JPH09219019A - 磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法 - Google Patents
磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法Info
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- JPH09219019A JPH09219019A JP2563996A JP2563996A JPH09219019A JP H09219019 A JPH09219019 A JP H09219019A JP 2563996 A JP2563996 A JP 2563996A JP 2563996 A JP2563996 A JP 2563996A JP H09219019 A JPH09219019 A JP H09219019A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 39
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 64
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100063942 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dot-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N chromium titanium Chemical compound [Ti].[Cr] UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 テクスチャーのパターンの形成を容易にしか
も精度良く行うことができるとともに、製造コストの低
減を図ることができる磁気ディスクにおけるテクスチャ
ーの形成方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板11にインクジェットプリン
タのインクヘッド16を対向配置するとともに、ガラス
基板11を回転させる。その状態で、インクヘッド16
のノズル17からマスキング剤としてのインクを射出し
て基板11上にマスク層18を形成する。次いで、マス
ク層18以外の部分をエッチングした後、溶剤でマスク
層18を除去することにより突起を形成する。その後、
その上に、スパッタリング法により、バッファ層、磁性
膜、保護膜および潤滑膜を設け、ランディングゾーンに
テクスチャーを有する磁気ディスクを製造する。
も精度良く行うことができるとともに、製造コストの低
減を図ることができる磁気ディスクにおけるテクスチャ
ーの形成方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板11にインクジェットプリン
タのインクヘッド16を対向配置するとともに、ガラス
基板11を回転させる。その状態で、インクヘッド16
のノズル17からマスキング剤としてのインクを射出し
て基板11上にマスク層18を形成する。次いで、マス
ク層18以外の部分をエッチングした後、溶剤でマスク
層18を除去することにより突起を形成する。その後、
その上に、スパッタリング法により、バッファ層、磁性
膜、保護膜および潤滑膜を設け、ランディングゾーンに
テクスチャーを有する磁気ディスクを製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンタクトスタ
ートストップ(CSS)方式の磁気ディスクドライブユ
ニットに装着され、表面に突起構造(テクスチャー)を
備えた磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法に
関するものである。
ートストップ(CSS)方式の磁気ディスクドライブユ
ニットに装着され、表面に突起構造(テクスチャー)を
備えた磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気ディスクにテクスチャーを形
成する方法として、例えばフォトリソグラフィック法や
スクリーン印刷法によりガラス基板上にマスク層を形成
した後、マスク層以外の部分をエッチングする方法が知
られている(特開平6−349058号公報等)。すな
わち、フォトリソグラフィック法では、基板上に遮光の
ためのマスク材を密着配置し、露光機で露光することに
より、基板上にマスク層が形成される。スクリーン印刷
法では、基板上に所定の網目を有するスクリーンを配置
した後、印刷を行うことによりマスク層が形成される。
成する方法として、例えばフォトリソグラフィック法や
スクリーン印刷法によりガラス基板上にマスク層を形成
した後、マスク層以外の部分をエッチングする方法が知
られている(特開平6−349058号公報等)。すな
わち、フォトリソグラフィック法では、基板上に遮光の
ためのマスク材を密着配置し、露光機で露光することに
より、基板上にマスク層が形成される。スクリーン印刷
法では、基板上に所定の網目を有するスクリーンを配置
した後、印刷を行うことによりマスク層が形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、フォトリソ
グラフィック法では、マスク層を形成するための露光機
が高価であるため、マスク層を形成するためのコストが
高くなる上に、マスク材を繰り返し使用しその際マスク
材が紫外線に何度も晒されるため、マスク材の寿命が短
いという問題があった。
グラフィック法では、マスク層を形成するための露光機
が高価であるため、マスク層を形成するためのコストが
高くなる上に、マスク材を繰り返し使用しその際マスク
材が紫外線に何度も晒されるため、マスク材の寿命が短
いという問題があった。
【0004】一方、スクリーン印刷法では、マスク層の
パターンが用いるスクリーンの網目に依存するため、パ
ターンの大きさをあまり小さくできず、形成されるテク
スチャーが制限されるとともに、テクスチャーの精度が
悪く、従って再現性も悪いという問題があった。
パターンが用いるスクリーンの網目に依存するため、パ
ターンの大きさをあまり小さくできず、形成されるテク
スチャーが制限されるとともに、テクスチャーの精度が
悪く、従って再現性も悪いという問題があった。
【0005】この発明は、このような従来の技術に存在
する問題に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、テクスチャーのパターンの形成を容易に、
しかも精度良く行うことができるとともに、製造コスト
の低減を図ることができる磁気ディスクにおけるテクス
チャーの形成方法を提供することにある。
