JPH09219404A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は電界めっき法を用いたバンプ電極の形
成方法に関し、電界めっき法により形成されるバンプ電
極の高さを均一化することを課題とする。 【解決手段】バンプ電極を形成するシリコンウエハ１を
めっき液２５が装填されためっき処理カップ２１内に浸
漬し、めっき液２５を噴流ノズル２２からシリコンウエ
ハ１の中央に噴流させると共に、めっき処理カップ２１
内に配設されたアノード電極２３により電界印加するこ
とによりシリコンウエハ１にバンプ電極を電界めっき法
を用いて形成するバンプ電極の形成方法において、前記
シリコンウエハ１のバンプ電極形成面と異なる面がめっ
き液２５に触れない状態を維持しつつ、シリコンウエハ
１をめっき液２５の液面より深い位置に浸漬させ、前記
電界がシリコンウエハ１の周辺部に回り込む状態で電界
めっきを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はバンプ電極の形成方
法に係り、特に電界めっき法を用いたバンプ電極の形成
方法に関する。近年、半導体チップの高密度化により半
導体チップの有する電極数は増大する傾向にある。ま
た、半導体チップには小型化の要求もあり、多数の電極
を狭いチップ上に効率良く配置する必要がある。この半
導体装置の高密度化及び小型化に対応しうる電極とてし
バンプ電極が知られている。

【０００２】このバンプ電極の形成方法としては種々の
形成方法が提案されているが、その一つとして電界めっ
き法を用いたバンプ電極の形成方法が知られている。こ
の電界めっき法を用いてバンプ電極を形成する方法で
は、ウエハ上に形成された複数の半導体チップに対し一
括的にバンプ電極を形成できるため、バンプの形成効率
を向上することができる。

【０００３】ところで、電界めっき法によりバンプを形
成し、実装を行う半導体チップでは、バンプ高さのバラ
ツキのよる歩留りが悪く、バンプ高さのバラツキ低減が
要求されている。このため、バンプを形成する電界めっ
き処理方法を改善することによりバンプ高さのバラツキ
を低減し歩留りを向上することが望まれている。

【０００４】

【従来の技術】従来、図４に示される基板（シリコンウ
エハ）１に対しバンプ電極を形成するには、図５或いは
図６に示すめっき処理装置３，４を用いて行っていた。
先ずめっき処理が実施される前のシリコンウエハ１の構
成について説明する。シリコンウエハ１は、図４（Ａ）
に示されるように、複数の半導体チップ５が形成された
チップ形成領域６を有しており、またチップ形成領域６
の外周部分の所定位置には電界めっき時にめっき電流が
供給される複数のめっき電流供給部７が形成されてい
る。

【０００５】また、図４（Ｂ）に拡大して示すように、
チップ形成領域６に形成された各半導体チップ５にはバ
ンプ形成用電極８が形成されている。この各バンプ形成
用電極８は、前記しためっき電流供給部７に電気的に接
続された構成とされている。上記構成とされたシリコン
ウエハ１は、図５或いは図６に示すめっき処理装置３，
４に装着されてバンプ形成用電極８上にバンプ電極が形
成される。

【０００６】図５に示すめっき処理装置３は、カップ型
噴流タイプのめっき処理装置であり、有底筒状（カップ
状）のめっき処理カップ９の内部にめっき液１０（梨地
で示す）が満たされた構成とされている。シリコンウエ
ハ１は、このめっき処理カップ９の上端部に装着され
る。

【０００７】また、めっき処理カップ９の底面中央位置
には噴流ノズル１１が設けられており、めっき液１０は
この噴流ノズル１１からめっき処理カップ９内に噴流さ
れる構成とされている（めっき液１０の流れを図５に破
線の矢印で示す）。また、余剰となっためっき液１０
は、めっき処理カップ９の上部より外部に流出する。更
に、めっき処理カップ９の底面近傍位置には、装着状態
にあるシリコンウエハ１と対向するようアノード電極１
２が配設されている。

【０００８】上記構成とされためっき処理装置３におい
て、バンプ電極を電界めっきにより形成しようとする場
合、先ずシリコンウエハ１をめっき処理カップ９の上部
開口部に装着する。この際、従来のめっき処理装置３で
は、めっき処理カップ９の上部開口部における径寸法
は、シリコンウエハ１を載置するに足る寸法となるよう
設定されていた。

【０００９】上記のようにシリコンウエハ１をめっき処
理カップ９に装着すると、めっき電流供給部７及びアノ
ード電極１２は電流供給装置に接続され、シリコンウエ
ハ１とアノード電極１２との間に電界が形成される（図
５にシリコンウエハ１とアノード電極１２との間に形成
される電界の様子を実線の矢印で示す）。これにより、
めっき液１０内のバンプ電極となる金属イオンはバンプ
形成用電極８に堆積しバンプ電極が形成される。

【００１０】一方、図６に示すめっき処理装置４はラッ
クタイプのめっき処理装置である。このラックタイプの
めっき処理装置４は、めっき槽１３の内部にめっき液１
０（梨地で示す）が充填されており、シリコンウエハ１
はラック１４に装着された状態でめっき槽１３内に浸漬
される。このように、ラック１４を用いてシリコンウエ
ハ１をめっき槽１３に浸漬することにより、シリコンウ
エハ１はめっき液１０の液面よりも深い位置において浸
漬されることとなる。

【００１１】また、めっき槽１３内にはアノード電極１
５が配設されており、このアノード電極１５はラック１
４をめっき槽１３内の所定位置に装着した状態におい
て、ラック１４に装着されたシリコンウエハ１と対向す
るよう構成されている。上記のようにラック１４に装着
されたシリコンウエハ１をめっき槽１３に浸漬させる
と、めっき電流供給部７及びアノード電極１５は電流供
給装置に接続され、シリコンウエハ１とアノード電極１
５との間に電界が形成される（図６にシリコンウエハ１
とアノード電極１５との間に形成される電界の様子を実
線の矢印で示す）。これにより、めっき液１０内のバン
プ電極となる金属イオンはバンプ形成用電極８に堆積し
バンプ電極が形成される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ここで、上記しためっ
き処理装置３，４を用いることにより形成されたバンプ
電極の高さを測定した実験結果を図７及び図８に示す。
図７に示す実験結果はカップ型噴流タイプのめっき処理
装置３により形成されたバンプ電極の高さを示してお
り、図８に示す実験結果はラックタイプのめっき処理装
置４により形成されたバンプ電極の高さを示している。

【００１３】各図において、横軸は図１（Ａ）に示した
シリコンウエハ１のTop からBottomまでの位置に対応し
ており、縦軸は形成されたバンプ電極の高さを示して
る。また、バンプ電極は各位置において複数個形成され
るため、各図において矢印Ａで示すのはその位置で最も
高いバンプ電極の高さ(Max) を示し、矢印Ｂで示すのは
最も低いバンプ電極の高さ(Min) を示し、矢印Ｃで示す
のはその位置におけるバンプ電極の高さの平均値(Avg)
を示し、更に矢印Ｄで示すのは最も高いバンプ電極の高
さ(Max) と最も低いバンプ電極の高さ(Min) との差（Ma
x-Min)を示している。

【００１４】先ず、図７に示されるカップ型噴流タイプ
のめっき処理装置３により形成されたバンプ電極の高さ
に注目すると、カップ型噴流タイプのめっき処理装置３
により形成されたバンプ電極はシリコンウエハ１の中央
位置においてバンプ電極の高さが高く、周辺部において
バンプ電極の高さが低くなっていることが判る。

【００１５】また、図８に示されるラックタイプのめっ
き処理装置４により形成されたバンプ電極の高さに注目
すると、ラックタイプのめっき処理装置４により形成さ
れたバンプ電極はシリコンウエハ１の中央位置において
バンプ電極の高さが低く、周辺部においてバンプ電極の
高さが高くなっていることが判る。

【００１６】従って、図７及び図８に示した実験結果か
ら明らかなように、従来のめっき処理装置３，４では、
シリコンウエハ１の全面において均一な高さのバンプ電
極を形成することができないという問題点があった。こ
のように、シリコンウエハ１の中央部と周辺部でバンプ
電極の高さが異なると、予め既定されているバンプ高さ
と異なる半導体チップ５が多数製造されることとなり、
１枚のシリコンウエハ１から製造される良品となる半導
体チップ５の数が少なくなり製造歩留りが低下してしま
う。

【００１７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、電界めっき法により形成されるバンプ電極の高さ
を均一化することができるバンプ電極の形成方法を提供
することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、バンプ電極を形成する基板をめっき液
が装填されためっき処理槽内に浸漬し、前記めっき液を
前記基板中央に噴流させると共に、前記めっき処理槽内
に配設されたアノードにより電界印加することにより前
記基板にバンプ電極を電界めっき法を用いて形成するバ
ンプ電極の形成方法において、前記基板のバンプ電極形
成面と異なる面が前記めっき液に触れない状態を維持し
つつ、前記基板を前記めっき液の液面より深い位置に浸
漬させ、前記電界が前記基板の周辺部に回り込む状態で
電界めっきを行うことを特徴とするものである。

【００１９】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載のバンプ電極の形成方法において、前記めっき
処理槽として、カップ型噴流式めっき処理槽を用いたこ
とを特徴とするものである。

【００２０】また、請求項３記載の発明では、前記請求
項１または２記載のバンプ電極の形成方法において、前
記バンプ電極を形成する基板を水平に対して３０度以下
傾けた状態で前記めっき処理槽内に浸漬することを特徴
とするものである。

【００２１】更に、請求項４記載の発明では、前記請求
項１乃至３のいずれかに記載のバンプ電極の形成方法に
おいて、前記基板を前記めっき液の液面より３ｍｍ以上
浸漬することを特徴とするものである。

【００２２】上記の各手段は次のように作用する。請求
項１記載の発明によれば、めっき液をバンプ電極を形成
する基板の中央に噴流するバンプ電極の形成方法におい
て、基板のバンプ電極形成面と異なる面がめっき液に触
れない状態を維持しつつ、基板をめっき液の液面より深
い位置に浸漬させ、かつ電界が基板の周辺部に回り込む
状態で電界めっきを行うことにより、形成されるバンプ
電極の高さを均一化することができる。

【００２３】以下、この理由について説明する。先ず図
５に注目し、カップ型噴流タイプのめっき処理装置３に
おいて形成されるバンプ電極が中央において高くなる理
由について考察する。カップ型噴流タイプのめっき処理
装置３は、図５に示されるように噴流ノズル１１から新
規なめっき液がめっき処理カップ９内に流入する。この
めっき処理カップ９内に流入した新規なめっき液は、図
中破線で示されるように装着されたシリコンウエハ１の
中央部に当たり、その後にシリコンウエハ１の周辺部に
向け流れる流路を形成する。

【００２４】従って、カップ型噴流タイプのめっき処理
装置３では、バンプ電極となる金属イオンを多く含む新
規なめっき液がシリコンウエハ１の中央部に集中的に噴
流されることにより、シリコンウエハ１の中央部におい
て高いバンプ電極が形成されるものと推定される。

【００２５】これに対し、ラックタイプのめっき処理装
置４では、噴流ノズル１１が設けられていないため、上
記のような現象が生じることはない。次に、図６に注目
し、ラックタイプのめっき処理装置４において形成され
るバンプ電極が周辺部において高くなる理由について考
察する。

【００２６】ラックタイプのめっき処理装置４は、図６
に示されるようにラック１４を用いることによりシリコ
ンウエハ１はめっき槽１３に深く浸漬された状態でバン
プ電極の形成処理（電界めっき処理）が実施される。こ
の時、シリコンウエハ１とアノード電極１５との間に形
成される電界に注目すると、シリコンウエハ１はめっき
槽１３に深く浸漬されているため、シリコンウエハ１の
周辺部分では回り込んだ電界（図中、参照符号１６で示
す。尚、以下回り込み電界という）が電界めっきに作用
する。

【００２７】よって、ラックタイプのめっき処理装置４
では、この回り込み電界１６に起因して、中央部に対し
てシリコンウエハ１の周辺部に強い電界が作用する。電
界めっきにより金属の析出量は電界が強いほど増大す
る。よって、ラックタイプのめっき処理装置４では、シ
リコンウエハ１の周辺部において高いバンプ電極が形成
されるものと推定される。

【００２８】これに対し、カップ型噴流タイプのめっき
処理装置３では、シリコンウエハ１はメッキ液１０内に
浸漬されず、めっき処理カップ９の上部に載置された状
態で電界めっきが行われるため、回り込み電界はシリコ
ンウエハ１に作用することはない。

【００２９】続いて、以上説明した事項に基づき請求項
１に係るバンプ電極の形成方法の作用について考察す
る。本請求項に係るバンプ電極の形成方法では、めっき
液をバンプ電極を形成する基板の中央に噴流するため、
カップ型噴流タイプのめっき処理装置３と同様に、基板
中央部に形成されるバンプ電極の高さは高くなる。

【００３０】また、本請求項に係るバンプ電極の形成方
法では、基板をめっき液の液面より深い位置に浸漬させ
ることにより、電界が基板の周辺部に回り込む状態で電
界めっきを行っている。よって、ラックタイプのめっき
処理装置４と同様に、基板周辺部に形成されるバンプ電
極の高さは高くなる。

【００３１】従って、基板中央位置においてはめっき液
が噴流されることによりバンプ電極の高さは高くなり、
かつ基板周辺位置においては電界が回り込むことにより
バンプ電極の高さは高くなるため、基板全体にわたりバ
ンプ電極の高さを均一化することができる。

【００３２】また、請求項２記載の発明によれば、めっ
き処理槽としてカップ型噴流式めっき処理槽を用いたこ
とにより、従来の電界めっき設備を大きく変更すること
なく、均一な高さを有するバンプ電極を形成することが
可能となる。

【００３３】また、請求項３記載の発明によれば、バン
プ電極を形成する基板を水平に対して３０度以下傾けた
状態でめっき処理槽内に浸漬することにより、めっき処
理時に基板（陽極，陰極）に気泡が発生しても、発生し
た気泡は傾いた基板に案内されて基板上から排除され
る。よって、この気泡に起因してめっき不良が発生する
ことを防止でき、品質の高いめっき処理を行うことがで
きる。

【００３４】また、請求項４記載の発明によれば、めっ
き処理装置の各条件を適宜設定することにより、均一高
さを有するバンプ電極を安定して形成することができ
る。

【００３５】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１は、本発明の一実施例である
バンプ電極の形成方法に用いるめっき処理装置２０を示
す構成図である。同図に示すめっき処理装置２０は、図
５に示したカップ型噴流タイプのめっき処理装置３を改
良した構成とされており、大略するとめっき処理槽とな
るめっき処理カップ２１，噴流ノズル２２，アノード電
極２３，及びウエハ治具２４等により構成されている。

【００３６】また、本実施例に係るめっき処理装置２０
は、図４に示した構成の６inシリコンウエハ１に対しバ
ンプ電極を形成するものである。尚、シリコンウエハ１
の構成については、図４を用いて既に説明したため、こ
こでの説明は省略する。めっき処理カップ２１は有底筒
状（カップ状）の形状を有しており、その内径は例えば
φ250mm とされている。従って、めっき処理カップ２１
の内径は、図５に示した従来のカップ型噴流タイプのメ
ッキ処理装置３に対して大きな内径を有した構造とされ
ている。

【００３７】このめっき処理カップ２１には、めっき液
２５（梨地で示す）が装填されている。本実施例では、
バンプ電極となる析出金属を半田としているため、めっ
き液２５としてはスルホン酸系のＰｂ−Ｓｎめっき液を
使用している。また、めっき処理カップ２１の底面中央
位置には噴流ノズル２２が設けられており、新規なめっ
き液２５は噴流ノズル２２からめっき処理カップ２１内
に噴流される構成とされている（めっき液２５の流れを
図１に破線の矢印で示す）。本実施例では、噴流ノズル
２２から噴流されるめっき液２５の流量は、１８リット
ル／min とされている。

【００３８】この噴流ノズル２２は、めっき液供給装置
に接続されており、このめっき液供給装置より噴流ノズ
ル２２にめっき液２５は供給される。しかるに、このめ
っき液供給装置は従来のカップ型噴流タイプのメッキ処
理装置３においても設けられていたものである。

【００３９】よって、従来から用いられているめっき液
供給装置を含むめっき処理のための設備を大きく変更す
ることなく、本実施例に係るめっき処理装置２０をめっ
き処理設備に組み込むことができる。尚、噴流ノズル２
２から新規なめっき液２５が導入されることにより余剰
となっためっき液２５は、めっき処理カップ２１の上部
より外部に流出する。

【００４０】また、めっき処理カップ２１の底面近傍位
置には、装着状態にあるシリコンウエハ１と対向するよ
うアノード電極２３が配設されている。このアノード電
極２３はφ150mm の大きさとされており、チタン（Ｔ
ｉ）のメッシュに白金（Ｐｔ）がメッキされた構成とさ
れている。本実施例では、アノード電極２３はめっき処
理カップ２１内で水平となるよう取り付けられている。

【００４１】一方、ウエハ治具２４はシリコンウエハ１
を装着すると共に、装着されたシリコンウエハ１をめっ
き処理カップ２１に装填されためっき液２５内に浸漬さ
せる機能を有するものである。このウエハ治具２４は筒
状形状を有しており、下端部にシリコンウエハ１を支持
する支持部２６が形成されている。このウエハ治具２４
は、めっき処理カップ２１の略中央部において昇降動作
しうる構成とされている。

【００４２】また、ウエハ治具２４に設けられた支持部
２６は、シリコンウエハ１の外周部と係合しこれを支持
すると共に、シリコンウエハ１をめっき液２５内に浸漬
させた状態でめっき液２５がシリコンウエハ１の背面側
に回り込まないよう構成されている。

【００４３】更に、シリコンウエハ１は、バンプ電極形
成面がめっき処理カップ２１と対向するようウエハ治具
２４に取り付けられると共に、本実施例ではシリコンウ
エハ１はウエハ治具２４に水平状態となるよう取り付け
られている。続いて、上記構成とされたメッキ処理装置
２０を用いてバンプ電極を形成する方法について説明す
る。

【００４４】メッキ処理装置２０を用いてバンプ電極を
形成するには、先ずシリコンウエハ１をウエハ治具２４
に装着する。続いて、ウエハ治具２４をめっき処理カッ
プ２１に向け可動させ、シリコンウエハ１をめっき処理
カップ２１に装填されているめっき液２５に浸漬させ
る。図１は、シリコンウエハ１をめっき液２５に浸漬し
た状態を示している。

【００４５】同図から明らかなように、めっき処理カッ
プ２１の内径はφ250mm であり、またシリコンウエハ１
は６in径であるため、浸漬した状態でシリコンウエハ１
はめっき液２５に完全に沈められた状態となる。即ち、
シリコンウエハ１の位置は、めっき液２５の水面に対し
所定量（以下、この量を深さ量といい、図１に矢印ｈで
示す）だけ下に位置することとなる。

【００４６】しかるに、前記したようにシリコンウエハ
１をめっき液２５の水面下に位置させても、ウエハ治具
２４によりめっき液２５がシリコンウエハ１の背面に回
り込むことはない。よって、バンプ電極の形成後にシリ
コンウエハ１の背面に対しめっき液２５の洗浄処理を行
う必要はなく、また背面にめっきが析出することもない
ため、バンプ電極の形成工程の簡単化を図ることができ
る。

【００４７】上記のようにシリコンウエハ１をめっき液
２５に浸漬させると、続いてめっき電流供給部７とアノ
ード電極２３を電流供給装置に接続する。これにより、
シリコンウエハ１とアノード電極２３との間に電界が形
成される（図１にシリコンウエハ１とアノード電極２３
との間に形成される電界の様子を実線の矢印で示す）。
これにより、めっき液２５内のバンプ電極となる金属イ
オンはバンプ形成用電極８に堆積しバンプ電極が形成さ
れる。

【００４８】続いて、上記したバンプ電極の形成方法の
作用について考察する。本実施例に係るバンプ電極の形
成方法では、めっき液２５を噴流ノズル２２からバンプ
電極を形成するシリコンウエハ１の中央に噴流するた
め、従来のカップ型噴流タイプのめっき処理装置３（図
５参照）と同様に、シリコンウエハ１の中央部に形成さ
れるバンプ電極の高さは高くなる。

【００４９】また、本実施例に係るバンプ電極の形成方
法では、ウエハ治具２４を用いてシリコンウエハ１をめ
っき液２５の液面より深い位置に浸漬させることによ
り、めっき電流供給部７とアノード電極２３との間に発
生する電界の内、シリコンウエハ１の周辺部に形成され
る回り込み電界２７も電界めっきに作用する。よって、
従来のラックタイプのめっき処理装置４（図６参照）と
同様に、シリコンウエハ１の周辺部に形成されるバンプ
電極の高さも高くなる。

【００５０】従って、シリコンウエハ１の中央位置にお
いてはめっき液２５が噴流されることによりバンプ電極
の高さが高くなり、かつシリコンウエハ１の周辺位置に
おいては回り込み電界２７が作用することによりバンプ
電極の高さは高くなり、これによりシリコンウエハ１の
全体にわたりバンプ電極の高さを均一化することができ
る。

【００５１】但し、本発明者の実験では、本実施例に係
る形成方法を用いて形成されるバンプ電極の高さは、種
々の条件により影響されることが判った。この条件をま
とめて下記する。 (1) めっき処理槽がカップ型噴流タイプでない場合に
は、従来のラックタイプのような析出傾向となり、バン
プ高さを均一化することはできない。 (2) めっき処理カップ２１のカップ内径がシリコンウエ
ハ１の直径の３倍を超える場合は、従来のラックタイプ
のような析出傾向となり、バンプ高さを均一化すること
はできない。 (3) 深さ量ｈが３mmを下回る場合には、従来のカップ型
噴流タイプのような析出傾向となり、バンプ高さを均一
化することはできない。 (4) シリコンウエハ１とアノード電極２３との離間距離
（図１に矢印Ｈで示す）は、10〜150mm の範囲で良好な
バンプ高さの均一化を実現できる。また、バンプ高さの
均一化を図るためには、シリコンウエハ１とアノード電
極２３とを平行に配置する必要がある。

【００５２】よって、上記した各条件を満足させること
により、シリコンウエハ１の全体にわたり均一な高さを
有したバンプ電極を形成することができる。図２は、本
実施例に係るバンプ電極の形成方法を用いて形成された
バンプ電極の高さを測定した実験結果である。尚、同図
においても図７及び図８と同様に横軸は図１（Ａ）に示
したシリコンウエハ１のTop からBottomまでの位置に対
応しており、縦軸は形成されたバンプ電極の高さを示し
てる。

【００５３】また、バンプ電極は各位置において複数個
形成されるため、図中矢印Ａで示すのは各位置において
夫々複数個形成されるバンプの内、最も高いバンプ電極
の高さ(Max) を示し、矢印Ｂで示すのは最も低いバンプ
電極の高さ(Min) を示し、矢印Ｃで示すのはその位置に
おけるバンプ電極の高さの平均値(Avg) を示し、更に矢
印Ｄで示すのは最も高いバンプ電極の高さ(Max) と最も
低いバンプ電極の高さ(Min) との差（Max-Min)を示して
いる。

【００５４】同図から明らかなように、本実施例に係る
バンプ電極の形成方法を用いてバンプ電極を形成するこ
とにより、バンプ電極の高さはシリコンウエハ１の全面
にわたり均一化されていることが判る。よって、同図よ
り本実施例に係るバンプ電極の形成方法を用いることに
より、形成されるバンプ電極の高さを均一化することが
実証された。上記のように本実施例に係るバンプ電極の
形成方法を用いることによりバンプ電極の高さを均一化
できるため、バンプ電極が形成される半導体チップ５の
歩留りを向上することができる。

【００５５】図３は、本実施例に係るバンプ電極の形成
方法を用いためっき処理装置の他実施例を示している。
尚、同図において、図１に示しためっき処理装置２０と
対応する構成については同一符号を附してその説明を省
略する。同図に示すめっき処理装置３０は、シリコンウ
エハ１の水平に対する角度αが３０度以下となるよう傾
け、この傾いた状態でメッキ処理カップ２１内のめっき
液２５に浸漬しうるよう構成したことを特徴とするもの
である。

【００５６】この構成は、ウエハ治具２４にシリコンウ
エハ１が水平に対して３０度以下傾けられた状態で支持
されるよう構成することにより容易に実現することがで
きる。また、上記した(4) の条件を満足させるため、ア
ノード電極２３も水平に対して傾けてシリコンウエハ１
と平行となるよう構成されている。

【００５７】上記のようにシリコンウエハ１を傾けるこ
とにより、電界メッキ中に陰極（陽極から発生する場合
もある）から発生した気泡３１はシリコンウエハ１の表
面に沿って抜け易くなり、よって形成途中のバンプ電極
に気泡３１が付着することを防止することができる。こ
の気泡３１が形成途中のバンプ電極に付着すると、いわ
ゆるめっき欠けが発生し、均一なバンプ電極の形成がで
きなくなる（めっき欠けが発生したバンプ電極は、正常
なバンプ電極に対して低くなる）。

【００５８】しかるに、上記のようにシリコンウエハ１
を傾けることにより、めっき欠けの発生を抑制すること
ができ、均一なバンプ電極の形成が可能となる。また、
シリコンウエハ１の傾き角度を３０度以下としたのは次
の理由による。即ち、シリコンウエハ１の傾き角度が３
０度を超えると、噴流するめっき液２５がシリコンウエ
ハ１に均一に当たらなくなり、これにより均一高さを有
するバンプ電極の形成が不能となる。よって、シリコン
ウエハ１の傾き角度は３０度以下とする必要がある。

【００５９】尚、上記した実施例ではバンプ電極となる
析出金属として半田を用いた例を示したが、本実施例に
よるバンプ電極の形成方法は半田バンプの形成に限定さ
れるものではなく、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃ
ｕ），インジウム（Ｉｎ），ビスマス（Ｂｉ），錫（Ｓ
ｎ）合金，鉛（Ｐｂ）合金等の種々の金属に対しても適
用することができる。

【００６０】また、上記した実施例では基板としてシリ
コンウエハ１を用いた例を示したが、他の半導体基板或
いは絶縁基板に対しても本発明方法を適用することがで
きる。更に、本発明方法は、バンプ電極の形成に限定さ
れず、析出される金属の高さ（厚さ）を均一としたい電
界メッキにおいて広く適用できるものである。

【００６１】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
効果を実現することができる。請求項１及び請求項４記
載の発明によれば、形成されるバンプ電極の高さを均一
化することができ、よって歩留りの向上を図ることがで
きる。

【００６２】また、請求項２記載の発明によれば、従来
の電界めっき設備を大きく変更することなく均一な高さ
を有するバンプ電極を形成することが可能となる。ま
た、請求項３記載の発明によれば、めっき処理時に基板
に気泡が発生しても、発生した気泡は傾いた基板に案内
されて基板上から排除されるため、気泡に起因してめっ
き不良が発生することを防止でき、品質の高いめっき処
理を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるバンプ電極の形成方法
に用いるめっき処理装置を示す構成図である。

【図２】本発明の第１実施例であるバンプ電極の形成方
法を用いて形成されたバンプ電極の高さを示す図であ
る。

【図３】本発明の一実施例であるバンプ電極の形成方法
に用いるめっき処理装置の他実施例を示す構成図であ
る。

【図４】バンプ電極が形成されるシリコンウエハの構造
を説明するための図である。

【図５】従来のバンプ電極の形成方法で用いられていた
カップ型噴流タイプのめっき処理装置を示す構成図であ
る。

【図６】従来のバンプ電極の形成方法で用いられていた
ラックタイプのめっき処理装置を示す構成図である。

【図７】カップ型噴流タイプのめっき処理装置で形成さ
れたバンプ電極の高さを示す図である。

【図８】ラックタイプのめっき処理装置で形成されたバ
ンプ電極の高さを示す図である。

【符号の説明】

１ シリコンウエハ ５ 半導体チップ ６ チップ形成領域 ７ めっき電流供給部 ８ バンプ形成用電極 ２０ めっき処理装置 ２１ めっき処理カップ ２２ 噴流ノズル ２３ アノード電極 ２４ ウエハ治具 ２５ めっき液 ２６ 支持部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バンプ電極を形成する基板をめっき液が
   装填されためっき処理槽内に浸漬し、前記めっき液を前
   記基板中央に噴流させると共に、前記めっき処理槽内に
   配設されたアノードにより電界印加することにより前記
   基板にバンプ電極を電界めっき法を用いて形成するバン
   プ電極の形成方法において、 前記基板のバンプ電極形成面と異なる面が前記めっき液
   に触れない状態を維持しつつ、前記基板を前記めっき液
   の液面より深い位置に浸漬させ、前記電界が前記基板の
   周辺部に回り込む状態で電界めっきを行うことを特徴と
   するバンプ電極の形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のバンプ電極の形成方法に
   おいて、 前記めっき処理槽として、カップ型噴流式めっき処理槽
   を用いたことを特徴とするバンプ電極の形成方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のバンプ電極の形
   成方法において、 前記バンプ電極を形成する基板を水平に対して３０度以
   下傾けた状態で前記めっき処理槽内に浸漬することを特
   徴とするバンプ電極の形成方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のバン
   プ電極の形成方法において、 前記基板を前記めっき液の液面より３ｍｍ以上浸漬する
   ことを特徴とするバンプ電極の形成方法。