JPH09218664A - 画像表示装置 - Google Patents

画像表示装置

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JPH09218664A
JPH09218664A JP8023710A JP2371096A JPH09218664A JP H09218664 A JPH09218664 A JP H09218664A JP 8023710 A JP8023710 A JP 8023710A JP 2371096 A JP2371096 A JP 2371096A JP H09218664 A JPH09218664 A JP H09218664A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】画像表示装置に係り、例えば有機エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）画像表示装置の如く、整流特性を持
つ薄膜表示素子を、スイッチング用の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）回路を使用することなく駆動可能にした画像
表示装置を提供すること。 【解決手段】整流特性を持つ薄膜表示素子を画素毎に配
置した画像表示装置において、１画素に前記薄膜表示素
子ｅ1 、ｅ2 を２つ以上設け、少なくとも２つは互いに
逆極性を並列接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画像表示装置に係
り、例えば有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像表
示装置の如く、整流特性を持つ薄膜表示素子を、スイッ
チング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路を使用する
ことなく駆動可能にした画像表示装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴアクティブマトリックス駆
動回路を使用した有機ＥＬ画像表示装置は、図６に示す
如く、画素１０−１、１０−２、１０−３、１０−４・
・・を有する画面部１０と、Ｘ軸信号が出力されるシフ
トレジスタ１５と、Ｙ軸信号が出力されるシフトレジス
タ１６等を具備している。そして画面部１０には有機Ｅ
Ｌ用の電源Ｅ0 が印加される。
【０００３】画素１０−１は、発光用の薄膜である有機
ＥＬ素子ＥＬ1 と、この有機ＥＬ1の発光を制御するバ
イアスＴＦＴ１１−１と、このバイアスＴＦＴ１１−１
のゲート電極に接続されるコンデンサＣ1 と、このコン
デンサＣ1 に対し信号を書き込む書き込み用のＹ座標セ
レクトスイッチ１２−１で構成される。他の画素１０−
２、１０−３、１０−４・・・も画素１０−１と同様に
構成されている。
【０００４】Ｙ座標セレクトスイッチ１２−１は、ＴＦ
Ｔで構成され、そのゲート電極はシフトレジスタ１６の
端子Ｙ1 に接続される。このＹ座標セレクトスイッチ１
２−１はまたＸ座標セレクトスイッチ１３に接続されて
いる。そしてＸ座標セレクトスイッチ１３は、これまた
ＴＦＴで構成され、そのゲート電極はシフトレジスタ１
５の端子Ｘ1 に接続されている。なおＸ座標セレクトス
イッチ１３には、画像データ信号Ｄｉが入力される。
【０００５】従って、Ｙ軸用のシフトレジスタ１６にお
いて、端子Ｙ1 より同期信号が出力されると、Ｙ座標セ
レクトスイッチ１２−１、１２−２・・・はオンとな
る。このときＸ軸用のシフトレジスタ１５において端子
Ｘ1 に同期信号が出力されると、Ｘ座標セレクトスイッ
チ１３がオンとなり、Ｘ座標セレクトスイッチ１３に入
力された画像データ信号Ｄ1 がＹ座標セレクトスイッチ
１２−１を経由してコンデンサＣ1 に保持される。
【０００６】次に端子Ｘ2 に同期信号が出力されると、