する問題に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、テクスチャーのパターンの形成を容易に、
しかも精度良く行うことができるとともに、製造コスト
の低減を図ることができる磁気ディスクにおけるテクス
チャーの形成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第1の発明の磁気ディスクにおけるテクスチャー
の形成方法では、前記基板または保護膜の表面に、イン
クジェットプリンタによりマスキング剤を吹き付けてマ
スク層を形成し、次いでマスク層以外の部分をエッチン
グした後、マスク層を除去するものである。
めに、第1の発明の磁気ディスクにおけるテクスチャー
の形成方法では、前記基板または保護膜の表面に、イン
クジェットプリンタによりマスキング剤を吹き付けてマ
スク層を形成し、次いでマスク層以外の部分をエッチン
グした後、マスク層を除去するものである。
【0007】第2の発明では、第1の発明において、前
記マスク層が所定間隔をおいたドット状に形成したもの
である。第3の発明では、第2の発明において、前記基
板にインクジェットプリンタのインクヘッドを対向配置
するとともに、基板またはインクヘッドの少なくとも一
方を基板の中心を回転中心として回転させ、インクヘッ
ドのノズルからマスキング剤を射出するものである。
記マスク層が所定間隔をおいたドット状に形成したもの
である。第3の発明では、第2の発明において、前記基
板にインクジェットプリンタのインクヘッドを対向配置
するとともに、基板またはインクヘッドの少なくとも一
方を基板の中心を回転中心として回転させ、インクヘッ
ドのノズルからマスキング剤を射出するものである。
【0008】第4の発明においては、基板または保護膜
の表面に、インクジェットプリンタによりインクを射出
して突起を形成するものである。第5の発明において
は、基板または保護膜の表面に、インクジェットプリン
タによりエッチング剤を射出して基板または保護膜表面
の所定部分をエッチングすることにより、エッチングさ
れない部分に突起を形成するものである。
の表面に、インクジェットプリンタによりインクを射出
して突起を形成するものである。第5の発明において
は、基板または保護膜の表面に、インクジェットプリン
タによりエッチング剤を射出して基板または保護膜表面
の所定部分をエッチングすることにより、エッチングさ
れない部分に突起を形成するものである。
【0009】従って、第1の発明においては、マスク層
はインクジェットプリンタにより、基板または保護膜の
表面にマスキング剤が吹き付けられて形成される。そし
て、マスク層以外の部分がエッチングされた後、マスク
層が除去されることにより突起を含むテクスチャーが形
成される。
はインクジェットプリンタにより、基板または保護膜の
表面にマスキング剤が吹き付けられて形成される。そし
て、マスク層以外の部分がエッチングされた後、マスク
層が除去されることにより突起を含むテクスチャーが形
成される。
【0010】マスク層はインクジェットプリンタにより
所定パターンに確実に形成されることから、テクスチャ
ーのパターン形成を容易に、しかも精度良く行うことが
できる。
所定パターンに確実に形成されることから、テクスチャ
ーのパターン形成を容易に、しかも精度良く行うことが
できる。
【0011】第2の発明では、マスク層がインクジェッ
トプリンタにより所定間隔をおいたドット状に形成され
るため、簡易なパターンのマスク層を正確な位置に、容
易に形成することができる。
トプリンタにより所定間隔をおいたドット状に形成され
るため、簡易なパターンのマスク層を正確な位置に、容
易に形成することができる。
【0012】第3の発明においては、基板にインクジェ
ットプリンタのインクヘッドが対向配置される。その状
態で、基板またはインクヘッドの少なくとも一方が回転
され、インクヘッドのノズルからインクが基板に向けて
射出される。このため、マスク層が基板上に簡易かつ速
やかに形成される。
ットプリンタのインクヘッドが対向配置される。その状
態で、基板またはインクヘッドの少なくとも一方が回転
され、インクヘッドのノズルからインクが基板に向けて
射出される。このため、マスク層が基板上に簡易かつ速
やかに形成される。
【0013】第4の発明においては、インクジェットプ
リンタによりインクを基板または保護膜の表面に対して
射出することにより突起が直接的に形成される。このた
め、マスキングやエッチングなどの操作を要することな
く、突起を形成することができる。
リンタによりインクを基板または保護膜の表面に対して
射出することにより突起が直接的に形成される。このた
め、マスキングやエッチングなどの操作を要することな
く、突起を形成することができる。
【0014】第5の発明では、インクジェットプリンタ
によりエッチング剤を基板または保護膜の表面に対して
射出し、基板または保護膜表面の所定部分をエッチング
することにより、エッチングされない部分に突起が形成
される。従って、マスキング工程を省略して、突起を速
やかに形成することができる。
によりエッチング剤を基板または保護膜の表面に対して
射出し、基板または保護膜表面の所定部分をエッチング
することにより、エッチングされない部分に突起が形成
される。従って、マスキング工程を省略して、突起を速
やかに形成することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て詳細に説明する。通常磁気ディスクは、中心に円孔を
有する円盤状に形成され、基板上にバッファ層、下地
膜、磁性膜、保護膜および潤滑膜が設けられることによ
り構成されている。
て詳細に説明する。通常磁気ディスクは、中心に円孔を
有する円盤状に形成され、基板上にバッファ層、下地
膜、磁性膜、保護膜および潤滑膜が設けられることによ
り構成されている。
【0016】基板の材質としては、ガラス、ガラスセラ
ミックスとしての結晶化ガラスのほか、アルミニウム、
アルミニウム−マグネシウム合金、カーボンなどが用い
られる。バッファ層は通常基板に対する下地膜の密着性
を向上させるために設けられる。基板がガラスまたはガ
ラスセラミックスの場合、バッファ層はチタン(Ti)
−シリコン(Si)合金、チタン−クロム(Cr)合金
などのチタン系合金、ニッケル(Ni)−リン(P)合
金を用いたスパッタリング法により基板上に形成され
る。
ミックスとしての結晶化ガラスのほか、アルミニウム、
アルミニウム−マグネシウム合金、カーボンなどが用い
られる。バッファ層は通常基板に対する下地膜の密着性
を向上させるために設けられる。基板がガラスまたはガ
ラスセラミックスの場合、バッファ層はチタン(Ti)
−シリコン(Si)合金、チタン−クロム(Cr)合金
などのチタン系合金、ニッケル(Ni)−リン(P)合
金を用いたスパッタリング法により基板上に形成され
る。
【0017】基板がアルミニウムまたはアルミニウム合
金の場合、バッファ層は硬質のニッケル−リンの合金を
用いた無電解めっき法により形成される。これらのバッ
ファ層の厚さは通常30μm以下である。なお、このバ
ッファ層をスパッタリング法により形成してもよい。
金の場合、バッファ層は硬質のニッケル−リンの合金を
用いた無電解めっき法により形成される。これらのバッ
ファ層の厚さは通常30μm以下である。なお、このバ
ッファ層をスパッタリング法により形成してもよい。
【0018】下地膜は、クロムまたはクロム合金を用
い、スパッタリング法により形成される。この下地膜の
厚みは2〜300nm程度である。次に、磁性膜は、コ
バルト(Co)−ニッケル−リン、コバルト−ニッケル
またはγ−酸化鉄(Fe2 O3 )を用いたスパッタリン
グ法あるいはめっき法により下地膜上に形成される。こ
の磁性膜の厚さは100nm以下である。
い、スパッタリング法により形成される。この下地膜の
厚みは2〜300nm程度である。次に、磁性膜は、コ
バルト(Co)−ニッケル−リン、コバルト−ニッケル
またはγ−酸化鉄(Fe2 O3 )を用いたスパッタリン
グ法あるいはめっき法により下地膜上に形成される。こ
の磁性膜の厚さは100nm以下である。
【0019】保護膜は、ケイ酸(SiO2 )やカーボン
(C)を用いたスパッタリング法により磁性膜上に形成
される。この保護膜は50nm以下の厚さで形成され
る。なお、このケイ酸(SiO2 )保護膜はゾルゲル原
料をスピンコーティングすることによっても形成され
る。
(C)を用いたスパッタリング法により磁性膜上に形成
される。この保護膜は50nm以下の厚さで形成され
る。なお、このケイ酸(SiO2 )保護膜はゾルゲル原
料をスピンコーティングすることによっても形成され
る。
【0020】潤滑膜はフッ素系樹脂により保護膜上に塗
布形成される。次に、この発明の実施形態の要部である
テクスチャーの形成方法について説明する。
布形成される。次に、この発明の実施形態の要部である
テクスチャーの形成方法について説明する。
【0021】テクスチャーを形成する突起は、前記基板
上または保護膜上に形成される。まず、インクジェット
プリンタによってマスク剤としてのインクを基板上また
は保護膜上に吹き付けることにより、マスク層がドット
状に形成される。インクとしては、通常インクジェット
用に使用されているインクが使用可能であるが、その他
ポリアクリル酸エステルよりなる一般のインクも使用さ
れる。このドット状のマスク層の直径は、通常10〜2
5μm程度であるが、10μm以下も可能である。マス
ク層の高さは、100nmから10μm程度である。
上または保護膜上に形成される。まず、インクジェット
プリンタによってマスク剤としてのインクを基板上また
は保護膜上に吹き付けることにより、マスク層がドット
状に形成される。インクとしては、通常インクジェット
用に使用されているインクが使用可能であるが、その他
ポリアクリル酸エステルよりなる一般のインクも使用さ
れる。このドット状のマスク層の直径は、通常10〜2
5μm程度であるが、10μm以下も可能である。マス
ク層の高さは、100nmから10μm程度である。
【0022】次いで、そのマスク層以外の部分がエッチ
ング法によりエッチングされる。エッチング法として
は、ウエットエッチング法とドライエッチング法とがあ
る。ウエットエッチング法はエッチング液を用いてエッ
チングする方法で、エッチング液としては酸やアルカリ
が使用される。酸としては、フッ化水素(HF)を含む
水溶液が使用され、その濃度は5重量%未満が好まし
く、1重量%程度がさらに好ましい。アルカリとして
は、10重量%程度のフッ化アンモニウム水溶液が使用
される。さらに、フッ化水素とフッ化アンモニウムを併
用してもよい。
ング法によりエッチングされる。エッチング法として
は、ウエットエッチング法とドライエッチング法とがあ
る。ウエットエッチング法はエッチング液を用いてエッ
チングする方法で、エッチング液としては酸やアルカリ
が使用される。酸としては、フッ化水素(HF)を含む
水溶液が使用され、その濃度は5重量%未満が好まし
く、1重量%程度がさらに好ましい。アルカリとして
は、10重量%程度のフッ化アンモニウム水溶液が使用
される。さらに、フッ化水素とフッ化アンモニウムを併
用してもよい。
【0023】一方、ドライエッチング法は、プラズマを
用いた反応性のケミカルエッチング法やアルゴンプラズ
マのアルゴンイオンでエッチングするエッチング法が採
用される。
用いた反応性のケミカルエッチング法やアルゴンプラズ
マのアルゴンイオンでエッチングするエッチング法が採
用される。
【0024】その後、マスク層がマスク除去法により除
去される。マスク除去法としては、有機溶剤による除去
法や酸素プラズマによる燃焼に基づく方法が採用され
る。有機溶剤としては、トルエン、キシレン、アセト
ン、メチルエチルケトンなどが使用される。
去される。マスク除去法としては、有機溶剤による除去
法や酸素プラズマによる燃焼に基づく方法が採用され
る。有機溶剤としては、トルエン、キシレン、アセト
ン、メチルエチルケトンなどが使用される。
【0025】上記の方法のほか、突起は、基板または保
護膜の表面に、インクジェットプリンタによりインクを
射出し、乾燥させて溶媒を気化させることにより直接的
に形成することができる。この場合のインクとしては、
溶媒のエタノールやイソプロパノールにガラス粉やガラ
スセラミックスとしての結晶化ガラスと、メチルジクロ
ロシラン、メチルトリクロロシラン、メチルクロロシラ
ンなどを混合したものが使用される。この場合、突起を
350℃で1時間焼成し、突起の密度を高めることがで
きる。
護膜の表面に、インクジェットプリンタによりインクを
射出し、乾燥させて溶媒を気化させることにより直接的
に形成することができる。この場合のインクとしては、
溶媒のエタノールやイソプロパノールにガラス粉やガラ
スセラミックスとしての結晶化ガラスと、メチルジクロ
ロシラン、メチルトリクロロシラン、メチルクロロシラ
ンなどを混合したものが使用される。この場合、突起を
350℃で1時間焼成し、突起の密度を高めることがで
きる。
【0026】さらに、基板または保護膜の表面に、イン
クジェットプリンタによりエッチング剤を射出して基板
または保護膜表面の所定部分をエッチングすることによ
り、エッチングされない部分に突起を形成することがで
きる。この場合、エッチング剤としては、前述したウエ
ットエッチング法のエッチング液が使用される。
クジェットプリンタによりエッチング剤を射出して基板
または保護膜表面の所定部分をエッチングすることによ
り、エッチングされない部分に突起を形成することがで
きる。この場合、エッチング剤としては、前述したウエ
ットエッチング法のエッチング液が使用される。
【0027】その後、スパッタリング法によりバッファ
層、下地膜、磁性膜および保護膜が形成され、さらに塗
布法により潤滑膜が形成される。このようにして、磁気
ディスク表面に突起を有するテクスチャーが形成され
る。
層、下地膜、磁性膜および保護膜が形成され、さらに塗
布法により潤滑膜が形成される。このようにして、磁気
ディスク表面に突起を有するテクスチャーが形成され
る。
【0028】以上、この発明の実施形態によれば、次の
ような効果が発揮される。 (1)インクジェットプリンタを用いることにより、テ
クスチャーのパターンの形成を容易かつ精度良く行うこ
とができる。つまり、インクジェットの射出タイミング
を記憶装置にメモリしておけば、そのメモリデータに従
って、インクジェットによるドットが正確に形成され、
微細なパターンを描いたマスクシート等を作成する必要
がない。 (2)インクジェットプリンタによりインクを射出する
だけでマスク層のパターンを形成でき、製造コストの低
減を図ることができる。 (3)ノズル径やインクの粘性を調節することにより、
パターンの大小にかかわらず、ドットを正確に形成する
ことができる。 (4)突起を基板上または保護膜上に設けることによ
り、その間のバッファ層、下地膜、磁性膜および保護膜
をスパッタリング法によって連続して形成することがで
きる。 (5)マスキング剤の射出によってマスク層が形成され
るため、マスク層と基板との間に気泡が閉じ込められた
りすることがなく、基板に対するマスク層の密着性を保
持できる。
ような効果が発揮される。 (1)インクジェットプリンタを用いることにより、テ
クスチャーのパターンの形成を容易かつ精度良く行うこ
とができる。つまり、インクジェットの射出タイミング
を記憶装置にメモリしておけば、そのメモリデータに従
って、インクジェットによるドットが正確に形成され、
微細なパターンを描いたマスクシート等を作成する必要
がない。 (2)インクジェットプリンタによりインクを射出する
だけでマスク層のパターンを形成でき、製造コストの低
減を図ることができる。 (3)ノズル径やインクの粘性を調節することにより、
パターンの大小にかかわらず、ドットを正確に形成する
ことができる。 (4)突起を基板上または保護膜上に設けることによ
り、その間のバッファ層、下地膜、磁性膜および保護膜
をスパッタリング法によって連続して形成することがで
きる。 (5)マスキング剤の射出によってマスク層が形成され
るため、マスク層と基板との間に気泡が閉じ込められた
りすることがなく、基板に対するマスク層の密着性を保
持できる。
【0029】
(実施例1)以下、この発明を具体化した実施例1につ
いて、図1〜7に基づき詳細に説明する。
いて、図1〜7に基づき詳細に説明する。
【0030】図5に示すように、磁気ディスクはガラス
基板11の中心に円孔12を有する円盤状をなし、図中
の二点鎖線より内周側に読み取りヘッドが離着陸するラ
ンディングゾーン13が形成されている。このランディ
ングゾーン13には多数の突起よりなるテクスチャーが
形成されている。図6に示すように、磁気ディスクはガ
ラス基板11の両面に磁性層などの金属層14が形成さ
れることにより構成されている。
基板11の中心に円孔12を有する円盤状をなし、図中
の二点鎖線より内周側に読み取りヘッドが離着陸するラ
ンディングゾーン13が形成されている。このランディ
ングゾーン13には多数の突起よりなるテクスチャーが
形成されている。図6に示すように、磁気ディスクはガ
ラス基板11の両面に磁性層などの金属層14が形成さ
れることにより構成されている。
【0031】図7に示すように、金属層14は基板11
側から順に形成されたバッファ膜19、下地膜20、磁
性膜21、保護膜22および潤滑膜23により構成され
ている。バッファ膜19はチタン−シリコン合金よりな
り、下地膜20はクロムよりなる。磁性膜21はコバル
ト系磁性体よりなり、保護膜22はカーボンよりなる。
さらに、潤滑膜23はフッ素系潤滑剤よりなる。
側から順に形成されたバッファ膜19、下地膜20、磁
性膜21、保護膜22および潤滑膜23により構成され
ている。バッファ膜19はチタン−シリコン合金よりな
り、下地膜20はクロムよりなる。磁性膜21はコバル
ト系磁性体よりなり、保護膜22はカーボンよりなる。
さらに、潤滑膜23はフッ素系潤滑剤よりなる。
【0032】次に、磁気ディスクのランディングゾーン
13にテクスチャーを形成する方法について順に説明す
る。図2に示すように、良く洗浄された清浄な両面を有
するガラス基板11をインクジェットプリンタに付設さ
れたスピンドル15に取付ける。インクジェットプリン
タのインクヘッド16をガラス基板11の両側に基板1
1表面から所定距離をおいて配置する。図1に示すよう
に、インクヘッド16内に設けられたノズル17は、ガ
ラス基板11上にマスキング剤としての所定のインクを
ドット状に射出する。インクが吹き付けられて形成され
るマスク層18の直径は20μm、マスク層18間のピ
ッチは200μmとなるように設定される。
13にテクスチャーを形成する方法について順に説明す
る。図2に示すように、良く洗浄された清浄な両面を有
するガラス基板11をインクジェットプリンタに付設さ
れたスピンドル15に取付ける。インクジェットプリン
タのインクヘッド16をガラス基板11の両側に基板1
1表面から所定距離をおいて配置する。図1に示すよう
に、インクヘッド16内に設けられたノズル17は、ガ
ラス基板11上にマスキング剤としての所定のインクを
ドット状に射出する。インクが吹き付けられて形成され
るマスク層18の直径は20μm、マスク層18間のピ
ッチは200μmとなるように設定される。
【0033】そして、ガラス基板11の回転速度とイン
クジェットプリンタのノズル17からのインク吹き付け
間隔を調整してマスク層18間の間隔を調整する。この
実施例では、ガラス基板11の円周方向におけるマスク
層18間のピッチが200μmとなるように、ガラス基
板11を900rpmの回転速度で回転させる。同時
に、インクジェットプリンタのノズル17から約6kパ
ルス/秒でインクを射出してドットによりマスク層18
を1周分形成する。インクとしては通常の印刷用のイン
クが使用される。
クジェットプリンタのノズル17からのインク吹き付け
間隔を調整してマスク層18間の間隔を調整する。この
実施例では、ガラス基板11の円周方向におけるマスク
層18間のピッチが200μmとなるように、ガラス基
板11を900rpmの回転速度で回転させる。同時
に、インクジェットプリンタのノズル17から約6kパ
ルス/秒でインクを射出してドットによりマスク層18
を1周分形成する。インクとしては通常の印刷用のイン
クが使用される。
【0034】次に、インクジェットプリンタのインクヘ
ッド16のノズルの配列長さ分だけ外周側へインクヘッ
ド16を移動し、前記と同様に、円周方向におけるマス
ク層18間のピッチが200μmとなるようにドット形
成速度を若干上げて、すなわちインク吹き付け間隔を狭
くして1周分のドットを形成した。図3(a)に示すよ
うに、このような方法により、ランディングゾーン13
にマスク層18が形成される。図4に示すように、この
マスク層18のパターンは、各マスク層18間の間隔が
ディスクの円周方向および半径方向において同じで、全
体としてほぼ格子状であった。
ッド16のノズルの配列長さ分だけ外周側へインクヘッ
ド16を移動し、前記と同様に、円周方向におけるマス
ク層18間のピッチが200μmとなるようにドット形
成速度を若干上げて、すなわちインク吹き付け間隔を狭
くして1周分のドットを形成した。図3(a)に示すよ
うに、このような方法により、ランディングゾーン13
にマスク層18が形成される。図4に示すように、この
マスク層18のパターンは、各マスク層18間の間隔が
ディスクの円周方向および半径方向において同じで、全
体としてほぼ格子状であった。
【0035】その後、マスク層18を乾燥させた。次い
で、図3(b)示すように、フッ化水素(HF)水溶液
を用い、マスク層18以外の部分を短時間エッチング処
理した。その結果、所定のエッチング深さ(図3(b)
の二点鎖線より下の部分)を有するガラス基板11が得
られた。この実施例ではエッチング深さが30nmと5
0nmの2種類のガラス基板11を製作した。このエッ
チングは、その深さが深くなり過ぎると、予め精密研磨
されたガラス基板11表面の研磨状態が損なわれるた
め、エッチング深さを極薄くする精密エッチングである
ことが望ましい。その後、図3(c)に示すように、キ
シレンを用い、マスク層18を溶解させて除去し、突起
24を得た。続いて、ガラス基板11表面を精密に洗浄
した。
で、図3(b)示すように、フッ化水素(HF)水溶液
を用い、マスク層18以外の部分を短時間エッチング処
理した。その結果、所定のエッチング深さ(図3(b)
の二点鎖線より下の部分)を有するガラス基板11が得
られた。この実施例ではエッチング深さが30nmと5
0nmの2種類のガラス基板11を製作した。このエッ
チングは、その深さが深くなり過ぎると、予め精密研磨
されたガラス基板11表面の研磨状態が損なわれるた
め、エッチング深さを極薄くする精密エッチングである
ことが望ましい。その後、図3(c)に示すように、キ
シレンを用い、マスク層18を溶解させて除去し、突起
24を得た。続いて、ガラス基板11表面を精密に洗浄
した。
【0036】次に、図3(d)に示すように、突起24
が形成されたガラス基板11上に、スパッタリング法に
よりバッファ膜19、下地膜20、磁性膜21および保
護膜22を基板11側から順に形成した。さらに、その
上にフッ素系潤滑剤を塗布し、潤滑膜23を形成した。
このようにして、磁気ディスクを作製した。突起24に
起因する表面突起をテクスチャーとした。
が形成されたガラス基板11上に、スパッタリング法に
よりバッファ膜19、下地膜20、磁性膜21および保
護膜22を基板11側から順に形成した。さらに、その
上にフッ素系潤滑剤を塗布し、潤滑膜23を形成した。
このようにして、磁気ディスクを作製した。突起24に
起因する表面突起をテクスチャーとした。
【0037】前記突起24の形状を調べたところ、突起
24はマスク後の形状に比べ、若干小さくなっており、
マスク層18の直径が20μmであったものが突起24
の直径は約17μmになっていた。また、最終の磁気デ
ィスクの突起を調べた結果、突起の直径は約17μmで
あった。この磁気ディスクのCSS性能をCSSテスタ
ーで調べた結果、5万回の使用においても摩擦係数に変
化がなく、良好であった。また、突起24の形状、大き
さのバラツキも少なく、再現性良く突起24が形成され
ていることがわかった。 (実施例2)次に、この発明を具体化した実施例2につ
いて説明する。なお、以下では主として実施例1と異な
る部分について説明する。
24はマスク後の形状に比べ、若干小さくなっており、
マスク層18の直径が20μmであったものが突起24
の直径は約17μmになっていた。また、最終の磁気デ
ィスクの突起を調べた結果、突起の直径は約17μmで
あった。この磁気ディスクのCSS性能をCSSテスタ
ーで調べた結果、5万回の使用においても摩擦係数に変
化がなく、良好であった。また、突起24の形状、大き
さのバラツキも少なく、再現性良く突起24が形成され
ていることがわかった。 (実施例2)次に、この発明を具体化した実施例2につ
いて説明する。なお、以下では主として実施例1と異な
る部分について説明する。
【0038】インクとして、フォトリソグラフィック法
によるフォトレジストを使用し、実施例1と同様の方法
にてマスク層18としてのドットパターンを形成した。
このドットパターンを加熱硬化処理した後、ドライエッ
チング装置によりドットパターン以外の部分を30nm
の深さにエッチングした。その後、剥離液によりドット
パターンを除去し、テクスチャー付きのガラス基板11
を作製した。
によるフォトレジストを使用し、実施例1と同様の方法
にてマスク層18としてのドットパターンを形成した。
このドットパターンを加熱硬化処理した後、ドライエッ
チング装置によりドットパターン以外の部分を30nm
の深さにエッチングした。その後、剥離液によりドット
パターンを除去し、テクスチャー付きのガラス基板11
を作製した。
【0039】次に、この基板11を実施例1と同様に、
精密に洗浄し、スパッタ装置でバッファ膜19、下地膜
20、磁性膜21および保護膜22を順次成膜した。さ
らに、保護膜22上にフッ素系潤滑剤を塗布して潤滑膜
23を形成し、磁気ディスクを作製した。
精密に洗浄し、スパッタ装置でバッファ膜19、下地膜
20、磁性膜21および保護膜22を順次成膜した。さ
らに、保護膜22上にフッ素系潤滑剤を塗布して潤滑膜
23を形成し、磁気ディスクを作製した。
【0040】突起は、マスクの直径とほぼ同一になって
おり、約20μmであった。また、高さは約20nmで
あった。このようにして得られた磁気ディスクのCSS
性能は、摩擦係数が極僅か高い程度で、実施例1と大差
なく良好であった。 (実施例3)次に、この発明を具体化した実施例3につ
いて説明する。
おり、約20μmであった。また、高さは約20nmで
あった。このようにして得られた磁気ディスクのCSS
性能は、摩擦係数が極僅か高い程度で、実施例1と大差
なく良好であった。 (実施例3)次に、この発明を具体化した実施例3につ
いて説明する。
【0041】まず、インクとして、溶媒のエタノールに
ガラス微粉とメチルジクロロシランを5重量%配合した
粘稠液を調製した。この粘稠液をインクジェットプリン
タのインクヘッド16内に装填した。そして、図8に示
すように、インクヘッド16のノズル17からインクを
ガラス基板11上にドット状に射出した。続いて、この
ドットを乾燥させて溶媒を気化させることにより、ガラ
ス基板11上に突起24を形成した。
ガラス微粉とメチルジクロロシランを5重量%配合した
粘稠液を調製した。この粘稠液をインクジェットプリン
タのインクヘッド16内に装填した。そして、図8に示
すように、インクヘッド16のノズル17からインクを
ガラス基板11上にドット状に射出した。続いて、この
ドットを乾燥させて溶媒を気化させることにより、ガラ
ス基板11上に突起24を形成した。
【0042】次いで、実施例1と同様にして、突起24
が形成されたガラス基板11上にバッファ膜19、下地
膜20、磁性膜21、保護膜22および潤滑膜23を形
成し、磁気ディスクを製作した。
が形成されたガラス基板11上にバッファ膜19、下地
膜20、磁性膜21、保護膜22および潤滑膜23を形
成し、磁気ディスクを製作した。
【0043】この実施例によれば、突起24のガラス基
板11表面に対する密着性は良好であり、ガラス基板1
1表面の突起24の形成は容易である。 (実施例4)次に、この発明を具体化した実施例4につ
いて説明する。
板11表面に対する密着性は良好であり、ガラス基板1
1表面の突起24の形成は容易である。 (実施例4)次に、この発明を具体化した実施例4につ
いて説明する。
【0044】この実施例4においては、インクジェット
プリンタのインクヘッドに前記実施例1で使用したエッ
チング剤を充填した。図9に示すように、インクヘッド
16のノズル17からガラス基板11上にエッチング液
を射出した。エッチング液としてフッ化水素を0.5重
量%含有する水溶液を使用し、1分間で射出を完了し
た。
プリンタのインクヘッドに前記実施例1で使用したエッ
チング剤を充填した。図9に示すように、インクヘッド
16のノズル17からガラス基板11上にエッチング液
を射出した。エッチング液としてフッ化水素を0.5重
量%含有する水溶液を使用し、1分間で射出を完了し
た。
【0045】図10に示すように、エッチング剤の射出
により平面円形状のエッチング部25が互いに接するよ
うに形成し、エッチング部25間のエッチングされなか
った部分に突起24を形成した。続いて、基板11表面
を洗浄、乾燥した。
により平面円形状のエッチング部25が互いに接するよ
うに形成し、エッチング部25間のエッチングされなか
った部分に突起24を形成した。続いて、基板11表面
を洗浄、乾燥した。
【0046】次に、実施例1と同様にして、突起24が
形成されたガラス基板11上にバッファ膜19、下地膜
20、磁性膜21、保護膜22および潤滑膜23を形成
し、磁気ディスクを製作した。
形成されたガラス基板11上にバッファ膜19、下地膜
20、磁性膜21、保護膜22および潤滑膜23を形成
し、磁気ディスクを製作した。
【0047】この実施例では、ガラス基板11にエッチ
ング剤を射出するだけで突起24を形成することができ
ることから、テクスチャーの形成を容易に行うことがで
きる。
ング剤を射出するだけで突起24を形成することができ
ることから、テクスチャーの形成を容易に行うことがで
きる。
【0048】なお、この発明は次のような態様で実施す
ることも可能である。 (a)図11(a)に示すように、ドット18の配列ピ
ッチを周方向に長く、半径方向に短くなるように形成し
たり、図11(b)に示すように、千鳥状に形成した
り、図11(c)に示すように、周方向に短く、半径方
向に長くなるように形成すること。
ることも可能である。 (a)図11(a)に示すように、ドット18の配列ピ
ッチを周方向に長く、半径方向に短くなるように形成し
たり、図11(b)に示すように、千鳥状に形成した
り、図11(c)に示すように、周方向に短く、半径方
向に長くなるように形成すること。
【0049】あるいは、図11(d)に示すように、ド
ット18を周方向に長い楕円状に形成したり、図11
(e)に示すように、ドット18のパターンを半径方向
に並ぶ一対のドット18の組合せとして構成したり、図
11(f)に示すように、ドット18を周方向に長い楕
円状のものと半径方向に長い楕円状のものとを組合せて
構成したりすること。 (b)図12に示すように、インクジェットプリンタの
インクヘッド16を前記各実施例と比較して基板11の
径方向に長くするとともに、各ノズル17間の配列間隔
を実施例1の2倍にし、射出位置を変更するためにヘッ
ド16を基板11の径方向外方に移動させるときには、
その移動量をノズル17の配列間隔の半分とすること。
このようにすれば、インクヘッド16のノズル17の配
列間隔より短い間隔のドット18のパターンを形成する
ことができる。 (c)インクヘッド16を螺旋状に回転させ、ドット1
8が螺旋状に形成されるように構成すること。このよう
にすれば、インクヘッド16を停止させることなく、ド
ット18を連続的に形成することができる。 (d)図13に示すように、ドット18を断面2山状に
形成したり、クレータ状に形成したりすること。 (e)保護膜22の表面に、前記各実施例と同様の方法
で突起24を形成すること。 (f)ガラス基板11を静止させ、インクヘッド16の
みを基板11の中心を回転中心として回転させること。 (g)基板11およびヘッド16の双方を基板11の中
心を回転中心として回転させてマスク層18を形成する
こと。この場合、両者の回転方向は互いに逆向きとなる
ようにする。 (h)テクスチャーが形成されたランディングゾーン1
3を基板の外周側に設けること。 (i)突起24を含むテクスチャーをデータゾーンに形
成すること。但し、その場合には、突起24を保護膜2
2上に設ける。 (j)テクスチャーを基板の片面にのみ形成すること。 (k)実施例3において、インクとしてゾルゲルガラス
溶液を用いること。このようにしても、突起24の形成
は容易であり、ガラス基板11表面に対する突起24の
密着性を良好に維持することができる。
ット18を周方向に長い楕円状に形成したり、図11
(e)に示すように、ドット18のパターンを半径方向
に並ぶ一対のドット18の組合せとして構成したり、図
11(f)に示すように、ドット18を周方向に長い楕
円状のものと半径方向に長い楕円状のものとを組合せて
構成したりすること。 (b)図12に示すように、インクジェットプリンタの
インクヘッド16を前記各実施例と比較して基板11の
径方向に長くするとともに、各ノズル17間の配列間隔
を実施例1の2倍にし、射出位置を変更するためにヘッ
ド16を基板11の径方向外方に移動させるときには、
その移動量をノズル17の配列間隔の半分とすること。
このようにすれば、インクヘッド16のノズル17の配
列間隔より短い間隔のドット18のパターンを形成する
ことができる。 (c)インクヘッド16を螺旋状に回転させ、ドット1
8が螺旋状に形成されるように構成すること。このよう
にすれば、インクヘッド16を停止させることなく、ド
ット18を連続的に形成することができる。 (d)図13に示すように、ドット18を断面2山状に
形成したり、クレータ状に形成したりすること。 (e)保護膜22の表面に、前記各実施例と同様の方法
で突起24を形成すること。 (f)ガラス基板11を静止させ、インクヘッド16の
みを基板11の中心を回転中心として回転させること。 (g)基板11およびヘッド16の双方を基板11の中
心を回転中心として回転させてマスク層18を形成する
こと。この場合、両者の回転方向は互いに逆向きとなる
ようにする。 (h)テクスチャーが形成されたランディングゾーン1
3を基板の外周側に設けること。 (i)突起24を含むテクスチャーをデータゾーンに形
成すること。但し、その場合には、突起24を保護膜2
2上に設ける。 (j)テクスチャーを基板の片面にのみ形成すること。 (k)実施例3において、インクとしてゾルゲルガラス
溶液を用いること。このようにしても、突起24の形成
は容易であり、ガラス基板11表面に対する突起24の
密着性を良好に維持することができる。
【0050】さらに、前記実施形態より把握される技術
的思想について以下に記載する。 (1)複数のノズルが直線状に配置されたインクヘッド
を円盤状をなす基板の半径方向に配置し、ノズルからイ
ンクを射出するとともに、基板またはインクヘッドを基
板の中心を回転中心として1回転させた後、インクヘッ
ドを所定距離だけ外周側に移動させ、再びノズルからイ
ンクを射出する請求項3に記載の磁気ディスクにおける
テクスチャーの形成方法。
的思想について以下に記載する。 (1)複数のノズルが直線状に配置されたインクヘッド
を円盤状をなす基板の半径方向に配置し、ノズルからイ
ンクを射出するとともに、基板またはインクヘッドを基
板の中心を回転中心として1回転させた後、インクヘッ
ドを所定距離だけ外周側に移動させ、再びノズルからイ
ンクを射出する請求項3に記載の磁気ディスクにおける
テクスチャーの形成方法。
【0051】この方法によれば、マスク層のパターンを
円周方向および半径方向に規則正しく形成することがで
きる。 (2)基板表面に、インクジェットプリンタによりマス
キング剤を吹き付けてマスク層を形成し、マスク層以外
の部分をエッチングし、マスク層を除去した後、その上
に磁性膜、保護膜および潤滑膜を形成する磁気ディスク
の製造方法。
円周方向および半径方向に規則正しく形成することがで
きる。 (2)基板表面に、インクジェットプリンタによりマス
キング剤を吹き付けてマスク層を形成し、マスク層以外
の部分をエッチングし、マスク層を除去した後、その上
に磁性膜、保護膜および潤滑膜を形成する磁気ディスク
の製造方法。
【0052】この製造方法によれば、ランディングゾー
ンに突起を含むテクスチャーが形成された磁気ディスク
を容易かつ安価に得ることができる。 (3)基板表面に、インクジェットプリンタによりマス
キング剤を吹き付けてマスク層を形成し、マスク層以外
の部分をエッチングし、マスク層を除去した後、その上
に磁性膜、保護膜および潤滑膜を形成した磁気ディス
ク。
ンに突起を含むテクスチャーが形成された磁気ディスク
を容易かつ安価に得ることができる。 (3)基板表面に、インクジェットプリンタによりマス
キング剤を吹き付けてマスク層を形成し、マスク層以外
の部分をエッチングし、マスク層を除去した後、その上
に磁性膜、保護膜および潤滑膜を形成した磁気ディス
ク。
【0053】この磁気ディスクによれば、ランディング
ゾーンに精度の良い突起を含むテクスチャーが形成され
た磁気ディスクを安価に得ることができる。
ゾーンに精度の良い突起を含むテクスチャーが形成され
た磁気ディスクを安価に得ることができる。
【0054】
【発明の効果】この発明は以上のように構成されている
ため、次のような優れた効果を奏する。
ため、次のような優れた効果を奏する。
【0055】第1の発明の磁気ディスクにおけるテクス
チャーの形成方法によれば、テクスチャーのパターンの
形成を容易に、しかも精度良く行うことができるととも
に、製造コストの低減を図ることができる。
チャーの形成方法によれば、テクスチャーのパターンの
形成を容易に、しかも精度良く行うことができるととも
に、製造コストの低減を図ることができる。
【0056】第2の発明によれば、簡易なパターンのマ
スク層を正確な位置に、容易に形成することができる。
第3の発明によれば、マスク層を基板上に簡易かつ速や
かに形成することができる。
スク層を正確な位置に、容易に形成することができる。
第3の発明によれば、マスク層を基板上に簡易かつ速や
かに形成することができる。
【0057】第4の発明によれば、マスキングやエッチ
ングなどの操作を要しないので、突起を形成するための
工程を簡略化でき、突起を迅速かつ安価に形成すること
ができる。
ングなどの操作を要しないので、突起を形成するための
工程を簡略化でき、突起を迅速かつ安価に形成すること
ができる。
【0058】第5の発明によれば、マスキング工程を省
略して、突起を迅速かつ安価に形成することができる。
略して、突起を迅速かつ安価に形成することができる。
【図1】 実施例1のマスク層を形成する状態を示す部
分斜視図。
分斜視図。
【図2】 ガラス基板を回転させてマスク層を形成する
状態の正面図。
状態の正面図。
【図3】 (a)はガラス基板上のマスク層を示す断面
図、(b)は(a)の状態からガラス基板表面をエッチ
ングした状態の断面図、(c)は(b)の状態からマス
ク層を除去した状態の断面図、(d)は(c)の状態か
ら金属層を形成した状態の断面図。
図、(b)は(a)の状態からガラス基板表面をエッチ
ングした状態の断面図、(c)は(b)の状態からマス
ク層を除去した状態の断面図、(d)は(c)の状態か
ら金属層を形成した状態の断面図。
【図4】 マスク層のパターンを示す部分平面図。
【図5】 磁気ディスクを示す平面図。
【図6】 図5の6−6線における断面図。
【図7】 ガラス基板上の金属層の構成を示す断面図。
【図8】 実施例3における突起を形成する状態を示す
部分断面図。
部分断面図。
【図9】 実施例4における突起を形成する状態を示す
部分断面図。
部分断面図。
【図10】 エッチング部と突起との関係を示す部分平
面図。
面図。
【図11】 (a)〜(f)は、別例としてのマスク層
のパターンを示す部分平面図。
のパターンを示す部分平面図。
【図12】 別例としてのマスク層を形成する状態を示
す部分斜視図。
す部分斜視図。
【図13】 別例としての突起を示す断面図。
11…ガラス基板、16…インクヘッド、17…ノズ
ル、18…マスク層、21…磁性膜、22…保護膜、2
3…潤滑膜、24…突起、25…エッチング部。
ル、18…マスク層、21…磁性膜、22…保護膜、2
3…潤滑膜、24…突起、25…エッチング部。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に下地膜、磁性膜、保護膜および
潤滑膜を設けた磁気ディスクに突起を含むテクスチャー
を形成するための磁気ディスクにおけるテクスチャーの
形成方法において、 前記基板または保護膜の表面に、インクジェットプリン
タによりマスキング剤を吹き付けてマスク層を形成し、
次いでマスク層以外の部分をエッチングした後、マスク
層を除去する磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成
方法。 - 【請求項2】 前記マスク層を所定間隔をおいたドット
状に形成した請求項1に記載の磁気ディスクにおけるテ
クスチャーの形成方法。 - 【請求項3】 前記基板にインクジェットプリンタのイ
ンクヘッドを対向配置するとともに、基板またはインク
ヘッドの少なくとも一方を基板の中心を回転中心として
回転させ、インクヘッドのノズルからマスキング剤を射
出する請求項2に記載の磁気ディスクにおけるテクスチ
ャーの形成方法。 - 【請求項4】 基板上に下地膜、磁性膜、保護膜および
潤滑膜を設けた磁気ディスクに突起を含むテクスチャー
を形成するための磁気ディスクにおけるテクスチャーの
形成方法において、 前記基板または保護膜の表面に、インクジェットプリン
タによりインクを射出して突起を形成する磁気ディスク
におけるテクスチャーの形成方法。 - 【請求項5】 基板上に下地膜、磁性膜、保護膜および
潤滑膜を設けた磁気ディスクに突起を含むテクスチャー
を形成するための磁気ディスクにおけるテクスチャーの
形成方法において、 前記基板または保護膜の表面に、インクジェットプリン
タによりエッチング剤を射出して基板または保護膜表面
の所定部分をエッチングすることにより、エッチングさ
れない部分に突起を形成する磁気ディスクにおけるテク
スチャーの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2563996A JPH09219019A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2563996A JPH09219019A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219019A true JPH09219019A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12171425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2563996A Pending JPH09219019A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 磁気ディスクにおけるテクスチャーの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219019A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11334046A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-12-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | インクジェットノズルアレイによる媒体の領域に対する印刷方法 |
| GB2350321A (en) * | 1999-05-27 | 2000-11-29 | Patterning Technologies Ltd | Method of forming a masking or spacer pattern on a substrate using inkjet droplet deposition |
| US6849308B1 (en) | 1999-05-27 | 2005-02-01 | Stuart Speakman | Method of forming a masking pattern on a surface |
| US7129166B2 (en) | 1997-10-14 | 2006-10-31 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
| CN100335276C (zh) * | 2004-01-16 | 2007-09-05 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光面板的喷墨印刷装置 |
| US7323634B2 (en) | 1998-10-14 | 2008-01-29 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP2563996A patent/JPH09219019A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7129166B2 (en) | 1997-10-14 | 2006-10-31 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
| JPH11334046A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-12-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | インクジェットノズルアレイによる媒体の領域に対する印刷方法 |
| US7323634B2 (en) | 1998-10-14 | 2008-01-29 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
| GB2350321A (en) * | 1999-05-27 | 2000-11-29 | Patterning Technologies Ltd | Method of forming a masking or spacer pattern on a substrate using inkjet droplet deposition |
| GB2352688A (en) * | 1999-05-27 | 2001-02-07 | Patterning Technologies Ltd | Method of forming a masking or spacer pattern on a substrate using inkjet droplet deposition |
| US6849308B1 (en) | 1999-05-27 | 2005-02-01 | Stuart Speakman | Method of forming a masking pattern on a surface |
| CN100335276C (zh) * | 2004-01-16 | 2007-09-05 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光面板的喷墨印刷装置 |
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