上述の目的は、複数のブラッグ回折格子型レーザ光
放出源を有する多波長型レーザ光放出素子によって達成
される。その素子は、それぞれの放出源のブラッグ回折
格子がそれぞれの放出源に共通のひとつの回折格子に対
応し、また、そのピッチが放出源ごとに連続的に変化し
ているという特徴を有する。この素子は、回折格子をひ
とつしか有していない。そして、容易に製造することが
できる。また、ファイバの結合も容易である。本発明が
有する他の特徴や利点は、以下の説明において明らかに
する。また、以下の説明は単なる例示に過ぎず、本発明
の範囲を限定するものではない。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１及び図２に示した素子は、複
数の分布帰還型レーザ光放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓ
n （ＤＦＢレーザ光源）を有し、ピッチがレーザ光放出
源毎に連続的に変化しているような共通の回折格子Ｒを
有する。図１及び図２に示したように本発明の特に好適
な実施の形態においては、この共通の回折格子は、扇状
の形状を有する。
数の分布帰還型レーザ光放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓ
n （ＤＦＢレーザ光源）を有し、ピッチがレーザ光放出
源毎に連続的に変化しているような共通の回折格子Ｒを
有する。図１及び図２に示したように本発明の特に好適
な実施の形態においては、この共通の回折格子は、扇状
の形状を有する。
【００１１】図１には、共通な回折格子Ｒを構成する線
Ｌが示され、さらにそれぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・
・、Ｓn の放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn も示され
ている。回折格子Ｒを構成しているこれらのそれぞれの
線Ｌは、それぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn の
位置において周期的な回折格子を形成するように配列さ
れている。
Ｌが示され、さらにそれぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・
・、Ｓn の放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn も示され
ている。回折格子Ｒを構成しているこれらのそれぞれの
線Ｌは、それぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn の
位置において周期的な回折格子を形成するように配列さ
れている。
【００１２】ここで、素子のそれぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ
2 、・・・、Ｓn の放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn
が互いに平行であり、また、連続して配列している線Ｌ
の間隔がいずれかの放出源の放出方向と交差する箇所で
一定の間隔で配列しているとすれば、単純な比例関係か
ら、他の放出源についても、その交差する箇所でのそれ
ぞれの線Ｌの間隔は一定となる。図１においては、回折
格子を構成している連続的に配列した線は、放出方向Ｅ
1 に沿って一定の間隔ａを有している。従って、連続的
に配列している線を、方向Ｅ1 と平行な放出方向Ｅn に
沿った方向からみた間隔は同様に一定である。
2 、・・・、Ｓn の放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn
が互いに平行であり、また、連続して配列している線Ｌ
の間隔がいずれかの放出源の放出方向と交差する箇所で
一定の間隔で配列しているとすれば、単純な比例関係か
ら、他の放出源についても、その交差する箇所でのそれ
ぞれの線Ｌの間隔は一定となる。図１においては、回折
格子を構成している連続的に配列した線は、放出方向Ｅ
1 に沿って一定の間隔ａを有している。従って、連続的
に配列している線を、方向Ｅ1 と平行な放出方向Ｅn に
沿った方向からみた間隔は同様に一定である。
【００１３】共通なひとつの回折格子Ｒによって、それ
ぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn についてこのよ
うに決定される周期的な回折格子のピッチΛは、必然的
に、互いに異なるものとなる。
ぞれの放出源Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn についてこのよ
うに決定される周期的な回折格子のピッチΛは、必然的
