JPH09214273A - 積層型高周波ローパスフィルタ - Google Patents
積層型高周波ローパスフィルタInfo
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- JPH09214273A JPH09214273A JP28419796A JP28419796A JPH09214273A JP H09214273 A JPH09214273 A JP H09214273A JP 28419796 A JP28419796 A JP 28419796A JP 28419796 A JP28419796 A JP 28419796A JP H09214273 A JPH09214273 A JP H09214273A
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- JP
- Japan
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- electrode
- pass filter
- electrodes
- dielectric layer
- capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 通過域の挿入損失を低減しバッテリーの寿命
を伸ばすことができる積層型高周波ローパスフィルタを
提供する。 【構成】 ライン電極をビアホールを介して１ターン以
上巻回することによって得られるインダクタと、コンデ
ンサ電極とアース電極を対向することによって得られる
キャパシタを有する積層型高周波ローパスフィルタ。
を伸ばすことができる積層型高周波ローパスフィルタを
提供する。 【構成】 ライン電極をビアホールを介して１ターン以
上巻回することによって得られるインダクタと、コンデ
ンサ電極とアース電極を対向することによって得られる
キャパシタを有する積層型高周波ローパスフィルタ。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、積層型高周波ロー
パスフィルタに関し、特に携帯電話などに用いられる積
層型の高周波ローパスフィルタに関する。
パスフィルタに関し、特に携帯電話などに用いられる積
層型の高周波ローパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波ローパスフィルタの一例が
特開平６−１８８６０８号公報に記載されている。この
従来例の積層体の分解斜視図を図１１に示す。
特開平６−１８８６０８号公報に記載されている。この
従来例の積層体の分解斜視図を図１１に示す。
【０００３】図１１において、５１、５２はインダクタ
電極、５３、５４、５５はコンデンサ電極、５６、５７
はアース電極、５８、５９、６０、６１、６２は誘電体
層である。この各電極ペーストが塗布された誘電体層を
積層して焼成し、一体化して構成されている。またこの
ローパスフィルタは側面に複数の外部電極（図示してな
い）が形成される。
電極、５３、５４、５５はコンデンサ電極、５６、５７
はアース電極、５８、５９、６０、６１、６２は誘電体
層である。この各電極ペーストが塗布された誘電体層を
積層して焼成し、一体化して構成されている。またこの
ローパスフィルタは側面に複数の外部電極（図示してな
い）が形成される。
【０００４】以上のように構成された高周波ローパスフ
ィルタについて説明する。同一平面上のコンデンサ電極
５３、５４、５５はアース電極５７との間に静電容量が
形成されている。また、側面の外部電極でインダクタ電
極５１とコンデンサ電極５３と５５が接続され、インダ
クタ電極５２とコンデンサ電極５４と５５が接続される
ことで、インダクタとコンデンサをπ型に接続した回路
を形成している。
ィルタについて説明する。同一平面上のコンデンサ電極
５３、５４、５５はアース電極５７との間に静電容量が
形成されている。また、側面の外部電極でインダクタ電
極５１とコンデンサ電極５３と５５が接続され、インダ
クタ電極５２とコンデンサ電極５４と５５が接続される
ことで、インダクタとコンデンサをπ型に接続した回路
を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の構成では、イン
ダクタンスを得るためのインダクタ電極５１、５２がミ
アンダ型と呼ばれる形状のため、所望のインダクタンス
値を得るためにはライン状の電極パターンが長くなる。
このライン状のコイル電極パターンが長くなると、通過
域での挿入損失が大きくなるという欠点がある。一般に
挿入損失が大きいと、携帯電話などの移動体通信機器で
はバッテリー寿命が短くなるという問題を有していた。
ダクタンスを得るためのインダクタ電極５１、５２がミ
アンダ型と呼ばれる形状のため、所望のインダクタンス
値を得るためにはライン状の電極パターンが長くなる。
このライン状のコイル電極パターンが長くなると、通過
域での挿入損失が大きくなるという欠点がある。一般に
挿入損失が大きいと、携帯電話などの移動体通信機器で
はバッテリー寿命が短くなるという問題を有していた。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するもので、
通過域の挿入損失を低減しバッテリーの寿命を伸ばすこ
