JPH09219037A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学素子の加工精度等低レベルの精度のもの
でものでも使用できるようにした新規の光ピックアップ
装置を提供する。 【解決手段】 情報記録媒体１３に入射されるレーザ光
を出射する半導体レーザ３と、該半導体レーザ３から出
射した出射レーザ光の前記情報記録媒体１３からの戻り
光を検知する半導体基板表面１ａに形成された第１受光
素子４と、前記情報記録媒体１３と前記半導体レーザ３
との間に設けられ前記出射レーザ光を直進させて前記半
導体基板表面１ａと略平行に出射させると共に前記戻り
光を偏向させて前記受光素子４に導く偏向面を有する偏
向ビーム・スプリッタ６とを具備している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザからのコ
ヒーレント光を用いて光ディスクや光磁気ディスクなど
の情報記録媒体に記憶された情報の記録や読み出しなど
を行うための光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ（コンパクトディスク）に記録され
た記録情報は、ディスク面に設けられたトラックに沿っ
て並んだピット列として蓄積されている。このＣＤを回
転させて、対物レンズにて集光されたコヒーレント光を
この情報トラック（ピット列）に照射すると、前記集光
されたコヒーレント光のスポット位置がピットの進行方
向のエッジ部分にかかった場合は、位相差を持った反射
光の干渉効果により、反射光の光量が減衰する。光ピッ
クアップでは、このピット列に対応して反射光量が減衰
した減衰パルスを、光検出器により電気パルス信号に変
換して出力しピットを検出している。

【０００３】ところで現実の光ディスクにおいて表面に
そりや歪みを全く持たないような理想的な平坦性を求め
ることは無理であり、また一方でドライバーの回転軸の
傾きなども考慮すると、正確な情報読み取りのためには
ピックアップの対物レンズとディスク表面との位置関係
を常に適切に保つように制御しなければならない。すな
わちレーザからの照射光がピット列（トラック）から外
れないためのトラッキング方向の位置制御と、レーザビ
ームの焦点位置を常にディスクの情報記録面に一致させ
るためのフォーカシング制御が必要である。

【０００４】このような制御を行なうための現在位置情
報は、トラッキングずれ信号及びフォーカシングずれ信
号の、独立した２系統の信号として検出する必要があ
り、複数の光学素子を精密配置した光学系の構成を必要
とした。このため光ピックアップは比較的大容量な光学
素子配置空間が必要となり、組立時には各部の煩雑な調
整作業を施す必要もあった。これらは光ピックアップに
求められている、高速アクセスのための小型・軽量化、
及びコスト削減のための無調整化という改善要求の障害
になっていた。

【０００５】このような障害の解決のため、従来よりホ
ログラム素子による光学素子機能の複合化で部品点数を
削減し、光ピックアップ・ヘッドの小型・軽量化を図る
試みが盛んに成されてきた。またこの小型・軽量化をよ
り効果的にするとともに、調整箇所を削減するために、
ハイブリッド実装により半導体レーザや光検出器などを
一体化するという取り組みもなされてきた。

【０００６】このような取り組みにより半導体レーザ
（以下、ＬＤ〔レーザダイオード〕と略称する）と光検
出器（以下、ＰＤ〔フォトダイオード〕と略称する）を
一体化して、ハイブリッド実装した一従来例を図６〜図
８によって説明する。シリコン等の半導体基板１５上
に、高周波（以下、ＲＦと略称する）情報信号、トラッ
キングずれ信号やフォーカシングずれ信号等のエラー信
号及びＬＤパワーモニター信号を検出するための多分割
されたＰＤエレメント１８，１９のｐｎ接合が形成され
ると共にＬＤ１６がマウントされており、このＬＤ１６
の前方出射端面の近傍にマイクロプリズム偏向ミラー１
７が接着されていて、ＬＤ出射光（以下レーザ光とい
う）を９０°偏向させ半導体基板１５面と垂直な方向に
送り出している。これはまた半導体基板１５の同一平面
にＬＤ及びＰＤエレメントをマウントすると共に、ＰＤ
エレメントへの光入射方向（即ち半導体基板と垂直な方
向）と平行な方向にレーザ光を出射させたものである。

【０００７】このハイブリッド素子のパッケージ形態は
図７に模式的に示すように、パッケージ２０の図示上側
の光入出射面２１に設けられた透明部材による透明窓を
通してレーザ光が出射され、情報記録媒体としての光デ
ィスク２５からの戻り光も同様にパッケージの光入出射
面２１から入射される。

【０００８】次に、このハイブリッド素子を用いた光ピ
ックアップの、光学系模式図を図８に示す。薄型化を図
った光ピックアップの一般的設計手法に則り、パッケー
ジ２０を出て、ホログラム素子２６を通過し、対物レン
ズ２４の直下に配置した立ち上げミラー２３に至るまで
の光路を、ピックアップベース面２２と平行にする構成
となっている。即ち、ＬＤ１６から出射されたレーザ光
はマイクロプリズム偏向ミラー１７（図６参照）で偏向
され、パッケージ２０の上面に設けられた透明窓からピ
ックアップベース面２２と平行に光路を形成する。そし
て、このレーザ光は立ち上げミラー２３で垂直に偏向さ
れた後、対物レンズ２４で集光されて、回転する光ディ
スク２５の情報トラックに照射される。光ディスクから
の戻り光は、逆の光路で、対物レンズ２４，立ち上げミ
ラー２３を通った後、回折光を形成するホログラム素子
２６で複数に分割され、半導体基板１５に設けられたＰ
Ｄ１８で受光されるようになっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
面の高密度なピット情報を誤り無く読みとるためには、
光ディスク２５の光ディスク面の焦点位置での光スポッ
トの品質が重要となる。高品質の光スポットをディスク
面上に形成するためには、レーザ光がディスクに照射さ
れる光出射往路上に配置された各光学素子に高精度のも
のが要求される。上記光出射往路上に配置されたマイク
ロプリズム偏向ミラー１７においても、そのミラー加工
面には高い面精度が要求され、また高反射率を得るため
には誘電体多層膜などの反射膜の形成条件も厳密に管理
する必要があって、このマイクロプリズム偏向ミラー１
７が高価なものになってしまい、コスト低減をし難かっ
た。

【００１０】加えてレーザ出射光がマイクロプリズム偏
向ミラー１７によって反射された後、長い光出射往路を
経てディスク面に照射されるために光スポットのフレが
拡大されて悪影響を及ぼすことがないように、きちんと
垂直方向に出射させる必要性から、部品形成時の角度管
理に加え、上記マイクロプリズム偏向ミラー１７の接着
時にＬＤに対する位置調整も、厳密に行う必要があっ
た。

【００１１】また、図８のような光ピックアップ光学系
を構築する場合、ＬＤ／ＰＤハイブリッド素子のパッケ
ージ２０は透明窓が設けられた光入出射面２１に対して
垂直方向にレーザ光が出射されるので、この光入出射面
２１がピックアップベース面２２と直交するように起こ
して配置する必要がある。ところがこうした場合、図８
のようにパッケージ２０の高さ方向となる寸法ｗ１の分
だけ高さを要するために、パッケージ２０の最も短い高
さ寸法ｗ２を活かせずに、ピックアップ装置全体の厚み
を増大する要因ともなっていた。

【００１２】本発明は、上記のように光学素子に高精度
が要求されるＬＤから光ディスク面への光出射往路にて
光路の偏向を行うことなく、光ディスクからの戻り光を
ＰＤエレメントに導く光反射復路の、それも上記ＰＤエ
レメントの上方部に光路偏向器を配置することによっ
て、光学素子の加工精度や接着精度を低レベルの精度の
ものでも使用できるようにして、コストの低減を図るこ
とを目的とする。また、半導体レーザの後方端面出力を
効率よく受光するとともに、装置全体の厚みを減少させ
たピックアップ装置を提供することを目的としている。

【００１３】

【問題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、請求項１記載の光ピックアップ装置では、情報記
録媒体に入射されるレーザ光を出射する半導体レーザ
と、該半導体レーザから出射した出射レーザ光の前記情
報記録媒体からの戻り光を検知する半導体基板表面に形
成された光検知器と、前記情報記録媒体と前記半導体レ
ーザとの間に設けられ前記出射レーザ光を直進させて前
記半導体基板表面と略平行に出射させると共に前記戻り
光を偏向させて前記光検知器に導く偏向面を有する偏向
器とを具備している。また、請求項２記載の光ピックア
ップ装置では、前記偏向器としての偏光ビーム・スプリ
ッタと、該偏光ビーム・スプリッタと前記情報記録媒体
との光路間に設けられ前記出射レーザ光と前記戻り光と
の偏波面を互いに直交させる１／４波長板とを具備して
いる。請求項３記載の発明では、請求項１または請求項
２記載の前記検知器の対向面に前記偏向器を配設し、該
偏向器によって前記戻り光の光路を前記光検知器に向け
て９０°偏向させている。

【００１４】さらに、請求項４記載の発明では、請求項
１乃至請求項３記載の光ピックアップ装置において、前
記光検知器上に前記偏向器を配設し、該偏向器の横方向
に前記半導体レーザを設けて、前記半導体基板と前記情
報記録媒体とを平行に配設すると共に、前記偏向器を通
過した前記レーザ射出光の光路と前記偏向器に戻る前記
戻り光の光路とが前記基板と略平行になるように前記半
導体レーザを配設させている。

【００１５】加えて、請求項５記載の発明では、請求項
１乃至請求項４記載の光ピックアップ装置において、前
記半導体レーザは前記出射レーザ光の出射方向と反対方
向に、前記射出レーザ光のパワーをモニタするモニタ用
レーザ光を出射すると共に、該モニタ用レーザ光を検知
する第２の光検知器と、前記モニタ用レーザ光を前記第
２の光検知器に導く第２の偏向面を有する偏向器とを備
えている。また請求項６記載の発明では、請求項５記載
の光ピックアップ装置において、前記第２の光検知器を
前記半導体基板表面に形成している。

【００１６】さらに、請求項７の発明では、請求項６記
載の光ピックアップ装置において、前記第２の検知器の
対向面に前記第２の偏向器を配設し該偏向器によって前
記モニタ用レーザ光の光路を前記第２検知器に向けて９
０°偏向させている。また、請求項８記載の発明では、
請求項１乃至請求項７記載の光ピックアップ装置におい
て、前記半導体レーザと、前記光検知器、前記偏向器と
をパッケージにより実装させている。加えて、請求項９
記載の発明では、請求項１乃至８記載の光ピックアップ
装置において、前記１／４波長板は、一方の面に１／４
波長板を形成すると共に他方の面にホログラム素子を形
成した複合光学素子としている。

【００１７】上記のように構成された光ピックアップ装
置では、情報記録媒体としてのディスクの情報を得るた
めに出射されたレーザ光が、偏向器としての偏光ビーム
・スプリッタを通過するときには偏向しないで直進し、
逆にディスクからの反射光即ち信号光が、半導体基板に
形成された光検知器としての第１受光素子の直上に配設
された上記偏光ビーム・スプリッタを通過するときには
上記偏光ビーム・スプリッタの偏向面により偏向して第
１受光素子に導くように構成したので、上記偏向面から
受光素子までの光路長が短くなり光偏向器のミラー反射
面の加工精度が低レベルのものでも使用可能とすること
ができた。加えて上記偏光ビーム・スプリッタの接着時
の位置調整もラフでよくなった。また、後方端面出力レ
ーザ光を受光する第２の検知器としての第２受光素子の
上方部に、前記後方端面出力レーザ光を偏向する光偏向
器を配設したので、後方端面出力レーザ光を効率よく受
光させることが出来た。更に、パッケージの最も短い縦
稜が高さ方向となるよにう配置することによって、光ピ
ックアップ全体の薄型化が出来た。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の一
実施例について詳細に説明する。図１は本発明の一実施
例によるＬＤ／ＰＤハイブリッド実装の光ピックアップ
装置の、構造模式図である。図１に於いて符号１はＳｉ
（シリコン）からなる半導体基板であり、この半導体基
板１の基板表面１ａの所定の位置にヒートシンクを兼ね
たサブ・マウント２が低融点金属（ＡｕＳｉ等）の導電
性融着により固定配設され、更にこのサブ・マウント２
へ半導体レーザ（ＬＤ）３が、上記ＡｕＳｉより低融点
である低融点金属（ＡｕＳｎ等）の導電性融着により固
定配設されている。上記ＬＤ３は、そのレーザ光の光軸
が基板表面１ａと平行となるように、半導体基板１に配
設されている。

【００１９】また、その周囲の基板表面１ａの選択領域
にｐｎ接合を形成することにより、光検出器（ＰＤエレ
メント）４，５が配設されている。そしてＰＤエレメン
ト４の直上には、１つの部材で全てのＰＤエレメントを
覆うと共にディスクからの戻り光の光軸を、図２（ａ）
に示すように９０度偏向し、ＰＤ受光面に結合させて受
光するための偏光ビーム・スプリッタ６が接着固定され
ている。

【００２０】上記ディスクからの戻り光は、基板表面１
ａと平行でレーザ光とは概ね逆方向に入射するように光
学系が配設してある。上記ＰＤエレメント４の受光出力
から、公知のスポットサイズ法やナイフエッジ法などの
方法でフォーカスエラー信号が、また公知の３ビーム法
やプッシュプル法などの方法によりトラッキングエラー
信号が得られると同時に、ＲＦ情報信号を得ることがで
きる。ＰＤエレメント４の詳細分割パターンの形状と配
置を、これらエラー信号検出方法の選択に応じて決定す
ることで、種々の検出方法に対応することができる。具
体的には本実施例のＰＤエレメント４は図１（ｂ）に示
すように、射出レーザ光の光路に対し横１列に配設され
ているが、例えば縦１列に配設させたり、２列、３列等
種々の検出方法に対応して選択できる。

【００２１】一方ＬＤ３の後方端面近傍の基板表面１ａ
に形成されたＰＤエレメント５は、ＬＤの後方端面出力
を受光するパワーモニター信号を得るためのものである
が、上述のＰＤエレメント４の場合と同様に、図２
（ｂ）に示すようにマイクロプリズム偏向ミラー７でＬ
Ｄ出射光の光軸を９０°偏向し、ＰＤ受光面に結合させ
て受光するため、図６に示される半導体レーザ１６の後
方端面からの出力する発散光の一部を大面積のＰＤ１９
で受光するといった従来方式のモニターＰＤに比べ小面
積で高い結合効率を得ることができるようになった。ま
た半導体基板１とは別部材でＰＤエレメントを配設した
補助基板を備え、このＰＤエレメントでＬＤの後方端面
出力を直接受光させてもよい。

【００２２】図３は、半導体レーザ（ＬＤ）３と光検出
器（ＰＤエレメント）４，５を備えた本発明に係わる基
板表面１ａを上方にして、パッケージ８にハイブリッド
実装した状態を示す模式的な斜視図である。本実施例に
よればレーザ光はミラーなどで偏向させることがないの
で直進して、パッケージ側面方向から出射し、ディスク
で反射した戻り光も同様にパッケージ側面方向から入射
することになる。なお、光入出射面９には、パッケージ
８に実装された半導体基板１を保護すると共にレーザ光
を透過する透明部材による透明窓が設けられている。

【００２３】このようなパッケージ８を、ピックアップ
ベース部材１０へ取り付けた状態の光学系模式図を図４
に示す。図４（ａ）は、パッケージ８の入射面に対して
直交する側面方向から見た図で、図４（ｂ）は、図４
（ａ）におけるＸ−Ｘ’からパッケージ８側に向かって
見た平面図である。符号Ｗ１は実装パッケージの横幅方
向の横稜の長さを示し、符号Ｗ２は同パッケージの厚さ
方向の縦稜の長さを示し、符号Ｗ３は同パッケージの側
面幅方向の側稜の長さを示しており、Ｗ２＜Ｗ１＜Ｗ３
とパッケージの厚さ方向の縦稜の長さＷ２が最も短く形
成されている。なお、光路を示す矢印は光束の中心を表
している。図４において、パッケージ８から出るレーザ
光の光路は、従来例の図８に示した光路と同様の光路を
辿って情報記録媒体としてのディスク１３に照射され、
ディスク１３からの戻り光もやはり同様の光路で戻り、
パッケージ８に至る。

【００２４】この時、パッケージ８はピックアップベー
ス部材１０に対して最も高さが低くなるように配置され
ていて、その側面部からレーザ光が出入射される。即
ち、パッケージ８の高さがｗ２となるように配置され、
従来例の図８のようにｗ１を高さ寸法とする必要がな
い。したがって、従来構造に比べて光ピックアップ全体
の薄型化を図ることができる。

【００２５】尚、図４において符号１４は複合光学素子
であり、一方の面には１／４波長板が形成されていて、
受光素子に結合する記録媒体からの戻り光の偏波面が半
導体レーザからの出射光の偏波面と直交するよう機能し
ている。このため、偏光ビーム・スプリッタの仕様を適
切に選ぶことにより、図２（ａ）にて半導体レーザから
の出射光のほとんどを反射させずに記録媒体に向けて透
過させ、また逆に記録媒体からの戻り光のほとんどを反
射させ受光素子５に結合させ、半導体レーザに帰還光と
して戻る成分を抑えることができる。

【００２６】また複合光学素子１４の他方の面には、回
折光を形成するホログラム素子が形成されていて、光デ
ィスク１３からの反射光を半導体レーザ３近傍に配設さ
れたＰＤエレメント４に分配・結合させ、そのＰＤ出力
からエラー信号及びＲＦ情報信号を得るように設計され
た、ホログラムパターンが形成されている。また、符号
１１は立ち上げミラー、符号１２は対物レンズである。

【００２７】また他の実施例としては、図１ではヒート
シンク及び偏向ビーム・スプリッタ６に対する半導体レ
ーザの位置調整部材としてのサブ・マウントを設けてい
るが、図５に示すように半導体基板１を階段状に切欠い
て段部を形成し、この段部の下段に偏向ビーム・スプリ
ッタ６を配設し、上段に直接半導体レーザ３を配設して
もよい。また、図１においてもレーザ３を直接基板表面
１ａに取り付けたものでもよい。反対に偏向ビーム・ス
プリッタ６は直接基板表面１ａに取り付けているが、偏
向ビーム・スプリッタ６と基板表面１ａとの間にスペー
サを介在させてもよいし、全反射ミラー７も同様に全反
射ミラー７と基板表面１ａとの間にスペーサを介在させ
てもよい。さらにシリコン等の基板表面１ａに、ＰＤエ
レメント４，５の出力電気信号の処理を行う集積回路を
形成することも可能であり、その場合光ピックアップ装
置の一層の小型・軽量化を図ることが出来る。なお実施
例では偏向器として偏向ビーム・スプリッタの例が記載
されているが、ハーフミラーでもよい。ハーフミラーの
場合は、１／４波長板は用いなくてもよい。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の光ピ
ックアップ装置では、半導体レーザからの出射レーザ光
を半導体基板表面に略平行に直進させると共に情報記録
媒体からの戻り光を偏向させ光検知器に導く偏向面を有
する偏向器備えていることにより、出射レーザ光は偏向
面で偏向することなく直進させられるので、偏向面で偏
向させられるものに比べてレーザ光の光路を精度良く制
御することができる。しかも出射レーザ光は半導体基板
に略平行に出射されるので半導体基板表面上のスペース
をコンパクトにできる。

【００２９】また、請求項２記載の発明では、偏向器を
偏光ビーム・スプリッタとし、この偏光ビーム・スプリ
ッタと情報記録媒体との光路間に出射レーザ光と前記戻
り光との偏波面を互いに直交させる１／４波長板を配設
したので、偏光ビーム・スプリッタの仕様を適切に選ぶ
ことにより、半導体レーザからの出射光のほとんどを反
射させずに情報記録媒体に向けて透過させ、また逆に記
録媒体からの戻り光のほとんどを反射させ受光素子５に
結合させ、半導体レーザに帰還光として戻る成分を抑え
ることができる。

【００３０】さらに、請求項３記載の発明では、光検知
器の対向面に偏向器を配設し、情報記録媒体からの戻り
光、即ち信号光を偏光器によって９０°偏向して光検知
器に結合させるようにしたので、偏光器の偏光面から光
検知器までの光路長が短くなり、上記偏光面の加工精度
や上記半導体レーザに対する偏光器の偏光面の接着精度
は、従来例に比べて大幅に緩やかにできるので低レベル
の精度のものでも使用が可能となり、コストの低減が可
能になる。

【００３１】また、請求項４記載の発明では、半導体レ
ーザおよび光検知器とを具備する半導体基板と情報記録
媒体とを平行に配設すると共に、偏向器を通過したレー
ザ出射光の光路と偏向器に戻る戻り光の光路とが、半導
体基板と略平行になるように半導体レーザを配設したの
で、半導体基板と情報記録媒体表面との間隔を狭くする
ことができる。従って光ピックアップ装置のコンパクト
化が図れる。

【００３２】さらに、請求項５記載の発明では、モニタ
用レーザ光を第２の検知器に導く偏向面を有する偏向器
を備えたことにより、モニタ用レーザ光を効率良く第２
の検知器に導くことができる。また請求項６記載の発明
では、半導体レーザと光検知器を配設した半導体基板に
第２の検知器も配設したことにより、取扱いが煩雑でな
く、設置スペースも小さくてよい。その上請求項７記載
の発明では、光検知器の対向面に偏向器を配設し、情報
記録媒体からの戻り光、即ち信号光を偏光器によって９
０°偏向して光検知器に結合させるようにしたので、第
２の偏光器の偏光面から第２の光検知器までの光路長が
短くなり、上記偏光面の加工精度等従来例に比べて大幅
に緩やかにできるので低レベルの精度のものでも使用が
可能となり、コストの低減が可能になる。

【００３３】また、請求項８記載の発明では、半導体レ
ーザと光検知器と偏向器とをパッケージにより実装した
ので、パッケージ内の気密性が保たれ塵や埃等から保護
できる。さらに、請求項９記載の発明では、前記１／４
波長板は、一方の面に１／４波長板を形成すると共に他
方の面にホログラム素子を形成した複合光学素子として
いるので、１つの素子により２つの機能を持たせられ、
部品点数の削減になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるＬＤ／ＰＤハイブリッ
ド実装素子の構造模式図であり（ａ）は側面図、（ｂ）
は平面図である。

【図２】本発明の一実施例によるＰＤエレメント上の偏
向素子を拡大した模式図。

【図３】本発明の一実施例によるハイブリッド実装素子
パッケージの構造模式図。

【図４】本発明の一実施例による光ピックアップ装置の
光学系を説明するための模式図であり（ａ）は側面図、
（ｂ）は平面図である。

【図５】本発明の異なる実施例によるＬＤ／ＰＤハイブ
リッド実装素子の側面からみた構造模式図。

【図６】従来例のＬＤ／ＰＤハイブリッド実装素子の構
造模式図。

【図７】従来例のハイブリッド実装素子パッケージの構
造模式図。

【図８】従来例の光ピックアップ装置の光学系を説明す
るための模式図。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ サブ・マウント ３ 半導体レーザ（ＬＤ） ４ 第１受光素子（ＰＤエレメント） ５ 第２受光素子 ６ 偏光ビーム・スプリッタ ７ 全反射ミラー １２ 対物レンズ １３ 情報記録媒体（光ディスク） １４ １／４波長板及びホログラム素子の複合光学素子

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】情報記録媒体に入射されるレーザ光を出射
   する半導体レーザと、該半導体レーザから出射した出射
   レーザ光の前記情報記録媒体からの戻り光を検知する半
   導体基板表面に形成された光検知器と、前記情報記録媒
   体と前記半導体レーザとの間に設けられ前記出射レーザ
   光を直進させて前記半導体基板表面と略平行に出射させ
   ると共に前記戻り光を偏向させて前記光検知器に導く偏
   向面を有する偏向器とを具備したことを特徴とする光ピ
   ックアップ装置。
2. 【請求項２】前記偏向器としての偏光ビーム・スプリッ
   タと、該偏光ビーム・スプリッタと前記情報記録媒体と
   の光路間に設けられ前記出射レーザ光と前記戻り光との
   偏波面を互いに直交させる１／４波長板とを具備したこ
   とを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】前記光検知器の対向面に前記偏向器を配設
   し、該偏向器によって前記戻り光の光路を前記光検知器
   に向けて９０°偏向させたことを特徴とする請求項１ま
   たは請求項２記載の光ピックアップ装置。
4. 【請求項４】前記光検知器上に前記偏向器を配設し、該
   偏向器の横方向に前記半導体レーザを設けて、前記半導
   体基板と前記情報記録媒体とを平行に配設すると共に、
   前記偏向器を通過した前記レーザ射出光の光路と前記偏
   向器に戻る前記戻り光の光路とが前記基板と略平行にな
   るように前記半導体レーザを配設したことを特徴とする
   請求項１乃至請求項３記載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】前記半導体レーザは前記出射レーザ光の出
   射方向と反対方向に、前記射出レーザ光のパワーをモニ
   タするモニタ用レーザ光を出射すると共に、該モニタ用
   レーザ光を検知する第２の光検知器と、前記モニタ用レ
   ーザ光を前記第２の光検知器に導く第２の偏向面を有す
   る第２の偏向器とを備えたことを特徴とする請求項１乃
   至請求項４記載の光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】前記第２の光検知器を前記半導体基板表面
   に形成したことを特徴とする請求項５記載の光ピックア
   ップ装置。
7. 【請求項７】前記第２の光検知器の対向面に前記第２の
   偏向器を配設し、該第２の偏向器によって前記モニタ用
   レーザ光の光路を前記第２検知器に向けて９０°偏向さ
   せたことを特徴とする請求項６記載の光ピックアップ装
   置。
8. 【請求項８】前記半導体レーザと、前記光検知器、前記
   偏向器とをパッケージにより実装したことを特徴とする
   請求項１乃至請求項７記載の光ピックアップ装置。
9. 【請求項９】前記１／４波長板は、一方の面に１／４波
   長板を形成すると共に他方の面にホログラム素子を形成
   した複合光学素子であることを特徴とする請求項１乃至
   ８記載の光ピックアップ装置。