JPH09214283A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH09214283A JPH09214283A JP3895296A JP3895296A JPH09214283A JP H09214283 A JPH09214283 A JP H09214283A JP 3895296 A JP3895296 A JP 3895296A JP 3895296 A JP3895296 A JP 3895296A JP H09214283 A JPH09214283 A JP H09214283A
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- acoustic wave
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の表面波デバイスは伝搬波が圧電基板の
端部で反射されＩＤＴ電極まで戻ってピックアップさ
れ、表面波デバイスの特性を劣化させる原因となってい
た。本発明は上記課題を解決するためになされたもので
端部での反射波を減衰させる手段を提供することを目的
とする。 【解決手段】 同一周期のＩＤＴ電極を並行配置して並
列接続し該電極の一方の電極の正と負の電極指の表面波
伝搬方向の中心と他方の電極の正と負電極指の表面波伝
搬方向の中心との距離が（１＋２ｎ）・λ／４なる関係
を満たしているＩＤＴ電極構成とする。
端部で反射されＩＤＴ電極まで戻ってピックアップさ
れ、表面波デバイスの特性を劣化させる原因となってい
た。本発明は上記課題を解決するためになされたもので
端部での反射波を減衰させる手段を提供することを目的
とする。 【解決手段】 同一周期のＩＤＴ電極を並行配置して並
列接続し該電極の一方の電極の正と負の電極指の表面波
伝搬方向の中心と他方の電極の正と負電極指の表面波伝
搬方向の中心との距離が（１＋２ｎ）・λ／４なる関係
を満たしているＩＤＴ電極構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
に関し、特に複数のＩＤＴ電極をλ／４ずらして並行配
置し、且つ並列接続することにより、圧電基板の両端か
らの不要反射波を相殺して減少させ、諸特性を改善した
弾性表面波デバイスに関する。
に関し、特に複数のＩＤＴ電極をλ／４ずらして並行配
置し、且つ並列接続することにより、圧電基板の両端か
らの不要反射波を相殺して減少させ、諸特性を改善した
弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波デバイスに用いられる
インターディジタルトランスジューサ（以下、ＩＤＴと
云う）電極は、図３に模式的に示す電極構造が一般的に
用いられている。同図は最も基本的なＩＤＴ電極の構成
を示すものであり、圧電基板上に正及び負の電極指１及
び２（以下、ラインと云う）をスペース３を介して交互
に配置し、ライン１及び２の幅は同一とし、スペース３
の幅をライン１とほぼ等しく構成するものであり、ライ
ン１とスペース３の和が表面波の半波長となる周波数で
励振することが出来る。正及び負のラインは夫々正及び
負のバスバーに接続され、正の電極４及び負の電極５を
構成する。正電極４と負電極５とを纏めてＩＤＴ電極と
云う。また、正負のラインが互いに交叉する部分の長さ
を交叉幅と云い、電極指対数等と同様にＩＤＴ電極ひい
ては弾性表面波デバイスの性能を決定づける設計パラメ
ータである。ＩＤＴ電極の形成法は、圧電基板上にアル
ミニウムを主成分とする合金を蒸着あるいはスパッタ等
を用いて付着させ、フォトエッチング手法で形成する方
法が一般的である。該弾性表面波デバイスは気密パッケ
ージに収容して固着しリード端子はパッケージの端子に
ワイヤボンディング等で電気的に接続するのが一般的な
基本構造である。
インターディジタルトランスジューサ（以下、ＩＤＴと
云う）電極は、図３に模式的に示す電極構造が一般的に
用いられている。同図は最も基本的なＩＤＴ電極の構成
を示すものであり、圧電基板上に正及び負の電極指１及
び２（以下、ラインと云う）をスペース３を介して交互
に配置し、ライン１及び２の幅は同一とし、スペース３
の幅をライン１とほぼ等しく構成するものであり、ライ
