JPH09227448A - 光学活性カルボン酸およびその製造方法 - Google Patents
光学活性カルボン酸およびその製造方法Info
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- JPH09227448A JPH09227448A JP8041349A JP4134996A JPH09227448A JP H09227448 A JPH09227448 A JP H09227448A JP 8041349 A JP8041349 A JP 8041349A JP 4134996 A JP4134996 A JP 4134996A JP H09227448 A JPH09227448 A JP H09227448A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Pyrane Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 医薬の中間体として有用な光学活性カルボ
ン酸およびその製造方法を提供する。 【解決手段】一般式（１）（式中、Ｒ１は水素原子、ア
ミノ基、アセチルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルア
ミノ基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を、ＸはＯまた
はＣＨ２を示す）で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸
を、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体を触媒として不
斉水素化することを特徴とする一般式（２）（式中、Ｒ
１は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基、ｔ−ブト
キシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ
基を、ＸはＯまたはＣＨ２を示す）で表される光学活性
カルボン酸の製造方法。 【効果】 本発明により医薬品中間体として有用な一
般式（２）で表される光学活性カルボン酸を高い高純度
で得ることができる。
ン酸およびその製造方法を提供する。 【解決手段】一般式（１）（式中、Ｒ１は水素原子、ア
ミノ基、アセチルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルア
ミノ基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を、ＸはＯまた
はＣＨ２を示す）で表されるβ、γ−不飽和カルボン酸
を、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体を触媒として不
斉水素化することを特徴とする一般式（２）（式中、Ｒ
１は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基、ｔ−ブト
キシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ
基を、ＸはＯまたはＣＨ２を示す）で表される光学活性
カルボン酸の製造方法。 【効果】 本発明により医薬品中間体として有用な一
般式（２）で表される光学活性カルボン酸を高い高純度
で得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬品中間体として
有用な一般式（２）［化４］
有用な一般式（２）［化４］
【０００２】
【化４】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸およびそれを製造する方法、な
らびにこれを製造するために有用な新規なβ、γ−不飽
和カルボン酸に関する。
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸およびそれを製造する方法、な
らびにこれを製造するために有用な新規なβ、γ−不飽
和カルボン酸に関する。
【０００３】
【従来の技術】医農薬の分野においては光学異性体のう
ちの一つが特に優れた作用を示すことが多い。これらの
光学活性カルボン酸類を不斉水素化反応により合成する
方法としては、天然に存在する光学活性体を原料とす
る方法、微生物を使用し、エステルを不斉加水分解す
る方法、化学的に不斉合成する方法等が知られてい
る。化学的不斉合成法の中で、α、β−不飽和カルボン
酸をルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒によりオ
レフィンを不斉水素化して光学活性なカルボン酸を得る
方法が数多く報告（特公平７−２０９１０、特開平７−
２４２５８６、特開平６−３２７８０、特開平６−２７
１５２０、特開平６−１７２３００、特開平５−２５５
１７７、特開平５−１７０７１８など）されている。し
かしながら、医薬品中間体として有用な一般式（２）
［化５］
ちの一つが特に優れた作用を示すことが多い。これらの
光学活性カルボン酸類を不斉水素化反応により合成する
方法としては、天然に存在する光学活性体を原料とす
る方法、微生物を使用し、エステルを不斉加水分解す
る方法、化学的に不斉合成する方法等が知られてい
る。化学的不斉合成法の中で、α、β−不飽和カルボン
酸をルテニウム−光学活性ホスフィン錯体触媒によりオ
レフィンを不斉水素化して光学活性なカルボン酸を得る
方法が数多く報告（特公平７−２０９１０、特開平７−
２４２５８６、特開平６−３２７８０、特開平６−２７
１５２０、特開平６−１７２３００、特開平５−２５５
１７７、特開平５−１７０７１８など）されている。し
かしながら、医薬品中間体として有用な一般式（２）
［化５］
【０００４】
【化５】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸は新規であり、光学活性体の製
造方法に関する報告はなかった。
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸は新規であり、光学活性体の製
造方法に関する報告はなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】すなわち本発明の課題
は、医薬品中間体として有用な一般式（２）で表される
光学活性カルボン酸およびその製造方法を提供すること
である。
は、医薬品中間体として有用な一般式（２）で表される
光学活性カルボン酸およびその製造方法を提供すること
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる問
題点を解決すべく種々の検討をおこなった結果、遷移金
属−光学活性ホスフィン錯体を使用する不斉水素化反応
によって一般式（２）で表される光学活性カルボン酸が
高い光学収率で得られることを見い出し、本発明を完成
した。すなわち、本発明は、［１］一般式（１）［化
６］
題点を解決すべく種々の検討をおこなった結果、遷移金
属−光学活性ホスフィン錯体を使用する不斉水素化反応
によって一般式（２）で表される光学活性カルボン酸が
高い光学収率で得られることを見い出し、本発明を完成
した。すなわち、本発明は、［１］一般式（１）［化
６］
【０００７】
【化６】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れるβ、γ−不飽和カルボン酸を、遷移金属−光学活性
ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化することを特徴
とする一般式（２）［化７］
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れるβ、γ−不飽和カルボン酸を、遷移金属−光学活性
ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化することを特徴
とする一般式（２）［化７］
【０００８】
【化７】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸の製造方法であり、また、
［２］遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の遷移金属が
ルテニウム、ロジウムまたはイリジウムである請求項１
記載の製造方法であり、また、［３］遷移金属−光学活
性ホスフィン錯体の遷移金属がルテニウムである請求項
２記載の製造方法であり、また、
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸の製造方法であり、また、
［２］遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の遷移金属が
ルテニウム、ロジウムまたはイリジウムである請求項１
記載の製造方法であり、また、［３］遷移金属−光学活
性ホスフィン錯体の遷移金属がルテニウムである請求項
２記載の製造方法であり、また、
【０００９】［４］一般式（１）において、Ｒ1がｐ−
シアノベンゾイルアミノ基であり、ＸがＯで表される
β、γ−不飽和カルボン酸をルテニウム−光学活性ホス
フィン錯体を触媒として不斉水素化することを特徴とす
る一般式（２）において、Ｒ1がｐ−シアノベンゾイル
アミノ基で表される光学活性カルボン酸の製造方法であ
り、また、［５］光学活性ホスフィンが一般式（３）
［化８］
シアノベンゾイルアミノ基であり、ＸがＯで表される
β、γ−不飽和カルボン酸をルテニウム−光学活性ホス
フィン錯体を触媒として不斉水素化することを特徴とす
る一般式（２）において、Ｒ1がｐ−シアノベンゾイル
アミノ基で表される光学活性カルボン酸の製造方法であ
り、また、［５］光学活性ホスフィンが一般式（３）
［化８］
【００１０】
【化８】 （式中、Ｒ2はメチル基、ｔ−ブチル基またはメトキシ
基を有してもよいフェニル基またはシクロヘキシル基を
示し、Ｘは水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基また
はスルホン酸基を示す）で表されるビナフチル化合物で
ある請求項４記載の製造方法であり、また、［６］光学
活性な６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］クロマ
ン−３−酢酸であり、また、［７］６−［（４−シアノ
ベンゾイル）アミノ］−２Ｈ−ベンゾピラン−３−酢酸
である。
基を有してもよいフェニル基またはシクロヘキシル基を
示し、Ｘは水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基また
はスルホン酸基を示す）で表されるビナフチル化合物で
ある請求項４記載の製造方法であり、また、［６］光学
活性な６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］クロマ
ン−３−酢酸であり、また、［７］６−［（４−シアノ
ベンゾイル）アミノ］−２Ｈ−ベンゾピラン−３−酢酸
である。
【００１１】本発明の不斉水素化反応における触媒は、
遷移金属−光学活性ホスフィン錯体であるが、ここで用
いられる遷移金属としては、ルテニウム、ロジウムまた
はイリジウム等が挙げられ、好ましくはルテニウムであ
る。光学活性ホスフィンとして、具体的には２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル
（以下、ＢＩＰＨＥＰと略記する）、２，２’−ジメチ
ル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，
１’−ビフェニル（以下、ＢＩＰＨＥＭＰと略記す
る）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロ
ヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（以下、
ＢＩＣＨＥＰと略記する）、
遷移金属−光学活性ホスフィン錯体であるが、ここで用
いられる遷移金属としては、ルテニウム、ロジウムまた
はイリジウム等が挙げられ、好ましくはルテニウムであ
る。光学活性ホスフィンとして、具体的には２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル
（以下、ＢＩＰＨＥＰと略記する）、２，２’−ジメチ
ル−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，
１’−ビフェニル（以下、ＢＩＰＨＥＭＰと略記す
る）、２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジシクロ
ヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル（以下、
ＢＩＣＨＥＰと略記する）、
【００１２】２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジ
メチルアミノ）−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１，１’−ビフェニル ２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、
２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，
３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，
４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’
−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニ
ル、
メチルアミノ）−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）−１，１’−ビフェニル ２，２’，４，４’−テトラメチル−６，６’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、
２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，３，
３’−テトラメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’，４，
４’−テトラメチル−３，３’−ジメトキシ−６，６’
−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニ
ル、
【００１３】２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ
−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、
２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニ
ル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジ
メトキシ−６，６’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニル
ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジヒ
ドロキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，
６’−ビス（ジ−２−フリルホスフィノ）−１，１’−
ビフェニル、
−ｐ−トリルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、
２，２’−ジメチル−６，６’−ビス（ジ−ｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニ
ル、２，２’，４，４’−テトラメチル−３，３’−ジ
メトキシ−６，６’−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニル
ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ジヒ
ドロキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−
１，１’−ビフェニル、２，２’−ジメトキシ−６，
６’−ビス（ジ−２−フリルホスフィノ）−１，１’−
ビフェニル、
【００１４】２，２’−ジクロロ−６，６’−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，
２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）−４，４’−ジスルホ−１，１’−ビフェニル
ジナトリウム塩、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビ
ス（ジ−４−ビフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフ
ェニル、３，３’−ジメトキシ−２，２’，４，４’−
テトラメチル−６−ジメチルアミノ−６’−ジフェニル
ホスフィノ−１，１’−ビフェニル、２,２’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以
下、ＢＩＮＡＰと略記する。）、２,２’−ビス［（ジ
フェニルホスフィノ）メチル］−１，１’−ビナフチ
ル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，
５’−ジアミノ−１，１’−ビナフチル（以下、アミノ
化ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−
トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｔ
−ＢＩＮＡＰと略記する）、
フェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，
２’−ジメトキシ−６，６’−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）−４，４’−ジスルホ−１，１’−ビフェニル
ジナトリウム塩、２，２’−ジメトキシ−６，６’−ビ
ス（ジ−４−ビフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフ
ェニル、３，３’−ジメトキシ−２，２’，４，４’−
テトラメチル−６−ジメチルアミノ−６’−ジフェニル
ホスフィノ−１，１’−ビフェニル、２,２’−ビス
（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以
下、ＢＩＮＡＰと略記する。）、２,２’−ビス［（ジ
フェニルホスフィノ）メチル］−１，１’−ビナフチ
ル、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，
５’−ジアミノ−１，１’−ビナフチル（以下、アミノ
化ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジ−ｐ−
トリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｔ
−ＢＩＮＡＰと略記する）、
【００１５】２，２’−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィ
ノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐと略記する）、２，２’−ビス［ジ−（３，５−ジメ
チルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル
（以下、ＤＭ−ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビ
ス［ジ−（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィノ］−１，
１’−ビナフチル（以下、Ｍｅｔｈｏｘｙ−ＢＩＮＡＰ
と略記する）、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホス
フィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ＣＰ−ＢＩＮ
ＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジシクロヘキシル
ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｃｙ−Ｂ
ＩＮＡＰと略記する）、
ノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐと略記する）、２，２’−ビス［ジ−（３，５−ジメ
チルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル
（以下、ＤＭ−ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビ
ス［ジ−（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィノ］−１，
１’−ビナフチル（以下、Ｍｅｔｈｏｘｙ−ＢＩＮＡＰ
と略記する）、２，２’−ビス（ジシクロペンチルホス
フィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ＣＰ−ＢＩＮ
ＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジシクロヘキシル
ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｃｙ−Ｂ
ＩＮＡＰと略記する）、
【００１６】２，２’−ビス［ジ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル
（以下、ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’−ジスルホ−
１，１’−ビナフチル ジナトリウム塩（以下、スルホ
ン化ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）−５，５’−ビス（アセチルアミノ）
−１，１’−ビナフチル（以下、アセチルアミノ化ＢＩ
ＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（トリフルオロメ
タンスルホニル）−１，１’−ビナフチル、２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，
７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル−１，
１’−ビナフチル、２−メトキシ−２’−ジフェニルホ
スフィノ−１，１’−ビナフチル、
チルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル
（以下、ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’−ジスルホ−
１，１’−ビナフチル ジナトリウム塩（以下、スルホ
ン化ＢＩＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）−５，５’−ビス（アセチルアミノ）
−１，１’−ビナフチル（以下、アセチルアミノ化ＢＩ
ＮＡＰと略記する）、２，２’−ビス（トリフルオロメ
タンスルホニル）−１，１’−ビナフチル、２，２’−
ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５’，６，６’，
７，７’，８，８’−オクタヒドロビナフチル−１，
１’−ビナフチル、２−メトキシ−２’−ジフェニルホ
スフィノ−１，１’−ビナフチル、
【００１７】２−メトキシ−２’−ジ（４−クロロフェ
ニル）ホスフィノ−１，１’−ビナフチル、２，３−Ｏ
−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−
ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（以下、ＤＩＯＰ
と略記する）、１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニ
ル）フェニルホスフィノ］エタン（以下、ＤＩＰＡＭＰ
と略記する）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［１’，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミ
ン（以下、ＢＰＰＦＡと略記する）、１−［１’，２−
ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エタノー
ル、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセニル］アセトキシエタン、
ニル）ホスフィノ−１，１’−ビナフチル、２，３−Ｏ
−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−
ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（以下、ＤＩＯＰ
と略記する）、１，２−ビス［（ｏ−メトキシフェニ
ル）フェニルホスフィノ］エタン（以下、ＤＩＰＡＭＰ
と略記する）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［１’，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミ
ン（以下、ＢＰＰＦＡと略記する）、１−［１’，２−
ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エタノー
ル、１−［１’，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセニル］アセトキシエタン、
【００１８】１−［（２−ジフェニルホスフィノ）フェ
ロセニル］エチル−ビス（４−トリフルオロメチルフェ
ニル）ホスフィン、４−ジフェニルホスフィノ−２−ジ
フェニルホスフィノメチル−１−（Ｎ−ｔ−ブトキシカ
ルボニル）ピロリジン（以下、ＢＰＰＭと略記する）、
２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（以
下、ＳＫＥＷＰＨＯＳと略記する）、１，２−ビス
（２，５−ジメチルホスフォラノ）ベンゼン（以下、Ｄ
ｕＰＨＯＳと略記する）、２，３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）ブタン（以下、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳと略記す
る）、
ロセニル］エチル−ビス（４−トリフルオロメチルフェ
ニル）ホスフィン、４−ジフェニルホスフィノ−２−ジ
フェニルホスフィノメチル−１−（Ｎ−ｔ−ブトキシカ
ルボニル）ピロリジン（以下、ＢＰＰＭと略記する）、
２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（以
下、ＳＫＥＷＰＨＯＳと略記する）、１，２−ビス
（２，５−ジメチルホスフォラノ）ベンゼン（以下、Ｄ
ｕＰＨＯＳと略記する）、２，３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）ブタン（以下、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳと略記す
る）、
【００１９】１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プ
ロパン（以下、ＰＲＯＰＨＯＳと略記する）、１−フェ
ニルアミノカルボニル−３，４−ビス（ジフェニルホス
フィノ）ピロリジン、１−フェニルアミノカルボニル−
３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）ピロリジ
ン、１−アセチル−３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホス
フィノ）ピロリジン、１−（２−プロペニルカルボニ
ル）−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホス
フィノメチルピロリジン、２，２−ジメチル−１，３−
ジオキソラン−４−イルメチル（ジシクロヘキシル）−
５−イルメチル（ジフェニル）］ビスホスフィン、
ロパン（以下、ＰＲＯＰＨＯＳと略記する）、１−フェ
ニルアミノカルボニル−３，４−ビス（ジフェニルホス
フィノ）ピロリジン、１−フェニルアミノカルボニル−
３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）ピロリジ
ン、１−アセチル−３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホス
フィノ）ピロリジン、１−（２−プロペニルカルボニ
ル）−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホス
フィノメチルピロリジン、２，２−ジメチル−１，３−
ジオキソラン−４−イルメチル（ジシクロヘキシル）−
５−イルメチル（ジフェニル）］ビスホスフィン、
【００２０】トランス−１，２−ビス（ジフェニルホス
フィノメチル）シクロブタン、３，４−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ピロリジン、１，２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）シクロブタン、トランス−４，５−ビス
［ビス（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）ホ
スフィノメチル］−２，２−ジメチル−１，３−ジオキ
ソラン、２，５−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）
ビシクロ［２，２，１］ヘプタン、トランス−２，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）ビシクロ［２，２，１］
−ヘプト−５−エン、ビス［２−（２，５−ジメチルホ
スフォラノエチル）］フェニルホスフィン、
フィノメチル）シクロブタン、３，４−ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）ピロリジン、１，２−ビス（ジフェニル
ホスフィノ）シクロブタン、トランス−４，５−ビス
［ビス（４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル）ホ
スフィノメチル］−２，２−ジメチル−１，３−ジオキ
ソラン、２，５−ビス（ジフェニルホスフィノメチル）
ビシクロ［２，２，１］ヘプタン、トランス−２，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）ビシクロ［２，２，１］
−ヘプト−５−エン、ビス［２−（２，５−ジメチルホ
スフォラノエチル）］フェニルホスフィン、
【００２１】１，２−ビス（ジフェニルホスフィノキ
シ）−１，２−ジフェニルエタン、３−ジフェニルホス
フィノ−３’−メトキシ−４，４’−ビフェナントリ
ル、１−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフ
ィノメチルシクロペンタン、１−フェニルアミノカルボ
ニル−３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）ピロ
リジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ビス（４−
ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、４−（ジフェニルホスフ
ィノ）−２−（ジフェニルホスフィノメチル）−１−
（ジフェニルホスフィニル）ピロリジン、２−ジメチル
アミノ−１−ジフェニルホスフィノプロパン、
シ）−１，２−ジフェニルエタン、３−ジフェニルホス
フィノ−３’−メトキシ−４，４’−ビフェナントリ
ル、１−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフ
ィノメチルシクロペンタン、１−フェニルアミノカルボ
ニル−３，４−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）ピロ
リジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ビス（４−
ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、４−（ジフェニルホスフ
ィノ）−２−（ジフェニルホスフィノメチル）−１−
（ジフェニルホスフィニル）ピロリジン、２−ジメチル
アミノ−１−ジフェニルホスフィノプロパン、
【００２２】Ｎ−（Ｎ’−ベンジルオキシカルボニル−
Ｌ−フェニルアラニル）−４−ジフェニルフォスフィノ
−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、３，
３’−ジクロロ−２，２’，４，４’−テトラメチル−
６−ジフェニルホスフィノビフェニル−６’−イルオキ
シ（１，１’−ビナフタレン−２，２’−ジイルオキ
シ）ホスフィン等が挙げられる。これらの光学活性ホス
フィンの中で好ましいのは、一般式（４）［化９］
Ｌ−フェニルアラニル）−４−ジフェニルフォスフィノ
−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、３，
３’−ジクロロ−２，２’，４，４’−テトラメチル−
６−ジフェニルホスフィノビフェニル−６’−イルオキ
シ（１，１’−ビナフタレン−２，２’−ジイルオキ
シ）ホスフィン等が挙げられる。これらの光学活性ホス
フィンの中で好ましいのは、一般式（４）［化９］
【００２３】
【化９】 （式中、Ｒ6は４位にメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
メトキシ基を有するフェニル基またはシクロヘキシル基
を示し、Ｒ5がメチル基、メトキシ基、クロル基でＲ3お
よびＲ4は各々水素原子、ハロゲン原子または低級アル
キル基を示すかＲ 4とＲ5で環を形成していてもよい）で
表されるジフェニル化合物である。さらに好ましくは一
般式（３）［化１０］
メトキシ基を有するフェニル基またはシクロヘキシル基
を示し、Ｒ5がメチル基、メトキシ基、クロル基でＲ3お
よびＲ4は各々水素原子、ハロゲン原子または低級アル
キル基を示すかＲ 4とＲ5で環を形成していてもよい）で
表されるジフェニル化合物である。さらに好ましくは一
般式（３）［化１０］
【００２４】
【化１０】 （式中、Ｒ2はメチル基、ｔ−ブチル基またはメトキシ
基を有してもよいフェニル基またはシクロヘキシル基を
示し、Ｘは水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基また
はスルホン酸基を示す。）で示されるビナフチル化合物
が使用される。
基を有してもよいフェニル基またはシクロヘキシル基を
示し、Ｘは水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基また
はスルホン酸基を示す。）で示されるビナフチル化合物
が使用される。
【００２５】本発明で触媒として用いられるルテニウム
−光学活性ホスフィン錯体の例として次の一般式（５）
〜（８）で表される光学活性錯体を挙げることができ
る。 ＲｕxＨyＣｌz（Ｌ）2（Ａ）w （５） （式中、Ｌは光学活性ホスフィン、Ａは３級アミンを示
し、ｙが０の時、ｘは２、ｚは４、ｗは１を示し、ｙが
１の時、ｘは１、ｚは１、ｗは０を示す） ［ＲｕＨm（Ｌ）n］Ｔp （６） （式中、Ｌは前記と同義、ＴはＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰ
Ｆ6を示し、ｍが０の時、ｎは１、ｐは２を示し、ｍが
１の時、ｎは２、ｐは１を示す）
−光学活性ホスフィン錯体の例として次の一般式（５）
〜（８）で表される光学活性錯体を挙げることができ
る。 ＲｕxＨyＣｌz（Ｌ）2（Ａ）w （５） （式中、Ｌは光学活性ホスフィン、Ａは３級アミンを示
し、ｙが０の時、ｘは２、ｚは４、ｗは１を示し、ｙが
１の時、ｘは１、ｚは１、ｗは０を示す） ［ＲｕＨm（Ｌ）n］Ｔp （６） （式中、Ｌは前記と同義、ＴはＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰ
Ｆ6を示し、ｍが０の時、ｎは１、ｐは２を示し、ｍが
１の時、ｎは２、ｐは１を示す）
【００２６】 ［ＲｕＸa（Ｑ）b（Ｌ）］Ｍc （７） （式中、Ｌは前記と同義、Ｘはハロゲン原子、Ｑは置換
基を有していてもよいベンゼン、アセトニトリルまたは
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドを示し、Ｍはハロゲン原
子、ＣｌＯ4、ＰＦ6またはＢＦ4を示し、Ｑが置換基を
有していてもよいベンゼンの場合、ａ、ｂおよびｃはい
ずれも１を示し、Ｑがアセトニトリルの場合、ａが０の
時、ｂは４、ｃは２を示し、ａが１の時、ｂは２、ｃは
１を示す。ＱがＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミドの場合、
ａが０の時、ｂが４、ｃが２を示し、ａが１の時、ｂは
３、ｃは１を示す。Ｘが置換基を有するベンゼンのうち
ｐ−シメンの場合、ＸおよびＭがヨウ素である場合は、
ａ、ｂおよびｃはいずれも１であるほか、ａが１、ｂが
１、ｃが３であってもよい） Ｒｕ（Ｌ）Ｊ2 （８） ［式中、Ｌは前記と同義、Ｊは塩素原子、臭素原子また
はＯ2ＣＲ7（ここでＲ7は低級アルキル基またはハロゲ
ノ低級アルキル基、低級アルキル基が置換してもよいフ
ェニル基を示す）を示す。］
基を有していてもよいベンゼン、アセトニトリルまたは
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドを示し、Ｍはハロゲン原
子、ＣｌＯ4、ＰＦ6またはＢＦ4を示し、Ｑが置換基を
有していてもよいベンゼンの場合、ａ、ｂおよびｃはい
ずれも１を示し、Ｑがアセトニトリルの場合、ａが０の
時、ｂは４、ｃは２を示し、ａが１の時、ｂは２、ｃは
１を示す。ＱがＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミドの場合、
ａが０の時、ｂが４、ｃが２を示し、ａが１の時、ｂは
３、ｃは１を示す。Ｘが置換基を有するベンゼンのうち
ｐ−シメンの場合、ＸおよびＭがヨウ素である場合は、
ａ、ｂおよびｃはいずれも１であるほか、ａが１、ｂが
１、ｃが３であってもよい） Ｒｕ（Ｌ）Ｊ2 （８） ［式中、Ｌは前記と同義、Ｊは塩素原子、臭素原子また
はＯ2ＣＲ7（ここでＲ7は低級アルキル基またはハロゲ
ノ低級アルキル基、低級アルキル基が置換してもよいフ
ェニル基を示す）を示す。］
【００２７】かかる好ましい錯体の例として次のものが
挙げられる。 Ｒｕ2Ｃｌ4（ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｂｕ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ＣＰ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｃｙ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｍｅｔｈｏｘｙ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ
3Ｎ） ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）2
挙げられる。 Ｒｕ2Ｃｌ4（ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｂｕ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ｍ−Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（ＣＰ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｃｙ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ3Ｎ） Ｒｕ2Ｃｌ4（Ｍｅｔｈｏｘｙ−ＢＩＮＡＰ）2（Ｅｔ
3Ｎ） ＲｕＨＣｌ（ＢＩＮＡＰ）2
【００２８】ＲｕＨＣｌ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2 ＲｕＨＣｌ（ＤＭ−ＢＩＮＡＰ）2 ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＣｌＯ4）2 ［Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］（ＰＦ6）2 ［Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ4）2 ［Ｒｕ（Ｍｅｔｈｏｘｙ−ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ4）2 ［ＲｕＨ（ＢＩＮＡＰ）2］ＣｌＯ4 ［ＲｕＨ（ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰ）2］ＰＦ6 ［ＲｕＨ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）2］ＢＦ4 ［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ
【００２９】［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（Ｔ−ＢＩＮＡ
Ｐ）］Ｃｌ ［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ ［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（ＢＩＮＡＰ）］Ｉ ［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ ［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＢＩＮＡＰ）］ＣｌＯ4 ［Ｒｕ（アセトニトリル）4（ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ4）
2 ［ＲｕＣｌ（アセトニトリル）2（ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ｃｌ2 Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ｂｒ2 Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）Ｂｒ2
Ｐ）］Ｃｌ ［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（ＢＩＮＡＰ）］Ｂｒ ［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（ＢＩＮＡＰ）］Ｉ ［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）］Ｉ ［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（ＢＩＮＡＰ）］ＣｌＯ4 ［Ｒｕ（アセトニトリル）4（ＢＩＮＡＰ）］（ＢＦ4）
2 ［ＲｕＣｌ（アセトニトリル）2（ＢＩＮＡＰ）］Ｃｌ Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ｃｌ2 Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）Ｂｒ2 Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）Ｂｒ2
【００３０】Ｒｕ（ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰ）Ｂｒ2 Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＨ3）2 Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＦ3）2 Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＦ3）2 Ｒｕ（ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＰｈ）2 Ｒｕ（Ｔ−ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＰｈ）2 Ｒｕ（ｔ−ＢｕＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＨ3）2 Ｒｕ（アミノＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＨ3）2 Ｒｕ（アセチルアミノＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＨ3）2 Ｒｕ（スルホン化ＢＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＨ3）2
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本願でいう低級アルキル基とは、炭素数１〜４のアルキ
ル基をさす。本発明の原料化合物であるβ,γ−不飽和
カルボン酸は、本発明者によって製造された新規化合物
であり、一般式（９）［化１１］
本願でいう低級アルキル基とは、炭素数１〜４のアルキ
ル基をさす。本発明の原料化合物であるβ,γ−不飽和
カルボン酸は、本発明者によって製造された新規化合物
であり、一般式（９）［化１１］
【００３２】
【化１１】 （式中、Ｒ7は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を示す）で表される
γ−ヒドロキシカルボン酸エステルに酸触媒を使用し、
一般式（１０）［化１２］
基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を示す）で表される
γ−ヒドロキシカルボン酸エステルに酸触媒を使用し、
一般式（１０）［化１２］
【００３３】
【化１２】 （式中、Ｒ7は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を示す）で表される
β,γ−不飽和カルボン酸エステルに容易に変換するこ
とができる。
基、ｐ−シアノベンゾイルアミノ基を示す）で表される
β,γ−不飽和カルボン酸エステルに容易に変換するこ
とができる。
【００３４】酸触媒としては、塩酸、硫酸、燐酸などの
無機酸類、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、カンファースルホン酸などの有機酸類、アンバーリ
スト１５、ダウエックス５０などのカチオン性樹脂など
が挙げられる。反応溶媒はジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、トルエン、キシレンを単独あるいは混合して用い
ることができ、反応温度は５０〜１５０℃の範囲で実施
される。
無機酸類、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、カンファースルホン酸などの有機酸類、アンバーリ
スト１５、ダウエックス５０などのカチオン性樹脂など
が挙げられる。反応溶媒はジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、トルエン、キシレンを単独あるいは混合して用い
ることができ、反応温度は５０〜１５０℃の範囲で実施
される。
【００３５】このようにして得られたβ,γ−不飽和カ
ルボン酸エステルは公知の方法でエステル基を加水分解
することにより、一般式（１）で表されるβ,γ−不飽
和カルボン酸に導くことができ、例えばエタノール、メ
タノールまたはテトラヒドロフラン中、等量〜５倍の水
性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたは水酸化リ
チウムのような塩基と反応させることにより得ることが
できる。反応温度は、−２０〜１００℃で実施される。
ルボン酸エステルは公知の方法でエステル基を加水分解
することにより、一般式（１）で表されるβ,γ−不飽
和カルボン酸に導くことができ、例えばエタノール、メ
タノールまたはテトラヒドロフラン中、等量〜５倍の水
性の水酸化ナトリウム、水酸化カリウムまたは水酸化リ
チウムのような塩基と反応させることにより得ることが
できる。反応温度は、−２０〜１００℃で実施される。
【００３６】また、触媒のルテニウム−光学活性ホスフ
ィン錯体は、Organic Synthesis 7274-85(1993)に開示
されている方法により、容易に合成することができる。
すなわち［ＲｕＣｌ2（benzene)］2とＢＩＮＡＰ誘導体
もしくはＢＰＰＦＡ誘導体をＮ,Ｎ’−ジメチルホルム
アミド中アルゴン雰囲気下に加えることにより、あるい
は特開昭６１−６３６９０に開示された方法によって
［ＲｕＣｌ2（COD)］n（式中、CODはシクロオクタジエ
ンを示す）とＢＩＮＡＰ誘導体およびトリエチルアミン
をトルエン中、窒素雰囲気下加えることにより得ること
ができる。
ィン錯体は、Organic Synthesis 7274-85(1993)に開示
されている方法により、容易に合成することができる。
すなわち［ＲｕＣｌ2（benzene)］2とＢＩＮＡＰ誘導体
もしくはＢＰＰＦＡ誘導体をＮ,Ｎ’−ジメチルホルム
アミド中アルゴン雰囲気下に加えることにより、あるい
は特開昭６１−６３６９０に開示された方法によって
［ＲｕＣｌ2（COD)］n（式中、CODはシクロオクタジエ
ンを示す）とＢＩＮＡＰ誘導体およびトリエチルアミン
をトルエン中、窒素雰囲気下加えることにより得ること
ができる。
【００３７】さらに特開昭６２−２６５２９３に開示さ
れている方法に従ってＲｕ2Ｃｌ4（ＢＩＮＡＰ）2（Ｅ
ｔ3Ｎ）を原料とし、これらと種々のカルボン酸塩をメ
タノール、エタノールなどの溶媒中で約２０〜１１０℃
で３〜１５時間反応させることにより所望のアシルオキ
シ基が導入された化合物を得ることができる。例えば酢
酸ナトリウムを用いた場合にはＲｕ（ＢＩＮＡＰ）（Ｏ
2ＣＣＨ3）2を得ることができるし、この得られたジア
セテート錯体にトリフルオロ酢酸を塩化メチレンを溶媒
として約２５℃にて約１２時間反応せしめて、Ｒｕ（Ｂ
ＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＦ3）2を得ることができる。かく
して得られたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を一
つ用い不斉水素化反応を行うことができるが、場合によ
っては二つ以上の混合物として使用してもかまわない。
れている方法に従ってＲｕ2Ｃｌ4（ＢＩＮＡＰ）2（Ｅ
ｔ3Ｎ）を原料とし、これらと種々のカルボン酸塩をメ
タノール、エタノールなどの溶媒中で約２０〜１１０℃
で３〜１５時間反応させることにより所望のアシルオキ
シ基が導入された化合物を得ることができる。例えば酢
酸ナトリウムを用いた場合にはＲｕ（ＢＩＮＡＰ）（Ｏ
2ＣＣＨ3）2を得ることができるし、この得られたジア
セテート錯体にトリフルオロ酢酸を塩化メチレンを溶媒
として約２５℃にて約１２時間反応せしめて、Ｒｕ（Ｂ
ＩＮＡＰ）（Ｏ2ＣＣＦ3）2を得ることができる。かく
して得られたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を一
つ用い不斉水素化反応を行うことができるが、場合によ
っては二つ以上の混合物として使用してもかまわない。
【００３８】本反応に使用できる溶媒としては、反応に
影響を与えないものであればいずれも単独あるいは混合
して用いることができ、例えば、ｎ−ヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、オクタン、キシレン等の炭化水素類、酢
酸エチル、酢酸ｎ−ブチルなどのエステル類、アセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、アセトニトリル
等のニトリル類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロ
ゲン類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、メタノール、エタノール、ｎ−
プロパノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢
酸、ぎ酸等の有機酸類などが挙げられる。
影響を与えないものであればいずれも単独あるいは混合
して用いることができ、例えば、ｎ−ヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、オクタン、キシレン等の炭化水素類、酢
酸エチル、酢酸ｎ−ブチルなどのエステル類、アセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類、アセトニトリル
等のニトリル類、クロロホルム、塩化メチレン等のハロ
ゲン類、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン等のエーテル類、メタノール、エタノール、ｎ−
プロパノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢
酸、ぎ酸等の有機酸類などが挙げられる。
【００３９】ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体は一
般式（１）で表されるβ，γ−不飽和カルボン酸に対し
て１／１００〜１／３０００倍モルを使用し、水素圧１
〜１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度０〜１００℃で１時間
から１００時間攪拌しながら水素化を行う。この不斉水
素化反応は、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペン
チルアミン等の２級アミンまたはトリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ
−ブチルアミン等の３級アミンの存在下に行うのが好ま
しく、基質に対して、３〜１／１０００倍モルを加えて
反応を行うことにより、転化率および生成物の光学純度
を高くすることができ、ほぼ定量的な収率で反応が進行
する。反応後、溶媒を留去し得られた粗結晶をカラムク
ロマトグラフィ−や再結晶など通常の方法により生成物
を精製し、単離すれば目的とする光学活性カルボン酸を
高収率で得ることができる。
般式（１）で表されるβ，γ−不飽和カルボン酸に対し
て１／１００〜１／３０００倍モルを使用し、水素圧１
〜１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度０〜１００℃で１時間
から１００時間攪拌しながら水素化を行う。この不斉水
素化反応は、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソ
プロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペン
チルアミン等の２級アミンまたはトリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ
−ブチルアミン等の３級アミンの存在下に行うのが好ま
しく、基質に対して、３〜１／１０００倍モルを加えて
反応を行うことにより、転化率および生成物の光学純度
を高くすることができ、ほぼ定量的な収率で反応が進行
する。反応後、溶媒を留去し得られた粗結晶をカラムク
ロマトグラフィ−や再結晶など通常の方法により生成物
を精製し、単離すれば目的とする光学活性カルボン酸を
高収率で得ることができる。
【００４０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
く、光学活性ホスフィンのエナンチオマーを使い分ける
ことにより、生成物の任意のエナンチオマーを製造でき
ることは言うまでもない。なお実施例中の物理データは
以下の測定器で測定した。 融点：ＢＵＣＨＩ５３５ 補正なし ＨＰＬＣ：光学純度の測定は、一般式（１）で表される
光学活性なカルボン酸をトリメチルシリルジアゾメタン
によりメチルエステルに変換した後、次の条件で行っ
た。 カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ ４．６ｘ２５０ｍ
ｍ 移動相：ｎ−ヘクサン／エタノール＝５／１ 流速：０．７ｍｌ／ｍｉｎ 検出波長：２５４ｎｍ 化学純度の測定 カラム：ＹＭ−３１２ ６ｘ１５０ｍｍ 移動相：アセトニトリル／水＝１／１ ＮａＨ2ＰＯ4
１０ｍＭ 流速：１ｍｌ／ｍｉｎ 検出波長：２５４ｎｍ 旋光度：ＤＩＰ−３７０（日本分光）
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
く、光学活性ホスフィンのエナンチオマーを使い分ける
ことにより、生成物の任意のエナンチオマーを製造でき
ることは言うまでもない。なお実施例中の物理データは
以下の測定器で測定した。 融点：ＢＵＣＨＩ５３５ 補正なし ＨＰＬＣ：光学純度の測定は、一般式（１）で表される
光学活性なカルボン酸をトリメチルシリルジアゾメタン
によりメチルエステルに変換した後、次の条件で行っ
た。 カラム：ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ ４．６ｘ２５０ｍ
ｍ 移動相：ｎ−ヘクサン／エタノール＝５／１ 流速：０．７ｍｌ／ｍｉｎ 検出波長：２５４ｎｍ 化学純度の測定 カラム：ＹＭ−３１２ ６ｘ１５０ｍｍ 移動相：アセトニトリル／水＝１／１ ＮａＨ2ＰＯ4
１０ｍＭ 流速：１ｍｌ／ｍｉｎ 検出波長：２５４ｎｍ 旋光度：ＤＩＰ−３７０（日本分光）
【００４１】実施例１ ６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］−２Ｈ−ベン
ゾピラン−３−酢酸の合成 （１−１）発煙硝酸（54ml）を−４０℃に冷却し、反応
温度を−３５〜−４５℃に保ち、攪拌しながら４−クロ
マノン（18.1g）とジオキサン（9ml）の混合溶液を滴下
した。さらにそのままの温度で約１時間攪拌した後、反
応液を氷水に注いだ。析出した固体を濾取し、洗浄液が
中性になるまで固体を純水で繰り返し洗浄した。残った
固体を減圧下乾燥し、６−ニトロクロマノン（22.3g）
を得た。
ゾピラン−３−酢酸の合成 （１−１）発煙硝酸（54ml）を−４０℃に冷却し、反応
温度を−３５〜−４５℃に保ち、攪拌しながら４−クロ
マノン（18.1g）とジオキサン（9ml）の混合溶液を滴下
した。さらにそのままの温度で約１時間攪拌した後、反
応液を氷水に注いだ。析出した固体を濾取し、洗浄液が
中性になるまで固体を純水で繰り返し洗浄した。残った
固体を減圧下乾燥し、６−ニトロクロマノン（22.3g）
を得た。
【００４２】（１−２）工程（１−１）で得た化合物
（22.0g）、４０％グリオキシル酸水溶液（44ml）、ジ
オキサン（44ml）、濃硫酸（6.6ml）を混合し、１００
〜１０５℃で１６時間加熱還流した。加熱を停止し、純
水（22ml）を加え約１０分間攪拌した後、室温で一晩放
置した。３時間氷冷後、析出した固体を濾取し純水（65
ml）にあけ、約３０分間攪拌した。固体を濾取しメタノ
ールで洗浄し６−ニトロ−４−クロマニリデン−３−酢
酸（15.0g）を得た。
（22.0g）、４０％グリオキシル酸水溶液（44ml）、ジ
オキサン（44ml）、濃硫酸（6.6ml）を混合し、１００
〜１０５℃で１６時間加熱還流した。加熱を停止し、純
水（22ml）を加え約１０分間攪拌した後、室温で一晩放
置した。３時間氷冷後、析出した固体を濾取し純水（65
ml）にあけ、約３０分間攪拌した。固体を濾取しメタノ
ールで洗浄し６−ニトロ−４−クロマニリデン−３−酢
酸（15.0g）を得た。
【００４３】（１−３）工程（１−２）で得た化合物
（14.8g）をメタノール（500ml）に懸濁し、濃硫酸（1.
0ml）を加え６時間加熱還流した。析出した固体を濾取
し、メタノールで洗浄し６−ニトロ−４−クロマニリデ
ン−３−酢酸 メチル（13.6g）を得た。
（14.8g）をメタノール（500ml）に懸濁し、濃硫酸（1.
0ml）を加え６時間加熱還流した。析出した固体を濾取
し、メタノールで洗浄し６−ニトロ−４−クロマニリデ
ン−３−酢酸 メチル（13.6g）を得た。
【００４４】（１−４）工程（１−３）で得た化合物
（13.6g）をジオキサン（370ml）に溶解し、反応系内を
窒素で置換した後５％パラジウム／アルミナ（1.2g）を
加え、常圧で水素雰囲気下室温で４時間攪拌した。パラ
ジウム／アルミナを濾去した後、溶媒を減圧下濃縮し
た。濃縮残渣にメタノール（270ml）と濃塩酸（5ml）を
加え、３時間加熱還流した。反応液を減圧下濃縮し、濃
縮残渣に酢酸エチルと飽和重曹水を加え分液した。有機
層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を減圧下留去し、濃縮残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出液：クロロホルム／
メタノール＝１００／１）にて精製した。目的物のフラ
クションを減圧下濃縮し、濃縮残渣にエーテルを加えて
スラッチングし固体を濾取すると６−アミノ−４−クロ
マノン−３−酢酸 メチル（7.4g）を得た。
（13.6g）をジオキサン（370ml）に溶解し、反応系内を
窒素で置換した後５％パラジウム／アルミナ（1.2g）を
加え、常圧で水素雰囲気下室温で４時間攪拌した。パラ
ジウム／アルミナを濾去した後、溶媒を減圧下濃縮し
た。濃縮残渣にメタノール（270ml）と濃塩酸（5ml）を
加え、３時間加熱還流した。反応液を減圧下濃縮し、濃
縮残渣に酢酸エチルと飽和重曹水を加え分液した。有機
層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を減圧下留去し、濃縮残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出液：クロロホルム／
メタノール＝１００／１）にて精製した。目的物のフラ
クションを減圧下濃縮し、濃縮残渣にエーテルを加えて
スラッチングし固体を濾取すると６−アミノ−４−クロ
マノン−３−酢酸 メチル（7.4g）を得た。
【００４５】（１−５）工程（１−４）で得た化合物
（7.4g）をメタノール（150ml）に溶解し、水素化ホウ
素ナトリウム（0.91g）を少しずつ加え室温で攪拌し
た。反応終了後、溶媒を減圧下濃縮し酢酸エチルで抽出
した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下濃縮
し濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
出液：クロロホルム／メタノール＝１０／１）にて精製
した。目的物のフラクションを減圧下濃縮すると題記化
合物（3.0g）を得た。
（7.4g）をメタノール（150ml）に溶解し、水素化ホウ
素ナトリウム（0.91g）を少しずつ加え室温で攪拌し
た。反応終了後、溶媒を減圧下濃縮し酢酸エチルで抽出
した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下濃縮
し濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶
出液：クロロホルム／メタノール＝１０／１）にて精製
した。目的物のフラクションを減圧下濃縮すると題記化
合物（3.0g）を得た。
【００４６】（１−６）工程（１−５）で得た化合物
（3.0g）とピリジン（1.6ml）を酢酸エチル（30ml）に
溶解した。ここにｐ−シアノ安息香酸クロライド（2.3
g）を加えて室温で２．５時間攪拌した。反応終了後、
不溶物を濾過し濾液を濃縮した。濃縮残渣と先に濾取し
た固体を合わせ、水でよく洗浄し、つづいてエーテルで
洗浄し減圧下乾燥すると６−［（４−シアノベンゾイ
ル）アミノ］−４−ヒドロキシクロマン−３−酢酸 メ
チル（3.2g）を得た。
（3.0g）とピリジン（1.6ml）を酢酸エチル（30ml）に
溶解した。ここにｐ−シアノ安息香酸クロライド（2.3
g）を加えて室温で２．５時間攪拌した。反応終了後、
不溶物を濾過し濾液を濃縮した。濃縮残渣と先に濾取し
た固体を合わせ、水でよく洗浄し、つづいてエーテルで
洗浄し減圧下乾燥すると６−［（４−シアノベンゾイ
ル）アミノ］−４−ヒドロキシクロマン−３−酢酸 メ
チル（3.2g）を得た。
【００４７】（１−７）工程（１−６）で得た化合物
（3.0g）にジオキサン（150ml）とアンバーリスト１５
（300mg）を加え、２時間加熱還流した。反応液を約５
０℃まで冷却し濾過した。溶媒を減圧濃縮し、濃縮残渣
にメタノール（100ml）を加えて加熱還流した。室温ま
で冷却し、析出した結晶を濾取した。濾液を減圧濃縮
し、濃縮残渣をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドに溶解
しシリカカラムクロマトグラフィー（溶出液クロロホル
ム）にて精製した。目的物のフラクションを集めて減圧
濃縮し、濃縮残渣と先に濾取した結晶を合わせて減圧乾
燥すると６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］−２
Ｈ−ベンゾピラン−３−酢酸 メチル（1.7g）を得た。
（3.0g）にジオキサン（150ml）とアンバーリスト１５
（300mg）を加え、２時間加熱還流した。反応液を約５
０℃まで冷却し濾過した。溶媒を減圧濃縮し、濃縮残渣
にメタノール（100ml）を加えて加熱還流した。室温ま
で冷却し、析出した結晶を濾取した。濾液を減圧濃縮
し、濃縮残渣をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドに溶解
しシリカカラムクロマトグラフィー（溶出液クロロホル
ム）にて精製した。目的物のフラクションを集めて減圧
濃縮し、濃縮残渣と先に濾取した結晶を合わせて減圧乾
燥すると６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］−２
Ｈ−ベンゾピラン−３−酢酸 メチル（1.7g）を得た。
【００４８】（１−８）工程（１−７）で得た化合物
（1.7g）をテトラヒドロフラン（100ml）と水（70ml）
の混合溶媒に溶解し、水酸化リチウム（620mg）を加え
て室温で３０分間撹拌した。大部分のテトラヒドロフラ
ンを減圧下留去した後、塩酸水溶液を加えて酸性とし
た。析出した結晶を濾取し、水とメタノールで洗浄する
と題記化合物（1.51g）が得られた。 mp:>230℃1 H-NMR(DMSO-d6):10.35(s, 1H)、8.09(d, 1H, J=8.8H
z)、8.02(d, 2H, J=8.8Hz)、7.46-7.42(m, 2H)、6.74
(d, 1H, J=8.8Hz)、6.39(s, 1H)、4.73(s, 2H)、3.21
(s, 2H)
（1.7g）をテトラヒドロフラン（100ml）と水（70ml）
の混合溶媒に溶解し、水酸化リチウム（620mg）を加え
て室温で３０分間撹拌した。大部分のテトラヒドロフラ
ンを減圧下留去した後、塩酸水溶液を加えて酸性とし
た。析出した結晶を濾取し、水とメタノールで洗浄する
と題記化合物（1.51g）が得られた。 mp:>230℃1 H-NMR(DMSO-d6):10.35(s, 1H)、8.09(d, 1H, J=8.8H
z)、8.02(d, 2H, J=8.8Hz)、7.46-7.42(m, 2H)、6.74
(d, 1H, J=8.8Hz)、6.39(s, 1H)、4.73(s, 2H)、3.21
(s, 2H)
【００４９】光学活性な６−［（４−シアノベンゾイ
ル）アミノ］クロマン−３−酢酸の合成 実施例２ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（80mg）とＲｕ
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕Ｃｌ2（2.3mg）を精密に秤り取
り、シュレンク管中でアルゴン気流下無水メタノール
（29ml）に懸濁した。ここに蒸留したトリエチルアミン
（0.09g）を無水メタノール（100ml）に溶かした溶液
（1ml）を加えた。オートクレーブ内をアルゴンで置換
した後、シリンジを用いてオートクレーブに移した。水
素に置換し100kg/cm2にて４０℃、１８時間反応を行っ
た。反応液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製し、（−）−体（55mg）を得た。光
学純度は７０％ｅｅであった。［α］D 25＝−１７．５
（Ｃ＝１．００、ジオキサン）
ル）アミノ］クロマン−３−酢酸の合成 実施例２ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（80mg）とＲｕ
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕Ｃｌ2（2.3mg）を精密に秤り取
り、シュレンク管中でアルゴン気流下無水メタノール
（29ml）に懸濁した。ここに蒸留したトリエチルアミン
（0.09g）を無水メタノール（100ml）に溶かした溶液
（1ml）を加えた。オートクレーブ内をアルゴンで置換
した後、シリンジを用いてオートクレーブに移した。水
素に置換し100kg/cm2にて４０℃、１８時間反応を行っ
た。反応液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製し、（−）−体（55mg）を得た。光
学純度は７０％ｅｅであった。［α］D 25＝−１７．５
（Ｃ＝１．００、ジオキサン）
【００５０】実施例３ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（80mg）とＲｕ
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（2.3mg）を精
密に秤り取り、シュレンク管中でアルゴン気流下無水メ
タノール（30ml）に懸濁した。オートクレーブ内をアル
ゴンで置換した後、原料懸濁液を装入し、水素に置換し
100kg/cm2にて２０℃、４２時間反応を行った。反応液
を減圧下濃縮し、濃縮残渣をメタノール（1.5ml）でス
ラッジングし、粉末を濾取乾燥すると（−）−体（50m
g）を得た。光学純度は８９％ｅｅであった。［α］D 25
＝−２２．５（Ｃ＝１．００、ジオキサン）
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（2.3mg）を精
密に秤り取り、シュレンク管中でアルゴン気流下無水メ
タノール（30ml）に懸濁した。オートクレーブ内をアル
ゴンで置換した後、原料懸濁液を装入し、水素に置換し
100kg/cm2にて２０℃、４２時間反応を行った。反応液
を減圧下濃縮し、濃縮残渣をメタノール（1.5ml）でス
ラッジングし、粉末を濾取乾燥すると（−）−体（50m
g）を得た。光学純度は８９％ｅｅであった。［α］D 25
＝−２２．５（Ｃ＝１．００、ジオキサン）
【００５１】実施例４ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（1.0g）とＲｕ
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（30mg）を精
密に秤り取り、５００ｍｌのオートクレーブに入れ、ア
ルゴンで置換した。ここに無水メタノール（270ml）を
シリンジを用いて注入し、水素に置換し100kg/cm2にて
４０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧下濃縮
し、濃縮残渣をメタノール（5ml）でスラッジングし、
粉末を濾取乾燥すると（−）−体（730mg）を得た。化
学純度は９４％、光学純度は８５％ｅｅであった。
［α］D 25＝−２１．３（Ｃ＝１．００、ジオキサン） mp:229.5℃1 H-NMR(DMSO-d6)：10.29(s, 1H)、8.08(d, 2H, J=8.1H
z)、8.01(d, 2H, J=8.1Hz)7.48(d, 1H, J=2.2Hz)、7.42
(dd, 1H, J=2.2,8.8Hz)、6.75(d, 1H, J=8.8Hz)、4.18
(d, 1H, J=11.0Hz)、3.81(dd, 1H, J=7.3,11.0Hz)、2.9
1-2.84(m, 1H)、2.56-2.25(m, 4H)
〔（Ｒ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（30mg）を精
密に秤り取り、５００ｍｌのオートクレーブに入れ、ア
ルゴンで置換した。ここに無水メタノール（270ml）を
シリンジを用いて注入し、水素に置換し100kg/cm2にて
４０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧下濃縮
し、濃縮残渣をメタノール（5ml）でスラッジングし、
粉末を濾取乾燥すると（−）−体（730mg）を得た。化
学純度は９４％、光学純度は８５％ｅｅであった。
［α］D 25＝−２１．３（Ｃ＝１．００、ジオキサン） mp:229.5℃1 H-NMR(DMSO-d6)：10.29(s, 1H)、8.08(d, 2H, J=8.1H
z)、8.01(d, 2H, J=8.1Hz)7.48(d, 1H, J=2.2Hz)、7.42
(dd, 1H, J=2.2,8.8Hz)、6.75(d, 1H, J=8.8Hz)、4.18
(d, 1H, J=11.0Hz)、3.81(dd, 1H, J=7.3,11.0Hz)、2.9
1-2.84(m, 1H)、2.56-2.25(m, 4H)
【００５２】実施例５ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（1.0g）とＲｕ
〔（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（30mg）を精
密に秤り取り、５００ｍｌのオートクレーブに入れ、ア
ルゴンで置換した。ここに無水メタノール（270ml）を
シリンジを用いて注入し、水素に置換し100kg/cm2にて
４０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧下濃縮
し、濃縮残渣をメタノール（5ml）でスラッジングし、
粉末を濾取乾燥すると（＋）−体（760mg）を得た。光
学純度は８５％ｅｅであった。［α］D 25＝＋２１．３
（Ｃ＝１．００、ジオキサン） mp:228℃1 H-NMR(DMSO-d6)：10.29(s, 1H)、8.08(d, 2H, J=8.1H
z)、8.01(d, 2H, J=8.1Hz)7.48(d, 1H, J=2.2Hz)、7.42
(dd, 1H, J=2.2,8.8Hz)、6.75(d, 1H, J=8.8Hz)、4.18
(d, 1H, J=11.0Hz)、3.81(dd, 1H, J=7.3,11.0Hz)、2.9
1-2.84(m, 1H)、2.56-2.25(m, 4H)
〔（Ｓ）−ＢＩＮＡＰ〕（Ｏ2ＣＣＨ3）2（30mg）を精
密に秤り取り、５００ｍｌのオートクレーブに入れ、ア
ルゴンで置換した。ここに無水メタノール（270ml）を
シリンジを用いて注入し、水素に置換し100kg/cm2にて
４０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧下濃縮
し、濃縮残渣をメタノール（5ml）でスラッジングし、
粉末を濾取乾燥すると（＋）−体（760mg）を得た。光
学純度は８５％ｅｅであった。［α］D 25＝＋２１．３
（Ｃ＝１．００、ジオキサン） mp:228℃1 H-NMR(DMSO-d6)：10.29(s, 1H)、8.08(d, 2H, J=8.1H
z)、8.01(d, 2H, J=8.1Hz)7.48(d, 1H, J=2.2Hz)、7.42
(dd, 1H, J=2.2,8.8Hz)、6.75(d, 1H, J=8.8Hz)、4.18
(d, 1H, J=11.0Hz)、3.81(dd, 1H, J=7.3,11.0Hz)、2.9
1-2.84(m, 1H)、2.56-2.25(m, 4H)
【００５３】実施例６ 実施例１の工程（１−７）で得た化合物（81mg）とＲｕ
〔(-)-(S)-N,N-ジメチル-1-〔(R)-1′,2-ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルアミン］ジクロ
ライド(2.3mg)を精密に秤り取り、シュレンク管中でア
ルゴン気流下無水メタノール（29ml）に懸濁した。ここ
に蒸留したトリエチルアミン（0.09g）を無水メタノー
ル（100ml）に溶かした溶液（1ml）を加えた。オートク
レーブ内をアルゴンで置換した後、シリンジを用いてオ
ートクレーブに移した。水素に置換し100kg/cm2にて４
０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧濃縮した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
（＋）−体（60mg）を得た。光学純度は３７％ｅｅであ
った。［α］D 25＝＋９．２５（Ｃ＝１．００、ジオキ
サン）
〔(-)-(S)-N,N-ジメチル-1-〔(R)-1′,2-ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルアミン］ジクロ
ライド(2.3mg)を精密に秤り取り、シュレンク管中でア
ルゴン気流下無水メタノール（29ml）に懸濁した。ここ
に蒸留したトリエチルアミン（0.09g）を無水メタノー
ル（100ml）に溶かした溶液（1ml）を加えた。オートク
レーブ内をアルゴンで置換した後、シリンジを用いてオ
ートクレーブに移した。水素に置換し100kg/cm2にて４
０℃、１８時間反応を行った。反応液を減圧濃縮した
後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
（＋）−体（60mg）を得た。光学純度は３７％ｅｅであ
った。［α］D 25＝＋９．２５（Ｃ＝１．００、ジオキ
サン）
【００５４】
【発明の効果】本発明の効果を列挙すると次のとおりで
ある。 （１）医薬品中間体として有用な一般式（２）で表され
る光学活性カルボン酸の提供。 （２）（１）の光学活性カルボン酸を、高い光学収率で
得る製造方法の提供。 （３）（１）の光学活性カルボン酸の原料となる一般式
（１）で表されるカルボン酸の提供。
ある。 （１）医薬品中間体として有用な一般式（２）で表され
る光学活性カルボン酸の提供。 （２）（１）の光学活性カルボン酸を、高い光学収率で
得る製造方法の提供。 （３）（１）の光学活性カルボン酸の原料となる一般式
（１）で表されるカルボン酸の提供。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 231/18 9547−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 231/18 233/54 9547−4Ｈ 233/54 253/30 9357−4Ｈ 253/30 255/57 9357−4Ｈ 255/57 Ｃ０７Ｄ 311/04 Ｃ０７Ｄ 311/04 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 粟野 博一 千葉県茂原市東郷1144番地 三井東圧化学 株式会社内 (72)発明者 山本 喜博 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（１）［化１］ 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れるβ、γ−不飽和カルボン酸を、遷移金属−光学活性
ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化することを特徴
とする一般式（２）［化２］ 【化２】 （式中、Ｒ1は水素原子、アミノ基、アセチルアミノ
基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｐ−シアノベン
ゾイルアミノ基を、ＸはＯまたはＣＨ2を示す）で表さ
れる光学活性カルボン酸の製造方法。 - 【請求項２】遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の遷移
金属がルテニウム、ロジウムまたはイリジウムである請
求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の遷移
金属がルテニウムである請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】一般式（１）において、Ｒ1がｐ−シアノ
ベンゾイルアミノ基であり、ＸがＯで表されるβ、γ−
不飽和カルボン酸をルテニウム−光学活性ホスフィン錯
体を触媒として不斉水素化することを特徴とする一般式
（２）において、Ｒ1がｐ−シアノベンゾイルアミノ基
で表される光学活性カルボン酸の製造方法。 - 【請求項５】光学活性ホスフィンが一般式（３）［化
３］ 【化３】 （式中、Ｒ2はメチル基、ｔ−ブチル基またはメトキシ
基を有してもよいフェニル基またはシクロヘキシル基を
示し、Ｘは水素原子、アミノ基、アセチルアミノ基また
はスルホン酸基を示す）で表されるビナフチル化合物で
ある請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】光学活性な６−［（４−シアノベンゾイ
ル）アミノ］クロマン−３−酢酸。 - 【請求項７】６−［（４−シアノベンゾイル）アミノ］
−２Ｈ−ベンゾピラン−３−酢酸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041349A JPH09227448A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 光学活性カルボン酸およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041349A JPH09227448A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 光学活性カルボン酸およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227448A true JPH09227448A (ja) | 1997-09-02 |
Family
ID=12606042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8041349A Withdrawn JPH09227448A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 光学活性カルボン酸およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09227448A (ja) |
-
1996
- 1996-02-28 JP JP8041349A patent/JPH09227448A/ja not_active Withdrawn
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