JPH09223841A - 面発光レーザおよびその製造方法 - Google Patents
面発光レーザおよびその製造方法Info
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- JPH09223841A JPH09223841A JP2915596A JP2915596A JPH09223841A JP H09223841 A JPH09223841 A JP H09223841A JP 2915596 A JP2915596 A JP 2915596A JP 2915596 A JP2915596 A JP 2915596A JP H09223841 A JPH09223841 A JP H09223841A
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- emitting laser
- surface emitting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流狭窄層および電極引き出し構造とを有す
る面発光レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む
半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄
構造を導入した面発光レーザにおいて、上記アルミニウ
ム（Ａｌ）を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸
化して形成した電極引き出し構造を有することにより、
電流狭窄を行うレーザ部分は完全に酸化させず、電極引
き出し部（１−２）のみを完全に酸化させることで、面
発光レーザにおいて効率的な電極狭窄構造と電極引き出
し構造を同時にかつ簡便に作製することができる。
る面発光レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む
半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄
構造を導入した面発光レーザにおいて、上記アルミニウ
ム（Ａｌ）を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸
化して形成した電極引き出し構造を有することにより、
電流狭窄を行うレーザ部分は完全に酸化させず、電極引
き出し部（１−２）のみを完全に酸化させることで、面
発光レーザにおいて効率的な電極狭窄構造と電極引き出
し構造を同時にかつ簡便に作製することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流狭窄層および
電極引き出し構造とを有する面発光レーザおよびその製
造方法に関するものである。
電極引き出し構造とを有する面発光レーザおよびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】面発光レーザは、低しきい値電流動作、
高密度２次元集積化光源が可能なデバイスであり、例え
ば光情報処理用、光通信用、光インターコネクション用
光源として期待されている。この面発光レーザにおいて
は、電流を効率よく活性層に閉じこめる電流狭窄構造が
必要である。
高密度２次元集積化光源が可能なデバイスであり、例え
ば光情報処理用、光通信用、光インターコネクション用
光源として期待されている。この面発光レーザにおいて
は、電流を効率よく活性層に閉じこめる電流狭窄構造が
必要である。
【０００３】近年、電流の狭窄化の方法として，アルミ
ニウム（Ａｌ）を含む半導体層を選択的に酸化させる方
法が用いられ、その可能性が期待されている。
ニウム（Ａｌ）を含む半導体層を選択的に酸化させる方
法が用いられ、その可能性が期待されている。
【０００４】しかしながら、特に面発光レーザをアレイ
化させる場合、選択酸化を用いて電流狭窄構造を形成し
た面発光レーザでは、Ａｌを含む半導体の酸化速度によ
って、その素子の大きさが制限されるため、電極引き出
し構造を形成させない場合、上面側の電極用の十分な領
域が確保できず、電極を作成することは非常に困難であ
った。
化させる場合、選択酸化を用いて電流狭窄構造を形成し
た面発光レーザでは、Ａｌを含む半導体の酸化速度によ
って、その素子の大きさが制限されるため、電極引き出
し構造を形成させない場合、上面側の電極用の十分な領
域が確保できず、電極を作成することは非常に困難であ
った。
【０００５】一方、面発光レーザアレイにおいて電極引
き出し構造を形成する方法として、エッチングした溝を
ポリイミドなどで埋め込んだ後、電極の配線引き出しの
部分およびパッド部分において半導体層と電極との間に
ＳｉＯ2 などの絶縁体層などを挟むことによって実現さ
れてきた。
き出し構造を形成する方法として、エッチングした溝を
ポリイミドなどで埋め込んだ後、電極の配線引き出しの
部分およびパッド部分において半導体層と電極との間に
ＳｉＯ2 などの絶縁体層などを挟むことによって実現さ
れてきた。
【０００６】図３に従来の面発光レーザアレイの一部の
断面図を示す。図３において、符号３−１はｐ電極、３
−２はｐ電極電極引き出し部、３−３はｐ電極パッド
部、３−４はＳｉＯ2 、３−５はｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡ
ｓ ＤＢＲ、３−６はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、３
−７はＡｌＧａＡｓ活性層、３−８はｎ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、３−９はｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢ
Ｒ、３−１０はｎ−ＧａＡｓ基板、３−１１はＡｌＡｓ
酸化物電流狭窄および光導波路層、３−１２はポリイミ
ド埋め込み部、３−１３はｎ電極を図示する。
断面図を示す。図３において、符号３−１はｐ電極、３
−２はｐ電極電極引き出し部、３−３はｐ電極パッド
部、３−４はＳｉＯ2 、３−５はｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡ
ｓ ＤＢＲ、３−６はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、３
−７はＡｌＧａＡｓ活性層、３−８はｎ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層、３−９はｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢ
Ｒ、３−１０はｎ−ＧａＡｓ基板、３−１１はＡｌＡｓ
酸化物電流狭窄および光導波路層、３−１２はポリイミ
ド埋め込み部、３−１３はｎ電極を図示する。
【０００７】ところで、上記電極引き出しの部３−２に
絶縁膜をパターニングする方法において、半導体層をエ
ッチングした後にＳｉＯ2 をパターニングする方法と、
ＳｉＯ2 を全面に形成した後、ＳｉＯ2 層と半導体層と
を同時にエッチングする方法とがある。
絶縁膜をパターニングする方法において、半導体層をエ
ッチングした後にＳｉＯ2 をパターニングする方法と、
ＳｉＯ2 を全面に形成した後、ＳｉＯ2 層と半導体層と
を同時にエッチングする方法とがある。
【０００８】しかしながら、前者の方法は、アレイの数
が増えるにしたがって配線が複雑になりそのパターニン
グの位置精度などの原因から、歩留まりを一定以上に上
げることが困難である、という問題がある。
が増えるにしたがって配線が複雑になりそのパターニン
グの位置精度などの原因から、歩留まりを一定以上に上
げることが困難である、という問題がある。
【０００９】また、後者の方法では、完全に絶縁物を除
去できない影響が電極抵抗の高さに現れ、均一な動作特
性を持ったレーザアレイを作成することが困難になると
いう欠点を持っている。
去できない影響が電極抵抗の高さに現れ、均一な動作特
性を持ったレーザアレイを作成することが困難になると
いう欠点を持っている。
【００１０】本発明は、上記従来技術に鑑み、選択酸化
を行うためのＡｌを含む半導体層を完全に酸化して形成
する電極引き出し構造を導入することでキャリアを効果
的に活性層に注入させながら簡便かつ高い歩留まりで電
極引き出し構造を形成させることが可能な面発光レーザ
を提供することを課題とする。
を行うためのＡｌを含む半導体層を完全に酸化して形成
する電極引き出し構造を導入することでキャリアを効果
的に活性層に注入させながら簡便かつ高い歩留まりで電
極引き出し構造を形成させることが可能な面発光レーザ
を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の面発光レーザは、半導体上のＡｌを含む半導体層を
途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入
した面発光レーザにおいて、上記Ａｌを含む半導体層を
選択酸化によって完全に酸化して形成した電極引き出し
構造を有することを特徴とする。
明の面発光レーザは、半導体上のＡｌを含む半導体層を
途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入
した面発光レーザにおいて、上記Ａｌを含む半導体層を
選択酸化によって完全に酸化して形成した電極引き出し
構造を有することを特徴とする。
【００１２】また、本発明の面発光レーザの製造方法
は、半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層を
途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入
した面発光レーザの製造方法において、ＧａＡｓ基板上
に上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層をエピタキ
シャル成長層を形成し、次いで、上記アルミニウム（Ａ
ｌ）を含む半導体層にパターンニングして電極部及び電
極引出し部を、選択酸化によってＧａＡｓ基板まで所定
形状に完全にエッチングし、次いでエッチング面の側面
の横方向から上記電極部の中心を除き、該電極部及び上
記電極引出し部を完全に酸化し、絶縁層を形成すると共
に、部分酸化による電流狭窄層を形成することを特徴と
する。
は、半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層を
途中まで選択酸化することによって電流狭窄構造を導入
した面発光レーザの製造方法において、ＧａＡｓ基板上
に上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層をエピタキ
シャル成長層を形成し、次いで、上記アルミニウム（Ａ
ｌ）を含む半導体層にパターンニングして電極部及び電
極引出し部を、選択酸化によってＧａＡｓ基板まで所定
形状に完全にエッチングし、次いでエッチング面の側面
の横方向から上記電極部の中心を除き、該電極部及び上
記電極引出し部を完全に酸化し、絶縁層を形成すると共
に、部分酸化による電流狭窄層を形成することを特徴と
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１４】本発明の面発光レーザは、半導体上のＡｌ