ン１とスペース３の和が表面波の半波長となる周波数で
励振することが出来る。正及び負のラインは夫々正及び
負のバスバーに接続され、正の電極４及び負の電極５を
構成する。正電極４と負電極５とを纏めてＩＤＴ電極と
云う。また、正負のラインが互いに交叉する部分の長さ
を交叉幅と云い、電極指対数等と同様にＩＤＴ電極ひい
ては弾性表面波デバイスの性能を決定づける設計パラメ
ータである。ＩＤＴ電極の形成法は、圧電基板上にアル
ミニウムを主成分とする合金を蒸着あるいはスパッタ等
を用いて付着させ、フォトエッチング手法で形成する方
法が一般的である。該弾性表面波デバイスは気密パッケ
ージに収容して固着しリード端子はパッケージの端子に
ワイヤボンディング等で電気的に接続するのが一般的な
基本構造である。
【０００３】例えば、図４に示す如く、２個のＩＤＴ電
極を圧電基板６の主面上にこれらＩＤＴ電極が励起する
表面波の伝搬方向に沿って配置し、一方を表面波励振用
ＩＤＴ電極７とし他方を受信用ＩＤＴ電極８とすれば所
謂トランスバーサルフィルタが構成でき、従来より多く
の用途に使用されている。この場合の電極形成法も図３
で説明した手法と同様な手法で形成される。更に、図５
（ａ）に示すように２つの反射器９及び１０の間に１個
のＩＤＴ電極１１を配置し、反射器間に振動エネルギー
を閉じこめて、定在波を１つだけ生じるようにすれば所
謂弾性表面波共振器が構成でき、また、図５（ｂ）に示
すように２つの反射器１２及び１３間に２つのＩＤＴ電
極１４及び１５を近接配置し複数の定在波を励起し且
つ、該定在波間で音響結合を生じさせ終端インピーダン
スを整合すれば所謂弾性表面波共振器フィルタ（縦結合
多重モードフィルタ）が構成できることは良く知られて
いる。
極を圧電基板６の主面上にこれらＩＤＴ電極が励起する
表面波の伝搬方向に沿って配置し、一方を表面波励振用
ＩＤＴ電極７とし他方を受信用ＩＤＴ電極８とすれば所
謂トランスバーサルフィルタが構成でき、従来より多く
の用途に使用されている。この場合の電極形成法も図３
で説明した手法と同様な手法で形成される。更に、図５
（ａ）に示すように２つの反射器９及び１０の間に１個
のＩＤＴ電極１１を配置し、反射器間に振動エネルギー
を閉じこめて、定在波を１つだけ生じるようにすれば所
謂弾性表面波共振器が構成でき、また、図５（ｂ）に示
すように２つの反射器１２及び１３間に２つのＩＤＴ電
極１４及び１５を近接配置し複数の定在波を励起し且
つ、該定在波間で音響結合を生じさせ終端インピーダン
スを整合すれば所謂弾性表面波共振器フィルタ（縦結合
多重モードフィルタ）が構成できることは良く知られて
いる。
【０００４】上記の何れの表面波デバイスにおいても圧
電基板の両端まで伝搬した表面波が基板端面で反射し、
ＩＤＴ電極まで戻って、不要波としてピックアップされ
表面波デバイスの特性を劣化させる原因となっているこ
とは良く知られている。この不要波は、例えばトランス
バーサルフィルタの場合には通過域内のリップル増大の
主要因であり、弾性表面波共振器の場合にはＱ値やクリ
スタルインピーダンス（ＣＩ）のバラツキの原因であ
り、また、弾性表面波共振器フィルタの場合にはスプリ
アス発生の要因となっている。
電基板の両端まで伝搬した表面波が基板端面で反射し、
ＩＤＴ電極まで戻って、不要波としてピックアップされ
表面波デバイスの特性を劣化させる原因となっているこ
とは良く知られている。この不要波は、例えばトランス
バーサルフィルタの場合には通過域内のリップル増大の
主要因であり、弾性表面波共振器の場合にはＱ値やクリ
スタルインピーダンス（ＣＩ）のバラツキの原因であ
り、また、弾性表面波共振器フィルタの場合にはスプリ
アス発生の要因となっている。
【０００５】基板端面での表面波の反射による特性劣化
を改善する方法として次の様な方法がある。例えば、ト
ランスバーサルフィルタを例に説明すると、一つは図６
に示すようにＩＤＴ電極１６及び１７で構成するトラン
スバーサルフィルタの基板の両端部に粘着物質等からな
るアブソーバ１８、１８を塗布しＩＤＴ電極から基板端
面に向かって進む表面波の振動エネルギーを吸収する方
法であり、他方は図７に示すように基板端面を表面波の
伝搬方向の垂直方向から傾けることにより、基板端面で
の反射波が同位相でＩＤＴ電極へ戻らないようにする方
法である。更に他の方法は弾性表面波を一方向性とする
電極構成である。
を改善する方法として次の様な方法がある。例えば、ト
ランスバーサルフィルタを例に説明すると、一つは図６
に示すようにＩＤＴ電極１６及び１７で構成するトラン
スバーサルフィルタの基板の両端部に粘着物質等からな
るアブソーバ１８、１８を塗布しＩＤＴ電極から基板端
面に向かって進む表面波の振動エネルギーを吸収する方
法であり、他方は図７に示すように基板端面を表面波の
伝搬方向の垂直方向から傾けることにより、基板端面で
の反射波が同位相でＩＤＴ電極へ戻らないようにする方
法である。更に他の方法は弾性表面波を一方向性とする
電極構成である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のア
ブソーバを塗布する方法は塗布用のスペースを確保する
ためにデバイスそのものが大型になり、また塗布工数を
要し、基板端面を傾ける方法は基板が平行四辺形になり
取り扱いにくく、また角が鋭角になるため破損し易いと
いう問題があった。又、一方向性ＩＤＴ電極はその構成
が複雑であり、且つ同一周波数のデバイスを製作する場
合ライン幅が狭くなるため製造コストが高価であり、高
周波化も困難であるという難点があった。また実際に
は、完全に一方向性とはならず漏洩する弾性波が若干あ
る。本発明は上記課題を解決するためになされたもので
あってトランスバーサルフィルタに適用すれば通過域内
のリップルを減少させ、表面波共振器に用いればＱ値や
クリスタルインピーダンス（ＣＩ）のバラツキを少なく
し、また表面波共振器フィルタに適用すればスプリアス
を改善した、表面波デバイスを提供することを目的とす
る。
ブソーバを塗布する方法は塗布用のスペースを確保する
ためにデバイスそのものが大型になり、また塗布工数を
要し、基板端面を傾ける方法は基板が平行四辺形になり
取り扱いにくく、また角が鋭角になるため破損し易いと
いう問題があった。又、一方向性ＩＤＴ電極はその構成
が複雑であり、且つ同一周波数のデバイスを製作する場
合ライン幅が狭くなるため製造コストが高価であり、高
周波化も困難であるという難点があった。また実際に
は、完全に一方向性とはならず漏洩する弾性波が若干あ
る。本発明は上記課題を解決するためになされたもので
あってトランスバーサルフィルタに適用すれば通過域内
のリップルを減少させ、表面波共振器に用いればＱ値や
クリスタルインピーダンス（ＣＩ）のバラツキを少なく
し、また表面波共振器フィルタに適用すればスプリアス
を改善した、表面波デバイスを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】圧電基板上に２つのＩＤ
Ｔ電極をこれらが励起する弾性表面波の伝搬方向と直交
する方向に並行して配置すると共に該ＩＤＴ電極を並列
接続し且つ、前記並行配置した一方のＩＤＴ電極の任意
の隣り合った正と負の電極指の表面波伝搬方向の中心と
他方のＩＤＴ電極の任意の隣り合った正と負の電極指の
表面波伝搬方向の中心との距離が実質的に（１＋２ｎ）
・λ／４（ｎ＝０，１，２，・・）なる関係を満たして
いる弾性表面波デバイスである。また、前記弾性表面波
デバイスにおいてＩＤＴの両側に反射器を設けた弾性表
面波デバイスである。
Ｔ電極をこれらが励起する弾性表面波の伝搬方向と直交
する方向に並行して配置すると共に該ＩＤＴ電極を並列
接続し且つ、前記並行配置した一方のＩＤＴ電極の任意
の隣り合った正と負の電極指の表面波伝搬方向の中心と
他方のＩＤＴ電極の任意の隣り合った正と負の電極指の
表面波伝搬方向の中心との距離が実質的に（１＋２ｎ）
・λ／４（ｎ＝０，１，２，・・）なる関係を満たして
いる弾性表面波デバイスである。また、前記弾性表面波
デバイスにおいてＩＤＴの両側に反射器を設けた弾性表
面波デバイスである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
例を示すトランスバーサルフィルタの平面図で、圧電基
板３０の主面上にＩＤＴ電極３１及び３２を該ＩＤＴ電
極が励起する弾性表面波の伝搬方向が互いに平行となる
ように図中上下方向に併置する。即ち、２つのＩＤＴ電
極が励起する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に並
行して配置するのである。同図においては、 ライン同
士の幅は同一としスペースの幅はライン幅とほぼ同じと
した。更に、ＩＤＴ電極３１と３２は互いに電極周期、
電極指対数、および交叉幅が等しくなるように構成し、
表面波伝搬方向にλ／４の距離差をつけて配置し且つ、
並列接続している。尚、同図の例では電極の構成を簡略
化するためＩＤＴ電極３１、３２の負（接地側）の電極
指を１つのバスバーで接続した構成をとっているが、必
ずしもバスバーを１つに接続する必要はない。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
例を示すトランスバーサルフィルタの平面図で、圧電基
板３０の主面上にＩＤＴ電極３１及び３２を該ＩＤＴ電
極が励起する弾性表面波の伝搬方向が互いに平行となる
ように図中上下方向に併置する。即ち、２つのＩＤＴ電
極が励起する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に並
行して配置するのである。同図においては、 ライン同
士の幅は同一としスペースの幅はライン幅とほぼ同じと
した。更に、ＩＤＴ電極３１と３２は互いに電極周期、
電極指対数、および交叉幅が等しくなるように構成し、
表面波伝搬方向にλ／４の距離差をつけて配置し且つ、
並列接続している。尚、同図の例では電極の構成を簡略
化するためＩＤＴ電極３１、３２の負（接地側）の電極
指を１つのバスバーで接続した構成をとっているが、必
ずしもバスバーを１つに接続する必要はない。
【０００９】また、ＩＤＴ電極３３及び３４はＩＤＴ電
極３１及び３２と同様に構成したものである。そしてＩ
ＤＴ電極３１と３３、ＩＤＴ電極３２と３４がそれぞれ
対向し、トランスバーサルフィルタを実現しうるように
配置する。ＩＤＴ電極３１〜３４の形成法は、従来のそ
れと同様な手法で構成でき、格別の困難はない。図１に
おいてＩＤＴ電極３１及び３２で励振された表面波はＩ
ＤＴ電極３３及び３４で受信され図４と同様の原理でト
ランスバーサルフィルタとして機能する。
極３１及び３２と同様に構成したものである。そしてＩ
ＤＴ電極３１と３３、ＩＤＴ電極３２と３４がそれぞれ
対向し、トランスバーサルフィルタを実現しうるように
配置する。ＩＤＴ電極３１〜３４の形成法は、従来のそ
れと同様な手法で構成でき、格別の困難はない。図１に
おいてＩＤＴ電極３１及び３２で励振された表面波はＩ
ＤＴ電極３３及び３４で受信され図４と同様の原理でト
ランスバーサルフィルタとして機能する。
【００１０】図１のＩＤＴ電極３１及び３２で励起され
た表面波は、図面に対しＩＤＴ電極の左右に伝搬するた
め、ＩＤＴ電極３３及び３４の方向へ進むと同時に反対
側（図中左）の基板端面へ向う。図１に示すようにＩＤ
Ｔ電極３１と基板端面までの距離をＬとすると、ＩＤＴ
電極３２と基板端面までの距離は（Ｌ＋λ／４）にな
る。尚、ここでは各ＩＤＴの隣り合った正と負の電極指
の中間点（表面波伝搬方向の中点）のうち最も基板端面
に近い位置を基準として距離を設定した。よって、表面
波が基板端面で反射し再びＩＤＴ電極３１及び３２へ戻
ってくると、夫々２Ｌ及び２（ Ｌ＋λ／４）＝２Ｌ＋
λ／２と位相がλ／２だけずれる。即ち、基板端面で反
射された表面波を再びＩＤＴ電極で受信する時、両者の
位相が１８０°反転していることになる。位相の反転し
た信号を並列接続されたＩＤＴ電極３１と３２で受信す
るため基板端面で反射した表面波のみが相殺されること
になる。同様な原理はＩＤＴ電極３３及び３４にも当て
はまる。即ち、ＩＤＴ電極３１及び３２で励振された表
面波の内、ＩＤＴ電極３３及び３４の方向へ伝搬した表
面波は該電極でピックアップされるが、一部は透過して
図中右側の基板端面に達し、基板端面で反射し、ＩＤＴ
電極３３、３４でピックアップされるが上述した理由
で、基板端面からの反射波のみが打ち消される。ここ
で、図１においては並行配置した２つのＩＤＴ電極を表
面波の伝搬方向にλ／４だけずらして配置しているが、
ＩＤＴ電極から基板端面に到達する表面波の位相が相互
にλ／４ずれていればよいのであるから、２つのＩＤＴ
電極の相対位置が（１＋２ｎ）・λ／４を満足すれば、
言い換えれば、一方のＩＤＴ電極の任意の隣り合った正
と負の電極指の表面波伝搬方向に中心と他方のＩＤＴ電
極の任意の隣り合った正と負の電極指の表面波伝搬方向
