JPH09228048A - Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 - Google Patents
Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法Info
- Publication number
- JPH09228048A JPH09228048A JP5263596A JP5263596A JPH09228048A JP H09228048 A JPH09228048 A JP H09228048A JP 5263596 A JP5263596 A JP 5263596A JP 5263596 A JP5263596 A JP 5263596A JP H09228048 A JPH09228048 A JP H09228048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium
- cvd
- complex
- organic
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- UZICKDIYFALSHI-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethyloctane-3,5-dione Chemical compound CCC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C UZICKDIYFALSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- XCBBNTFYSLADTO-UHFFFAOYSA-N 2,3-Octanedione Chemical compound CCCCCC(=O)C(C)=O XCBBNTFYSLADTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XMVWWXJDPXBJQG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trimethylnonane-4,6-dione Chemical compound CCCC(=O)CC(=O)C(C)C(C)(C)C XMVWWXJDPXBJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ法によって超電導材料や強誘電体材料
などに有用なバリウムまたはバリウム含有物質の薄膜を
製造するさいに液体状態で蒸発させることができる原料
化合物を得て，操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 ＣＶＤ法によりバリウムまたはバリウム
含有物質を析出させるのに使用するＣＶＤ用のバリウム
源物質であって，２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−オクタンジオンをバリウムの配位子とした有機バリ
ウム錯体からなるＣＶＤ用バリウム源物質。
などに有用なバリウムまたはバリウム含有物質の薄膜を
製造するさいに液体状態で蒸発させることができる原料
化合物を得て，操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 ＣＶＤ法によりバリウムまたはバリウム
含有物質を析出させるのに使用するＣＶＤ用のバリウム
源物質であって，２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−オクタンジオンをバリウムの配位子とした有機バリ
ウム錯体からなるＣＶＤ用バリウム源物質。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，化学的気相蒸着法
（ＣＶＤ法）によってバリウムまたはバリウム含有物質
を析出させるのに適したＣＶＤ用バリウム源物質に関す
る。
（ＣＶＤ法）によってバリウムまたはバリウム含有物質
を析出させるのに適したＣＶＤ用バリウム源物質に関す
る。
【０００２】
【０００３】超電導材料や強誘電体材料などに有用な薄
膜として，バリウムまたはバリウム含有物質の薄膜をＣ
ＶＤ法で成膜することが種々提案されている。バリウム
またはバリウム含有物質をＣＶＤ法によって析出させる
場合の原料化合物として有機バリウム錯体を用いること
が有利である。
膜として，バリウムまたはバリウム含有物質の薄膜をＣ
ＶＤ法で成膜することが種々提案されている。バリウム
またはバリウム含有物質をＣＶＤ法によって析出させる
場合の原料化合物として有機バリウム錯体を用いること
が有利である。
【０００４】従来より，或る金属またはその化合物をＣ
ＶＤ法で成膜するさいの原料化合物としてその金属の有
機錯体が使用されており，かような有機金属錯体を構成
する有機部分（配位子）としては，ジピバロイルメタン
或いはヘキサフルオロアセチルアセトン等のβ−ジケト
ンが一般に知られている。特開平４−７２０６６号公報
および特開平４−７４８６６号公報には周期律表第IIＡ
属金属， IIIＡ属金属，IVＡ属金属，ＩＢ属金属との錯
体を構成する有機化合物として炭素数１〜５の低級アル
キル基をもつ１，３−ジケトン類が記載されている。
ＶＤ法で成膜するさいの原料化合物としてその金属の有
機錯体が使用されており，かような有機金属錯体を構成
する有機部分（配位子）としては，ジピバロイルメタン
或いはヘキサフルオロアセチルアセトン等のβ−ジケト
ンが一般に知られている。特開平４−７２０６６号公報
および特開平４−７４８６６号公報には周期律表第IIＡ
属金属， IIIＡ属金属，IVＡ属金属，ＩＢ属金属との錯
体を構成する有機化合物として炭素数１〜５の低級アル
キル基をもつ１，３−ジケトン類が記載されている。
【０００５】なお，ＣＶＤ法には，熱ＣＶＤ法，光ＣＶ
Ｄ法またはプラズマＣＶＤ法などが知られており，いず
れも原料化合物の蒸気を分解させて薄膜を形成するもの
であるが，原料化合物の蒸気を発生させる場合には，固
体状態にある原料化合物からその蒸気を昇華させるのが
一般的である。
Ｄ法またはプラズマＣＶＤ法などが知られており，いず
れも原料化合物の蒸気を分解させて薄膜を形成するもの
であるが，原料化合物の蒸気を発生させる場合には，固
体状態にある原料化合物からその蒸気を昇華させるのが
一般的である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来提案されたβ−ジ
ケトン系有機化合物を配位子とした有機バリウム錯体
は，一般にその融点が高い（ほぼ２２０℃前後）。この
ため，ＣＶＤ法の原料化合物に適用する場合，これを融
点以上の高温に加熱することはせずに，固体状態からの
昇華によって原料蒸気を発生させることが行われてい
る。
ケトン系有機化合物を配位子とした有機バリウム錯体
は，一般にその融点が高い（ほぼ２２０℃前後）。この
ため，ＣＶＤ法の原料化合物に適用する場合，これを融
点以上の高温に加熱することはせずに，固体状態からの
昇華によって原料蒸気を発生させることが行われてい
る。
【０００７】固体状態からの昇華の場合には，原料容器
内の原料残量が減少するに従って，原料化合物の表面積
が減少して気化速度が遅くなるという現象が起き，この
蒸気量の減少により，一定した成膜速度を長時間確保す
ることができないという問題がある。また，この気化速
度が変化することにより，バリウムと他の元素とが複合
した物質の薄膜（例えばＹＢａ2Ｃｕ3 Ｏ7 など) を作
製しようとする場合には, その組成の制御が困難になる
という問題もある。
内の原料残量が減少するに従って，原料化合物の表面積
が減少して気化速度が遅くなるという現象が起き，この
蒸気量の減少により，一定した成膜速度を長時間確保す
ることができないという問題がある。また，この気化速
度が変化することにより，バリウムと他の元素とが複合
した物質の薄膜（例えばＹＢａ2Ｃｕ3 Ｏ7 など) を作
製しようとする場合には, その組成の制御が困難になる
という問題もある。
【０００８】前記の特開平４−７２０６６号公報および
特開平４−７４８６６号公報に記載された有機金属錯体
も高昇華性である点を特徴とするものであり，ＣＶＤ用
原料化合物としては固体状態で蒸発させるものである。
したがって，前記同様の問題がある。
特開平４−７４８６６号公報に記載された有機金属錯体
も高昇華性である点を特徴とするものであり，ＣＶＤ用
原料化合物としては固体状態で蒸発させるものである。
したがって，前記同様の問題がある。
【０００９】また，ヘキサフルオロアセチルアセトン等
のように分子内にフッ素を含む配位子を用いた有機金属
錯体は，融点は低いが成膜した膜中に不純物としてフッ
化物が混在するおそれがあり，この場合には膜の特性を
著しく損なう結果となる。
のように分子内にフッ素を含む配位子を用いた有機金属
錯体は，融点は低いが成膜した膜中に不純物としてフッ
化物が混在するおそれがあり，この場合には膜の特性を
著しく損なう結果となる。
【００１０】したがって本発明は，前記のような問題を
解決できるような低融点のＣＶＤ用バリウム源物質を得
ることを課題としたものである。
解決できるような低融点のＣＶＤ用バリウム源物質を得
ることを課題としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは斯かる課題
を解決するために鋭意研究したところ，２，２，６，６
−テトラメチル−３，５−オクタンジオンのβ−ジケト
ンを配位子とした有機バリウム錯体は，ＣＶＤ用原料化
合物として液体状態で使用可能な低融点（ほぼ１４０〜
１５０℃）を有し且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離
れているというＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性
質を有することを見いだした。この特性により，これを
ＣＶＤ法のバリウム源物質とした場合，液体状態からの
蒸発を行わせることができ，またバリウムの原料蒸気の
基材への供給と基材上でのバリウムの分解析出を安定し
て行わせることができるので，既述の課題が解決できる
ことがわかった。
を解決するために鋭意研究したところ，２，２，６，６
−テトラメチル−３，５−オクタンジオンのβ−ジケト
ンを配位子とした有機バリウム錯体は，ＣＶＤ用原料化
合物として液体状態で使用可能な低融点（ほぼ１４０〜
１５０℃）を有し且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離
れているというＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性
質を有することを見いだした。この特性により，これを
ＣＶＤ法のバリウム源物質とした場合，液体状態からの
蒸発を行わせることができ，またバリウムの原料蒸気の
基材への供給と基材上でのバリウムの分解析出を安定し
て行わせることができるので，既述の課題が解決できる
ことがわかった。
【００１２】すなわち，本発明によれば，ＣＶＤ法によ
りバリウムまたはバリウム含有物質を析出させるのに使
用するＣＶＤ用バリウム源物質であって，２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−オクタンジオンをバリウム
の配位子とした有機バリウム錯体からなるＣＶＤ用バリ
ウム源物質を提供する。
りバリウムまたはバリウム含有物質を析出させるのに使
用するＣＶＤ用バリウム源物質であって，２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−オクタンジオンをバリウム
の配位子とした有機バリウム錯体からなるＣＶＤ用バリ
ウム源物質を提供する。
【００１３】また本発明によれば，ＣＶＤ法によりバリ
ウムまたはバリウム含有物質を基材上に析出させるさい
に，バリウム源物質として２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−オクタンジオンをバリウムの配位子とした
有機バリウム錯体を使用し，この有機バリウム錯体を融
点以上の温度に加熱し，当該錯体の液相から当該錯体を
蒸発させることを特徴とするＣＶＤ法によるバリウムま
たはバリウム含有物質の成膜法を提供する。
ウムまたはバリウム含有物質を基材上に析出させるさい
に，バリウム源物質として２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−オクタンジオンをバリウムの配位子とした
有機バリウム錯体を使用し，この有機バリウム錯体を融
点以上の温度に加熱し，当該錯体の液相から当該錯体を
蒸発させることを特徴とするＣＶＤ法によるバリウムま
たはバリウム含有物質の成膜法を提供する。
【００１４】本発明に従う有機バリウム錯体は化１の一
般式で表されるものであり，新規化合物であると思われ
る。
般式で表されるものであり，新規化合物であると思われ
る。
【００１５】
【化１】
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に従うβ−ジケトン系有機
バリウム錯体は，金属バリウムと，配位子の２，２，
６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオンを，ト
ルエン溶液中で加熱攪拌し，溶媒を留去して析出した固
体を，再結晶，蒸留等の精製法で精製するという方法で
得ることができる。
バリウム錯体は，金属バリウムと，配位子の２，２，
６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジオンを，ト
ルエン溶液中で加熱攪拌し，溶媒を留去して析出した固
体を，再結晶，蒸留等の精製法で精製するという方法で
得ることができる。
【００１７】このようにして得られた本発明の有機バリ
ウム錯体をＣＶＤ法の原料化合物として使用し，ＣＶＤ
法で該バリウムまたはバリウム含有物質を成膜するに
は，例えば図１に示したように，該有機バリウム錯体１
を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定の温度（融点よ
り高い温度，例えば１８０〜１９０℃）に保持し，不活
性キャリアガス（例えばアルゴンガス）４を流量計５に
よって流量を調整しながら（例えば５〜５００ミリリッ
トル／分）原料容器２内に導入することよって，有機バ
リウム錯体を同伴したガス流を該容器２から発生させ
る。
ウム錯体をＣＶＤ法の原料化合物として使用し，ＣＶＤ
法で該バリウムまたはバリウム含有物質を成膜するに
は，例えば図１に示したように，該有機バリウム錯体１
を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定の温度（融点よ
り高い温度，例えば１８０〜１９０℃）に保持し，不活
性キャリアガス（例えばアルゴンガス）４を流量計５に
よって流量を調整しながら（例えば５〜５００ミリリッ
トル／分）原料容器２内に導入することよって，有機バ
リウム錯体を同伴したガス流を該容器２から発生させ
る。
【００１８】発生した有機バリウム錯体蒸気は熱分解炉
６の反応管７内に導かれる。反応管（例えば石英管）７
はヒータ８によって加熱され，管内に設置した基板９を
所定の温度（例えば４００〜８００℃）に加熱保持する
ことによって，該有機バリウム錯体が熱分解して基板９
上にバリウムが析出し，成膜する。なお，原料容器２か
ら熱分解炉６までの配管は，凝縮を防ぐために保温層１
０または加熱保温手段によって１８５〜１９５℃に保温
維持するのがよい。反応管７から出る排ガスは冷却トラ
ップ１１を経て排出される。図中の１２はバルブを，ま
た１３はロータリーポンプを示している。なお，バリウ
ムの酸化物を成膜するさいには，酸素容器１４から流量
計１５およびバルブ１６を経て反応雰囲気中（例えば反
応管７内）に適量の気体酸素を送気する。また，他の元
素との複合物質を成膜するには，図示されてはいない
が，当該他の物質の原料化合物を同時に反応管７内に導
くようにする。
６の反応管７内に導かれる。反応管（例えば石英管）７
はヒータ８によって加熱され，管内に設置した基板９を
所定の温度（例えば４００〜８００℃）に加熱保持する
ことによって，該有機バリウム錯体が熱分解して基板９
上にバリウムが析出し，成膜する。なお，原料容器２か
ら熱分解炉６までの配管は，凝縮を防ぐために保温層１
０または加熱保温手段によって１８５〜１９５℃に保温
維持するのがよい。反応管７から出る排ガスは冷却トラ
ップ１１を経て排出される。図中の１２はバルブを，ま
た１３はロータリーポンプを示している。なお，バリウ
ムの酸化物を成膜するさいには，酸素容器１４から流量
計１５およびバルブ１６を経て反応雰囲気中（例えば反
応管７内）に適量の気体酸素を送気する。また，他の元
素との複合物質を成膜するには，図示されてはいない
が，当該他の物質の原料化合物を同時に反応管７内に導
くようにする。
【００１９】
〔実施例１〕図１のＣＶＤ設備を用いて，ステンレス鋼
製の原料容器２内に，バリウム源としての原料化合物と
して，化１に示したビス（２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−オクタンジオナト）バリウムを入れ，基板
９には酸化マグネシウム基板を用いてその上に成膜する
操作を行った。
製の原料容器２内に，バリウム源としての原料化合物と
して，化１に示したビス（２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−オクタンジオナト）バリウムを入れ，基板
９には酸化マグネシウム基板を用いてその上に成膜する
操作を行った。
【００２０】なお，化１のビス（２，２，６，６−テト
ラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムは，次
のようにして製造した。まず，窒素雰囲気下で，金属バ
リウム２ｇにトルエン１００ミリリットルを加え，これ
に２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジ
オン２０ｇを加えて１３０℃で攪拌し，金属バリウムが
完全に溶解した後，溶媒を減圧留去し，さらに減圧乾燥
したのち昇華精製によって７ｇのビス（２，２，６，６
−テトラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウム
を得た。得られた錯体の融点測定を行ったところ１４０
〜１５０℃であった。
ラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムは，次
のようにして製造した。まず，窒素雰囲気下で，金属バ
リウム２ｇにトルエン１００ミリリットルを加え，これ
に２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタンジ
オン２０ｇを加えて１３０℃で攪拌し，金属バリウムが
完全に溶解した後，溶媒を減圧留去し，さらに減圧乾燥
したのち昇華精製によって７ｇのビス（２，２，６，６
−テトラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウム
を得た。得られた錯体の融点測定を行ったところ１４０
〜１５０℃であった。
【００２１】この有機バリウム錯体１ｇを容器２内に装
填し，恒温槽３を２００℃の恒温に設定保持した。酸化
マグネシウム基板９をヒータ８によって８００℃に加熱
保持した状態で，キャリヤーガスとしてアルゴンガスを
１００ミリリットル／分を通流して該化合物を石英反応
管７に導いた。容器２から熱分解炉６までの配管は２１
０℃に保持されるように保温した。
填し，恒温槽３を２００℃の恒温に設定保持した。酸化
マグネシウム基板９をヒータ８によって８００℃に加熱
保持した状態で，キャリヤーガスとしてアルゴンガスを
１００ミリリットル／分を通流して該化合物を石英反応
管７に導いた。容器２から熱分解炉６までの配管は２１
０℃に保持されるように保温した。
【００２２】この条件下で６０分間の成膜操作を行った
ところ，厚さ１１００オングストロームの均一なバリウ
ムの薄膜が得られた。
ところ，厚さ１１００オングストロームの均一なバリウ
ムの薄膜が得られた。
【００２３】容器２に装填したビス（２，２，６，６−
テトラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムの
量を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で成膜
操作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが１１００
オングストロームの均一なバリウムの薄膜が得られた。
すなわち，容器２に装填する原料化合物量を変えても同
厚の成膜ができた。このことは，原料化合物からの蒸発
量が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であるこ
とを示している。
テトラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムの
量を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で成膜
操作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが１１００
オングストロームの均一なバリウムの薄膜が得られた。
すなわち，容器２に装填する原料化合物量を変えても同
厚の成膜ができた。このことは，原料化合物からの蒸発
量が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であるこ
とを示している。
【００２４】〔実施例２〕気体酸素を酸素源１４から流
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，実施例１と同様の
処理を同じく６０分間行った。その結果，原料装填量が
１ｇと２ｇの両方とも１４００オングストロームの同じ
厚さの酸化バリウムの薄膜が得られた。
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，実施例１と同様の
処理を同じく６０分間行った。その結果，原料装填量が
１ｇと２ｇの両方とも１４００オングストロームの同じ
厚さの酸化バリウムの薄膜が得られた。
【００２５】〔比較例１〕ビス（２，２，６，６−テト
ラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムに代え
て，融点が２１６〜２１８℃のビス（ジピバロイルメタ
ナト）バリウムを使用した以外は，実施例１と同様な条
件で成膜した。その結果，６０分後に原料充填量１ｇの
ものは厚さが１５００オングストローム，また，原料充
填量２ｇのものは厚さが２１００オングストロームのバ
リウムの薄膜が得られた。このことは，容器内原料の容
積変化にともなって，蒸発量も経時変化したことを示し
ている。
ラメチル−３，５−オクタンジオナト）バリウムに代え
て，融点が２１６〜２１８℃のビス（ジピバロイルメタ
ナト）バリウムを使用した以外は，実施例１と同様な条
件で成膜した。その結果，６０分後に原料充填量１ｇの
ものは厚さが１５００オングストローム，また，原料充
填量２ｇのものは厚さが２１００オングストロームのバ
リウムの薄膜が得られた。このことは，容器内原料の容
積変化にともなって，蒸発量も経時変化したことを示し
ている。
【００２６】〔比較例２〕気体酸素を酸素源１４から流
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，比較例１と同様の
処理を同じく６０分間行った。その結果，原料充填量１
ｇのものは厚さが１９００オングストローム，また原料
充填量２ｇのものは厚さが２７００オングストロームの
酸化バリウムの薄膜が得られた。
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，比較例１と同様の
処理を同じく６０分間行った。その結果，原料充填量１
ｇのものは厚さが１９００オングストローム，また原料
充填量２ｇのものは厚さが２７００オングストロームの
酸化バリウムの薄膜が得られた。
【００２７】
【発明の効果】以上のように，本発明に従うβ−ジケト
ン系有機バリウム錯体は低融点で，高気化性であり，か
つ蒸発温度と分解温度がはなれていることから，ＣＶＤ
法によってバリウムまたはバリウム含有物質の薄膜を製
造するためのバリウム源物質として使用する場合に，液
体状態で使用できるという優れた利点があり，またこの
ために蒸発速度が一定となるので安定した成膜速度が得
られ，しかも高速で且つ均質な成膜ができるという特徴
がある。
ン系有機バリウム錯体は低融点で，高気化性であり，か
つ蒸発温度と分解温度がはなれていることから，ＣＶＤ
法によってバリウムまたはバリウム含有物質の薄膜を製
造するためのバリウム源物質として使用する場合に，液
体状態で使用できるという優れた利点があり，またこの
ために蒸発速度が一定となるので安定した成膜速度が得
られ，しかも高速で且つ均質な成膜ができるという特徴
がある。
【００２８】したがって，本発明によれば，超電導材料
や強誘電体材料などに有用なバリウムまたはバリウム含
有物質の成膜技術に多大の貢献ができる。
や強誘電体材料などに有用なバリウムまたはバリウム含
有物質の成膜技術に多大の貢献ができる。
【図１】熱ＣＶＤ法を実施する設備の機器配置例を示し
た略断面図である。
た略断面図である。
１ 有機金属錯体 ２ 原料容器 ３ 恒温槽 ４ 不活性キャリヤーガス ５ 流量計 ６ 熱分解炉 ７ 石英反応管 ８ ヒータ ９ 基板 １０ 保温層 １１ 冷却トラップ １２ バルブ １３ ロータリーポンプ １４ 酸素源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 29/22 ５０１ Ｃ３０Ｂ 29/22 ５０１Ｅ // Ｃ０７Ｆ 3/04 Ｃ０７Ｆ 3/04 Ｈ０１Ｌ 21/314 Ｈ０１Ｌ 21/314 Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＶＤ法によりバリウムまたはバリウム
含有物質を析出させるのに使用するＣＶＤ用バリウム源
物質であって，２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−オクタンジオンをバリウムの配位子とした有機バリウ
ム錯体からなるＣＶＤ用バリウム源物質。 - 【請求項２】 有機バリウム錯体は化１で示される請求
項１に記載のＣＶＤ用バリウム源物質。 【化１】 - 【請求項３】 有機バリウム錯体は融点が１４０〜１５
０℃のものである請求項１または２に記載のＣＶＤ用バ
リウム源物質。 - 【請求項４】 ＣＶＤ法によりバリウムまたはバリウム
含有物質を基材上に析出させるさいに，バリウム源物質
として２，２，６，６−テトラメチル−３，５−オクタ
ンジオンをバリウムの配位子とした有機バリウム錯体を
使用し，この有機バリウム錯体を融点以上の温度に加熱
し，当該錯体の液相から当該錯体を蒸発させることを特
徴とするＣＶＤ法によるバリウムまたはバリウム含有物
質の成膜法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8052635A JP2977484B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8052635A JP2977484B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09228048A true JPH09228048A (ja) | 1997-09-02 |
| JP2977484B2 JP2977484B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=12920292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8052635A Expired - Lifetime JP2977484B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2977484B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180190B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source for chemical vapor deposition |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP8052635A patent/JP2977484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180190B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source for chemical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2977484B2 (ja) | 1999-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100539206B1 (ko) | 폴리아민계 전구체를 사용하는 ＢａＳｒＴｉＯ３의 성장 방법 | |
| US5149596A (en) | Vapor deposition of thin films | |
| US5139999A (en) | Chemical vapor deposition process where an alkaline earth metal organic precursor material is volatilized in the presence of an amine or ammonia and deposited onto a substrate | |
| JP3875491B2 (ja) | ルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学蒸着するための前駆物質の化学的性質 | |
| JP3193372B2 (ja) | 基板上へ有機金属化合物層を蒸着する蒸着方法 | |
| Suh et al. | General synthesis of homoleptic indium alkoxide complexes and the chemical vapor deposition of indium oxide films | |
| US7348445B2 (en) | Organoaluminum precursor compounds | |
| JP3611640B2 (ja) | 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 | |
| WO2006088686A2 (en) | Organoaluminum precursor compounds | |
| US6046345A (en) | Barium strontium β-diketonates, processes for producing the same and processes for producing barium strontium-containing oxide dielectric films with the use of the same | |
| US5952047A (en) | CVD precursors and film preparation method using the same | |
| KR20000013302A (ko) | 화학 증착법을 위한 유기 구리 전구체 | |
| JP2977484B2 (ja) | Ｃｖｄ用バリウム源物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JP3584089B2 (ja) | 希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JP3818691B2 (ja) | 希土類元素のｃｖｄ用原料化合物およびこれを用いた成膜法 | |
| Kojima et al. | Measurements of vapor pressures of MOCVD materials, which are usable for ferroelectric thin films | |
| JP3584097B2 (ja) | Ｃｖｄ用カルシウム源物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JP3584091B2 (ja) | Ｃｖｄ用銅源物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JP3964976B2 (ja) | Ｃｖｄ用ストロンチウム源物質およびこれを用いた成膜法 | |
| JP3465848B2 (ja) | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造法 | |
| JPH10324970A (ja) | Ｃｖｄ用原料およびこれを用いた成膜法 | |
| JP4225607B2 (ja) | ビスマス含有複合金属酸化膜の製造方法 | |
| JP2802676B2 (ja) | １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法 | |
| JP3231835B2 (ja) | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造法 | |
| JP2799763B2 (ja) | 有機金属錯体を用いる薄膜の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990831 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120910 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 14 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |