JPH09230307A - Active matrix type liquid crystal display - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display

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JPH09230307A
JPH09230307A JP4016496A JP4016496A JPH09230307A JP H09230307 A JPH09230307 A JP H09230307A JP 4016496 A JP4016496 A JP 4016496A JP 4016496 A JP4016496 A JP 4016496A JP H09230307 A JPH09230307 A JP H09230307A
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JP
Japan
Prior art keywords
pixel electrode
liquid crystal
crystal display
active matrix
display device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4016496A
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Japanese (ja)
Inventor
Michiya Oura
道也 大浦
Masami Oda
雅美 小田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は画像読み取り機能を備えるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関し、画像読み取り時の
耐ノイズ性を向上させることを目的とする。 【解決手段】 フォトダイオード25のカソード側が画
素電極23に接続されてアノード側が1本前のゲート電
極22に接続されたものであって、画素読み出し時に画
素電極23にトランジスタTr を介して書き込みを行わ
せ、所定走査期間後に画素電極23の電位をトランジス
タTr を介して読み出して比較することでフォトダイオ
ード25の光検知状態を識別する構成とする。
The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device having an image reading function, and an object thereof is to improve noise resistance during image reading. A photodiode 25 has a cathode side connected to a pixel electrode 23 and an anode side connected to the previous gate electrode 22, and writing to the pixel electrode 23 via a transistor T r at the time of pixel reading. After the predetermined scanning period, the potential of the pixel electrode 23 is read through the transistor T r and compared to identify the light detection state of the photodiode 25.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画像読み取り機能
を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。近年、アクティブマトリクス型液晶表示装置は薄
型、軽量、低消費電力と高画質表示の特徴を有してお
り、ノート型のパーソナルコンピュータ等に搭載された
ものが普及している。このような液晶表示装置において
は利便性の向上が望まれており、種々の付加機能を備え
た高機能化が要望されている。その一つとして、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に画像読み取り機能を備
えたものがあり、読み取り品質の向上が要求されてい
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device having an image reading function. 2. Description of the Related Art In recent years, active matrix type liquid crystal display devices have characteristics of thinness, light weight, low power consumption and high image quality display, and those mounted on notebook type personal computers and the like have become widespread. In such a liquid crystal display device, improvement in convenience is desired, and high functionality with various additional functions is desired. As one of them, there is an active matrix type liquid crystal display device having an image reading function, and improvement of reading quality is required.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えばパーソナルコンピュータ上
で文章を作成している場合に、図表等の画像を取り込も
うとすると、外部にスキャナ装置を接続し、該スキャナ
装置で図表等を読み込んで行っていた。しかし、装置が
大掛りになることから、液晶表示装置の液晶パネルに画
像読み取り(スキャナ)機能を備えたものとして、特開
平5−281516号公報、特開平6−22250号公
報、特開平6−186585号公報等に記載されている
ものが知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, when an image such as a chart or the like is to be captured when a sentence is created on a personal computer, for example, a scanner device is externally connected and the chart or the like is read by the scanner device. . However, since the size of the device becomes large, it is considered that the liquid crystal panel of the liquid crystal display device has an image reading (scanner) function, as disclosed in JP-A-5-281516, JP-A-6-22250, and JP-A-6-25016. What is described in Japanese Patent No. 186585 is known.

【0003】ここで、図8に、従来の画像読み取り液晶
表示装置の要部回路構成図を示す。図8は、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置における液晶パネルの一画素
のみを示したもので、データバスライン11とスキャン
バスライン12が格子状に配列されて、一つの枠内が一
画素となる。データバスライン11にはトランジスタT
r1のドレイン(又はソース)が接続され、スキャンバス
ライン12にはトランジスタTr1のゲートが接続され
る。そして、トランジスタTr1のソース(又はドレイ
ン)は画素電極13に接続される。この画素電極13と
図示されない対向電極間に液晶が挟持される。
Here, FIG. 8 shows a circuit configuration diagram of a main part of a conventional image reading liquid crystal display device. FIG. 8 shows only one pixel of the liquid crystal panel in the active matrix type liquid crystal display device, and the data bus line 11 and the scan bus line 12 are arranged in a grid pattern so that one frame is one pixel. The data bus line 11 has a transistor T
The drain (or source) of r1 is connected, and the scan bus line 12 is connected to the gate of the transistor T r1 . The source (or drain) of the transistor T r1 is connected to the pixel electrode 13. Liquid crystal is sandwiched between the pixel electrode 13 and a counter electrode (not shown).

【0004】また、データバスライン11にはトランジ
スタTr2のドレイン(又はソース)が接続され、スキャ
ンバスライン12にはトランジスタTr2のゲートが接続
される。このトランジスタTr2のソース(又はドレイ
ン)はフォトダイオード14のカソードに接続され、フ
ォトダイオード14のアノードはコモン電極(又は補助
電極)15に接続されたものである。
The data bus line 11 is connected to the drain (or source) of the transistor T r2 , and the scan bus line 12 is connected to the gate of the transistor T r2 . The source (or drain) of the transistor T r2 is connected to the cathode of the photodiode 14, and the anode of the photodiode 14 is connected to the common electrode (or auxiliary electrode) 15.

【0005】上記トランジスタTr1は画素電極13をド
ライブして液晶表示を行わせるためのもので、上記トラ
ンジスタTr2は画像読み取りのためのフォトダイオード
14をドライブするためのものである。このような画素
がマトリクス状に配列されて画像読取り機能を備えた液
晶パネルが構成されるものである。
The transistor T r1 is for driving the pixel electrode 13 for liquid crystal display, and the transistor T r2 is for driving the photodiode 14 for reading an image. A liquid crystal panel having an image reading function is constructed by arranging such pixels in a matrix.

【0006】そこで、画像読み取り時は、原稿によって
各画素のフォトダイオード14が光検知することで光電
流が流れることにより、該光電流をトランジスタTr2
り外部に取り出して画像読み取りを行う。この場合、各
フォトダイオードの光電流は、画像読み取り時にリアル
タイムで外部に取り出されるものである。
Therefore, at the time of image reading, a photocurrent flows due to the photodetection of the photodiode 14 of each pixel according to the document, and the photocurrent is taken out from the transistor T r2 to read the image. In this case, the photocurrent of each photodiode is taken out to the outside in real time during image reading.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
フォトダイオード14をトランジスタTr2でドライブし
てリアルタイムで光電流を外部に取り出すことは、該フ
ォトダイオード14の光電流が10-9〜10-10 Aであ
ることから、SN比が低く外部ノイズの影響を受け易い
という問題がある。
However, as described above, when the photodiode 14 is driven by the transistor Tr2 to take out the photocurrent to the outside in real time, the photocurrent of the photodiode 14 is 10 -9 -10. Since it is -10 A, there is a problem that the SN ratio is low and it is easily affected by external noise.

【0008】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので画像読み取り時の耐ノイズ性の向上を図るアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的と
する。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an active matrix type liquid crystal display device capable of improving noise resistance during image reading.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1では、所定数のスキャンバスライン及びデ
ータバスラインが格子状に配置されて、囲まれた部分に
液晶を挟持する画素電極及び対向電極がマトリクス状に
配列されたものであって、該スキャンバスライン及びデ
ータバスラインからの信号により該画素電極をドライブ
する駆動手段を備えるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、一端が前記画素電極に接続され、他端が
定電圧部分に接続されて光検知を行う光検知手段を備
え、画像読み出し時に、前記駆動手段より該画素電極に
書き込みを行わせ、所定走査期間後に該画素電極の電位
で該光検知手段の光検知を識別する制御手段を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置が構成される。
In order to solve the above-mentioned problems, according to a first aspect of the present invention, a pixel in which a predetermined number of scan bus lines and data bus lines are arranged in a grid pattern and a liquid crystal is sandwiched in a surrounded portion. In an active matrix type liquid crystal display device, in which electrodes and counter electrodes are arranged in a matrix, and driving means for driving the pixel electrodes in response to signals from the scan bus lines and data bus lines, one end of the pixel A light detection unit that is connected to an electrode and has the other end connected to a constant voltage portion to detect light is provided. When the image is read, the driving unit causes the pixel electrode to write, and after a predetermined scanning period, the pixel electrode An active matrix type liquid crystal display device having a control means for discriminating the light detection of the light detection means by a potential is constructed.

【0010】請求項2では、請求項1記載の光検知手段
は、一端のカソード側が前記画素電極に接続され、他端
のアノード側が該当の前記スキャンバスラインの1本前
のスキャンバスラインに接続されてなる。請求項3で
は、請求項1の光検知手段は、一端のカソード側が前記
画素電極に接続され、他端のアノード側が該画素電極の
電位より低い電位の補助電極に接続されてなる。
According to a second aspect of the present invention, in the light detecting means according to the first aspect, one end of the cathode side is connected to the pixel electrode, and the other end of the anode side is connected to the scan bus line immediately before the corresponding scan bus line. It will be done. According to a third aspect of the present invention, in the light detecting means of the first aspect, one end has a cathode side connected to the pixel electrode, and the other end has an anode side connected to an auxiliary electrode having a potential lower than that of the pixel electrode.

【0011】請求項4では、請求項1記載の光検知手段
は、一端のアノード側が前記画素電極に接続され、他端
のカソード側が該画素電極より高い電位の補助電極に接
続されてなる。請求項5では、請求項1記載の駆動手段
は、前記画素電極に対する書き込み及び読み出しの双方
向機能を有してなる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the light detecting means according to the first aspect, one end has an anode side connected to the pixel electrode and the other end has a cathode side connected to an auxiliary electrode having a higher potential than the pixel electrode. According to a fifth aspect, the drive means according to the first aspect has a bidirectional function of writing and reading with respect to the pixel electrode.

【0012】請求項6では、請求項1記載の制御手段
は、前記画素電極への書き込み時にデータ電圧を供給す
るデータ供給手段と、読み出し時に該画素電極の電位を
読み込んで比較する判別手段と、データ供給手段と判別
手段とを切り替える切替手段と、を有してなる。
According to a sixth aspect of the present invention, the control means according to the first aspect comprises a data supply means for supplying a data voltage at the time of writing to the pixel electrode, and a determination means for reading and comparing the potential of the pixel electrode at the time of reading. And a switching unit that switches between the data supply unit and the determination unit.

【0013】請求項7では、請求項1又は6記載の制御
手段は、前記画素電極の読み出しを、前記書き込みより
所定フレーム数の走査期間後に行わせてなる。請求項8
では、請求項1,6又は7の何れか一項において、前記
液晶による表示の際に光照射手段が備えられ、画像読み
取りにおける前記画素電極への書き込み時に、該光照射
手段による輝度を増加させてなる。
In a seventh aspect, the control means according to the first or sixth aspect causes the reading of the pixel electrode to be performed after a scanning period of a predetermined number of frames after the writing. Claim 8
Then, in any one of claims 1, 6 and 7, a light irradiation means is provided at the time of displaying by the liquid crystal, and the brightness by the light irradiation means is increased at the time of writing to the pixel electrode during image reading. It becomes.

【0014】上述のように請求項1,2,3,4,6又
は7の発明では、光検知手段が一端が画素電極に接続さ
れて他端が非光検知時に画素電極と逆バイアス状態とな
る状態で定電圧部分に接続されたものであって、制御手
段が画像読み出し時に画素電極にデータ供給手段で書き
込みを行わせることで光検知手段の光検知状態で画素電
極の電位が変化され、例えば所定フレーム数の走査期間
後に切替手段で切り替えて画素電極の電位を読み出して
光検知手段の光検知を判別手段で識別する。これによ
り、画素電極の電位の読み出しが所定期間後であること
から光検知手段による光検知に外部からのノイズの影響
が回避され、耐ノイズ性を向上させることが可能とな
る。
As described above, in the invention of claim 1, 2, 3, 4, 6 or 7, one end of the light detecting means is connected to the pixel electrode and the other end is in a reverse bias state with the pixel electrode when no light is detected. In this state, the potential of the pixel electrode is changed in the light detection state of the light detection unit by the control unit causing the data supply unit to write to the pixel electrode during image reading, For example, after a scanning period of a predetermined number of frames, the switching unit switches the pixel electrode to read the potential of the pixel electrode, and the light detection of the light detection unit is identified by the determination unit. As a result, since the potential of the pixel electrode is read out after a predetermined period, the influence of external noise on the light detection by the light detection unit is avoided, and the noise resistance can be improved.

【0015】請求項5の発明では、駆動手段に双方向機
能をもたせる。これにより、画素電極への書き込み、読
み出しを単一で行わせることが可能となる。請求項8の
発明では、液晶表示のときに光照射を行う光照射手段が
備えられ、画像読み取りの画素電極の書き込み時に該光
照射手段による輝度増加を行わせる。これにより、耐ノ
イズ性をより向上させることが可能となる。
According to the invention of claim 5, the driving means is provided with a bidirectional function. As a result, it becomes possible to write and read to the pixel electrode singly. According to the invention of claim 8, a light irradiating means for irradiating light at the time of liquid crystal display is provided, and the brightness is increased by the light irradiating means at the time of writing the pixel electrode for image reading. This makes it possible to further improve noise resistance.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1に、本発明の一実施例の要部
回路構成図を示す。図1は、本発明によるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置における液晶パネルの一画素の
みを示したもので、データバスラインとしてドレイン電
極(又はソース電極でもよい)21と、スキャンバスラ
インとしてゲート電極22とが格子状に直交して配置さ
れる。これらに囲まれた部分が図1に示すように一画素
となって画素電極23(図2で説明する)及びこれと液
晶を挟持して対向電極24が配置される。この画素電極
23と対向電極24との間が液晶容量となる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a circuit configuration diagram of a main part of an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows only one pixel of a liquid crystal panel in an active matrix liquid crystal display device according to the present invention. A drain electrode (or a source electrode may be used) 21 as a data bus line and a gate electrode 22 as a scan bus line. Are arranged orthogonally in a grid pattern. The portion surrounded by these becomes one pixel as shown in FIG. 1, and the pixel electrode 23 (described in FIG. 2) and the counter electrode 24 are arranged so as to sandwich the liquid crystal therebetween. A liquid crystal capacitance is provided between the pixel electrode 23 and the counter electrode 24.

【0017】一方、ゲート電極(ゲート(n))22に
は駆動手段であるTFT(Thin Film Transistor) によ
る例えばn型のトランジスタTr のゲートが接続され、
該トランジスタTr のドレイン(又はソースでもよい)
がドレイン電極21に接続される。また、トランジスタ
r のソース(又はドレイン)が上記画素電極23に接
続される。
Meanwhile, the gate electrode (gate (n)) 22 is the gate of the transistor T r, for example, n-type by TFT (Thin Film Transistor) as a driving means is connected,
The drain (or source) of the transistor T r
Is connected to the drain electrode 21. The source of the transistor T r (or drain) is connected to the pixel electrode 23.

【0018】さらに、画素電極23には光検知手段であ
るフォトダイオード25の一端のカソードが接続され
る。そして、フォトダイオード25の他端のアノードが
1本前のゲート電極(ゲート(n−1))22に接続さ
れる。このように構成された一画素分がドレイン電極2
1とゲート電極22で囲まれた部分に配列されたアクテ
ィブマトリクス型を形成するものである。
Further, the cathode at one end of a photodiode 25 which is a light detecting means is connected to the pixel electrode 23. Then, the anode at the other end of the photodiode 25 is connected to the gate electrode (gate (n-1)) 22 one before. One pixel configured in this way is the drain electrode 2
1 to form an active matrix type arrayed in a portion surrounded by 1 and the gate electrode 22.

【0019】ここで、図2に、図1の内部構成図を示
す。図2(A)は液晶パネルにおける図1に対応する部
分を示しており、図2(B)はフォトダイオード25部
分の断面図(A−A断面図)、図2(C)はトランジス
タTr 部分の断面図(B−B断面図)を示している。図
2(A)に示すように、ドレイン電極21とゲート電極
22が交差して囲まれている部分に画素電極23が配置
され、この画素電極23とドレイン電極21及びゲート
電極22との間で図1に示すようなトランジスタTr
フォトダイオード25が形成される。
Here, FIG. 2 shows an internal configuration diagram of FIG. 2A shows a portion of the liquid crystal panel corresponding to FIG. 1, FIG. 2B shows a sectional view of the photodiode 25 portion (AA sectional view), and FIG. 2C shows a transistor Tr. The sectional view (BB sectional drawing) of a part is shown. As shown in FIG. 2A, a pixel electrode 23 is arranged in a portion where the drain electrode 21 and the gate electrode 22 are intersected and surrounded, and the pixel electrode 23 is disposed between the pixel electrode 23 and the drain electrode 21 and the gate electrode 22. A transistor T r and a photodiode 25 as shown in FIG. 1 are formed.

【0020】フォトダイオード25は、図2(B)に示
すように、ガラス基板31上にアノード電極となるTi
(チタン)層32が形成され、該Ti 層32に一部接触
状態で非晶質シリコンであるアモルファスシリコン層3
3が形成される。上記Ti 層32はゲート電極22と一
体に形成される。また、アモルファスシリコン層33の
一部分上にn+ アモルファスシリコン層34が形成さ
れ、このn+ アモルファスシリコン層34上にかけて該
ガラス基板31上に透明なITO(インジウムすず酸化
物)の画素電極23が形成される。
As shown in FIG. 2 (B), the photodiode 25 has a glass substrate 31 on which T i is formed as an anode electrode.
(Titanium) layer 32 is formed, the amorphous silicon layer 3 is amorphous silicon in some contact with the said T i layer 32
3 is formed. The T i layer 32 is formed integrally with the gate electrode 22. Further, an n + amorphous silicon layer 34 is formed on a part of the amorphous silicon layer 33, and a transparent ITO (indium tin oxide) pixel electrode 23 is formed on the glass substrate 31 over the n + amorphous silicon layer 34. To be done.

【0021】なお、画素電極23の上方にはガラス基板
35上に形成された透明なITOの対向電極24が配置
されて、該画素電極23との間で液晶36が挟持され
る。また、トランジスタTr は、図2(C)に示すよう
に、ガラス基板31上にゲート電極22と一体のゲート
電極層37が形成され、このゲート電極層37上に絶縁
層38が形成される。絶縁層38上にアモルファスシリ
コン層39が形成され、該アモルファスシリコン層39
上に分割されたn+ アモルファスシリコン層40a ,4
b が形成される。そして、n+ アモルファスシリコン
層40a ,40b 上にそれぞれドレイン層41a とソー
ス層41b が形成される。ドレイン層41a はドレイン
電極21と一体に形成され、ソース層41b 上にITO
の画素電極23が形成される。
A transparent ITO counter electrode 24 formed on a glass substrate 35 is arranged above the pixel electrode 23, and a liquid crystal 36 is sandwiched between the pixel electrode 23 and the counter electrode 24. The transistor T r, as shown in FIG. 2 (C), the gate electrode layer 37 integral with the gate electrode 22 on the glass substrate 31 is formed, the insulating layer 38 is formed on the gate electrode layer 37 . An amorphous silicon layer 39 is formed on the insulating layer 38, and the amorphous silicon layer 39 is formed.
N + amorphous silicon layer 40 a , 4 divided above
0 b is formed. Then, the drain layer 41 a and the source layer 41 b are formed on the n + amorphous silicon layers 40 a and 40 b , respectively. The drain layer 41 a is formed integrally with the drain electrode 21, and the ITO is formed on the source layer 41 b.
The pixel electrode 23 of is formed.

【0022】なお、画素電極23の上方にはガラス基板
35上に形成されたITOの対向電極24が配置され
て、該画素電極23との間で液晶36が挟持される。上
記図2(A)〜(C)がガラス基板31上にマトリクス
状に形成されて液晶パネル42が構成されるものであ
る。
An ITO counter electrode 24 formed on a glass substrate 35 is disposed above the pixel electrode 23, and a liquid crystal 36 is sandwiched between the pixel electrode 23 and the counter electrode 24. 2A to 2C are formed in a matrix on the glass substrate 31 to form the liquid crystal panel 42.

【0023】このように、上記フォトダイオード25の
i 層32をゲート電極22の材料をそのまま用い、ま
たアモルファスシリコン層33及びn+ アモルファスシ
リコン層34をトランジスタTr の形成時に同時に形成
することができ、製造工程の削減、低コスト化を図るこ
とができるものである。
As described above, the T i layer 32 of the photodiode 25 can be formed by using the material of the gate electrode 22 as it is, and the amorphous silicon layer 33 and the n + amorphous silicon layer 34 can be formed at the same time when the transistor T r is formed. Therefore, the manufacturing process can be reduced and the cost can be reduced.

【0024】続いて、図3に、図1のフォトダイオード
の動作原理の説明図を示す。図3(A)に示すように、
上記フォトダイオード25は、コンデンサ25a と電流
源25b (カソード側より電流が流れる)の並列回路で
等価的に表わされる。この場合、電流源25b には光電
流Ip と暗電流(光照射がされなくても流れる電流)I
d が加算した電流(Ip +Id )がカソード側からアノ
ード側に流れる。例えば、10μm□に数千lx の光が
照射されたときは光電流が〜10-10 A流れるもので、
この場合の暗電流Id は10-12 Aである。すなわち、
フォトダイオード25に光照射がされていなければカソ
ード側からアノード側に暗電流Id が流れており、所定
光量の光照射があればカソード側からアノード側にIp
+Id の電流が流れる。
Next, FIG. 3 shows an explanatory diagram of the operating principle of the photodiode of FIG. As shown in FIG.
The photodiode 25 is equivalently represented by a parallel circuit of a capacitor 25a and a current source 25b (current flows from the cathode side). In this case, the current source 25 b has a photocurrent I p and a dark current (current that flows even without light irradiation) I.
The current (I p + I d ) added by d flows from the cathode side to the anode side. For example, when 10 μm □ is irradiated with light of several thousand l x , photocurrent flows to 10 −10 A,
The dark current I d in this case is 10 −12 A. That is,
If the photodiode 25 is not irradiated with light, the dark current I d is flowing from the cathode side to the anode side, and if the predetermined amount of light is irradiated, the cathode side to the anode side I p.
A current of + I d flows.

【0025】従って、原稿の画像を読み取る場合に、原
稿の内容によって光照射されるフォトダイオード25
と、光照射されないフォトダイオード25が発生する。
この場合、画素電極23にトランジスタTr によりドラ
イブされて所定の電位のときに、当該画素電極23のフ
ォトダイオード25に光照射されていないときは(原稿
に記載された画像で光が非透過状態)、該画素電極23
の電位は概略維持される(暗電流は無視するものとす
る)。一方、当該フォトダイオード25に光照射された
ときには(原稿に何も記載されていない部分に相当する
透過状態)、当該フォトダイオード25には光電流Ip
(実際にはIp +Id )が流れて画素電極23の電位が
低下する。
Therefore, when the image of the original is read, the photodiode 25 is illuminated by the contents of the original.
Then, the photodiode 25 which is not irradiated with light is generated.
In this case, when the pixel electrode 23 is driven by the transistor T r of a predetermined potential, photo when not irradiated with light to the diode 25 (nontransparent state light image described in the document of the pixel electrode 23 ), The pixel electrode 23
The potential of is roughly maintained (dark current shall be ignored). On the other hand, when the photodiode 25 is irradiated with light (transmission state corresponding to a portion where nothing is written on the document), the photodiode 25 receives a photocurrent I p.
(Actually, I p + I d ) flows and the potential of the pixel electrode 23 decreases.

【0026】すなわち、図3(B)に示すように、画素
電極23がトランジスタTr の書き込みによる電位が1
0〔V〕とすると、フォトダイオード25に光照射され
ている時間の経過と共に、該画素電極23の電位が低下
していく。そこで、フォトダイオード25に光照射され
てから所定時間後における画素電極23の電位を比較す
れば外部ノイズの影響を受けずにフォトダイオード25
が光検知したか否かを識別することができる。例えばフ
ォトダイオード25に光照射を開示してから一定走査期
間としての一フレーム分t1 (16.7ms)の期間経
過後の電位差V d が所定値以上のときにフォトダイオー
ド25が原稿透過による光検知したものと識別するもの
である。
That is, as shown in FIG.
Electrode 23 is transistor TrThe potential due to writing is 1
At 0 [V], the photodiode 25 is illuminated with light.
The potential of the pixel electrode 23 decreases with the passage of time
I will do it. Then, the photodiode 25 is irradiated with light.
After a predetermined time, the electric potentials of the pixel electrodes 23 are compared.
Then, the photodiode 25 is not affected by external noise.
It is possible to identify whether or not the light is detected. For example,
After the light irradiation is disclosed in the photodiode 25,
One frame interval t1(16.7 ms) period
Potential difference after passing V dIs above the specified value, the photodio
That is distinguished from that detected by the light transmitted by the document 25
It is.

【0027】そこで、図4に、本発明の原稿読み取りの
概念図を示す。本発明による画像読み取り機能を備える
アクティブマトリクス型液晶表示51は、上記液晶パネ
ル42の下方に光照射手段であるバックライト53が配
置され、該バックライト52と液晶パネル42間に半透
明の原稿53がセットされることで、該原稿の黒白画面
(又はカラー画面)に応じた光が液晶パネル42のフォ
トダイオード25に当てられるようにしたものである。
Therefore, FIG. 4 shows a conceptual diagram of document reading according to the present invention. In an active matrix type liquid crystal display 51 having an image reading function according to the present invention, a backlight 53 as a light irradiating means is arranged below the liquid crystal panel 42, and a semitransparent original 53 is provided between the backlight 52 and the liquid crystal panel 42. Is set so that the light corresponding to the black-and-white screen (or color screen) of the document is applied to the photodiode 25 of the liquid crystal panel 42.

【0028】続いて、図5に、原稿読み取り時の画素電
極への書き込みの構成図を示す。図5(A)は、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置51の画像読み取り機能
を実現するブロック図を示しており、シリアルの書き込
みデータがシリアルパラレル変換部61に入力されてパ
ラレルに変換され、ラッチ62に送られる。ラッチ62
は各データバスライン(各ドレイン電極)21ごとの出
力を、対応する切替手段であるスイッチ群の各アナログ
スイッチ63の書込端子に送出する。この各アナログス
イッチ63のコモン端子は液晶表示パネル(LCD)4
2の各データバスライン(各ドレイン電極)21に接続
されており、書き込みデータ又は読み出しデータが表わ
れる。
Next, FIG. 5 shows a configuration diagram of writing to the pixel electrodes when reading an original. FIG. 5A is a block diagram for realizing the image reading function of the active matrix liquid crystal display device 51. Serial write data is input to the serial / parallel conversion unit 61 and converted into parallel data. Sent. Latch 62
Sends the output for each data bus line (drain electrode) 21 to the write terminal of each analog switch 63 of the switch group corresponding to the corresponding switching means. The common terminal of each analog switch 63 is a liquid crystal display panel (LCD) 4
2 is connected to each data bus line (each drain electrode) 21 and shows write data or read data.

【0029】また、各アナログスイッチ63の読出端子
に読み出しデータが表われるとラッチ64で一担ラッチ
されてコンパレータ65でフォトダイオード25が光検
知したか否かを識別し、インタフェース66でパラレル
シリアン変換してホスト装置としての例えばパソコン
(パーソナルコンピュータ)に出力するものである。
When read data appears at the read terminal of each analog switch 63, the latch 64 holds the read data, the comparator 65 determines whether the photodiode 25 detects light, and the interface 66 performs parallel-Syrian conversion. Then, the data is output to, for example, a personal computer as a host device.

【0030】上記シリアルパラレル変換部61、ラッチ
62によりデータ供給手段が構成され、ラッチ64及び
コンパレータ65により判別手段が構成されると共に、
これらと各アナログスイッチ63とにより制御手段が構
成される。なお、各アナログスイッチ63は、インタフ
ェース66を介して入力されるパソコンからの制御信号
により切り替えられるものである。
The serial / parallel converter 61 and the latch 62 constitute a data supply means, and the latch 64 and the comparator 65 constitute a discrimination means.
These and each analog switch 63 constitute a control means. Each analog switch 63 is switched by a control signal from the personal computer input through the interface 66.

【0031】そこで、図5(A)において、原稿読み取
り時において、各画素電極23に書き込みを行うもの
で、各アナログスイッチ63は書込端子側に制御され
る。入力されるシリアルの書き込みデータはシリアルパ
ラレル変換部61によりパラレル変換されて一担ラッチ
62にラッチされ、各アナログスイッチ63を介して液
晶パネル42の各データバスライン(ドレイン電極)2
1に供給される。そして、スキャンバスライン(ゲート
電極)22を一ラインごとにスキャンすることにより各
画素電極23には、全面に図3(B)に示すような例え
ば10Vのデータ電位が与えられる。
Therefore, in FIG. 5A, writing is performed in each pixel electrode 23 at the time of reading an original, and each analog switch 63 is controlled to the writing terminal side. The serial write data that is input is converted to parallel by the serial-parallel converter 61 and latched by the latch 62, and each data bus line (drain electrode) 2 of the liquid crystal panel 42 is passed through each analog switch 63.
1 is supplied. Then, by scanning the scan bus line (gate electrode) 22 line by line, a data potential of, for example, 10 V as shown in FIG. 3B is applied to the entire surface of each pixel electrode 23.

【0032】例えば、スキャンバスライン(ゲート電
極)22が480本で構成されている場合に、各ライン
ごとのスキャンタイミングが図5(B)に示され、全ラ
インのスキャンで1フレームが構成される。このとき、
原稿がセットされており、液晶パネル23の各フォトダ
イオードは原稿の記載画像に応じたバックライトからの
透過光を受光する。従って、図3(A),(B)で説明
したように、フォトダイオード25が受光したときには
光電流Ip が上記1フレーム(数フレームでもよい)の
期間流れて該当の画素電極23の電位を減少させる。ま
た、フォトダイオード25が受光しない場合には、光電
流が流れず該当の画素電極23の電位はほぼ維持され
る。
For example, when the scan bus lines (gate electrodes) 22 are composed of 480 lines, the scan timing for each line is shown in FIG. 5B, and the scanning of all lines constitutes one frame. It At this time,
A document is set, and each photodiode of the liquid crystal panel 23 receives the transmitted light from the backlight corresponding to the image described on the document. Therefore, as described with reference to FIGS. 3A and 3B, when the photodiode 25 receives light, the photocurrent I p flows for the period of one frame (may be several frames) and the potential of the corresponding pixel electrode 23 is changed. Reduce. When the photodiode 25 does not receive light, no photocurrent flows and the potential of the corresponding pixel electrode 23 is almost maintained.

【0033】そこで、図6に、原稿読み取り時の画素電
位の読み出しの構成図を示す。図6において、画素電位
の読み出し時にはアナログスイッチ63は読出端子側に
制御される。そこで、液晶パネル42におけるスキャン
バスライン(ゲート電極)22を順次スキャンすること
で、各ラインの各画素電極23のデータ電位が各データ
バスライン(ドレイン電位)21より読み出され、ラッ
チ64で一担ラッチされて各ラインごとにコンパレータ
65に送られる。
Therefore, FIG. 6 shows a configuration diagram of reading the pixel potential at the time of reading the original. In FIG. 6, the analog switch 63 is controlled to the read terminal side when reading the pixel potential. Therefore, by sequentially scanning the scan bus line (gate electrode) 22 in the liquid crystal panel 42, the data potential of each pixel electrode 23 of each line is read out from each data bus line (drain potential) 21, and is latched by the latch 64. The data is latched and sent to the comparator 65 for each line.

【0034】コンパレータ65は、ラッチ64から各ラ
インごとの各データバスライン(ドレイン電極)21か
ら送られてくる各画素電極23ごとのデータ電圧と書き
込み時のデータ電圧とをそれぞれ比較し、その差が所定
値を越えたときに、該当の画素電極23に対応するフォ
トダイオード25が受光したものと識別する。
The comparator 65 compares the data voltage for each pixel electrode 23 sent from the data bus line (drain electrode) 21 for each line from the latch 64 with the data voltage for writing, and the difference between them. When exceeds a predetermined value, it is discriminated that the photodiode 25 corresponding to the corresponding pixel electrode 23 has received light.

【0035】これらのフォトダイオード25の受光状態
の識別信号が画像読み出しデータとしてインタフェース
66を介してパソコンに供給されるもので、総てのスキ
ャンバスライン(ゲート電極)22の走査が終了した時
点でセットされた原稿の画像読み出しが完了するもので
ある。
The identification signals of the light receiving state of these photodiodes 25 are supplied as image reading data to the personal computer through the interface 66, and when the scanning of all the scan bus lines (gate electrodes) 22 is completed. The image reading of the set original is completed.

【0036】このように、各画素電極23からのデータ
電圧の読み出し時にはフォトダイオード25で1フレー
ム分の十分な画素電位が確定されることから、外部ノイ
ズの影響が回避されて耐ノイズ性の向上が図られるもの
である。ところで、液晶パネル42による通常表示時で
は、バックライト52の光によるフォトダイオード25
の受光によって画素電位の減少はあるが、バックライト
からの光が一様であることから、各画素電位の減少も一
様となり、データ電圧に補正値を一括に与えることで容
易に補正することができるものである。
As described above, when the data voltage is read from each pixel electrode 23, the photodiode 25 determines a sufficient pixel potential for one frame, so that the influence of external noise is avoided and the noise resistance is improved. Is achieved. By the way, during the normal display by the liquid crystal panel 42, the photodiode 25 by the light of the backlight 52 is used.
Although the pixel potential decreases due to the reception of light, since the light from the backlight is uniform, the decrease in each pixel potential is also uniform, and it is possible to easily correct it by giving a correction value to the data voltage all at once. Is something that can be done.

【0037】なお、画像読み取り時にバックライト52
の輝度を増加させることにより、フォトダイオード25
の受光による光電流が増加し、画素電極23の電位の減
少も多くなることから、より耐ノイズ性を向上させるこ
とができるものである。次に、図7に、本発明の他の実
施例の要部回路構成図を示す。図7(A)は、図1に示
すフォトダイオード25のアノード側を1本前のゲート
電極(n−1)22ではなく、補助電極26に接続した
構成であり、他の構成は図1と同様である。この場合、
補助電極26の電位を画素電極23の電位より低く設定
したもので、定電圧をフォトダイオード25に供給す
る。
The backlight 52 is used during image reading.
By increasing the brightness of the photodiode 25
Since the photocurrent due to the reception of light and the decrease in the potential of the pixel electrode 23 increase, the noise resistance can be further improved. Next, FIG. 7 shows a circuit configuration diagram of a main part of another embodiment of the present invention. FIG. 7A shows a structure in which the anode side of the photodiode 25 shown in FIG. 1 is connected to the auxiliary electrode 26 instead of the gate electrode (n-1) 22 immediately before, and other structures are the same as those shown in FIG. It is the same. in this case,
The potential of the auxiliary electrode 26 is set lower than the potential of the pixel electrode 23, and a constant voltage is supplied to the photodiode 25.

【0038】すなわち、所定フレーム数の走査期間にお
けるフォトダイオード25が受光した場合には、データ
電圧が書き込まれた画素電極23より逆バイアスして光
電流Ip を流すことにより当該画素電極23の電位が減
少させるもので、データ電圧の書き込み、読み出しは図
1の場合と同様であり、同様の効果を奏するものであ
る。
That is, when the photodiode 25 receives light in a scanning period of a predetermined number of frames, the potential of the pixel electrode 23 is reversely biased by causing the photocurrent I p to flow from the pixel electrode 23 in which the data voltage is written. The writing and reading of the data voltage are the same as in the case of FIG. 1 and have the same effect.

【0039】また、図7(B)は、図7(A)のフォト
ダイオード25のアノード側とカソード側の接続を逆
に、かつ補助電極26の電位を画素電極23の電位より
高く設定したもので、他の構成は図7(A)と同様であ
る。すなわち、フォトダイオード25のアノードが画素
電極23に接続され、カソードが補助電極26に接続さ
れる。
In FIG. 7B, the connection between the anode side and the cathode side of the photodiode 25 in FIG. 7A is reversed, and the potential of the auxiliary electrode 26 is set higher than that of the pixel electrode 23. The other structure is similar to that of FIG. That is, the anode of the photodiode 25 is connected to the pixel electrode 23, and the cathode is connected to the auxiliary electrode 26.

【0040】この場合、フォトダイオード25が原稿に
応じた受光によりデータ電圧が書き込まれた画素電極2
3に光電流を流して、該画素電極23の電位を増加させ
る。従って、当該画素電極23において、書き込まれた
データ電圧と、所定フレーム数の走査期間におけるフォ
トダイオード25の受光により増加した電位とを比較し
て、所定値を越えたときにフォトダイオード25の受光
状態を識別することができるもので、動作原理は図1及
び図7(A)と同様であり、同様の効果を奏するもので
ある。
In this case, the pixel electrode 2 in which the data voltage is written by the photodiode 25 receiving light according to the original document.
A photocurrent is passed through 3 to increase the potential of the pixel electrode 23. Therefore, in the pixel electrode 23, the written data voltage is compared with the potential increased by the light reception of the photodiode 25 in the scanning period of the predetermined number of frames, and when the predetermined value is exceeded, the light reception state of the photodiode 25 is compared. Can be identified, and the operation principle is the same as that in FIGS. 1 and 7A, and has the same effect.

【0041】なお、上記実施例では、トランジスタTr
をn型の場合として示したが、多結晶シリコンでP型の
トランジスタで構成してもよい。この場合、画素電極2
3への書き込みは上述と同様であるが、スキャン側(ゲ
ート電極)22の電位の高低が反転することから、フォ
トダイオード25のアノード側を画素電極23に接続
し、カソード側を1本前のゲート電極(n−1)22又
は画素電極23の電位より高い電位の補助電極26に接
続すればよい。
In the above embodiment, the transistor T r is used.
Although it is shown as an n-type transistor, a P-type transistor made of polycrystalline silicon may be used. In this case, the pixel electrode 2
Writing to 3 is similar to the above, but since the potential of the scan side (gate electrode) 22 is inverted, the anode side of the photodiode 25 is connected to the pixel electrode 23 and the cathode side of the previous one is connected. It may be connected to the auxiliary electrode 26 having a potential higher than that of the gate electrode (n-1) 22 or the pixel electrode 23.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように請求項1,2,3,4,6
又は7の発明によれば、光検知手段が一端が画素電極に
接続されて他端が非光検知時に画素電極と逆バイアス状
態となる状態で定電圧部分に接続されたものであって、
制御手段が画像読み出し時に画素電極にデータ供給手段
で書き込みを行わせることで光検知手段の光検知状態で
画素電極の電位が変化され、例えば所定フレーム数の走
査期間後に切替手段で切り替えて画素電極の電位を読み
出して光検知手段の光検知を判別手段で識別することに
より、画素電極の電位の読み出しが所定期間後であるこ
とから光検知手段による光検知に外部からのノイズの影
響が回避され、耐ノイズ性を向上させることができる。
As described above, the first, second, third, fourth and sixth aspects are provided.
According to the invention of claim 7, one end of the light detecting means is connected to the pixel electrode and the other end is connected to the constant voltage portion in a state of being reverse-biased with the pixel electrode during non-light detection,
The electric potential of the pixel electrode is changed in the light detection state of the light detection unit by causing the data supply unit to write in the pixel electrode when the control unit reads the image. For example, the pixel electrode is switched by the switching unit after a scanning period of a predetermined number of frames. By reading out the potential of the photodetector and discriminating the photodetection of the photodetector by the discriminator, the influence of external noise on the photodetection by the photodetector is avoided because the potential of the pixel electrode is read after a predetermined period. The noise resistance can be improved.

【0043】請求項5の発明によれば、駆動手段に双方
向機能をもたせることにより、画素電極への書き込み、
読み出しを単一で行わせることができる。請求項8の発
明によれば、液晶表示のときに光照射を行う光照射手段
が備えられ、画像読み取りの画素電極の書き込み時に該
光照射手段による輝度増加を行わせることにより、耐ノ
イズ性をより向上させることができる。
According to the invention of claim 5, by making the driving means have a bidirectional function, writing to the pixel electrode,
It is possible to perform a single read. According to the invention of claim 8, a light irradiating means for irradiating light at the time of liquid crystal display is provided, and by increasing the brightness by the light irradiating means at the time of writing the pixel electrode for image reading, noise resistance can be improved. It can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の回路構成図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1の内部構成図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of FIG.

【図3】図1のフォトダイオードの動作原理の説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an operation principle of the photodiode of FIG.

【図4】本発明の原稿読み取りの概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram of document reading according to the present invention.

【図5】原稿読み取り時の画素電極への書き込みの構成
図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of writing to a pixel electrode when reading a document.

【図6】原稿読み取り時の画素電位の読み出しの説明図
である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of reading pixel potentials when reading a document.

【図7】本発明の他の実施例の要部回路構成図である。FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a main part of another embodiment of the present invention.

【図8】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
要部回路構成図である。
FIG. 8 is a circuit diagram of a main part of a conventional active matrix liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 ドレイン電極 22 ゲート電極 23 画素電極 24 対向電極 25 フォトダイオード 26 補正電極 42 液晶パネル 51 アクティブマトリクス型液晶表示装置 52 バックライト 53 原稿 61 シリアルパラレル変換部 62,64 ラッチ 63 アナログスイッチ 65 コンパレータ 66 インタフェース 21 Drain Electrode 22 Gate Electrode 23 Pixel Electrode 24 Counter Electrode 25 Photodiode 26 Correction Electrode 42 Liquid Crystal Panel 51 Active Matrix Liquid Crystal Display 52 Backlight 53 Original 61 Serial Parallel Converter 62, 64 Latch 63 Analog Switch 65 Comparator 66 Interface

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定数のスキャンバスライン及びデータ
バスラインが格子状に配置されて、囲まれた部分に液晶
を挟持する画素電極及び対向電極がマトリクス状に配列
されたものであって、該スキャンバスライン及びデータ
バスラインからの信号により該画素電極をドライブする
駆動手段を備えるアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、 一端が前記画素電極に接続され、他端が定電圧部分に接
続されて光検知を行う光検知手段を備え、 画像読み出し時に、前記駆動手段より該画素電極に書き
込みを行わせ、所定走査期間後に該画素電極の電位で該
光検知手段の光検知を識別する制御手段を有することを
特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
1. A predetermined number of scan bus lines and data bus lines are arranged in a grid pattern, and pixel electrodes and counter electrodes for sandwiching liquid crystal are arrayed in a matrix in a surrounded portion. In an active matrix type liquid crystal display device including a driving means for driving the pixel electrode by signals from the scan canvas line and the data bus line, one end is connected to the pixel electrode and the other end is connected to a constant voltage portion to detect light. And a control unit that causes the drive unit to write to the pixel electrode during image reading, and that identifies the light detection of the light detection unit by the potential of the pixel electrode after a predetermined scanning period. An active matrix liquid crystal display device characterized by:
【請求項2】 請求項1記載の光検知手段は、一端のカ
ソード側が前記画素電極に接続され、他端のアノード側
が該当の前記スキャンバスラインの1本前のスキャンバ
スラインに接続されてなることを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。
2. The light detection means according to claim 1, wherein one end of the cathode side is connected to the pixel electrode, and the other end of the anode side is connected to a scan bus line one line before the corresponding scan bus line. An active matrix liquid crystal display device characterized by the above.
【請求項3】 請求項1の光検知手段は、一端のカソー
ド側が前記画素電極に接続され、他端のアノード側が該
画素電極の電位より低い電位の補助電極に接続されてな
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
3. The light detection means according to claim 1, wherein one end of the cathode side is connected to the pixel electrode, and the other end of the anode side is connected to an auxiliary electrode having a potential lower than that of the pixel electrode. Active matrix liquid crystal display device.
【請求項4】 請求項1記載の光検知手段は、一端のア
ノード側が前記画素電極に接続され、他端のカソード側
が該画素電極より高い電位の補助電極に接続されてなる
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
4. The photo-detecting means according to claim 1, wherein one end of the anode side is connected to the pixel electrode, and the other end of the cathode side is connected to an auxiliary electrode having a higher potential than the pixel electrode. Active matrix liquid crystal display device.
【請求項5】 請求項1記載の駆動手段は、前記画素電
極に対する書き込み及び読み出しの双方向機能を有して
なることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
装置。
5. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the driving means has a bidirectional function of writing and reading with respect to the pixel electrode.
【請求項6】 請求項1記載の制御手段は、前記画素電
極への書き込み時にデータ電圧を供給するデータ供給手
段と、読み出し時に該画素電極の電位を読み込んで比較
する判別手段と、データ供給手段と判別手段とを切り替
える切替手段と、を備えることを特徴とするアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。
6. The control means according to claim 1, wherein the data supply means supplies a data voltage when writing to the pixel electrode, the determination means which reads and compares the potential of the pixel electrode at the time of reading, and the data supply means. An active matrix type liquid crystal display device, comprising: a switching unit for switching between a discriminating unit and a discriminating unit.
【請求項7】 請求項1又は6記載の制御手段は、前記
画素電極の読み出しを、前記書き込みより所定フレーム
数の走査期間後に行わせてなることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。
7. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1 or 6, wherein the pixel electrode is read out after a scanning period of a predetermined number of frames from the writing.
【請求項8】 請求項1,6又は7の何れか一項におい
て、前記液晶による表示の際に光照射手段が備えられ、
画像読み取りにおける前記画素電極への書き込み時に、
該光照射手段による輝度を増加させてなることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置。
8. The light irradiating means according to claim 1, further comprising a light irradiating means when displaying with the liquid crystal.
When writing to the pixel electrode during image reading,
An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that the brightness is increased by the light irradiation means.
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Cited By (4)

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JPWO2002075711A1 (en) * 2001-03-19 2004-07-08 三菱電機株式会社 Self-luminous display
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