JPH09230610A - 投影露光方法および装置 - Google Patents
投影露光方法および装置Info
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- JPH09230610A JPH09230610A JP8034821A JP3482196A JPH09230610A JP H09230610 A JPH09230610 A JP H09230610A JP 8034821 A JP8034821 A JP 8034821A JP 3482196 A JP3482196 A JP 3482196A JP H09230610 A JPH09230610 A JP H09230610A
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- Japan
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- work
- mask pattern
- light
- mask
- exposure
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型マスクを使用することなく、１台の投影
露光装置によりワーク上に第１、第２のパターンを形成
すること。 【解決手段】 光照射部ＬＨ１からマスクＭのマスクパ
ターンＭＰ１に露光光を照射し、投影レンズＬを介して
ワークＷにマスクパターンＭＰ１を結像・露光する。次
に、ワークＷを所定量移動させ、以下、上記マスクパタ
ーンＭＰ１のワークＷ上への結像・露光と、ワークＷの
移動を繰り返して、ワーク上にマスクパターンＭＰ１を
逐次露光する。逐次露光終了後、ワークＷをマスクパタ
ーンＭＰ２の結像位置まで移動させ、光照射部ＬＨ２よ
りマスク上のマスクパターンＭＰ２に露光光を照射して
ワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露光す
る。また、上記光照射部ＬＨ２を設けず、遮光板により
光照射部ＬＨ２の光をマスクパターンＭＰ１またはＭＰ
２にのみに照射して露光するようにしてもよい。
露光装置によりワーク上に第１、第２のパターンを形成
すること。 【解決手段】 光照射部ＬＨ１からマスクＭのマスクパ
ターンＭＰ１に露光光を照射し、投影レンズＬを介して
ワークＷにマスクパターンＭＰ１を結像・露光する。次
に、ワークＷを所定量移動させ、以下、上記マスクパタ
ーンＭＰ１のワークＷ上への結像・露光と、ワークＷの
移動を繰り返して、ワーク上にマスクパターンＭＰ１を
逐次露光する。逐次露光終了後、ワークＷをマスクパタ
ーンＭＰ２の結像位置まで移動させ、光照射部ＬＨ２よ
りマスク上のマスクパターンＭＰ２に露光光を照射して
ワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露光す
る。また、上記光照射部ＬＨ２を設けず、遮光板により
光照射部ＬＨ２の光をマスクパターンＭＰ１またはＭＰ
２にのみに照射して露光するようにしてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクパターンを投
影光学系を介してウエハ等の感光基板に露光する投影露
光方法および装置に関する。
影光学系を介してウエハ等の感光基板に露光する投影露
光方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶画面、インクジェット
方式のプリンタヘッド、一枚の基板の上に多種多数の電
気素子を製作して１つのモジュールにするマルチチップ
モジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様々
な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。こ
の露光工程とはガラス等の透明基板上にクロム等の金属
を蒸着・エッチングしてパターンを形成したマスクを使
用し、このマスクを通して紫外線をワークに照射し、ワ
ーク上に塗布されているフォトレジストにマスクのパタ
ーンを転写するものである。
方式のプリンタヘッド、一枚の基板の上に多種多数の電
気素子を製作して１つのモジュールにするマルチチップ
モジュール等、ミクロンサイズの加工が必要である様々
な電気部品の製作工程に露光工程が用いられている。こ
の露光工程とはガラス等の透明基板上にクロム等の金属
を蒸着・エッチングしてパターンを形成したマスクを使
用し、このマスクを通して紫外線をワークに照射し、ワ
ーク上に塗布されているフォトレジストにマスクのパタ
ーンを転写するものである。
【０００３】上記露光工程において、ワークＷに図８に
示すように複数の第１のパターンＰ１を形成すると共
に、周辺部に第２のパターンＰ２を形成する場合があ
る。これは例えば、次のような場合である。 (1) レジストの下地にある銅箔、メタルスパッタ膜を、
エッチング工程時に残すため、現像後、露光された部分
のレジストが残るネガ型レジストを使用し、ワークＷ周
辺部にレジストが残存する領域を形成する。 (2) ワークの全面に金属メッキをかけるとき、レジスト
の下地にメッキされないようにするため、上記ネガ型レ
ジストを使用し、ワークＷ周辺部にレジストが残存する
領域を形成する。 (3) 現像後、露光された部分のレジストが除去されるポ
ジ型レジストを使用し、ワークの周辺部にメッキ用の電
極を形成するためのパターンを形成する。 (4) 上記ポジ型レジストを使用し、ワークの周辺部に、
ロット番号（数字）を書き込む。
示すように複数の第１のパターンＰ１を形成すると共
に、周辺部に第２のパターンＰ２を形成する場合があ
る。これは例えば、次のような場合である。 (1) レジストの下地にある銅箔、メタルスパッタ膜を、
エッチング工程時に残すため、現像後、露光された部分
のレジストが残るネガ型レジストを使用し、ワークＷ周
辺部にレジストが残存する領域を形成する。 (2) ワークの全面に金属メッキをかけるとき、レジスト
の下地にメッキされないようにするため、上記ネガ型レ
ジストを使用し、ワークＷ周辺部にレジストが残存する
領域を形成する。 (3) 現像後、露光された部分のレジストが除去されるポ
ジ型レジストを使用し、ワークの周辺部にメッキ用の電
極を形成するためのパターンを形成する。 (4) 上記ポジ型レジストを使用し、ワークの周辺部に、
ロット番号（数字）を書き込む。
【０００４】上記のようにワークＷ上に第１パターンＰ
１、第２のパターンＰ２を形成するため、従来、次のよ
うな方法を用いていた。 （１）大型のマスクを使用し一括露光する。 図９のように、第１のマスクパターンＭＰ１と第２のマ
スクパターンＭＰ２を有する大型のマスクＭを用い、プ
ロキシミティ露光、あるいは、コンタクト露光方式で一
括露光し、ワークＷ上に第１のパターンＰ１、第２のパ
ターンＰ２を形成する。
１、第２のパターンＰ２を形成するため、従来、次のよ
うな方法を用いていた。 （１）大型のマスクを使用し一括露光する。 図９のように、第１のマスクパターンＭＰ１と第２のマ
スクパターンＭＰ２を有する大型のマスクＭを用い、プ
ロキシミティ露光、あるいは、コンタクト露光方式で一
括露光し、ワークＷ上に第１のパターンＰ１、第２のパ
ターンＰ２を形成する。
【０００５】（２）ステップ・アンド・リピート方式と
一括露光方式を併用する。 図１０の（ａ）（ｂ）に示すマスクパターンＭＰ１を有
する第１のマスクＭ１と、マスクパターンＭＰ２を有す
る第２のマスクＭ２を用意する。そして、第１のマスク
Ｍ１を用いて、ワークＷを逐次駆動するステップ・アン
ド・リピート方式により、同図（ｃ）に示すようにワー
クＷ上に複数のパターンＰ１を形成する。ついで、第２
のマスクＭ２を用い、一括露光方式により、同図（ｄ）
に示すようにワークＷ上に第２のパターンＰ２を形成す
る。
一括露光方式を併用する。 図１０の（ａ）（ｂ）に示すマスクパターンＭＰ１を有
する第１のマスクＭ１と、マスクパターンＭＰ２を有す
る第２のマスクＭ２を用意する。そして、第１のマスク
Ｍ１を用いて、ワークＷを逐次駆動するステップ・アン
ド・リピート方式により、同図（ｃ）に示すようにワー
クＷ上に複数のパターンＰ１を形成する。ついで、第２
のマスクＭ２を用い、一括露光方式により、同図（ｄ）
に示すようにワークＷ上に第２のパターンＰ２を形成す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した方法は次のよ
うな問題点を持っている。 （ａ）大型のマスクを使用し一括露光する場合。 一括露光なので、マスク自体が大型となり、マスクの製
造コストが高くなると共に、保管、保守に注意を要す
る。また、コンタクト露光方式を用いた場合には、マス
クとワークが密着するので、ワーク上に塗布されたレジ
スト膜がマスクに付着し、レジストを剥離させる処理が
必要となる。なお、プロキシミティ露光方式を用いた場
合でも、マスクとワークを近接させる間隔が小さくなる
と、マスクとワークが接触する可能性があり、上記処理
が必要となる場合がある。
うな問題点を持っている。 （ａ）大型のマスクを使用し一括露光する場合。 一括露光なので、マスク自体が大型となり、マスクの製
造コストが高くなると共に、保管、保守に注意を要す
る。また、コンタクト露光方式を用いた場合には、マス
クとワークが密着するので、ワーク上に塗布されたレジ
スト膜がマスクに付着し、レジストを剥離させる処理が
必要となる。なお、プロキシミティ露光方式を用いた場
合でも、マスクとワークを近接させる間隔が小さくなる
と、マスクとワークが接触する可能性があり、上記処理
が必要となる場合がある。
【０００７】さらに、マスクパターンＭＰ１が複数露光
される大型ワークであるので、ワークがメッキ・エッチ
ング等の熱処理により伸縮する。一方、マスクは、通
常、熱伸縮量の小さい合成石英製であるので、ワークが
熱伸縮により変形していると、マスクとワークの位置合
わせを行っても、正しい位置に露光されない。例えば、
前記図８において、ＡにあるマスクパターンＭＰ１は正
しい位置に露光されても、ＢにあるマスクパターンＭＰ
１は熱伸縮の分だけずれた位置に露光される場合が生ず
る。
される大型ワークであるので、ワークがメッキ・エッチ
ング等の熱処理により伸縮する。一方、マスクは、通
常、熱伸縮量の小さい合成石英製であるので、ワークが
熱伸縮により変形していると、マスクとワークの位置合
わせを行っても、正しい位置に露光されない。例えば、
前記図８において、ＡにあるマスクパターンＭＰ１は正
しい位置に露光されても、ＢにあるマスクパターンＭＰ
１は熱伸縮の分だけずれた位置に露光される場合が生ず
る。
【０００８】（２）ステップ・アンド・リピート方式
（逐次露光方式）と一括露光方式を併用する場合。 パターンＰ１をステップ・アンド・リピート方式で形成
するので、ワークＷの熱伸縮の問題は軽減できるが、ス
テップ・アンド・リピート用の露光装置と、一括露光装
置の２台が必要となる。また、マスクパターンＭＰ２を
有するマスクＭ２が大型となり、上記（１）と同様、マ
スクの製造コストが高くなると共に、保管、保守に注意
を要する。さらに、前記したように、マスクＭ２とワー
クが密着するので、ワーク上に塗布されたレジスト膜が
マスクＭ２に付着し、レジストを剥離させる処理が必要
となる。
（逐次露光方式）と一括露光方式を併用する場合。 パターンＰ１をステップ・アンド・リピート方式で形成
するので、ワークＷの熱伸縮の問題は軽減できるが、ス
テップ・アンド・リピート用の露光装置と、一括露光装
置の２台が必要となる。また、マスクパターンＭＰ２を
有するマスクＭ２が大型となり、上記（１）と同様、マ
スクの製造コストが高くなると共に、保管、保守に注意
を要する。さらに、前記したように、マスクＭ２とワー
クが密着するので、ワーク上に塗布されたレジスト膜が
マスクＭ２に付着し、レジストを剥離させる処理が必要
となる。
【０００９】本発明は上記した従来技術の問題点を解決
するためになされたものであって、本発明の目的は、大
型マスクを使用することなく、１台の露光装置によりワ
ーク上に第１、第２のパターンを形成することができる
投影露光方法および装置を提供することである。
するためになされたものであって、本発明の目的は、大
型マスクを使用することなく、１台の露光装置によりワ
ーク上に第１、第２のパターンを形成することができる
投影露光方法および装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明におい
ては、次のように解決する。 （１）第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを
有するマスクを用いて、光照射部より上記第１のマスク
パターンに露光光を照射して、投影レンズを介してワー
ク上に第１のマスクパターンを結像・露光する。次に、
上記光照射部からの露光光の放射を停止してワークを所
定量移動させ、以下、上記第１のマスクパターンのワー
ク上への結像・露光と、ワークの移動を繰り返して、ワ
ーク上に第１のマスクパターンを逐次露光する。上記逐
次露光終了後、ワークを第２のマスクパターンの結像位
置まで移動させ、光照射部よりマスク上の第２のマスク
パターンに露光光を照射して投影レンズを介してワーク
上に上記第２のマスクパターンを結像・露光する。
ては、次のように解決する。 （１）第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを
有するマスクを用いて、光照射部より上記第１のマスク
パターンに露光光を照射して、投影レンズを介してワー
ク上に第１のマスクパターンを結像・露光する。次に、
上記光照射部からの露光光の放射を停止してワークを所
定量移動させ、以下、上記第１のマスクパターンのワー
ク上への結像・露光と、ワークの移動を繰り返して、ワ
ーク上に第１のマスクパターンを逐次露光する。上記逐
次露光終了後、ワークを第２のマスクパターンの結像位
置まで移動させ、光照射部よりマスク上の第２のマスク
パターンに露光光を照射して投影レンズを介してワーク
上に上記第２のマスクパターンを結像・露光する。
【００１１】（２）上記（１）において、第１のマスク
パターンに露光光を照射する第１の光照射部と、第２の
マスクパターンに露光光を照射する第２の光照射部を設
ける。そして、第１の光照射部より上記第１のマスクパ
ターンに露光光を照射して、ワーク上に第１のマスクパ
ターンを逐次露光する。ついで、ワークを第２のマスク
パターンの結像位置まで移動させ、第２の光照射部より
マスク上の第２のマスクパターンに露光光を照射して、
ワーク上に第２のマスクパターンを結像・露光する。
パターンに露光光を照射する第１の光照射部と、第２の
マスクパターンに露光光を照射する第２の光照射部を設
ける。そして、第１の光照射部より上記第１のマスクパ
ターンに露光光を照射して、ワーク上に第１のマスクパ
ターンを逐次露光する。ついで、ワークを第２のマスク
パターンの結像位置まで移動させ、第２の光照射部より
マスク上の第２のマスクパターンに露光光を照射して、
ワーク上に第２のマスクパターンを結像・露光する。
【００１２】（３）上記（２）において、第２の光照射
部と第２のマスクパターンとの間に遮光板を設け、第１
の光照射部から放射される露光光が第２のマスクパター
ンに照射されないようする。
部と第２のマスクパターンとの間に遮光板を設け、第１
の光照射部から放射される露光光が第２のマスクパター
ンに照射されないようする。
【００１３】（４）上記（１）において、光照射部とマ
スクの間に、上記光照射部と第１のマスクパターンもし
くは上記光照射部と第２のマスクパターン間の光路中に
選択的に設置される遮光板を設ける。そして、遮光板を
第２のマスクパターン上に設置し、光照射部より上記第
１のマスクパターンにのみ露光光を照射して、投影レン
ズを介してワーク上に第１のマスクパターンを結像・露
光する。次に、上記光照射部からの露光光の放射を停止
してワークを所定量移動させ、以下、上記第１のマスク
パターンのワーク上への結像・露光と、ワークの移動を
繰り返して、ワーク上に第１のマスクパターンを逐次露
光する。上記逐次露光終了後、ワークを第２のマスクパ
ターンの結像位置まで移動させ、遮光板を第１のマスク
パターン上に設置し、光照射部よりマスク上の第２のマ
スクパターンにのみ露光光を照射し、投影レンズを介し
てワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露光す
る。
スクの間に、上記光照射部と第１のマスクパターンもし
くは上記光照射部と第２のマスクパターン間の光路中に
選択的に設置される遮光板を設ける。そして、遮光板を
第２のマスクパターン上に設置し、光照射部より上記第
１のマスクパターンにのみ露光光を照射して、投影レン
ズを介してワーク上に第１のマスクパターンを結像・露
光する。次に、上記光照射部からの露光光の放射を停止
してワークを所定量移動させ、以下、上記第１のマスク
パターンのワーク上への結像・露光と、ワークの移動を
繰り返して、ワーク上に第１のマスクパターンを逐次露
光する。上記逐次露光終了後、ワークを第２のマスクパ
ターンの結像位置まで移動させ、遮光板を第１のマスク
パターン上に設置し、光照射部よりマスク上の第２のマ
スクパターンにのみ露光光を照射し、投影レンズを介し
てワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露光す
る。
【００１４】本発明の請求項１〜６の発明は上記（１）
〜（４）の構成としたので、大型のマスクを使用するこ
となく、第１のマスクパターンと第２のマスクパターン
をワーク上に露光することができ、マスクの製造コスト
を低廉化することができると共にマスクの保管・保守を
容易にすることができる。また、投影露光方式を用いて
いるので、ワーク上に塗布されたレジストがマスクに付
着することがなく、レジストを剥離する処理が不要とな
る。
〜（４）の構成としたので、大型のマスクを使用するこ
となく、第１のマスクパターンと第２のマスクパターン
をワーク上に露光することができ、マスクの製造コスト
を低廉化することができると共にマスクの保管・保守を
容易にすることができる。また、投影露光方式を用いて
いるので、ワーク上に塗布されたレジストがマスクに付
着することがなく、レジストを剥離する処理が不要とな
る。
【００１５】さらに、逐次露光方式を使用しているの
で、大型のワークのメッキ・エッチング等の熱処理によ
る伸縮の影響を受けることなく、正確な位置に露光する
ことができる。またさらに、１台の装置により第１，第
２のマスクパターンを露光することができるので、逐次
露光用装置と一括露光装置を用意し、一方の装置で露光
終了後、他の装置にワークを移送してアライメントを行
う作業が必要がなく、作業工程を簡単化することができ
る。
で、大型のワークのメッキ・エッチング等の熱処理によ
る伸縮の影響を受けることなく、正確な位置に露光する
ことができる。またさらに、１台の装置により第１，第
２のマスクパターンを露光することができるので、逐次
露光用装置と一括露光装置を用意し、一方の装置で露光
終了後、他の装置にワークを移送してアライメントを行
う作業が必要がなく、作業工程を簡単化することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２〜図４は本発明で使用される
マスクＭ上のマスクパターンと、該マスクＭを使用して
ワーク上に形成されるパターンの例を示す図である。図
２（ａ）は、ワークＷ上に同図（ｂ）に示すパターンＰ
１，Ｐ２を形成する際に使用されるマスクパターンの一
例を示しており、次のようにしてパターンＰ１，Ｐ２を
形成する。まず、同図（ａ）に示すマスクパターンＭＰ
１を使用して、ステップ・アンド・リピート方式によ
り、ワークＷ上に複数のパターンＰ１を形成する。次
に、マスクパターンＭＰ２を使用し、ワークＷを連続的
もしくは段階的に移動させてワークＷの周辺部を露光
し、ワークＷ上にパターンＰ２を形成する。
マスクＭ上のマスクパターンと、該マスクＭを使用して
ワーク上に形成されるパターンの例を示す図である。図
２（ａ）は、ワークＷ上に同図（ｂ）に示すパターンＰ
１，Ｐ２を形成する際に使用されるマスクパターンの一
例を示しており、次のようにしてパターンＰ１，Ｐ２を
形成する。まず、同図（ａ）に示すマスクパターンＭＰ
１を使用して、ステップ・アンド・リピート方式によ
り、ワークＷ上に複数のパターンＰ１を形成する。次
に、マスクパターンＭＰ２を使用し、ワークＷを連続的
もしくは段階的に移動させてワークＷの周辺部を露光
し、ワークＷ上にパターンＰ２を形成する。
【００１７】図３（ａ）は、ワークＷ上に例えば同図
（ｂ）に示すパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を形成する際に
使用されるマスクパターンの一例を示しており、次のよ
うにしてパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を形成する。まず、
同図（ａ）に示すマスクパターンＭＰ１を使用して、ス
テップ・アンド・リピート方式により、ワークＷ上に複
数のパターンＰ１を形成する。次に、マスクパターンＭ
Ｐ２を使用し、ワークＷを段階的に移動させてワークＷ
の上辺部と下辺部を露光しパターンＰ２を形成する。つ
いで、マスクパターンＭＰ３を使用し、ワークＷを段階
的に移動させてワークＷの右辺部と左辺部を露光しパタ
ーンＰ３を形成する。
（ｂ）に示すパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を形成する際に
使用されるマスクパターンの一例を示しており、次のよ
うにしてパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３を形成する。まず、
同図（ａ）に示すマスクパターンＭＰ１を使用して、ス
テップ・アンド・リピート方式により、ワークＷ上に複
数のパターンＰ１を形成する。次に、マスクパターンＭ
Ｐ２を使用し、ワークＷを段階的に移動させてワークＷ
の上辺部と下辺部を露光しパターンＰ２を形成する。つ
いで、マスクパターンＭＰ３を使用し、ワークＷを段階
的に移動させてワークＷの右辺部と左辺部を露光しパタ
ーンＰ３を形成する。
【００１８】図４（ａ）は、ワークＷ上に例えば同図
（ｂ）に示すパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を
形成する際に使用されるマスクパターンの一例を示して
おり、次のようにしてパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ
４，Ｐ５を形成する。まず、同図（ａ）に示すマスクパ
ターンＭＰ１を使用して、ステップ・アンド・リピート
方式により、ワークＷ上に複数のパターンＰ１を形成す
る。次に、マスクパターンＭＰ２を使用し、ワークＷを
段階的に移動させてワークＷの上辺部を露光しパターン
Ｐ２を形成し、また、マスクパターンＭＰ３を使用し、
同様にワークＷの左辺部を露光しパターンＰ３を形成す
る。さらに、マスクパターンＭＰ４を使用して、ワーク
Ｗの右辺部を露光しパターンＰ４を形成し、また、マス
クパターンＭＰ５を使用して、ワークＷの下辺部を露光
しパターンＰ５を形成する。
（ｂ）に示すパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を
形成する際に使用されるマスクパターンの一例を示して
おり、次のようにしてパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ
４，Ｐ５を形成する。まず、同図（ａ）に示すマスクパ
ターンＭＰ１を使用して、ステップ・アンド・リピート
方式により、ワークＷ上に複数のパターンＰ１を形成す
る。次に、マスクパターンＭＰ２を使用し、ワークＷを
段階的に移動させてワークＷの上辺部を露光しパターン
Ｐ２を形成し、また、マスクパターンＭＰ３を使用し、
同様にワークＷの左辺部を露光しパターンＰ３を形成す
る。さらに、マスクパターンＭＰ４を使用して、ワーク
Ｗの右辺部を露光しパターンＰ４を形成し、また、マス
クパターンＭＰ５を使用して、ワークＷの下辺部を露光
しパターンＰ５を形成する。
【００１９】図１は、ワークＷ上に上記図２〜図４に示
すパターンを形成するための本発明の第１の実施例の投
影露光装置の構成を示す図である。同図において、Ｍは
マスクであり、マスクＭ上には前記した図２〜図４に示
したマスクパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ２〜Ｍ
Ｐ５が設けられており、また、後述する位置合わせのた
めに使用されるアライメント・マークが印されている。
なお、以下の説明では前記図２に示したマスクを用いる
場合について説明する。
すパターンを形成するための本発明の第１の実施例の投
影露光装置の構成を示す図である。同図において、Ｍは
マスクであり、マスクＭ上には前記した図２〜図４に示
したマスクパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ２〜Ｍ
Ｐ５が設けられており、また、後述する位置合わせのた
めに使用されるアライメント・マークが印されている。
なお、以下の説明では前記図２に示したマスクを用いる
場合について説明する。
【００２０】ＬＨ１は第１の光照射部であり、例えば、
紫外線を照射するランプと集光鏡とコンデンサレンズと
フィルタＦ等から構成され、フィルタＦを光路中に挿入
することにより、第１の光照射部ＬＨ１から非露光光が
照射される。また、ＳＨ１はシャッタであり、シャッタ
ＳＨ１が開いているとき、マスクＭのマスクパターンＭ
Ｐ１上に露光光（非露光光）が照射される。ＬＨ２は第
２の光照射部であり、上記と同様、例えば、紫外線を照
射するランプと集光鏡とコンデンサレンズ等から構成さ
れる。そして、シャッタＳＨ２が開いているとき、第２
の光照射部ＬＨ２から放射される露光光は光ファイバＬ
Ｆを介して出射端ＬＯに導かれ、出射端ＬＯからマスク
Ｍ上のマスクパターンＭＰ２上に照射される。
紫外線を照射するランプと集光鏡とコンデンサレンズと
フィルタＦ等から構成され、フィルタＦを光路中に挿入
することにより、第１の光照射部ＬＨ１から非露光光が
照射される。また、ＳＨ１はシャッタであり、シャッタ
ＳＨ１が開いているとき、マスクＭのマスクパターンＭ
Ｐ１上に露光光（非露光光）が照射される。ＬＨ２は第
２の光照射部であり、上記と同様、例えば、紫外線を照
射するランプと集光鏡とコンデンサレンズ等から構成さ
れる。そして、シャッタＳＨ２が開いているとき、第２
の光照射部ＬＨ２から放射される露光光は光ファイバＬ
Ｆを介して出射端ＬＯに導かれ、出射端ＬＯからマスク
Ｍ上のマスクパターンＭＰ２上に照射される。
【００２１】ＳＤ１，ＳＤ２はシャッタＳＨ１，ＳＨ２
を駆動するシャッタ駆動機構、Ｓ１は遮光板であり、遮
光板Ｓ１は、後述するようにシャッタＳＨ１が開き、第
１の光照射部ＬＨ１からマスクＭ上に光が照射されてい
るとき、同図の位置に挿入され、第１の光照射部ＬＨ１
から放射される光がマスクＭＰ２上に照射されないよう
に遮光する。Ｗはワークであり、ワークＷの各サイト
（ステップ・アンド・リピートによりパターンＰ１を露
光する際の各露光区域）にはマスクとの位置合わせのた
めのアライメント・マークが印されている。
を駆動するシャッタ駆動機構、Ｓ１は遮光板であり、遮
光板Ｓ１は、後述するようにシャッタＳＨ１が開き、第
１の光照射部ＬＨ１からマスクＭ上に光が照射されてい
るとき、同図の位置に挿入され、第１の光照射部ＬＨ１
から放射される光がマスクＭＰ２上に照射されないよう
に遮光する。Ｗはワークであり、ワークＷの各サイト
（ステップ・アンド・リピートによりパターンＰ１を露
光する際の各露光区域）にはマスクとの位置合わせのた
めのアライメント・マークが印されている。
【００２２】Ｌは投影レンズ、ＷＳはワークステージで
あり、第１、第２の光照射部ＬＨ１，ＬＨ２から放射さ
れる光はマスクＭおよび投影レンズＬを介してワークＷ
上に照射される。ＷＳＤはワークステージ駆動機構であ
り、ワークステージ駆動機構ＷＳＤはワークステージＷ
ＳをＸ，Ｙ，（ワークＷの面に平行な平面上の２軸），
Ｚ（Ｘ，Ｙ軸に直交する軸）方向に移動させるととも
に、Ｘ，Ｙ平面に垂直な軸を中心として回転させる（θ
方向の移動という）。なお、ワークステージ駆動機構Ｗ
ＳＤには図示しないエンコーダが設けられており、ワー
クステージＷＳの移動量は該エンコーダにより検出され
る。
あり、第１、第２の光照射部ＬＨ１，ＬＨ２から放射さ
れる光はマスクＭおよび投影レンズＬを介してワークＷ
上に照射される。ＷＳＤはワークステージ駆動機構であ
り、ワークステージ駆動機構ＷＳＤはワークステージＷ
ＳをＸ，Ｙ，（ワークＷの面に平行な平面上の２軸），
Ｚ（Ｘ，Ｙ軸に直交する軸）方向に移動させるととも
に、Ｘ，Ｙ平面に垂直な軸を中心として回転させる（θ
方向の移動という）。なお、ワークステージ駆動機構Ｗ
ＳＤには図示しないエンコーダが設けられており、ワー
クステージＷＳの移動量は該エンコーダにより検出され
る。
【００２３】ＡＳはアライメント系であり、アライメン
ト系ＡＳは、例えば、図５に示すようなアライメントユ
ニットＡＵから構成される。図５において、ＨＭはハー
フミラー、Ｌ１，Ｌ２はレンズ、ＩＳはＣＣＤ等から構
成される受像素子であり、アライメントユニットＡＵは
マスクＭおよびワークＷに設けられた位置合わせ用のア
ライメント・マーク（図示せず）に対応した数だけ設け
られている。そして、アライメント時、ハーフミラーＨ
Ｍ、レンズＬ１，Ｌ２を介して受像素子ＩＳにより、ワ
ークＷ上に結像するマスクのアライメント・マークと、
ワークの各サイトに印されたワークのアライメント・マ
ークを受像する。
ト系ＡＳは、例えば、図５に示すようなアライメントユ
ニットＡＵから構成される。図５において、ＨＭはハー
フミラー、Ｌ１，Ｌ２はレンズ、ＩＳはＣＣＤ等から構
成される受像素子であり、アライメントユニットＡＵは
マスクＭおよびワークＷに設けられた位置合わせ用のア
ライメント・マーク（図示せず）に対応した数だけ設け
られている。そして、アライメント時、ハーフミラーＨ
Ｍ、レンズＬ１，Ｌ２を介して受像素子ＩＳにより、ワ
ークＷ上に結像するマスクのアライメント・マークと、
ワークの各サイトに印されたワークのアライメント・マ
ークを受像する。
【００２４】受像された画像は、図示しない制御装置に
送出され、制御装置は、ワークステージ駆動機構ＷＳＤ
によりワークステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動さ
せ、マスクＭとワークＷのアライメント・マークが重な
るようにマスクＭとワークＷの位置合わせを行う。ま
た、上記画像を図示しないモニタ上に表示し、モニタを
見ながら作業者がワークステージＷＳを移動させてマス
クＭとワークＷの位置合わせを行うこともできる。
送出され、制御装置は、ワークステージ駆動機構ＷＳＤ
によりワークステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動さ
せ、マスクＭとワークＷのアライメント・マークが重な
るようにマスクＭとワークＷの位置合わせを行う。ま
た、上記画像を図示しないモニタ上に表示し、モニタを
見ながら作業者がワークステージＷＳを移動させてマス
クＭとワークＷの位置合わせを行うこともできる。
【００２５】次に本実施例の露光処理について説明す
る。 （１）予め、マスクパターンＭＰ１，ＭＰ２とワークＷ
の表面が結像関係にあるようにマスクＭ、投影レンズＬ
およびワークＷの位置関係を調整しておく。またワーク
ステージＷＳのＸＹ方向の位置を、ワークＷの最初に露
光するサイトが露光位置にくるように調整しておく。 （２）ワークＷをワークステージＷＳ上に載置する。ワ
ークステージＷＳ上には、ワークＷの位置を定めるピン
等が設けられており、ワークＷを該ピンに突き当てワー
クの位置をプリアライメントする。なお、ワークＷの設
置精度は±５０μｍ程度であり、ワークＷの載置位置が
これ以上ずれるとワークＷのアライメント・マークがア
ライメント・ユニットＡＵの視野から外れる。
る。 （１）予め、マスクパターンＭＰ１，ＭＰ２とワークＷ
の表面が結像関係にあるようにマスクＭ、投影レンズＬ
およびワークＷの位置関係を調整しておく。またワーク
ステージＷＳのＸＹ方向の位置を、ワークＷの最初に露
光するサイトが露光位置にくるように調整しておく。 （２）ワークＷをワークステージＷＳ上に載置する。ワ
ークステージＷＳ上には、ワークＷの位置を定めるピン
等が設けられており、ワークＷを該ピンに突き当てワー
クの位置をプリアライメントする。なお、ワークＷの設
置精度は±５０μｍ程度であり、ワークＷの載置位置が
これ以上ずれるとワークＷのアライメント・マークがア
ライメント・ユニットＡＵの視野から外れる。
【００２６】（３）第１の光照射部ＬＨ１から放射され
る光がマスクＭのマスクパターンＭＰ１のみに照射され
るように、遮光板Ｓ１の位置を調整する。なお、遮光板
Ｓ１によりマスクパターンＭＰ２を遮光したとき、第１
の光照射部ＬＨ１から放射される光が回り込んでマスク
パターンＭＰ２上に照射されないようにするため、マス
クパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ２は一定の距離
離れている。 （４）第１の光照射部ＬＨ１から放射される光の光路中
にフィルタＦを挿入した後、シャッタ駆動機構ＳＤ１に
よりシャッタＳＨ１を開く。これにより第１の光照射部
ＬＨ１から非露光光がマスクＭ上に照射される。なお、
このとき第２の光照射部ＬＨ２のシャッタＳＨ２は閉じ
ており、出射端ＬＯから光は照射されていない。
る光がマスクＭのマスクパターンＭＰ１のみに照射され
るように、遮光板Ｓ１の位置を調整する。なお、遮光板
Ｓ１によりマスクパターンＭＰ２を遮光したとき、第１
の光照射部ＬＨ１から放射される光が回り込んでマスク
パターンＭＰ２上に照射されないようにするため、マス
クパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ２は一定の距離
離れている。 （４）第１の光照射部ＬＨ１から放射される光の光路中
にフィルタＦを挿入した後、シャッタ駆動機構ＳＤ１に
よりシャッタＳＨ１を開く。これにより第１の光照射部
ＬＨ１から非露光光がマスクＭ上に照射される。なお、
このとき第２の光照射部ＬＨ２のシャッタＳＨ２は閉じ
ており、出射端ＬＯから光は照射されていない。
【００２７】（５）ワークステージＷＳをＺ軸方向に移
動させ（もしくはマスクＭと投影レンズＬをＺ軸方向に
移動させ）非露光光による収差を補正し、非露光光によ
るマスクＭのアライメント・マークの投影像をワークＷ
上に結像させる。 （６）アライメント系ＡＳを挿入してマスクＭとワーク
Ｗのアライメント・マークを受像する。そして、ワーク
ステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動させ、ワークの最
初に露光するサイトのアライメント・マークとマスクの
アライメント・マークが重なるようにマスクＭとワーク
Ｗの位置合わせを行う。
動させ（もしくはマスクＭと投影レンズＬをＺ軸方向に
移動させ）非露光光による収差を補正し、非露光光によ
るマスクＭのアライメント・マークの投影像をワークＷ
上に結像させる。 （６）アライメント系ＡＳを挿入してマスクＭとワーク
Ｗのアライメント・マークを受像する。そして、ワーク
ステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動させ、ワークの最
初に露光するサイトのアライメント・マークとマスクの
アライメント・マークが重なるようにマスクＭとワーク
Ｗの位置合わせを行う。
【００２８】（７）シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシャ
ッタＳＨ１を駆動してシャッタＳＨ１を閉じる。 （８）第１の光照射部ＬＨ１の光路中に挿入されたフィ
ルタＦを離脱させ、第１の光照射部ＬＨ１から露光光が
放射されるようにする。 （９）露光光によるマスクＭのマスクパターンＭＰ１の
投影像がワークＷ上に結像するようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置（もしくは投影レンズＬとマスクＭの
Ｚ方向の位置）を調整したのち、シャッタ駆動機構ＳＤ
１によりシャッタＳＨ１開く。これにより、ワークＷの
最初のサイトにマスクパターンＭＰ１が露光される。
ッタＳＨ１を駆動してシャッタＳＨ１を閉じる。 （８）第１の光照射部ＬＨ１の光路中に挿入されたフィ
ルタＦを離脱させ、第１の光照射部ＬＨ１から露光光が
放射されるようにする。 （９）露光光によるマスクＭのマスクパターンＭＰ１の
投影像がワークＷ上に結像するようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置（もしくは投影レンズＬとマスクＭの
Ｚ方向の位置）を調整したのち、シャッタ駆動機構ＳＤ
１によりシャッタＳＨ１開く。これにより、ワークＷの
最初のサイトにマスクパターンＭＰ１が露光される。
【００２９】（１０）ワークステージ駆動機構ＷＳＤに
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけＸ
Ｙ方向に移動させ、ワークＷの第２番目のサイトが露光
位置にくるようにする。 （１１）上記（４）〜（１０）の工程を繰り返し、マス
クパターンＭＰ１をワークＷ上の各サイトに露光したの
ち、シャッタＳＨ１を閉じる。 （１２）遮光板Ｓ１を図１の位置から除去し、第２の光
照射部ＬＨ２の光がマスクパターンＭＰ２上に照射され
るようにする。
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけＸ
Ｙ方向に移動させ、ワークＷの第２番目のサイトが露光
位置にくるようにする。 （１１）上記（４）〜（１０）の工程を繰り返し、マス
クパターンＭＰ１をワークＷ上の各サイトに露光したの
ち、シャッタＳＨ１を閉じる。 （１２）遮光板Ｓ１を図１の位置から除去し、第２の光
照射部ＬＨ２の光がマスクパターンＭＰ２上に照射され
るようにする。
【００３０】（１３）ワークステージ駆動機構ＷＳＤに
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけ移
動させ、ワークＷ上のマスクパターンＭＰ２の露光区域
が露光位置にくるようにする。なお、マスクＭのマスク
パターンＭＰ１とＭＰ２の位置関係はわかっており、ま
た、ワークＷ上のパターンＰ１の露光区域とパターンＰ
２の露光区域の位置関係もわかっているので、前記
（６）で位置合わせをした後のワークステージＷＳの位
置を記憶しておくことにより、マスクパターンＭＰ２の
露光区域を露光位置に移動させるためのワークステージ
ＷＳの移動量を求めることができる。
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけ移
動させ、ワークＷ上のマスクパターンＭＰ２の露光区域
が露光位置にくるようにする。なお、マスクＭのマスク
パターンＭＰ１とＭＰ２の位置関係はわかっており、ま
た、ワークＷ上のパターンＰ１の露光区域とパターンＰ
２の露光区域の位置関係もわかっているので、前記
（６）で位置合わせをした後のワークステージＷＳの位
置を記憶しておくことにより、マスクパターンＭＰ２の
露光区域を露光位置に移動させるためのワークステージ
ＷＳの移動量を求めることができる。
【００３１】（１４）シャッタ駆動機構ＳＤ２によりシ
ャッタＳＨ２を開き、出射端ＬＯから露光光を放射させ
る。 （１５）ワークステージＷＳを連続的にもしくは段階的
に移動させ、ワークＷの周辺部を露光してパターンＰ２
を形成する。 （１６）露光終了後、シャッタ駆動機構ＳＤ２によりシ
ャッタＳＨ２を閉じ、第２の光照射部ＬＨ２からの露光
光の放射を停止する。
ャッタＳＨ２を開き、出射端ＬＯから露光光を放射させ
る。 （１５）ワークステージＷＳを連続的にもしくは段階的
に移動させ、ワークＷの周辺部を露光してパターンＰ２
を形成する。 （１６）露光終了後、シャッタ駆動機構ＳＤ２によりシ
ャッタＳＨ２を閉じ、第２の光照射部ＬＨ２からの露光
光の放射を停止する。
【００３２】なお、上記説明では前記図２に示したマス
クパターンＭＰ１，ＭＰ２を使用して露光する場合につ
いて説明したが、前記図３に示したマスクＭを用いて、
同図に示すパターンＰ２，Ｐ３を形成する場合にも同様
に行うことができる。ここで、前記図２に示したように
ワークＷの周辺部を一様に露光する場合には、ワークＷ
を連続的に移動させて露光すればよいが、例えば図３に
示したように、ワークＷの上辺部と下辺部に異なったパ
ターンＰ２，Ｐ３を形成する場合には、ワークステージ
ＷＳを段階的に移動させワークＷの上辺部と下辺部の各
サイトを露光する。
クパターンＭＰ１，ＭＰ２を使用して露光する場合につ
いて説明したが、前記図３に示したマスクＭを用いて、
同図に示すパターンＰ２，Ｐ３を形成する場合にも同様
に行うことができる。ここで、前記図２に示したように
ワークＷの周辺部を一様に露光する場合には、ワークＷ
を連続的に移動させて露光すればよいが、例えば図３に
示したように、ワークＷの上辺部と下辺部に異なったパ
ターンＰ２，Ｐ３を形成する場合には、ワークステージ
ＷＳを段階的に移動させワークＷの上辺部と下辺部の各
サイトを露光する。
【００３３】すなわち、ワークステージＷＳをワークＷ
の上辺部の最初のサイトで停止させマスクパターンＭＰ
２を露光する。ついで、シャッタＳＨ２を閉じて露光光
の放射を停止させたのち、ワークＷの次のサイトが露光
位置になるようにワークステージＷＳを移動させた後、
ワークステージＷＳを停止させ、マスクパターンＭＰ２
を露光する。同様に、上記操作を繰り返し、ワークＷの
上辺部にパターンＰ２を形成する。さらに、前記図３に
示したマスクパターンＭＰ３、図４に示したマスクパタ
ーンＭＰ４、ＭＰ５を露光する場合にも、上記と同様に
ワークステージを段階的に移動させて各パターンＰ２〜
Ｐ５を露光する。
の上辺部の最初のサイトで停止させマスクパターンＭＰ
２を露光する。ついで、シャッタＳＨ２を閉じて露光光
の放射を停止させたのち、ワークＷの次のサイトが露光
位置になるようにワークステージＷＳを移動させた後、
ワークステージＷＳを停止させ、マスクパターンＭＰ２
を露光する。同様に、上記操作を繰り返し、ワークＷの
上辺部にパターンＰ２を形成する。さらに、前記図３に
示したマスクパターンＭＰ３、図４に示したマスクパタ
ーンＭＰ４、ＭＰ５を露光する場合にも、上記と同様に
ワークステージを段階的に移動させて各パターンＰ２〜
Ｐ５を露光する。
【００３４】なお、図３、図４のパターンＰ２〜Ｐ５を
形成する場合には、遮光板Ｓ１と、第２の光照射部ＬＨ
２の出射端ＬＯとをマスクＭの周辺部に複数設ける。こ
のように構成すれば、出射端ＬＯあるいはマスクＭを移
動させることなくパターンＭＰ２〜ＭＰ５を露光するこ
とができる。また、上記実施例では、第１の光照射部Ｌ
Ｈ１と、第２の光照射部ＬＨ２として別な光源を用いる
場合について説明したが、第２の光照射部ＬＨ２を設け
ず、第１の光照射部ＬＨ１から分岐した光を使用しても
よい。
形成する場合には、遮光板Ｓ１と、第２の光照射部ＬＨ
２の出射端ＬＯとをマスクＭの周辺部に複数設ける。こ
のように構成すれば、出射端ＬＯあるいはマスクＭを移
動させることなくパターンＭＰ２〜ＭＰ５を露光するこ
とができる。また、上記実施例では、第１の光照射部Ｌ
Ｈ１と、第２の光照射部ＬＨ２として別な光源を用いる
場合について説明したが、第２の光照射部ＬＨ２を設け
ず、第１の光照射部ＬＨ１から分岐した光を使用しても
よい。
【００３５】図６、図７は本発明の第２の実施例の投影
露光装置の構成を示す図である。同図において、図１に
示したものと同一のものには同一の符号が付されてお
り、本実施例においては、図１に示した第２の光照射部
ＬＨ２、シャッタＳＨ２，シャッタ駆動機構ＳＤ２、フ
ァイバＬＦ、出射端ＬＯが設けられておらず、代わりに
複数の遮光板が設けられている（図６、図７の遮光板Ｓ
２，Ｓ３）。そして、マスクパターンＭＰ１〜ＭＰ５が
光照射部ＬＨ１の有効露光エリア内に入るように露光エ
リアを設定し、上記遮光板Ｓ２，Ｓ３により光照射部Ｌ
Ｈ１から放射される光を遮光しながら各パターンを露光
するようにしたものであり、その他の構成は図１に示し
たものと同様である。
露光装置の構成を示す図である。同図において、図１に
示したものと同一のものには同一の符号が付されてお
り、本実施例においては、図１に示した第２の光照射部
ＬＨ２、シャッタＳＨ２，シャッタ駆動機構ＳＤ２、フ
ァイバＬＦ、出射端ＬＯが設けられておらず、代わりに
複数の遮光板が設けられている（図６、図７の遮光板Ｓ
２，Ｓ３）。そして、マスクパターンＭＰ１〜ＭＰ５が
光照射部ＬＨ１の有効露光エリア内に入るように露光エ
リアを設定し、上記遮光板Ｓ２，Ｓ３により光照射部Ｌ
Ｈ１から放射される光を遮光しながら各パターンを露光
するようにしたものであり、その他の構成は図１に示し
たものと同様である。
【００３６】次に、図６、図７により本実施例の露光処
理について説明する。なお、以下の説明では前記図２に
示したマスクを用いる場合について説明する。 （１）予め、マスクパターンＭＰ１，ＭＰ２とワークＷ
の表面が結像関係にあるようにマスクＭ、投影レンズＬ
およびワークＷの位置関係を調整しておく。またワーク
ステージＷＳのＸＹ方向の位置を、ワークＷの最初に露
光するサイトが露光位置にくるように調整しておく。
理について説明する。なお、以下の説明では前記図２に
示したマスクを用いる場合について説明する。 （１）予め、マスクパターンＭＰ１，ＭＰ２とワークＷ
の表面が結像関係にあるようにマスクＭ、投影レンズＬ
およびワークＷの位置関係を調整しておく。またワーク
ステージＷＳのＸＹ方向の位置を、ワークＷの最初に露
光するサイトが露光位置にくるように調整しておく。
【００３７】（２）前記したように、ワークＷをワーク
ステージＷＳ上に載置しプリアライメントする。 （３）図６に示すように、光照射部ＬＨ１から放射され
る光がマスクＭのマスクパターンＭＰ１のみに照射され
るように、遮光板Ｓ２，Ｓ３の位置を調整する。なお、
前記したように遮光板Ｓ２によりマスクパターンＭＰ２
を遮光したとき、光照射部ＬＨ１から放射される光が回
り込んでマスクパターンＭＰ２上に照射されないように
するため、マスクパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ
２は一定の距離離れている。
ステージＷＳ上に載置しプリアライメントする。 （３）図６に示すように、光照射部ＬＨ１から放射され
る光がマスクＭのマスクパターンＭＰ１のみに照射され
るように、遮光板Ｓ２，Ｓ３の位置を調整する。なお、
前記したように遮光板Ｓ２によりマスクパターンＭＰ２
を遮光したとき、光照射部ＬＨ１から放射される光が回
り込んでマスクパターンＭＰ２上に照射されないように
するため、マスクパターンＭＰ１とマスクパターンＭＰ
２は一定の距離離れている。
【００３８】（４）第１の光照射部ＬＨ１から放射され
る光の光路中にフィルタＦを挿入した後、シャッタ駆動
機構ＳＤ１によりシャッタＳＨ１を開く。これにより第
１の光照射部ＬＨ１から非露光光がマスクＭ上に照射さ
れる。 （５）ワークステージＷＳをＺ軸方向に移動させ（もし
くはマスクＭと投影レンズＬをＺ軸方向に移動させ）て
非露光光による収差を補正し、非露光光によるマスクＭ
のアライメント・マークの投影像をワークＷ上に結像さ
せる。 （６）アライメント系ＡＳを挿入してマスクＭとワーク
Ｗのアライメント・マークを受像する。そして、ワーク
ステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動させ、ワークの最
初に露光するサイトのアライメント・マークとマスクの
アライメント・マークが重なるようにマスクＭとワーク
Ｗの位置合わせを行う。
る光の光路中にフィルタＦを挿入した後、シャッタ駆動
機構ＳＤ１によりシャッタＳＨ１を開く。これにより第
１の光照射部ＬＨ１から非露光光がマスクＭ上に照射さ
れる。 （５）ワークステージＷＳをＺ軸方向に移動させ（もし
くはマスクＭと投影レンズＬをＺ軸方向に移動させ）て
非露光光による収差を補正し、非露光光によるマスクＭ
のアライメント・マークの投影像をワークＷ上に結像さ
せる。 （６）アライメント系ＡＳを挿入してマスクＭとワーク
Ｗのアライメント・マークを受像する。そして、ワーク
ステージＷＳをＸ，Ｙ，θ方向に移動させ、ワークの最
初に露光するサイトのアライメント・マークとマスクの
アライメント・マークが重なるようにマスクＭとワーク
Ｗの位置合わせを行う。
【００３９】（７）シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシャ
ッタＳＨ１を駆動してシャッタＳＨ１を閉じる。 （８）光照射部ＬＨ１の光路中に挿入されたフィルタＦ
を離脱させ、光照射部ＬＨ１から露光光が放射されるよ
うにする。 （９）露光光によるマスクＭのマスクパターンＭＰ１の
投影像がワークＷ上に結像するようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置（もしくは投影レンズＬとマスクＭの
Ｚ方向の位置）を調整したのち、シャッタ駆動機構ＳＤ
１によりシャッタＳＨ１開く。これにより、ワークＷの
最初のサイトにマスクパターンＭＰ１が露光される。
ッタＳＨ１を駆動してシャッタＳＨ１を閉じる。 （８）光照射部ＬＨ１の光路中に挿入されたフィルタＦ
を離脱させ、光照射部ＬＨ１から露光光が放射されるよ
うにする。 （９）露光光によるマスクＭのマスクパターンＭＰ１の
投影像がワークＷ上に結像するようにワークステージＷ
ＳのＺ方向の位置（もしくは投影レンズＬとマスクＭの
Ｚ方向の位置）を調整したのち、シャッタ駆動機構ＳＤ
１によりシャッタＳＨ１開く。これにより、ワークＷの
最初のサイトにマスクパターンＭＰ１が露光される。
【００４０】（１０）ワークステージ駆動機構ＷＳＤに
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけＸ
Ｙ方向に移動させ、ワークＷの第２番目のサイトが露光
位置にくるようにする。 （１１）上記（４）〜（１０）の工程を繰り返し、マス
クパターンＭＰ１をワークＷ上の各サイトに露光したの
ち、シャッタＳＨ１を閉じる。 （１２）図７に示すように、第１の光照射部ＬＨ１から
の光がマスクパターンＭＰ２のみを照射するように遮光
板Ｓ２，Ｓ３の位置を調整する。
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけＸ
Ｙ方向に移動させ、ワークＷの第２番目のサイトが露光
位置にくるようにする。 （１１）上記（４）〜（１０）の工程を繰り返し、マス
クパターンＭＰ１をワークＷ上の各サイトに露光したの
ち、シャッタＳＨ１を閉じる。 （１２）図７に示すように、第１の光照射部ＬＨ１から
の光がマスクパターンＭＰ２のみを照射するように遮光
板Ｓ２，Ｓ３の位置を調整する。
【００４１】（１３）ワークステージ駆動機構ＷＳＤに
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけ移
動させ、ワークＷ上のマスクパターンＭＰ２の露光区域
が露光位置にくるようにする。 （１４）シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシャッタＳＨ１
を開き、光照射部ＬＨ１からの露光光をマスクパターン
ＭＰ２上に照射する。 （１５）ワークステージＷＳを連続的にもしくは段階的
に移動させ、ワークＷの周辺部を露光してパターンＰ２
を形成する。 （１６）露光終了後、シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシ
ャッタＳＨ１を閉じ、光照射部ＬＨ１からの露光光の放
射を停止する。
よりワークステージＷＳを予め定められた所定量だけ移
動させ、ワークＷ上のマスクパターンＭＰ２の露光区域
が露光位置にくるようにする。 （１４）シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシャッタＳＨ１
を開き、光照射部ＬＨ１からの露光光をマスクパターン
ＭＰ２上に照射する。 （１５）ワークステージＷＳを連続的にもしくは段階的
に移動させ、ワークＷの周辺部を露光してパターンＰ２
を形成する。 （１６）露光終了後、シャッタ駆動機構ＳＤ１によりシ
ャッタＳＨ１を閉じ、光照射部ＬＨ１からの露光光の放
射を停止する。
【００４２】なお、上記説明では前記図２に示したマス
クパターンＭＰ１，ＭＰ２を使用して露光する場合につ
いて説明したが、前記図３に示したマスクＭを用いて、
同図に示すパターンＰ２，Ｐ３を形成する場合にも、遮
光板Ｓ２、Ｓ３の位置を調整して、前記したようにワー
クステージＷＳを段階的に移動させワークＷの上辺部と
下辺部の各サイトを露光することができる。
クパターンＭＰ１，ＭＰ２を使用して露光する場合につ
いて説明したが、前記図３に示したマスクＭを用いて、
同図に示すパターンＰ２，Ｐ３を形成する場合にも、遮
光板Ｓ２、Ｓ３の位置を調整して、前記したようにワー
クステージＷＳを段階的に移動させワークＷの上辺部と
下辺部の各サイトを露光することができる。
【００４３】さらに、前記図３に示したマスクパターン
ＭＰ３、図４に示したマスクパターンＭＰ４、ＭＰ５を
露光する場合にも、上記と同様にワークステージを段階
的に移動させて各パターンＰ３〜Ｐ５を露光する。な
お、図３、図４のパターンＰ２〜Ｐ５を形成する場合に
は、遮光板Ｓ２，Ｓ３に加え、遮光板Ｓ２，Ｓ３の移動
方向と直交方向に移動する第３、第４の遮光板を設け、
各遮光板により、露光中のマスクパターン以外のマスク
パターンに光が照射されないようにする。
ＭＰ３、図４に示したマスクパターンＭＰ４、ＭＰ５を
露光する場合にも、上記と同様にワークステージを段階
的に移動させて各パターンＰ３〜Ｐ５を露光する。な
お、図３、図４のパターンＰ２〜Ｐ５を形成する場合に
は、遮光板Ｓ２，Ｓ３に加え、遮光板Ｓ２，Ｓ３の移動
方向と直交方向に移動する第３、第４の遮光板を設け、
各遮光板により、露光中のマスクパターン以外のマスク
パターンに光が照射されないようにする。
【００４４】また、前記図２に示したパターンＰ１，Ｐ
２を形成する場合には、２枚の遮光板Ｓ２，Ｓ３を設け
る代わりに、遮光板を一枚とし、上記（３）においては
マスクパターンＭＰ２の光路のみを遮光し、上記（１
２）においては、マスクパターンＭＰ１の光路のみを遮
光するようにしてもよい。
２を形成する場合には、２枚の遮光板Ｓ２，Ｓ３を設け
る代わりに、遮光板を一枚とし、上記（３）においては
マスクパターンＭＰ２の光路のみを遮光し、上記（１
２）においては、マスクパターンＭＰ１の光路のみを遮
光するようにしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを有
するマスクを用い、光照射部より上記第１のマスクパタ
ーンに露光光を照射して、ワーク上に第１のマスクパタ
ーンを逐次露光し、逐次露光終了後、ワークを第２のマ
スクパターンの結像位置まで移動させ、光照射部よりマ
スク上の第２のマスクパターンに露光光を照射してワー
ク上に上記第２のマスクパターンを露光するようにした
ので、以下の効果を得ることができる。
は、第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを有
するマスクを用い、光照射部より上記第１のマスクパタ
ーンに露光光を照射して、ワーク上に第１のマスクパタ
ーンを逐次露光し、逐次露光終了後、ワークを第２のマ
スクパターンの結像位置まで移動させ、光照射部よりマ
スク上の第２のマスクパターンに露光光を照射してワー
ク上に上記第２のマスクパターンを露光するようにした
ので、以下の効果を得ることができる。
【００４６】（１）大型のマスクを使用することなく、
第１のマスクパターンと第２のマスクパターンをワーク
上に露光することができる。このため、マスクの製造コ
ストを低廉化することができると共にマスクの保管・保
守を容易にすることができる。 （２）投影露光方式を用いているので、ワーク上に塗布
されたレジストがマスクに付着することがなく、レジス
トを剥離する処理が不要となる。
第１のマスクパターンと第２のマスクパターンをワーク
上に露光することができる。このため、マスクの製造コ
ストを低廉化することができると共にマスクの保管・保
守を容易にすることができる。 （２）投影露光方式を用いているので、ワーク上に塗布
されたレジストがマスクに付着することがなく、レジス
トを剥離する処理が不要となる。
【００４７】（３）第１のマスクパターンの露光に逐次
露光方式を使用しているので、大型のワークのメッキ・
エッチング等の熱処理による伸縮の影響を受けることな
く、正確な位置に露光することができる。 （４）１台の装置により第１，第２のマスクパターンを
露光することができるので、逐次露光用装置と一括露光
装置とを２台用意する必要がない。また、一方の装置で
露光終了後、他の装置にワークを移送してアライメント
を行う作業が必要がなく、作業工程を簡単化することが
できる。
露光方式を使用しているので、大型のワークのメッキ・
エッチング等の熱処理による伸縮の影響を受けることな
く、正確な位置に露光することができる。 （４）１台の装置により第１，第２のマスクパターンを
露光することができるので、逐次露光用装置と一括露光
装置とを２台用意する必要がない。また、一方の装置で
露光終了後、他の装置にワークを移送してアライメント
を行う作業が必要がなく、作業工程を簡単化することが
できる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】マスクパターンとワークに形成されるパターン
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図３】マスクパターンとワークに形成されるパターン
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図４】マスクパターンとワークに形成されるパターン
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図５】アライメントユニットの構成例を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図８】ワーク上の露光パターンの一例を示す図であ
る。
る。
【図９】図８のパターンを一括露光する場合のマスクを
示す図である。
示す図である。
【図１０】図８のパターンを逐次露光＋一括露光する場
合のマスクを示す図である。
合のマスクを示す図である。
【符号の説明】 ＬＨ１，ＬＨ２ 光照射部 Ｆ フィルタ ＳＨ１，ＳＨ２ シャッタ ＳＤ１，ＳＤ２ シャッタ駆動機構 Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ 遮光板 ＬＦ ファイバ ＬＯ 出射端 Ｍ マスク ＭＰ１〜ＭＰ５ マスクパターン Ｌ 投影レンズ ＡＳ アライメント系 ＡＵ アライメントユニット ＨＭ ハーフミラー Ｌ１，Ｌ２ レンズ ＩＳ 受像素子 Ｗ ワーク ＷＳ ワークステージ ＷＳＤ ワークステージ駆動機構
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
Claims (6)
- 【請求項１】 第１のマスクパターンと第２のマスクパ
ターンを有するマスクを用いて、光照射部より上記第１
のマスクパターンに露光光を照射して、投影レンズを介
してワーク上に第１のマスクパターンを結像・露光した
のち、上記光照射部からの露光光の放射を停止してワー
クを所定量移動させ、 以下、上記第１のマスクパターンのワーク上への結像・
露光と、ワークの移動を繰り返して、ワーク上に第１の
マスクパターンを逐次露光し、 上記逐次露光終了後、ワークを第２のマスクパターンの
結像位置まで移動させ、光照射部よりマスク上の第２の
マスクパターンに露光光を照射して投影レンズを介して
ワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露光する
ことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】 第１のマスクパターンと第２のマスクパ
ターンを有するマスクを用いて、第１の光照射部より上
記第１のマスクパターンに露光光を照射して、投影レン
ズを介してワーク上に第１のマスクパターンを結像・露
光したのち、上記第１の光照射部からの露光光の放射を
停止してワークを所定量移動させ、 以下、上記第１のマスクパターンのワーク上への結像・
露光と、ワークの移動を繰り返して、ワーク上に第１の
マスクパターンを逐次露光し、 上記逐次露光終了後、ワークを第２のマスクパターンの
結像位置まで移動させ、第２の光照射部よりマスク上の
第２のマスクパターンに露光光を照射して投影レンズを
介してワーク上に上記第２のマスクパターンを結像・露
光することを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項３】 第１の光照射部と第２のマスクパターン
との間に遮光板を設け、第１の光照射部から放射される
露光光が第２のマスクパターンに照射されないようにし
たことを特徴とする請求項２の投影露光方法。 - 【請求項４】 第１のマスクパターンと第２のマスクパ
ターンを有するマスクを用い、遮光板を第２のマスクパ
ターン上に設置し、 光照射部より上記第１のマスクパターンにのみ露光光を
照射して、投影レンズを介してワーク上に第１のマスク
パターンを結像・露光したのち、上記光照射部からの露
光光の放射を停止してワークを所定量移動させ、 以下、上記第１のマスクパターンのワーク上への結像・
露光と、ワークの移動を繰り返して、ワーク上に第１の
マスクパターンを逐次露光し、 上記逐次露光終了後、ワークを第２のマスクパターンの
結像位置まで移動させ、遮光板を第１のマスクパターン
上に設置し、光照射部よりマスク上の第２のマスクパタ
ーンにのみ露光光を照射して投影レンズを介してワーク
上に上記第２のマスクパターンを結像・露光することを
特徴とする投影露光方法。 - 【請求項５】 第１のマスクパターンと第２のマスクパ
ターンを有するマスクと、 上記マスクの第１のマスクパターンに露光光を照射する
第１の光照射部と、 上記マスクの第２のマスクパターンに露光光を照射する
第２の光照射部と、 投影レンズと、上記マスクと該投影レンズを介して上記
第１および第２の光照射が放射する光が照射されるワー
クと、 上記ワークを載置するワークステージと、該ワークステ
ージを移動させるワークステージ駆動機構とを備えた投
影露光装置であって、 上記第１の光照射部から放射される光により、第１のマ
スクパターンをワーク上に結像させ、上記ワークステー
ジ駆動機構により、ワークを移動させながらワーク上に
第１のマスクパターンを逐次露光し、 上記第２の光照射部から放射される光により、第２のマ
スクパターンをワーク上に結像させ、上記ワークステー
ジ駆動機構により、ワークを連続的もしくは段階的に移
動させながらワーク上に第２のマスクパターンを露光す
ることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項６】 第１のマスクパターンと第２のマスクパ
ターンを有するマスクと、 上記マスクの第１のマスクパターンと第２のマスクパタ
ーンに露光光を照射する光照射部と、 上記光照射部とマスクの間に設けられ、上記光照射部と
第１のマスクパターンもしくは上記光照射部と第２のマ
スクパターン間の光路中に選択的に設置される遮光板
と、 投影レンズと、上記マスクと該投影レンズを介して上記
光照射が放射する光が照射されるワークと、 上記ワークを載置するワークステージと、該ワークステ
ージを移動させるワークステージ駆動機構とを備えた投
影露光装置であって、 上記光照射部から放射される光が第１のマスクパターン
にのみ照射されるように上記遮光板を光照射部と第２の
マスクパターン間の光路中に設置し、第１のマスクパタ
ーンをワーク上に結像させ、上記ワークステージ駆動機
構により、ワークを移動させながらワーク上に第１のマ
スクパターンを逐次露光し、 上記光照射部から放射される光が第２のマスクパターン
にのみ照射されるように上記遮光板を光照射部と第１の
マスクパターン間の光路中に設置し、第２のマスクパタ
ーンをワーク上に結像させ、上記ワークステージ駆動機
構により、ワークを連続的もしくは段階的に移動させな
がらワーク上に第２のマスクパターンを露光することを
特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034821A JPH09230610A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 投影露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034821A JPH09230610A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 投影露光方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09230610A true JPH09230610A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12424872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8034821A Pending JPH09230610A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 投影露光方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09230610A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819424B1 (en) | 1999-01-25 | 2004-11-16 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Exposure device for a strip-shaped workpiece |
| JP2005345832A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Toray Eng Co Ltd | 帯状ワークの露光装置 |
| JP2008310217A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法 |
| JP2011124356A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置 |
-
1996
- 1996-02-22 JP JP8034821A patent/JPH09230610A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6819424B1 (en) | 1999-01-25 | 2004-11-16 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Exposure device for a strip-shaped workpiece |
| JP2005345832A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Toray Eng Co Ltd | 帯状ワークの露光装置 |
| JP2008310217A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法 |
| JP2011124356A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置 |
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