に、互いに異なるものとなる。
【００１４】回折格子Ｒを構成している２本の隣り合う
線の間の角度と、放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn と
は、素子を構成しているそれぞれの放出源について必要
とされるブラッグ波長λb1、λb2、・・・、λbnの関数
として選択される。ここで、ＤＦＢレーザ光放出源のブ
ラッグ波長λb は、次式の関係式によりその周期的な回
折格子のピッチΛと関係づけられる。
線の間の角度と、放出方向Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn と
は、素子を構成しているそれぞれの放出源について必要
とされるブラッグ波長λb1、λb2、・・・、λbnの関数
として選択される。ここで、ＤＦＢレーザ光放出源のブ
ラッグ波長λb は、次式の関係式によりその周期的な回
折格子のピッチΛと関係づけられる。
【００１５】λb ＝２ｎeff Λ／ｍ ここで、ｎeff は、光導波路（ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）の
実効屈折率（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｒｅｆｒａｃｔｉｖ
ｅ ｉｎｄｅｘ）であり、ｍは回折格子による回折次数
（ｏｒｄｅｒ）である。放出源について、このフィード
バックは、そのブラッグ波長近傍の波長を選択するよう
に作用するものである。
実効屈折率（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｒｅｆｒａｃｔｉｖ
ｅ ｉｎｄｅｘ）であり、ｍは回折格子による回折次数
（ｏｒｄｅｒ）である。放出源について、このフィード
バックは、そのブラッグ波長近傍の波長を選択するよう
に作用するものである。
【００１６】本発明の実施の形態においては、素子は米
国特許ＵＳ−４ ９９３ ０３６号に開示されているタ
イプのものとすることができる。このタイプでは、前述
した回折格子Ｒと同様なひとつの共通なブラッグ回折格
子によってそれぞれのブラッグ回折格子が構成されてい
る。
国特許ＵＳ−４ ９９３ ０３６号に開示されているタ
イプのものとすることができる。このタイプでは、前述
した回折格子Ｒと同様なひとつの共通なブラッグ回折格
子によってそれぞれのブラッグ回折格子が構成されてい
る。
【００１７】図２は、この種類の素子を表す概略斜視図
である。同図に示した素子は、約１００μｍの厚さのｎ
+ ドープＧａＡｓからなる基板１を有し、さらにその上
にＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層２と、０．１μｍの
厚さの活性層３と、同様に０．１μｍの厚さのガイド層
４とが堆積されている。
である。同図に示した素子は、約１００μｍの厚さのｎ
+ ドープＧａＡｓからなる基板１を有し、さらにその上
にＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層２と、０．１μｍの
厚さの活性層３と、同様に０．１μｍの厚さのガイド層
４とが堆積されている。
【００１８】扇型の回折格子Ｒは、層４の最上面を露光
（ｉｎｓｏｌａｔｉｏｎ）することにより形成され、基
板１が（１、０、０）面の方位を有する場合には、その
基板の（０、１、−１）及び（０、１、１）劈開面に回
折格子の線を向けるように形成される（図１を参照の
事）。
（ｉｎｓｏｌａｔｉｏｎ）することにより形成され、基
板１が（１、０、０）面の方位を有する場合には、その
基板の（０、１、−１）及び（０、１、１）劈開面に回
折格子の線を向けるように形成される（図１を参照の
事）。
【００１９】この回折格子は、例えば、サンプルを露光
ビームの下でそれぞれの線毎に移動させることによっ
て、線毎にエッチすることができる。すなわち、サンプ
ルはサンプル・キャリアに載置され、そのサンプル・キ
ャリアは、露光ビームの下で平行方向に移動することが
でき、また、回折格子を構成するそれぞれの線が交差す
る点の付近を中心として回転することもできるようにさ
れている。
ビームの下でそれぞれの線毎に移動させることによっ
て、線毎にエッチすることができる。すなわち、サンプ
ルはサンプル・キャリアに載置され、そのサンプル・キ
ャリアは、露光ビームの下で平行方向に移動することが
でき、また、回折格子を構成するそれぞれの線が交差す
る点の付近を中心として回転することもできるようにさ
れている。
【００２０】線をエッチするためには、サンプル・キャ
リアは、回転方向には固定され、ビームの下で平行に動
かされる。そして、１本の線がエッチされると、サンプ
ル・キャリアの角度が変えられて、その次の線をエッチ
することができる位置に移動され、以下、同様の工程を
繰り返す。
リアは、回転方向には固定され、ビームの下で平行に動
かされる。そして、１本の線がエッチされると、サンプ
ル・キャリアの角度が変えられて、その次の線をエッチ
することができる位置に移動され、以下、同様の工程を
繰り返す。
【００２１】このようにしてエッチされた導波路層４の
上には、新たにＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層５（ｐ
型上側閉じこめ層）が堆積され、そしてその後に「コン
タクト層」としてｐ型ＧａＡｓ層６が堆積される。層５
及び６の積層構造は、切断されて、回折格子上に形成さ
れた帯状体とされる。それぞれの帯状体の両側面には、
電気的な絶縁層７が堆積される。最後に、それぞれの帯
状体の上には、それぞれの電極８1 、８2 、・・・、８
n が形成される。これらの電極は、電気的に互いに絶縁
されている。
上には、新たにＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層５（ｐ
型上側閉じこめ層）が堆積され、そしてその後に「コン
タクト層」としてｐ型ＧａＡｓ層６が堆積される。層５
及び６の積層構造は、切断されて、回折格子上に形成さ
れた帯状体とされる。それぞれの帯状体の両側面には、
電気的な絶縁層７が堆積される。最後に、それぞれの帯
状体の上には、それぞれの電極８1 、８2 、・・・、８
n が形成される。これらの電極は、電気的に互いに絶縁
されている。
【００２２】また、基板裏面にはオーミック接触９が形
成される。そして、帯状体に対して垂直な面で劈開する
ことによって、複数のダイオード・ストライプが形成さ
れる。
成される。そして、帯状体に対して垂直な面で劈開する
ことによって、複数のダイオード・ストライプが形成さ
れる。
【００２３】このようにして形成された光を放出するそ
れぞれの帯状体はすべて平行であり、例えば、基板の劈
開面（図１の（０、１、１）面）のうちのいずれかに対
して垂直である。
れぞれの帯状体はすべて平行であり、例えば、基板の劈
開面（図１の（０、１、１）面）のうちのいずれかに対
して垂直である。
【００２４】本発明の要旨が以上に説明した特定の素子
に限定されないのは勿論であり、ブラッグ回折格子放出
源を有するいかなる多波長型ストライプにも一般的に適
用することができる。
に限定されないのは勿論であり、ブラッグ回折格子放出
源を有するいかなる多波長型ストライプにも一般的に適
用することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるレーザ放出素
子の概略平面図である。
子の概略平面図である。
【図２】図１の素子の部分的な断面斜視図である。
Ｒ 回折格子 Ｌ 回折格子を構成する線 Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn レーザ光放出源 Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅn レーザ光放出方向 １ 基板 ２ Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層 ３ 活性層 ４ ガイド層 ５ ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ閉じこめ層 ６ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ７ 電気的な絶縁層 ８1 、８2 、・・・、８n 電極 ９ オーミック接触
Claims (4)
- 【請求項１】複数のブラッグ回折格子レーザ光放出源
（Ｓ1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）を備えた多波長型レーザ
光放出素子であって、 前記放出源のブラッグ回折格子はそれぞれの放出源（Ｓ
1 、Ｓ2 、・・・、Ｓn ）について共通な回折格子
（Ｒ）に対応し、そのピッチが隣接する前記放出源毎に
連続的に変化していることを特徴とする多波長型レーザ
光放出素子。 - 【請求項２】前記回折格子（Ｒ）は、扇型であり、 それぞれの放出源の放出方向（Ｅ1 、Ｅ2 、・・・、Ｅ
n ）は互いに平行で、且つ前記回折格子を構成する線
（Ｌ）と交差していることを特徴とする請求項１記載の
素子。 - 【請求項３】前記レーザ光放出源（Ｓ1 、Ｓ2 、・・
・、Ｓn ）は、分布帰還型であることを特徴とする請求
項１または２に記載の素子。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれか１つに記載の素子
を用いることを特徴とする光通信の波長多重化方法。
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