に中心との距離が、実質的に（１＋２ｎ）・λ／４を満
足すれば、同等の効果が得られるのは明白である。従っ
て、上述した様に構成したトランスバーサルフィルタに
おいては、不要波による通過域内のリップルは大幅に削
減される。
た表面波は、図面に対しＩＤＴ電極の左右に伝搬するた
め、ＩＤＴ電極３３及び３４の方向へ進むと同時に反対
側（図中左）の基板端面へ向う。図１に示すようにＩＤ
Ｔ電極３１と基板端面までの距離をＬとすると、ＩＤＴ
電極３２と基板端面までの距離は（Ｌ＋λ／４）にな
る。尚、ここでは各ＩＤＴの隣り合った正と負の電極指
の中間点（表面波伝搬方向の中点）のうち最も基板端面
に近い位置を基準として距離を設定した。よって、表面
波が基板端面で反射し再びＩＤＴ電極３１及び３２へ戻
ってくると、夫々２Ｌ及び２（ Ｌ＋λ／４）＝２Ｌ＋
λ／２と位相がλ／２だけずれる。即ち、基板端面で反
射された表面波を再びＩＤＴ電極で受信する時、両者の
位相が１８０°反転していることになる。位相の反転し
た信号を並列接続されたＩＤＴ電極３１と３２で受信す
るため基板端面で反射した表面波のみが相殺されること
になる。同様な原理はＩＤＴ電極３３及び３４にも当て
はまる。即ち、ＩＤＴ電極３１及び３２で励振された表
面波の内、ＩＤＴ電極３３及び３４の方向へ伝搬した表
面波は該電極でピックアップされるが、一部は透過して
図中右側の基板端面に達し、基板端面で反射し、ＩＤＴ
電極３３、３４でピックアップされるが上述した理由
で、基板端面からの反射波のみが打ち消される。ここ
で、図１においては並行配置した２つのＩＤＴ電極を表
面波の伝搬方向にλ／４だけずらして配置しているが、
ＩＤＴ電極から基板端面に到達する表面波の位相が相互
にλ／４ずれていればよいのであるから、２つのＩＤＴ
電極の相対位置が（１＋２ｎ）・λ／４を満足すれば、
言い換えれば、一方のＩＤＴ電極の任意の隣り合った正
と負の電極指の表面波伝搬方向に中心と他方のＩＤＴ電
極の任意の隣り合った正と負の電極指の表面波伝搬方向
に中心との距離が、実質的に（１＋２ｎ）・λ／４を満
足すれば、同等の効果が得られるのは明白である。従っ
て、上述した様に構成したトランスバーサルフィルタに
おいては、不要波による通過域内のリップルは大幅に削
減される。
【００１１】図２（ａ）は本発明を弾性表面波共振器に
適用した例で、圧電基板３０の主面上に配置したＩＤＴ
電極３５と３６は互いに電極周期、電極指対数、および
交叉幅が等しくなるように構成し、ＩＤＴ電極３５と３
６の相対位置としてλ／４だけずらし且つ、並列接続し
たものである。図２（ａ）に示すようにＩＤＴ電極３５
及び３６の両側には夫々反射器３７及び３８を配設する
。このように構成することにより反射器３７及び３８
から漏洩した表面波が、基板端面で反射し再びＩＤＴ電
極３５及び３６で受信されたとしても、位相の反転した
信号となって受信されるため基板端面からの反射波だけ
が打ち消される。従って本発明のＩＤＴ電極を弾性表面
波共振器に用いればＱ値が大きく、ＣＩ値のバラツキの
少ない表面波共振器が実現できる。
適用した例で、圧電基板３０の主面上に配置したＩＤＴ
電極３５と３６は互いに電極周期、電極指対数、および
交叉幅が等しくなるように構成し、ＩＤＴ電極３５と３
６の相対位置としてλ／４だけずらし且つ、並列接続し
たものである。図２（ａ）に示すようにＩＤＴ電極３５
及び３６の両側には夫々反射器３７及び３８を配設する
。このように構成することにより反射器３７及び３８
から漏洩した表面波が、基板端面で反射し再びＩＤＴ電
極３５及び３６で受信されたとしても、位相の反転した
信号となって受信されるため基板端面からの反射波だけ
が打ち消される。従って本発明のＩＤＴ電極を弾性表面
波共振器に用いればＱ値が大きく、ＣＩ値のバラツキの
少ない表面波共振器が実現できる。
【００１２】本発明のＩＤＴ電極を弾性表面波共振器フ
ィルタに適用した例を図２（ｂ）に示す。圧電基板３０
の主面上に本発明のＩＤＴ電極３９及び４０並びに４１
及び４２を所定の間隔をおいて配置し、その両側に反射
器４３及び４４を配置する。ＩＤＴ電極３９、４０とＩ
ＤＴ電極４１、４２の間で音響結合の結果二つのモード
が励起され、反射器４３及び４４の下に閉じこめれれ
る。該弾性表面波デバイスを適当に終端すれば所謂縦結
