JPH0922893A - プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 - Google Patents

プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法

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JPH0922893A
JPH0922893A JP7169634A JP16963495A JPH0922893A JP H0922893 A JPH0922893 A JP H0922893A JP 7169634 A JP7169634 A JP 7169634A JP 16963495 A JP16963495 A JP 16963495A JP H0922893 A JPH0922893 A JP H0922893A
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plasma
plasma etching
substrate
substrate stage
etching apparatus
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Shingo Kadomura
新吾 門村
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 イオン入射ダメージを防止するとともに、異
方性およびエッチングレートのいずれをも満たすプラズ
マエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供
する。 【構成】 基板ステージ２内に高透磁率材料層３を配設
するとともに、基板ステージ２を直接接地電位に落と
す。プラズマ発生源４からの発散磁界による磁力線は、
基板ステージ２にほぼ垂直に入射する。 【効果】 プラズマ中の正イオンのみならず、負イオン
も磁力線に沿って被エッチング基板１に垂直に入射す
る。従来技術のように、シースによるイオンの加速を用
いないので、基板ダメージは有効に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
で用いられるプラズマエッチング装置およびプラズマエ
ッチング方法に関し、さらに詳しくは、低ダメージ、高
選択比および高エッチングレート等の諸要請をともに満
たすことが可能なプラズマエッチング装置およびプラズ
マエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の集積度が進み、
そのデザインルールがサブハーフミクロンからサブクォ
ータミクロンのレベルへと微細化されるに伴い、プラズ
マエッチングを用いた微細加工への各種要求は厳しさを
増している。一例として、ゲート酸化膜の薄膜化にとも
ない、ゲート電極加工時における下地のゲート酸化膜に
対するエッチング選択比の確保は重要な課題である。
【０００３】通常、ゲート電極加工時の高選択比化は、
プラズマエッチングに採用するエッチングガス種の選択
によるガスケミストリの工夫で達成を図る場合が多い。
例えば、多結晶シリコンや高融点金属ポリサイドからな
るゲート電極材料層のパターニングに際し、エッチング
ガスとしてＨＢｒを、さらにエッチングマスクとしてＳ
ｉＯ2 等の無機材料を用い、エッチング反応系から極力
炭素成分を排除した条件を採用すれば、高選択比が得ら
れる。この技術は例えば、Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆＰａｐｅ
ｒｓ，２ｎｄ．Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｆｎｅ
ｒｅｎｃｅ１９８９，ｐ．１９０，Ｂ−９−２や、特開
平２−２２４２４１号公報に報告ないし開示されてい
る。
【０００４】すなわち、単なる数値上のエッチング選択
比であれば、現状のプラズマエッチング技術であっても
充分に達成されている。しかしながら、通常かかるフッ
素系化学種以外のハロゲン系化学種を採用するガスケミ
ストリのみに依存するゲート電極加工においては、エッ
チングにともなう反応生成物であるＳｉＢｒX やＳｉＣ
ｌx がパターン側壁に堆積して残るため、これら残渣を
除去するウェットエッチング処理が不可欠である。この
ウェットエッチング処理は短時間処理ではあるが、希フ
ッ酸系の処理液を用いるため、不可避的に下地材料層で
あるゲート酸化膜をもエッチングし、ゲート酸化膜の実
質的な残膜厚さを減らす結果となる。
【０００５】実際のデバイス構造においては、高段差を
有する下地材料層上でのプラズマエッチングの場合が多
く、１００％にもおよぶオーバーエッチングにゲート酸
化膜が曝される場合がある。かかるゲート酸化膜の表面
は、希フッ酸でのエッチングレートが異常に大きく、ゲ
ート酸化膜の残膜厚さを益々減らす方向であることが、
例えばＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ Ｄｒｙｐｒｏｃｅｓｓ，１９９３，ｐ．１
３７に報告されている。この現象はオーバーエッチング
時のイオン衝撃により、ゲート酸化膜は殆どエッチング
はされないにもかかわらず、加速されたイオン入射にも
とづくダメージが入ることに起因するものである。ゲー
ト酸化膜の厚さは、デザインルールの微細化にともない
０．２５μｍルールの半導体装置においては６ｎｍ、
０．１８μｍルールの半導体装置においては４ｎｍと今
後益々薄膜化が予想される。すなわち、いくらエッチン
グガスの選定により高選択比を達成しても、その後のウ
ェット処理により、実質的にはゲート電極から露出する
ゲート酸化膜の残膜厚さを管理することが不可能となる
虞れが予想される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した技術
的背景をもとに提案するものであり、プラズマエッチン
グにおけるガスケミストリのみに依存することなく、エ
ッチング選択比を確保した上で被エッチング基板に対す
るイオン照射ダメージを低減し、しかも実用的なエッチ
ングレートと高異方性をも達成しうるプラズマエッチン
グ装置およびプラズマエッチング方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング装置は上述の課題を達成するために提案するもので
あり、少なくとも磁界を利用したプラズマ発生源と、こ
のプラズマ発生源に連接するとともに、このプラズマ発
生源に対向して被エッチング基板を載置する基板ステー
ジを内部に配設したプラズマ処理室とを具備するプラズ
マエッチング装置であって、基板ステージを接地電位と
するとともに、この基板ステージの略全面にわたり、高
透磁率材料層を配設することを特徴とするものである。
【０００８】またかかる装置構成により、プラズマ発生
源からの発散磁界による磁力線を、高透磁率材料により
基板ステージに略垂直に入射させることを特徴とする。
【０００９】本発明のプラズマエッチング装置の好まし
い態様例においては、プラズマ発生源は、ＥＣＲプラズ
マ発生源あるいはヘリコン波プラズマ発生源であること
を特徴とする。
【００１０】本発明のプラズマエッチング装置で用いる
高透磁率材料は特に限定するものではないが、強磁性金
属の合金あるいは化合物等を任意に用いることができ
る。合金系ではパーマロイ合金、センダスト合金、珪素
鋼等各種軟磁性合金が例示され、また化合物系ではＭｎ
Ｚｎフェライト等の各種軟磁性化合物があげられる。か
かる高透磁率材料を薄板状に成形し、基板ステージの略
全面、好ましくは被エッチング基板の平面形状をすべて
包含する領域に配設して用いる。また高透磁率材料が合
金の場合には、高透磁率材料そのものを接地電位に落と
して使用してもよい。高透磁率材料が絶縁物の場合に
は、別途接地電極を設ける必要がある。いずれの場合に
も基板ステージの最上面は、アルミナ等のセラミクスで
構成し、コンタミネーションを防止することが好まし
い。
【００１１】つぎに本発明のプラズマエッチング方法
は、上述した特定構造のプラズマエッチング装置を用
い、被エッチング基板上に少なくとも負イオンを入射し
つつエッチングすることを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】本発明の骨子は、プラズマエッチングにおける
エッチング種として、従来は用いられることのなかった
負イオンをも用いる点にある。
【００１３】前述したように、今後予想される極薄のゲ
ート酸化膜上でのゲート電極のパターニングにおいて
も、ゲート電極から露出するゲート酸化膜の残膜厚さを
確保するためには、プラズマエッチング時の見掛け上の
選択比を追求するのみでは片手落ちである。すなわち、
残渣除去の後処理工程であるウェットエッチング工程で
の、ゲート酸化膜の増速エッチングを抑制することが不
可欠であり、このためにはオーバーエッチング工程での
イオン衝撃で形成されるゲート酸化膜のダメージを低減
するため、入射イオンエネルギをできる限り抑えたエッ
チング条件の設定が必要である。しかしながら、入射イ
オンエネルギを低減することにより、加速され指向性を
持ったイオンの入射が不足する場合には、異方性加工は
困難となってサイドエッチングが発生し、また実用的な
エッチングレートの確保も困難となる。
【００１４】そこで本発明においては、通常異方性プラ
ズマエッチングに用いられている正イオンのみならず、
負イオンをも同時に利用することにより見掛け上のイオ
ン密度を向上して問題点の解決を図った。負イオンはプ
ラズマエッチングに通常用いられるハロゲン系ガスのプ
ラズマ中には、ハロゲン元素の電気陰性度が大きいこと
もあって多量に存在するものである。したがって、この
負イオンをもエッチングに利用することができれば、入
射イオン数は圧倒的に多くなるので、入射イオンエネル
ギが小さくなったとしても、エッチングレートの低下を
防止することができる。しかしながら、通常のプラズマ
エッチングにおいては、基板ステージには基板バイアス
を印加したり、ブロッキングコンデンサを介してフロー
ティング電位としていることから、プラズマとの間にシ
ース（陰極降下電圧領域）が形成されて負の電位差が生
じるので、基板ステージは負電位となり、負イオンは反
発されて被エッチング基板上に入射することはない。
【００１５】本発明のプラズマエッチング装置構成によ
れば、基板ステージを接地電位に直接落としておくこと
により、正イオンのみならず負イオンの入射をも可能に
している。しかしこのままではイオンが指向性をもって
被エッチング基板面に垂直入射できないので、磁界を利
用する。すなわち、基板ステージ表面に略垂直に磁力線
を入射させることにより、換言すれば基板ステージ表面
に平行方向に等磁界面を形成することにより、この磁力
線に沿ったイオン入射が可能となる。磁力線は、別途磁
界発生手段を設けることも可能であるが、本プラズマエ
ッチング装置においてはプラズマ発生源に磁界を用いて
いるので、このプラズマ発生源からの発散磁界をそのま
ま利用し、基板ステージに配設した高透磁率材料に磁力
線を吸い込ませる形で終端させることにより、基板ステ
ージ表面に略垂直に磁力線を入射させることが可能とな
る。
【００１６】したがって、かかる構成のプラズマエッチ
ング装置を用いることにより、イオン入射エネルギを高
める手段によらなくても、入射イオン密度を高めること
により、高異方性、高選択比および低ダメージの諸特性
を満たすプラズマエッチング方法が達成される。なお本
発明に類似する装置構成として、基板ステージ下部に磁
気コイルを配し磁力線を基板に誘導する例が、例えば特
開平６−７７１４６号公報に開示されている。この技術
はコイル電流を制御したり、コイルを回転することによ
りプラズマ処理の均一化を意図するものであるが、基板
ステージを直接接地電位とする構成や、負イオンをも利
用する開示はない。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき添付図面
を参照しながら説明する。
【００１８】実施例１ 本実施例はＥＣＲタイプのプラズマ発生源を採用したプ
ラズマエッチング装置につき、図１に示す概略断面図を
参照して説明する。本プラズマエッチング装置のプラズ
マ発生源４は、マグネトロン５から生成する２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を導入する導波管６、導波管６の解放
端に臨み、内壁面をアルマイト処理したＡｌ合金による
ブロックチャンバ８、ブロックチャンバ８上部に設けら
れた石英やアルミナ製のマイクロ波入射窓７、ブロック
チャンバ８を巻回するソレノイドコイル９等から大略構
成される。また本プラズマエッチング装置のプラズマ処
理室１０は、ブロックチャンバ８の解放端に臨み、チャ
ンバベローズにより画成された空間で構成され、内部に
は被エッチング基板１を載置した基板ステージ２が配設
されている。基板ステージ２内には高透磁率材料層３が
基板ステージ２のほぼ全面にわたり配設されている。本
実施例ではこの高透磁率材料層３はパーマロイ合金（Ｎ
ｉ−２２％Ｆｅ）の例えば５ｍｍ厚の薄板により、被エ
ッチング基板１の平面形状より広い領域に及ぶように基
板ステージ２内に埋め込み形成した。パーマロイ合金は
良導電性であるので、高透磁率材料層３を直接接地電位
に落とす。基板ステージ２の最上面は、アルミナ等のセ
ラミクスにより覆われている。図１においては、エッチ
ングガス導入口等の細部は図示を省略する。
【００１９】本プラズマエッチング装置においては、マ
グネトロン５で生成し導波管６、マイクロ波入射窓７を
経由してブロックチャンバ８に入射した２．４５ＧＨｚ
のマイクロ波は、ソレノイドコイル９により形成される
０．０８７５Ｔの磁界との相互作用によりブロックチャ
ンバ８内にプラズマを発生する。ソレノイドコイル９に
より形成される磁界はマイクロ波導入窓７付近で０．１
５Ｔ前後、ブロックチャンバ８内のＥＣＲ面で０．０８
７５Ｔ、そして基板ステージ近傍で０．０１Ｔ程度以上
である。通常のＥＣＲプラズマエッチング装置であれ
ば、基板ステージ２近傍の磁力線は発散するところでる
が、本プラズマエッチング装置では基板ステージ２内に
配設した高透磁率材料層３により、磁力線は基板ステー
ジに略垂直に、しかも被エッチング基板の中心から周縁
まで均一に入射する。
【００２０】本プラズマエッチング装置によれば、基板
ステージ２上の被エッチング基板１表面に略垂直に磁力
線を入射することが可能であり、この磁力線に沿った負
イオンの垂直入射によるプラズマエッチングが可能であ
る。
【００２１】実施例２ 本実施例は実施例１で示したプラズマエッチング装置に
より、極薄のゲート酸化膜上の高融点金属ポリサイド層
をパターニングしてゲート電極を形成するプラズマエッ
チング方法について図３を参照して説明する。
【００２２】本実施例で採用した被エッチング基板１
は、図３（ａ）に示すようにシリコン等の半導体基板２
１上に形成した一例として４ｎｍの厚さの熱酸化膜から
なるゲート酸化膜２２、ＬＰＣＶＤにより形成した不純
物を含む多結晶シリコン層２３同じくＬＰＣＶＤにより
形成したＷＳｉx からなる高融点金属シリサイド層２
４、そして０．２０μｍ幅のレジストパターン２５から
構成されている。この被エッチング基板１を図１に示し
たプラズマエッチング装置の基板ステージ２上に載置
し、一例として下記プラズマエッチング条件により高融
点金属シリサイド層２４および多結晶シリコン層２３を
連続的にパターニングする。 Ｃｌ2 流量 １００ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ マイクロ波パワー ２５００ Ｗ 被エッチング基板温度 常温
【００２３】本プラズマエッチングに用いたＣｌ2 は電
気陰性度が大きいので、プラズマ中には正イオンの他に
負イオンも多量に存在する。通常のプラズマエッチング
装置であれば、基板ステージに基板バイアスを印加する
のでプラズマとの間にシースが形成され、基板ステージ
には負のバイアス電位が発生するので正イオンのみが加
速され被エッチング基板に入射する。しかし本プラズマ
エッチング装置では、基板ステージを接地電位とし、し
かも基板ステージ表面に対し垂直方向に磁力線が形成さ
れていることから、この磁力線に沿って正イオンのみな
らず負イオンも被エッチング基板に入射し、実用的なエ
ッチングレートで低ダメージの異方性加工が達成でき
る。オーバーエッチング終了後の被エッチング基板を図
３（ｂ）に示す。
【００２４】したがって、プラズマエッチング後のレジ
スト剥離と希フッ酸系の後処理を終えた被エッチング基
板は、増速エッチングによる極薄ゲート酸化膜２２の膜
減りを生じることなく、最終的には図３（ｃ）に示すよ
うに良好な形状の高融点金属ポリサイドゲート電極を形
成できた。
【００２５】本プラズマエッチング方法によれば、負イ
オンの入射をも利用したＥＣＲプラズマエッチング装置
の採用により、低ダメージ、高選択比および実用的なエ
ッチングレートをともに満たすゲート電極加工が可能で
ある。
【００２６】実施例３ 本実施例はヘリコン波プラズマ発生源を採用したプラズ
マエッチング装置につき、図２に示す概略断面図を参照
して説明する。本プラズマエッチング装置のプラズマ発
生源４は、ヘリコン波電源１３から生成する１３．５６
ＭＨｚのＲＦ電力が、マッチングボックス１４を経由し
てアルミナ等の誘電体材料からなるべルジャ１６をの外
周に配されたヘリコン波アンテナ１５に供給されること
により発生するヘリコン波（ホイッスラ波）が、ヘリコ
ン波アンテナ１５のさらに外周に配設されたソレノイド
コイルが作る磁界により伝播する装置構成により大略構
成される。また本プラズマエッチング装置のプラズマ処
理室１０は、べルジャ１６の解放端に臨み、内壁をアル
マイト処理したＡｌ合金等からなる拡散チャンバ１８に
より画成された空間で構成され、この拡散チャンバ１８
の側壁外面はさらにマルチポールマグネット１９により
囲繞されている。また拡散チャンバ１８の内部には被エ
ッチング基板１を載置した基板ステージ２が配設されて
いる。基板ステージ２内には高透磁率材料層３が基板ス
テージ２のほぼ全面にわたり配設されている。本実施例
ではこの高透磁率材料層３はセンダスト合金（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ合金）の例えば５ｍｍ厚の薄板により、被エッ
チング基板１の平面形状より広い領域に及ぶように形成
した。センダスト合金は良導電性であるので、高透磁率
材料層３を直接接地電位に落とすことにより被エッチン
グ基板電位を接地電位とすることが可能である。基板ス
テージ２の最上面は、アルミナ等のセラミクスにより覆
われており、高透磁率材料層３が直接露出することはな
い。図１においては、エッチングガス導入口等の細部は
図示を省略する。
【００２７】本プラズマエッチング装置においては、ヘ
リコン波アンテナ１５により発生したヘリコン波プラズ
マは、ソレノイドコイル１７により形成される磁界によ
り伝播されるとともに拡散チャンバ１８に輸送される。
ソレノイドコイル１７により形成される磁界はマイクロ
波導入窓７付近で０．０５Ｔ前後、拡散チャンバ１８内
基板ステージ近傍で０．０１Ｔ程度以上である。通常の
ヘリコン波プズマエッチング装置であれば、基板ステー
ジ２近傍の磁力線は発散するところでるが、本プラズマ
エッチング装置では基板ステージ２内に配設した高透磁
率材料層３により、磁力線は基板ステージに略垂直に、
しかも被エッチング基板の中心から周縁まで均一に入射
する。
【００２８】本プラズマエッチング装置によれば、基板
ステージ２上の被エッチング基板１表面に略垂直に磁力
線を入射することが可能であり、この磁力線に沿った負
イオンの垂直入射をも利用したプラズマエッチングが可
能である。また実施例１のＥＣＲプラズマエッチング装
置に比較すると、ソレノイドコイル１７の発生する磁界
強度を下げることが可能であるとともに、イオン密度が
約１桁大きいプラズマ密度を得ることが可能である。
【００２９】実施例４ 本実施例は実施例３で示したプラズマエッチング装置に
より、極薄のゲート酸化膜上の高融点金属ポリサイド層
をパターニングしてゲート電極を形成するプラズマエッ
チング方法について同じく図３を参照して説明する。
【００３０】本実施例で採用した図３（ａ）に示す被エ
ッチング基板１は、前実施例２で採用したものと同じ構
成であり、重複する説明を省略する。この被エッチング
基板１を図３に示したヘリコン波プラズマエッチング装
置の基板ステージ２上に載置し、一例として下記プラズ
マエッチング条件により高融点金属シリサイド層２４お
よび多結晶シリコン層２３を連続的にパターニングす
る。 Ｂｒ2 流量 １００ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．１３ Ｐａ ヘリコン波電源パワー ２５００ Ｗ 被エッチング基板温度 常温
【００３１】本プラズマエッチングに用いたＢｒ2 は電
気陰性度が大きいので、プラズマ中には正イオンの他に
負イオンも多量に存在する。通常のプラズマエッチング
装置であれば、基板ステージに基板バイアスを印加する
のでプラズマとの間にシースが形成され、基板ステージ
には負のバイアス電位が発生するので正イオンのみが加
速され被エッチング基板に入射する。しかし本プラズマ
エッチング装置では、基板ステージを接地電位とし、し
かも基板ステージ表面に対し垂直方向に磁力線が形成さ
れていることから、この磁力線に沿って正イオンのみな
らず負イオンも被エッチング基板に入射し、実用的なエ
ッチングレートで異方性加工が達成できる。しかも正イ
オンおよび負イオンは、磁界によって入射されるのみで
あり、通常の異方性プラズマエッチングにともなうシー
スにより加速入射するイオン衝撃はほぼ完全に防止でき
るので、ゲート酸化膜２２のダメージ層発生の虞れはな
い。オーバーエッチング終了後の被エッチング基板を図
３（ｂ）に示す。
【００３２】したがって、プラズマエッチング後のレジ
スト剥離と希フッ酸系の後処理を終えた被エッチング基
板は、増速エッチングによる極薄ゲート酸化膜２２の膜
減りを生じることなく、最終的には図３（ｃ）に示すよ
うに良好な形状の高融点金属ポリサイドゲート電極を形
成できた。
【００３３】本プラズマエッチング方法によれば、負イ
オンの入射をも利用したヘリコン波プラズマエッチング
装置の採用により、低ダメージ、高選択比および実用的
なエッチングレートのいずれをも満たす高密度プラズマ
エッチングが可能である。
【００３４】以上、本発明を２例の実施例をもって説明
したが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもので
はない。
【００３５】プラズマ発生源としてＥＣＲプラズマ発生
源とヘリコン波プラズマ発生源を例示したが、これら装
置に限らず少なくとも磁界を利用したプラズマ発生源を
有するプラズマエッチング装置全般に本発明は適用しう
るものである。
【００３６】高透磁率材料層としてパーマロイとセンダ
ストを例示したが、その他軟磁性鋼鉄やＭｎ−Ｚｎフェ
ライト等軟磁性フェライト等を薄板状に形成して使用す
ることができる。
【００３７】被エッチング基板としても、ゲート電極加
工のみならずイオンダメージを低減し、しかも異方性と
エッチングレートの確保を目的とする各種被エッチング
層ののプラズマエッチング方法に適用することが可能で
ある。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のプラズマエッチング装置によれば、従来その利用が困
難であった負イオンをもエッチング種として有効に利用
することができるとともに、正イオン、負イオンともイ
オン衝撃を伴わずに被エッチング基板にほぼ垂直入射さ
せることができる。
【００３９】また本発明のプラズマエッチング方法によ
れば、上述したプラズマエッチング装置の特性により、
被エッチング基板へのイオン入射ダメージを伴わずに実
用的なエッチングレートを確保した上で高異方性、高選
択比プラズマエッチングが可能となる。したがって、今
後一層のデザインルールの微細化が予想されるＭＯＳ型
半導体装置のゲート電極加工をはじめとする高集積度半
導体装置等のプラズマエッチングに好適に応用すること
が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１のプラズマエッチング装置を
示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例３のプラズマエッチング装置を
示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施例２および４のプラズマエッチン
グ方法の工程を示す概略断面図であり、（ａ）はゲート
酸化膜上に高融点金属ポリサイド層およびレジストパタ
ーンを形成した状態、（ｂ）は高融点金属ポリサイド層
のプラズマエッチングを終了した状態、（ｃ）はレジス
トパターンをアッシングした後ウェット処理して高融点
金属ポリサイドからなるゲート電極が完成した状態であ
る。
【符号の説明】
１ 被エッチング基板 ２ 基板ステージ ３ 高透磁率材料層 ４ プラズマ発生源 １０ プラズマ処理室 ２２ ゲート酸化膜 ２３ 多結晶シリコン層 ２４ 高融点金属シリサイド層 ２５ レジストパターン

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも磁界を利用したプラズマ発生
    源と、 前記プラズマ発生源に連接するとともに、前記プラズマ
    発生源に対向して被エッチング基板を載置する基板ステ
    ージを内部に配設したプラズマ処理室とを具備するプラ
    ズマエッチング装置であって、 前記基板ステージを接地電位とするとともに、 前記基板ステージの略全面にわたり、高透磁率材料層を
    配設することを特徴とする、プラズマエッチング装置。
  2. 【請求項２】 プラズマ発生源からの発散磁界による磁
    力線を、高透磁率材料により基板ステージに略垂直に入
    射させることを特徴とする、請求項１記載のプラズマエ
    ッチング装置。
  3. 【請求項３】 プラズマ発生源は、ＥＣＲプラズマ発生
    源であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマエ
    ッチング装置。
  4. 【請求項４】 プラズマ発生源は、ヘリコン波プラズマ
    発生源であることを特徴とする、請求項１記載のプラズ
    マエッチング装置。
  5. 【請求項５】 請求項１記載のプラズマエッチング装置
    を用い、 被エッチング基板上に少なくとも負イオンを入射しつつ
    エッチングすることを特徴とする、プラズマエッチング
    方法。
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