とができる積層型高周波ローパスフィルタを提供するこ
とを目的とする。
通過域の挿入損失を低減しバッテリーの寿命を伸ばすこ
とができる積層型高周波ローパスフィルタを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、パターン電極
が形成された絶縁層を積層一体化して構成され、前記パ
ターン電極によって、ビアホールを介して１ターン以上
巻回されたコイル状インダクタと、電極を対向させたコ
ンデンサとを積層体内に構成し、このインダクタとコン
デンサを用いてローパスフィルタ回路を構成したもので
ある。
が形成された絶縁層を積層一体化して構成され、前記パ
ターン電極によって、ビアホールを介して１ターン以上
巻回されたコイル状インダクタと、電極を対向させたコ
ンデンサとを積層体内に構成し、このインダクタとコン
デンサを用いてローパスフィルタ回路を構成したもので
ある。
【０００８】また本発明は、前記インダクタを少なくと
も２つ構成し、前記コンデンサを少なくとも３つ構成
し、第１のインダクタと第２のインダクタは直列に接続
され、前記３つのコンデンサは、前記２つのインダクタ
の間及びそれぞれの他端とアースとの間に配置される構
造とするものである。
も２つ構成し、前記コンデンサを少なくとも３つ構成
し、第１のインダクタと第２のインダクタは直列に接続
され、前記３つのコンデンサは、前記２つのインダクタ
の間及びそれぞれの他端とアースとの間に配置される構
造とするものである。
【０００９】また本発明は、前記パターン電極におい
て、前記インダクタ用電極の厚みをコンデンサ用電極の
厚さよりも大きくするものである。
て、前記インダクタ用電極の厚みをコンデンサ用電極の
厚さよりも大きくするものである。
【００１０】本発明によれば、インダクタを構成する内
部パターン電極が、ビアホールを介して複数の絶縁層に
わたって巻回されている。この本発明の巻回型のインダ
クタでは、従来のミアンダ型と呼ばれるインダクタに比
べ、同一のインダクタンスがより短いライン長で得られ
るため、挿入損失を低減させることができる。
部パターン電極が、ビアホールを介して複数の絶縁層に
わたって巻回されている。この本発明の巻回型のインダ
クタでは、従来のミアンダ型と呼ばれるインダクタに比
べ、同一のインダクタンスがより短いライン長で得られ
るため、挿入損失を低減させることができる。
【００１１】また本発明によれば、インダクタ用の電極
厚さを、コンデンサ用の電極厚さよりも厚くすることに
よって、さらなる挿入損失の低減が可能である。
厚さを、コンデンサ用の電極厚さよりも厚くすることに
よって、さらなる挿入損失の低減が可能である。
【００１２】また本発明によれば、インダクタをコイル
状としたため、インダクタンスの大きいインダクタを容
易に構成できる。それによって、組み合わせるコンデン
サの容量を小さくすることができる。又、コイル状イン
ダクタによって、高いＱを得ることができる。
状としたため、インダクタンスの大きいインダクタを容
易に構成できる。それによって、組み合わせるコンデン
サの容量を小さくすることができる。又、コイル状イン
ダクタによって、高いＱを得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら説明する。本発明の一実施例における
積層型高周波ローパスフィルタの斜視図を図１に、分解
斜視図を図２に示す。
面を参照しながら説明する。本発明の一実施例における
積層型高周波ローパスフィルタの斜視図を図１に、分解
斜視図を図２に示す。
【００１４】この高周波用ローパスフィルタ１８は，積
層体１９を含む。積層体１９は，図２に示すように，第
１の誘電体層１７を含む。第１の誘電体層１７上には，
そのほぼ全面にアース電極１１が形成される。アース電
極１１から第１の誘電体層１７の端部に向かって６つの
引出端子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよ
び１１ｆが形成される。２つの引出端子１１ａ，１１ｂ
は，第１の誘電体層１７の一端側に向かって形成され，
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１
１ｃ，１１ｄは，第１の誘電体層１７の他端側に向かっ
て形成され，その中央付近で近接した位置に形成され
る。別の２つの引出端子１１ｅ，１１ｆは，第１の誘電
体層１７の他の対向端に向かってそれぞれ形成される。
層体１９を含む。積層体１９は，図２に示すように，第
１の誘電体層１７を含む。第１の誘電体層１７上には，
そのほぼ全面にアース電極１１が形成される。アース電
極１１から第１の誘電体層１７の端部に向かって６つの
引出端子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよ
び１１ｆが形成される。２つの引出端子１１ａ，１１ｂ
は，第１の誘電体層１７の一端側に向かって形成され，
互いに間隔を隔てて形成される。別の２つの引出端子１
１ｃ，１１ｄは，第１の誘電体層１７の他端側に向かっ
て形成され，その中央付近で近接した位置に形成され
る。別の２つの引出端子１１ｅ，１１ｆは，第１の誘電
体層１７の他の対向端に向かってそれぞれ形成される。
【００１５】アース電極１１上には，第２の誘電体層１
６が積層される。第２の誘電体層１６上には，第１，第
２および第３のコンデンサを構成する第１，第２および
第３のコンデンサ電極７，８及び９が形成される。第２
のコンデンサ電極８は第２の誘電体層１６の一端寄りに
おいて，ほぼ中央付近に形成される。また。第１，第３
のコンデンサ電極７及び９は，第２の誘電体層１６の他
端寄りにおいて，両側に間隔を隔てて形成される。第１
〜第３のコンデンサ電極７〜９は，アース電極１１に対
向するように形成される。さらに，第２のコンデンサ電
極８から第２の誘電体層１６の一端に向かって，２つの
接続端子８ａ及び８ｂが形成される。これらの接続端子
８ａ及び８ｂは，第２の誘電体層１６の一端側の中央部
付近で，互いに近接して形成される。また，第１および
第３のコンデンサ電極７及び９から第２の誘電体層１６
の他端に向かって，接続端子７ａ及び９ａがそれぞれ形
成される。これらの接続端子７ａ及び９ａは，互いに間
隔を隔てて形成される。
６が積層される。第２の誘電体層１６上には，第１，第
２および第３のコンデンサを構成する第１，第２および
第３のコンデンサ電極７，８及び９が形成される。第２
のコンデンサ電極８は第２の誘電体層１６の一端寄りに
おいて，ほぼ中央付近に形成される。また。第１，第３
のコンデンサ電極７及び９は，第２の誘電体層１６の他
端寄りにおいて，両側に間隔を隔てて形成される。第１
〜第３のコンデンサ電極７〜９は，アース電極１１に対
向するように形成される。さらに，第２のコンデンサ電
極８から第２の誘電体層１６の一端に向かって，２つの
接続端子８ａ及び８ｂが形成される。これらの接続端子
８ａ及び８ｂは，第２の誘電体層１６の一端側の中央部
付近で，互いに近接して形成される。また，第１および
第３のコンデンサ電極７及び９から第２の誘電体層１６
の他端に向かって，接続端子７ａ及び９ａがそれぞれ形
成される。これらの接続端子７ａ及び９ａは，互いに間
隔を隔てて形成される。
【００１６】第１〜第３のコンデンサ電極７〜９上に
は，第３の誘電体層１５が積層される。第３の誘電体層
１５上には，第１および第２のインダクタの一部を構成
する第１および第２のコイル電極３および４が形成され
る。第１および第２のコイル電極３および４は略コの字
形状をしており、それぞれの接続端子３ａ、４ａは第３
の誘電体層１５の一端側に向かって形成される。第１の
コイル電極３の接続端子３ａは第２のコンデンサ電極の
接続端子８ａに対応する位置に形成され、第２のコイル
電極４の接続端子４ａは第２のコンデンサ電極８の接続
端子８ｂに対応する位置に形成される。
は，第３の誘電体層１５が積層される。第３の誘電体層
１５上には，第１および第２のインダクタの一部を構成
する第１および第２のコイル電極３および４が形成され
る。第１および第２のコイル電極３および４は略コの字
形状をしており、それぞれの接続端子３ａ、４ａは第３
の誘電体層１５の一端側に向かって形成される。第１の
コイル電極３の接続端子３ａは第２のコンデンサ電極の
接続端子８ａに対応する位置に形成され、第２のコイル
電極４の接続端子４ａは第２のコンデンサ電極８の接続
端子８ｂに対応する位置に形成される。
【００１７】第１および第２のコイル電極３および４上
には、第４の誘電体層１４が積層される。第４の誘電体
層１４上には、第１および第２のインダクタの一部を構
成する第１および第２のコイル電極１および２が形成さ
れる。第１および第２のコイル電極１および２は略コの
字形状をしており、それぞれの接続端子１ａ、２ａは第
４の誘電体層１４の他端側に向かって形成される。第１
のコイル電極１の接続端子１ａは第１のコンデンサ電極
７の接続端子７ａに対応する位置に形成され、他端部１
ｂはビアホール５を通じて第３の誘電体層１５上の第１
のコイル電極３の他端部である３ｂに接続される。ま
た、第２のコイル電極２の接続端子２ａは第３のコンデ
ンサ電極９の接続端子９ａに対応する位置に形成され、
他端部２ｂはビアホール６を通じて第３の誘電体層１５
上の第２のコイル電極４の他端部である４ｂに接続され
る。
には、第４の誘電体層１４が積層される。第４の誘電体
層１４上には、第１および第２のインダクタの一部を構
成する第１および第２のコイル電極１および２が形成さ
れる。第１および第２のコイル電極１および２は略コの
字形状をしており、それぞれの接続端子１ａ、２ａは第
４の誘電体層１４の他端側に向かって形成される。第１
のコイル電極１の接続端子１ａは第１のコンデンサ電極
７の接続端子７ａに対応する位置に形成され、他端部１
ｂはビアホール５を通じて第３の誘電体層１５上の第１
のコイル電極３の他端部である３ｂに接続される。ま
た、第２のコイル電極２の接続端子２ａは第３のコンデ
ンサ電極９の接続端子９ａに対応する位置に形成され、
他端部２ｂはビアホール６を通じて第３の誘電体層１５
上の第２のコイル電極４の他端部である４ｂに接続され
る。
【００１８】第１および第２のコイル電極１および２上
には、第５の誘電体層１３が積層される。第５の誘電体
層１３上には、そのほぼ全面に、シールド電極１０が形
成される。シールド電極１０から第５の誘電体層１３の
端部に向かって、６つの引出端子１０ａ，１０ｂ、１０
ｃ、１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆが形成される。２つの
引出端子１０ａ及び１０ｂは、第５の誘電体層１３の一
端側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成され
る。別の２つの引出端子１０ｃおよび１０ｄは第５の誘
電体層１３の他端側に向かって形成され、その中央付近
で近接した位置に形成される。別の２つの引出端子１０
ｅ，１０ｆは、第５の誘電体層１３の他の対向端に向か
ってそれぞれ形成される。
には、第５の誘電体層１３が積層される。第５の誘電体
層１３上には、そのほぼ全面に、シールド電極１０が形
成される。シールド電極１０から第５の誘電体層１３の
端部に向かって、６つの引出端子１０ａ，１０ｂ、１０
ｃ、１０ｄ、１０ｅおよび１０ｆが形成される。２つの
引出端子１０ａ及び１０ｂは、第５の誘電体層１３の一
端側に向かって形成され、互いに間隔を隔てて形成され
る。別の２つの引出端子１０ｃおよび１０ｄは第５の誘
電体層１３の他端側に向かって形成され、その中央付近
で近接した位置に形成される。別の２つの引出端子１０
ｅ，１０ｆは、第５の誘電体層１３の他の対向端に向か
ってそれぞれ形成される。
【００１９】さらに、シールド電極１０上には、第６の
誘電体層１２が積層される。尚、各誘電体層は、必要に
応じ複数の誘電体層の積層体で構成される。
誘電体層１２が積層される。尚、各誘電体層は、必要に
応じ複数の誘電体層の積層体で構成される。
【００２０】この積層体１９の側面には、図１に示すよ
うに、１０個の外部電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０
ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｉ及び２０
ｊが形成される。これらの外部電極２０ａ〜２０ｊのう
ち、４つの外部電極２０ａ〜２０ｄは積層体１９の一端
側に形成され、他の４つの外部電極２０ｅ〜２０ｈは積
層体１９の他端側に形成され、さらに他の２つの外部電
極２０ｉおよび２０ｊは積層体１９の他の対向端側に形
成される。これらの外部電極２０ａ〜２０ｊは、積層体
１９の正面から側面を経て、下面に達するように形成さ
れる。
うに、１０個の外部電極２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０
ｄ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｉ及び２０
ｊが形成される。これらの外部電極２０ａ〜２０ｊのう
ち、４つの外部電極２０ａ〜２０ｄは積層体１９の一端
側に形成され、他の４つの外部電極２０ｅ〜２０ｈは積
層体１９の他端側に形成され、さらに他の２つの外部電
極２０ｉおよび２０ｊは積層体１９の他の対向端側に形
成される。これらの外部電極２０ａ〜２０ｊは、積層体
１９の正面から側面を経て、下面に達するように形成さ
れる。
【００２１】外部電極２０ａ，２０ｄ，２０ｆ，２０
ｇ，２０ｉおよび２０ｊは、それぞれアース電極１１の
引出端子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよ
び１１ｆに接続される。同時に、外部電極２０ａ，２０
ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｉおよび２０ｊは、それぞれ
アース電極１０の引出端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅおよび１０ｆに接続される。また、外部電
極２０ｂは第３の誘電体層１５上の第１のコイル電極３
の接続端子３ａと第２のコンデンサ電極８の接続端子８
ａとに接続される。さらに、外部電極２０ｅは、第４の
誘電体層１４上の第１のコイル電極１の接続端子１ａと
第１のコンデンサ電極７の接続端子７ａとに接続され
る。また外部電極２０ｃは、第３の誘電体層１５上の第
２のコイル電極４の接続端子４ａと第２のコンデンサ電
極８の接続端子８ｂとに接続される。さらに、外部電極
２０ｈは、第４の誘電体層１４上の第２のコイル電極２
の接続端子２ａと第３のコンデンサ電極９の接続端子９
ａとに接続される。
ｇ，２０ｉおよび２０ｊは、それぞれアース電極１１の
引出端子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅおよ
び１１ｆに接続される。同時に、外部電極２０ａ，２０
ｄ，２０ｆ，２０ｇ，２０ｉおよび２０ｊは、それぞれ
アース電極１０の引出端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１
０ｄ，１０ｅおよび１０ｆに接続される。また、外部電
極２０ｂは第３の誘電体層１５上の第１のコイル電極３
の接続端子３ａと第２のコンデンサ電極８の接続端子８
ａとに接続される。さらに、外部電極２０ｅは、第４の
誘電体層１４上の第１のコイル電極１の接続端子１ａと
第１のコンデンサ電極７の接続端子７ａとに接続され
る。また外部電極２０ｃは、第３の誘電体層１５上の第
２のコイル電極４の接続端子４ａと第２のコンデンサ電
極８の接続端子８ｂとに接続される。さらに、外部電極
２０ｈは、第４の誘電体層１４上の第２のコイル電極２
の接続端子２ａと第３のコンデンサ電極９の接続端子９
ａとに接続される。
【００２２】この高周波用ローパスフィルタ１８は、た
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極およ
び各端子の形状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成
することにより形成される。外部電極を形成するには、
積層体を焼成する前に電極ペーストを塗布し、一体的に
焼成してもよいし、積層体を焼成した後に電極ペースト
を塗布して焼き付けてもよい。
とえば誘電体セラミックグリーンシート上に各電極およ
び各端子の形状に電極ペーストを塗布し、積層して焼成
することにより形成される。外部電極を形成するには、
積層体を焼成する前に電極ペーストを塗布し、一体的に
焼成してもよいし、積層体を焼成した後に電極ペースト
を塗布して焼き付けてもよい。
【００２３】この実施例の高周波用ローパスフィルタ１
８は、図３に示すように、第１および第２のインダクタ
Ｌ１およびＬ２が直列に接続され、第１、第２および第
３のコンデンサＣ１、Ｃ２およびＣ３が、２つのインダ
クタＬ１、Ｌ２の間及びそれぞれの他端とアースとの間
に接続された、所謂π型接続された等価回路を有する。
８は、図３に示すように、第１および第２のインダクタ
Ｌ１およびＬ２が直列に接続され、第１、第２および第
３のコンデンサＣ１、Ｃ２およびＣ３が、２つのインダ
クタＬ１、Ｌ２の間及びそれぞれの他端とアースとの間
に接続された、所謂π型接続された等価回路を有する。
【００２４】この実施例と、インダクタ部にミアンダ構
造を使用した比較例とについて、それぞれ、周波数に対
する挿入損失及び反射損失を測定した。実施例および比
較例の周波数特性を図４および図６にそれぞれ示す。ま
た、それぞれの通過帯域における挿入損失を図５および
図７に示す。
造を使用した比較例とについて、それぞれ、周波数に対
する挿入損失及び反射損失を測定した。実施例および比
較例の周波数特性を図４および図６にそれぞれ示す。ま
た、それぞれの通過帯域における挿入損失を図５および
図７に示す。
【００２５】図５および図７に示すグラフより明らかな
ように、比較例に比べて実施例では挿入損失が約０．１
ｄＢ向上している。尚、この実施例の外形寸法は、４．
５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．７ｍｍ（高さ）であった。
ように、比較例に比べて実施例では挿入損失が約０．１
ｄＢ向上している。尚、この実施例の外形寸法は、４．
５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．７ｍｍ（高さ）であった。
【００２６】本発明の実施例において、インダクタ用の
ライン電極にはＡｇ電極を用い、厚さを２０μｍとし、
コンデンサ電極及びアース電極にはＡｇ電極を用い、厚
さを１０μｍとした。このように、ライン電極を、コン
デンサ電極及びアース電極よりも厚く形成し、挿入損失
の低減を達成している。
ライン電極にはＡｇ電極を用い、厚さを２０μｍとし、
コンデンサ電極及びアース電極にはＡｇ電極を用い、厚
さを１０μｍとした。このように、ライン電極を、コン
デンサ電極及びアース電極よりも厚く形成し、挿入損失
の低減を達成している。
【００２７】また本発明の実施例では、誘電体として比
誘電率が約８の材料を用いた。この比誘電率としては３
〜３０が望ましい。また、誘電体層１４の厚さは１５０
μｍとした。この誘電体層１４の厚さとしては、５０〜
３００μｍであることが望ましい。その理由はこの誘電
体層が薄くなると、コイル電極１、２に電流が流れるこ
とにより発生する磁束がコイル電極３、４に鎖交し、渦
電流が発生することにより損失が発生するためであり、
一定以上大きくなると所望のインダクタンスが得られな
くなるためである。また、誘電体層１５の厚さは４５０
μｍとした。この誘電体層１５の厚さは、３００〜６０
０μｍであることが望ましい。その理由はこの誘電体層
が薄くなるとライン電極とコンデンサ電極またはアース
電極に対して不要な浮遊容量が発生するためであり、一
定以上厚くすればそれ以上は製品の大型化を招くだけで
ある。また、誘電体層１６の厚さは５０μｍとした。こ
の誘電体層１６の厚さは、１００μｍ以下であることが
望ましい。その理由はこの誘電体層の厚さが厚くなる
と、コンデンサ電極を大きくする必要があり製品の小型
化が困難になるためである。
誘電率が約８の材料を用いた。この比誘電率としては３
〜３０が望ましい。また、誘電体層１４の厚さは１５０
μｍとした。この誘電体層１４の厚さとしては、５０〜
３００μｍであることが望ましい。その理由はこの誘電
体層が薄くなると、コイル電極１、２に電流が流れるこ
とにより発生する磁束がコイル電極３、４に鎖交し、渦
電流が発生することにより損失が発生するためであり、
一定以上大きくなると所望のインダクタンスが得られな
くなるためである。また、誘電体層１５の厚さは４５０
μｍとした。この誘電体層１５の厚さは、３００〜６０
０μｍであることが望ましい。その理由はこの誘電体層
が薄くなるとライン電極とコンデンサ電極またはアース
電極に対して不要な浮遊容量が発生するためであり、一
定以上厚くすればそれ以上は製品の大型化を招くだけで
ある。また、誘電体層１６の厚さは５０μｍとした。こ
の誘電体層１６の厚さは、１００μｍ以下であることが
望ましい。その理由はこの誘電体層の厚さが厚くなる
と、コンデンサ電極を大きくする必要があり製品の小型
化が困難になるためである。
【００２８】本発明に係る第２実施例の分解斜視図を図
８に、斜視図を図９に示す。この実施例は、上記実施例
と同様の製造過程で積層一体化される。上記実施例と
は、内部の電極パターンが異なる。この電極パターンに
ついて、説明する。尚、等価回路は同一である。
８に、斜視図を図９に示す。この実施例は、上記実施例
と同様の製造過程で積層一体化される。上記実施例と
は、内部の電極パターンが異なる。この電極パターンに
ついて、説明する。尚、等価回路は同一である。
【００２９】この実施例では、誘電体層３０上に形成さ
れた３つのコンデンサ用電極パターン３７、３８、３９
は、下層の誘電体層２９上に形成されたアース電極３６
と、上層の誘電体層３１上に形成されたアース電極４０
で挟み込まれている。そのアース電極４０から間を開け
て、誘電体層３２、３３上に形成されたインダクタ用電
極パターンで２つのインダクタを構成している。図９に
示す外部端子２１につながる誘電体層３３上の電極パタ
ーン４３は、ビアホール４５を介して下層の電極パター
ン４１と接続され、約１．５ターン巻回されたコイル状
インダクタを構成している。同様に、図９に示す外部端
子２２につながる誘電体層３３上の電極パターン４４
は、ビアホール４６を介して下層の電極パターン４２と
接続され、約１．５ターン巻回されたコイル状インダク
タを構成している。この２つのインダクタは外部端子２
７部分で接続されている。その上の絶縁体層３４上には
アース電極４７が形成され、更にその上に絶縁体層３５
が積層される。各アース電極３６、４０、４７は、外部
端子２３、２４、２５、２６、２８に接続されている。
れた３つのコンデンサ用電極パターン３７、３８、３９
は、下層の誘電体層２９上に形成されたアース電極３６
と、上層の誘電体層３１上に形成されたアース電極４０
で挟み込まれている。そのアース電極４０から間を開け
て、誘電体層３２、３３上に形成されたインダクタ用電
極パターンで２つのインダクタを構成している。図９に
示す外部端子２１につながる誘電体層３３上の電極パタ
ーン４３は、ビアホール４５を介して下層の電極パター
ン４１と接続され、約１．５ターン巻回されたコイル状
インダクタを構成している。同様に、図９に示す外部端
子２２につながる誘電体層３３上の電極パターン４４
は、ビアホール４６を介して下層の電極パターン４２と
接続され、約１．５ターン巻回されたコイル状インダク
タを構成している。この２つのインダクタは外部端子２
７部分で接続されている。その上の絶縁体層３４上には
アース電極４７が形成され、更にその上に絶縁体層３５
が積層される。各アース電極３６、４０、４７は、外部
端子２３、２４、２５、２６、２８に接続されている。
【００３０】この実施例では、コンデンサ電極をアース
電極で挟む構造としている。また、外部端子２１、２２
を入出力端子としている。この実施例により、１．９Ｇ
Ｈｚ帯用のローパスフィルタを構成できた。また、外形
寸法が３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．０ｍｍ（高さ）の
超小型積層型ローパスフィルタを実現できた。
電極で挟む構造としている。また、外部端子２１、２２
を入出力端子としている。この実施例により、１．９Ｇ
Ｈｚ帯用のローパスフィルタを構成できた。また、外形
寸法が３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．０ｍｍ（高さ）の
超小型積層型ローパスフィルタを実現できた。
【００３１】本発明に係る第３実施例の分解斜視図を図
１０に示す。この実施例の外観は、図１と同様である。
この実施例は、下層の絶縁体層７１上にアース電極７９
が形成され、その上に、２つのインダクタを構成するパ
ターン電極が形成された絶縁体層７２、７３、７４が積
層される。
１０に示す。この実施例の外観は、図１と同様である。
この実施例は、下層の絶縁体層７１上にアース電極７９
が形成され、その上に、２つのインダクタを構成するパ
ターン電極が形成された絶縁体層７２、７３、７４が積
層される。
【００３２】絶縁体層７４上の電極パターン８４はビア
ホール９３を介して下層の誘電体層７３の電極パターン
８２と接続され、さらにビアホール９１を介して下層の
誘電体層７２の電極パターン８０と接続され、約２．５
ターン巻回されたコイル状インダクタを構成している。
同様に、絶縁体層７４上の電極パターン８５はビアホー
ル９４を介して下層の誘電体層７３の電極パターン８３
と接続され、さらにビアホール９２を介して下層の誘電
体層７２の電極パターン８１と接続され、約２．５ター
ン巻回されたコイル状インダクタを構成している。
ホール９３を介して下層の誘電体層７３の電極パターン
８２と接続され、さらにビアホール９１を介して下層の
誘電体層７２の電極パターン８０と接続され、約２．５
ターン巻回されたコイル状インダクタを構成している。
同様に、絶縁体層７４上の電極パターン８５はビアホー
ル９４を介して下層の誘電体層７３の電極パターン８３
と接続され、さらにビアホール９２を介して下層の誘電
体層７２の電極パターン８１と接続され、約２．５ター
ン巻回されたコイル状インダクタを構成している。
【００３３】その上に、間を開けてアース電極８６が誘
電体層７５上に形成され、その上にコンデンサ用電極８
７、８８、８９が形成された誘電体層７６を有し、その
上にアース電極９０が形成された誘電体層７７を有し、
その上に誘電体層７８が積層される。
電体層７５上に形成され、その上にコンデンサ用電極８
７、８８、８９が形成された誘電体層７６を有し、その
上にアース電極９０が形成された誘電体層７７を有し、
その上に誘電体層７８が積層される。
【００３４】この実施例では、インダクタを３層に分け
て構成し、ターン数を増やしている。また、インダクタ
部分を下側に、コンデンサ部分を上側に構成している。
この実施例により、９００ＭＨｚ帯のローパスフィルタ
を構成できた。尚、外形寸法は、４．５ｍｍ×３．２ｍ
ｍ×１．７ｍｍ（高さ）であった。
て構成し、ターン数を増やしている。また、インダクタ
部分を下側に、コンデンサ部分を上側に構成している。
この実施例により、９００ＭＨｚ帯のローパスフィルタ
を構成できた。尚、外形寸法は、４．５ｍｍ×３．２ｍ
ｍ×１．７ｍｍ（高さ）であった。
【００３５】上記実施例の通り、本発明のインダクタ
は、２層あるいは３層以上に形成された電極パターンを
ビアホールで接続し、巻回状に構成される。この構造に
よれば、ミアンダ状に形成する場合に比べ、小さい平面
積及び短いライン長で大きなインダクタンスを構成でき
る。このため、挿入損失の小さいローパスフィルタを構
成できる。
は、２層あるいは３層以上に形成された電極パターンを
ビアホールで接続し、巻回状に構成される。この構造に
よれば、ミアンダ状に形成する場合に比べ、小さい平面
積及び短いライン長で大きなインダクタンスを構成でき
る。このため、挿入損失の小さいローパスフィルタを構
成できる。
【００３６】本発明のコンデンサは、アース電極と対向
させて構成するが、コンデンサ電極の片側にアース電極
を配置しても良いし、両側に挟むように配置しても良
い。必要な容量を得るために適宜選択されるものであ
る。
させて構成するが、コンデンサ電極の片側にアース電極
を配置しても良いし、両側に挟むように配置しても良
い。必要な容量を得るために適宜選択されるものであ
る。
【００３７】本発明の実施例では、インダクタ部分とコ
ンデンサ部分とは離れて構成されている。図面では、間
に１枚の絶縁体層があるだけのように記載してあるが、
実際には、電極パターンの形成されてない誘電体層を適
当枚数挿入してある。これにより、インダクタとコンデ
ンサの干渉を抑えている。また積層構造の上下にアース
電極が構成されているが、これにより他部品との干渉を
抑えている。
ンデンサ部分とは離れて構成されている。図面では、間
に１枚の絶縁体層があるだけのように記載してあるが、
実際には、電極パターンの形成されてない誘電体層を適
当枚数挿入してある。これにより、インダクタとコンデ
ンサの干渉を抑えている。また積層構造の上下にアース
電極が構成されているが、これにより他部品との干渉を
抑えている。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明は、ビアホールを介
して１ターン以上巻回することによって得られるインダ
クタと、電極を対向することによって得られるコンデン
サを有する構造により、挿入損失を低減した積層型ロー
パスフィルタを得ることを可能にするものである。これ
により、小型で低損失の積層型ローパスフィルタが得ら
れ、携帯電話などにおいて特に有効なものである。
して１ターン以上巻回することによって得られるインダ
クタと、電極を対向することによって得られるコンデン
サを有する構造により、挿入損失を低減した積層型ロー
パスフィルタを得ることを可能にするものである。これ
により、小型で低損失の積層型ローパスフィルタが得ら
れ、携帯電話などにおいて特に有効なものである。
【図１】 本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】 図１に示す実施例の積層体の分解斜視図であ
る。
る。
【図３】 図１に示す実施例の等価回路図である。
【図４】 図１に示す実施例の周波数特性を示すグラフ
である。
である。
【図５】 比較例の周波数特性を示すグラフである。
【図６】 図４に示す周波数特性の通過帯域の拡大図で
ある。
ある。
【図７】 図５に示す周波数特性の通過帯域の拡大図で
ある。
ある。
【図８】 本発明に係る第２実施例の積層体の分解斜視
図である。
図である。
【図９】 本発明に係る第２実施例の斜視図である。
【図１０】 本発明に係る第３実施例の積層体の分解斜
視図である。
視図である。
【図１１】 比較例の分解斜視図である。
１ 第１のコイル電極の一部 ２ 第２のコイル電極の一部 ３ 第１のコイル電極の一部 ４ 第２のコイル電極の一部 ５ ビアホール ６ ビアホール ７ 第１のコンデンサ電極 ８ 第２のコンデンサ電極 ９ 第３のコンデンサ電極 １０ アース電極 １１ アース電極 １２ 第６の誘電体層 １３ 第５の誘電体層 １４ 第４の誘電体層 １５ 第３の誘電体層 １６ 第２の誘電体層 １７ 第１の誘電体層 １８ ローパスフィルタ １９ 積層体
Claims (6)
- 【請求項１】 パターン電極が形成された絶縁層を積層
一体化して構成され、前記パターン電極によって、ビア
ホールを介して１ターン以上巻回されたコイル状インダ
クタと、電極を対向させたコンデンサとを積層体内に構
成し、このインダクタとコンデンサを用いてローパスフ
ィルタ回路を構成したことを特徴とする積層型高周波ロ
ーパスフィルタ。 - 【請求項２】 前記インダクタは少なくとも２つ構成さ
れ、前記コンデンサは少なくとも３つ構成され、第１の
インダクタと第２のインダクタは直列に接続され、前記
３つのコンデンサは、前記２つのインダクタの間及びそ
れぞれの他端とアースとの間に配置されることを特徴と
する請求項１記載の積層型高周波ローパスフィルタ。 - 【請求項３】 前記パターン電極において、前記インダ
クタ用電極の厚みをコンデンサ用電極の厚さよりも大き
くすることを特徴とする請求項１記載の積層型高周波ロ
ーパスフィルタ。 - 【請求項４】 前記電極を対向させたコンデンサの対向
する電極の一方はアース電極であることを特徴とする請
求項１記載の積層型高周波ローパスフィルタ。 - 【請求項５】 前記電極を対向させたコンデンサは、コ
ンデンサ用の電極を前記絶縁層を介してアース電極で挟
んだ構造であることを特徴とする請求項１記載の積層型
高周波ローパスフィルタ。 - 【請求項６】 前記インダクタは、前記絶縁層の２層又
は３層以上に形成された電極をビアホールを介して接続
したコイル構造であることを特徴とする請求項１記載の
積層型高周波ローパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28419796A JPH09214273A (ja) | 1995-11-28 | 1996-10-25 | 積層型高周波ローパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30895695 | 1995-11-28 | ||
| JP7-308956 | 1995-11-28 | ||
| JP28419796A JPH09214273A (ja) | 1995-11-28 | 1996-10-25 | 積層型高周波ローパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214273A true JPH09214273A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=26555365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28419796A Pending JPH09214273A (ja) | 1995-11-28 | 1996-10-25 | 積層型高周波ローパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003001665A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| US6762656B1 (en) | 1999-08-06 | 2004-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC noise filter |
| US6806794B2 (en) | 2000-08-12 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| JP2007124310A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
-
1996
- 1996-10-25 JP JP28419796A patent/JPH09214273A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762656B1 (en) | 1999-08-06 | 2004-07-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC noise filter |
| US6806794B2 (en) | 2000-08-12 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| WO2003001665A1 (en) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| GB2383198A (en) * | 2001-06-21 | 2003-06-18 | Murata Manufacturing Co | Noise filter |
| GB2383198B (en) * | 2001-06-21 | 2005-05-25 | Murata Manufacturing Co | Noise filter |
| US7091800B2 (en) | 2001-06-21 | 2006-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| JP2007124310A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層型誘電体フィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050805 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051004 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051028 |