合二重モードフィルタが構成できる。反射器から漏洩し
た表面波は基板端面で反射され再びＩＤＴ電極で受信さ
れる際に位相が反転し、反射波のみが打ち消されるの
で、本発明のＩＤＴ電極を用いた弾性表面波共振器フィ
ルタはスプリアスの少ない濾波特性が実現できる。
ィルタに適用した例を図２（ｂ）に示す。圧電基板３０
の主面上に本発明のＩＤＴ電極３９及び４０並びに４１
及び４２を所定の間隔をおいて配置し、その両側に反射
器４３及び４４を配置する。ＩＤＴ電極３９、４０とＩ
ＤＴ電極４１、４２の間で音響結合の結果二つのモード
が励起され、反射器４３及び４４の下に閉じこめれれ
る。該弾性表面波デバイスを適当に終端すれば所謂縦結
合二重モードフィルタが構成できる。反射器から漏洩し
た表面波は基板端面で反射され再びＩＤＴ電極で受信さ
れる際に位相が反転し、反射波のみが打ち消されるの
で、本発明のＩＤＴ電極を用いた弾性表面波共振器フィ
ルタはスプリアスの少ない濾波特性が実現できる。
【００１３】以上、本発明を最も基本的なＩＤＴ電極構
造の場合を例に説明してきたが、本発明はこれに限定さ
れるものでなく、周期が実質的に一定であればライン・
スペースは同一である必要はなく、一方向性を有する種
々のＩＤＴ電極構造を利用した弾性表面波デバイスにも
適用可能であることは明白である。更に、並行配置する
２つのＩＤＴ電極は全く同じ構造である必要もなく、基
板端面で反射し戻ってくる不要な表面波のエネルギーレ
ベルがほぼ同等であれば基板端面反射による不要波が相
殺可能であり、電極対数や交叉幅等の設計パラメータを
適宜選択しうることは明白である。
造の場合を例に説明してきたが、本発明はこれに限定さ
れるものでなく、周期が実質的に一定であればライン・
スペースは同一である必要はなく、一方向性を有する種
々のＩＤＴ電極構造を利用した弾性表面波デバイスにも
適用可能であることは明白である。更に、並行配置する
２つのＩＤＴ電極は全く同じ構造である必要もなく、基
板端面で反射し戻ってくる不要な表面波のエネルギーレ
ベルがほぼ同等であれば基板端面反射による不要波が相
殺可能であり、電極対数や交叉幅等の設計パラメータを
適宜選択しうることは明白である。
【００１４】また、各図において接地している端子を浮
かして平衡入出力としても本発明が効果的であるのは自
明である。この様な利用法は差動増幅器に接続するとき
に必須条件となる。本発明の説明に表面波を用いて説明
したがこれに限定することなく圧電表面すべり波（BGS
波）、漏洩弾性表面波（Leaky SAW）、ＳＳＢＷ等の各
種の波に適用できることは自明である。
かして平衡入出力としても本発明が効果的であるのは自
明である。この様な利用法は差動増幅器に接続するとき
に必須条件となる。本発明の説明に表面波を用いて説明
したがこれに限定することなく圧電表面すべり波（BGS
波）、漏洩弾性表面波（Leaky SAW）、ＳＳＢＷ等の各
種の波に適用できることは自明である。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、アブソーバを塗布する必要もなくまた、基板端面
を表面波の伝搬方向の垂線から傾けて切断すること無く
基板端面からの反射波を大幅に減衰させ、本発明のＩＤ
Ｔ電極をトランスバーサルフィルタに適用すれば、不要
波による通過域内のリップルは大幅に削減され、弾性表
面波共振器に用いればＱ値が大きく、ＣＩ値のバラツキ
の少ない表面波共振器が実現でき、更に、弾性表面波共
振器フィルタに適用すれば、スプリアスの少ない濾波特
性が実現できる。このように本発明のＩＤＴ電極を用い
れば、弾性表面波デバイスの諸特性を顕著に改善でき、
又表面波デバイスの生産における歩留まり向上に著しい
効果がある。
ので、アブソーバを塗布する必要もなくまた、基板端面
を表面波の伝搬方向の垂線から傾けて切断すること無く
基板端面からの反射波を大幅に減衰させ、本発明のＩＤ
Ｔ電極をトランスバーサルフィルタに適用すれば、不要
波による通過域内のリップルは大幅に削減され、弾性表
面波共振器に用いればＱ値が大きく、ＣＩ値のバラツキ
の少ない表面波共振器が実現でき、更に、弾性表面波共
振器フィルタに適用すれば、スプリアスの少ない濾波特
性が実現できる。このように本発明のＩＤＴ電極を用い
れば、弾性表面波デバイスの諸特性を顕著に改善でき、
