JPH09218015A - 光学的測長方法 - Google Patents
光学的測長方法Info
- Publication number
- JPH09218015A JPH09218015A JP2795896A JP2795896A JPH09218015A JP H09218015 A JPH09218015 A JP H09218015A JP 2795896 A JP2795896 A JP 2795896A JP 2795896 A JP2795896 A JP 2795896A JP H09218015 A JPH09218015 A JP H09218015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- fine pattern
- insulating layer
- measuring method
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的測定機器により正確に微細パターンを
測長することが可能な光学的測長方法を提供することを
課題とする。 【解決手段】 絶縁層２上に微細パターンである磁気抵
抗効果層３をパターニング形成した後に、当該絶縁層２
上に照射光を反射する反射層５を成膜し、上記微細パタ
ーン３及び反射層５上に測定光を照射させて当該微細パ
ターン３の測長を光学的に行う。
測長することが可能な光学的測長方法を提供することを
課題とする。 【解決手段】 絶縁層２上に微細パターンである磁気抵
抗効果層３をパターニング形成した後に、当該絶縁層２
上に照射光を反射する反射層５を成膜し、上記微細パタ
ーン３及び反射層５上に測定光を照射させて当該微細パ
ターン３の測長を光学的に行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空薄膜形成技術
によって作成される薄膜磁気ヘッド等に適用して好適な
光学的測長方法に関する。
によって作成される薄膜磁気ヘッド等に適用して好適な
光学的測長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、真空薄膜形成技術によって作成
される磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと
称する。）や誘導型磁気ヘッド（以下、インダクティブ
ヘッドと称する。）等のような薄膜磁気ヘッドの製造工
程においては、基板上に絶縁層や磁気抵抗効果膜等の微
細パターンが積層されて構成されている。
される磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと
称する。）や誘導型磁気ヘッド（以下、インダクティブ
ヘッドと称する。）等のような薄膜磁気ヘッドの製造工
程においては、基板上に絶縁層や磁気抵抗効果膜等の微
細パターンが積層されて構成されている。
【０００３】これらの薄膜磁気ヘッドは、真空薄膜形成
技術により作成されるために、狭トラック化や狭ギャッ
プ化等の微細寸法化が容易で高分解能記録が可能である
という特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁気
ヘッドとして注目されている。
技術により作成されるために、狭トラック化や狭ギャッ
プ化等の微細寸法化が容易で高分解能記録が可能である
という特徴を有しており、高密度記録化に対応した磁気
ヘッドとして注目されている。
【０００４】ところで、上記ＭＲヘッドの磁気抵抗効果
層ような数μｍ単位で成膜される微細パターンの作成方
法は、主にフォトリソグラフィという技術を用いて作成
されるが、このフォトリソグラフィで形成される微細パ
ターンは、露光量等によりレジスト幅に変動が生じるた
めに、パターニング後のレジスト幅とエッチング後の寸
法が規格値内に入っていることを確認する必要がある。
層ような数μｍ単位で成膜される微細パターンの作成方
法は、主にフォトリソグラフィという技術を用いて作成
されるが、このフォトリソグラフィで形成される微細パ
ターンは、露光量等によりレジスト幅に変動が生じるた
めに、パターニング後のレジスト幅とエッチング後の寸
法が規格値内に入っていることを確認する必要がある。
【０００５】特に、トラック幅やバイアス導体線幅は、
磁気特性や電気的特性に多大な影響を与えるために、正
確に寸法規格値を満たすか否かを測長することが求めら
れている。
磁気特性や電気的特性に多大な影響を与えるために、正
確に寸法規格値を満たすか否かを測長することが求めら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
光学的測定機器により、トラック幅やバイアス導体線幅
等を測長するためには、フォトリソグラフィで形成した
微細パターンの下地層がＡｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2のような透
明膜である場合、反射光の干渉によって、測定値に多大
なばらつきやエラーが発生する問題があった。
光学的測定機器により、トラック幅やバイアス導体線幅
等を測長するためには、フォトリソグラフィで形成した
微細パターンの下地層がＡｌ2Ｏ3 やＳｉＯ2のような透
明膜である場合、反射光の干渉によって、測定値に多大
なばらつきやエラーが発生する問題があった。
【０００７】すなわち、ＭＲヘッドにおいては、磁気抵
抗効果層のような微細パターンの下地層がＡｌ2Ｏ3 や
ＳｉＯ2のような透明な絶縁層により形成されている。
したがって、光学的測定機器により、測定光を照射させ
ると、透明な絶縁層の表面で反射した光と、透過して反
射した光の波長のズレによる干渉が生じてしまい、正確
な測長が行えない。このため、従来は、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）を用いて微細パターンを測長していた。
抗効果層のような微細パターンの下地層がＡｌ2Ｏ3 や
ＳｉＯ2のような透明な絶縁層により形成されている。
したがって、光学的測定機器により、測定光を照射させ
ると、透明な絶縁層の表面で反射した光と、透過して反
射した光の波長のズレによる干渉が生じてしまい、正確
な測長が行えない。このため、従来は、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）を用いて微細パターンを測長していた。
【０００８】しかしながら、この走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）は、光学的測定機器に比べてリードタイムが長い
という問題があった。したがって、光学的測定機器によ
り、導体層を正確に測長することが望まれていた。
ＥＭ）は、光学的測定機器に比べてリードタイムが長い
という問題があった。したがって、光学的測定機器によ
り、導体層を正確に測長することが望まれていた。
【０００９】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
て提案されたものであり、光学的測定機器により正確に
微細パターンを測長することが可能な光学的測長方法を
提供することを課題とする。
て提案されたものであり、光学的測定機器により正確に
微細パターンを測長することが可能な光学的測長方法を
提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光学的測長方法
は、上記課題を解決するために、絶縁層上に微細パター
ンをパターニング形成した後に、当該絶縁層上に照射光
を反射する反射層を成膜し、上記微細パターン及び反射
層上に測定光を照射させて当該微細パターンの測長を光
学的に行うことを特徴とする。
は、上記課題を解決するために、絶縁層上に微細パター
ンをパターニング形成した後に、当該絶縁層上に照射光
を反射する反射層を成膜し、上記微細パターン及び反射
層上に測定光を照射させて当該微細パターンの測長を光
学的に行うことを特徴とする。
【００１１】また、絶縁層をＳｉＯ2 或いはＡｌ2 Ｏ3
を材料として成膜することを特徴とする。
を材料として成膜することを特徴とする。
【００１２】また、反射層をＴｉ又はＮｉ−Ｆｅを材料
として成膜することを特徴とする。
として成膜することを特徴とする。
【００１３】また、微細パターンが薄膜磁気ヘッドの導
体層であることを特徴とする。
体層であることを特徴とする。
【００１４】また、薄膜磁気ヘッドが磁気抵抗効果層を
備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドであることを特徴とす
る。
備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドであることを特徴とす
る。
【００１５】また、導体層が磁気抵抗効果層、当該磁気
抵抗効果層にセンス電流を供給するための電極、或いは
当該磁気抵抗効果層にバイアス磁界を印加するためのバ
イアス導体層であることを特徴とする。
抵抗効果層にセンス電流を供給するための電極、或いは
当該磁気抵抗効果層にバイアス磁界を印加するためのバ
イアス導体層であることを特徴とする。
【００１６】本発明によれば、絶縁層上に微細パターン
をパターニング形成した後に、当該絶縁層上に照射光を
反射する反射層を成膜するために、測定光の光が反射さ
れ、測定値のばらつき等の原因であった絶縁層の表面で
反射した光と透過して反射した光の波長のズレによる干
渉を防止することができる。
をパターニング形成した後に、当該絶縁層上に照射光を
反射する反射層を成膜するために、測定光の光が反射さ
れ、測定値のばらつき等の原因であった絶縁層の表面で
反射した光と透過して反射した光の波長のズレによる干
渉を防止することができる。
【００１７】したがって、光学的測定機器によって、正
確に微細パターンを測長することができる。
確に微細パターンを測長することができる。
【００１８】ここで、金属材料からなる反射膜として
は、例えば、密着性が良好なＴｉを使用することが好ま
しい。しかし、反射膜は最後には除去してしまうもので
あるために、Ｎｉ−ＦｅやＣｕのような金属を使用する
ことも特に問題はない。
は、例えば、密着性が良好なＴｉを使用することが好ま
しい。しかし、反射膜は最後には除去してしまうもので
あるために、Ｎｉ−ＦｅやＣｕのような金属を使用する
ことも特に問題はない。
【００１９】また、金属材料からなる反射膜の厚さは、
一定の厚さであり、特に、その数値に限定はない。しか
し、ＭＲ素子の場合、現在ＭＲ素子の厚さは、５０〜６
０ｎｍであるが、このＭＲ素子の場合、これよりも薄い
ことが好ましい。
一定の厚さであり、特に、その数値に限定はない。しか
し、ＭＲ素子の場合、現在ＭＲ素子の厚さは、５０〜６
０ｎｍであるが、このＭＲ素子の場合、これよりも薄い
ことが好ましい。
【００２０】なお、反射膜の膜厚は、多少ばらついても
測定光の干渉もあるが、測定値に対する影響はほとんど
ない。
測定光の干渉もあるが、測定値に対する影響はほとんど
ない。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】本発明は、主にフォトリソグラフィという
技術を用いて、絶縁層上に微細パターンをパターニング
形成する場合に広く適用することができるものである。
したがって、この絶縁膜上から測長の対象となるＭＲ素
子等の導体層を測長する場合について説明する。
技術を用いて、絶縁層上に微細パターンをパターニング
形成する場合に広く適用することができるものである。
したがって、この絶縁膜上から測長の対象となるＭＲ素
子等の導体層を測長する場合について説明する。
【００２３】先ず、図１に示すように、ある層１上にＳ
ｉＯ2 やＡｌ2Ｏ3からなる透明な絶縁層２が形成されて
いるものとする。そして、この絶縁層２上に、例えば、
測長の対象となる微細パターンがＭＲ素子である場合
は、ＭＲ素子膜３をスパッタリングにより成膜する。
ｉＯ2 やＡｌ2Ｏ3からなる透明な絶縁層２が形成されて
いるものとする。そして、この絶縁層２上に、例えば、
測長の対象となる微細パターンがＭＲ素子である場合
は、ＭＲ素子膜３をスパッタリングにより成膜する。
【００２４】次いで、感光性レジスト剤をＭＲ素子膜３
に塗布し、図１に示すように、所望の素子形状（短冊形
状）にパターニング処理を施し、露光、現像等を経て、
レジストマスク４を形成する。
に塗布し、図１に示すように、所望の素子形状（短冊形
状）にパターニング処理を施し、露光、現像等を経て、
レジストマスク４を形成する。
【００２５】次に、図２に示すように、イオンミリング
法によりエッチング加工を施し、パターニングされたレ
ジストマスク４以外の部分のＭＲ素子膜３を除去する。
法によりエッチング加工を施し、パターニングされたレ
ジストマスク４以外の部分のＭＲ素子膜３を除去する。
【００２６】そして特に、本実施の形態では、レジスト
マスク４を除去せず、図３に示すように、上記絶縁層４
上及びレジストマスク１２上に、そのままＴｉやＮｉ−
Ｆｅのような金属を材料とした反射膜５をスパッタリン
グにより成膜する。
マスク４を除去せず、図３に示すように、上記絶縁層４
上及びレジストマスク１２上に、そのままＴｉやＮｉ−
Ｆｅのような金属を材料とした反射膜５をスパッタリン
グにより成膜する。
【００２７】ここで、ＭＲ素子膜３の厚みは５０〜６０
ｎｍであり、幅は２．５μｍである。また、レジストマ
スク４の膜厚は０．８μｍであり、反射膜５の膜厚は２
０ｎｍとする。
ｎｍであり、幅は２．５μｍである。また、レジストマ
スク４の膜厚は０．８μｍであり、反射膜５の膜厚は２
０ｎｍとする。
【００２８】その後は、レジストマスク４とともに当該
レジストマスク４上の反射膜５を剥離除去する。する
と、図４に示すように、ＭＲ素子１が露出する。
レジストマスク４上の反射膜５を剥離除去する。する
と、図４に示すように、ＭＲ素子１が露出する。
【００２９】ただし、この状態では、ＭＲ素子１を測長
する下地が反射膜５で形成されたとしても、ＭＲ素子１
の周辺にはレジストの残りやＴｉ等のエッチングによる
バリが発生している。
する下地が反射膜５で形成されたとしても、ＭＲ素子１
の周辺にはレジストの残りやＴｉ等のエッチングによる
バリが発生している。
【００３０】そこで、アセトン等のケトン系有機溶剤を
用いて洗浄した後、ベンコットで洗浄することにより、
反射膜の形成工程が終了して、この状態で光学系測定器
での測長が可能となる。
用いて洗浄した後、ベンコットで洗浄することにより、
反射膜の形成工程が終了して、この状態で光学系測定器
での測長が可能となる。
【００３１】したがって、この状態で光学的測定機器
（図示せず）によって、ＭＲ素子膜３上及び反射膜５上
に測定光を照射させて、ＭＲ素子膜３を測長する。
（図示せず）によって、ＭＲ素子膜３上及び反射膜５上
に測定光を照射させて、ＭＲ素子膜３を測長する。
【００３２】例えば、図４中、左側から右側に測定光を
順に照射させて行くと、反射膜５上の場合とＭＲ素子膜
３の場合では測定光の到達時間が異なることから、これ
を連続的調べることによってＭＲ素子膜３を測長するこ
とができる。
順に照射させて行くと、反射膜５上の場合とＭＲ素子膜
３の場合では測定光の到達時間が異なることから、これ
を連続的調べることによってＭＲ素子膜３を測長するこ
とができる。
【００３３】この場合、従来の光学的測長方法では、上
記反射膜５が設けられていなかったために、反射光の干
渉によって、測定値に多大なばらつきやエラーが発生す
る問題があった。
記反射膜５が設けられていなかったために、反射光の干
渉によって、測定値に多大なばらつきやエラーが発生す
る問題があった。
【００３４】しかし、本実施の形態では、上記金属材料
からなる反射膜５によって、測定光は確実に１００％反
射されることとなる。
からなる反射膜５によって、測定光は確実に１００％反
射されることとなる。
【００３５】なお、光学的測長が行われた後は、反射膜
５を除去して、通常の薄膜形成工程に移行する。
５を除去して、通常の薄膜形成工程に移行する。
【００３６】次に、本実施の形態が適用される、薄膜磁
気ヘッドとしてＭＲヘッドの例を挙げて、微細パターン
の測長の例を説明する。
気ヘッドとしてＭＲヘッドの例を挙げて、微細パターン
の測長の例を説明する。
【００３７】まず、第１に、図５に示すＭＲヘッド２１
は、基板２２上に磁気抵抗効果素子（以下、「ＭＲ素
子」と称する。）２５をその長手方向を磁気記録媒体走
行面ａと垂直方向に配し、ＭＲ素子２５の両端から電極
を取り出すとともに、該ＭＲ素子２５の上下にＳｉＯ2
やＡｌ2Ｏ3からなる透明な絶縁層２４ｂを介してシール
ド磁性体２３，２９を配して構成されている。
は、基板２２上に磁気抵抗効果素子（以下、「ＭＲ素
子」と称する。）２５をその長手方向を磁気記録媒体走
行面ａと垂直方向に配し、ＭＲ素子２５の両端から電極
を取り出すとともに、該ＭＲ素子２５の上下にＳｉＯ2
やＡｌ2Ｏ3からなる透明な絶縁層２４ｂを介してシール
ド磁性体２３，２９を配して構成されている。
【００３８】このＭＲ２５素子には、電極２７Ａ，２７
Ｂが積層されるようにして接続されており、これにより
ＭＲ素子２５にセンス電流を流すことが可能なようにな
されている。なお、上記ＭＲ素子２５は、磁壁が発生し
ないように、ＭＲ素子膜を磁気的絶縁中間膜を介して２
層のＮｉ−Ｆｅからなる磁性体膜で構成されている。
Ｂが積層されるようにして接続されており、これにより
ＭＲ素子２５にセンス電流を流すことが可能なようにな
されている。なお、上記ＭＲ素子２５は、磁壁が発生し
ないように、ＭＲ素子膜を磁気的絶縁中間膜を介して２
層のＮｉ−Ｆｅからなる磁性体膜で構成されている。
【００３９】さらに、上記ＭＲヘッド２１には、検出信
号の直線性を高める為に、バイアス磁界を与えるバイア
ス導体２８がＭＲ素子２５と直交させて配置されてい
る。
号の直線性を高める為に、バイアス磁界を与えるバイア
ス導体２８がＭＲ素子２５と直交させて配置されてい
る。
【００４０】このような薄膜磁気ヘッドにおいては、透
明な絶縁層２４ｂ上に微細パターンであるＭＲ素子２５
と、電極２７Ａ，２７Ｂと、バイアス導体２８が設けら
れている。
明な絶縁層２４ｂ上に微細パターンであるＭＲ素子２５
と、電極２７Ａ，２７Ｂと、バイアス導体２８が設けら
れている。
【００４１】したがって、上記ＭＲヘッド２１の場合に
は、絶縁層２４ｂ上に、前述したＴｉやＮｉ−Ｆｅのよ
うな金属を材料とした反射膜５を成膜するなどして、Ｍ
Ｒ素子２５、電極２７Ａ，２７Ｂ、或いは、バイアス導
体２８の測長が可能となる。
は、絶縁層２４ｂ上に、前述したＴｉやＮｉ−Ｆｅのよ
うな金属を材料とした反射膜５を成膜するなどして、Ｍ
Ｒ素子２５、電極２７Ａ，２７Ｂ、或いは、バイアス導
体２８の測長が可能となる。
【００４２】次に、図６及び図７に示すＭＲヘッドは、
長手方向が磁気記録媒体走行面ａと略々平行となるよう
に形成された感磁部であるＭＲ素子３１が下部磁性基板
３２と上部磁性基板３３とで挟まれた構造となってお
り、いわゆる横型の薄膜磁気ヘッドがある。
長手方向が磁気記録媒体走行面ａと略々平行となるよう
に形成された感磁部であるＭＲ素子３１が下部磁性基板
３２と上部磁性基板３３とで挟まれた構造となってお
り、いわゆる横型の薄膜磁気ヘッドがある。
【００４３】この薄膜磁気ヘッドは、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
やＮｉ−Ｆｅ等よりなる下部磁性基板３２が下部磁性シ
ールド板とされ、この下部磁性基板２の表面上に磁気ギ
ャップを形成するＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2よりなる透明な絶
縁層３４が積層されている。
やＮｉ−Ｆｅ等よりなる下部磁性基板３２が下部磁性シ
ールド板とされ、この下部磁性基板２の表面上に磁気ギ
ャップを形成するＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2よりなる透明な絶
縁層３４が積層されている。
【００４４】また、絶縁層３４上に上記感磁部をもつＭ
Ｒ素子３１が形成され、さらにこのＭＲ素子３１上に当
該ＭＲ素子３１の構成要素である磁性層にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体層３５が成膜され、これ
らＭＲ素子３１及びバイアス導体層３５が同一形状にパ
ターニングされている。
Ｒ素子３１が形成され、さらにこのＭＲ素子３１上に当
該ＭＲ素子３１の構成要素である磁性層にバイアス磁界
を印加するためのバイアス導体層３５が成膜され、これ
らＭＲ素子３１及びバイアス導体層３５が同一形状にパ
ターニングされている。
【００４５】また、絶縁層４上に導電膜である一対の引
出し電極３７ａ，３７ｂがそれぞれＭＲ素子３１の各端
部と接続するように成膜されており、引出し電極３７
ａ，３７ｂ上に磁気ギャップを形成するＳｉＯ2 よりな
る絶縁層８が成膜され、その上に上部磁性シールド板と
してＮｉ−Ｆｅ等よりなる上部磁性基板３３が接着固定
されて上記ＭＲヘッドが構成されている。
出し電極３７ａ，３７ｂがそれぞれＭＲ素子３１の各端
部と接続するように成膜されており、引出し電極３７
ａ，３７ｂ上に磁気ギャップを形成するＳｉＯ2 よりな
る絶縁層８が成膜され、その上に上部磁性シールド板と
してＮｉ−Ｆｅ等よりなる上部磁性基板３３が接着固定
されて上記ＭＲヘッドが構成されている。
【００４６】このような薄膜磁気ヘッドにおいては、透
明な絶縁層３４上に微細パターンであるＭＲ素子３１
と、電極３７Ａ，３７Ｂと、バイアス導体３５が設けら
れている。
明な絶縁層３４上に微細パターンであるＭＲ素子３１
と、電極３７Ａ，３７Ｂと、バイアス導体３５が設けら
れている。
【００４７】したがって、上記ＭＲヘッドの場合には、
絶縁層３４上に、前述したＴｉやＮｉ−Ｆｅのような金
属を材料とした反射膜５を成膜するなどして、ＭＲ素子
３１、電極３７ａ，３７ｂ、或いは、バイアス導体層３
５の測長が可能となる。
絶縁層３４上に、前述したＴｉやＮｉ−Ｆｅのような金
属を材料とした反射膜５を成膜するなどして、ＭＲ素子
３１、電極３７ａ，３７ｂ、或いは、バイアス導体層３
５の測長が可能となる。
【００４８】以上、本実施の形態の説明では、本発明を
ＭＲヘッドに適用することができることを説明したが、
本発明は、誘導コイルが薄膜の導体層であるインダクテ
ィブヘッドのみならずフォトリソグラフィという技術を
用いて形成される微細パターンの測長に広く適用するこ
とができるものである。
ＭＲヘッドに適用することができることを説明したが、
本発明は、誘導コイルが薄膜の導体層であるインダクテ
ィブヘッドのみならずフォトリソグラフィという技術を
用いて形成される微細パターンの測長に広く適用するこ
とができるものである。
【００４９】
【発明の効果】本発明の光学的測長方法によれば、絶縁
層上に微細パターンをパターニング形成した後に当該絶
縁層上に照射光を反射する反射層を成膜するものである
めに、測定光の光が確実に反射され、従来、測定値のば
らつき等の原因であった絶縁層の表面で反射した光と透
過して反射した光の波長のズレによる干渉を防止するこ
とができる。
層上に微細パターンをパターニング形成した後に当該絶
縁層上に照射光を反射する反射層を成膜するものである
めに、測定光の光が確実に反射され、従来、測定値のば
らつき等の原因であった絶縁層の表面で反射した光と透
過して反射した光の波長のズレによる干渉を防止するこ
とができる。
【００５０】したがって、従来のように、測定値のばら
つきやエラーがなくなり、信頼性の高い測定値が得られ
る。
つきやエラーがなくなり、信頼性の高い測定値が得られ
る。
【００５１】また、光学的測定機器によって、正確に導
体層を測長することができることから、従来のように走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた場合よりも、測定時
間もリードタイムが短くなる等の効果を有する。
体層を測長することができることから、従来のように走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた場合よりも、測定時
間もリードタイムが短くなる等の効果を有する。
【図１】本発明が適用される光学的測長方法の一例を示
す図であり、レジストマスクが成膜された状態を模式的
に示す断面図である。
す図であり、レジストマスクが成膜された状態を模式的
に示す断面図である。
【図２】上記光学的測長方法を示す図であり、エッチン
グを施した状態を模式的に示す断面図である。
グを施した状態を模式的に示す断面図である。
【図３】上記光学的測長方法を示す図であり、反射膜を
成膜した状態を模式的に示す断面図である。
成膜した状態を模式的に示す断面図である。
【図４】上記光学的測長方法を示す図であり、レジスト
と反射膜を剥離除去した状態を模式的に示す断面図であ
る。
と反射膜を剥離除去した状態を模式的に示す断面図であ
る。
【図５】本発明が適用されるいわゆる縦型のＭＲヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明が適用されるいわゆる横型のＭＲヘッド
の断面図である。
の断面図である。
【図７】上記ＭＲヘッドの構成要素であるＭＲ素子及び
電極を取り出して模式的に示す斜視図である。
電極を取り出して模式的に示す斜視図である。
２ ２４ｂ，３４（透明な）絶縁層 ３，２５，３１ 微細パターン（ＭＲ素子膜） ４ レジストマスク ５ 反射膜
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁層上に微細パターンをパターニング
形成した後に、当該絶縁層上に照射光を反射する反射層
を成膜し、 上記微細パターン及び反射層上に測定光を照射させて当
該微細パターンの測長を光学的に行うことを特徴とする
光学的測長方法。 - 【請求項２】 絶縁層をＳｉＯ2 或いはＡｌ2 Ｏ3 を材
料として成膜することを特徴とする請求項１記載の光学
的測長方法。 - 【請求項３】 反射層をＴｉ又はＮｉ−Ｆｅを材料とし
て成膜することを特徴とする請求項１記載の光学的測長
方法。 - 【請求項４】 微細パターンが薄膜磁気ヘッドの導体層
であることを特徴とする請求項１記載の光学的測長方
法。 - 【請求項５】 薄膜磁気ヘッドが磁気抵抗効果層を備え
た磁気抵抗効果型磁気ヘッドであることを特徴とする請
求項４記載の光学的測長方法。 - 【請求項６】 導体層が磁気抵抗効果層、当該磁気抵抗
効果層にセンス電流を供給するための電極、或いは当該
磁気抵抗効果層にバイアス磁界を印加するためのバイア
ス導体層であることを特徴とする請求項４記載の光学的
測長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2795896A JPH09218015A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的測長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2795896A JPH09218015A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的測長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218015A true JPH09218015A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12235406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2795896A Withdrawn JPH09218015A (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 光学的測長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09218015A (ja) |
-
1996
- 1996-02-15 JP JP2795896A patent/JPH09218015A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6112402A (en) | Method for manufacturing magnetoresistive sensor | |
| JP3959881B2 (ja) | 磁気抵抗効果センサの製造方法 | |
| JPH0130408B2 (ja) | ||
| JP2006179051A (ja) | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 | |
| JP2000182223A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2001283412A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP2004152334A (ja) | 磁気センサ及びその製造方法、並びにこれを搭載した磁気記録再生装置 | |
| CN100367351C (zh) | 磁致电阻磁头及其制造方法 | |
| JP2001273612A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法ならびにこの磁気抵抗効果型磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置 | |
| JP3857624B2 (ja) | 導電薄膜パターンの形成方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜インダクタの製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法 | |
| US6656538B2 (en) | Method of manufacturing magnetoresistive device, method of manufacturing thin film magnetic head, and method of forming thin film pattern | |
| JP3371101B2 (ja) | レジストパターンおよびその形成方法、薄膜パターン形成方法ならびにマイクロデバイスの製造方法 | |
| US20020078552A1 (en) | Method of manufacturing thin-film magnetic head | |
| JPH09218015A (ja) | 光学的測長方法 | |
| JPH11175922A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH10269530A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| US6433969B1 (en) | Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same | |
| JPH09161230A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2687711B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2674294B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP4229257B2 (ja) | 薄膜デバイス及び薄膜磁気ヘッド集合体の製造方法 | |
| JP3217008B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法 | |
| JPH0130409B2 (ja) | ||
| JPH0130410B2 (ja) | ||
| KR100203612B1 (ko) | 자기 저항 효과형 헤드 및 그 제작 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |