JPH09230419A - 測光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 望遠から至近までの撮影条件の変化に対応し
て最適な測光領域を設定し、その測光領域内の複数の分
割領域で測光を行なう。 【解決手段】 複数の光電変換素子１１〜５５を一次元
状に配列した光電変換素子列６１を用い、光学系６３，
７０によって被写界を二次元状に複数の領域に分割して
各分割領域を各光電変換素子１１〜５５に対応させ、各
分割領域からの光束を対応する光電変換素子１１〜５５
へ導く。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被写界を複数の領
域に分割して測光する測光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】被写界を複数の領域に分割して測光し、
各分割領域の測光結果に基づいて最適な露出値を演算す
る測光装置が知られている。

【０００３】図２０〜図２２により従来の測光装置を説
明する。図２０はレンズシャッターカメラの正面図、図
２１は分割測光領域を示す図、図２２（ａ）は測光光学
系を示す図、図２２（ｂ）は測光用センサーの正面図で
ある。カメラ１０１の正面には、撮影レンズ１０２、Ａ
Ｆ窓１０３Ａ，１０３Ｂ、ファインダー１０４、測光窓
１０５、閃光窓１０６が設けられている。被写界１１１
は図２１に示すように５個の測光領域１１１ａ〜１１１
ｅに分割され、測光窓１０５を通して各測光領域１１１
ａ〜１１１ｅからの光束がカメラ１０１の内部に取り込
まれる。これらの各光束は、図２２（ａ）に示すよう
に、測光用結像レンズ１１２を介して測光用センサー１
１３に導かれる。測光用センサー１１３は、図２２
（ｂ）に示すように被写界の各測光領域１１１ａ〜１１
１ｅに対応する５個の光電変換素子１１３ａ〜１１３ｅ
を有しており、各測光領域１１１ａ〜１１１ｅからの光
束を受光して光強度に応じた電気信号を出力する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
測光装置では、撮影レンズがズームレンズの場合には、
撮影画角が２倍から５倍程度まで変化するため、画角に
応じて測光センサーの構成を変更しなければならないと
いう問題がある。

【０００５】この問題を図２３、図２４により説明す
る。図２３はズームレンズをワイド端に移動した場合の
測光方法を説明する図であり、（ａ）は測光光学系を示
す図、（ｂ）は測光用センサーの正面図である。図２４
はズームレンズをテレ端に移動した場合の測光方法を説
明する図であり、（ａ）は測光光学系を示す図、（ｂ）
は測光用センサーの正面図である。

【０００６】ズームレンズがワイド端からテレ端まで移
動しても、測光用結像レンズ１１４はズームレンズに連
動して移動しないので、測光用の画角は撮影画角に応じ
て変化しない。つまり、ズームレンズがワイド側にある
場合には、図２３に示すように、広い撮影画角をカバー
するために測光用センサー１１５の受光部１１５ａの面
積を広くしなければならない。一方、ズームレンズがテ
レ側にある場合には、図２４に示すように撮影画角が狭
くなり、測光用センサー１１６の受光部１１６ａの面積
を小さくしなければならない。

【０００７】また、従来の測光装置では、撮影距離が小
さい近接撮影を行なう場合、特に、マクロ領域まで撮影
可能なズームレンズで近接撮影を行なう場合には、いわ
ゆるパララックスが大きくなるため、測光用センサーの
受光部の位置を変更しなければならないという問題があ
る。

【０００８】測光におけるパララックスの問題を図２５
により説明する。図２５（ａ）は撮影レンズと測光窓の
位置の差を示す図、（ｂ）は無限遠撮影における撮影領
域と至近撮影における撮影領域を示す図、（ｃ）は無限
遠撮影における測光領域を示す図、（ｄ）は近接撮影に
おける測光領域を示す図である。通常のレンズシャッタ
ーカメラでは、撮影レンズ１０２と測光窓１０５とが距
離Ｌをおいて設置されるため、測光窓１０５から見た無
限遠撮影時の撮影領域１１７と近接撮影時の撮影領域１
１８との間に位置のずれがある。したがって、無限遠撮
影時には、測光センサー１１９の受光部１１９ａを撮影
領域１１７に対応する（ｃ）に示す位置に配置すればよ
いが、近接撮影時には（ｄ）に示す位置へ移動する必要
がある。

【０００９】本発明の目的は、望遠から至近までの撮影
条件の変化に対応して最適な測光領域を設定し、その測
光領域内の複数の分割領域で測光を行なう測光装置を提
供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

（１） 請求項１の発明は、複数の光電変換素子を一次
元状に配列した光電変換素子列と、被写界を二次元状に
複数の領域に分割して各分割領域を各光電変換素子に対
応させ、各分割領域からの光束を対応する光電変換素子
へ導く光学系とを備える。 （２） 請求項２の測光装置の光学系は、光電変換素子
列の各光電変換素子上に被写界の各分割領域の被写体像
を結像する結像光学部材と、被写界の各分割領域からの
光束を偏向する光路偏向部材とを有する。 （３） 請求項３の測光装置は、撮影光学系の焦点距離
を検出する焦点距離検出手段と、この焦点距離検出手段
により検出された焦点距離に応じて、光電変換素子列の
複数の光電変換素子の中から測光演算に用いる光電変換
素子を選択する素子選択手段とを備える。 （４） 請求項４の測光装置は、撮影光学系の撮影倍率
を検出する倍率検出手段と、この倍率検出手段により検
出された撮影倍率に応じて、光電変換素子列の複数の光
電変換素子の中から測光演算に用いる光電変換素子を選
択する素子選択手段とを備える。 （５） 請求項５の測光装置は、変倍光学系の設定位置
を検出する位置検出手段と、この位置検出手段により検
出された変倍光学系の設定位置に応じて、光電変換素子
列の複数の光電変換素子の中から測光演算に用いる光電
変換素子を選択する素子選択手段とを備える。 （６） 請求項６の測光装置の光電変換素子は電荷蓄積
型である。 （７） 請求項７の測光装置は、撮影光学系の焦点距離
を検出する焦点距離検出手段と、この焦点距離検出手段
により検出された焦点距離に応じて、光電変換素子列の
複数の光電変換素子の中から電荷蓄積時間の演算に用い
る光電変換素子を選択する素子選択手段とを備える。 （８） 請求項８の測光装置は、撮影光学系の撮影倍率
を検出する倍率検出手段と、この倍率検出手段により検
出された撮影倍率に応じて、光電変換素子列の複数の光
電変換素子の中から電荷蓄積時間の演算に用いる光電変
換素子を選択する素子選択手段とを備える。 （９） 請求項９の測光装置は、変倍光学系の設定位置
を検出する位置検出手段と、この位置検出手段により検
出された前記変倍光学系の設定位置に応じて、光電変換
素子列の複数の光電変換素子の中から電荷蓄積時間の演
算に用いる光電変換素子を選択する素子選択手段とを備
える。 （１０） 請求項１０の測光装置の光学系は視感度フィ
ルターを有する。

【００１１】

【発明の実施の形態】望遠から至近までの撮影条件に対
して最適な測光領域を設定し、設定した測光領域内の複
数の分割領域において測光を行なうために、図１に示す
ような２５個の光電変換素子１１〜５５を二次元状に配
列した測光用センサー１を用いることができる。ここ
で、二次元状に配列された２５個の光電変換素子１１〜
５５の受光面は被写界に対応する。すなわち、被写界は
二次元状に２５個の領域に分割され、各分割領域は各光
電変換素子の受光面に対応する。

【００１２】例えば、図２３に示すようにズームレンズ
のワイド側で撮影を行なう場合には、撮影領域に対応し
て図２または図３に示すように全光電変換素子１１〜５
５を含む測光領域２を設定する。図２は測光領域２を２
分割して分割測光を行なう例を示し、中央の分割領域２
ａには光電変換素子２３，３２，３３，３４，４３が含
まれ、周辺の分割領域２ｂには他の残り全部の光電変換
素子が含まれる。また、図３は測光領域２を３分割して
分割測光を行なう例を示し、中央の分割領域２ｃには光
電変換素子２３，３２，３３，３４，４３が含まれ、下
辺の分割領域２ｄには光電変換素子１１〜１５，２１，
２２，２４，２５，３１，３５が含まれ、上辺の分割領
域２ｅには光電変換素子４１，４２，４４，４５，５１
〜５５が含まれる。

【００１３】一方、図２４に示すようにズームレンズの
テレ側で撮影を行なう場合には、撮影領域に対応して図
４または図５に示すように光電変換素子２２〜２４，３
２〜３４，４２〜４４を含む測光領域３を設定する。図
４は測光領域３を２分割して分割測光を行なう例を示
し、中央の分割領域３ａには光電変換素子３３が含ま
れ、周辺の分割領域３ｂには光電変換素子２２，２３，
２４，３２，３４，４２，４３，４４が含まれる。ま
た、図５は測光領域３を３分割して分割測光を行なう例
を示し、中央の分割領域３ｃには光電変換素子３３が含
まれ、下辺の分割領域３ｄには光電変換素子２２，２
３，２４，３２，３４が含まれ、上辺の分割領域３ｅに
は光電変換素子４２，４３，４４が含まれる。

【００１４】また、図２５に示すように無限撮影と至近
撮影におけるパララックスに対応して、無限撮影時には
図６に示すように中央部に測光領域４を設定し、至近撮
影時には図７に示すように下部に測光領域５を設定す
る。無限撮影時の測光領域４には光電変換素子２２〜２
４，３２〜３４，４２〜４４が含まれ、至近撮影時の測
光領域５には光電変換素子１２〜１４，２２〜２４，３
２〜３４が含まれる。

【００１５】このように、望遠から至近までの撮影条件
に対して最適な測光領域を設定し、設定した測光領域内
の複数の分割領域において測光を行なう。そして、各分
割領域の測光値に基づいて露出値を演算する。この露出
値の演算方法については種々の公知の方法があるが、本
発明には直接関係しないのでそれらの説明を省略する。

【００１６】図１は２５個の光電変換素子１１〜５５を
用いて被写界を２５分割した例を示したが、画角比がせ
いぜい２倍程度のズームレンズに対応するものであり、
画角比が２倍よりも大きくなるとさらに被写界の分割数
を増やさなければならない。しかし、被写界の分割領域
数が２０を越えると、フォトトランジスタのような光電
変換素子を用い、個々の素子出力をアナログアンプで増
幅する方法では対応できなくなる。そこで、ＣＣＤのよ
うな複数の電荷蓄積型光電変換素子を二次元状に配列し
たセンサーを測光に用いることが考えられるが、そのよ
うなセンサーは高価になり、測光装置のコストが増加し
てしまう。

【００１７】この実施形態では、被写界に望遠から至近
までの撮影条件に応じた測光領域を設定し、設定した測
光領域内の複数の分割領域において測光を行なうため
に、複数の電荷蓄積型光電変換素子を一次元状に配列し
た測光用センサーを用いる。そして、被写界の測光領域
内の各分割領域を測光用センサーの各光電変換素子に対
応させ、各分割測光領域からの光束を光路偏向部材によ
り対応する光電変換素子へ導く。なお、測光用センサー
はＣＣＤなどの電荷蓄積型とすることが望ましいが、フ
ォトトランジスタを用いてもよい。

【００１８】図８は一実施形態の光学系の構成を示す図
である。測光用センサー６１は、２５個の電荷蓄積型光
電変換素子１１〜１５，２１〜２５，３１〜３５，４１
〜４５，５１〜５５を一次元状に配列したＣＣＤセンサ
ーである。この実施形態では、図９に示すように被写界
７１を２５分割し、各分割領域をセンサー６１の対応す
る光電変換素子で測光する。ここで、測光用センサー６
１の各光電変換素子と対応する被写界７１の分割領域を
同一の符号で示す。例えば、被写界７１の分割領域１１
は光電変換素子１１で測光し、分割領域３３は光電変換
素子３３で測光する。

【００１９】カバーガラス６２は、測光用センサー６１
を保護するために設けられる。結像レンズ６３は、被写
界７１の各分割測光領域からの光束を対応する各光電変
換素子上に導く。開口マスク６４は、測光用センサー６
１へ入射する迷光を遮断して適当な画角範囲の光を集光
するために設けられる。

【００２０】光路偏向部材７０は光学部材６５〜６７を
備え、被写界７１の各分割測光領域１１〜５５からの光
束を結像レンズ６３を介して対応する各光電変換素子１
１〜５５へ導く。説明を解りやすくするために、実際の
光の入射方向とは逆に測光用センサー６１から被写界７
１へ光が進むものとして説明する。光学部材６５は、結
像レンズ６３で発散された光束を平行にする。光学部材
６６は５個の凹レンズを有し、光学部材６５からの平行
光束を被写界の水平方向に広げる。また、光学部材６７
は、図１０に示すように５個のくさびプリズムを有し、
光学部材６６からの光束を被写界の垂直方向に広げる。
すなわち、結像レンズ６３からの光束を光学部材６５に
より平行にした後、光学部材６６により被写界の水平方
向に広げ、さらに光学部材６７により被写界の垂直方向
に広げる。言い換えると、被写界７１の各分割領域１１
〜５５からの光束をそれぞれ、光路偏向部材７０により
対応する光電変換素子１１〜５５の方向に偏向し、結像
レンズ６３により各光電変換素子１１〜５５上に結像す
る。光路偏向部材７０には、境界部での散乱による迷光
を遮断するために開口マスク６８が設置される。

【００２１】なお、光路偏向部材は、光学部材６５，６
６，６７を一体化した図１１に示すような光路偏向部材
７０Ａとしてもよい。また、測光用の光学系の光路中に
は図示を省略するが測光用の視感度フィルターが挿入さ
れる。

【００２２】図１２は一実施形態の電気回路の構成を示
す。測光用センサー６１は、図１３に示すように、一次
元状に配列された２５個の電荷蓄積型光電変換素子１１
〜１５，２１〜２５，３１〜３５，４１〜４５，５１〜
５５と、転送部６１ａと、出力アンプ６１ｂを備えてい
る。なお、光電変換素子１１〜５５は５組のブロック１
１〜１５，２１〜２５，３１〜３５，４１〜４５，５１
〜５５に分れ、各ブロックの間はブロックどうしの干渉
を避けるためのスペースが設けられる。実際には、例え
ば３５個連続に隙間なく並んだ１次元ＣＣＤイメージセ
ンサーを用い、両端に１個ずつ、または上記５個の検出
領域の間に２個ずつダミーセンサーを計１０個配置する
ような形態をとることになる。このようにすれば、調整
の時に画素範囲をソフト的に変更することができるメリ
ットがある。もちろん、検出センサーもダミーセンサー
も上記個数に限定されるものではない。なお、図示を省
略するが、測光用センサー６１にはマイクロコンピュー
タとの電荷蓄積制御や駆動制御のための通信用インタフ
ェースが含まれる。

【００２３】焦点距離検出装置８１は、撮影レンズ（撮
影光学系）の焦点距離を検出し、マイクロコンピュータ
８３へ出力する。露出モード設定部材８２は、プログラ
ム自動露出モード、シャッター速度優先自動露出モー
ド、絞り優先自動露出モード、手動露出モードからいず
れかの露出モードを設定するための操作部材である。

【００２４】マイクロコンピュータ８３は、焦点距離検
出装置８１からの焦点距離情報に基づいて、測光用セン
サー６１の電荷蓄積時間を決定するために用いる光電変
換素子の範囲（ＡＧＣエリア）を決定する。例えば、焦
点距離が所定値より小さい場合は撮影レンズがワイド側
に設定されていると判断し、被写界７１の全範囲に対応
する全光電変換素子１１〜５５をＡＧＣエリアに決定す
る。また、焦点距離が所定値より大きい場合には撮影レ
ンズがテレ側に設定されていると判断し、被写界７１の
中央部の分割測光領域に対応する光電変換素子２２〜２
４，３２〜３４，４２〜４４をＡＧＣエリアに決定す
る。

【００２５】ＡＧＣエリアの決定後、マイクロコンピュ
ータ８３は、ＡＧＣエリアに含まれる光電変換素子の出
力が最適なレベルになるように電荷蓄積時間を決定し、
その蓄積時間で測光用センサー６１の電荷蓄積を制御す
る。なお、光電変換素子の出力レベルの最適値は、ＡＧ
Ｃエリアの出力ピーク値が所定値になるように設定して
もよいし、ＡＧＣエリア内の出力平均値または出力中間
値が所定値になるように設定してもよい。

【００２６】次に、マイクロコンピュータ８３は、電荷
蓄積時間と測光用センサー６１の測光値に基づいて露出
値を演算する。なお、露出演算に用いる測光用センサー
６１の光電変換素子の範囲はＡＧＣエリアと一致させる
必要はない。露出値の演算に際しては、上述したよう
に、望遠から至近までの撮影条件に対して最適に設定さ
れた測光領域を複数の領域に分割し、各分割領域の測光
値に基づいて露出値を演算する。露出値の演算方法につ
いては種々の方法が公知であるが、本発明に直接関係し
ないので説明を省略する。マイクロコンピュータ８３
は、算出した露出値によりシャッター機構部８４および
絞り機構部８５を制御し、露出を行なう。

【００２７】なお、上述した実施形態では撮影レンズの
焦点距離を検出し、焦点距離に応じて測光用センサーの
複数の光電変換素子の中から電荷蓄積時間の演算および
測光演算に用いる光電変換素子を選択するようにした
が、撮影レンズの撮影倍率を検出し、撮影倍率に応じて
測光用センサーの複数の光電変換素子の中から電荷蓄積
時間の演算および測光演算に用いる光電変換素子を選択
するようにしてもよい。あるいは、ズームレンズ（変倍
光学系）の設定位置を検出し、設定位置に応じて測光用
センサーの複数の光電変換素子の中から電荷蓄積時間の
演算および測光演算に用いる光電変換素子を選択するよ
うにしてもよい。

【００２８】−発明の実施の形態の変形例− 通常、一願レフカメラのオートフォーカス装置や、レン
ズシャッターカメラのパッシブ方式のオートフォーカス
装置には、複数の電荷蓄積型光電変換素子を一次元状に
配列した焦点検出用センサーが用いられる。

【００２９】図１４は撮影画面内に設定された焦点検出
領域を示す図、図１５（ａ）は焦点検出光学系を示す図
である。また、図１５（ｂ）は焦点検出用センサーの正
面図である。撮影画面９１の中央に設定された焦点検出
領域９２において撮影レンズの焦点調節状態を検出する
ために、焦点検出用レンズ９３によって一対の焦点検出
用光束を焦点検出用センサー９４の一対の光電変換素子
列９４ａ，９４ｂ上に導き、一対の被写体像を結像させ
る。そして、一対の被写体像の像ずれ量を光電変換素子
列９４ａ，９４ｂにより検出し、その像ずれ量に基づい
て撮影レンズの焦点調節状態を検出する。このようなオ
ートフォーカス装置に用いられる光電変換素子列は、複
数の電荷蓄積型光電変換素子を一次元状に配列したもの
で、基本的には上述した測光用センサー６１の電荷蓄積
型光電変換素子列と同様のものである。

【００３０】そこで、焦点検出用の光電変換素子列と測
光用の光電変換素子列を同一のＩＣ基板上に形成するこ
とが考えられる。図１６、図１７、図１８は、焦点検出
装置と測光装置の光学系を一体化した一実施形態の変形
例を示す図であり、図１６（ａ）は光学系を上から見た
図、図１６（ｂ）はセンサーの正面図、図１７は光学系
を横から見た図、図１８は焦点検出／測光用ユニットの
構造を示す斜視図である。一対の焦点検出用光束は、焦
点検出用レンズ２０１によってセンサー２０７の一対の
焦点検出用光電変換素子列２０７ａ，２０７ｂ上に導か
れ、一対の被写体像が形成される。

【００３１】一方、測光用の光束は視感度フィルター２
０４、上述した光路偏向部材７０Ａ、ミラー２０５、プ
リズムレンズ２０６を通り、センサー２０７の測光用光
電変換素子列２０７ｃ上に導かれる。上述したように、
光路偏向部材７０Ａの働きによって、被写界を二次元上
に分割した各測光領域からの光束は一次元状に配列され
た光電変換素子列２０７ｃの対応する光電変換素子に導
かれる。

【００３２】なお、２０２，２０８は開口マスク、２０
３は遮光部材、２０７ｄ，２０７ｅは蓄積電荷の転送部
である。また、２０９，２１０，２１１はそれぞれ焦点
検出／測光ユニットのパッケージ部材である。

【００３３】光電変換素子列２０７ａ，２０７ｂ，２０
７ｃはそれぞれ、複数の電荷蓄積型光電変換素子を一次
元状に配列したものであり、共通のセンサー２０７のＩ
Ｃ基板上に形成される。また、焦点検出用レンズ２０１
などの焦点検出用光学部材と、光路偏向部材７０Ａなど
の測光用光学部材を共通のパッケージ内に収納し、焦点
検出／測光用ユニットとして一体化する。これにより、
焦点検出／測光ユニットのコスト低減と小型化を図るこ
とができる。

【００３４】−発明の実施の形態の他の変形例− 上述した一実施形態およびその変形例では、被写界に設
定された測光領域内を複数の領域に分割し、各分割測光
領域からの光束を複数の光電変換素子が一次元状に配列
された光電変換素子列へ導き、１本の一次元状の光電変
換素子列で二次元平面の被写界を測光する例を示した。
しかし、一次元状の光電変換素子列を複数本用いてもよ
い。

【００３５】例えば、図１９に示すように一次元状の光
電変換素子列を２本平行に並べてセンサー２２０を形成
する。そして、上側の光電変換素子列２２０ａを被写界
の測光領域の上半分に対応させ、下側の光電変換素子列
２２０ｂを被写界の測光領域の下半分に対応させる。す
なわち、被写界に設定された測光領域の上半分にある各
分割領域からの光束を、不図示の光路偏向部材によって
上側の光電変換素子列２２０ａ上の対応する光電変換素
子１１ａ〜１５ａ，２１ａ〜２５ａ，・・へ導くととも
に、被写界に設定された測光領域の下半分にある各分割
領域からの光束を、不図示の光路偏向部材によって下側
の光電変換素子列２２０ｂ上の対応する光電変換素子１
１ｂ〜１５ｂ，２１ｂ〜２５ｂ，・・へ導く。なお、２
２０ｃ，２２０ｄは電荷転送部である。これにより、光
路偏向部材の各素子を２列に構成することができ、小型
化を図ることができる。また、センサーの幅を小さくす
ることができる。

【００３６】以上の発明の実施の形態およびその変形例
の構成において、結像レンズ６３および光路偏向部材７
０，７０Ａが光学系を、結像レンズ６３が結像光学部材
を、光路偏向部材７０，７０Ａが光路偏向部材を、焦点
距離検出装置８１が焦点距離検出手段を、マイクロコン
ピュータ８３が素子選択手段をそれぞれ構成する。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の光電変換素子を一次元状に配列した光電変換素子列
を用い、被写界を二次元状に複数の領域に分割して各分
割領域を各光電変換素子に対応させ、光学系により各分
割領域からの光束を対応する光電変換素子へ導くように
したので、安価な一次元状の電荷蓄積型光電変換素子列
を用いて、望遠から至近までの撮影条件に応じた最適な
測光領域を設定でき、その測光領域内を任意に分割して
測光することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 複数の光電変換素子を二次元状に配列した測
光用センサーを示す図。

【図２】 ズームレンズのワイド側で撮影を行なう場合
の２分割測光領域を示す図。

【図３】 ズームレンズのワイド側で撮影を行なう場合
の３分割測光領域を示す図。

【図４】 ズームレンズのテレ側で撮影を行なう場合の
２分割測光領域を示す図。

【図５】 ズームレンズのテレ側で撮影を行なう場合の
３分割測光領域を示す図。

【図６】 無限遠撮影時の測光領域を示す図。

【図７】 至近撮影時の測光領域を示す図。

【図８】 一実施形態の光学系の構成を示す図。

【図９】 光路偏向部材と被写界の分割測光領域の対応
を示す図。

【図１０】 光路を偏向する光学部材を示す図。

【図１１】 光路偏向部材の変形例を示す図。

【図１２】 一実施形態の電気回路の構成を示す図。

【図１３】 測光用センサーを示す図。

【図１４】 撮影画面内に設定された焦点検出領域を示
す図。

【図１５】 焦点検出光学系を示す図。

【図１６】 焦点検出および測光用の光学系を示す図。

【図１７】 焦点検出／測光用の光学系を示す図。

【図１８】 焦点検出／測光用ユニットを示す斜視図。

【図１９】 測光用センサーの変形例を示す図。

【図２０】 レンズシャッターカメラの正面図。

【図２１】 分割測光領域を示す図。

【図２２】 測光光学系を示す図。

【図２３】 ズームレンズをワイド端に移動した場合の
測光方法を説明する図。

【図２４】 ズームレンズをテレ端に移動した場合の測
光方法を説明する図。

【図２５】 測光におけるパララックスの問題を説明す
る図。

【符号の説明】

１１〜１５，２１〜２５，３１〜３５，４１〜４５，５
１〜５５，１１ａ〜１５ａ，１１ｂ〜１５ｂ，２１ａ〜
２５ａ，２１ｂ〜２５ｂ 電荷蓄積型光電変換素子 ６１ 測光用センサー ６１ａ 電荷電送部 ６１ｂ 出力アンプ ６２ カバーガラス ６３ 結像レンズ ６４，６８ 開口マスク ６５〜６７ 光学部材 ７０，７０Ａ 光路偏向部材 ７１ 被写界 ８１ 焦点距離検出装置 ８２ 露出モード設定部材 ８３ マイクロコンピュータ ８４ シャッター機構部 ８５ 絞り機構部 ２０１ 焦点検出用レンズ ２０２，２０８ 開口マスク ２０３ 遮光部材 ２０４ 視感度フィルター ２０５ ミラー ２０６ プリズムレンズ ２０７ センサー ２０７ａ，２０７ｂ，２０７ｃ 光電変換素子列 ２０７ｄ，２０７ｅ 電荷転送部 ２２０ 測光用センサー ２２０ａ，２２０ｂ 光電変換素子列 ２２０ｃ，２２０ｄ 電荷転送部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の光電変換素子を一次元状に配列し
   た光電変換素子列と、 被写界を二次元状に複数の領域に分割して各分割領域を
   前記各光電変換素子に対応させ、前記各分割領域からの
   光束を対応する前記光電変換素子へ導く光学系とを備え
   ることを特徴とする測光装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の測光装置において、 前記光学系は、前記光電変換素子列の各光電変換素子上
   に前記被写界の各分割領域の被写体像を結像する結像光
   学部材と、前記被写界の各分割領域からの光束を偏向す
   る光路偏向部材とを有することを特徴とする測光装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の測光装
   置において、 撮影光学系の焦点距離を検出する焦点距離検出手段と、 前記焦点距離検出手段により検出された焦点距離に応じ
   て、前記光電変換素子列の複数の光電変換素子の中から
   測光演算に用いる光電変換素子を選択する素子選択手段
   とを備えることを特徴とする測光装置。
4. 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の測光装
   置において、 撮影光学系の撮影倍率を検出する倍率検出手段と、 前記倍率検出手段により検出された撮影倍率に応じて、
   前記光電変換素子列の複数の光電変換素子の中から測光
   演算に用いる光電変換素子を選択する素子選択手段とを
   備えることを特徴とする測光装置。
5. 【請求項５】 請求項１または請求項２に記載の測光装
   置において、 変倍光学系の設定位置を検出する位置検出手段と、 前記位置検出手段により検出された前記変倍光学系の設
   定位置に応じて、前記光電変換素子列の複数の光電変換
   素子の中から測光演算に用いる光電変換素子を選択する
   素子選択手段とを備えることを特徴とする測光装置。
6. 【請求項６】 請求項１または請求項２に記載の測光装
   置において、 前記光電変換素子は電荷蓄積型であることを特徴とする
   測光装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の測光装置において、 撮影光学系の焦点距離を検出する焦点距離検出手段と、 前記焦点距離検出手段により検出された焦点距離に応じ
   て、前記光電変換素子列の複数の光電変換素子の中から
   電荷蓄積時間の演算に用いる光電変換素子を選択する素
   子選択手段とを備えることを特徴とする測光装置。
8. 【請求項８】 請求項６に記載の測光装置において、 撮影光学系の撮影倍率を検出する倍率検出手段と、 前記倍率検出手段により検出された撮影倍率に応じて、
   前記光電変換素子列の複数の光電変換素子の中から電荷
   蓄積時間の演算に用いる光電変換素子を選択する素子選
   択手段とを備えることを特徴とする測光装置。
9. 【請求項９】 請求項６に記載の測光装置において、 変倍光学系の設定位置を検出する位置検出手段と、 前記位置検出手段により検出された前記変倍光学系の設
   定位置に応じて、前記光電変換素子列の複数の光電変換
   素子の中から電荷蓄積時間の演算に用いる光電変換素子
   を選択する素子選択手段とを備えることを特徴とする測
   光装置。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかの項に記載の
    測光装置において、 前記光学系は視感度フィルターを有することを特徴とす
    る測光装置。