を含む半導体層を途中まで選択酸化することによって電
流狭窄構造を導入した面発光レーザにおいて、上記Ａｌ
を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸化して形成
した電極引き出し構造を有するものである。
を含む半導体層を途中まで選択酸化することによって電
流狭窄構造を導入した面発光レーザにおいて、上記Ａｌ
を含む半導体層を選択酸化によって完全に酸化して形成
した電極引き出し構造を有するものである。
【００１５】Ａｌを含む半導体はその酸化時間によって
一定量の深さだけ酸化されるため、酸化させるメサの形
状によって途中まで酸化させたり、完全に酸化させたり
することが可能である。
一定量の深さだけ酸化されるため、酸化させるメサの形
状によって途中まで酸化させたり、完全に酸化させたり
することが可能である。
【００１６】本発明の面発光レーザは、先ずＧａＡｓ基
板上に上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層をエピ
タキシャル成長層を形成する。、次いで、上記アルミニ
ウム（Ａｌ）を含む半導体層にパターンニングして電極
部，電極引出し部及びパッド部を、選択酸化によって所
定形状完全にエッチングする。次いでエッチング面の側
面の横方向から上記電極部の中心を除いて上記電極引出
し部を完全に酸化し、絶縁層を形成すると共に、部分酸
化による電流狭窄層を形成する。
板上に上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層をエピ
タキシャル成長層を形成する。、次いで、上記アルミニ
ウム（Ａｌ）を含む半導体層にパターンニングして電極
部，電極引出し部及びパッド部を、選択酸化によって所
定形状完全にエッチングする。次いでエッチング面の側
面の横方向から上記電極部の中心を除いて上記電極引出
し部を完全に酸化し、絶縁層を形成すると共に、部分酸
化による電流狭窄層を形成する。
【００１７】したがって、本発明によれば、電流狭窄を
行うレーザ部分は完全に酸化させず、電極引き出し構造
部分のみを完全に酸化させることで、面発光レーザにお
いて効率的な電極狭窄構造と電極引き出し構造を同時に
かつ簡便に作製することができるようになり、レーザの
アレイ化が容易になる。
行うレーザ部分は完全に酸化させず、電極引き出し構造
部分のみを完全に酸化させることで、面発光レーザにお
いて効率的な電極狭窄構造と電極引き出し構造を同時に
かつ簡便に作製することができるようになり、レーザの
アレイ化が容易になる。
【００１８】すなわち、本発明によれば、電流狭窄構造
と電極引き出し構造とを選択酸化を用いて同時に簡便に
導入することが可能になり、その結果、面発光レーザア
レイなどの作成が容易になる。よって、光情報処理用、
光通信用、光インターコネクション用の光源として利用
できる。
と電極引き出し構造とを選択酸化を用いて同時に簡便に
導入することが可能になり、その結果、面発光レーザア
レイなどの作成が容易になる。よって、光情報処理用、
光通信用、光インターコネクション用の光源として利用
できる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の好適な一実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２０】図１は本発明により作成された０．８５μ
ｍ帯面発光レーザ構造の断面図である。
ｍ帯面発光レーザ構造の断面図である。
【００２１】図１において、符号１−１はｐ電極、１−
２はｐ電極電極引き出し部、１−３はｐ電極パッド部、
１−４はＳｉＯ2 、１−５はｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ
ＤＢＲ、１−６はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、１−７
はＡｌＧａＡｓ活性層、１−８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、１−９はｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ、１
−１０はｎ−ＧａＡｓ基板、１−１１はＡｌＡｓ酸化物
電流狭窄および光導波路層、１−１２はｎ電極である。
２はｐ電極電極引き出し部、１−３はｐ電極パッド部、
１−４はＳｉＯ2 、１−５はｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ
ＤＢＲ、１−６はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、１−７
はＡｌＧａＡｓ活性層、１−８はｎ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、１−９はｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ、１
−１０はｎ−ＧａＡｓ基板、１−１１はＡｌＡｓ酸化物
電流狭窄および光導波路層、１−１２はｎ電極である。
【００２２】本実施例の面発発光半導体レーザは次のよ
うにして製造する。
うにして製造する。
【００２３】先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１−１０上にｎ−
ＡｌＡｓとｎ−ＡｌＧａＡｓとをそぞれの光学波長の１
／４の膜厚で交互に２５対エピタキシャル成長させ、ｎ
側反射鏡１−９を形成する。
ＡｌＡｓとｎ−ＡｌＧａＡｓとをそぞれの光学波長の１
／４の膜厚で交互に２５対エピタキシャル成長させ、ｎ
側反射鏡１−９を形成する。
【００２４】続いてｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１−
８、ＡｌＧａＡｓ活性層１−７、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層１−６をエピタキシャル成長し、引き続きｐＡｌ
Ａｓとｐ−ＡｌＧａＡｓとそれぞれその光学波長の１／
４の膜厚で交互に２０対エピタキシャル成長させてｐ側
反射鏡１−５を形成する。
８、ＡｌＧａＡｓ活性層１−７、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層１−６をエピタキシャル成長し、引き続きｐＡｌ
Ａｓとｐ−ＡｌＧａＡｓとそれぞれその光学波長の１／
４の膜厚で交互に２０対エピタキシャル成長させてｐ側
反射鏡１−５を形成する。
【００２５】前述の工程を施した後、ｐ電極１−１を形
成する素子の断面の大きさを３０μｍ×３０μｍ、引き
出し電極部１−２の幅を２０μｍにするために所定形状
のマスクパターンを用いて、電極部、電極引き出し部及
びパッド部をパターニングをし、前述のエピタキシャル
成長層をｎ−ＧａＡｓ基板１−１０までエッチングを行
う。
成する素子の断面の大きさを３０μｍ×３０μｍ、引き
出し電極部１−２の幅を２０μｍにするために所定形状
のマスクパターンを用いて、電極部、電極引き出し部及
びパッド部をパターニングをし、前述のエピタキシャル
成長層をｎ−ＧａＡｓ基板１−１０までエッチングを行
う。
【００２６】その後、高温下水蒸気雰囲気中ＤＢＲ層を
構成するＡｌＡｓをエッチング面から横方向の１２μｍ
程度酸化させることにより面発光レーザ部分に部分酸化
による電流狭窄層１−１１を導入し、かつ電極引き出し
部分に完全酸化による絶縁層を導入する。すなわち、引
き出し電極部１−２の幅が２０μｍであるので、エッチ
ングした両面の横方向からの１２μｍ程度酸化により完
全に酸化して絶縁層が形成さる。なお、ｐ電極１−１を
形成する素子は３０μｍ×３０μｍの大きさであるの
で、エッチングした両面の横方向からの１２μｍ程度酸
化では完全に酸化されず、中心約６μｍ×６μｍ程度の
酸化されない中央の光出射孔部分が残る。引き続き、パ
ッド部１−３を形成する面の部分にスパッタリングによ
りＳｉＯ 2 １−４を形成する。
構成するＡｌＡｓをエッチング面から横方向の１２μｍ
程度酸化させることにより面発光レーザ部分に部分酸化
による電流狭窄層１−１１を導入し、かつ電極引き出し
部分に完全酸化による絶縁層を導入する。すなわち、引
き出し電極部１−２の幅が２０μｍであるので、エッチ
ングした両面の横方向からの１２μｍ程度酸化により完
全に酸化して絶縁層が形成さる。なお、ｐ電極１−１を
形成する素子は３０μｍ×３０μｍの大きさであるの
で、エッチングした両面の横方向からの１２μｍ程度酸
化では完全に酸化されず、中心約６μｍ×６μｍ程度の
酸化されない中央の光出射孔部分が残る。引き続き、パ
ッド部１−３を形成する面の部分にスパッタリングによ
りＳｉＯ 2 １−４を形成する。
【００２７】最後に下面側全面にＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを
蒸着してｎ電極１−１２を形成し、上面側にレジストに
より素子の中央に光出射孔をあけてパターニングしたＡ
ｕＺｎＮｉ／Ａｕを蒸着してレジストパターンを除去す
る。最後に４２５℃水素雰囲気中で合金化を行い、ｐ電
極１−１を形成する。
蒸着してｎ電極１−１２を形成し、上面側にレジストに
より素子の中央に光出射孔をあけてパターニングしたＡ
ｕＺｎＮｉ／Ａｕを蒸着してレジストパターンを除去す
る。最後に４２５℃水素雰囲気中で合金化を行い、ｐ電
極１−１を形成する。
【００２８】上記のようにして構成した４×４面発光レ
ーザアレイを試作して特性を測定し、図３に示した従来
の電極引き出し構造と比較したところ、歩留りが５割程
度上昇した。
ーザアレイを試作して特性を測定し、図３に示した従来
の電極引き出し構造と比較したところ、歩留りが５割程
度上昇した。
【００２９】図１に示したような０．８５μｍ帯面発光
レーザ構造ｐ電極の配線図の一例を図２に示す。図２
中、符号２−１は電極引き出し部（幅２０μｍ）、２−
２は電極部（３０μｍ×３０μｍ）、２−３はパッド部
を各々図示する。
レーザ構造ｐ電極の配線図の一例を図２に示す。図２
中、符号２−１は電極引き出し部（幅２０μｍ）、２−
２は電極部（３０μｍ×３０μｍ）、２−３はパッド部
を各々図示する。
【００３０】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明における面発光レーザによれば、電流
狭窄構造と電極引き出し構造とを選択酸化を用いて同時
に簡便に導入することが可能になり、従来のように、
電極部分のみをパターンニングする方法のような、アレ
イの数が増えるにしたがって配線が複雑になりそのパタ
ーニングの位置精度などの原因から、歩留まりが一定以
上に上げることが困難であるという不具合、及びＳｉ
Ｏ2 を全面に形成した後、ＳｉＯ2 層と半導体層とを同
時にエッチングする方法のような、均一な動作特性を持
ったレーザアレイを作成することが困難になるという不
具合が解消され、その結果、面発光レーザアレイなどの
作成が簡便になると共に、歩留りが高いものとなる。こ
のことにより、光情報処理用、光通信用、光インターコ
ネクション用の光源として低コスト化が図れ、更に利用
が高まる。
たように、本発明における面発光レーザによれば、電流
狭窄構造と電極引き出し構造とを選択酸化を用いて同時
に簡便に導入することが可能になり、従来のように、
電極部分のみをパターンニングする方法のような、アレ
イの数が増えるにしたがって配線が複雑になりそのパタ
ーニングの位置精度などの原因から、歩留まりが一定以
上に上げることが困難であるという不具合、及びＳｉ
Ｏ2 を全面に形成した後、ＳｉＯ2 層と半導体層とを同
時にエッチングする方法のような、均一な動作特性を持
ったレーザアレイを作成することが困難になるという不
具合が解消され、その結果、面発光レーザアレイなどの
作成が簡便になると共に、歩留りが高いものとなる。こ
のことにより、光情報処理用、光通信用、光インターコ
ネクション用の光源として低コスト化が図れ、更に利用
が高まる。
【図１】本発明の実施例の断面図である。
【図２】本発明の実施例の電極配線図である。
【図３】従来の電極引き出し構造を有する面発光レーザ
アレイの断面図である。
アレイの断面図である。
１−１ ｐ電極 １−２ ｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ １−３ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 １−４ ＡｌＧａＡｓ活性層 １−６ ｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ １−７ ＧａＡｓ基板 １−８ ｎ電極 ２−１ 電極引き出し部 ２−２ 電極部 ２−３ パッド部 ３−１ ｐ電極 ３−２ ｐ電極電極引き出し部 ３−３ ｐ電極パッド部 ３−４ ＳｉＯ2 ３−５ ｐ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ ３−６ ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３−７ ＡｌＧａＡｓ活性層 ３−８ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３−９ ｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ ＤＢＲ ３−１０ ＧａＡｓ基板
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む
半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄
構造を導入した面発光レーザにおいて、 上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層を選択酸化に
よって完全に酸化して形成した電極引き出し構造を有す
ることを特徴とする面発光レーザ。 - 【請求項２】 半導体上のアルミニウム（Ａｌ）を含む
半導体層を途中まで選択酸化することによって電流狭窄
構造を導入した面発光レーザの製造方法において、 ＧａＡｓ基板上に上記アルミニウム（Ａｌ）を含む半導
体層をエピタキシャル成長層を形成し、次いで、上記ア
ルミニウム（Ａｌ）を含む半導体層にパターンニングし
て電極部及び電極引出し部を、選択酸化によってＧａＡ
ｓ基板まで所定形状に完全にエッチングし、次いで該エ
ッチング面の側面の横方向から上記電極部の中心部を除
き該電極部及び上記電極引出し部を完全に酸化し、絶縁
層を形成すると共に部分酸化による電流狭窄層を形成す
ることを特徴とする面発光レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02915596A JP3164203B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02915596A JP3164203B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223841A true JPH09223841A (ja) | 1997-08-26 |
| JP3164203B2 JP3164203B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=12268384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02915596A Expired - Fee Related JP3164203B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 面発光レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3164203B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008351A1 (en) * | 1997-08-11 | 1999-02-18 | Seiko Epson Corporation | Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method therefor |
| WO2001037386A1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser device |
| US6297068B1 (en) | 1997-02-07 | 2001-10-02 | Xerox Corporation | Method for highly compact vertical cavity surface emitting lasers |
| JP2002094180A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-03-29 | Agilent Technol Inc | 高速垂直共振器面発光レーザー |
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