Ｘ座標セレクトスイッチ１３がオフになると同時にＸ座
標セレクトスイッチ１４がオンとなり、このときＸ座標
セレクトスイッチ１４に入力された画像データ信号Ｄ2
がＹ座標セレクトスイッチ１２−２を経由してコンデン
サＣ2 に保持される。従って、Ｙ座標セレクトスイッチ
１２−１、１２−２・・・はコンデンサＣ1 、Ｃ2 ・・
・に画像データ信号に応じた電荷を蓄積する書き込み用
のセレクトスイッチとして機能する。
【０００７】このようにしてコンデンサＣ1 、Ｃ2 ・・
・に画像データ信号Ｄ1 、Ｄ2 ・・・が保持され、これ
に応じてバイアスＴＦＴ１１−１、１１−２・・・もオ
ン状態になり有機ＥＬ素子ＥＬ1 、ＥＬ2 ・・・を画像
データ信号Ｄ1 、Ｄ2 ・・・に応じて発光制御する。こ
のようにして端子Ｙ1 に対する画素１０−１、１０−２
・・・が発光制御動作したのちに、Ｙ軸用のシフトレジ
スタ１６では端子Ｙ2に同期信号が出力され、同様にし
て画素１０−３、１０−４・・・が発光制御動作する。
このようなＥＬ画像表示装置は、例えばＩ．Ｅ．Ｅ．
Ｅ．Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，
Ｖｏｌ．ＥＤ−２２，Ｎｏ．９，Ｓｅｐｔ．１９７５
（ｐ７３９〜ｐ７４９）に記載されている。
【０００８】ところで薄膜表示素子を駆動する場合、図
７に示す如き線順次駆動式単純マトリックス駆動回路が
使用される事がある。図７において、有機ＥＬ素子
Ｅ11、Ｅ12、Ｅ21、Ｅ22がそれぞれ図示の如く接続さ
れ、行１、行２には電流制限抵抗Ｒを介した電圧Ｖボル
ト又は０ボルトのパルス電圧が印加され、列１、列２に
は同時に電圧０ボルト又はＶボルトが印加される。
【０００９】いま時刻ｔ1 において、図７に示す如く、
行１に電圧Ｖボルトが印加され、行２はグランド状態に
保持され、列１、列２はそれぞれ０ボルトが印加される
とき、有機ＥＬ素子Ｅ11とＥ12は点灯状態となるが有機
ＥＬ素子Ｅ21、Ｅ22は消灯状態になる。
【００１０】次の時刻ｔ2 において、今度は行１がグラ
ンド状態に保持され、行２に電圧Ｖボルトが印加され、
列１には０ボルトが印加され、列２には電圧Ｖボルトが
印加される。これにより有機ＥＬ素子Ｅ21は点灯とな
り、有機ＥＬ素子Ｅ11とＥ12、Ｅ22は消灯状態になる。
【００１１】これを例えば人間の眼が追従できない６０
Ｈｚで繰り返し制御すれば有機ＥＬ素子Ｅ22のみオフ状
態の表示を行うことができる。このようにして行に順次
に電圧Ｖボルトを印加し、列にＶボルト又は０ボルトの
電圧を印加することにより有機ＥＬ素子Ｅ11〜Ｅ22を選
択表示制御することができる。この時のＥ22以外のＥＬ
素子の輝度は点灯時の輝度の時間平均となり、図７のよ
うな行数が２であるパネルでは点灯時の輝度の１／２と
なる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すように、有
機ＥＬ画像表示装置では、一画素あたり複数のＴＦＴを
必要とする。従って有機ＥＬ画像表示装置の大画面化を
考えたとき、設備投資や歩留まりの点からＴＦＴを用い
ることは困難である。
【００１３】また図７に示す如き線順次駆動式単純マト
リックス駆動回路ではパネルの輝度は点灯時の輝度の時
間平均になるため行数が増えるほど有機ＥＬ素子に瞬間
的に強い光を要求することになるため、大きな印加電圧
を必要とし、有機ＥＬ素子の耐圧、及び寿命から最大の
行数又はパネルの輝度に限界が生じる。
【００１４】そのため、本発明の目的は、有機ＥＬ素子
の選択にＴＦＴのセレクトスイッチを使用しないように
した画像表示装置を提供することである。かつまた本発
明の他の目的は、有機ＥＬ素子を損なうことなく高輝
度、高解像度の画像表示装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、例えば図１（Ａ）に示す如く、行１、
行２、列１、列２間に有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ12、Ｅ
Ｌ21、ＥＬ22を接続し、各有機ＥＬ素子ＥＬ11〜ＥＬ22
を、有機ＥＬ素子ＥＬ11に代表的に符号を付した如く、
互いに逆極性に並列接続された薄膜素子ｅ1 、ｅ2 によ
り構成する。
【００１６】この素子を用いても線順次駆動式単純マト
リックス駆動回路を用いて選択点灯は可能である。いま
時刻ｔ1 において、図１（Ａ）に示す如く、行１に電流
制限抵抗Ｒを介した電圧ｖボルトが印加され、行２はグ
ランド状態に保持され、列１、列２はそれぞれ任意の電
圧−ａボルトが印加されるとき、有機ＥＬ素子Ｅ11とＥ
12（ｖ＋ａ）が印加されて十分に明るい点灯状態となる
が有機ＥＬ素子ＥＬ21、ＥＬ22はａが印加されるのみで
あり、弱い点灯状態にとどまる。
【００１７】次の時刻ｔ2 において、今度は行１がグラ
ンド状態に保持され、行２に電流制限抵抗Ｒを介した電
圧ｖボルトが印加され、列１には−ａボルトが印加さ
れ、列２にはａボルトが印加される。これにより有機Ｅ
Ｌ素子ＥＬ21は（ｖ＋ａ）が印加されて十分明るい点灯
状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ12にはａが印加
されるのみであり、また有機ＥＬ素子ＥＬ22には（ｖ−
ａ）が印加されるのみなので、これら有機ＥＬ素子ＥＬ
11、ＥＬ12、ＥＬ22は弱い点灯状態にとどまる。
【００１８】この（ｔ1 ＋ｔ2 ）の期間を１周期とすれ
ば有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ12、ＥＬ21に印加される実
効電圧の二乗値は図１（Ｂ）に示すが如く（ｖ2 ＋２ａ
ｖ＋２ａ2 ）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ22は（ｖ2
−２ａｖ＋２ａ2 ）／４となる。これを例えば人間の眼
が追従できない６０Hzで繰り返し制御し、かつ有機ＥＬ
素子の（ｖ2 ＋２ａｖ＋２ａ2 ）／４の平方根の電圧
（即ち実効電圧）の輝度と（ｖ2 −２ａｖ＋２ａ2 ）／
４の平方根の電圧との輝度に十分なコントラスト比を持
たせられるように電圧ｖボルト、及び電圧ａボルトを調
整すれば有機ＥＬ素子ＥＬ22のみ消灯状態の表示を行う
ことができる。又、瞬間的に有機ＥＬ素子に印加される
最大電圧はｖ＋ａである。
【００１９】そして後述詳記するように、時刻ｔ1 にお
いて行１、行２にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介し
て電圧ｖボルトを印加し、列１に−２ａボルトを、列２
に０ボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ11、ＥＬ21は（ｖ＋２ａ）が印加され十分明るい点灯
状態となるが、有機ＥＬ素子ＥＬ12、ＥＬ22はｖが印加
されるのみであり弱い点灯状態にとどまる。次の時刻ｔ
2 において行１にパルス電源より電流制限抵抗Ｒを介し
て電圧ｖボルトを印加し、行２に電圧−ｖボルトを印加
し、列１には０ボルトを、列２には−２ａボルトを印加
する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ12は（ｖ＋２ａ）が
印加され十分明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ
11、ＥＬ21、にはｖが印加されるのみであり、また有機
ＥＬ素子ＥＬ 22には（ｖ−２ａ）が印加されるのみであ
るので、これら有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ21、ＥＬ22は
弱い点灯状態にとどまる。
【００２０】この（ｔ1 ＋ｔ2 ）の期間を１周期とすれ
ば有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ12、ＥＬ21に印加される実
効電圧の二乗値は図１（Ｃ）に示すが如く２（ｖ2 ＋２
ａｖ＋２ａ2 ）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ22は２
（ｖ2 −２ａｖ＋２ａ2 ）／４となる。ここでｖを１／
√２ｖ、−２ａを−√２ａに調節すれば図１（Ｂ）と等
しい実効電圧を得ることができる。又、瞬間的に有機Ｅ
Ｌ素子に印加される最大電圧は１／√２ｖ＋√２ａであ
る。
【００２１】このアクティブ駆動方式によりｖ、ａの選
択をすれば瞬間的に有機ＥＬ素子に印加される電圧の行
数の増加による上昇を抑えることができる。これにより
高い行数つまり高解像度のパネル又は高い輝度のパネル
が作製できる。しかもＴＦＴのセレクトスイッチが不要
なため大面積化も容易である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
及び図２に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態を示し、図２はこの有機ＥＬ素子を構成する形態
の１例である。
【００２３】本発明の第１の実施の形態では、例えば図
１に示す如き、アクティブ駆動回路において、例えば図
２に示す平面状に配置した有機ＥＬの薄膜表示素子
ｅ1 、ｅ 2 を逆極性に並列接続したものを有機ＥＬ素子
ＥＬ11〜ＥＬ22として使用したものである。
【００２４】先ず有機ＥＬ素子について説明する。この
例では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、１画素を薄膜
表示素子ｅ1 、ｅ 2により構成し、これらをガラス基板
１上に平面状に配置したものである。
【００２５】薄膜表示素子ｅ1 は、図２（Ｂ）に断面図
として示す如く、ガラス基板１上に形成された透明電極
２上に、ホール輸送層Ｐ、発光層Ｉ、電子輸送層Ｎ、電
極Ｅを積層して構成される。また薄膜表示素子ｅ2 は、
薄膜表示素子ｅ1 と同様にガラス基板１上に形成された
透明電極２上に、ホール輸送層Ｐ、発光層Ｉ、電子輸送
層Ｎ、電極Ｅを積層して構成される。そしてこれらの薄
膜表示素子ｅ1 、ｅ2はそれぞれｎ型の電子輸送層Ｎと
ｐ型のホール輸送層Ｐを有するため、整流特性を有する
ので、逆極性になるように、薄膜表示素子ｅ1 、ｅ2 を
並列接続する。例えば図２（Ａ）に示す如き接続線
Ｗ1 、Ｗ2 で前記の如く並列接続する。
【００２６】ホール輸送層Ｐは、電極からホールを注入
し輸送するものであり、発光層Ｉは、ホールと電子とを
効率よく再結合させ発光を取り出すものである。そして
電子輸送層Ｎは電子を電極から注入して輸送するもので
ある。
【００２７】図２に示す如く、薄膜表示素子ｅ1 、ｅ2
を逆極性で平面状に並列接続した場合には１画素中の発
光する面積が１／２になってしまうためパネルの輝度が
１／２になってしまうものの有機材料と電極の材料に対
する選択の自由度が大きく、従って特性のよいものを提
供することができる。パネルの輝度の減少分は入力する
電圧を増やすことで相殺することができる。
【００２８】次に、このような有機ＥＬ素子ＥＬ11〜Ｅ
Ｌ22を使用した場合の表示制御について、図１により詳
述する。有機ＥＬ素子ＥＬ11〜ＥＬ22を表示制御する場
合、複数のライン（図１（Ａ）の例では、行１、行２の
２本のライン）を同時に選択して、これらにパルス電圧
を電流制限抵抗Ｒを介して印加し、これに対応して点
灯、消灯を制御する電圧を列１、列２に印加する。
【００２９】まず時刻ｔ1 において行１、行２にパルス
電源より電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加
し、列１に−２ａボルトを、列２は０ボルトを印加す
る。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ21は十分明る
い点灯状態となるが、有機ＥＬ素子ＥＬ12、ＥＬ22は弱
い点灯状態にとどまる。
【００３０】次に時刻ｔ2 において行１にパルス電源よ
り電流制限抵抗Ｒを介して電圧ｖボルトを印加し、行２
に電圧−ｖボルトを印加し、列１には０ボルトを、列２
には−２ａボルトを印加する。これにより有機ＥＬ素子
ＥＬ12は十分明るい点灯状態となるが有機ＥＬ素子ＥＬ
11、ＥＬ21、ＥＬ22は弱い点灯状態にとどまる。
【００３１】従って（ｔ1 ＋ｔ2 ）の時間を１周期とす
れば有機ＥＬ素子ＥＬ11、ＥＬ12、ＥＬ21に印加される
実効電圧の二乗値は図１（Ｃ）に示すが如く２（ｖ2 ＋
２ａｖ＋２ａ2 ）／４となり、有機ＥＬ素子ＥＬ22は２
（ｖ2 −２ａｖ＋２ａ2 ）／４となる。これを例えば人
間の眼が追従できない６０Hzで繰り返し制御し、且つ有
機ＥＬ素子（ｖ2 ＋２ａｖ＋２ａ2 ）／４の平方根の電
圧の輝度と（ｖ2 −２ａｖ＋２ａ2 ）／４の平方根の電
圧との輝度に十分なコントラスト比を持たせられるよう
にｖ、及びａを調整すれば有機ＥＬ素子ＥＬ22のみ消灯
状態の表示を行うことができる。ここでｖを１／√２
ｖ、−２ａを−√２ａに調節すれば図１（Ｂ）と等しい
実効電圧を得ることができる。
【００３２】以下このように薄膜表示素子ｅ1 、ｅ2 を
逆極性に並列接続し、且つアクティブ駆動を用いる理由
について説明する。いま、ラインバッファを用いて線順
次走査で任意の画素を表示すべき発光強度がＸcd/m２の
場合、垂直走査数（行の数）がＮ本とすると任意の画素
が１フィールド毎に要求される発光強度Ｌcd/m2 は Ｌｍａｘ＝Ｘ・Ｎ となる。
【００３３】例えば表示すべき発光強度が１５０cd/
m2 、垂直走査線が６４０本では任意の画素が１フィー
ルド毎に要求される発光強度Ｌｍａｘは、 Ｌｍａｘ＝１５０×６４０＝９６０００cd/m2 になる。
【００３４】今、図７に示すような垂直走査線数が２本
の回路に電流制限抵抗Ｒを介してＶ＝５ボルトを入力し
たとすると、このパネルの発光輝度は有機ＥＬ素子に電
流制限抵抗Ｒを介して２．５ボルトの定電圧を加えたと
きと同じ明るさになる。この時有機ＥＬ素子Ｅ11又はＥ
12、Ｅ21には電流制限抵抗Ｒを介して瞬間最大で５ボル
トが印加されることになる。
【００３５】これと同じく輝度を図１（ａ）に示す回路
で線順次駆動方式で実現するには電流制限抵抗Ｒを介し
てｖ＝３ボルトを入力し、ａ＝１ボルトで上述のように
線順次駆動方式により制御されればよい。この時は有機
ＥＬ素子ＥＬ11又はＥＬ12、ＥＬ21には電流制限抵抗Ｒ
を介して瞬間最大で４（３＋１＝４）ボルトが印加され
ることになる。
【００３６】又、これと同じ輝度を図１（ａ）に示す回
路でアクティブ駆動方式で実現するには電流制限抵抗Ｒ
を介してｖ＝約２．１ボルトを入力し、ａ＝約１．４ボ
ルトで上述のようにアクティブ駆動方式により制御され
ればよい。この時は素子ＥＬ 11又はＥＬ12、ＥＬ21には
電流制限抵抗Ｒを介して瞬間最大で約３．５ボルトが印
加されることになる。
【００３７】以上説明してきたように同じ輝度を実現す
るのに図７の様な従来の駆動方法より図１（ａ）の様な
回路で線順次駆動方式が、またそれより図１（ａ）の様
な回路でアクティブ駆動方式の方が瞬間に印加される最
大の電圧を下げる事ができる。
【００３８】今の例ではＮ＝２を取り上げたがこれらの
関係は任意のＮで成り立つ。いま、図１（ａ）の回路で
線順次駆動を行ったとき、任意の画素に印加された点灯
時の実効電圧Ｅｏｎは
【００３９】
【数１】
【００４０】に示す（１）式となる。ここでｖは走査線
側の駆動電圧の絶対値、ａはデータ線側の駆動電圧の絶
対値、Ｎは走査線の本数である。この式は（２）式の様
に表すことができる。一方、従来方式の回路での線順次
駆動方式の実効電圧はＶ／Ｎで表せる。ここでＶはパル
ス電源より印加される電圧を表す。今Ｎ＞１であるので
この２つの実効電圧を等しくするにはこれらの関係より
Ｖ＞（ｖ＋ａ）の関係が成り立つ。この時の（ｖ＋ａ）
は図１（ａ）の回路で線順次駆動を行ったときの最大瞬
間の印加電圧に他ならない。
【００４１】又、全走査線が常に選択される条件でのア
クティブ駆動は前述したようにｖを（１／√Ｎ）ｖ、ａ
を√Ｎ・ａに調節すれば図１（ａ）における線順次駆動
の場合と等しい実効電圧を得ることができるのでｖ＞√
Ｎ・ａとなるようにｖ、ａを選択すれば
【００４２】
【数２】
【００４３】という関係が成り立ち、図１（ａ）の回路
を用いた線順次駆動よりアクティブ駆動の方が瞬間の最
大電圧を低く抑える事ができる。ここで問題になるのは
アクティブ駆動は一種の交流駆動であるため、通常は整
流素子であるＥＬを用いることができないことである。
しかし、本発明では一画素を２つの表示素子を逆極性で
接続して構成し、正の電圧のとき一方の表示素子が発光
し負の電圧のときには他方の表示素子が発光するように
構成し、その整流性を打ち消すことができる。但し図２
で示す本発明の第１の実施の形態では１画素中の発光面
積が１／２になってしまうので任意の画素の発光強度を
２倍にして発光面積の縮小による平均輝度の減少を打ち
消す必要がある。
【００４４】本発明の第２の実施の形態を図３に基づき
説明する。図３においては、ガラス基板１上に形成した
透明電極２上に、有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ1 の電子輸
送層Ｎ及び有機ＥＬの薄膜表示素子ｅ2 のホール輸送層
Ｐをその透明電極２により接続したものである。これに
よりその接続を容易に行うことができ、逆極性にこれら
を容易に接続することができる。駆動回路は、前記図１
に示す如き、アクティブ駆動回路を使用する。
【００４５】本発明の第３の実施の形態を図４に基づき
説明する。図４（Ａ）は２つの有機ＥＬの薄膜表示素子
ｅ1 、ｅ2 を立体的に積層したものである。この場合薄
膜表示素子ｅ1 及びｅ2 の接続部分も透明電極２で構成
する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬ1 、ＥＬ2 の発光層
からの発光を、ガラス基板１側から有効に取り出すこと
ができる。なお図４（Ｂ）の電気回路は、有機ＥＬの薄
膜表示素子ｅ1 、ｅ2をパルス電源ＰＥで駆動するとき
の電気的接続図である。駆動回路は、前記図１に示す如
き、アクティブ駆動回路を使用する。
【００４６】図４に示す如く、立体的に配置することに
より、画素中の発光面積の縮小をさけることができ第
１、第２の実施の形態のように任意の画素の発光強度を
２倍にして発光面積の縮小による平均輝度の減少を打ち
消す必要がなくなり、印加電圧の増大を抑制することが
できる。又、各画素を小面積で構成できることにより、
より高密度のパネルが形成できる。
【００４７】前記説明は有機ＥＬ素子の２×２の状態に
ついて説明したが、図５に基づき、本発明の実施の形態
を４×４の例におけるアクティブ駆動方式について説明
する。この場合データフォーマットは、図５（Ｂ）に示
す如く、「−１−１−１−１」（明）と「００００」
（暗）を組み合わせた、明暗の横縞模様を示すものであ
る。
【００４８】図５（Ｃ）に示す如く、時刻ｔ1 では、行
１〜行４のすべてにｖボルトが印加され、列１〜列４の
すべてに−２ａボルトが印加されるので、図５（Ａ）に
おいて有機ＥＬ素子ＥＬ11〜ＥＬ44はすべて十分明るい
点灯状態となる。
【００４９】時刻ｔ2 では、行１と行３にｖボルトが印
加され、行２と行４に−ｖボルトが印加され、列１〜列
４のすべてに−２ａボルトが印加されるので、図５
（Ａ）において行１と行３の有機ＥＬ素子ＥＬ11〜ＥＬ
14及び有機ＥＬ素子ＥＬ31〜ＥＬ 34は十分明るい点灯状
態となるが行２と行４の有機ＥＬ素子ＥＬ21〜ＥＬ24及
び有機ＥＬ素子ＥＬ41〜ＥＬ44は弱い点灯状態となる。
【００５０】時刻ｔ3 では、行１と行２にｖボルトが印
加され、行３と行４に−ｖボルトが印加され、列１〜列
４のすべてに０ボルトが印加されるので、有機ＥＬ素子
ＥＬ 11〜ＥＬ44はすべて弱い点灯状態となる。
【００５１】時刻ｔ4 では行１と行４にｖボルトが印加
され、行２と行３に−ｖボルトが印加され、列１〜列４
のすべてに０ボルトが印加されるので、有機ＥＬ素子Ｅ
Ｌ11〜ＥＬ44はすべて弱い点灯状態となる。
【００５２】このようにして明暗の横縞模様を表示する
ことができる。本発明の表示素子は、これら２×２、４
×４等のサイズに限定されるものではない。なおアクテ
ィブ駆動方式は、例えば日経エレクトロニクス １９９
４，９，２６（ｐ１７９〜ｐ１９１）に記載のように公
知のものである。
【００５３】
【発明の効果】請求項１に記載された発明によれば、整
流特性を持つ薄膜表示素子を逆方向に接続して表示画素
を構成したのでアクティブ駆動回路により駆動すること
ができ、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いることなく有
機ＥＬ素子を損なうことなく大面積、高解像度のパネル
を提供することができる。
【００５４】請求項２に記載された説明によれば、薄膜
表示素子を平面状に配置したので、有機ＥＬ素子を構成
する有機材料及び電極材料の選択の自由度が大となり、
特性のよい画像表示装置を提供することができる。
【００５５】請求項３に記載された発明によれば、薄膜
表示素子を立体的に配置したので、発光源を小さく配置
した、かしも発光源が強く発光する画像表示装置を提供
することができる。しかも発光有効面積を広くするこが
できる。
【００５６】請求項４に記載された発明によれば、複数
ライン選択式のアクティブ駆動回路により画像表示装置
を駆動するので、その選択されている長時間の間発光を
続けるため印加電圧を高めなくても必要とする実効電圧
を得るので長寿命のものを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態図（その１）であ
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態図（その２）であ
る。
【図３】本発明の第２の実施の形態図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態図（その３）であ
る。
【図６】従来のＴＦＴアクティブマトリックス駆動回路
図である。
【図７】線順次駆動式駆動回路図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 透明電極

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】整流特性を持つ薄膜表示素子を画素毎に配
    置した画像表示装置において、 １画素に前記薄膜表示素子を２つ以上設け、少なくとも
    ２つは互いに逆極性に並列接続したことを特徴とする画
    像表示装置。
  2. 【請求項２】前記２つ以上の薄膜表示素子を平面状に配
    置したことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
  3. 【請求項３】前記２つ以上の薄膜表示素子を立体的に配
    置したことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
  4. 【請求項４】１表示画面中に複数の画素をマトリックス
    状に配置し、これらの画素を１フレーム中に同時に複数
    の走査線を選択して制御したことを特徴とする請求項１
    記載の画像表示装置。
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