又表面波デバイスの生産における歩留まり向上に著しい
効果がある。
【図１】本発明に係るＩＤＴ電極をトランスバーサルフ
ィルタに適用した実施例を示す図。
ィルタに適用した実施例を示す図。
【図２】（ａ）は本発明に係るＩＤＴ電極を表面波共振
器に適用した実施例を示す図、（ｂ）は多重モードフィ
ルタに適用した実施例を示す図である。
器に適用した実施例を示す図、（ｂ）は多重モードフィ
ルタに適用した実施例を示す図である。
【図３】ＩＤＴ電極の基本構成平面図である。
【図４】トランスバーサル・フィルタの電極構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図５】（ａ）は表面波共振器の電極構成を示す平面
図、（ｂ）は多重モードフィルタの電極構成を示す平面
図である。
図、（ｂ）は多重モードフィルタの電極構成を示す平面
図である。
【図６】トランスバーサル・フィルタの不要反射波を抑
圧するアブソーバを示す図である。
圧するアブソーバを示す図である。
【図７】トランスバーサル・フィルタの不要反射波を抑
圧するため基板端面を斜めに切断したデバイスを示す平
面図である。
圧するため基板端面を斜めに切断したデバイスを示す平
面図である。
３０……圧電基板 ３１、３２、３３、３４、３５、３６……ＩＤＴ電極 ３７、３８、４３、４４……反射器 ３９、４０、４１、４２……ＩＤＴ電極
Claims (2)
- 【請求項１】圧電基板上に２つのＩＤＴ電極をこれらが
励起する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に並行し
て配置すると共に該ＩＤＴ電極を並列接続し且つ、前記
並行配置した一方のＩＤＴ電極の任意の隣り合った正と
負の電極指の表面波伝搬方向の中心と他方のＩＤＴ電極
の任意の隣り合った正と負の電極指の表面波伝搬方向の
中心との距離が実質的に（１＋２ｎ）・λ／４（ｎ＝
０，１，２，・・）なる関係を満たしていることを特徴
とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】前記ＩＤＴの両側に反射器を設けたことを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3895296A JPH09214283A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3895296A JPH09214283A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214283A true JPH09214283A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12539544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3895296A Withdrawn JPH09214283A (ja) | 1996-02-01 | 1996-02-01 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214283A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003309450A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ及び通信機 |
-
1996
- 1996-02-01 JP JP3895296A patent/JPH09214283A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003309450A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ及び通信機 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050301 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20051110 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |