JPH0922033A - 非線形光デバイス - Google Patents
非線形光デバイスInfo
- Publication number
- JPH0922033A JPH0922033A JP7170613A JP17061395A JPH0922033A JP H0922033 A JPH0922033 A JP H0922033A JP 7170613 A JP7170613 A JP 7170613A JP 17061395 A JP17061395 A JP 17061395A JP H0922033 A JPH0922033 A JP H0922033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- light
- nonlinear optical
- mirror
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 258
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 9
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- KDEDDPRZIDYFOB-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylnitramide Chemical compound [O-][N+](=O)N(C)C1=CC=CC=C1 KDEDDPRZIDYFOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 2
- VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N selenium sulfide Chemical compound [Se]=S VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960005265 selenium sulfide Drugs 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光入射による非線形光学材料の屈折率変化や
光吸収係数の変化を利用して、光スイッチング動作ある
いは光双安定動作を実現している非線形光デバイスにお
いて、光吸収のある非線形光学材料の性能を十分に利用
することのできる非線形光デバイスを提供する。 【構成】 2枚のミラーと、光吸収作用を有する光非線
形材料とからなる共振器型の非線形光デバイスにおい
て、前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、t=λ/
(2×n)であり、かつ前記ミラーの反射率が一定であ
る場合には、前記共振器に共鳴した光波長における光透
過率が0.5〜0.8である、または、前記非線形光学
材料の光学定数が一定である場合に、前記共振器に共鳴
した光波長における光透過率が、0.1〜0.4である
非線形光デバイスである。
光吸収係数の変化を利用して、光スイッチング動作ある
いは光双安定動作を実現している非線形光デバイスにお
いて、光吸収のある非線形光学材料の性能を十分に利用
することのできる非線形光デバイスを提供する。 【構成】 2枚のミラーと、光吸収作用を有する光非線
形材料とからなる共振器型の非線形光デバイスにおい
て、前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、t=λ/
(2×n)であり、かつ前記ミラーの反射率が一定であ
る場合には、前記共振器に共鳴した光波長における光透
過率が0.5〜0.8である、または、前記非線形光学
材料の光学定数が一定である場合に、前記共振器に共鳴
した光波長における光透過率が、0.1〜0.4である
非線形光デバイスである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速光スイッチなど
に利用される共振器構造を有する非線形光デバイスに関
し、さらに詳しくは、光吸収作用を有する非線形光学材
料を共振器型の非線形光デバイスに用いて、前記非線形
光学材料の光学非線形性を最も有効に利用することので
きる非線形光デバイスに関する。
に利用される共振器構造を有する非線形光デバイスに関
し、さらに詳しくは、光吸収作用を有する非線形光学材
料を共振器型の非線形光デバイスに用いて、前記非線形
光学材料の光学非線形性を最も有効に利用することので
きる非線形光デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】非線形光デバイスは、超高速光スイッ
チ、光メモリー、光変調器、光リミッター、光論理素子
などに利用されている(例えば、神谷武志編「光情報材
料」丸善(1988)第6章、pp.153〜182、
および第8章、pp.209〜246)。特に、光で光
のスイッチングを行う素子は全光型光スイッチと呼ば
れ、電気回路のようなCR時定数による帯域の制限がな
く高速化が可能なことや、電気回路では行えない3次元
空間を利用した並列処理が行えることから、光通信や光
情報処理の分野での活用が期待されている。
チ、光メモリー、光変調器、光リミッター、光論理素子
などに利用されている(例えば、神谷武志編「光情報材
料」丸善(1988)第6章、pp.153〜182、
および第8章、pp.209〜246)。特に、光で光
のスイッチングを行う素子は全光型光スイッチと呼ば
れ、電気回路のようなCR時定数による帯域の制限がな
く高速化が可能なことや、電気回路では行えない3次元
空間を利用した並列処理が行えることから、光通信や光
情報処理の分野での活用が期待されている。
【0003】非線形光デバイスの形態を大きく分ける
と、導波路型、光ファイバー型および面型に分けること
ができる。いずれの場合も、光の強度に依存する非線形
光学材料の屈折率変化や光吸収係数の変化の効果を利用
してスイッチングを行う。
と、導波路型、光ファイバー型および面型に分けること
ができる。いずれの場合も、光の強度に依存する非線形
光学材料の屈折率変化や光吸収係数の変化の効果を利用
してスイッチングを行う。
【0004】例えば、導波路型では、非線形光学材料を
用いて図5に示すような光結合器を作製し、入力側のポ
ート51aから入力する光の強度により、光結合部53
(2本の光導波路が接近している部分)での、導波路あ
るいは導波路間の媒質の屈折率を変化させることによっ
て、出力先のポートが切り替わることを利用して光スイ
ッチングを行っている。
用いて図5に示すような光結合器を作製し、入力側のポ
ート51aから入力する光の強度により、光結合部53
(2本の光導波路が接近している部分)での、導波路あ
るいは導波路間の媒質の屈折率を変化させることによっ
て、出力先のポートが切り替わることを利用して光スイ
ッチングを行っている。
【0005】また、光ファイバー型の非線形光デバイス
では、通常石英ガラスファイバーの光非線形性が利用さ
れている。例えば図6に示すように、光カプラ61aを
用いて光ループを形成し、そのループの途中から入力さ
れる制御光により光ファイバーの屈折率を変化させて、
入力ポート62から入力した光が、左右に分かれてルー
プを一周するときの位相差が変化することを利用して、
出力ポート63から出力される光のスイッチングを行う
ことができる。
では、通常石英ガラスファイバーの光非線形性が利用さ
れている。例えば図6に示すように、光カプラ61aを
用いて光ループを形成し、そのループの途中から入力さ
れる制御光により光ファイバーの屈折率を変化させて、
入力ポート62から入力した光が、左右に分かれてルー
プを一周するときの位相差が変化することを利用して、
出力ポート63から出力される光のスイッチングを行う
ことができる。
【0006】面型の非線形光デバイスは、例えば図2の
ように、デバイスの膜面に対してある角度を持って光が
入射するデバイスである。その最も一般的な構造として
は、非線形光学材料を2枚のミラーで挟んだ、いわゆる
光共振器構造が使用されている。面型の非線形光デバイ
スは、導波路型やファイバー型と比べて、空間的並列化
が容易であるので、二次元情報処理用の空間変調器等に
利用されている(以下、面型の非線形光デバイスのう
ち、光共振器構造を有するものを、共振器型の非線形光
デバイスと呼ぶこととする)。
ように、デバイスの膜面に対してある角度を持って光が
入射するデバイスである。その最も一般的な構造として
は、非線形光学材料を2枚のミラーで挟んだ、いわゆる
光共振器構造が使用されている。面型の非線形光デバイ
スは、導波路型やファイバー型と比べて、空間的並列化
が容易であるので、二次元情報処理用の空間変調器等に
利用されている(以下、面型の非線形光デバイスのう
ち、光共振器構造を有するものを、共振器型の非線形光
デバイスと呼ぶこととする)。
【0007】非線形光デバイスは、非線形光学材料(光
によりその材料の屈折率や光吸収係数が変化する材料)
と、それ以外の部分からなっている。非線形光学材料と
して、例えば、 ・光ファイバー、 ・3族と5族の元素からなる半導体超格子、 ・BSO(Bi12SiO20)などの強誘電体結晶、 ・液晶,色素,MNA(メチルニトロアニリン)などの
π電子共役系有機化合物、 ・PDA(ポリジアセチレン)などのポリマー、 ・硫化亜鉛(ZnS)や硫化セレン(ZnSe)などの
半導体結晶、 ・硫化カドミウム(CdS)や硫化セレン(CdSe)
からなるカルコゲナイドガラス、 など様々な材料が使用される。
によりその材料の屈折率や光吸収係数が変化する材料)
と、それ以外の部分からなっている。非線形光学材料と
して、例えば、 ・光ファイバー、 ・3族と5族の元素からなる半導体超格子、 ・BSO(Bi12SiO20)などの強誘電体結晶、 ・液晶,色素,MNA(メチルニトロアニリン)などの
π電子共役系有機化合物、 ・PDA(ポリジアセチレン)などのポリマー、 ・硫化亜鉛(ZnS)や硫化セレン(ZnSe)などの
半導体結晶、 ・硫化カドミウム(CdS)や硫化セレン(CdSe)
からなるカルコゲナイドガラス、 など様々な材料が使用される。
【0008】半導体超微粒子や金属超微粒子をガラス中
に分散させた材料も、非線形光学材料の一種である。こ
こで言う超微粒子とは、その粒径が100nm以下の粒
子である(以下、この材料を単に超微粒子分散ガラスと
呼ぶこととする)。
に分散させた材料も、非線形光学材料の一種である。こ
こで言う超微粒子とは、その粒径が100nm以下の粒
子である(以下、この材料を単に超微粒子分散ガラスと
呼ぶこととする)。
【0009】これらの非線形光学材料を用いて非線形光
デバイスを構成するときは、個々の材料の特性を考慮し
てデバイス形状が決定される。特に、材料の光非線形性
の大きさと、光損失の大きさが重要な要因である。例え
ば、光ファイバーでは、光非線形性は小さいが、光の損
失が非常に小さいので、場合によっては数km以上の長
さのファイバー中に光を伝搬させて、光スイッチングな
どを行うことができる。
デバイスを構成するときは、個々の材料の特性を考慮し
てデバイス形状が決定される。特に、材料の光非線形性
の大きさと、光損失の大きさが重要な要因である。例え
ば、光ファイバーでは、光非線形性は小さいが、光の損
失が非常に小さいので、場合によっては数km以上の長
さのファイバー中に光を伝搬させて、光スイッチングな
どを行うことができる。
【0010】半導体超格子では、光非線形性も光損失も
前記光ファイバーに比べて、非常に大きくなっている。
したがって、光路長の短い面型のデバイス構成で使用さ
れる場合と、使用する光の波長を材料の光学吸収端より
もわずかに長波長側に設定し、導波路型のデバイス構成
で使用される場合の2つの場合がある。
前記光ファイバーに比べて、非常に大きくなっている。
したがって、光路長の短い面型のデバイス構成で使用さ
れる場合と、使用する光の波長を材料の光学吸収端より
もわずかに長波長側に設定し、導波路型のデバイス構成
で使用される場合の2つの場合がある。
【0011】図2、図3および図4は、光吸収作用を有
する材料を使用した共振器型の非線形光デバイスとし
て、従来用いられている構成例である。
する材料を使用した共振器型の非線形光デバイスとし
て、従来用いられている構成例である。
【0012】図2は、超微粒子分散ガラスを用いた例で
あり、誘電体多層膜ミラー21aおよび21bの間に半
導体超微粒子分散ガラス22が設置されいる(参考文
献、J.Yumoto、S.Fukushima、an
d K.Kubodera、Optics Lette
rs Vol.12、1987年、p.832)。半導
体超微粒子分散ガラス22の厚さは300μmで、その
両面に無反射コーティング23aおよび23bが施され
ている。それぞれのミラーの反射率は90%で、ミラー
間隔を600μmとしている。
あり、誘電体多層膜ミラー21aおよび21bの間に半
導体超微粒子分散ガラス22が設置されいる(参考文
献、J.Yumoto、S.Fukushima、an
d K.Kubodera、Optics Lette
rs Vol.12、1987年、p.832)。半導
体超微粒子分散ガラス22の厚さは300μmで、その
両面に無反射コーティング23aおよび23bが施され
ている。それぞれのミラーの反射率は90%で、ミラー
間隔を600μmとしている。
【0013】図3は、ZnSeおよびThF4 を用いた
例であり、ZnSe(31)とThF4 (32)の交互
多層膜でミラーを構成し、共振器構造を実現している
(参考文献、S.D.Smith他、OPTICAL
ENGINEERING Vol.26、1987年、
pp.45〜51)。この非線形光デバイスでは、光の
入射による温度変化に起因する材料の屈折率変化を利用
している。
例であり、ZnSe(31)とThF4 (32)の交互
多層膜でミラーを構成し、共振器構造を実現している
(参考文献、S.D.Smith他、OPTICAL
ENGINEERING Vol.26、1987年、
pp.45〜51)。この非線形光デバイスでは、光の
入射による温度変化に起因する材料の屈折率変化を利用
している。
【0014】図4は、GaAs/GaAlAs系の超格
子を用いた例であり、基板を除去した超格子41の両面
に、誘電体ミラー42を蒸着して共振器構造を実現して
いる(参考文献、H.M.Gibbs他、Applie
d Physics Letters、Vol.41、
1982年、p.221)。このときのミラー間隔は約
4.5μmであり、使用する光の波長の数倍の厚さがあ
る。
子を用いた例であり、基板を除去した超格子41の両面
に、誘電体ミラー42を蒸着して共振器構造を実現して
いる(参考文献、H.M.Gibbs他、Applie
d Physics Letters、Vol.41、
1982年、p.221)。このときのミラー間隔は約
4.5μmであり、使用する光の波長の数倍の厚さがあ
る。
【0015】これらの従来の非線形光デバイスの構成例
では、いずれの場合も光入射による非線形光学材料の屈
折率変化や光吸収係数の変化を利用し、光スイッチング
動作あるいは光双安定動作を実現している。
では、いずれの場合も光入射による非線形光学材料の屈
折率変化や光吸収係数の変化を利用し、光スイッチング
動作あるいは光双安定動作を実現している。
【0016】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、これ
ら従来の非線形光デバイスには、以下のような問題点が
あり、光吸収のある非線形光学材料の性能を十分に利用
しているとは言いがたい。
ら従来の非線形光デバイスには、以下のような問題点が
あり、光吸収のある非線形光学材料の性能を十分に利用
しているとは言いがたい。
【0017】まず、図2の例では、非線形光学材料の厚
さが光波長の数百倍もあるので、光が入射側のミラー2
1aから、出力側のミラー21bまで進む間に減衰して
しまい、共振器内部での光の電場振幅の増大(いわゆる
光の共振器内への閉じこめ効果)が十分に得られていな
い。また、ミラー21と非線形光学材料表面に形成され
た無反射コーティング膜23bとの間に空間があるの
で、その空間とミラー21bあるいは無反射コーティン
グ膜23bとの界面で、光が散乱され効率が悪くなって
いる。さらに、2つのミラー21a、21bの平行度や
間隔の精密な制御が必要なことも問題となっている。
さが光波長の数百倍もあるので、光が入射側のミラー2
1aから、出力側のミラー21bまで進む間に減衰して
しまい、共振器内部での光の電場振幅の増大(いわゆる
光の共振器内への閉じこめ効果)が十分に得られていな
い。また、ミラー21と非線形光学材料表面に形成され
た無反射コーティング膜23bとの間に空間があるの
で、その空間とミラー21bあるいは無反射コーティン
グ膜23bとの界面で、光が散乱され効率が悪くなって
いる。さらに、2つのミラー21a、21bの平行度や
間隔の精密な制御が必要なことも問題となっている。
【0018】図3の例では、ミラー間隔が最初から固定
されているので、使用時のミラー間隔の制御を行う必要
はない。しかし、非線形光デバイスの特性への寄与が小
さいミラーにおいても光吸収作用を有する材料を使用し
ているので、その部分での光吸収損失が発生してしま
う。
されているので、使用時のミラー間隔の制御を行う必要
はない。しかし、非線形光デバイスの特性への寄与が小
さいミラーにおいても光吸収作用を有する材料を使用し
ているので、その部分での光吸収損失が発生してしま
う。
【0019】図4の例では、ミラー間隔が最初から固定
されているので、使用時のミラー間隔の制御は必要な
く、ミラーにも光吸収作用を有さない材料を使用してい
る。しかし、非線形光学材料の厚さが光波長の数倍もあ
るので、光が入射側のミラー42aから、出力側のミラ
ー42bまで進む間に減衰してしまい、共振器内部での
光の電場振幅の増大効果(いわゆる光の共振器内への閉
じこめ効果)が、十分に得られていないことになる。
されているので、使用時のミラー間隔の制御は必要な
く、ミラーにも光吸収作用を有さない材料を使用してい
る。しかし、非線形光学材料の厚さが光波長の数倍もあ
るので、光が入射側のミラー42aから、出力側のミラ
ー42bまで進む間に減衰してしまい、共振器内部での
光の電場振幅の増大効果(いわゆる光の共振器内への閉
じこめ効果)が、十分に得られていないことになる。
【0020】これらの問題点は、光吸収作用を有する非
線形光学材料を、共振器型の非線形光デバイスとして使
用する際に必要な最適条件を満たしていないことに起因
する。
線形光学材料を、共振器型の非線形光デバイスとして使
用する際に必要な最適条件を満たしていないことに起因
する。
【0021】この最適条件を求める際に、非線形光学材
料の種類(材料の屈折率や光吸収係数)によらない条件
を設定しておくことが、デバイス設計を容易にする上で
必要不可欠である。
料の種類(材料の屈折率や光吸収係数)によらない条件
を設定しておくことが、デバイス設計を容易にする上で
必要不可欠である。
【0022】これまでにも、光吸収作用を有する材料を
用いた光共振器の最適化に関する研究はいくつかある
(例えば、D.A.B.Miller、IEEE J.
Quantum Electronics、Vol.Q
E−17、1981年、p.306)。しかしながら、
前記研究の中では理論計算を簡単に行うために、共振器
内部の光電場として平均値を使用しており、共振器内部
での光電場の分布は考慮されていない。
用いた光共振器の最適化に関する研究はいくつかある
(例えば、D.A.B.Miller、IEEE J.
Quantum Electronics、Vol.Q
E−17、1981年、p.306)。しかしながら、
前記研究の中では理論計算を簡単に行うために、共振器
内部の光電場として平均値を使用しており、共振器内部
での光電場の分布は考慮されていない。
【0023】光吸収作用を有する材料では、非線形光学
材料の光軸方向の厚さを、λ/(2×n)にしたとき
に、共振器の性能がもっとも引き出されるが、このとき
には、共振器内部の電場分布まで考慮する必要があるの
で、光電場の平均値を用いた上記の理論計算は、前提条
件からして、λ/(2×n)のミラー間隔を持つ共振器
に適用できるかどうか疑問が持たれるところである。
材料の光軸方向の厚さを、λ/(2×n)にしたとき
に、共振器の性能がもっとも引き出されるが、このとき
には、共振器内部の電場分布まで考慮する必要があるの
で、光電場の平均値を用いた上記の理論計算は、前提条
件からして、λ/(2×n)のミラー間隔を持つ共振器
に適用できるかどうか疑問が持たれるところである。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明は、2枚のミラー
と、前記2枚のミラーの間に位置し光吸収作用を有する
光非線形材料とからなる共振器型の非線形光デバイスに
おいて、前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、使用
する光の波長をλ、該光非線形性を有する材料の屈折率
をnとしたとき、t=λ/(2×n)であり、かつ前記
ミラーの反射率が一定である場合に、前記共振器に共鳴
した光波長における光透過率が、0.5〜0.8である
非線形光デバイスである。
と、前記2枚のミラーの間に位置し光吸収作用を有する
光非線形材料とからなる共振器型の非線形光デバイスに
おいて、前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、使用
する光の波長をλ、該光非線形性を有する材料の屈折率
をnとしたとき、t=λ/(2×n)であり、かつ前記
ミラーの反射率が一定である場合に、前記共振器に共鳴
した光波長における光透過率が、0.5〜0.8である
非線形光デバイスである。
【0025】また、2枚のミラーと、前記2枚のミラー
の間に位置し光吸収作用を有する光非線形材料とからな
る共振器型の非線形光デバイスにおいて、前記光非線形
材料の光軸方向の厚さtは、使用する光の波長をλ、該
光非線形性を有する材料の屈折率をnとしたとき、t=
λ/(2×n)であり、かつ前記非線形光学材料の光学
定数が一定である場合に、前記共振器に共鳴した光波長
における光透過率が、0.1〜0.4である非線形光デ
バイスである。
の間に位置し光吸収作用を有する光非線形材料とからな
る共振器型の非線形光デバイスにおいて、前記光非線形
材料の光軸方向の厚さtは、使用する光の波長をλ、該
光非線形性を有する材料の屈折率をnとしたとき、t=
λ/(2×n)であり、かつ前記非線形光学材料の光学
定数が一定である場合に、前記共振器に共鳴した光波長
における光透過率が、0.1〜0.4である非線形光デ
バイスである。
【0026】さらに、上述のの非線形光デバイスにおい
て、前記ミラーは誘電体多層膜ミラーであり、かつ前記
2枚のミラーと前記光学非線形材料が順次積層した構造
を有する非線形光デバイスである。
て、前記ミラーは誘電体多層膜ミラーであり、かつ前記
2枚のミラーと前記光学非線形材料が順次積層した構造
を有する非線形光デバイスである。
【0027】
【作用】まず上述したように、前提条件として非線形光
学材料の光軸方向の厚さを λ/(2×n) となるように設定することで、このデバイス内に入射し
た光の共振器内での電場振幅が、2枚のミラーの中央部
のみで、あるいは2枚のミラーと非線形光学材料の2つ
の界面の2カ所で最大となるようにすることができる。
学材料の光軸方向の厚さを λ/(2×n) となるように設定することで、このデバイス内に入射し
た光の共振器内での電場振幅が、2枚のミラーの中央部
のみで、あるいは2枚のミラーと非線形光学材料の2つ
の界面の2カ所で最大となるようにすることができる。
【0028】そこで、本発明の非線形光デバイスで、前
記ミラーの反射率が固定されている場合には、前記共振
器に共鳴した光波長における光透過率を0.5〜0.
8、より好ましくは0.6〜0.7、とすることで、最
も有効に該非線形光学材料の特性を利用することができ
る。
記ミラーの反射率が固定されている場合には、前記共振
器に共鳴した光波長における光透過率を0.5〜0.
8、より好ましくは0.6〜0.7、とすることで、最
も有効に該非線形光学材料の特性を利用することができ
る。
【0029】一方、前記非線形光学材料の光学定数が固
定されている場合は、前記共振器に共鳴した光波長にお
ける光透過率を0.1〜0.4、より好ましくは0.2
〜0.3とすることで、最も有効に該非線形光学材料の
特性を利用することができる。
定されている場合は、前記共振器に共鳴した光波長にお
ける光透過率を0.1〜0.4、より好ましくは0.2
〜0.3とすることで、最も有効に該非線形光学材料の
特性を利用することができる。
【0030】上記の非線形光デバイスにおいて、前記ミ
ラーとして、誘電体多層膜ミラーを使用することで、ミ
ラーでの光損失をさらに低減させることができる。
ラーとして、誘電体多層膜ミラーを使用することで、ミ
ラーでの光損失をさらに低減させることができる。
【0031】さらに本発明は、前記誘電体多層膜ミラー
と前記光学非線形性を有する材料との間に間隙を設けな
い、すなわち同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと
前記非線形光学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層し
た構造を有している。このことで、前記第一の誘電体多
層膜ミラーと前記非線形光学材料、および前記第二の誘
電体多層膜ミラーと前記非線形光学材料の界面での、光
損失を低減させることができる。
と前記光学非線形性を有する材料との間に間隙を設けな
い、すなわち同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと
前記非線形光学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層し
た構造を有している。このことで、前記第一の誘電体多
層膜ミラーと前記非線形光学材料、および前記第二の誘
電体多層膜ミラーと前記非線形光学材料の界面での、光
損失を低減させることができる。
【0032】以上のように、本発明の非線形光デバイス
では、光吸収作用を有する非線形光学材料の性能を十分
に発揮させることができる。
では、光吸収作用を有する非線形光学材料の性能を十分
に発揮させることができる。
【0033】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1に、本発明の非線形光デバイスの概略図を示
す。基板上に、第一の誘電体多層膜ミラー1aが形成さ
れ、そのミラー上に直接非線形光学材料2が形成され、
さらにその上に直接第二の誘電体多層膜ミラー1bが形
成されている。
する。図1に、本発明の非線形光デバイスの概略図を示
す。基板上に、第一の誘電体多層膜ミラー1aが形成さ
れ、そのミラー上に直接非線形光学材料2が形成され、
さらにその上に直接第二の誘電体多層膜ミラー1bが形
成されている。
【0034】基板としては、非線形光デバイスの透過光
を利用する場合には、例えばガラス等の透明な材料が使
用される。一方、非線形光デバイスの反射光を利用する
場合には、光吸収があっても良いので、例えばシリコン
基板等も使用できる。
を利用する場合には、例えばガラス等の透明な材料が使
用される。一方、非線形光デバイスの反射光を利用する
場合には、光吸収があっても良いので、例えばシリコン
基板等も使用できる。
【0035】誘電体多層膜ミラー1aおよび1bの構造
としては、異なる屈折率を有する2種類の誘電体の光学
膜厚(誘電体の屈折率と物理的な膜厚の積)を、使用す
る光の波長をλとするとき、それぞれλ/4(ただし、
λは使用する光の波長)となるようにし、それぞれを交
互に積層したものを基本とする。しかし場合によって
は、ガラス基板と誘電体多層膜ミラーの界面、あるいは
第二の誘電体多層膜ミラーと空気との界面に、λ/8程
度の光学膜厚を有する誘電体を付加する場合もある。ま
た、2種類以上の誘電体を含む誘電体多層膜ミラーも、
本発明にある非線形光デバイスに使用できる。
としては、異なる屈折率を有する2種類の誘電体の光学
膜厚(誘電体の屈折率と物理的な膜厚の積)を、使用す
る光の波長をλとするとき、それぞれλ/4(ただし、
λは使用する光の波長)となるようにし、それぞれを交
互に積層したものを基本とする。しかし場合によって
は、ガラス基板と誘電体多層膜ミラーの界面、あるいは
第二の誘電体多層膜ミラーと空気との界面に、λ/8程
度の光学膜厚を有する誘電体を付加する場合もある。ま
た、2種類以上の誘電体を含む誘電体多層膜ミラーも、
本発明にある非線形光デバイスに使用できる。
【0036】第一および第二の誘電体多層膜ミラー1a
および1bの反射率は、必ずしも等しくする必要はな
い。例えば、前記デバイスの反射光を利用するデバイス
では、光が入射しない側のミラーの反射率を上げること
で、さらなる性能の向上を図ることもできる。
および1bの反射率は、必ずしも等しくする必要はな
い。例えば、前記デバイスの反射光を利用するデバイス
では、光が入射しない側のミラーの反射率を上げること
で、さらなる性能の向上を図ることもできる。
【0037】非線形光学材料2の光学膜厚は、λ/2と
なるように制御されている。次に、本発明の非線形光デ
バイスにおいて、共振器の共鳴した波長での光透過率
(以下では単に透過率と呼ぶこととする)を制御する方
法について説明する。
なるように制御されている。次に、本発明の非線形光デ
バイスにおいて、共振器の共鳴した波長での光透過率
(以下では単に透過率と呼ぶこととする)を制御する方
法について説明する。
【0038】共振器型の非線形光デバイスの透過率を変
化させる方法としては、非線形光学材料2の光吸収係数
を変化させる方法と、誘電体多層膜ミラー1aおよび1
bの反射率を変化させる方法とがある。これらの二つの
方法のうちどちらの方法を使用するかは、非線形光学材
料の種類や、ミラーの種類あるいはミラーの精度(例え
ば製造時の膜厚の制御性)などにより異なる。
化させる方法としては、非線形光学材料2の光吸収係数
を変化させる方法と、誘電体多層膜ミラー1aおよび1
bの反射率を変化させる方法とがある。これらの二つの
方法のうちどちらの方法を使用するかは、非線形光学材
料の種類や、ミラーの種類あるいはミラーの精度(例え
ば製造時の膜厚の制御性)などにより異なる。
【0039】例えば、本実施例で使用したような誘電体
多層膜ミラーでは、成膜時の膜厚の制御性により、ある
値以上にミラーの反射率を上げることができないという
状況がたびたび起こりうる。このようなときには、ミラ
ーの反射率をある値一定であるとして、非線形光学材料
の光吸収係数を変化させて、所望の透過率に制御すると
よい。
多層膜ミラーでは、成膜時の膜厚の制御性により、ある
値以上にミラーの反射率を上げることができないという
状況がたびたび起こりうる。このようなときには、ミラ
ーの反射率をある値一定であるとして、非線形光学材料
の光吸収係数を変化させて、所望の透過率に制御すると
よい。
【0040】また、一般に、非線形光学材料には、光学
定数の制御が可能なものと、不可能なものがあるので、
もともと光学定数が変更できない非線形光学材料では、
第二の方法すなわちミラーの反射率を変化させる方法
で、所望の透過率に制御するとよい。
定数の制御が可能なものと、不可能なものがあるので、
もともと光学定数が変更できない非線形光学材料では、
第二の方法すなわちミラーの反射率を変化させる方法
で、所望の透過率に制御するとよい。
【0041】光学定数が変更できない材料としては、半
導体材料や結晶材料があり、光学定数が可変な材料とし
ては、超微粒子分散ガラスや、有機ポリマー中の色素な
どがある。これらの材料では、超微粒子や色素の濃度を
制御することで、材料の屈折率や光吸収係数をコントロ
ールすることができる。
導体材料や結晶材料があり、光学定数が可変な材料とし
ては、超微粒子分散ガラスや、有機ポリマー中の色素な
どがある。これらの材料では、超微粒子や色素の濃度を
制御することで、材料の屈折率や光吸収係数をコントロ
ールすることができる。
【0042】誘電体多層膜ミラーの反射率を変化させる
ためには、よく知られているように、誘電体の層数を変
更すればよいことになる。ただし、この方法では、誘電
体多層膜の反射率を連続的に変化させることができない
ので、非線形光デバイスの透過率も不連続的に変化して
しまうことになる。そのため、本発明の非線形光デバイ
スを実現することが不可能な場合もあり得る。
ためには、よく知られているように、誘電体の層数を変
更すればよいことになる。ただし、この方法では、誘電
体多層膜の反射率を連続的に変化させることができない
ので、非線形光デバイスの透過率も不連続的に変化して
しまうことになる。そのため、本発明の非線形光デバイ
スを実現することが不可能な場合もあり得る。
【0043】このような場合は、本発明の非線形光デバ
イスとは異なるが、非線形媒質の光学膜厚を、λ/2の
整数倍とすることで、透過率を制御すれば擬似的に最適
なデバイス構成を実現することができる。ただし、この
場合は、共振器中の光の電場強度は本発明の非線形光デ
バイスに比べて小さくなってしまう。
イスとは異なるが、非線形媒質の光学膜厚を、λ/2の
整数倍とすることで、透過率を制御すれば擬似的に最適
なデバイス構成を実現することができる。ただし、この
場合は、共振器中の光の電場強度は本発明の非線形光デ
バイスに比べて小さくなってしまう。
【0044】以上述べてきた2つの透過率制御法、すな
わち非線形光学材料の光吸収係数を変化させる方法と、
ミラーの反射率を変化させる方法の両方が可能な場合も
あるが、このときは、両者の制御性の良さで、どちらの
方法を採用するかを決定するとよい。望ましくは、試料
の光吸収係数をできるだけ小さくして、ミラーの層数を
変えて透過率を制御するのが望ましい。
わち非線形光学材料の光吸収係数を変化させる方法と、
ミラーの反射率を変化させる方法の両方が可能な場合も
あるが、このときは、両者の制御性の良さで、どちらの
方法を採用するかを決定するとよい。望ましくは、試料
の光吸収係数をできるだけ小さくして、ミラーの層数を
変えて透過率を制御するのが望ましい。
【0045】どちらの方法を使用するかで、非線形光学
材料の性能を最も有効に利用するための条件が異なる
が、これについては実験結果をもとに後で説明する。
材料の性能を最も有効に利用するための条件が異なる
が、これについては実験結果をもとに後で説明する。
【0046】(具体例1)次に、実際の非線形光デバイ
スの作製法を説明する。まず、基板3としては、BK7
ガラスを使用した。第一の誘電体多層膜ミラー1aは、
電子ビーム蒸着法により作製した。まず2種類の誘電体
(SiO2(屈折率1.46)およびTiO2(屈折率
2.35))を交互に、膜厚をモニターしながら基板上
に堆積させた。このときの基板温度は390℃とした。
スの作製法を説明する。まず、基板3としては、BK7
ガラスを使用した。第一の誘電体多層膜ミラー1aは、
電子ビーム蒸着法により作製した。まず2種類の誘電体
(SiO2(屈折率1.46)およびTiO2(屈折率
2.35))を交互に、膜厚をモニターしながら基板上
に堆積させた。このときの基板温度は390℃とした。
【0047】つぎにその上に、超微粒子分散ガラス2を
堆積させた。本具体例1では、CdTe超微粒子分散ガ
ラスを使用した。CdTe超微粒子をガス中レーザー加
熱蒸発法により作製し、その超微粒子を分散させるマト
リックスガラスはテトラメトキシシランを原料ガスとす
るプラズマCVD法(プラズマを利用した化学的気相合
成法)により作製した。
堆積させた。本具体例1では、CdTe超微粒子分散ガ
ラスを使用した。CdTe超微粒子をガス中レーザー加
熱蒸発法により作製し、その超微粒子を分散させるマト
リックスガラスはテトラメトキシシランを原料ガスとす
るプラズマCVD法(プラズマを利用した化学的気相合
成法)により作製した。
【0048】CdTe超微粒子とマトリックスガラス
は、超微粒子分散ガラスの光学膜厚が、λ/2になるま
で交互にミラー上に堆積させた。超微粒子濃度の制御
は、マトリックスガラスを堆積させる時間、すなわちプ
ラズマCVDの放電時間を変化させることで行うことが
できる。
は、超微粒子分散ガラスの光学膜厚が、λ/2になるま
で交互にミラー上に堆積させた。超微粒子濃度の制御
は、マトリックスガラスを堆積させる時間、すなわちプ
ラズマCVDの放電時間を変化させることで行うことが
できる。
【0049】つぎにその上に、第2の誘電体多層膜ミラ
ー1bを第一の誘電体多層膜ミラーと同様な作製手順で
堆積させる。
ー1bを第一の誘電体多層膜ミラーと同様な作製手順で
堆積させる。
【0050】本具体例1で用いた超微粒子分散ガラスの
作製法は、一般的な方法ではないので作製法を詳しく説
明しておく。真空容器内に、超微粒子原料であるCdT
eターゲット、プラズマ発生用の電極、基板ホルダーな
どが設置されたものを作製装置として使用した。この真
空容器には、ガラス原料であるテトラメトキシシランの
供給装置、アルゴンガス供給系、およびプラズマ発生用
の高周波電源等が接続されている。
作製法は、一般的な方法ではないので作製法を詳しく説
明しておく。真空容器内に、超微粒子原料であるCdT
eターゲット、プラズマ発生用の電極、基板ホルダーな
どが設置されたものを作製装置として使用した。この真
空容器には、ガラス原料であるテトラメトキシシランの
供給装置、アルゴンガス供給系、およびプラズマ発生用
の高周波電源等が接続されている。
【0051】レーザー加熱蒸発用のターゲットとして、
直径5cm厚さ0.5cmのディスク状の多結晶CdT
eを使用した。レーザー光源として、Nd:YAGパル
スレーザーの第2高調波を使用した。このときのレーザ
ー光波長は532nm、パルス幅は10nsecであ
り、ターゲット表面でのレーザー光強度は25J/cm
2 であった。
直径5cm厚さ0.5cmのディスク状の多結晶CdT
eを使用した。レーザー光源として、Nd:YAGパル
スレーザーの第2高調波を使用した。このときのレーザ
ー光波長は532nm、パルス幅は10nsecであ
り、ターゲット表面でのレーザー光強度は25J/cm
2 であった。
【0052】この条件で、CdTeターゲットにレーザ
ーを照射すると、そのターゲットの正面に設置された基
板上には、直径が3〜10nm程度の球形のCdTe微
粒子が付着する。超微粒子の密度や大きさは、超微粒子
を作製する際に導入する不活性ガスの圧力や、照射する
レーザー光強度、照射するレーザー光パルスの数、ター
ゲットから基板ホルダーの距離、および基板の温度等に
依存している。
ーを照射すると、そのターゲットの正面に設置された基
板上には、直径が3〜10nm程度の球形のCdTe微
粒子が付着する。超微粒子の密度や大きさは、超微粒子
を作製する際に導入する不活性ガスの圧力や、照射する
レーザー光強度、照射するレーザー光パルスの数、ター
ゲットから基板ホルダーの距離、および基板の温度等に
依存している。
【0053】マトリクスガラスは、テトラメトキシシラ
ンと酸素の混合ガスを真空容器に導入し、ガス流量コン
トローラでガス流量を制御し、真空容器内の圧力を0.
05Torrに制御した状態で、電極に高周波電圧を印
加して、プラズマを発生させ、このプラズマによりTM
OSガスを分解、重合させることにより作製した。この
ときのガラス膜厚は、印加する電力や導入した反応ガス
のガス圧、テトラメトキシシランガスと酸素ガスの混合
比、電極形状、電極と基板ホルダーの距離などに依存し
ている。
ンと酸素の混合ガスを真空容器に導入し、ガス流量コン
トローラでガス流量を制御し、真空容器内の圧力を0.
05Torrに制御した状態で、電極に高周波電圧を印
加して、プラズマを発生させ、このプラズマによりTM
OSガスを分解、重合させることにより作製した。この
ときのガラス膜厚は、印加する電力や導入した反応ガス
のガス圧、テトラメトキシシランガスと酸素ガスの混合
比、電極形状、電極と基板ホルダーの距離などに依存し
ている。
【0054】本具体例1で採用したマトリックス作製条
件は、TMOS流量200sccm、酸素流量10sc
cm、真空容器圧力0.05Torr、印加電力50
W、電極と基板ホルダーの距離2cmである。このとき
の基板ホルダー上でのガラス膜堆積速度は、0.5nm
/秒であった。また、使用した高周波電源の周波数は1
3.56MHzである。
件は、TMOS流量200sccm、酸素流量10sc
cm、真空容器圧力0.05Torr、印加電力50
W、電極と基板ホルダーの距離2cmである。このとき
の基板ホルダー上でのガラス膜堆積速度は、0.5nm
/秒であった。また、使用した高周波電源の周波数は1
3.56MHzである。
【0055】以上の2つの工程、すなわち、超微粒子を
基板上に堆積させる工程と、化学的気相堆積法によりマ
トリックスを作製する工程とを、交互に繰り返すことに
より、超微粒子分散ガラスを作製することができる。
基板上に堆積させる工程と、化学的気相堆積法によりマ
トリックスを作製する工程とを、交互に繰り返すことに
より、超微粒子分散ガラスを作製することができる。
【0056】本具体例1では、CdTe超微粒子分散ガ
ラスを非線形光学材料として使用する場合について述べ
るが、これに限られることなく、薄膜として作製される
様々な非線形光学材料を用いて、本発明の非線形光デバ
イスを作製することができる。そのような非線形光学材
料として、例えば、ゾルゲル法で作製した超微粒子分散
ガラス、スパッタ法で作製した超微粒子分散ガラス、半
導体超格子材料などが使用できる。
ラスを非線形光学材料として使用する場合について述べ
るが、これに限られることなく、薄膜として作製される
様々な非線形光学材料を用いて、本発明の非線形光デバ
イスを作製することができる。そのような非線形光学材
料として、例えば、ゾルゲル法で作製した超微粒子分散
ガラス、スパッタ法で作製した超微粒子分散ガラス、半
導体超格子材料などが使用できる。
【0057】図7は、第一および第二の誘電体多層膜ミ
ラーの層数を9層とし、非線形光学材料(本具体例で
は、CdTe超微粒子分散ガラス)の光学定数を変化さ
せたときの、非線形光デバイスの動作特性の実測結果で
ある。上述した作製法により非線形光デバイスを作製
し、その非線形光デバイスから出射する位相共役光の強
度を比較したものである。ただし、共振器の共鳴波長は
600nmとなるように、膜構成を制御した。
ラーの層数を9層とし、非線形光学材料(本具体例で
は、CdTe超微粒子分散ガラス)の光学定数を変化さ
せたときの、非線形光デバイスの動作特性の実測結果で
ある。上述した作製法により非線形光デバイスを作製
し、その非線形光デバイスから出射する位相共役光の強
度を比較したものである。ただし、共振器の共鳴波長は
600nmとなるように、膜構成を制御した。
【0058】すなわち、誘電体多層膜ミラーの一層の光
学膜厚は150nm、非線形光学材料の光学膜厚は30
0nmとした。位相共役光は、2本のポンプ光を同時に
試料の同じ面から入射させ、そのポンプ光の1本が自己
回折して、非線形光デバイスの反対側の面から出射して
くる光の強度として測定した。
学膜厚は150nm、非線形光学材料の光学膜厚は30
0nmとした。位相共役光は、2本のポンプ光を同時に
試料の同じ面から入射させ、そのポンプ光の1本が自己
回折して、非線形光デバイスの反対側の面から出射して
くる光の強度として測定した。
【0059】図7の横軸は、非線形光学材料の消衰係数
kである。この消衰係数は当然ながら非線形光学材料の
光吸収係数に比例する。図中の実線は共振器の共鳴波長
(600nm)での透過率であり、波線はその波長のレ
ーザー光を用いて測定した位相共役光の強度である。た
だし、位相共役光の強度は、ポンプ光強度に依存するの
で、これを規格化するために、第一のポンプ光の強度を
I1 、第二のポンプ光の強度をI2、観測された位相共
役光の強度をISとして次の補正を行っている。 I=IS/(I1 2I2) このIが図7の右縦軸である。
kである。この消衰係数は当然ながら非線形光学材料の
光吸収係数に比例する。図中の実線は共振器の共鳴波長
(600nm)での透過率であり、波線はその波長のレ
ーザー光を用いて測定した位相共役光の強度である。た
だし、位相共役光の強度は、ポンプ光強度に依存するの
で、これを規格化するために、第一のポンプ光の強度を
I1 、第二のポンプ光の強度をI2、観測された位相共
役光の強度をISとして次の補正を行っている。 I=IS/(I1 2I2) このIが図7の右縦軸である。
【0060】位相共役光の強度は、非線形光デバイスの
共鳴波長での光透過率が、0.6から0.7のとき最大
となっていることがわかる。ただし、その範囲の前後す
なわち光透過率が0.5から0.8でも、最大値の50
%以上の位相共役光が発生しており、この範囲でも十分
に非線形光デバイスとして使用することができる。
共鳴波長での光透過率が、0.6から0.7のとき最大
となっていることがわかる。ただし、その範囲の前後す
なわち光透過率が0.5から0.8でも、最大値の50
%以上の位相共役光が発生しており、この範囲でも十分
に非線形光デバイスとして使用することができる。
【0061】以上の結果、本発明の非線形光デバイスを
用いれば、前記非線形光学材料の性能を最も有効に利用
できることが確かめられた。
用いれば、前記非線形光学材料の性能を最も有効に利用
できることが確かめられた。
【0062】(具体例2)上述の作製法により、非線形
光学材料が同一の光学特性を有しミラー層数が異なる非
線形光デバイスを作製し、その非線形光デバイスから出
射する位相共役光の強度を比較したものである。ただ
し、第一および第二の誘電体多層膜ミラーの層数は同じ
とし、共振器の共鳴波長が600nmとなるように、膜
構成を制御した。
光学材料が同一の光学特性を有しミラー層数が異なる非
線形光デバイスを作製し、その非線形光デバイスから出
射する位相共役光の強度を比較したものである。ただ
し、第一および第二の誘電体多層膜ミラーの層数は同じ
とし、共振器の共鳴波長が600nmとなるように、膜
構成を制御した。
【0063】すなわち、誘電体多層膜ミラーの一層の光
学膜厚は150nm、非線形光学材料の光学膜厚は30
0nmとした。位相共役光は、2本のポンプ光を共に試
料の同じ面から入射させ、そのポンプ光の1本が自己回
折して、非線形光デバイスの反対側の面から出射してく
る光の強度として測定した。
学膜厚は150nm、非線形光学材料の光学膜厚は30
0nmとした。位相共役光は、2本のポンプ光を共に試
料の同じ面から入射させ、そのポンプ光の1本が自己回
折して、非線形光デバイスの反対側の面から出射してく
る光の強度として測定した。
【0064】図8は、本具体例の非線形光デバイスの動
作特性の実測結果である。図8の横軸は、第一あるいは
第二の誘電体ミラーの層数である。図中の実線は共振器
の共鳴波長(600nm)での透過率であり、波線はそ
の波長のレーザー光を用いて測定した位相共役光の強度
である。ただし、位相共役光の強度は、具体例1と同様
の補正を行っている。
作特性の実測結果である。図8の横軸は、第一あるいは
第二の誘電体ミラーの層数である。図中の実線は共振器
の共鳴波長(600nm)での透過率であり、波線はそ
の波長のレーザー光を用いて測定した位相共役光の強度
である。ただし、位相共役光の強度は、具体例1と同様
の補正を行っている。
【0065】図8から、位相共役光は非線形光デバイス
の光透過率が、0.2から0.3のとき最も強度が大き
くなることがわかる。ただし、その範囲の前後すなわち
光透過率が0.1から0.4でも、最大値の50%以上
の位相共役光が発生しており、この範囲でも十分に非線
形光デバイスとして使用することができる。
の光透過率が、0.2から0.3のとき最も強度が大き
くなることがわかる。ただし、その範囲の前後すなわち
光透過率が0.1から0.4でも、最大値の50%以上
の位相共役光が発生しており、この範囲でも十分に非線
形光デバイスとして使用することができる。
【0066】以上の結果、本発明の非線形光デバイスを
用いれば、前記非線形光学材料の性能を最も有効に利用
することができることが確かめられた。
用いれば、前記非線形光学材料の性能を最も有効に利用
することができることが確かめられた。
【0067】(具体例3)次に、共振器型の非線形光デ
バイスにおいて、ミラーとして誘電体多層膜ミラーを使
用し、かつ、前記2枚のミラーと光学非線形性を有する
材料との間に間隙がない構造を有している。すなわち、
同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと前記非線形光
学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層した構造であ
り、それぞれの誘電体間はもとより、前記第一の誘電体
多層膜と前記非線形光学材料および前記第二の誘電体多
層膜と前記非線形光学材料も密着した構造を有してい
る。このような構造を有する非線形光デバイスにおい
て、前記非線形光学材料の性能が、さらに有効に利用発
揮されることを確かめた例について説明する。
バイスにおいて、ミラーとして誘電体多層膜ミラーを使
用し、かつ、前記2枚のミラーと光学非線形性を有する
材料との間に間隙がない構造を有している。すなわち、
同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと前記非線形光
学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層した構造であ
り、それぞれの誘電体間はもとより、前記第一の誘電体
多層膜と前記非線形光学材料および前記第二の誘電体多
層膜と前記非線形光学材料も密着した構造を有してい
る。このような構造を有する非線形光デバイスにおい
て、前記非線形光学材料の性能が、さらに有効に利用発
揮されることを確かめた例について説明する。
【0068】異なる構成の3種類の非線形光デバイスに
ついて、発生する位相共役光の強度を比較する。その3
種類の非線形光デバイスは、それぞれ以下の構成を持っ
ている。
ついて、発生する位相共役光の強度を比較する。その3
種類の非線形光デバイスは、それぞれ以下の構成を持っ
ている。
【0069】第一および第二のミラーとして、誘電体
多層膜ミラーを使用し、かつ、前記2枚のミラーと前記
光学非線形性を有する材料との間に間隙がない、すなわ
ち同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと前記非線形
光学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層した構造を有
し、それぞれの誘電体間はもとより、前記第一の誘電体
多層膜と前記非線形光学材料および前記第二の誘電体多
層膜と前記非線形光学材料も密着した構造を有する非線
形光デバイス。
多層膜ミラーを使用し、かつ、前記2枚のミラーと前記
光学非線形性を有する材料との間に間隙がない、すなわ
ち同一基板上に第一の誘電体多層膜ミラーと前記非線形
光学材料と第二の誘電体多層膜が順次積層した構造を有
し、それぞれの誘電体間はもとより、前記第一の誘電体
多層膜と前記非線形光学材料および前記第二の誘電体多
層膜と前記非線形光学材料も密着した構造を有する非線
形光デバイス。
【0070】非線形光学材料および第二の誘電体多層
膜ミラーの各々はと同様な構成であるが、非線形光学
材料と第二の誘電体多層膜ミラーの間に空気層があり、
さらに第二の誘電体多層膜ミラーの外側にBK7基板が
ある非線形光デバイス。
膜ミラーの各々はと同様な構成であるが、非線形光学
材料と第二の誘電体多層膜ミラーの間に空気層があり、
さらに第二の誘電体多層膜ミラーの外側にBK7基板が
ある非線形光デバイス。
【0071】非線形光学材料はと同様な構成である
が、誘電体多層膜ミラーの代わりに金属蒸着により作製
したミラーを使用した非線形光デバイス。
が、誘電体多層膜ミラーの代わりに金属蒸着により作製
したミラーを使用した非線形光デバイス。
【0072】
【表1】
【0073】表1において比較されているとおり、の
非線形光デバイスにおいて、使用した非線形光学材料の
性能が最も発揮されていることがわかる。これは、の
試料では非線形光学材料と空気層の界面での光散乱が、
の試料では、金属ミラー部における光吸収が損失とな
り、非線形光デバイスの性能を低下させているためであ
る。
非線形光デバイスにおいて、使用した非線形光学材料の
性能が最も発揮されていることがわかる。これは、の
試料では非線形光学材料と空気層の界面での光散乱が、
の試料では、金属ミラー部における光吸収が損失とな
り、非線形光デバイスの性能を低下させているためであ
る。
【0074】
【発明の効果】本発明の非線形光デバイスでは、超高速
光スイッチ、光メモリー、光変調器、光リミッター、光
論理素子などに利用する際に、非線形光学材料の性能を
十分に利用することができるが、それ以外にも以下のよ
うな効果も有している。
光スイッチ、光メモリー、光変調器、光リミッター、光
論理素子などに利用する際に、非線形光学材料の性能を
十分に利用することができるが、それ以外にも以下のよ
うな効果も有している。
【0075】・非線形光学材料の厚さは必要最低限の厚
さでよいので、これを製造するのに要する時間が短かく
てすむ。 ・非線形光デバイスとして使用するのではなく、物質の
光非線形性を評価するために使用する場合も、非常に薄
い非線形光学材料からの信号光を検出できることにな
る。したがって、例えば、ラングミュア−ブロジェット
法により作製した単分子薄膜のように、非常に薄い材料
の光非線形性が測定できるようになる。このとき、本発
明の非線形光デバイスと同様に、透過率を制御すること
でもっとも高感度な測定が実現できる。 ・誘電体多層膜ミラーと非線形光学材料を順次積層し
て、非線形光デバイスを構成することにより、ミラー間
隔を制御する必要がなくなる。従来の技術でも説明した
とおり、ミラーと非線形光学材料の間に空間があると、
これが光散乱の原因となるだけでなく、ミラーの間隔や
平行度の微妙な制御が必要となる。本発明の非線形光デ
バイスでは、製造段階でミラー間隔が制御・固定される
ので、後のミラー調整が全く不要である。
さでよいので、これを製造するのに要する時間が短かく
てすむ。 ・非線形光デバイスとして使用するのではなく、物質の
光非線形性を評価するために使用する場合も、非常に薄
い非線形光学材料からの信号光を検出できることにな
る。したがって、例えば、ラングミュア−ブロジェット
法により作製した単分子薄膜のように、非常に薄い材料
の光非線形性が測定できるようになる。このとき、本発
明の非線形光デバイスと同様に、透過率を制御すること
でもっとも高感度な測定が実現できる。 ・誘電体多層膜ミラーと非線形光学材料を順次積層し
て、非線形光デバイスを構成することにより、ミラー間
隔を制御する必要がなくなる。従来の技術でも説明した
とおり、ミラーと非線形光学材料の間に空間があると、
これが光散乱の原因となるだけでなく、ミラーの間隔や
平行度の微妙な制御が必要となる。本発明の非線形光デ
バイスでは、製造段階でミラー間隔が制御・固定される
ので、後のミラー調整が全く不要である。
【0076】非線形光デバイスの性能は、位相共役光の
発生効率だけではなく、光スイッチングに必要なエネル
ギーの最低値や、双安定動作を行う際の低透過状態と高
透過状態の透過率の差などでも定義される。
発生効率だけではなく、光スイッチングに必要なエネル
ギーの最低値や、双安定動作を行う際の低透過状態と高
透過状態の透過率の差などでも定義される。
【0077】図9は、本発明の非線形光デバイス(透過
率が0.25のもの)と、本発明以外の非線形光デバイ
ス(透過率が0.05のもの)の双安定動作を比較した
例である。本発明の非線形光デバイスでは、低い入射光
強度で大きなオン−オフ比が得られている。すなわち、
本発明の非線形光デバイスにより、同じ非線形光学材料
を使用するという条件のもとでは、その材料の光非線形
性を最も有効に利用することができるようになる。
率が0.25のもの)と、本発明以外の非線形光デバイ
ス(透過率が0.05のもの)の双安定動作を比較した
例である。本発明の非線形光デバイスでは、低い入射光
強度で大きなオン−オフ比が得られている。すなわち、
本発明の非線形光デバイスにより、同じ非線形光学材料
を使用するという条件のもとでは、その材料の光非線形
性を最も有効に利用することができるようになる。
【図1】本発明の非線形光デバイスの構成を示す模式図
である。
である。
【図2】従来の非線形光デバイスの構成の例を示す模式
図である。
図である。
【図3】従来の非線形光デバイスの構成の例を示す模式
図である。
図である。
【図4】従来の非線形光デバイスの構成の例を示す模式
図である。
図である。
【図5】従来の非線形光デバイス(導波路型)の構成例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図6】従来の非線形光デバイス(光ファイバー型)の
構成例を示す模式図である。
構成例を示す模式図である。
【図7】具体例1で示した本発明の非線形光デバイスの
非線形光デバイスの動作を確認した例である。
非線形光デバイスの動作を確認した例である。
【図8】具体例2で示した本発明の非線形光デバイスの
非線形光デバイスの動作を確認した例である。
非線形光デバイスの動作を確認した例である。
【図9】発明の効果の欄で示した本発明による非線形光
デバイスの双安定動作を確認したことを示す図である。
デバイスの双安定動作を確認したことを示す図である。
1a,1b:誘電体多層膜ミラー、 2:非線形光学材料(CdTe超微粒子分散ガラス)、 3:ガラス基板(BK7)、 21:ミラー、 22:非線形光学材料(半導体超微粒子分散ガラス)、 23:無反射コーティング膜、 31:ZnSe、 32:ThF4、 33:ガラス基板、 41:GaAs/GaAlAs超格子、 42:誘電体多層膜ミラー、 43:GaAs基板、 51:入力ポート、 52:出力ポート、 53:光結合部、 54:光導波路、 55:基板、 61:光カプラ、 62:入力ポート、 63:出力ポート、 64:光ファイバー、
Claims (5)
- 【請求項1】2枚のミラーと、前記2枚のミラーの間に
位置し光吸収作用を有する光非線形材料とからなる共振
器型の非線形光デバイスにおいて、 前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、使用する光の
波長をλ、該光非線形性を有する材料の屈折率をnとし
たとき t=λ/(2×n) であり、かつ前記ミラーの反射率が一定である場合に、
前記共振器に共鳴した光波長における光透過率が、0.
5〜0.8であることを特徴とする非線形光デバイス。 - 【請求項2】請求項1に記載の非線形光デバイスにおい
て、前記光透過率が、0.6〜0.7である非線形光デ
バイス。 - 【請求項3】2枚のミラーと、前記2枚のミラーの間に
位置し光吸収作用を有する光非線形材料とからなる共振
器型の非線形光デバイスにおいて、 前記光非線形材料の光軸方向の厚さtは、使用する光の
波長をλ、該光非線形性を有する材料の屈折率をnとし
たとき t=λ/(2×n) であり、かつ前記非線形光学材料の光学定数が一定であ
る場合に、前記共振器に共鳴した光波長における光透過
率が、0.1〜0.4であることを特徴とする非線形光
デバイス。 - 【請求項4】請求項3に記載の非線形光デバイスにおい
て、前記光透過率が、0.2〜0.3である非線形光デ
バイス。 - 【請求項5】請求項1から4に記載の非線形光デバイス
において、前記ミラーは誘電体多層膜ミラーであり、か
つ前記2枚のミラーと前記光学非線形材料が順次積層し
た構造を有する非線形光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170613A JPH0922033A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 非線形光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170613A JPH0922033A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 非線形光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922033A true JPH0922033A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15908115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7170613A Pending JPH0922033A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 非線形光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922033A (ja) |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP7170613A patent/JPH0922033A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107430297B (zh) | 电光调制器 | |
| US7009750B1 (en) | Apparatus and methods for modulating refractive index | |
| CN110908017B (zh) | 一种基于光子晶体的可调谐带阻滤波器 | |
| CN108693602B (zh) | 一种氮化硅三维集成多微腔谐振滤波器件及其制备方法 | |
| FR2658307A1 (fr) | Guide d'onde optique integre et procede de realisation. | |
| Chang et al. | Flexible and ultranarrow transmissive color filters by simultaneous excitations of triple resonant eigenmodes in hybrid metallic–optical Tamm state devices | |
| Sun et al. | Polarization independent high-speed spatial modulators based on an electro-optic polymer and silicon hybrid metasurface | |
| WO2020137632A1 (ja) | 光変調器 | |
| CN117250806A (zh) | 一种铌酸锂薄膜-硫系集成片上声光调控器件及制备方法 | |
| Shihab et al. | Nonlinear optical absorption switching behavior of BaTiO3 in asymmetric microcavity | |
| CN115016149B (zh) | 一种基于二氧化钒相变的等离激元超表面超快偏振选择性光调制器 | |
| CN103985937A (zh) | 一种等离子体微波隔离装置、微波隔离方法及装置应用 | |
| Chen et al. | Remarkable blue shift modulation of the photonic bandgap in all-dielectric photonic crystals induced by He+ ion irradiation | |
| CN115903114A (zh) | 一种基于光子晶体膜层结构的偏振不敏感角度滤波器及其制备方法 | |
| Kosugi et al. | Surface-normal electro-optic-polymer modulator with silicon subwavelength grating | |
| CN103309119A (zh) | 非对称dmd结构的金属表面态双稳全光逻辑控制器件 | |
| JPH0922033A (ja) | 非線形光デバイス | |
| JP2003279707A (ja) | 1次元フォトニック結晶への反射防止膜の構造およびその形成方法 | |
| Murali et al. | Lithium niobate on insulator: an emerging nanophotonic crystal for optimized light control | |
| Saha et al. | Engineering the temporal dynamics with fast and slow materials for all-optical switching | |
| CN115799356A (zh) | 一种用于增强二硫化钼光学吸收的光吸收器及其制备方法 | |
| JPH06301071A (ja) | 半導体超微粒子分散型非線形光学素子 | |
| Kumari et al. | Study of non-linear optical properties of an ENZ composite metamaterial | |
| Chen et al. | Coherent perfect absorber based on antisymmetric metasurface with gain material | |
| CN113311599A (zh) | 高速集成光调制器、调制方法及调制系统 |