JPH09222540A - 高さの低い光学的サブアセンブリ - Google Patents
高さの低い光学的サブアセンブリInfo
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- JPH09222540A JPH09222540A JP8341447A JP34144796A JPH09222540A JP H09222540 A JPH09222540 A JP H09222540A JP 8341447 A JP8341447 A JP 8341447A JP 34144796 A JP34144796 A JP 34144796A JP H09222540 A JPH09222540 A JP H09222540A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高さの低い光学的サブアセンブリ
を提供する。 【解決手段】 その上にレーザ(18)およびフォトダ
イオード(14)が装着されるプラットフォーム(1
2)を含む光学的サブアセンブリ(10)の開示。レー
ザ(18)は、レーザ(18)が放射した光のごく一部
が通過する背面(42)を持つ。フォトダイオード(1
4)は、レーザの背面から放射される光の一部を受信す
るための光受容面を、レーザの光放射面(42)にほぼ
垂直になるように、プラットフォームの表面上に装着さ
れる。プラットフォームの表面には、チャネル(34)
を設けることができる。このチャネル(34)は、レー
ザ(18)に近い幅の狭い端部(36)から、フォトダ
イオード(14)に近い幅の広い端部(38)に向けて
テーパ状に形成することができ、また光反射材料でコー
ティングすることもできる。
を提供する。 【解決手段】 その上にレーザ(18)およびフォトダ
イオード(14)が装着されるプラットフォーム(1
2)を含む光学的サブアセンブリ(10)の開示。レー
ザ(18)は、レーザ(18)が放射した光のごく一部
が通過する背面(42)を持つ。フォトダイオード(1
4)は、レーザの背面から放射される光の一部を受信す
るための光受容面を、レーザの光放射面(42)にほぼ
垂直になるように、プラットフォームの表面上に装着さ
れる。プラットフォームの表面には、チャネル(34)
を設けることができる。このチャネル(34)は、レー
ザ(18)に近い幅の狭い端部(36)から、フォトダ
イオード(14)に近い幅の広い端部(38)に向けて
テーパ状に形成することができ、また光反射材料でコー
ティングすることもできる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザおよび光学
的サブアセンブリに関し、特にフォトダイオードの主要
な光受容面がレーザ・チップの光放射面に対してほぼ垂
直に位置しているレーザまたは光学的サブアセンブリに
関する。
的サブアセンブリに関し、特にフォトダイオードの主要
な光受容面がレーザ・チップの光放射面に対してほぼ垂
直に位置しているレーザまたは光学的サブアセンブリに
関する。
【0002】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】プ
ラットフォーム上に、レーザ・チップおよびフォトダイ
オードが、装着されている光学的サブアセンブリは、通
常、レーザ・チップの背面を通して放射された光の一部
を受信するために、レーザ・チップの背面と整合し、直
接向かい合っているフォトダイオードの光受容面を持
つ。レーザ・チップから放射された光のごく一部だけ
が、背面を通して放射されるので、レーザ・チップの背
面から放射された光の大部分を、フォトダイオードへの
入力として捕捉することが重要である。フォトダイオー
ドによって捕捉される、レーザの背面からの放射光をで
きるだけ多くするために、フォトダイオードの光受容面
は、レーザ・チップの背面から発散する放射光の円錐内
に配置されてきた。フォトダイオードのより大きい光受
容面の一つを、レーザ・チップの光を放射する背面に平
行に配置すると、フォトダイオードのアクティブな領域
に入射する光の量が最大になる。
ラットフォーム上に、レーザ・チップおよびフォトダイ
オードが、装着されている光学的サブアセンブリは、通
常、レーザ・チップの背面を通して放射された光の一部
を受信するために、レーザ・チップの背面と整合し、直
接向かい合っているフォトダイオードの光受容面を持
つ。レーザ・チップから放射された光のごく一部だけ
が、背面を通して放射されるので、レーザ・チップの背
面から放射された光の大部分を、フォトダイオードへの
入力として捕捉することが重要である。フォトダイオー
ドによって捕捉される、レーザの背面からの放射光をで
きるだけ多くするために、フォトダイオードの光受容面
は、レーザ・チップの背面から発散する放射光の円錐内
に配置されてきた。フォトダイオードのより大きい光受
容面の一つを、レーザ・チップの光を放射する背面に平
行に配置すると、フォトダイオードのアクティブな領域
に入射する光の量が最大になる。
【0003】このようにフォトダイオードを配置する際
に生じる一つの問題は、最初に、フォトダイオードをキ
ャリヤ上装着し、その後で、このキャリヤをサブアセン
ブリ上に装着しなければならないことである。キャリヤ
に装着されたフォトダイオードは、通常、他の構成素子
より実質的に高く、残りのパッケージの高さを制限する
傾向にある。そのため、サブアセンブリのコストおよび
複雑さが増し、フォトダイオードの隅の周囲にワイヤ・
ボンディングが必要になる。
に生じる一つの問題は、最初に、フォトダイオードをキ
ャリヤ上装着し、その後で、このキャリヤをサブアセン
ブリ上に装着しなければならないことである。キャリヤ
に装着されたフォトダイオードは、通常、他の構成素子
より実質的に高く、残りのパッケージの高さを制限する
傾向にある。そのため、サブアセンブリのコストおよび
複雑さが増し、フォトダイオードの隅の周囲にワイヤ・
ボンディングが必要になる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の例示としての実
施例の場合、光学的サブアセンブリは、その上にレーザ
およびフォトダイオードが装着されるプラットフォーム
を含む。レーザは、レーザが放射した光のごく一部が通
過する背面を持つ。フォトダイオードは、レーザの背面
から放射される光の一部を受信するための光受容面が、
レーザの光放射面にほぼ垂直になるように、プラットフ
ォームの表面上に装着される。プラットフォームの表面
には、チャネルを設けることができる。このチャネル
は、レーザに近接した幅の狭い端部から、フォトダイオ
ードに近接した幅の広い端部に向けてテーパ状に形成す
ることができ、また光反射材料でコーティングすること
もできる。図面を参照しながら、例示としての本発明を
説明する。
施例の場合、光学的サブアセンブリは、その上にレーザ
およびフォトダイオードが装着されるプラットフォーム
を含む。レーザは、レーザが放射した光のごく一部が通
過する背面を持つ。フォトダイオードは、レーザの背面
から放射される光の一部を受信するための光受容面が、
レーザの光放射面にほぼ垂直になるように、プラットフ
ォームの表面上に装着される。プラットフォームの表面
には、チャネルを設けることができる。このチャネル
は、レーザに近接した幅の狭い端部から、フォトダイオ
ードに近接した幅の広い端部に向けてテーパ状に形成す
ることができ、また光反射材料でコーティングすること
もできる。図面を参照しながら、例示としての本発明を
説明する。
【0005】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の例示としての実
施例による光学的サブアセンブリ10である。光学的サ
ブアセンブリ10は、アクティブな光学的装置を支持
し、それに電気的な接続を行うために使用されるプラッ
トフォーム12を含む。プラットフォーム12は、好適
には、素子をエッチングすることができるシリコンまた
はガリウムひ素のような半導体基板材料であることが好
ましい。他の方法としては、プラットフォーム12は、
用途に応じた精度で、種々の素子(例えば、整合基準点
およびその他の素子)を含むように処理することができ
る、任意の適当な材料で作ることができる。
施例による光学的サブアセンブリ10である。光学的サ
ブアセンブリ10は、アクティブな光学的装置を支持
し、それに電気的な接続を行うために使用されるプラッ
トフォーム12を含む。プラットフォーム12は、好適
には、素子をエッチングすることができるシリコンまた
はガリウムひ素のような半導体基板材料であることが好
ましい。他の方法としては、プラットフォーム12は、
用途に応じた精度で、種々の素子(例えば、整合基準点
およびその他の素子)を含むように処理することができ
る、任意の適当な材料で作ることができる。
【0006】フォトダイオード14は、レーザ18の背
面から放射された光を受信するために、プラットフォー
ム12の第一の表面16面上に装着され、レーザもまた
プラットフォーム12の第一の表面16上に装着されて
いる。好適な実施例の場合には、レーザ18は、第1の
表面16に隣接したアクティブな領域と結合したレーザ
である。当業者にとっては周知のように、フォトダイオ
ード14は、レーザ18の出力をモニタするために使用
され、通常、温度またはレーザの老化を補正するため
に、図示してないフィードバック回路に接続している。
第一の表面16上の金属化領域20および22は、最終
組立および試験中にフォトダイオードに電力を供給する
目的で、電気的エネルギーを送るために、フォトダイオ
ード14と電気的に接続している。同様に、第一の表面
16上の金属化領域24および26は、(図4に示す)
最終組立および試験中に、レーザ18に電力を供給する
目的で、電気的エネルギーを送るために、レーザ18と
電気的に接続している。第一の表面16は、球状レンズ
32を収容し、位置させるための細長い整合基準面30
を含む。レンズ32は、レーザ・パッケージの外部で使
用するために、レーザ18の前面から放射した光のビー
ムを平行にする。
面から放射された光を受信するために、プラットフォー
ム12の第一の表面16面上に装着され、レーザもまた
プラットフォーム12の第一の表面16上に装着されて
いる。好適な実施例の場合には、レーザ18は、第1の
表面16に隣接したアクティブな領域と結合したレーザ
である。当業者にとっては周知のように、フォトダイオ
ード14は、レーザ18の出力をモニタするために使用
され、通常、温度またはレーザの老化を補正するため
に、図示してないフィードバック回路に接続している。
第一の表面16上の金属化領域20および22は、最終
組立および試験中にフォトダイオードに電力を供給する
目的で、電気的エネルギーを送るために、フォトダイオ
ード14と電気的に接続している。同様に、第一の表面
16上の金属化領域24および26は、(図4に示す)
最終組立および試験中に、レーザ18に電力を供給する
目的で、電気的エネルギーを送るために、レーザ18と
電気的に接続している。第一の表面16は、球状レンズ
32を収容し、位置させるための細長い整合基準面30
を含む。レンズ32は、レーザ・パッケージの外部で使
用するために、レーザ18の前面から放射した光のビー
ムを平行にする。
【0007】金属化領域24内の基準面70および金属
化領域26内の基準点面72は、基準面30に対して正
確に設置される。レーザ18は、その内部の基準面76
とともに、上面上に金属化領域74を持つことができ
る。基準面70、72および76は、マスク作業中に設
置することができ、そのためこれら基準面を非常に正確
に設置することができる。レーザ18がプラットフォー
ム12上に設置するとき、基準面70および72に対し
て基準面76を設置することにより、レーザ18を正確
に設置することができる。こうすることにより、確実
に、基準面30およびレンズ32の両方に対して、レー
ザを正確に設置することができる。
化領域26内の基準点面72は、基準面30に対して正
確に設置される。レーザ18は、その内部の基準面76
とともに、上面上に金属化領域74を持つことができ
る。基準面70、72および76は、マスク作業中に設
置することができ、そのためこれら基準面を非常に正確
に設置することができる。レーザ18がプラットフォー
ム12上に設置するとき、基準面70および72に対し
て基準面76を設置することにより、レーザ18を正確
に設置することができる。こうすることにより、確実
に、基準面30およびレンズ32の両方に対して、レー
ザを正確に設置することができる。
【0008】レーザ18は、光放射背面42をフォトダ
イオード14の方に向けて、プラットフォーム12の第
一の表面16上に装着される。レーザ18により放射さ
れた光の比較的少ない部分が、光放射面42を通過す
る。フォトダイオード14も、同様に、レーザ18の背
面42から放射された光放射の一部を受信するために、
主要な光受容面を、レーザ18の光放射背面42に実質
的に垂直になるような状態で、プラットフォーム12の
第一の表面16上に装着される。好適な実施例の場合に
は、光受容面44は、フォトダイオード14の主要な表
面である。フォトダイオード14の光受容面44の少な
くとも一部が、第一の表面16に隣接するようにするこ
とが好ましい。
イオード14の方に向けて、プラットフォーム12の第
一の表面16上に装着される。レーザ18により放射さ
れた光の比較的少ない部分が、光放射面42を通過す
る。フォトダイオード14も、同様に、レーザ18の背
面42から放射された光放射の一部を受信するために、
主要な光受容面を、レーザ18の光放射背面42に実質
的に垂直になるような状態で、プラットフォーム12の
第一の表面16上に装着される。好適な実施例の場合に
は、光受容面44は、フォトダイオード14の主要な表
面である。フォトダイオード14の光受容面44の少な
くとも一部が、第一の表面16に隣接するようにするこ
とが好ましい。
【0009】図1、図2および図3に示すように、プラ
ットフォーム12は、またレーザ18の光放射背面42
に近い第一の幅の狭い方の端部36から、フォトダイオ
ード14に近い幅の広い方の端部38に向かって延びる
チャネル34を含む。チャネル34は、第一の表面16
から所定の深さまで、プラットフォーム12にエッチン
グにより形成される。チャネル34は、光放射背面42
から放射される光の拡散と同じように、レーザからフォ
トダイオードの方に向かって、その幅が広くなってい
る。好適な実施例の場合には、チャネルの広がりの角度
は、背面42から放射されるレーザ光線の拡散の角度よ
り小さい。チャネル34は、好適にはセンターライン4
8に対して対称であることが好ましい。好適には、プラ
ットフォーム12の第一の表面16から引っ込んでい
て、チャネル34を形成している一つの表面または複数
の表面46は、アルミニウムまたは金のような光を反射
する材料でコーティングされていることが好ましい。そ
のような光を反射する材料は、プラットフォーム12を
処理している間にコーティングすることができる。
ットフォーム12は、またレーザ18の光放射背面42
に近い第一の幅の狭い方の端部36から、フォトダイオ
ード14に近い幅の広い方の端部38に向かって延びる
チャネル34を含む。チャネル34は、第一の表面16
から所定の深さまで、プラットフォーム12にエッチン
グにより形成される。チャネル34は、光放射背面42
から放射される光の拡散と同じように、レーザからフォ
トダイオードの方に向かって、その幅が広くなってい
る。好適な実施例の場合には、チャネルの広がりの角度
は、背面42から放射されるレーザ光線の拡散の角度よ
り小さい。チャネル34は、好適にはセンターライン4
8に対して対称であることが好ましい。好適には、プラ
ットフォーム12の第一の表面16から引っ込んでい
て、チャネル34を形成している一つの表面または複数
の表面46は、アルミニウムまたは金のような光を反射
する材料でコーティングされていることが好ましい。そ
のような光を反射する材料は、プラットフォーム12を
処理している間にコーティングすることができる。
【0010】図3に最もハッキリ示したように、光放射
背面42から放射された光の全部がフォトダイオード1
4の光受容面44で直接受け入れられるわけではない。
チャネル34に入る光の大部分は、チャネル34の形
状、およびフォトダイオード14の光受容面44の方向
に光を反射する表面46の反射率により、表面46から
反射される。
背面42から放射された光の全部がフォトダイオード1
4の光受容面44で直接受け入れられるわけではない。
チャネル34に入る光の大部分は、チャネル34の形
状、およびフォトダイオード14の光受容面44の方向
に光を反射する表面46の反射率により、表面46から
反射される。
【0011】チャネル34は、レーザから放射された光
を、フォトダイオード14のアクティブな領域15に導
入する働きをする。レーザ18から放射された光の一部
は、好適な実施例の場合には、フォトダイオード14の
小さな表面である前面45を直接通過し、アクティブな
領域15を照射する。アクティブな領域を直接照射しな
い光子は、種々の面から反射するが、アクティブな領域
を照射する可能性は少なく、そのため電気的エネルギー
に変換される可能性は少ない。レーザ光線は、フォトダ
イオード14が作られている検出装置材料の最短の通路
を通して、直接アクティブな領域15の方向に向けるこ
とが望ましい。
を、フォトダイオード14のアクティブな領域15に導
入する働きをする。レーザ18から放射された光の一部
は、好適な実施例の場合には、フォトダイオード14の
小さな表面である前面45を直接通過し、アクティブな
領域15を照射する。アクティブな領域を直接照射しな
い光子は、種々の面から反射するが、アクティブな領域
を照射する可能性は少なく、そのため電気的エネルギー
に変換される可能性は少ない。レーザ光線は、フォトダ
イオード14が作られている検出装置材料の最短の通路
を通して、直接アクティブな領域15の方向に向けるこ
とが望ましい。
【0012】チャネル34の幅の狭い第一の端部36
は、レーザ18の位置決めに幾分の許容誤差を与えるた
めに、レーザ18の一部の下を延びている。チャネル3
4の広い方の第二の端部38は、光がフォトダイオード
14の光受容面44に入ることができるように、フォト
ダイオード14の一部の下を延びている。チャネル34
の終末部は、広い方の第二の端部38において、端面5
0となり、この端面は光受容面44の方向に、その上か
ら照射する光の少なくとも一部を反射するように、ある
角度で設置されている回転ミラーの働きをする。フォト
ダイオード14は、フォトダイオード14の下を延びて
いるチャネル34のその部分に隣接している上表面16
と係合している。レーザ18が上表面16と係合してい
るので、レーザ18で発生した熱を発散させるヒート・
シンクの働きをする。
は、レーザ18の位置決めに幾分の許容誤差を与えるた
めに、レーザ18の一部の下を延びている。チャネル3
4の広い方の第二の端部38は、光がフォトダイオード
14の光受容面44に入ることができるように、フォト
ダイオード14の一部の下を延びている。チャネル34
の終末部は、広い方の第二の端部38において、端面5
0となり、この端面は光受容面44の方向に、その上か
ら照射する光の少なくとも一部を反射するように、ある
角度で設置されている回転ミラーの働きをする。フォト
ダイオード14は、フォトダイオード14の下を延びて
いるチャネル34のその部分に隣接している上表面16
と係合している。レーザ18が上表面16と係合してい
るので、レーザ18で発生した熱を発散させるヒート・
シンクの働きをする。
【0013】図4に示すように、接点62を持つプラス
チックのハウジング60が、サブアセンブリ10の上に
かぶせてあり、その結果レーザ・パッケージが形成され
る。光は、ポート66を通して放射されるか、または光
ファイバ(図示せず)をこのポートに接続することがで
きる。接点62は、ワイヤ・ボンディング等により、金
属化領域20−26の対応する接点に接続している。
チックのハウジング60が、サブアセンブリ10の上に
かぶせてあり、その結果レーザ・パッケージが形成され
る。光は、ポート66を通して放射されるか、または光
ファイバ(図示せず)をこのポートに接続することがで
きる。接点62は、ワイヤ・ボンディング等により、金
属化領域20−26の対応する接点に接続している。
【0014】本発明は、従来のレーザ・パッケージより
少なく、より簡単な組立ステップでレーザ・パッケージ
を製造できるという利点を持つ。さらに、キャリヤ上に
フォトダイオードが装着されているパッケージの高さと
比較すると、パッケージの高さを低くすることができ
る。
少なく、より簡単な組立ステップでレーザ・パッケージ
を製造できるという利点を持つ。さらに、キャリヤ上に
フォトダイオードが装着されているパッケージの高さと
比較すると、パッケージの高さを低くすることができ
る。
【図1】本発明の光学的サブアセンブリの斜視図であ
る。
る。
【図2】図1の光学的サブアセンブリの一部の平面図で
あり、チャネルがより詳細に図示されている。
あり、チャネルがより詳細に図示されている。
【図3】図1の光学的サブアセンブリの一部の側面図で
あり、チャネルがより詳細に図示されている。
あり、チャネルがより詳細に図示されている。
【図4】図1のサブアセンブリを内蔵するレーザ・パッ
ケージの斜視図である。
ケージの斜視図である。
フロントページの続き (72)発明者 ミンドーガス ファーンナンド ダーター タス アメリカ合衆国.18011 ペンシルヴァニ ア,アルバーティス,ウインドソア ロー ド 118 (72)発明者 ウイリアム マイケル マクドナルド アメリカ合衆国.08833 ニュージャーシ ィ,レバノン,ピーターソン ロード 8 (72)発明者 エドワード エー.ピットマン アメリカ合衆国.17109 ペンシルヴァニ ア,ハリスバーグ,エコー グレン ロー ド 205 (72)発明者 ディヴィッド アンドリュー ラムセイ アメリカ合衆国.18102 ペンシルヴァニ ア,アレンタウン,リンデン ストリート 1417 (72)発明者 ドミニック ポール リナード アメリカ合衆国.19510 ペンシルヴァニ ア,ブランドン,フェイス ドライヴ 209 (72)発明者 イウ−フェン ウォン アメリカ合衆国.07901 ニュージャーシ ィ,サミット,ウッドランド アヴェニュ ー 160
Claims (13)
- 【請求項1】 表面(16)を持つプラットフォーム
(12)と、 プラットフォーム(12)の表面(16)上に装着され
ていて、レーザにより放射された光の一部が通過する背
面(42)を持つレーザ(18)と、 プラットフォームの表面上に装着されていて、レーザの
背面(42)から放射された光の一部を受信するため
の、レーザ(18)の光放射背面(42)にほぼ垂直な
光受容面(44)を持つフォトダイオード(14)と、
を備えてなる光学的サブアセンブリ。 - 【請求項2】 プラットフォームの表面より低く、レー
ザの光放射面に近い第一の端部(36)からフォトダイ
オードに近い第二の端部(38)に向かって延びるチャ
ネル(34)をさらに備えてなる請求項1に記載の光学
的サブアセンブリ。 - 【請求項3】 チャネル(34)の第二の端部(36)
が、フォトダイオード(14)の下を延びている請求項
2に記載の光学的サブアセンブリ。 - 【請求項4】 チャネル(34)が、幅の狭い第一の端
部(36)と幅の広い第二の端部(38)とを持ち、レ
ーザ(18)からフォトダイオード(14)の方向に向
かって幅が広くなっている請求項1に記載の光通信シス
テム。 - 【請求項5】 チャネル(34)が、レーザからフォト
ダイオードの方向に延びるセンターライン(48)に対
して対称である請求項4に記載の光学的サブアセンブ
リ。 - 【請求項6】 チャネル(34)の第一の端部(36)
が、レーザ(18)の下を延びる請求項2に記載の光学
的サブアセンブリ。 - 【請求項7】 チャネル(34)が、内部表面(46)
を形成し、その内部表面(46)の少なくとも一部が、
光反射材料でコーティングされている請求項2に記載の
光学的サブアセンブリ。 - 【請求項8】 光反射材が、アルミニウムである請求項
7に記載の光学的サブアセンブリ。 - 【請求項9】 光反射材が、金である請求項7に記載の
光学的サブアセンブリ。 - 【請求項10】 末端部がフォトダイオード(14)の
光受容面(44)の方向に、その上に入射した光の少な
くとも一部を、反射するような角度に設置された端面
(50)になっているチャネル(34)の第二の端部
(38)をさらに備えてなる請求項2に記載の光学的サ
ブアセンブリ。 - 【請求項11】 レーザ送信機パッケージ(64)を形
成するサブアセンブリを包んでいるハウジング(60)
をさらに備えてなる請求項2載の光学的サブアセンブ
リ。 - 【請求項12】 レンズ(32)を収容するためのプラ
ットフォーム(12)の表面内の凹状の基準面(30)
に収容されているレンズと、 それによりレンズの収容基準面に対してレーザが正確に
設置される、レンズ収容基準面(30)に対して、正確
に設置された表面(16)上の一組のレーザ位置決め基
準面(70、72)と、をさらに備えてなる請求項1に
記載の光学的サブアセンブリ。 - 【請求項13】 レンズ収容基準面(30)に受容され
たレンズ(32)をさらに含み、レーザが該レンズに対
して正確に設置されている請求項12に記載の光学的サ
ブアセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US911695P | 1995-12-22 | 1995-12-22 | |
| US60/009116 | 1995-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09222540A true JPH09222540A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=21735672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8341447A Pending JPH09222540A (ja) | 1995-12-22 | 1996-12-20 | 高さの低い光学的サブアセンブリ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5881193A (ja) |
| EP (1) | EP0782224B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09222540A (ja) |
| KR (1) | KR970048629A (ja) |
| CN (1) | CN1156913A (ja) |
| DE (1) | DE69611282T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6813102B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-11-02 | Opnext Japan, Inc. | Optical module with a monitor photo diode |
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| EP0899781A3 (en) * | 1997-08-28 | 2000-03-08 | Lucent Technologies Inc. | Corrosion protection in the fabrication of optoelectronic assemblies |
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- 1996-12-13 EP EP96309115A patent/EP0782224B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 DE DE69611282T patent/DE69611282T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-20 CN CN96117905A patent/CN1156913A/zh active Pending
- 1996-12-20 JP JP8341447A patent/JPH09222540A/ja active Pending
- 1996-12-21 KR KR1019960069484A patent/KR970048629A/ko not_active Withdrawn
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1997
- 1997-07-22 US US08/899,291 patent/US6034405A/en not_active Expired - Lifetime
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| KR970048629A (ko) | 1997-07-29 |
| US6034405A (en) | 2000-03-07 |
| CN1156913A (zh) | 1997-08-13 |
| EP0782224A1 (en) | 1997-07-02 |
| EP0782224B1 (en) | 2000-12-20 |
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