JPH09222402A - 絶縁物の表面分析方法 - Google Patents
絶縁物の表面分析方法Info
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- JPH09222402A JPH09222402A JP8031089A JP3108996A JPH09222402A JP H09222402 A JPH09222402 A JP H09222402A JP 8031089 A JP8031089 A JP 8031089A JP 3108996 A JP3108996 A JP 3108996A JP H09222402 A JPH09222402 A JP H09222402A
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- vapor deposition
- metal vapor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁物の帯電を防止して、正確な分析を可能
とする絶縁物の表面分析方法を提供する。 【解決手段】 絶縁物３を表面分析装置内の試料台１７
に設置し、電子分光法で絶縁物３の表面分析を行うにあ
たり、上記試料台１７の上方に取り付けられたマスク片
５で、上記絶縁物３の分析箇所３ａを覆い、上記表面分
析機内に設置した蒸着装置６で該絶縁物３の非被覆面３
ｂに金属蒸着膜４を形成する。これにより、絶縁物３が
大気中にさらされることがないので、金属蒸着膜４が酸
化しないため、絶縁物３の帯電の除去効果を良好な状態
で維持することができる。
とする絶縁物の表面分析方法を提供する。 【解決手段】 絶縁物３を表面分析装置内の試料台１７
に設置し、電子分光法で絶縁物３の表面分析を行うにあ
たり、上記試料台１７の上方に取り付けられたマスク片
５で、上記絶縁物３の分析箇所３ａを覆い、上記表面分
析機内に設置した蒸着装置６で該絶縁物３の非被覆面３
ｂに金属蒸着膜４を形成する。これにより、絶縁物３が
大気中にさらされることがないので、金属蒸着膜４が酸
化しないため、絶縁物３の帯電の除去効果を良好な状態
で維持することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁物の表面分析
方法に関し、具体的には、オージェ電子分光分析装置や
Ｘ線光電子分光分析装置を用いた絶縁物の表面分析方法
に関するものである。
方法に関し、具体的には、オージェ電子分光分析装置や
Ｘ線光電子分光分析装置を用いた絶縁物の表面分析方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子分光法で材料の表面組成を分析する
装置として、電子ビーム、Ｘ線を要する、オージェ電子
分光分析装置（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光分析装置（Ｅ
ＳＣＡ）が知られている。上記分析装置を用いて分析す
る際に、分析するものが絶縁物の場合、上記絶縁物が帯
電し易い。上記帯電により、測定のスペクトル形状が歪
んだり、ピークがシフトする恐れがある。
装置として、電子ビーム、Ｘ線を要する、オージェ電子
分光分析装置（ＡＥＳ）、Ｘ線光電子分光分析装置（Ｅ
ＳＣＡ）が知られている。上記分析装置を用いて分析す
る際に、分析するものが絶縁物の場合、上記絶縁物が帯
電し易い。上記帯電により、測定のスペクトル形状が歪
んだり、ピークがシフトする恐れがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そのため、オージェ電
子分光分析装置では、測定する絶縁物を傾けて電子ビー
ムの入射する角度を小さくし、帯電が逃げやすくしてい
るが、分析する領域の形状が楕円となり微小領域の分析
に適さない。また、Ｘ線光電子分光分析装置ではＸ線照
射による正の帯電を中和するために負の電荷を有する電
子シャワーを照射するが、十分に帯電を除去されるに至
っていない。そこで、金属蒸着膜を形成した後に、上記
分析装置に設置する方法も試みられているが、帯電の除
去にばらつきを生じる。これは、絶縁物が大気中にさら
され、金属蒸着膜が酸化するためと推測される。
子分光分析装置では、測定する絶縁物を傾けて電子ビー
ムの入射する角度を小さくし、帯電が逃げやすくしてい
るが、分析する領域の形状が楕円となり微小領域の分析
に適さない。また、Ｘ線光電子分光分析装置ではＸ線照
射による正の帯電を中和するために負の電荷を有する電
子シャワーを照射するが、十分に帯電を除去されるに至
っていない。そこで、金属蒸着膜を形成した後に、上記
分析装置に設置する方法も試みられているが、帯電の除
去にばらつきを生じる。これは、絶縁物が大気中にさら
され、金属蒸着膜が酸化するためと推測される。
【０００４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、絶縁物の帯電を防止し
て、正確な分析を可能とする絶縁物の表面分析方法を提
供することにある。
で、その目的とするところは、絶縁物の帯電を防止し
て、正確な分析を可能とする絶縁物の表面分析方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
絶縁物の表面分析方法は、絶縁物を表面分析装置内の試
料台に設置し、電子分光法で絶縁物の表面分析を行うに
あたり、上記試料台の上方に取り付けられたマスク片
で、上記絶縁物の分析箇所を覆い、上記表面分析装置内
に設置した蒸着装置で該絶縁物の非被覆面に金属蒸着膜
を形成することを特徴とする。上記方法により、絶縁物
が大気中にさらされることがないので、金属蒸着膜が酸
化しない。
絶縁物の表面分析方法は、絶縁物を表面分析装置内の試
料台に設置し、電子分光法で絶縁物の表面分析を行うに
あたり、上記試料台の上方に取り付けられたマスク片
で、上記絶縁物の分析箇所を覆い、上記表面分析装置内
に設置した蒸着装置で該絶縁物の非被覆面に金属蒸着膜
を形成することを特徴とする。上記方法により、絶縁物
が大気中にさらされることがないので、金属蒸着膜が酸
化しない。
【０００６】本発明の請求項２に係る絶縁物の表面分析
方法は、請求項１記載の絶縁物の表面分析方法におい
て、上記マスク片の上に該絶縁物と同種の膜厚制御用絶
縁物を置き、上記膜厚制御用絶縁物の表面を分析しなが
ら金属蒸着膜を形成することを特徴とする。上記方法に
より、金属蒸着膜の膜厚を容易に制御できる。
方法は、請求項１記載の絶縁物の表面分析方法におい
て、上記マスク片の上に該絶縁物と同種の膜厚制御用絶
縁物を置き、上記膜厚制御用絶縁物の表面を分析しなが
ら金属蒸着膜を形成することを特徴とする。上記方法に
より、金属蒸着膜の膜厚を容易に制御できる。
【０００７】本発明の請求項３に係る絶縁物の表面分析
方法は、請求項１又は請求項２記載の絶縁物の表面分析
方法において、上記試料台を液体窒素の蒸気を通した配
管を介して冷却し、上記絶縁物を冷却した状態で金属蒸
着膜を形成することを特徴とする。上記方法により、絶
縁物が蒸着の際に組成や結合状態が変化することを防
ぐ。
方法は、請求項１又は請求項２記載の絶縁物の表面分析
方法において、上記試料台を液体窒素の蒸気を通した配
管を介して冷却し、上記絶縁物を冷却した状態で金属蒸
着膜を形成することを特徴とする。上記方法により、絶
縁物が蒸着の際に組成や結合状態が変化することを防
ぐ。
【０００８】本発明の請求項４に係る絶縁物の表面分析
方法は、請求項１乃至請求項３いずれか記載の絶縁物の
表面分析方法において、上記マスク片は基端に垂直な軸
を有し、この軸を回転させることにより、上記マスク片
を該絶縁物上に設置、または、該絶縁物上から除去する
ことを特徴とする。
方法は、請求項１乃至請求項３いずれか記載の絶縁物の
表面分析方法において、上記マスク片は基端に垂直な軸
を有し、この軸を回転させることにより、上記マスク片
を該絶縁物上に設置、または、該絶縁物上から除去する
ことを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項５に係る絶縁物の表面分析
方法は、請求項１乃至請求項４いずれか記載の絶縁物の
表面分析方法において、上記金属蒸着膜を形成した絶縁
物に、上記表面分析装置内に設置した中和電子銃から電
子シャワーを照射した後に、絶縁物の表面分析を行うこ
とを特徴とする。
方法は、請求項１乃至請求項４いずれか記載の絶縁物の
表面分析方法において、上記金属蒸着膜を形成した絶縁
物に、上記表面分析装置内に設置した中和電子銃から電
子シャワーを照射した後に、絶縁物の表面分析を行うこ
とを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
図１は本発明の分析方法を実施するのに使用する表面分
析装置の概略図である。
図１は本発明の分析方法を実施するのに使用する表面分
析装置の概略図である。
【００１１】本発明はセラミック等の絶縁物３の表面
を、電子分光法で分析するものである。本発明を実施す
るのに使用する表面分析装置は、電子ビームを発生する
電子銃８、Ｘ線を発生するＸ線源９、及び、上記絶縁物
３が置かれる試料台１７を分析室１内に備える。上記試
料台１７は照射面に、ステンレス、または、銅製の試料
ホルダー７を有し、この試料ホルダー７に絶縁物３を静
置して分析が行われる。表面分析の際は、電子銃８、及
び、Ｘ線源９から発生したビームを、上記絶縁物３の分
析箇所３ａに照射し、この分析箇所３ａから生じる二次
電子を分析器２内の検出器で検出し、エネルギー分布の
スペクトルを測定する。上記表面分析装置は、分析室１
に連接して真空ポンプ１１が設けられており、この真空
ポンプ１１を稼働させて、表面分析装置の内部を１０-9
Ｔｏｒｒ 以下の超高真空状態で測定が行われる。
を、電子分光法で分析するものである。本発明を実施す
るのに使用する表面分析装置は、電子ビームを発生する
電子銃８、Ｘ線を発生するＸ線源９、及び、上記絶縁物
３が置かれる試料台１７を分析室１内に備える。上記試
料台１７は照射面に、ステンレス、または、銅製の試料
ホルダー７を有し、この試料ホルダー７に絶縁物３を静
置して分析が行われる。表面分析の際は、電子銃８、及
び、Ｘ線源９から発生したビームを、上記絶縁物３の分
析箇所３ａに照射し、この分析箇所３ａから生じる二次
電子を分析器２内の検出器で検出し、エネルギー分布の
スペクトルを測定する。上記表面分析装置は、分析室１
に連接して真空ポンプ１１が設けられており、この真空
ポンプ１１を稼働させて、表面分析装置の内部を１０-9
Ｔｏｒｒ 以下の超高真空状態で測定が行われる。
【００１２】上記表面分析装置は、試料台１７に垂直な
軸１０を有し、この軸１０は上端に水平方向の支持片１
２を備え、この支持片の先端にマスク片５が取り付けら
れている。上記軸１０は回転できる構造となっており、
軸１０の回転により、支持片１２に支持されたマスク片
５が軸１０を中心に１８０度水平面を移動する。この軸
１０の回転により、マスク片５は上記絶縁物３の分析箇
所３ａを覆う位置に移動することができる。さらに、上
記表面分析装置内に蒸着装置６が設置されており、蒸着
装置６から蒸発金属粒子を発生させることができる。
軸１０を有し、この軸１０は上端に水平方向の支持片１
２を備え、この支持片の先端にマスク片５が取り付けら
れている。上記軸１０は回転できる構造となっており、
軸１０の回転により、支持片１２に支持されたマスク片
５が軸１０を中心に１８０度水平面を移動する。この軸
１０の回転により、マスク片５は上記絶縁物３の分析箇
所３ａを覆う位置に移動することができる。さらに、上
記表面分析装置内に蒸着装置６が設置されており、蒸着
装置６から蒸発金属粒子を発生させることができる。
【００１３】本発明の特徴は、上記試料台１７の上方に
取り付けられたマスク片５で、上記絶縁物３の分析箇所
３ａを覆うこと、及び、上記表面分析装置内に設置した
蒸着装置６でこの絶縁物３の非被覆面３ｂに金属蒸着膜
４を形成することにある。上記金属蒸着膜４としては、
例えば、蒸着速度が大きいアルミニウム膜が挙げられ
る。上記マスク片５、及び、軸１０の材質は、試料ホル
ダー７と同一のステンレスまたは銅が望ましい。上記マ
スク片５と絶縁物３の分析箇所３ａとの間隔は２ｍｍ程
度が好ましい。上記マスク片５は直径が３ｍｍ程度の円
板状であれば分析箇所３ａを蒸着することなく、分析箇
所３ａ以外の非被覆面３ｂに金属蒸着膜４を形成するこ
とができる。上記金属蒸着膜４を形成した後、軸１０の
回転によりマスク片５を絶縁物３上から除去し、表面分
析が行われる。上述の如く、本発明は表面分析装置内で
金属蒸着膜４を形成するので、絶縁物３が大気中にさら
されることがない。そのため、金属蒸着膜４が酸化しな
いので、帯電の除去効果を良好な状態で維持することが
できる。その結果、本発明の表面分析は精度が良好とな
る。
取り付けられたマスク片５で、上記絶縁物３の分析箇所
３ａを覆うこと、及び、上記表面分析装置内に設置した
蒸着装置６でこの絶縁物３の非被覆面３ｂに金属蒸着膜
４を形成することにある。上記金属蒸着膜４としては、
例えば、蒸着速度が大きいアルミニウム膜が挙げられ
る。上記マスク片５、及び、軸１０の材質は、試料ホル
ダー７と同一のステンレスまたは銅が望ましい。上記マ
スク片５と絶縁物３の分析箇所３ａとの間隔は２ｍｍ程
度が好ましい。上記マスク片５は直径が３ｍｍ程度の円
板状であれば分析箇所３ａを蒸着することなく、分析箇
所３ａ以外の非被覆面３ｂに金属蒸着膜４を形成するこ
とができる。上記金属蒸着膜４を形成した後、軸１０の
回転によりマスク片５を絶縁物３上から除去し、表面分
析が行われる。上述の如く、本発明は表面分析装置内で
金属蒸着膜４を形成するので、絶縁物３が大気中にさら
されることがない。そのため、金属蒸着膜４が酸化しな
いので、帯電の除去効果を良好な状態で維持することが
できる。その結果、本発明の表面分析は精度が良好とな
る。
【００１４】金属蒸着膜４を形成する際に、図２に示す
如く、上記マスク片５の上に該絶縁物３と同種の膜厚制
御用絶縁物１３を設置することが好ましい。この膜厚制
御用絶縁物１３を設置しておくと、膜厚制御用絶縁物１
３上に形成された金属蒸着膜１４の状態を分析しながら
蒸着を行えるので、絶縁物３の金属蒸着膜４の膜厚を容
易に制御できる。上記膜厚制御用絶縁物１３はマスク片
５の上にネジ止めし、設置すればよい。
如く、上記マスク片５の上に該絶縁物３と同種の膜厚制
御用絶縁物１３を設置することが好ましい。この膜厚制
御用絶縁物１３を設置しておくと、膜厚制御用絶縁物１
３上に形成された金属蒸着膜１４の状態を分析しながら
蒸着を行えるので、絶縁物３の金属蒸着膜４の膜厚を容
易に制御できる。上記膜厚制御用絶縁物１３はマスク片
５の上にネジ止めし、設置すればよい。
【００１５】さらに、上記絶縁物３を冷却した状態で、
絶縁物３に金属蒸着膜４を形成することが好ましい。絶
縁物３を冷却するための分析室１を図３に示す。図に示
す如く、表面分析装置の分析室１に隣接して液体窒素で
満たされた容器１４を備え、上記容器１４に連接した配
管１６内を、液体窒素から発生した蒸気が流れる。この
配管１６は分析室１内の試料台１７の周囲を取り巻くよ
うに接し、ポンプ１５に接続している。このポンプ１５
を稼働し、配管１６内に液体窒素の蒸気を通すことによ
って、上記試料台１７を液体窒素の蒸気で約−１００℃
に冷却し、絶縁物３を冷却した状態とする。上記絶縁物
３を冷却すると、絶縁物３が蒸着の際に輻射熱や蒸発す
る金属粒子の凝縮熱により、絶縁物３の表面の組成や結
合状態が変化することを防止できる。
絶縁物３に金属蒸着膜４を形成することが好ましい。絶
縁物３を冷却するための分析室１を図３に示す。図に示
す如く、表面分析装置の分析室１に隣接して液体窒素で
満たされた容器１４を備え、上記容器１４に連接した配
管１６内を、液体窒素から発生した蒸気が流れる。この
配管１６は分析室１内の試料台１７の周囲を取り巻くよ
うに接し、ポンプ１５に接続している。このポンプ１５
を稼働し、配管１６内に液体窒素の蒸気を通すことによ
って、上記試料台１７を液体窒素の蒸気で約−１００℃
に冷却し、絶縁物３を冷却した状態とする。上記絶縁物
３を冷却すると、絶縁物３が蒸着の際に輻射熱や蒸発す
る金属粒子の凝縮熱により、絶縁物３の表面の組成や結
合状態が変化することを防止できる。
【００１６】また、Ｘ線光電子分光分析装置では、蒸着
した後に金属蒸着膜４を形成した絶縁物に、電子シャワ
ーを照射することが好ましい。電子シャワーを照射する
と帯電が中和され緩和されるので、金属蒸着膜４が薄す
ぎても帯電除去効率を上げることができる。
した後に金属蒸着膜４を形成した絶縁物に、電子シャワ
ーを照射することが好ましい。電子シャワーを照射する
と帯電が中和され緩和されるので、金属蒸着膜４が薄す
ぎても帯電除去効率を上げることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る絶縁物の表面分
析方法によれば、表面分析装置内で金属蒸着膜を形成す
るので、絶縁物が大気中にさらされることがない。その
ため、金属蒸着膜が酸化しないので、帯電の除去効果を
良好な状態で維持することができる。その結果、表面分
析は精度が良好となる。
析方法によれば、表面分析装置内で金属蒸着膜を形成す
るので、絶縁物が大気中にさらされることがない。その
ため、金属蒸着膜が酸化しないので、帯電の除去効果を
良好な状態で維持することができる。その結果、表面分
析は精度が良好となる。
【００１８】本発明の請求項２に係る絶縁物の表面分析
方法によれば、上記効果に加え、特に、膜厚制御用絶縁
物の表面を分析しながら金属蒸着膜を形成するので、絶
縁物に形成する金属蒸着膜の膜厚を容易に制御できる。
方法によれば、上記効果に加え、特に、膜厚制御用絶縁
物の表面を分析しながら金属蒸着膜を形成するので、絶
縁物に形成する金属蒸着膜の膜厚を容易に制御できる。
【００１９】本発明の請求項３に係る絶縁物の表面分析
方法によれば、上記効果に加え、特に、絶縁物を冷却し
た状態で金属蒸着膜を形成するので、絶縁物が蒸着の際
に組成や結合状態が変化することを防止でき、表面分析
の精度がより向上する。
方法によれば、上記効果に加え、特に、絶縁物を冷却し
た状態で金属蒸着膜を形成するので、絶縁物が蒸着の際
に組成や結合状態が変化することを防止でき、表面分析
の精度がより向上する。
【００２０】本発明の請求項５に係る絶縁物の表面分析
方法によれば、上記効果に加え、特に、Ｘ線光電子分光
分析装置の場合、金属蒸着膜が薄すぎても帯電除去効率
を上げることができる。
方法によれば、上記効果に加え、特に、Ｘ線光電子分光
分析装置の場合、金属蒸着膜が薄すぎても帯電除去効率
を上げることができる。
【図１】本発明の分析方法を実施するのに使用する表面
分析装置の概略図である。
分析装置の概略図である。
【図２】絶縁物とマスク片の要部を示した断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の分析方法を実施するのに使用する分析
室の概略図である。
室の概略図である。
１ 分析室 ２ 分析器 ３ 絶縁物 ３ａ 分析箇所 ３ｂ 非被覆面 ４ 金属蒸着膜 ５ マスク片 ６ 蒸着装置 ７ 試料ホルダー ８ 電子銃 ９ Ｘ線源 １０ 軸 １１ 真空ポンプ １２ 支持片 １７ 試料台
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁物を表面分析装置内の試料台に設置
し、電子分光法で絶縁物の表面分析を行うにあたり、上
記試料台の上方に取り付けられたマスク片で、上記絶縁
物の分析箇所を覆い、上記表面分析装置内に設置した蒸
着装置で該絶縁物の非被覆面に金属蒸着膜を形成するこ
とを特徴とする絶縁物の表面分析方法。 - 【請求項２】 上記マスク片の上に該絶縁物と同種の膜
厚制御用絶縁物を置き、上記膜厚制御用絶縁物の表面を
分析しながら金属蒸着膜を形成することを特徴とする請
求項１記載の絶縁物の表面分析方法。 - 【請求項３】 上記試料台を液体窒素の蒸気を通した配
管を介して冷却し、上記絶縁物を冷却した状態で金属蒸
着膜を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２
記載の絶縁物の表面分析方法。 - 【請求項４】 上記マスク片は基端に垂直な軸を有し、
この軸を回転させることにより、上記マスク片を該絶縁
物上に設置、または、該絶縁物上から除去することを特
徴とする請求項１乃至請求項３いずれか記載の絶縁物の
表面分析方法。 - 【請求項５】 上記金属蒸着膜を形成した絶縁物に、上
記表面分析装置内に設置した中和電子銃から電子シャワ
ーを照射した後に、絶縁物の表面分析を行うことを特徴
とする請求項１乃至請求項４いずれか記載の絶縁物の表
面分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031089A JPH09222402A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 絶縁物の表面分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031089A JPH09222402A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 絶縁物の表面分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09222402A true JPH09222402A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12321688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8031089A Pending JPH09222402A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 絶縁物の表面分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09222402A (ja) |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP8031089A patent/JPH09222402A/ja active Pending
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