JPH09219377A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置及び真空処理方法Info
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- JPH09219377A JPH09219377A JP2510796A JP2510796A JPH09219377A JP H09219377 A JPH09219377 A JP H09219377A JP 2510796 A JP2510796 A JP 2510796A JP 2510796 A JP2510796 A JP 2510796A JP H09219377 A JPH09219377 A JP H09219377A
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- JP
- Japan
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- high vacuum
- vacuum system
- vacuum
- processing
- adsorption
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸着式高真空システムを用いた処理室内に処
理時に発生するガスを効果的に排出して，処理室内の高
真空を維持する。 【解決手段】 １）処理室 1と, 該処理室に相互に並列
に接続する吸着式高真空システム 2と排気式補助高真空
システム 3とを有する真空処理装置， ２）この真空処理装置を用い，非処理時には前記吸着式
高真空システム 2のみを動作させ，少なくとも処理時に
は該吸着式高真空システム 2と前記排気式補助高真空シ
ステム 3とを動作させる真空処理方法， ３）処理室 1と, 該処理室に相互に並列に接続する吸着
式高真空システム 2と排気式補助高真空システム 3と，
真空スイッチ 5とを有し，該真空スイッチにより真空度
の低下を検知して該排気式補助高真空システムを動作さ
せるように構成してなる真空処理装置。
理時に発生するガスを効果的に排出して，処理室内の高
真空を維持する。 【解決手段】 １）処理室 1と, 該処理室に相互に並列
に接続する吸着式高真空システム 2と排気式補助高真空
システム 3とを有する真空処理装置， ２）この真空処理装置を用い，非処理時には前記吸着式
高真空システム 2のみを動作させ，少なくとも処理時に
は該吸着式高真空システム 2と前記排気式補助高真空シ
ステム 3とを動作させる真空処理方法， ３）処理室 1と, 該処理室に相互に並列に接続する吸着
式高真空システム 2と排気式補助高真空システム 3と，
真空スイッチ 5とを有し，該真空スイッチにより真空度
の低下を検知して該排気式補助高真空システムを動作さ
せるように構成してなる真空処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置及び真
空処理方法に係り, 特に半導体装置の製造プロセスに用
いられるイオン注入装置の真空排気系に関する。
空処理方法に係り, 特に半導体装置の製造プロセスに用
いられるイオン注入装置の真空排気系に関する。
【０００２】イオン注入プロセスは安全に且つ処理室内
の真空度を効果的に制御することが必要である。
の真空度を効果的に制御することが必要である。
【０００３】
【従来の技術】従来, イオン注入装置は処理室内の汚染
のない高真空度を維持するため，吸着式高真空システム
が用いられている。
のない高真空度を維持するため，吸着式高真空システム
が用いられている。
【０００４】近年のイオン注入装置の高電流化に伴い,
イオンビームの持つ熱エネルギーが大きくなって被イオ
ン注入物のレジストから水素ガスが大量に発生するとい
う問題がある。
イオンビームの持つ熱エネルギーが大きくなって被イオ
ン注入物のレジストから水素ガスが大量に発生するとい
う問題がある。
【０００５】これに対処するため，吸着式高真空システ
ムに吸着されたガスを放出する付帯作業の周期を短くす
ることや, 短い周期で吸着式ポンプの交換を行ってい
た。また，ガス発生に伴う処理室内の真空度の低下は，
電気的，物理的に発塵を発生させ, 微細化した素子に悪
影響を与えるため, イオン注入中の真空度低下が問題と
なっている。
ムに吸着されたガスを放出する付帯作業の周期を短くす
ることや, 短い周期で吸着式ポンプの交換を行ってい
た。また，ガス発生に伴う処理室内の真空度の低下は，
電気的，物理的に発塵を発生させ, 微細化した素子に悪
影響を与えるため, イオン注入中の真空度低下が問題と
なっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って, 半導体ウェー
ハ等の被イオン注入物にレジストが塗布されている場合
に, イオン注入を行うと水素等のガス及び気化されたレ
ジストが放出され, 吸着式高真空システム内にそれらが
吸着される。
ハ等の被イオン注入物にレジストが塗布されている場合
に, イオン注入を行うと水素等のガス及び気化されたレ
ジストが放出され, 吸着式高真空システム内にそれらが
吸着される。
【０００７】そこで，吸着された物質を放出するが, そ
の際に水素ガスの爆発の危険やレジスト等の汚染による
吸着式高真空システムの劣化が問題となっている。ま
た，吸着式高真空システムではイオン注入時に放出され
た物質により真空度が下がるという問題がある。
の際に水素ガスの爆発の危険やレジスト等の汚染による
吸着式高真空システムの劣化が問題となっている。ま
た，吸着式高真空システムではイオン注入時に放出され
た物質により真空度が下がるという問題がある。
【０００８】本発明は吸着式高真空システムを用いた処
理室内に処理時に発生するガスを効果的に排出して，処
理室内の高真空を維持することを目的とする。
理室内に処理時に発生するガスを効果的に排出して，処
理室内の高真空を維持することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）処理室と, 該処理室に相互に並列に接続する吸着式
高真空システムと排気式補助高真空システムとを有する
真空処理装置，あるいは ２）前記１記載の真空処理装置を用い，非処理時には前
記吸着式高真空システムのみを動作させ，少なくとも処
理時には該吸着式高真空システムと前記排気式補助高真
空システムとを動作させる真空処理方法，あるいは ３）処理室と, 該処理室に相互に並列に接続する吸着式
高真空システムと排気式補助高真空システムと，真空ス
イッチとを有し，該真空スイッチにより真空度の低下を
検知して該排気式補助高真空システムを動作させるよう
に構成してなる真空処理装置，あるいは ４）前記３記載の真空処理装置を用い，非処理時には前
記吸着式高真空システムのみを動作させ，前記処理室内
の真空度が低下した時には該吸着式高真空システム及び
前記真空スイッチを作動させて排気式補助高真空システ
ムの両方を動作させる真空処理方法，あるいは ５）前記処理室がイオン注入室である前記１あるいは３
記載の真空処理装置，あるいは ６）前記排気式補助高真空システムは前記吸着式高真空
システムよりも被処理物に近づけて設けられている前記
１あるいは３あるいは５記載の真空処理装置により達成
される。
高真空システムと排気式補助高真空システムとを有する
真空処理装置，あるいは ２）前記１記載の真空処理装置を用い，非処理時には前
記吸着式高真空システムのみを動作させ，少なくとも処
理時には該吸着式高真空システムと前記排気式補助高真
空システムとを動作させる真空処理方法，あるいは ３）処理室と, 該処理室に相互に並列に接続する吸着式
高真空システムと排気式補助高真空システムと，真空ス
イッチとを有し，該真空スイッチにより真空度の低下を
検知して該排気式補助高真空システムを動作させるよう
に構成してなる真空処理装置，あるいは ４）前記３記載の真空処理装置を用い，非処理時には前
記吸着式高真空システムのみを動作させ，前記処理室内
の真空度が低下した時には該吸着式高真空システム及び
前記真空スイッチを作動させて排気式補助高真空システ
ムの両方を動作させる真空処理方法，あるいは ５）前記処理室がイオン注入室である前記１あるいは３
記載の真空処理装置，あるいは ６）前記排気式補助高真空システムは前記吸着式高真空
システムよりも被処理物に近づけて設けられている前記
１あるいは３あるいは５記載の真空処理装置により達成
される。
【００１０】本発明では，吸着式高真空システムを用い
た真空処理において，処理時あるいはガス発生時のみ動
作させる排気式補助高真空システムを処理室に追加して
設ける。排気式補助高真空システムは処理時あるいはガ
ス発生時に生じる処理室内のガス圧増加を検知して自動
的に動作させることができる。
た真空処理において，処理時あるいはガス発生時のみ動
作させる排気式補助高真空システムを処理室に追加して
設ける。排気式補助高真空システムは処理時あるいはガ
ス発生時に生じる処理室内のガス圧増加を検知して自動
的に動作させることができる。
【００１１】また，排気式補助高真空システムはガス発
生箇所, 例えばターゲット付近に設けるとより効果的で
ある。図１は本発明の原理説明図である。
生箇所, 例えばターゲット付近に設けるとより効果的で
ある。図１は本発明の原理説明図である。
【００１２】図示されるように，処理室 1の真空度によ
り動作する排気式補助高真空システム 3を処理室のター
ゲット付近に設けることにより，処理時, 例えばイオン
注入時に発生した水素等のガスを効率よく排気する。
り動作する排気式補助高真空システム 3を処理室のター
ゲット付近に設けることにより，処理時, 例えばイオン
注入時に発生した水素等のガスを効率よく排気する。
【００１３】従って, 常時動作している吸着式高真空シ
ステム 2への水素あるいは気化されたレジストの吸着は
低減する。また，イオン注入を行っていない時は，ガス
の発生がないため真空度は高いので, 排気式補助高真空
システム 3は弁を閉じているので吸着式高真空システム
のみが動作しているので汚染の少ない高真空を維持でき
る。
ステム 2への水素あるいは気化されたレジストの吸着は
低減する。また，イオン注入を行っていない時は，ガス
の発生がないため真空度は高いので, 排気式補助高真空
システム 3は弁を閉じているので吸着式高真空システム
のみが動作しているので汚染の少ない高真空を維持でき
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】図２は本発明の実施の形態の説明
図である。図において， 1は処理室, 2は吸着式高真空
システム, 2Vは弁 (吸着式高真空システムのゲートバル
ブ), 3 は排気式補助高真空システム, 3Vは弁 (排気式
高真空システムのゲートバルブ), 4 はイオン注入室内
のターゲット, 5は真空スイッチである。
図である。図において， 1は処理室, 2は吸着式高真空
システム, 2Vは弁 (吸着式高真空システムのゲートバル
ブ), 3 は排気式補助高真空システム, 3Vは弁 (排気式
高真空システムのゲートバルブ), 4 はイオン注入室内
のターゲット, 5は真空スイッチである。
【００１５】イオン注入していない時は，弁2Vは開き吸
着式高真空システムのみが動作し，処理室内は汚染のな
い高真空が維持される。一方弁2Vは閉じ, 排気式補助高
真空システム 3は動作しない。これは, 処理室内が高真
空であるため真空スイッチ 5が作動しないからである。
着式高真空システムのみが動作し，処理室内は汚染のな
い高真空が維持される。一方弁2Vは閉じ, 排気式補助高
真空システム 3は動作しない。これは, 処理室内が高真
空であるため真空スイッチ 5が作動しないからである。
【００１６】イオン注入がターゲット ４に対して開始
されると，水素やレジストからガスが発生し，処理室 1
内の真空度が低下し始める。その時点で真空スイッチ 5
が真空度の低下を検知し，弁3Vを開放することにより排
気式補助高真空システム 3が動作し，処理室内に発生し
たガスを排気する。
されると，水素やレジストからガスが発生し，処理室 1
内の真空度が低下し始める。その時点で真空スイッチ 5
が真空度の低下を検知し，弁3Vを開放することにより排
気式補助高真空システム 3が動作し，処理室内に発生し
たガスを排気する。
【００１７】この実施の形態では, 排気式補助高真空シ
ステム 3の動作は真空スイッチを用いているが，イオン
注入の開始とほぼ同時に行ってもよい。ここで，イオン
注入装置を例にとり装置の構成を図３を用いて説明す
る。
ステム 3の動作は真空スイッチを用いているが，イオン
注入の開始とほぼ同時に行ってもよい。ここで，イオン
注入装置を例にとり装置の構成を図３を用いて説明す
る。
【００１８】図３は実施の形態の構成図である。吸着式
高真空システム 2としてはクライオジェニックポンプ
（CRYOポンプ) が用いられ，通常, 極低温に冷却された
活性炭等の吸着剤により排気ガスの吸着を行う。
高真空システム 2としてはクライオジェニックポンプ
（CRYOポンプ) が用いられ，通常, 極低温に冷却された
活性炭等の吸着剤により排気ガスの吸着を行う。
【００１９】排気式補助高真空システム 3の構成は, タ
ーボ分子ポンプ3Aからオイルフリーのルーツポンプ等の
ドライポンプ3Bを経て大気中に排気される。真空スイッ
チ 5は真空度制御機能付きの電離真空制御計を用いる。
5Aはイオンゲージ, 5Bはイオンゲージコントローラ, 5C
は排気式補助ポンプのコントローラである。
ーボ分子ポンプ3Aからオイルフリーのルーツポンプ等の
ドライポンプ3Bを経て大気中に排気される。真空スイッ
チ 5は真空度制御機能付きの電離真空制御計を用いる。
5Aはイオンゲージ, 5Bはイオンゲージコントローラ, 5C
は排気式補助ポンプのコントローラである。
【００２０】なお，この例では 6はイオンビーム生成ユ
ニット, 7はイオンビームのゲートバルブである。次
に, 圧力検出から排気式補助高真空システムの弁を開閉
する過程のフローの例を説明する。
ニット, 7はイオンビームのゲートバルブである。次
に, 圧力検出から排気式補助高真空システムの弁を開閉
する過程のフローの例を説明する。
【００２１】図４は排気システムの動作のフローチャー
トである。図で，過程11において, ゲートバルブの位置
センサにより弁3Vが開いているかどうかの状態を確認
し, 開いているときはＣに進み，閉じているときは過程
12に進む。
トである。図で，過程11において, ゲートバルブの位置
センサにより弁3Vが開いているかどうかの状態を確認
し, 開いているときはＣに進み，閉じているときは過程
12に進む。
【００２２】過程12においては, 電離真空制御計 5の下
限設定用リレーにより, 処理室の圧力の下限を設定し，
設定値より圧力が高いときはＡに帰り，設定値より圧力
が低いときは過程12に進む。
限設定用リレーにより, 処理室の圧力の下限を設定し，
設定値より圧力が高いときはＡに帰り，設定値より圧力
が低いときは過程12に進む。
【００２３】過程13において，イオンビームのゲートバ
ルブの位置センサにより, 注入状態を確認し，注入して
いないときはＡに進み，注入しているときは過程14に進
む。過程14において，排気式補助ポンプのコントローラ
により，排気式補助システムの状態を確認し，システム
に以上があって動作不能のときはＤに進み，動作可能の
ときは過程15に進む。
ルブの位置センサにより, 注入状態を確認し，注入して
いないときはＡに進み，注入しているときは過程14に進
む。過程14において，排気式補助ポンプのコントローラ
により，排気式補助システムの状態を確認し，システム
に以上があって動作不能のときはＤに進み，動作可能の
ときは過程15に進む。
【００２４】過程15において，排気式補助ポンプのコン
トローラにより，弁3Vを開け次の過程16に進む。過程16
において，電離真空制御計 5の上限設定用リレーによ
り, 処理室の圧力の上限を設定し，設定値より圧力が高
いときはＢに帰り，設定値より圧力が低いときは処理を
行い過程17に進む。
トローラにより，弁3Vを開け次の過程16に進む。過程16
において，電離真空制御計 5の上限設定用リレーによ
り, 処理室の圧力の上限を設定し，設定値より圧力が高
いときはＢに帰り，設定値より圧力が低いときは処理を
行い過程17に進む。
【００２５】過程17において，排気式補助ポンプのコン
トローラにより，弁3Vを閉じＡに帰り，処理を繰り返
す。過程18はシステム異常時に排気式補助ポンプのコン
トローラにより，弁3Vを閉じ, 警報を鳴らし，警報をリ
セットしてシステムを補修した後にＡに進む。
トローラにより，弁3Vを閉じＡに帰り，処理を繰り返
す。過程18はシステム異常時に排気式補助ポンプのコン
トローラにより，弁3Vを閉じ, 警報を鳴らし，警報をリ
セットしてシステムを補修した後にＡに進む。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば，吸着式高真空システム
を用いた処理室内に処理時に発生するガスを効果的に排
出して，処理室内の高真空を維持することができる。
を用いた処理室内に処理時に発生するガスを効果的に排
出して，処理室内の高真空を維持することができる。
【００２７】従って, 吸着式高真空システムに吸着され
たガスを放出するための付帯作業の周期を長くすること
ができ，装置のスループットを向上できる。さらに，危
険な水素ガスの吸着による吸着式高真空システムの爆発
事故を防止することができる。
たガスを放出するための付帯作業の周期を長くすること
ができ，装置のスループットを向上できる。さらに，危
険な水素ガスの吸着による吸着式高真空システムの爆発
事故を防止することができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施の形態の説明図
【図３】 本発明の実施の形態の構成図
【図４】 本発明の排気システムの動作のフローチャー
ト
ト
1 処理室 2 吸着式高真空システム 2V 弁 3 排気式補助高真空システム 3V 弁 4 イオン注入室内のターゲット 5 真空スイッチ 5A イオンゲージ 5B イオンゲージコントローラ 5C 排気式補助ポンプのコントローラ 6 イオンビーム生成ユニット 7 イオンビームのゲートバルブ
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室と, 該処理室に相互に並列に接続
する吸着式高真空システムと排気式補助高真空システム
とを有することを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の真空処理装置を用い，非
処理時には前記吸着式高真空システムのみを動作させ，
少なくとも処理時には該吸着式高真空システムと前記排
気式補助高真空システムとを動作させることを特徴とす
る真空処理方法。 - 【請求項３】 処理室と, 該処理室に相互に並列に接続
する吸着式高真空システムと排気式補助高真空システム
と，真空スイッチとを有し，該真空スイッチにより真空
度の低下を検知して該排気式補助高真空システムを動作
させるように構成してなることを特徴とする真空処理装
置。 - 【請求項４】 請求項３記載の真空処理装置を用い，非
処理時には前記吸着式高真空システムのみを動作させ，
前記処理室内の真空度が低下した時には該吸着式高真空
システム及び前記真空スイッチを作動させて排気式補助
高真空システムの両方を動作させることを特徴とする真
空処理方法。 - 【請求項５】 前記処理室がイオン注入室であることを
特徴とする請求項１あるいは３記載の真空処理装置。 - 【請求項６】 前記排気式補助高真空システムは前記吸
着式高真空システムよりも被処理物に近づけて設けられ
ていることを特徴とする請求項１あるいは３あるいは５
記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2510796A JPH09219377A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2510796A JPH09219377A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219377A true JPH09219377A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12156710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2510796A Withdrawn JPH09219377A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000327480A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ設備及びその操作方法 |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP2510796A patent/JPH09219377A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000327480A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶引上げ設備及びその操作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |